DE3500753C2

DE3500753C2 -

Info

Publication number: DE3500753C2
Application number: DE3500753A
Authority: DE
Inventors: Satoru Kawasaki Kanagawa Jp Tomita
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1984-01-13
Filing date: 1985-01-11
Publication date: 1989-05-24
Also published as: GB8500118D0; US4594599A; GB2153182B; DE3500753A1; GB2153182A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.The invention relates to a method according to the preamble of Claim 1.

Ein derartiges Verfahren ist aus der DE-PS 31 29 109 C2 bekannt. Es wird bei diesem Laser-Druckapparat mit optischer Abtastung ein mit binären Videodaten modulierter Lichtstrahl so gehandhabt, daß aufeinanderfolgend ein unter dem Einfluß von Licht leitendes Element belichtet wird, um elektrostatisch ein latentes Bild auf diesem Element aufzuzeichnen. Das bei dieser Art der Bildaufzeichnung auftretende Problem besteht darin, daß, da die Impulsbreite der Video daten pro Bildpunkt und daher das Verhältnis einer Lichtstrahl- Belichtungszeit zu einer Ein-Bildpunkt-Abtastzeit festge legt ist, das latente Bildpotential in einem Bildabschnitt, der an einen Nicht-Bildabschnitt angrenzt aufgrund des Auf baus und des Abfallens des latenten Bildpotentials abgesenkt wird. Es wird dabei bewirkt, daß das zu entwickelnde Bild unterschiedliche Bildpunkt-Durchmesser in der Hauptabtast richtung und in der Nebenabtastrichtung oder untergeordneten Abtastrichtung aufweist, wodurch die Auflösung zu Konturen hin beträchtlich vermindert wird. Such a method is known from DE-PS 31 29 109 C2 known. It is with this laser printing machine With optical scanning a modulated with binary video data Light beam handled so that one successively one under the influence of light-guiding element is exposed to electrostatically record a latent image on this element. The one that occurs with this type of image recording Problem is that since the pulse width of the video data per pixel and therefore the ratio of a light beam Exposure time fixed at a one-pixel sampling time is the latent image potential in an image section, which is adjacent to a non-image section due to the up construction and the decrease in latent image potential becomes. It is caused that the image to be developed different pixel diameters in the main scan direction and in the sub-scanning direction or subordinate Has scanning direction, whereby the resolution towards contours is considerable is reduced.

Bekannt ist außerdem ein Aufzeichnungsgerät mit optischer Abtastung, bei dem eine Anordnung von Leuchtstoffelementen an Stelle einer Laserlichtquelle verwendet wird, die in einer Hauptabtastrichtung in Einklang mit den Bildpunkten angeordnet sind. Das aus der Leuchtstoffpunkt-Röhre austretende Licht, welches durch die binären Videodaten moduliert ist, gelangt über ein Abbildungssystem zu einem unter dem Einfluß von Licht leitenden Element, welches in der Nebenabtastrichtung geführt ist, um auf diesem ein latentes Bild zu formen (DE-OS 32 19 074).Also known is an optical recording device Sampling where one Arrangement of phosphor elements is used instead of a laser light source, which are arranged in a main scanning direction in accordance with the pixels are. The light emerging from the fluorescent spot tube, which is modulated by the binary video data via an imaging system to one under the influence of Light guiding element which is in the sub-scanning direction is performed to form a latent image on this (DE-OS 32 19 074).

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildaufzeichnung zu schaffen, durch welches konturen scharfe Bilder mit hoher Auflösung erreicht werden können. Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der Ansprüche 1 oder 3. Bei Verwendung von Segmenten des Modulatoren für den Lichtstrahl gibt Anspruch 4 die erfindungsgemäße Lösung an. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.It is therefore an object of the present invention to provide a method to create image by which contours sharp images with high resolution can be achieved. This object is solved by the features of the claims 1 or 3. When using segments of the modulator for the Light beam specifies claim 4, the solution according to the invention. Advantageous embodiments of the invention result from the subclaims.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei spielen unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigtIn the following the invention is based on exemplary embodiments play explained with reference to the drawing. It shows

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines gewöhnlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsgerätes mit optischer Abtastung, bei welchem die erste, die dritte und die fünfte Ausführungsform nach der vor liegenden Erfindung zur Anwendung gelangen; Fig. 1 is a schematic representation of a conventional electrophotographic recording apparatus with optical scanning, in which the first, the third and the fifth embodiment according to the present invention are used;

Fig. 2 eine graphische Darstellung, welche eine Beziehung zwischen einem relativen Potential und einem relati ven Abstand wiedergibt, die einem Muster zugeordnet sind, welches an immer zwei Bildpunkten in der Haupt abtastrichtung gemäß dem ersten und dem zweiten Aus führungsbeispiel belichtet wurde; Fig. 2 is a graph showing a relationship between a relative potential and a relative distance associated with a pattern which has been exposed at two pixels in the main scanning direction according to the first and second exemplary embodiments;

Fig. 3 eine graphische Darstellung, die ein relatives Po tential und einen relativen Strahldurchmesser, wie dies durch vollständiges Belichten der Zeilen in horizontaler Abtastrichtung erreicht wird zeigen; Fig. 3 is a graphical representation showing a relative potential and a relative beam diameter as achieved by fully exposing the lines in the horizontal scanning direction;

Fig. 4 eine graphische Darstellung, die eine Beziehung zwischen einer relativen Potentialdifferenz und einer relativen Bildpunkteinschaltfrequenz bei einem Muster zeigt, welches bei immer zwei Bild punkten in der Hauptabtastrichtung belichtet wurde; Fig. 4 is a graph showing a relationship between a relative potential difference and a relative pixel turn-on frequency in a pattern which has been exposed every two pixels in the main scanning direction;

Fig. 5 eine graphische Darstellung, welche eine Beziehung zwischen einem Potentialkontrast und einer relativen Bildpunkteinschaltfrequenz zeigt; Fig. 5 is a graph showing a relationship between a potential contrast and a relative pixel turn-on frequency;

Fig. 6 eine schematische Darstellung eines elektrophoto graphischen Aufzeichnungsgerätes mit optischer Ab tastung unter Verwendung einer Leuchtstoff-Punktan ordnung-Röhre als Lichtquelle, bei welchem die zweite, vierte und sechste Ausführungsform nach der vorlie genden Erfindung zur Anwendung gelangt; Fig. 6 is a schematic representation of an electrophotographic recording apparatus with optical scanning from using a fluorescent dot arrangement tube as a light source, in which the second, fourth and sixth embodiment according to the vorlie invention is used;

Fig. 7 eine perspektivische Darstellung eines Beispiels einer Leuchtstoff-Punktanordnung-Röhre, die in Fig. gezeigt ist; FIG. 7 is a perspective view of an example of a fluorescent dot array tube shown in FIG.

Fig. 8A und 8B graphische Darstellungen, welche die relativen Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung und dem in der Hauptabtastrich tung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _x ca. 0,94 ent sprechend der dritten Ausführungsform nach der Er findung ist; . 8A and 8B are graphs showing the relative potentials with respect to a relative distance in the sub scanning direction and the show in the main scanning processing, which is achieved when ρ _x approximately 0.94 of the third embodiment according to the invention It is accordingly;

Fig. 9A und 9B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung und dem in der Hauptabtastrich tung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _x ca. 1,18 ist;Which relative potentials with respect to a relative distance in the sub scanning direction and Figures 9A and 9B are graphical representations in the main scanning processing, which is achieved when ρ _x is approximately 1.18.

Fig. 10A und 10B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung und denjenigen in der Haupt abtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _x ca. 1,42 ist; FIG. 10A and 10B are graphs showing relative potentials with respect to a relative distance in the sub scanning direction and those in the main, which is achieved, show if ρ _x is about 1.42;

Fig. 11 eine zweidimensionale Darstellung der Belichtungs energieverteilung, die sich dann ergibt, wenn ein Bildpunkt für Bildpunkt Gittermuster gezeichnet wurde; FIG. 11 is a two dimensional representation of the energy distribution exposure, which then results when drawn, an image point by image point grid pattern;

Fig. 12 eine Darstellung der Flächenpotentialverteilung auf einem unter dem Einfluß von Licht leitenden Element, welches Fig. 11 zugeordnet ist; Figure 12 is a representation of the surface potential distribution on a conductive under the influence of light element, which is associated with FIG. 11.;

Fig. 13A und 13B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Hauptabtastrichtung und einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _y ungefähr 0,94 ist; FIG. 13A and 13B are graphs showing relative potentials with respect to a relative distance in the main scanning direction and a relative distance in the sub scanning direction, which is achieved to show when ρ _y is about 0.94;

Fig. 14A und 14B graphische Darstellungen, die relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Hauptabtastrichtung und dem in der Nebenabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _y ca 1,18 ist; 14A and 14B are graphs showing the relative potentials with respect to a relative distance in the main scanning direction and in the subscanning direction, which is achieved to show when ρ _y is about 1.18.

Fig. 15A und 15B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Hauptabtastrichtung und dem in der Nebenabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _y ca. 1,42 ist; FIG. 15A and 15B are graphs showing relative potentials with respect to a relative distance in the main scanning direction and which is achieved in the sub-scanning direction to show when ρ _y is about 1.42;

Fig. 16 eine zweidimensionale Darstellung der Belichtungs energieverteilung, die sich ergibt, wenn ein Bildpunkt für Bildpunkt-Gittermuster gezeichnet wurde; FIG. 16 is a two dimensional representation of the energy distribution exposure that results when an image point by image point grid pattern was drawn;

Fig. 17 eine Darstellung der Flächenpotential-Verteilung auf einem photoleitfähigen Element, welches Fig. 16 zugeordnet ist; Figure 17 is a representation of the surface potential distribution on a photoconductive element which allocated Fig. 16. FIG.

Fig. 18A und 18B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung und derjenigen in der Hauptabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _x ca. 0,94 entsprechend der fünften Aus führungsform nach der vorliegenden Erfindung ist; FIG. 18A and 18B are graphs showing relative potentials with respect to a relative distance in the sub scanning direction and that in the main scanning, which is achieved to show when ρ _x approximately 0.94 from the fifth is correspondingly guide die according to the present invention;

Fig. 19A und 19B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung und demjenigen in der Hauptabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _x ca. 1,18 ist; FIG. 19A and 19B are graphs showing relative potentials with respect to show a relative distance in the sub scanning direction and that in the main scanning direction, which is achieved when ρ _x is about 1.18;

Fig. 20A und 20B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber einem relativen Abstand in der Nebenabtastrichtung und demjenigen in der Hauptabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _x ca. 1,42 ist; FIG. 20A and 20B are graphs showing relative potentials with respect to a relative distance in the sub scanning direction and that in the main scanning direction, which is achieved to show when ρ _x is about 1.42;

Fig. 21A-21C jeweils eine Verteilung der relativen Be lichtungsenergie Q in der Hauptabtastrichtung gesehen, eine Verteilung der relativen Potentiale in der Hauptabtastrichtung gesehen, und eine Verteilung der relativen Potentiale in der Neben abtastrichtung gesehen, wobei diese Verteilungen alle einem Fall zugeordnet sind, bei welchem eine Potentialverteilung, die durch Zeichnen eines Gittermusters Bildpunkt für Bildpunkt vorgesehen wird, im wesentlichen in der Hauptabtastrichtung und der Nebenabtastrichtung gleich ist; FIG. 21A-21C seen in each case a distribution of the relative Be clearing energy Q in the main scanning direction, seen a distribution of the relative potentials in the main scanning direction, and seen a distribution of the relative potentials in the secondary scanning direction, said distributions are all assigned to a case which is a potential distribution substantially provided in the main scanning direction and the sub scanning direction by drawing a grid pattern pixel by pixel;

Fig. 22A-22C jeweils eine Verteilung der relativen Be lichtungsenergie Q, in der Hauptabtastrichtung gesehen, eine Verteilung der relativen Potentiale in der Hauptabtastrichtung gesehen, und eine Ver teilung der relativen Potentiale in der Nebenab tastrichtung gesehen, wobei alle diese Verteilungen einem Fall zugeordnet sind, bei welchem ein Ver hältnis zwischen latenten Bildzeilenbreiten, die durch Zeichnen eines Gittermusters Bildpunkt für Bildpunkt vorgesehen werden, eine Bedingung nach der vorliegenden Erfindung erfüllt; FIG. 22A-22C each have a distribution of the relative Be clearing energy Q, as seen in the main scanning direction, seen a distribution of the relative potentials in the main scanning direction, and a Ver distribution of the relative potentials in the side agreements to seen the scan direction, all of said distributions are assigned to a case in which a relationship between latent image line widths provided by drawing a grid pattern pixel by pixel satisfies a condition according to the present invention;

Fig. 23A und 23B graphische Darstellungen, welche relative Potentiale gegenüber relativen Abständen in der Nebenabtastrichtung und denen in der Hauptabtast richtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _y ca. 0,94 gemäß der sechsten Ausführungsform nach der vor liegenden Erfindung ist; FIG. 23A and 23B are graphs showing relative potentials to relative distances in the sub scanning direction and those in the main scanning show what is achieved direction when ρ _{y is} about 0.94 of the sixth embodiment according to the invention lying in front;

Fig. 24A und 24B graphische Darstellungen, die relative Potentiale gegenüber relativen Abständen in der Nebenabtastrichtung und jenen in der Hauptabtast richtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _y ca. 1,18 ist; FIG. 24A and 24B are graphs showing the relative potentials to relative distances in the sub scanning direction and those in the main scanning direction to show what is achieved when ρ _y is about 1.18;

Fig. 25 A und 25B graphische Darstellungen, welche re lative Potentiale gegenüber relativen Ab ständen in der Nebenabtastrichtung und jenen in der Hauptabtastrichtung zeigen, was erreicht wird, wenn ρ _y ca. 1,42 ist; Fig. 25 A and 25B are graphs showing re lative potentials to relative Ab stands in the sub scanning direction and which is achieved to those show in the main scanning direction, when ρ _y is about 1.42;

Fig. 26A und 26B jeweils eine Verteilung der relativen Belichtungsenergie Q in Hauptabtastrichtung gesehen und eine Verteilung der relativen Potentiale in der Hauptabtastrichtung gesehen, wobei diese Verteilungen einem Fall zugeordnet sind, bei welchem eine Verteilung von Potentialen, die durch Zeichnen eines Gittermusters Bildpunkt für Bildpunkt vorgesehen werden, im wesentlichen gleich ist in Hauptabtastrichtung und in Neben abtastrichtung; und FIG. 26A and 26B each have a distribution of the relative exposure energy Q as seen in the main scanning direction and seen a distribution of the relative potentials in the main scanning direction, said distributions are assigned to a case in which a distribution of potentials provided by drawing a grating pattern image point by image point be substantially the same in the main scanning direction and in the sub-scanning direction; and

Fig. 27A und 27B jeweils eine Verteilung der relativen Belichtungsenergie Q, in Hauptabtastrichtung gesehen und eine Verteilung von relativen Po tentialen in der Hauptabtastrichtung gesehen, wobei diese Verteilungen einem Fall zugeordnet sind, bei welchem ein Verhältnis zwischen la tenten Bildzeilenbreiten, die durch Zeichnen eines Gittermusters Bildpunkt für Bildpunkt vorgesehen werden, eine Bedingung nach der vor liegenden Erfindung erfüllt. FIG. 27A and 27B each have a distribution of the relative exposure energy Q, as seen in the main scanning direction and a distribution of relative Po tentialen in the main scanning direction seen, these distributions are assigned to a case in which a ratio between la tenten image line widths by drawing a grating pattern Be provided pixel by pixel, a condition according to the prior invention is met.

Ein Verfahren zur Bildaufzeichnung nach der ersten Aus führungsform wird mit einer Einrichtung realisiert, welche die Möglichkeit bietet, die Impulsbreite von Videodaten zu verändern, die einen Lichtstrahl in einem elektrophoto graphischen Aufzeichnungsgerät mit optischer Abtastung modulieren. Die Lichtstrahlabtastung wird so ausgeführt, daß das Verhältnis einer Lichtstrahlbelichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit eine Bedingung erfüllt, die an Grenzen zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten vorgeschrieben wird, so daß das latente Bildpotential in den Bildabschnitten an den Grenzen erhöht werden kann.A method of recording images after the first off management form is realized with a device which offers the ability to increase the pulse width of video data change that a beam of light in an electrophoto graphic recording device with optical scanning modulate. The light beam scanning is carried out that the ratio of a light beam exposure time to a One pixel sampling time meets a condition that is on Boundaries between image sections and non-image sections is prescribed so that the latent image potential in the image sections at the borders can be increased.

Bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel wird bei der Aufzeichnung von Bildern durch ein elektrophotographisches Aufzeichnungsgerät mit optischer Abtastung, wie es in Fig. 1 mit 10 bezeichnet ist, ein optimaler Lichtstrahl-Abtastzu stand oder Bedingung vorgesehen, der bzw. die so ist, daß die Impulsbreite binärer Bilddaten so gesteuert wird, daß die Energie eines Belichtungsstrahls zur Erhöhung der la tenten Bildpotentialdifferenz an einer Grenze zwischen Bild abschnitten und Nichtbildabschnitten in geeigneter Weise variiert wird, so daß dadurch der elektrostatische Kontrast erhöht und damit aufgezeichnete Bilder mit hoher Auflösung er halten werden.In this particular embodiment, when an image is recorded by an optical scanning electrophotographic recorder such as 10 in Fig. 1, an optimal light beam scanning condition or condition is provided which is such that the pulse width is binary Image data is controlled so that the energy of an exposure beam to increase the latent image potential difference at a boundary between image sections and non-image sections is varied in a suitable manner, so that the electrostatic contrast is increased and thus recorded images with high resolution are obtained.

Bei dem Aufzeichnungsgerät 10 in Fig. 1 wird eine Lichtquelle 14 mit einer Laserdiode durch binäre Daten 12 ein- und ausgeschaltet, um dadurch einen direkt modulierten Laserstrahl 16 zu er zeugen. Der Laserstrahl 16 wird durch ein optisches Abtast system geleitet und auch durch ein kompensierendes optisches System 18 geleitet, um aufeinanderfolgend in einer Hauptab tastrichtung ein trommelähnliches photoleitfähiges Element 22 zu beleuchten, welches in einer Nebenabtastrichtung geführt wird und mit einer einheitlichen Ladung durch eine Ladevor richtung 20 versehen wird. Das resultierende latente Bild, welches auf der Trommel 22 gebildet wird, wird durch eine Entwicklereinheit 24 entwickelt und wird dann auf ein Papier 26 in einer Übertragungsstation übertragen. Bei dieser Konstruktion werden Bilder in einer vorbestimmten Dichte auf gezeichnet, die von der Abtastfolge oder Abtastgeschwindigkeit des Laserstrahls in der Hauptabtastrichtung abhängig ist und ebenso von der linearen Geschwindigkeit der Trommel 22 in der Nebenabtastrichtung abhängig ist. Alternativ kann auch ein Strahl, der von einem Gaslaser stammt mit Hilfe eines akustisch-optischen Modulators abhängig von binären Daten moduliert werden.In the recording device 10 in Fig. 1, a light source 14 with a laser diode is switched on and off by binary data 12 , thereby generating a directly modulated laser beam 16 . The laser beam 16 is passed through an optical scanning system and also through a compensating optical system 18 to successively illuminate a drum-like photoconductive element 22 in a main scanning direction, which is guided in a sub-scanning direction and with a uniform charge by a charging device 20th is provided. The resulting latent image formed on the drum 22 is developed by a developer unit 24 and is then transferred to paper 26 in a transfer station. In this construction, images are recorded in a predetermined density which is dependent on the scanning sequence or scanning speed of the laser beam in the main scanning direction and also on the linear speed of the drum 22 in the sub-scanning direction. Alternatively, a beam originating from a gas laser can also be modulated with the aid of an acoustic-optical modulator depending on binary data.

Fig. 2 zeigt eine Kennlinie, die einem Muster zugeordnet ist, welches durch Belichten eines photoleitfähigen Elements bei immer zwei Bildpunkten in der Hauptabtastrichtung vorgesehen wird (d. h. ein Streifenmuster, welches bei jeder schwarzen und weißen Zeile wiederholt wird, die sich in der Nebenab tastrichtung erstrecken). In Fig. 2 ist auf der Abszisse ein relativer Abstand aufgetragen, der aus einem Verhältnis jedes Belichtungsabstandes zu einem Bildpunktschritt oder Abstand (pitch) in der Hauptabtastrichtung besteht, während auf der Ordinate ein relatives Potential aufgetragen ist, welches aus einem Verhältnis von jedem belichteten Flächen potential zu einem Flächenpotential der einheitlich gela denen Trommel 22 besteht. Ein Parameter in den Kennlinien der Fig. 2 ist eine relative Bildpunkteinschaltfrequenz, d. h. ein Verhältnis einer Belichtungszeit zu einer Einbild punkt-Belichtungszeit, welches über einen Bereich von 10-150% verändert ist. Fig. 2 shows a characteristic curve associated with a pattern which is provided by exposing a photoconductive element at two pixels in the main scanning direction (ie, a stripe pattern which is repeated every black and white line extending in the sub scanning direction) ). In Fig. 2, a relative distance is plotted on the abscissa, which consists of a ratio of each exposure distance to a pixel step or pitch in the main scanning direction, while a relative potential is plotted on the ordinate, which is a ratio of each exposed area potential to a surface potential of the uniformly charged drum 22 . A parameter in the characteristics of FIG. 2 is a relative pixel switch-on frequency, ie a ratio of an exposure time to a single-pixel exposure time, which is changed over a range of 10-150%.

Aus Fig. 2 läßt sich erkennen, daß mit zunehmender relativer Bildpunkteinschaltfrequenz die Täler des Flächenpotentials seichter werden und die Spitzen geringer werden. Dies bedeutet, daß die relative Bildpunkteinschalt frequenz eine der verschiedenen Bedingungen darstellt, durch die die Möglichkeit geschaffen wird, daß die Grenzen zwischen schwarz und weiß bei aufgezeichneten Bildern oder zwischen Bildbereichen und Nichtbildbereichen scharf umrissen erscheinen und daß angemessene Schwarz- und Weißzeilenbreiten hergestellt werden können, und daß eine angemessene relative Bildpunkt einschaltfrequenz in dem zuvor erläuterten Bereich existiert.From Fig. 2 it can be seen that with increasing relative pixel switch-on frequency the valleys of the area potential become shallower and the peaks decrease. This means that the relative pixel switch-on frequency is one of the various conditions which make it possible for the boundaries between black and white to appear sharply outlined in recorded images or between image areas and non-image areas and for adequate black and white line widths to be produced, and that an appropriate relative pixel cut-in frequency exists in the range explained above.

Für die Auswahl einer geeigneten oder angemessenen relativen Bildpunkteinschaltfrequenz besteht eine primäre Voraussetzung darin, einen geeigneten oder angemessenen Bereich des Ver hältnisses des Strahldurchmessers zum Bildpunktschritt oder Bildpunktabstand zu bestimmen. Fig. 3 zeigt eine Kurve, welche Verhältnisse wiedergibt zwischen der Spitze des Flächenpotentials auf der Trommel 22, welches aus einer vollständigen Belichtung der Zeilen in der Hauptabtastrichtung resultiert, und dem Flächenpotential auf der Trommel 22, welches aus einer Be lichtungsenergie von Null resultiert. In Fig. 3 ist auf der Abszisse ein relativer Strahldurchmesser aufgetragen, und zwar in Form eines Verhältnisses eines Strahldurchmessers zu einem Bildpunktschritt oder Bildpunktabstand in der Hauptab tastrichtung, während auf der Ordinate ein relatives Potential aufgetragen ist. Dabei ist ein relatives Potential niedriger als ca. 0,2 wünschens wert, in welchem Fall nach Fig. 3 das Verhältnis von Strahldurchmesser zu Bildpunktschritt größer ist als ca. 1,0.For the selection of a suitable or appropriate relative pixel switch-on frequency, a primary requirement is to determine a suitable or appropriate range of the ratio of the beam diameter to the pixel step or pixel distance. Fig. 3 is a graph showing relationships between the peak of the area potential on the drum 22 , which results from a full exposure of the lines in the main scanning direction, and the area potential on the drum 22 , which results from a zero exposure energy. In Fig. 3, a relative beam diameter is plotted on the abscissa, in the form of a ratio of a beam diameter to a pixel step or pixel distance in the main scanning direction, while a relative potential is plotted on the ordinate. A relative potential lower than about 0.2 is desirable, in which case, according to FIG. 3, the ratio of beam diameter to pixel step is greater than about 1.0.

Wie aus Fig. 4 hervorgeht, können die in Fig. 2 gezeigten Verhältnisse in Relation zu den relativen Bildpunkteinschalt frequenzen unter Verwendung des relativen Strahldurchmessers als ein Parameter wiedergegeben werden. Für diesen Fall ist es durch Erfahrung bekannt, daß ein relatives Potential höher als ca. 0,6 wünschenswert ist. Dies gekoppelt mit dem früher erwähnten Verhältnis von Strahldurchmesser zu Bild punktschritt, wenn es größer ist als ca. 1,0, führt zu einem geeigneten oder angemessenen Bildpunktfrequenzbereich, wie dies durch die Schraffierung in Fig. 4 angezeigt ist.As can be seen from FIG. 4, the relationships shown in FIG. 2 in relation to the relative pixel switch-on frequencies can be reproduced using the relative beam diameter as a parameter. In this case, it is known from experience that a relative potential higher than about 0.6 is desirable. This, coupled with the previously mentioned ratio of beam diameter to pixel step if it is greater than approximately 1.0, results in a suitable or appropriate pixel frequency range, as indicated by the hatching in FIG. 4.

Fig. 5 zeigt eine Beziehung zwischen einem Potentialkontrast und einer relativen Bildpunkteinschaltfrequenz gegenüber verschiedenen relativen Strahldurchmessern. In diesem Fall lehrt die Erfahrung, daß der Potentialkontrast in wünschens werter Weise höher ist als ca. 60%. Ein solcher wünschens werter Bereich des Potentialkontrastes und den an früherer Stelle erwähnten relativen Strahldurchmesser führen zu einem geeigneten oder angemessenen relativen Bildpunkteinschalt frequenz-Bereich, wie dies durch die Schraffierung in Fig. 5 angezeigt ist. FIG. 5 shows a relationship between a potential contrast and a relative pixel switch-on frequency with respect to different relative beam diameters. In this case, experience teaches that the potential contrast is desirably higher than about 60%. Such a desirable range of potential contrast and the relative beam diameter mentioned earlier lead to a suitable or appropriate relative pixel switch-on frequency range, as indicated by the hatching in FIG. 5.

Daher lehren die Beziehungen, die in den Fig. 4 und 5 gezeigt sind unter Berücksichtigung der für die Aufzeichnung wesentlichen Bedingungen, d. h. daß der Potentialkontrast und die Potentialdifferenz latenter Bilder groß sind und zusätzlich das Belichtungspotential niedrig und stabil ge halten wird, daß der optimale Bereich der relativen Bildpunkt einschaltfrequenz von 20 bis 110% reicht.Therefore, the relationships shown in Figs. 4 and 5, taking into account the essential conditions for the recording, that is, that the potential contrast and the potential difference of latent images are large, and in addition the exposure potential will keep low and stable that the optimal range the relative pixel switch-on frequency ranges from 20 to 110%.

Es wird somit bei dem speziellen Ausführungsbeispiel die Ab tastung des Lichtstrahls in solcher Weise durchgeführt, daß unter der Annahme, daß das Verhältnis der Lichtstrahl-Belich tungszeit zur Einbildpunkt-Abtastzeit gleich ist Td, eine vor bestimmte Bedingung befriedigt wird und zwar insbesondere bei den Grenzen zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten, wie dies im folgenden gezeigt wird:
0.2 Td 1.1It is thus carried out in the special embodiment from the scanning of the light beam in such a way that assuming that the ratio of the light beam exposure time to the one-pixel scanning time Td , a certain condition is satisfied, especially at the limits between image sections and non-image sections, as shown below:
0.2d 1.1

Wenn die Impulsbreite der binären Videodaten innerhalb des geeigneten Bildpunktfrequenzbereiches ausgewählt wird, wie dies zuvor erläutert wurde, können Bilder mit hohem Kontrast und hoher Auflösung aufgezeichnet werden, und zwar unabhängig davon, ob die Aufzeichnungsart gleich ist Positiv-zu-Positiv oder Negativ-zu-Positiv. Zusätzlich werden die Bereiche der Bildabschnitte und der Nichtbildabschnitte ähnlich denjenigen der Videodaten, so daß verschiedene Faktoren, die für die Schärfe nachteilig sind wie beispielsweise ein Dickwerden oder ein Dünnwerden der Linien oder Zeilen wirksam reduziert werden. Experimentell können bei einer Positiv-zu-Positiv-Aufzeichnung die besten Bilder erreicht werden und zwar bei einem Entwick lungspegel von 150 V und einem relativen Bildpunkteinschalt frequenz-Bereich von 60-70%.If the pulse width of the binary video data within the suitable pixel frequency range is selected, such as As previously explained, high contrast images can be obtained and high resolution can be recorded independently whether the type of recording is positive-to-positive or negative-to-positive. In addition, the areas of Image sections and the non-image sections similar to those of the video data, so various factors that are relevant to the Sharpness is disadvantageous, such as becoming fat or thinning of the lines or lines can be effectively reduced. Experimental with a positive-to-positive recording the best images can be achieved with one development level of 150 V and a relative pixel switch frequency range of 60-70%.

Bei der vorangegangenen Beschreibung wurde ausschließlich der relativen Bildpunkteinschaltfrequenz Beachtung geschenkt, durch die die Aufzeichnungsqualität stark beeinflußt wird. Da jedoch verschiedene andere Faktoren auf die Aufzeichnungsqualität Einfluß haben wie beispiels weise die Abtastgeschwindigkeit, die Strahlleistung oder Strahl energie und der Entwicklungswert, müssen auch diese Faktoren bei der Auswahl einer optimalen relativen Bildpunkteinschalt frequenz berücksichtigt werden, um dadurch die Qualität der aufgezeichneten Bilder weiter zu verbessern.In the previous description, only the relative pixel switch-on frequency Attention paid by the recording quality is strongly influenced. However, since there are various other factors have an influence on the recording quality such as as the scanning speed, the beam power or beam energy and development value, these factors must also when choosing an optimal relative pixel switching frequency are taken into account, thereby reducing the quality of the further improve recorded images.

Das Verfahren entsprechend dem veranschaulichten Ausführungs beispiel kann mit verschiedenen Einrichtungen realisiert werden, die jedoch nicht gezeigt oder beschrieben sind. In jedem Fall kann das erfindungsgemäße Verfahren unmittelbar da durch praktiziert werden, indem man das Verhältnis einer Be lichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit an der Grenze zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten modifiziert oder indem man die Impulsbreite der binären Videodaten in Ab hängigkeit von den binären Videodaten modifiziert.The method according to the illustrated embodiment example can be realized with different facilities but which are not shown or described. In in any case, the method according to the invention can be used immediately be practiced by considering the relationship of a Be clearing time at a one-pixel sampling time at the boundary modified between image sections and non-image sections or by changing the pulse width of the binary video data in Ab dependence on the binary video data modified.

Im folgenden soll eine zweite Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung zur Lösung der eingangs definierten Auf gabe beschrieben werden.The following is a second embodiment according to the present Invention for solving the initially defined On be described.

Das Verfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform läßt sich bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungsgerät mit optischer Aufzeichnung zur Anwendung bringen, bei welchem sehr kleine lichtemittierende Segmente zur Anwendung gelangen wie beispielsweise Leuchtstoffe oder lichtemittierende Dioden (LEDs), wobei dieses Gerät das von diesen Elementen ausgehende Licht durch die binären Videodaten abändert und ein unter dem Einfluß von Licht leitendes Element mit dem modulierten Licht abtastet, um auf diesem ein elektrostatisches latentes Bild zu formen, wobei dann das latente Bild in ein sichtbares Bild umgewandelt wird. Das Verfahren gelangt bei einer Einrichtung zur Anwendung, welche die Möglichkeit bietet, die Impulsbreite der Videodaten zu verändern, durch die Licht moduliert wird, wel ches von den lichtemittierenden Elementen ausgeht. Die Impuls breite der Videodaten wird derart variiert, daß das Verhältnis einer Belichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit eine gegebene Bedingung befriedigt, die bei den Grenzen zwischen Bildbereichen und Nichtbildbereichen besteht, um dadurch das latente Bildpotential in den Bildabschnitten nahe den Nicht bildabschnitten zu erhöhen.The method according to a second embodiment can be with an electrophotographic recorder bring optical recording to use very small light-emitting segments are used such as phosphors or light emitting diodes (LEDs), this device being the source of these elements Light through the binary video data changes and one under the Influence of light-guiding element with the modulated light scans for an electrostatic latent image on this to shape, then the latent image into a visible image is converted. The procedure arrives at a facility to the application, which offers the possibility of the pulse width the video data by which light is modulated, wel ches starts from the light-emitting elements. The impulse width of the video data is varied so that the ratio an exposure time to a one-pixel sampling time given condition satisfied at the boundaries between Image areas and non-image areas exists to thereby the latent image potential in the image sections near the non increase image sections.

Bei diesem speziellen Ausführungsbeispiel wird bei der Auf zeichnung von Bildern durch ein derartiges elektrophotographi sches Aufzeichnungsgerät mit optischer Abtastung, wie es in Fig. 6 allgemein mit 30 bezeichnet ist, eine optimale Belichtungs bedingung vorgesehen, die derart ist, daß die Impulsbreite von binären Videodaten zur Modulation des von sehr kleinen lichtemittierenden Segmenten abgegebenen Lichtes variiert oder verändert wird, um die latente Bildpotentialdifferenz an einer Grenze zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten zu erhöhen, so daß dadurch der elektrostatische Kontrast er höht wird und Bilder mit einer hohen Auflösung aufgezeichnet werden. In this particular embodiment, when recording images by such an electrophotographic recording apparatus with optical scanning, as generally indicated in Fig. 6 at 30 , an optimal exposure condition is provided which is such that the pulse width of binary video data for Modulation of the light emitted by very small light-emitting segments is varied or changed to increase the latent image potential difference at a boundary between image sections and non-image sections, so that the electrostatic contrast is increased and images are recorded with a high resolution.

Bei dem in Fig. 6 gezeigten Aufzeichnungsgerät 30 werden Leuchtstoffelemente, die in Zeilen in einer Leuchtstoffpunkt anordnung 34 Bildpunkt für Bildpunkt in der Hauptabtastrichtung angeordnet sind, durch binäre Daten 32 ein- und ausgeschaltet, um dadurch direkt modulierte feine Strahlen zu erzeugen. Die Strahlen werden durch ein optisches Bilderzeugungssystem 36 geleitet, um in der Hauptabtastrichtung ein trommelförmiges unter dem Einfluß von Licht leitendes Element 40 zu beleuchten, welches in einer Nebenabtastrichtung geführt ist und mit einer einheitlichen Ladung durch eine Ladevorrichtung 38 versehen wird, so daß dadurch aufeinanderfolgend die Trommelfläche Zeile um Zeile belichtet wird. Ein latentes Bild, welches sich aus der Belichtung ergibt, wird mit Hilfe einer Entwicklereinheit 42 in ein sichtbares Bild umgewandelt und wird dann auf ein Papier 46 durch eine Übertragungseinheit 44 übertragen. Mit 48 ist in Fig. 6 eine Reinigungseinheit bezeichnet, um die rest lichen Tonerteilchen von der Trommelfläche nach der Übertra gung zu entfernen.In the recording apparatus 30 shown in Fig. 6, phosphor elements arranged in rows in a phosphor dot array 34 pixel by pixel in the main scanning direction are turned on and off by binary data 32 to thereby generate directly modulated fine rays. The beams are passed through an optical imaging system 36 to illuminate in the main scanning direction a drum-shaped, light-guiding element 40 , which is guided in a sub-scanning direction and is provided with a uniform charge by a charger 38 , so that the successive Drum surface is exposed line by line. A latent image resulting from the exposure is converted into a visible image by means of a developer unit 42 and is then transferred to a paper 46 by a transfer unit 44 . With 48 6 a cleaning unit is in Fig. Refers to the residual toner particles from the drum surface after the supply Übertra to remove.

In Fig. 7 ist eine spezifische Konstruktion einer Leuchtstoff punktanordnung 34 gezeigt, die aus einer Anordnung von Leucht stoffelementen 52 besteht, die in einem Frontglas 50 Bildpunkt für Bildpunkt angeordnet sind und durch integrierte Schaltungen (ICs) 54 getrieben werden, die in einem einzelnen Substrat 58 zusammen mit Anschlüssen 56 ausgebildet sind. Die Leuchtstoffpunktanordnung 34, die als Lichtquelle dient, kann durch eine Anordnung von LEDs ersetzt werden, von denen jede einen Bildpunkt darstellt.In Fig. 7, a specific construction of a fluorescent dot array 34 is shown, which consists of an array of fluorescent elements 52 which are arranged in a front glass 50 pixel by pixel and are driven by integrated circuits (ICs) 54 which are in a single substrate 58 are formed together with connections 56 . The phosphor dot array 34 , which serves as the light source, can be replaced by an array of LEDs, each of which represents a pixel.

Die verschiedenen in den Fig. 2-4 gezeigten Kurven, die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform erläutert wurden, sind auch ebenso für die zweite Ausführungsform direkt gültig bzw. anwendbar. The various curves shown in FIGS. 2-4, which were explained in connection with the first embodiment, are also directly applicable to the second embodiment.

Betrachtet man daher die für die Aufzeichnung wesentlichen Bedingungen, d. h. daß der Potentialkontrast und die Potential differenz von latenten Bildern groß ist und zusätzlich das Belichtungspotential niedrig und stabil gehalten wird, so lehren die in den Fig. 4 und 5 gezeigten Beziehungen, daß der optimale Bereich der relativen Bildpunkteinschaltfrequenz gleich ist 20-110%.Therefore, considering the conditions essential for recording, that is, that the potential contrast and the potential difference of latent images are large and that the exposure potential is kept low and stable, the relationships shown in Figs. 4 and 5 teach that the optimal range the relative pixel switch-on frequency is equal to 20-110%.

Es wird somit entsprechend dieser bestimmten Ausführungsform die Impulsbreite der Videodaten in solcher Weise variiert, daß unter der Annahme, daß das Verhältnis einer Belichtungs zeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit gleich ist Td, eine vor bestimmte Bedingung befriedigt wird und zwar insbesondere an den Grenzen zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten, wobei diese Bedingung wie folgt lautet:
0.2 Td 1.1It is thus varied according to this particular embodiment, the pulse width of the video data in such a way that, assuming that the ratio of an exposure time to a one-pixel sampling time is the same Td , a certain condition is satisfied, especially at the borders between image sections and non-image sections, which condition is as follows:
0.2d 1.1

Wie zuvor beschrieben wurde, wird bei dem Bildaufzeichnungs verfahren gemäß der zweiten Ausführungsform die Impulsbreite binärer Videodaten innerhalb eines günstigen oder angemessenen relativen Bildpunkteinschaltfrequenz-Bereiches an einer Grenze zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten variiert oder verändert, wodurch das latente Bildpotential im Bildab schnitt erhöht wird und damit auch der elektrostatische Kon trast erhöht wird. Dies schafft die Möglichkeit, daß ein elektrophotographisches Aufzeichnungsgerät mit optischer Ab tastung, speziell ein solches, bei dem winzige lichtemittierende Segmente als Lichtquelle zur Anwendung gelangen, Bilder mit hoher Auflösung aufzeichnen kann.As described above, the image recording move the pulse width according to the second embodiment binary video data within a reasonable or reasonable relative pixel cut-in frequency range at a limit varies between image sections and non-image sections or changed, whereby the latent image potential in the image cut is increased and thus also the electrostatic con trast is increased. This creates the possibility that a electrophotographic recorder with optical Ab palpation, especially one where the tiny light-emitting Segments are used as light sources, images with can record high resolution.

Es soll im folgenden eine dritte Ausführungsform beschrieben werden, die zur Lösung der eingangs definierten Aufgabe ge eignet ist.A third embodiment will now be described be to solve the task defined ge is suitable.

Wenn ein elektrophotographisches Aufzeichnungsgerät mit op tischer Abtastung wie das in Fig. 1 gezeigte so konstruiert ist, daß ein latentes Bild auf einem photoleitfähigen Element elek trostatisch geformt wird indem dieses Element mit einem Licht strahl belichtet wird, der mit binären Videodaten moduliert ist, so wird gemäß der dritten Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung ein Lichtstrahlzustand und eine Lichtstrahlabtastbe dingung hergestellt, wonach die Bildpunkte in einem zu ent wickelnden Bild sowohl in der Hauptabtastrichtung als auch in der Nebenabtastrichtung den gleichen Durchmesser haben.When an optical scanning electrophotographic recorder such as that shown in Fig. 1 is constructed so that a latent image on a photoconductive member is electrostatically formed by exposing that member to a light beam modulated with binary video data according to the third embodiment of the present invention, a light beam condition and a light beam scanning condition are established, according to which the pixels in an image to be developed have the same diameter in both the main scanning direction and the sub-scanning direction.

Die Fig. 7A, 8B, 9A, 9B, 10A und 10B zeigen Beispiele für relative Potentiale V und eine relative Belichtungsenergie Q in Relation zu relativen Abständen X und Y in der Hauptabtast- und in der Nebenabtastrichtung bei einem Belichtungsmuster, welches aus einer Zeile von sowohl in der Hauptabtastrichtung als auch in der Nebenabtastrichtung besteht, unter der Voraus setzung, daß der Lichtstrahlzustand oder Bedingung und die Lichtstrahlabtastbedingung auf verschiedene Weise variiert wird. Der relative Abstand X oder Y stellt ein Verhältnis des Abstandes zu jedem Bildpunktschritt in der Hauptabtast richtung oder der Nebenabtastrichtung dar, das relative Po tential V stellt ein Verhältnis eines Flächenpotentials auf der Trommel 22 nach einer Belichtung zu einem Flächenpotential (einheitlich) dar, welches einer Belichtungsenergie von Null zugeordnet ist, und die relative Belichtungsenergie Q bildet ein Verhältnis der tatsächlichen Belichtungsenergie zur maxi malen Belichtungsenergie. Zur Veranschaulichung haben die Fig. 8B, 9B und 10B die gleichen Daten gemeinsam. FIGS. 7A, 8B, 9A, 9B, 10A and 10B show examples of relative potentials V and a relative exposure energy Q in relation to relative distances X and Y in the main scanning and the sub-scanning direction at an exposure pattern consisting of a line of exists in both the main scanning direction and the sub-scanning direction, provided that the light beam condition or condition and the light beam scanning condition are varied in different ways. The relative distance X or Y represents a ratio of the distance to each pixel step in the main scanning direction or the sub-scanning direction, the relative potential V represents a ratio of an area potential on the drum 22 after exposure to an area potential (uniform), which is one Exposure energy of zero is assigned, and the relative exposure energy Q forms a ratio of the actual exposure energy to the maximum exposure energy. For illustration, Figures 8B, 9B and 10B share the same data.

Die in den Fig. 8A und 8B gezeigten Kurven wurden durch ein Verhältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Hauptabtast richtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung erreicht, welches ca. 0,94 betrug. In Fig. 8A wurde die re lative Einschaltfrequenz Td, die das Verhältnis einer opti schen Strahlbelichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit darstellt, verändert oder variiert, während in Fig. 8B ein Ver hältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtastrichtung variiert oder geändert wurde. Die durch fettgedruckte Linien gezeigten Kennlinien sind einer Bedingung zugeordnet, bei welcher die Potentialverteilung sowohl in Hauptabtastrichtung als auch in Nebenabtastrichtung analog ist und bei einer solchen Be dingung sind ρ _x = 0,94, ρ _y = 1,18 und Td = 0,6 und es ergibt sich dann eine Lichtstrahlbedingung oder Zustand ρ _y/ρ _x = 1,255 und ein Lichtstrahlabtastzustand oder Bedingung ρ _x · Td = 0,564. Der genannte "Strahldurchmesser" ist durch eine Querschnitts gestalt an einer Stelle definiert, die e⁻² ist (ca. 13,5%) von einer Spitze einer Strahlintensitätsverteilung mit einer Gaußschen Verteilung.The curves shown in FIGS. 8A and 8B were achieved by a ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction which was about 0.94. In Fig. 8A, the relative turn-on frequency Td , which represents the ratio of an optical beam exposure time to a one-pixel scanning time, was changed or varied, while in Fig. 8B, a ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction was varied or changed. The characteristic curves shown in bold lines are assigned to a condition in which the potential distribution is analogous both in the main scanning direction and in the sub-scanning direction and with such a condition ρ _x = 0.94, ρ _y = 1.18 and Td = 0.6 and then there is a light beam condition or state ρ _y / ρ _x = 1.255 and a light beam scanning state or condition ρ _x · Td = 0.564. The named "beam diameter" is defined by a cross-sectional shape at a point which is e ⁻² (approx. 13.5%) from a peak of a beam intensity distribution with a Gaussian distribution.

Die in den Fig. 9A und 9B gezeigten Kurven resultieren aus einem Verhältnis ρ _x des Strahldurchmessers in der Hauptabtast richtung zu dem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung, welches bei ca. 1,18 lag. In Fig. 9A wurde die relative Ein schaltfrequenz Td variiert oder geändert, die aus dem Ver hältnis einer Lichtstrahlbelichtungszeit zu einer Einbildpunkt- Abtastzeit besteht, während in Fig. 9B das Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtastrichtung zu einem Bild punktschritt in der Nebenabtastrichtung variiert wurde. Die durch die fettgedruckten Linien angegebenen Kennlinien sind einer Bedingung zugeordnet, bei welcher die Potentialvertei lung in der Hauptabtastrichtung analog ist zu derjenigen in der Nebenabtastrichtung und es ergeben sich für eine solche Bedingung ρ _x = 1,18, p _y = 1,42 und Td = 0,7 und dadurch eine Lichtstrahlbedingung ρ _y/ρ _x = 1,203 und eine Lichtstrahlabtast bedingung entsprechend ρ _x · Td = 0,826.The curves shown in FIGS. 9A and 9B result from a ratio ρ _{x of} the beam diameter in the main scanning direction to the pixel step in the main scanning direction, which was approximately 1.18. In Fig. 9A, the relative switch-on frequency Td was varied or changed, which consists of the ratio of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time, while in Fig. 9B, the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction varies has been. The characteristic curves indicated by the bold lines are assigned to a condition in which the potential distribution in the main scanning direction is analogous to that in the sub-scanning direction and for such a condition there are ρ _x = 1.18, p _y = 1.42 and Td = 0.7, and thereby a light beam condition ρ _y / ρ _x = 1.203 and a light beam scanning condition corresponding to ρ _x * Td = 0.826.

Die in den Fig. 10A und 10B gezeigten Kurven ergaben sich aus einem Verhältnis p _x des Strahldurchmessers in der Hauptabtastrichtung zu dem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung welches bei ca. 1,42 lag. In Fig. 10A wurde die relative Ein schaltfrequenz Td geändert, die aus dem Verhältnis einer Licht strahlbelichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit besteht, während in Fig. 10B das Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtastrichtung variiert wurde. Die durch Fett gedruckte Linien angegebenen Kennlinien sind einer Bedingung zugeordnet, bei welcher die Potentialverteilung in der Hauptabtastrichtung analog ist zu derjenigen in der Nebenabtastrichtung und bei einer solchen Bedingung ist ρ _x = 1,42, ρ _y = 1,65 und Td = 0,8 und es ergibt sich damit eine Lichtstrahlbedingung ρ _y/ρ _x = 1,162 und eine Lichtstrahlabtastbedingung entsprechend p _x · Td = 1,136.The curves shown in FIGS. 10A and 10B resulted from a ratio p _{x of} the beam diameter in the main scanning direction to the pixel step in the main scanning direction, which was approximately 1.42. In FIG. 10A, the relative switch-on frequency Td was changed, which consists of the ratio of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time, while in FIG. 10B the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction was varied. The characteristic curves indicated in bold are assigned to a condition in which the potential distribution in the main scanning direction is analogous to that in the sub-scanning direction and in such a condition ρ _x = 1.42, ρ _y = 1.65 and Td = 0, 8 and this results in a light beam condition ρ _y / ρ _x = 1.162 and a light beam scanning condition corresponding to p _x · Td = 1.136.

Durch Auswählen anderer geeigneter Werte von ρ _x, um andere verschiedene Parameter p _y und Td vorzusehen, können Potential verteilungen erhalten werden, die in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung analog sind.By selecting other suitable values of ρ _x to provide other different parameters p _y and Td , potential distributions can be obtained which are analog in the main scanning direction and in the sub-scanning direction.

Aus der vorangegangenen Analyse ergibt sich, daß, wenn 1.0 ≦ωτ ρ _y/ρ _x ≦ωτ 1.5 und 0.5 ≦ωτ ρ _x · Td ≦ωτ 1,5 befriedigt werden in der Praxis eine Potentialverteilung erhalten werden kann, die in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung im wesentlichen analog ist.From the previous analysis it follows that if 1.0 ≦ ωτ ρ _y / ρ _x ≦ ωτ 1.5 and 0.5 ≦ ωτ ρ _x · Td ≦ ωτ 1.5 are satisfied in practice a potential distribution can be obtained which is in the main scanning direction and is substantially analog in the sub-scanning direction.

Gemäß den Fig. 11 und 12 ist eine zweidimensionale Verteilung gezeigt, die einer der verschiedenen Bedingungen zugeordnet ist, die zuvor erläutert wurden. Fig. 11 zeigt eine Verteilung der Belichtungsenergie Q unter der Voraussetzung, daß ein Gittermuster Bildpunkt für Bildpunkt gezeichnet wird unter den Bedingungen ρ _x = 1,18, ρ _y = 1,42 und Td = 0,7. Fig. 12 zeigt eine Flächenpotentialverteilung auf einem photoleitfähi gen Element, die der Belichtungsenergieverteilung der Fig. 11 zugeordnet ist. Obwohl die graphischen Darstellungen nach den Fig. 11 und 12 Ergebnisse einer Computersimulation sind, konnte durch Experimente bewiesen werden, daß, wenn ein latentes Bild auf einem photoleitfähigen Element unter den zuvor ange gebenen Bedingungen gebildet wird, und in ein sichtbares Bild umgewandelt wird die Zeilen oder Linien des resultierenden Gitters hinsichtlich der Breite in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung im wesentlichen identisch sind. Referring to FIGS. 11 and 12 a two-dimensional distribution is shown that is associated with one of the various conditions which have been previously explained. FIG. 11 shows a distribution of the exposure energy Q provided that a grid pattern is drawn pixel by pixel under the conditions ρ _x = 1.18, ρ _y = 1.42 and Td = 0.7. FIG. 12 shows a surface potential distribution on a photoconductive element which is assigned to the exposure energy distribution of FIG. 11. Although the graphs of FIGS. 11 and 12 results of a computer simulation, it was proved through experiments that when forming a latent image on a photoconductive element under the above-mentioned conditions, and is converted into a visible image, the lines or lines of the resulting grating are substantially identical in width in the main scanning direction and in the sub-scanning direction.

Grundsätzlich können die Bildpunktdurchmesser in der Hauptab- tastrichtung und in der Nebenabtastrichtung gesteuert werden, wenn ρ _x, ρ _y und Td beim Schritt der Bildung eines latenten Bildes auf einem photoleitfähigen Element bestimmt werden. Diese Ausführungsform, bei welcher eine analoge Potentialver teilung in Hauptabtastrichtung und in Nebenabtastrichtung er reicht wird, ist effektiv sowohl bei einer Positiv-zu-Positiv- Aufzeichnung als auch bei einer Negativ-zu-Negativ-Aufzeichnung anwendbar.In principle, the pixel diameters in the main scanning direction and in the sub-scanning direction can be controlled if ρ _x , ρ _y and Td are determined in the step of forming a latent image on a photoconductive element. This embodiment, in which an analog potential distribution in the main scanning direction and in the sub-scanning direction is sufficient, is effectively applicable to both positive-to-positive recording and negative-to-negative recording.

Die dritte beschriebene Ausführungsform konzentrierte sich auf einen Lichtstrahlzustand und einen Lichtstrahlabtastzustand. Da jedoch die Qualität der aufgezeichneten Bilder auch von anderen verschiedenen Faktoren wie beispielsweise der Abtast geschwindigkeit, der Strahlenergie oder Leistung und dem Ent wicklungswert abhängig ist, müssen auch diese verschiedenen Faktoren bei der Auswahl von ρ _y/ρ _x und ρ _x · Td berücksichtigt werden, wenn Bilder mit hoher Qualität gewünscht werden. Die Steuerung von Td läßt sich unmittelbar dadurch realisieren, indem man die Impulsbreite der binären Videodaten an den Grenzen zwischen Bildabschnitten und Nichtbildabschnitten modifiziert.The third embodiment described focused on a light beam state and a light beam scanning state. However, since the quality of the recorded images also depends on other different factors such as scanning speed, beam energy or power and the development value, these different factors must also be taken into account when choosing ρ _y / ρ _x and ρ _x · Td when high quality images are desired. The control of Td can be realized directly by modifying the pulse width of the binary video data at the borders between picture sections and non-picture sections.

Es soll nun im folgenden eine vierte Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung zur Lösung der eingangs definierten Aufgabe beschrieben werden.A fourth embodiment will now be described below of the present invention for solving the initially defined Task to be described.

Das Verfahren gemäß der vierten Ausführungsform ist beispiels weise bei dem in Fig. 6 und 7 gezeigten elektrophotographischen Aufzeichnungsgerät 30 mit optischer Abtastung anwendbar, bei welchem die Leuchtstoffpunktanordnung-Röhre 34 als Lichtquelle verwendet wird, die Leuchtstoffelemente enthält, die in einer Anordnung in der Hauptabtastrichtung auf einer Bildpunktbasis angeordnet sind. Wenn ein durch die binären Videodaten 32 modulierter Lichtstrahl, der von der Punktanordnungsröhre 34 abgegeben wird auf die Fläche des photoleitfähigen Elements 40 fokussiert werden soll, welches in der Nebenabtastrichtung geführt ist, wird gemäß dem Verfahren nach der vierten Aus führungsform eine spezifische Lichtstrahlbedingung oder Zu stand und eine spezifische Lichtstrahlabtastbedingung vor gesehen, durch die die Bildpunkte hinsichtlich ihres Durch messers in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtast richtung in dem resultierenden gleichgemacht werden.The method according to the fourth embodiment is applicable to, for example, the optical scanning electrophotographic recording apparatus 30 shown in Figs. 6 and 7, in which the phosphor dot array tube 34 is used as the light source containing the phosphor elements arranged in the main scanning direction a pixel base are arranged. According to the method of the fourth embodiment, when a light beam modulated by the binary video data 32 to be focused from the dot array tube 34 to be focused on the surface of the photoconductive member 40 is guided in the sub-scanning direction, a specific light beam condition or state is obtained and seen a specific light beam scanning condition by which the pixels are equalized in diameter in the main scanning direction and the sub scanning direction in the resultant.

Die Fig. 13A, 13B, 14A, 14B, 15A und 15B zeigen Beispiele relativer Potentiale V und der relativen Belichtungsenergie Q in Relation zu relativen Abständen X und Y in der Hauptabtast richtung und der Nebenabtastrichtung, einem Belichtungsmuster, welches eine Zeile in sowohl der Hauptabtastrichtung als auch in der Nebenabtastrichtung umfaßt, wobei als Voraussetzung gilt, daß der Lichtstrahlzustand oder Bedingung und die Licht strahlabtastbedingung auf verschiedene Weise variiert sind. Der relative Abstand X oder Y stellt ein Verhältnis eines Ab standes zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung oder in der Nebenabtastrichtung dar, das relative Potential V stellt ein Verhältnis eines Flächenpotentials auf der Trommel nach der Belichtung zu einem Flächenpotential (einheitlich) dar, welches einer Belichtungsenergie von Null zugeordnet ist, und die relative Belichtungsenergie Q stellt ein Verhältnis der tatsächlichen Belichtungsenergie zur maximalen Belichtungs energie dar. Die Fig. 13A, 14A und 15A haben zur Veranschau lichung die gleichen Daten gemeinsam. Figs. 13A, 13B, 14A, 14B, 15A and 15B show examples of relative potentials V and the relative exposure energy Q in relation to relative distances X and Y in the main scanning direction and the sub scanning direction, an exposure pattern having a line in both the main scanning direction as well as in the sub-scanning direction, with the prerequisite that the light beam condition or condition and the light beam scanning condition are varied in different ways. The relative distance X or Y represents a ratio of a distance to a pixel step in the main scanning direction or in the sub-scanning direction, the relative potential V represents a ratio of a surface potential on the drum after exposure to a surface potential (uniform) which represents exposure energy is assigned from zero, and the relative exposure energy Q represents a ratio of the actual exposure energy to the maximum exposure energy. FIGS . 13A, 14A and 15A have the same data in common for illustrative purposes.

Die in den Fig. 13A und 13B gezeigten Kurven werden bei einem Verhältnis p _y eines Strahldurchmessers in der Nebenab tastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung erhalten, welches bei ca. 0,94 liegt. In Fig. 13A ist das Verhältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Hauptabtastrichtung zum Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung variiert, während in Fig. 13B das Verhältnis Td einer Lichtstrahlbelich tungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit variiert ist. Die durch fettgedruckte Linien angegebenen Kennlinien sind einer Bedingung zugeordnet, bei welcher die Potentialverteilung analog ist in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung, wobei sich für eine solche Bedingung ergibt, daß ρ _y ≃ 0,94, ρ _x ≃ 1,18 und Tp ≃ 0,6 und wobei eine Lichtstrahlbedingung entsprechend ρ _y/ρ _x ≃ 0,797 und eine Lichtstrahlabtastbedingung entsprechend p _y · Tp ≃ 0,564 sind. Der genannte "Strahldurchmesser" wird durch eine Querschnittsgestalt an einer Stelle definiert, die bei e⁻² liegt (ca. 13,5%) von einer Spitze einer Strahl intensitätsverteilung mit einer Gaußschen Verteilung.The curves shown in Figs. 13A and 13B are obtained at a ratio p _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the main scanning direction which is about 0.94. In Fig. 13A, the ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to the pixel step in the main scanning direction is varied, while in Fig. 13B, the ratio Td of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time is varied. The characteristic curves indicated in bold lines are assigned to a condition in which the potential distribution is analog in the main scanning direction and in the sub-scanning direction, with the result for such a condition that ρ _y ≃ 0.94, ρ _x ≃ 1.18 and Tp ≃ 0.6 and where a light beam condition corresponding to ρ _y / ρ _x ≃ 0.797 and a light beam scanning condition corresponding to p _y · Tp ≃ 0.564. The named "beam diameter" is defined by a cross-sectional shape at a point which is at e ⁻² (approx. 13.5%) from a peak of a beam intensity distribution with a Gaussian distribution.

Die in den Fig. 14A und 14B gezeigten Kurven resultieren aus einem Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Neben abtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtast richtung, welches ca. 1,18 beträgt.In Fig. 14A ist das Ver hältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Hauptabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung variiert, während in Fig. 14B das Verhältnis Tp einer Lichtstrahlbelichtungs zeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit variiert ist. Die durch Fett gedruckte Linien angegebenen Kennlinien sind einer Be dingung zugeordnet, bei welcher die Potentialverteilung analog ist in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung, wobei für eine solche Bedingung die folgenden Werte gelten ρ _y ≃ 1,18, ρ _x ≃ 1,42 und Tp ≃ 0,7, woraus sich eine Lichtstrahl bedingung p _y/ρ _x ≃ 0,831 und eine Lichtstrahlabtastbedingung entsprechend ρ _y · Tp ≃ 0,826 ergibt.The curves shown in Figs. 14A and 14B result from a ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction which is about 1.18. In Fig. 14A is the ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to one pixel step in the main scanning direction, while in Fig. 14B, the ratio Tp of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time is varied. The characteristic curves indicated in bold are assigned to a condition in which the potential distribution is analog in the main scanning direction and in the sub-scanning direction, the following values applying to such a condition ρ _y ≃ 1.18, ρ _x ≃ 1.42 and Tp ≃ 0.7, which results in a light beam condition p _y / ρ _x ≃ 0.831 and a light beam scanning condition corresponding to ρ _y · Tp ≃ 0.826.

Die in den Fig. 15 A und 15B gezeigten Kurven resultieren aus einem Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Neben abtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtast richtung, welches bei ca. 1,42 liegt. In Fig. 15A ist das Ver hältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Hauptabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung variiert, während in Fig. 15B das Verhältnis Tp einer Lichtstrahlabtast zeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit variiert ist. Die mit Fett gedruckten Linien angegebenen Kennlinien sind einer Be dingung zugeordnet, bei welcher die Potentialverteilung in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung analog ist, wobei bei einer solchen Bedingung sich die Werte ergeben entsprechend p _y ≃ 1,42, ρ _x ≃ 1,65 und Tp = 0,8, woraus sich dann eine Lichtstrahlbedingung ρ _y/ρ _x ≃ 0,861 und eine Licht strahlabtastbedingung entsprechend ρ _y · Tp ≃ 1,136 ergibt.In FIGS. 15 A and 15B curves resulting from a ratio ρ _y of a beam diameter in the sub scanning direction to an image point in the sub scanning direction step, which is about 1.42. In Fig. 15A, the ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to one pixel step in the main scanning direction is varied, while in Fig. 15B, the ratio Tp of a light beam scanning time to one pixel scanning time is varied. The characteristic lines marked in bold are assigned to a condition in which the potential distribution in the main scanning direction and in the secondary scanning direction is analogous, the values resulting in such a condition corresponding to p _y ≃ 1.42, ρ _x ≃ 1.65 and Tp = 0.8, which then results in a light beam condition ρ _y / ρ _x ≃ 0.861 and a light beam scanning condition corresponding to ρ _y · Tp ≃ 1.136.

Aus der vorangegangenen Analyse ergibt sich, daß, wenn 0,6 ρ _y/ρ _x 1,0 und 0,5 ρ _y · Tp 1,5 befriedigt sind, sich in der Praxis eine Potentialverteilung erreichen läßt, die im wesentlichen in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung analog ist.It follows from the previous analysis that if 0.6 ρ _y / ρ _x 1.0 and 0.5 ρ _y · Tp 1.5 are satisfied, a potential distribution can be achieved in practice, which is essentially in the main scanning direction and is analog in the sub-scanning direction.

In der Fig. 16 und 17 ist eine zweidimensionale Verteilung gezeigt, die einer der verschiedenen Bedingungen zugeordnet ist, wie sie zuvor erläutert wurden. Fig. 16 gibt eine Ver teilung der Belichtungsenergie Q wieder, wenn ein Gittermuster Bildpunkt für Bildpunkt unter den Bedingungen gezeichnet wird ρ _y ≃ 1,18, ρ _x ≃ 1,42 und Tp ≃ 0,7. Fig. 17 zeigt eine Flächen potentialverteilung auf einem photoleitfähigen Element, die der Belichtungsenergieverteilung der Fig. 16 zugeordnet ist. Obwohl die graphischen Darstellungen der Fig. 16 und 17 Ergebnisse einer Computersimulation sind, konnte durch Experi mente bewiesen werden, daß dann, wenn ein latentes Bild auf einem photoleitfähigen Element unter den zuvor angegebenen Bedingungen gebildet wird und dann in ein sichtbares Bild um gewandelt wird, die Linien eines resultierenden Gitters hin sichtlich der Breite in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung im wesentlichen identisch sind.In the Figs. 16 and 17 is a two-dimensional distribution shown that is associated with one of the different conditions, as discussed previously. Fig. 16 shows a distribution of the exposure energy Q when a grid pattern is drawn pixel by pixel under the conditions ρ _y ≃ 1.18, ρ _x ≃ 1.42 and Tp ≃ 0.7. FIG. 17 shows an area potential distribution on a photoconductive element which is assigned to the exposure energy distribution of FIG. 16. Although the graphs of FIGS . 16 and 17 are the results of a computer simulation, experiments have shown that when a latent image is formed on a photoconductive element under the above conditions and then converted to a visible image, the lines of a resulting grid are substantially identical in width in the main and sub-scan directions.

Grundsätzlich können die Bildpunktdurchmesser in der Haupt abtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung gesteuert werden, wenn ρ _x, ρ _y und Tp beim Schritt der Bildung eines latenten Bildes auf einem photoleitfähigen Element bestimmt werden. Diese spezielle Ausführungsform, bei welcher eine Potential verteilung in Hauptabtastrichtung und in Nebenabtastrichtung in analoger Weise erreicht wird, ist effektiv anwendbar bei sowohl einer Positiv-zu-Positiv-Aufzeichnung als auch bei einer Negativ-zu-Negativ-Aufzeichnung. Basically, the pixel diameters in the main scanning direction and in the sub-scanning direction can be controlled if ρ _x , ρ _y and Tp are determined in the step of forming a latent image on a photoconductive element. This special embodiment, in which a potential distribution in the main scanning direction and in the sub-scanning direction is achieved in an analogous manner, can be effectively used in both positive-to-positive recording and negative-to-negative recording.

Im folgenden soll nun eine fünfte Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung zur Lösung der eingangs definierten Aufgabe beschrieben werden.In the following, a fifth embodiment according to the present invention for solving the initially defined Task to be described.

Wenn ein elektrophotographisches Aufzeichnungsgerät mit optischer Abtastung wie das in Fig. 1 mit 10 bezeichnete Gerät so konstruiert ist, daß auf einer Trommel 22 ein latentes Bild elektrostatisch ausgebildet wird, indem diese mit einem Lichtstrahl belichtet wird, der durch die binären Videodaten moduliert ist, wird bei dem Verfahren gemäß der fünften Aus führungsform eine bestimmte Lichtstrahlbedingung hergestellt, bei welcher das Verhältnis zwischen einer Breite lp einer latenten Bildzeile, die im wesentlichen parallel zur Entwicklungs richtung verläuft und einer Breite lc einer Zeile, die im wesentlichen senkrecht zur Entwicklungsrichtung verläuft, auf einen optimalen Bereich von 1,0 lc/lp 1,2 begrenzt wird.When an optical scanning electrophotographic recording apparatus such as the apparatus indicated at 10 in Fig. 1 is constructed so that a latent image is electrostatically formed on a drum 22 by exposing it to a light beam modulated by the binary video data in the method according to the fifth embodiment, a certain light beam condition is established in which the ratio between a width lp of a latent image line which is substantially parallel to the direction of development and a width lc of a line which is substantially perpendicular to the direction of development to one optimal range of 1.0 lc / lp 1.2 is limited.

Die Fig. 18A, 18B, 19A, 19B, 20A und 20B zeigen Beispiele relativer Potentiale V und der relativen Belichtungsenergie Q in Relation zu relativen Abständen X und Y in der Hauptab tastrichtung und in der Nebenabtastrichtung bei einem Be lichtungsmuster, welches eine Linie oder Zeile in sowohl der Hauptabtastrichtung als auch der Nebenabtastrichtung aufweist, wobei die Lichtstrahlbedingung und die Lichtstrahlabtastbe dingung bei einer Positiv-zu-Positiv-Aufzeichnung in verschie dener Weise variiert wurde. Der relative Abstand X oder Y stellt ein Verhältnis eines Abstandes zu jedem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung oder der Nebenabtastrichtung dar, das relative Potential V ein Verhältnis eines Flächenpotentials auf der Trommel 22 nach der Belichtung zu einem Flächenpotential (einheitlich), welches einer Belichtungsenergie von Null zugeordnet ist, während die relative Belichtungsenergie Q ein Verhältnis der tatsächlichen Belichtungsenergie zur maxi malen Belichtungsenergie darstellt.Tactile sense FIGS. 18A, 18B, 19A, 19B, 20A and 20B show examples of relative potentials V and the relative exposure energy Q in relation to relative distances X and Y in the Hauptab and clearing pattern in the sub-scanning direction at a Be, that a line or row in both the main scanning direction and the sub-scanning direction, the light beam condition and the light beam scanning condition being varied in various ways in positive-to-positive recording. The relative distance X or Y represents a ratio of a distance to each pixel step in the main scanning direction or the sub-scanning direction, the relative potential V represents a ratio of an area potential on the drum 22 after exposure to an area potential (uniform) which is associated with a zero exposure energy is, while the relative exposure energy Q represents a ratio of the actual exposure energy to the maximum exposure energy.

Die in den Fig. 18A und 18B gezeigten Kurven werden bei einem Verhältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Hauptab tastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtast richtung erhalten, welches bei ca. 0,94 liegt. In Fig. 18A wurde die relative Bildpunkteinschaltfrequenz Td, die aus dem Verhältnis einer optischen Strahlbelichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit darstellt, variiert, während in Fig. 18B das Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Neben abtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtastrichtung variiert wurde. Die in Fig. 18A mit strich lierter Linie angegebene Kennlinie und die mit fettgedruckter Linie angegebene Kennlinie in Fig. 18B haben die gleiche Potentialverteilung im wesentlichen gemeinsam und für eine solche Bedingung gilt dann ρ _x ≃ 0,94, ρ _y ≃ 1,18 und Td ≃ 0,6. In diesem Fall läßt sich durch Ändern der relativen Bild punkteinschaltfrequenz Td von 0,6 auf 0,7, wie dies durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 18A angegeben ist, eine latente Bildzeilenbreite lc in der Nebenabtastrichtung größer gestalten als bei einer Zeile in der Hauptabtastrichtung und das Verhältnis lc/lp kann auf den zuvor erwähnten Bereich beschränkt werden.The curves shown in Figs. 18A and 18B are obtained at a ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction which is about 0.94. In Fig. 18A, the relative pixel turn-on frequency Td , which represents the ratio of an optical beam exposure time to a one-pixel scanning time, was varied, while in Fig. 18B, the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction was varied. The characteristic curve indicated by the dashed line in FIG. 18A and the characteristic curve indicated by the bold line in FIG. 18B have the same potential distribution essentially in common and then for such a condition ρ _x ≃ 0.94, ρ _y ≃ 1.18 and Td ≃ 0.6. In this case, by changing the relative pixel turn-on frequency Td from 0.6 to 0.7, as indicated by a bold line in Fig. 18A, a latent image line width lc in the sub-scanning direction can be made larger than that of a line in the main scanning direction and the ratio lc / lp can be limited to the aforementioned range.

Die in den Fig. 19A und 19B gezeigten Kurven resultieren aus einem Verhältnis p _x eines Strahldurchmessers in der Hauptabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Haupt abtastrichtung, welches bei ca. 1,18 liegt. In Fig. 19A ist das Verhältnis Td einer Lichtstrahlbelichtungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit verändert oder variiert, während in Fig. 19B das Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Neben abtastrichtung variiert ist. Die in Fig. 19A mit fettge druckter Linie angegebene Kennlinie und die in Fig. 19B mit strichlierter Linie angegebene Kennlinie haben im wesent lichen die gleiche Potentialverteilung gemeinsam, wobei für eine solche Bedingung die jeweiligen Werte wie folgt sind ρ _x ≃ 1,18, ρ _y ≃ 1,42 und Td ≃ 0,7. In diesem Fall kann durch Ändern des Verhältnisses ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Neben abtastrichtung von 1,42 auf 1,30, wie durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 19B dargestellt ist, die Zeilenbreite lc des latenten Bildes in der Nebenabtastrichtung größer gemacht werden als bei einer Zeile in der Hauptabtastrichtung und es kann das Verhältnis lc/lp auf den zuvor angegebenen Be reich beschränkt werden. The curves shown in FIGS. 19A and 19B result from a ratio p _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction, which is approximately 1.18. In Fig. 19A, the ratio Td of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time is changed or varied, while in Fig. 19B, the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction is varied. The characteristic curve shown in bold in FIG. 19A and the characteristic curve shown in dashed line in FIG. 19B have essentially the same potential distribution in common, the respective values for such a condition being ρ _x ≃ 1.18, ρ _y ≃ 1.42 and Td ≃ 0.7. In this case, by changing the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction from 1.42 to 1.30, as shown by a bold line in FIG. 19B, the line width lc of the latent image in FIG the sub-scanning direction can be made larger than that of a line in the main scanning direction, and the ratio lc / lp can be limited to the range indicated above.

Die in den Fig. 20A und 20B gezeigten Kurven ergeben sich aus einem Verhältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Haupt abtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtast richtung, welches bei ca. 1,42 liegt. In Fig. 20A ist das Verhältnis Td einer Lichtstrahlbelichtungszeit zu einer Ein bildpunkt-Abtastzeit variiert, während in Fig. 20B das Ver hältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtast richtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtastrichtung variiert ist. Die durch strichlierte Linien in den Fig. 20A und 20B angegebenen Kennlinien haben im wesentlichen die gleiche Potentialverteilung gemeinsam und für eine solche Bedingung gelten dann die folgenden Werte ρ _x ≃ 1,42, ρ _y ≃ 1,65 und Td ≃ 0,8. In diesem Fall kann durch Ändern des Verhält nisses ρ _y eines Strahldurchmessers in der Nebenabtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenabtastrichtung von 1,65 auf 1,42, wie dies durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 20B angegeben ist, und durch Ändern der relativen Bild punkteinschaltfrequenz Td von 0,8 auf 0,7, wie dies durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 20A angezeigt ist, die Linien breite lc des latenten Bildes in der Nebenabtastrichtung größer ausgeführt werden als bei einer Zeile in der Haupt abtastrichtung und das Verhältnis lc/lp kann die ins Auge gefaßte Bedingung befriedigen. The curves shown in FIGS . 20A and 20B result from a ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction, which is approximately 1.42. In Fig. 20A, the ratio Td of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time is varied, while in Fig. 20B, the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction is varied. The characteristic curves indicated by dashed lines in FIGS. 20A and 20B have essentially the same potential distribution in common and the following values ρ _x ≃ 1.42, ρ _y ≃ 1.65 and Td ≃ 0.8 then apply to such a condition. In this case, by changing the ratio ρ _{y of} a beam diameter in the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction from 1.65 to 1.42, as indicated by a bold line in Fig. 20B, and by changing the relative image dot turn-on frequency Td from 0.8 to 0.7, as indicated by a bold line in Fig. 20A, the line width lc of the latent image in the sub-scanning direction is made larger than that of a line in the main scanning direction and the ratio lc / lp can satisfy the envisaged condition.

Es sei als Beispiel eine der bisher beschriebenen verschiedenen Bedingungen herausgegriffen, um eine zweidimensionale Ver teilung zu analysieren. Wenn ein Bildpunkt-für-Bildpunkt- Gittermuster gezeichnet wird, und zwar unter den Bedingungen ρ _x ≃ 1,18, ρ _y ≃ 1,42 und Td ≃ 0,7, so daß eine Punktzeile in sowohl der Hauptabtastrichtung als auch der Nebenabtast richtung unter den gleichen Bedingungen bewertet werden kann, gelten die Verteilungen, wie sie in den Fig. 21A-21C ge zeigt sind, wenn die Potentialverteilung in der Hauptabtast richtung und in der Nebenabtastrichtung im wesentlichen iden tisch ist, und es gelten die Verteilungen, die in den Fig. 22A-22C gezeigt sind, wenn das Zeilenbreitenverhältnis die Bedingung befriedigt 1,0 lc/lp 1,2. Die Fig. 21A und 22A zeigen Verteilungen der relativen Belichtungsenergie Q jeweils in der Hauptabtastrichtung gesehen, die Fig. 21B und 22B zeigen Verteilungen relativer Potentiale jeweils in der Hauptabtastrichtung gesehen und die Fig. 21C und 22C Verteilungen relativer Potentiale jeweils in der Nebenabtast richtung gesehen.As an example, one of the various conditions described so far is selected to analyze a two-dimensional distribution. When a pixel-by-pixel grid pattern is drawn under the conditions ρ _x ≃ 1.18, ρ _y ≃ 1.42 and Td ≃ 0.7, so that a dot line in both the main scanning direction and the sub-scanning direction Under the same conditions, the distributions as shown in FIGS . 21A-21C apply when the potential distribution in the main scanning direction and the sub-scanning direction is substantially identical, and the distributions in FIG 22A-22C are the Fig., when the line width ratio satisfies the condition 1.0 lc / lp 1.2. Figs. 21A and 22A show distributions of the relative exposure energy Q each seen in the main scanning direction, Figs. 21B and 22B show distributions of relative potentials each seen in the main scanning direction, and Figs. 21C and 22C distributions of relative potentials each seen in the sub-scanning direction.

Aus den Zeichnungen geht hervor, daß die in den Fig. 21B, 21C, 22B und 22C mit A und B bezeichneten Abschnitte Linien darstellen, die sich in der Nebenabtastrichtung erstrecken, wobei das Potential in den Abschnitten A geringfügig niedriger ist als in den Abschnitten B. Es braucht daher kaum erwähnt zu werden, daß die Potentialverteilungsbreite in den Abschnitten B weiter oder breiter ist als in den Abschnitten A.From the drawings, it can be seen that the portions designated A and B in Figs. 21B, 21C, 22B and 22C represent lines extending in the sub-scanning direction, the potential in portions A being slightly lower than in portions B. . It hardly needs to be mentioned that the potential distribution width in section B is wider or wider than in section A.

Die zuvor durchgeführte Analyse lehrt, daß dann, wenn das Verhältnis der Zeilenbreiten des latenten Bildes die Bedingung 1,0 lc/lp 1,2 befriedigen, Bilder mit gewünschter Punkt-Reproduzierbarkeit auf einer Ein punkt-Zeilenbasis aufgezeichnet werden können. The analysis performed previously teaches that if the ratio of the line widths of the latent image satisfies 1.0 lc / lp 1.2, images with desired point reproducibility can be recorded on a one point line basis.

Betrachtet man eine Negativ-zu-Negativ-Aufzeichnung, die sich somit von der zuvor beschriebenen Positiv-zu-Positiv- Aufzeichnung unterscheidet, ergibt sich notwendigerweise die Tendenz, daß die Bedingung zur Herstellung der Beziehung zwischen den Höhen und Breiten in der Hauptabtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung umgekehrt wird. Auch in einem solchen Fall muß das Verhältnis lc/lp, welches einem Bildabschnitt zugeordnet ist die an früherer Stelle erwähnte Bedingung befriedigen. Obwohl das Verfahren entsprechend dieser speziel len Ausführungsform sowohl bei einer Positiv-zu-Positiv-Auf zeichnung als auch bei einer Negativ-zu-Positiv-Aufzeichnung durchführbar ist, führt die Anwendung bei einer Positiv-zu- Positiv-Aufzeichnung zu einer speziellen Wirksamkeit in Hinblick auf die Tatsache, daß die Reproduzierbarkeit von Haarlinien inhärent günstig im Falle der Negativ-zu-Negativ- Aufzeichnung ist. Die Zunahme der Zeilenhöhe wird stark durch die Entwicklungseigenschaften und die Geschwindigkeitseigenschaften eines photoleitfähigen Elements beeinflußt und es muß daher das Verhältnis lc/lp unter Berücksichtigung solcher Eigenschaften ausgewählt werden. When considering a negative-to-negative recording, which is thus different from the above-described positive-to-positive recording, there is necessarily a tendency that the condition for establishing the relationship between the heights and the latitudes in the main scanning direction and in the sub-scanning direction is reversed. Even in such a case, the ratio lc / lp , which is assigned to an image section, must satisfy the condition mentioned earlier. Although the method according to this specific embodiment can be carried out both with a positive-to-positive recording and with a negative-to-positive recording, the application with a positive-to-positive recording leads to a special effectiveness In view of the fact that hair line reproducibility is inherently favorable in the case of negative-to-negative recording. The increase in line height is greatly influenced by the development properties and the speed properties of a photoconductive element, and therefore the ratio lc / lp must be selected taking such properties into account.

Schwankungen in den Entwicklungseigenschaften, der Bewegungs geschwindigkeit eines photoleitfähigen Elements oder anderer Faktoren, ermöglicht das Verfahren dennoch eine Haarlinie wie eine Einpunkt-Linie in der gewünschten Weise zu reprodu zieren.Fluctuations in the development properties, the movement speed of a photoconductive element or other Factors, the procedure still enables a hairline how to reproduce a single point line in the desired manner adorn.

Es soll im folgenden eine sechste Ausführungsform zur Lösung der eingangs definierten Aufgabe beschrieben werden.The following is a sixth embodiment of the solution the task defined at the beginning.

Das Verfahren gemäß der sechsten Ausführungsform ist bei spielsweise bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungs gerät 30 mit optischer Abtastung anwendbar, welches in den Fig. 6 und 7 gezeigt ist und bei welchem als Lichtquelle eine Leuchtstoffpunktanordnung-Röhre 34 verwendet wird, bei der die Leuchtstoffelemente in einer Anordnung in der Haupt abtastrichtung in einer Bildpunkt-Konfiguration angeordnet sind. Wenn ein durch binäre Videodaten 32 modulierter Licht strahl, der die Punktanordnung-Röhre 34 verläßt auf der Fläche der Trommel 40 fokussiert wird, die in der Nebenab tastrichtung geführt wird, wird nach dem Verfahren gemäß der sechsten Ausführungsform eine Lichtstrahlbedingung und eine Lichtstrahlabtastbedingung vorgesehen, durch die das Verhält nis zwischen der Breite lc einer latenten Bildzeile oder Linie, die im wesentlichen parallel zur Entwicklungsrichtung verläuft, und der Breite lc einer latenten Bildzeile oder Linie, die im wesentlich parallel zur Entwicklungsrichtung verläuft auf einen optimalen Bereich beschränkt wird entsprechend 1,0 lc/lp 1,3.The method according to the sixth embodiment is applicable to, for example, an electrophotographic recording apparatus 30 with optical scanning, which is shown in FIGS . 6 and 7 and in which a phosphor dot array tube 34 is used as the light source, in which the phosphor elements are arranged are arranged in the main scanning direction in a pixel configuration. When a light beam modulated by binary video data 32 leaving the dot array tube 34 is focused on the surface of the drum 40 which is guided in the sub-scanning direction, a light beam condition and a light beam scanning condition are provided by the method according to the sixth embodiment the ratio between the width lc of a latent image line or line which is substantially parallel to the direction of development and the width lc of a latent image line or line which is substantially parallel to the direction of development is limited to an optimal range corresponding to 1.0 lc / lp 1.3.

Die Fig. 23A, 23B, 24A, 24B, 25A und 25B zeigen Beispiele relativer Potentiale V und der relativen Belichtungsenergie Q in Relation zu den relativen Abständen X und Y in der Haupt abtastrichtung und in der Nebenabtastrichtung bei einem Be lichtungsmuster, welches eine Zeile oder Linie in sowohl der Hauptabtastrichtung als auch der Nebenabtastrichtung aufweist, wobei die Lichtstrahlbedingung und die Lichtstrahlabtast bedingung bei einer Positiv-zu-Positiv-Aufzeichnung in ver schiedener Weise variiert ist. Der relative Abstand X oder Y stellt ein Verhältnis eines Abstandes zu jedem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung oder der Nebenabtastrichtung dar, das relative Potential V besteht aus einem Verhältnis eines Flächenpotentials auf der Trommel nach der Belichtung zu einem Flächenpotential (einheitlich), welches einer Belich tungsenergie von Null zugeordnet ist, während die relative Belichtungsenergie Q aus einem Verhältnis der tatsächlichen Belichtungsenergie zur maximalen Belichtungsenergie besteht. Figs. 23A, 23B, 24A, 24B, 25A and 25B show examples of relative potentials V and the relative exposure energy Q in relation to the relative distances X and Y scanning in the main and clearing pattern in the sub-scanning direction at a Be, having a row or Line in both the main scanning direction and the sub-scanning direction, wherein the light beam condition and the light beam scanning condition is varied in different ways in a positive-to-positive recording. The relative distance X or Y represents a ratio of a distance to each pixel step in the main scanning direction or the sub-scanning direction, the relative potential V consists of a ratio of a surface potential on the drum after exposure to a surface potential (uniform), which has an exposure energy of Is assigned to zero, while the relative exposure energy Q consists of a ratio of the actual exposure energy to the maximum exposure energy.

Die in den Fig. 23A und 23B gezeigten Kurven werden durch ein Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Hauptabtast richtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung erreicht, welches bei ca. 0,94 liegt. In Fig. 23A ist das Ver hältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Hauptabtastrich tung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung variiert, während in Fig. 23B die relative Bildpunkteinschalt frequenz Tp, die aus dem Verhältnis einer Lichtstrahlbelich tungszeit zu einer Einbildpunkt-Abtastzeit ist, variiert ist. Die in Fig. 23A mit einer strichlierten Linie angegebene Kenn linie und die in Fig. 23B mit fettgedruckter Linie angegebene Kennlinie haben im wesentlichen die gleiche Potentialver teilung gemeinsam und für eine solche Bedingung gelten dann die folgenden Werte ρ _y = 0,94, ρ _x = 1,18 und Tp = 0,6. In die sem Fall kann durch Ändern des Verhältnisses des Strahldurch messers in der Hauptabtastrichtung zum Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung von 1,18 auf 1,30, wie dies durch eine ausgezogene Linie in Fig. 23B angezeigt ist, die Zeilen- oder Linienbreite lc in der Nebenabtastrichtung größer ausgeführt werden als im Falle einer Linie in der Hauptabtastrichtung und es kann das Verhältnis lc/lp auf den an früherer Stelle angegebenen Bereich beschränkt werden.The curves shown in FIGS. 23A and 23B are achieved by a ratio ρ _{y of} a beam diameter in the main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction which is approximately 0.94. In Fig. 23A, the ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction is varied, while in Fig. 23B, the relative pixel turn-on frequency Tp , which is from the ratio of a light beam exposure time to a one-pixel scanning time, varies is. The characteristic line indicated by a dashed line in FIG. 23A and the characteristic line indicated by the bold line in FIG. 23B have essentially the same potential distribution in common and the following values ρ _y = 0.94, ρ _x then apply to such a condition = 1.18 and Tp = 0.6. In this case, by changing the ratio of the beam diameter in the main scanning direction to the pixel step in the main scanning direction from 1.18 to 1.30, as indicated by a solid line in FIG. 23B, the line or line width lc in FIG Subscanning direction can be made larger than in the case of a line in the main scanning direction, and the ratio lc / lp can be limited to the range given earlier.

Die in den Fig. 24A und 24B gezeigten Kurven werden durch ein Verhältnis ρ _y eines Strahldurchmessers in der Neben abtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Nebenab tastrichtung erhalten, welches bei ca. 1,18 liegt. In Fig. 24A ist das Verhältnis ρ _x eines Strahldurchmessers in der Haupt abtastrichtung zu einem Bildpunktschritt in der Hauptabtast richtung variiert, während in Fig. 24B die relative Bildpunkt einschaltfrequenz Tp variiert ist. Die durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 24A angegebene Kennlinie und die durch eine strichlierte Linie in Fig. 24B angegebene Kennlinie haben im wesentlichen die gleiche Potentialverteilung gemeinsam und es gelten für einen solchen Fall die folgenden Werte ρ _y = 1,18, ρ _x = 1,42 und Tp = 0,7. In diesem Fall kann durch Ändern der relativen Bildpunkteinschaltfrequenz Tp von 0,7 auf 0,6, wie dies in Fig. 24B mit einer fettgedruckten Linie angegeben ist, die Zeilen- oder Linienbreite lc in der Nebenabtastrichtung größer gemacht werden als im Falle einer Zeile oder Linie in der Hauptabtastrichtung und das Verhältnis lc/lp kann auf den an früherer Stelle erwähnten Bereich be schränkt werden.The curves in Figs. 24A and 24B are shown by a ratio ρ _y of a beam diameter in the sub scanning direction to a pixel step in the side agreements to the scan direction obtained which is about 1.18. In Fig. 24A, the ratio ρ _{x of} a beam diameter in the main scanning direction to one pixel step in the main scanning direction is varied, while in Fig. 24B, the relative pixel switching frequency Tp is varied. The characteristic curve indicated by a bold line in FIG. 24A and the characteristic curve indicated by a dashed line in FIG. 24B have essentially the same potential distribution in common and the following values ρ _y = 1.18, ρ _x = apply in such a case 1.42 and Tp = 0.7. In this case, by changing the relative pixel turn- on frequency Tp from 0.7 to 0.6, as indicated by a bold line in Fig. 24B, the line or line width lc in the sub-scanning direction can be made larger than in the case of a line or Line in the main scanning direction and the ratio lc / lp can be limited to the range mentioned earlier.

Die in den Fig. 25A und 25B gezeigten Kurven werden bei einem Verhältnis ρ _y des Strahldurchmessers in der Nebenab tastrichtung zum Bildpunktschritt in der Nebenabtastrichtung erhalten mit einem Wert von ca. 1,42. In Fig. 25A ist das Verhältnis p _x des Strahldurchmessers in der Hauptabtast richtung zum Bildpunktschritt in der Hauptabtast richtung variiert, während in Fig. 25B die relative Bildpunkt einschaltfrequenz Tp variiert ist. Die mit strichlierter Linie in Fig. 25A angegebene Kennlinie und die mit einer strichlierten Linie in Fig. 25B angegebene Kennlinie haben eine im wesentlichen identische Potentialverteilung gemeinsam und es gelten für eine solche Bedingung oder Zustand folgende Werte ρ _y = 1,42, ρ _x = 1,65 und Tp = 0,8. Es kann in die sem Fall durch Ändern der relativen Bildpunkteinschaltfrequenz Tp von 0,8 auf 0,7, wie dies durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 25B angezeigt ist, und durch Ändern des Verhältnisses p _x des Strahldurchmessers in der Hauptabtastrichtung zum Bildpunktschritt in der Hauptabtastrichtung, wie dies durch eine fettgedruckte Linie in Fig. 25A angezeigt ist, von 1,65 auf 1,42 die latente Bildlinienbreite lc in der Nebenabtast richtung größer gemacht werden als bei einer Linie in der Hauptabtastrichtung und das Verhältnis lc/lp kann auf den an früherer Stelle erwähnten Bereich beschränkt werden.The curves shown in FIGS. 25A and 25B are at a ratio ρ _y of the beam diameter in the side agreements to the scan direction to the image point in the sub scanning step obtained with a value of approximately 1.42. In Fig. 25A, the ratio p _{x of} the beam diameter in the main scanning direction to the pixel step in the main scanning direction is varied, while in Fig. 25B the relative pixel switching frequency Tp is varied. The characteristic curve indicated by the dashed line in FIG. 25A and the characteristic curve indicated by the dashed line in FIG. 25B have an essentially identical potential distribution in common and the following values apply to such a condition or condition ρ _y = 1.42, ρ _x = 1.65 and Tp = 0.8. It can be done in this case by changing the relative pixel turn- on frequency Tp from 0.8 to 0.7, as indicated by a bold line in Fig. 25B, and by changing the ratio p _{x of} the beam diameter in the main scanning direction to the pixel step in Fig. 25B Main scanning direction, as indicated by a bold line in Fig. 25A, from 1.65 to 1.42, the latent image line width lc in the sub-scanning direction is made larger than that of a line in the main scanning direction, and the ratio lc / lp can be adjusted to that area mentioned earlier.

Es sei aus den bisher beschriebenen verschiedenen Bedingungen eine als Beispiel herausgegriffen, um eine zweidimensionale Verteilung zu analysieren. Wenn ein Bildpunkt-für-Bildpunkt- Gittermuster gezeichnet wird unter den Bedingungen ρ _y = 1,18, ρ _x = 1,42 und Tp = 0,7, so daß eine Einpunkt-Linie oder Zeile in sowohl der Hauptabtastrichtung als auch der Neben abtastrichtung unter den gleichen Bedingungen ausgewertet werden kann, gelten die in den Fig. 26A und 26B gezeigten Verteilungen, wenn die Potentialverteilung in der Hauptab tastrichtung und der Nebenabtastrichtung im wesentlichen identisch ist, und es gelten die in den Fig. 27A und 27B gezeigten Verteilungen, wenn das Zeilenbreitenverhältnis die folgende Bedingung befriedigt 1,0 Lc/lp 1,3. Die Fig. 26A und 27A zeigen Verteilungen der relativen Belichtungs energie Q jeweils in der Hauptabtastrichtung gesehen, während die Fig. 26B und 27B Verteilungen von relativen Potentialen zeigen jeweils in der Hauptabtastrichtung gesehen.Let us take one of the various conditions described so far as an example to analyze a two-dimensional distribution. When a pixel-by-pixel grid pattern is drawn under the conditions ρ _y = 1.18, ρ _x = 1.42 and Tp = 0.7, so that a one-dot line or line in both the main scanning direction and the subordinate can be evaluated under the same conditions, the distributions shown in Figs. 26A and 26B apply when the potential distribution in the main scanning direction and the sub-scanning direction is substantially identical, and the distributions shown in Figs. 27A and 27B apply, if the line width ratio satisfies the following condition 1.0 Lc / lp 1.3. FIGS. 26A and 27A show distributions of the relative exposure energy Q respectively in the main scanning direction seen, while Fig. 26B and 27B respectively show distributions of the relative potentials in the main scanning direction seen.

Es ergibt sich aus den Zeichnungen, daß die in den Fig. 26B und 27B mit A und B bezeichneten Abschnitte Linien an geben, die sich in der Nebenabtastrichtung erstrecken, wobei das Potential geringfügig niedriger in den Abschnitten A ist als in den Abschnitten B. Es braucht somit kaum erwähnt zu werden, daß die Potentialverteilungsbreite in den Abschnitten B breiter oder weiter ist als in den Abschnitten A.It can be seen from the drawings that the sections designated A and B in Figs. 26B and 27B indicate lines extending in the sub-scanning direction, the potential being slightly lower in section A than in section B. It hardly needs to be mentioned that the potential distribution width in section B is wider or wider than in section A.

Die zuvor durchgeführte Analyse lehrt, daß dann, wenn das Zeilenbreitenverhältnis die Be dingung 1,0 lc/lp 1,3 befriedigt, Bilder mit der gewünsch ten Reproduzierbarkeit auf einer Einpunkt-Linien- oder Zeilen grundlage aufgezeichnet werden können.The analysis carried out previously teaches that if the line width ratio satisfies the condition 1.0 lc / lp 1.3, images with the desired reproducibility can be recorded on a one-point line or line basis.

Betrachtet man eine Negativ-zu-Positiv-Aufzeichnung, die sich von der zuvor beschriebenen Positiv-zu-Positiv-Aufzeichnung unterscheidet, so ergibt sich wieder die Tendenz wie bei der fünften Ausführungsform, daß die Bedingung zur Herstellung der Beziehung zwischen den Höhen und Breiten in der Hauptabtastrichtung und der Neben abtastrichtung umgekehrt wird.Looking at a negative-to-positive record that is from the positive-to-positive recording described above differs, the tendency is again like in the fifth embodiment, that the condition to establish the relationship between the heights and widths in the main scanning direction and the subordinate scanning direction is reversed.

Claims

1. A method for image recording using an electrophotographic recording device with optical scanning, which contains a device for changing the pulse width of video data, by which a light beam is modulated, the modulated light beam via an imaging system in the main and secondary scanning direction on an area of one under the influence of light-guiding element is directed to form an electrostatic latent image and where the latent image is developed to record data associated with the video data, characterized in that the light beam scanning is carried out in such a way that at a boundary between one Image section and a section not having an image, the ratio (Td) from the time required for exposure to the light beam to the time required for scanning a pixel from the condition 0.2 Td 1.1 is sufficient.

2. The method according to claim 1, characterized in that the Imaging system of small, light-emitting, segments assigned to the pixels is formed and that the pulse width of the video data to the module tion of the light-emitting segments going light is varied.

3. A method for image recording using an electrophotographic recording device with optical scanning, which contains a device for changing the pulse width of video data, by which a light beam is modulated, the modulated light beam via an imaging system in the main and secondary scanning direction onto an area of one under the influence of light-guiding element is directed to form an electrostatic latent image and where the latent image is developed to record data associated with the video data, characterized in that light beam scanning is carried out in such a way that a ratio p _y / ρ _x , where ρ _{x is} a ratio of a beam diameter in a main scanning direction to a pixel pitch or pixel step in the main scanning direction and ρ _{y is} a ratio of a beam diameter in a sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction, a condition 1.0 ρ _y / ρ _x 1.5, and that a product of the ratio ρ _x and the ratio Td of an exposure time by the light beam to the time required for the scanning of a pixel at a boundary between an image section and a section without a picture Condition 0.5 ρ _x · Td 1.5 satisfied.

4. A method for image recording using an electrophotographic recording device with optical scanning, which contains a device for changing the pulse width of video data, by which a light beam is modulated, the modulated light beam via an imaging system in the main and secondary scanning direction onto an area of one under the influence of light-conducting element is directed to form an electrostatic latent image and where the latent image is developed to record data associated with the video data, characterized in that the imaging system consists of small, light-emitting segments associated with the pixels is formed and that the pulse width of the video data is varied such that a ratio ρ _y / ρ _x , where ρ _x indicates a ratio of a beam diameter in a main scanning direction to a pixel step in the main scanning direction and ρ _y a ratio of a beam diameter in one r indicates the sub-scanning direction to a pixel step in the sub-scanning direction, satisfies the condition 0.6 ρ _y / ρ _x 1.0, and that a product of the ratio ρ _y and a ratio Tp of an exposure time by the light beam to that required for the scanning of a pixel Time at a border between an image section and a section without a picture satisfies the condition 0.5 ρ _y · Tp 1.5.

5. The method according to any one of claims 1 or 3, characterized in that the light beam scanning is carried out such that a ratio lc / lp , at which lp indicates a width te of a latent pixel in the horizontal direction, which is substantially parallel to the main scanning direction and where lc indicates a height of a latent image line, the condition corresponding to 1.0 lc / lp 1.2 is satisfied.

6. The method according to claim 4, characterized in that the imaging system is formed from small, light-emitting segments assigned to the pixels, and that the light beam scanning is carried out in such a way that a ratio lc / lp , at which chem lp a width of a latent pixel indicates in the horizontal direction, which is substantially parallel to the main scanning direction and at which chem lc indicates a height of a latent image line, the condition corresponding to 1.0 lc / lp 1.3 satisfies.

7. The method according to claim 5 or 6, characterized in that the ratio lc / lp by the exposure beam diameter and a relative pixel switch-on frequency is determined.