DE3500189C2

DE3500189C2 - Sliding spark ignition device

Info

Publication number: DE3500189C2
Application number: DE19853500189
Authority: DE
Inventors: Otto Dipl Ing Loeffler; Roland Dipl Ing Foerster
Original assignee: Beru Werk Albert Ruprecht GmbH and Co KG
Current assignee: Beru Werk Albert Ruprecht GmbH and Co KG
Priority date: 1985-01-04
Filing date: 1985-01-04
Publication date: 1993-12-23
Anticipated expiration: 2005-01-05
Also published as: DE3500189A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Gleitfunkenzündvorrichtung ge mäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a sliding spark ignition device according to the preamble of claim 1.

Eine derartige Zündvorrichtung, dort als Zündkerze, ist beispielsweise aus der DE-OS 30 41 537 bekannt. Der homogen eine niedrige elektrische Leitfähigkeit aufweisende Halb leiterkörper grenzt an eine axiale Mittelelektrode und eine diese ringförmig umgebende Außenelektrode und begünstigt einen Funkenüberschlag zwischen diesen beiden Elektroden. Da der Funke jedoch in jedem Fall von den Metallelektroden ausgeht, ist ein starker Elektrodenabbrand die Folge, der die Lebensdauer der Zündvorrichtung verkürzt. Ferner muß der elektrische Kontakt zwischen Halbleiterkörper und Metall elektroden äußerst innig und gleichmäßig hergestellt sein, um Feldverzerrungen und damit bei energiereichen Funken Brandstellen durch lokale Überhitzungen der Elektroden und des Halbleiterkörpers zu vermeiden.Such an ignition device, there as a spark plug, is known for example from DE-OS 30 41 537. The homogeneous half having low electrical conductivity conductor body adjoins an axial center electrode and a this annular outer electrode and favors a sparkover between these two electrodes. However, since the spark comes from the metal electrodes runs out, the result is a strong electrode erosion shortens the life of the igniter. Furthermore, the electrical contact between the semiconductor body and metal electrodes are made extremely intimately and evenly, about field distortions and thus with high-energy sparks Burns due to local overheating of the electrodes and to avoid the semiconductor body.

Ähnlich liegen die Verhältnisse bei aus DE-AS 16 01 432 und DE-AS 12 06 207 bekannten Gleitfunkenzündvorrichtungen gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.The situation is similar in DE-AS 16 01 432 and DE-AS 12 06 207 known sliding spark ignition devices according to the preamble of claim 1.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Gleitfunkenzündvorrichtung der eingangs genannten Art so zu gestalten, daß die elektrische Kontaktierung zwischen Halbleiterkörper und Elektroden ver bessert ist und außerdem der Elektrodenabbrand verringert wird.The object of the invention is to provide a sliding spark ignition device type mentioned so that the electrical Contact between the semiconductor body and electrodes ver is improved and the electrode erosion is also reduced becomes.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Gleitfunkenzündvorrichtung, wie sie in Anspruch 1 gekennzeichnet ist.This object is achieved by a Sliding spark ignition device as characterized in claim 1.

Durch eine derartige Ausbildung der Zündvorrichtung wird erreicht, daß bei Anlegen einer Spannung an die Elek troden der gesamte Spannungsabfall im wesentlichen nicht zwischen den Elektroden selbst, sondern zwischen den leitend dotierten Bereichen des Halbleiterkörpers auftritt. Der mit Erreichen einer bestimmten Spannung hervorgerufene Funken überschlag findet dann nicht zwischen den Elektroden, son dern unter Schonung dieser Elektroden zwischen diesen leitend dotierten Bereichen des Halbleiterkörpers statt. Der elek trische Widerstand der leitend dotierten Halbleiterbereiche wirkt dabei strombegrenzend und hält die in dieser Phase im Funken umgesetzte elektrische Energie gering. Erst wenn die Plasmawolke des Funkenüberschlags die Metallelektroden er reicht, werden diese in das Leitungsgeschehen miteinbezogen, wobei aber die Plasmaausdehnung sofort für einen großflä chigen Kontakt zu den Elektroden sorgt, so daß auch bei dem nun hohen Kurzschlußstrom ein Elektrodenabbrand als Folge lokaler hoher Stromdichten vermieden ist. Gleichzeitig wird die zwischen den Elektroden liegende Oberfläche des Halbleiterkörpers entlastet, weil der hohe Kurzschluß strom im wesentlichen durch die großvolumige ionisierte Wolke fließt.By such a design of the ignition device is achieved that when a voltage is applied to the elec the entire voltage drop essentially does not occur between the electrodes themselves, but between the conductive ones doped areas of the semiconductor body occurs. The one with Sparks caused by reaching a certain voltage flashover does not take place between the electrodes, son conductive while protecting these electrodes between them doped areas of the semiconductor body instead. The elec trical resistance of the conductively doped semiconductor regions has a current limiting effect and keeps it in this phase Electrical energy converted to sparks is low. Only when that Plasma cloud of arcing the metal electrodes enough, they are included in the management process, but the plasma expansion immediately for a large area ensures contact with the electrodes, so that even with the now high short-circuit current an electrode erosion as a result local high current densities is avoided. At the same time the surface of the electrode located between the electrodes Relieved semiconductor body because of the high short circuit current essentially through the large volume ionized Cloud flows.

Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung beschrieben. Auf dieser zeigt bzw. zeigenThe following are embodiments of the invention described with reference to the accompanying drawing. On this shows or show

Fig. 1, 2 und 3 die schrittweise Gewinnung einer Aus führungsform der Gleitfunkenzündvorrichtung gemäß der Erfindung, Fig. 1, 2 and 3, the gradual recovery from a guide die of the Gleitfunkenzündvorrichtung according to the invention,

Fig. 4 eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gleitfunkenzündvorrichtung, Fig. 4 shows a further embodiment of the invention Gleitfunkenzündvorrichtung,

Fig. 5 eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gleitfunkenzündvorrichtung, Fig. 5 shows a further embodiment of the invention Gleitfunkenzündvorrichtung,

Fig. 6 eine der Ausführungsform der Fig. 4 ähnliche prüf fähige Ausführungsform der Gleitfunkenzündvorrichtung gemäß der Erfindung, und Fig. 6 is an embodiment of Fig. 4 similar test capable of Gleitfunkenzündvorrichtung embodiment according to the invention, and

Fig. 7 eine weitere Ausführungsform der Gleitfunkenzündvorrichtung gemäß der Erfindung. Fig. 7 shows another embodiment of the sliding spark ignition device according to the invention.

Ausgangspunkt für eine Ausführungsform der gegenständ lichen Gleitfunkenzündvorrichtung ist ein vorzugsweise aus Silizium karbid gebildeter ringförmiger Halbleiterkörper 23 gemäß Fig. 1, der einen in seiner Tiefe durch die Strichelung an gedeuteten Oberflächenbereich 11 aufweist, der durch Dotie rung, beispielsweise mit eindiffundiertem Stickstoff, ein Vielfaches leitfähiger ist als der Kern 12 des Halbleiter körpers. Der leitfähige Oberflächenbereich 11 ist abbrand fest und temperaturfest ausgebildet. Ein kontinuierlicher Übergang zwischen gut leitendem Oberflächenbereich 11 und schlecht leitendem Kern 12 ist zulässig.The starting point for an embodiment of the subject sliding spark ignition device is a preferably made of silicon carbide annular semiconductor body 23 according to FIG. 1, which has a depth indicated by the broken line on the surface area 11 , the doping, for example with diffused nitrogen, a multiple conductive is as the core 12 of the semiconductor body. The conductive surface area 11 is erosion-resistant and temperature-resistant. A continuous transition between a well-conductive surface area 11 and a poorly conductive core 12 is permissible.

In die eine stirnseitige Oberfläche des Halbleiterkör pers 23 wird nun, wie in Fig. 2 dargestellt, eine ringför mige Hohlkehle 13 mit einer solchen Tiefe eingeschliffen, daß in ihrem Grund die gut leitende Oberflächenschicht völlig entfernt ist und der schlecht leitende Kern freigelegt wird. Die entgegengesetzte Stirnfläche 14 des Halbleiterkörpers wird mindestens in der Tiefe der gut leitenden Oberflächen schicht z. B. plan abgeschliffen. Auf diese Weise erhält man zur Ringachse hin bzw. am äußeren Umfangsrand des Halbleiter körpers gelegen von einander getrennte gut leitende Ober flächenbereiche, die nach Fig. 3 mit einer zentralen metal lischen Elektrode 24 und einer äußeren metallischen Ring elektrode 22 kontaktiert werden.In one end surface of the semiconductor body pers 23 is now, as shown in Fig. 2, a ringför shaped groove 13 ground with such a depth that in its bottom the highly conductive surface layer is completely removed and the poorly conductive core is exposed. The opposite end face 14 of the semiconductor body is layer at least in the depth of the highly conductive surfaces z. B. ground flat. In this way, you get to the ring axis or on the outer peripheral edge of the semiconductor body located from each other well-conductive upper surface areas, which are contacted with a central metallic electrode 24 and an outer metallic ring electrode 22 as shown in FIG. 3.

Bei Anlegen einer kleinen Spannung an die beiden Elek troden 22 und 24 fließt zunächst ein kleiner durch den ohmschen Widerstand des Halbleiterkörpers begrenzter Strom. Nahezu die gesamte Spannung fällt dabei am schlecht leiten den Kern 12 des Halbleiterkörpers 23 ab.When a small voltage is applied to the two electrodes 22 and 24 , a small current initially flows through the ohmic resistance of the semiconductor body. Almost the entire voltage drops on the poorly conducting core 12 of the semiconductor body 23 .

Mit weiterer Zunahme der Spannung wird schließlich ein Überschlag provoziert, der an den gut leitenden Oberflächen bereichen des Halbleiterkörpers beginnt und endet und somit nicht von den metallischen Elektroden ausgeht. Die in die sem Stadium umgesetzte Energie soll auf 1 Joule be grenzt sein, wobei der Widerstand der leitenden Oberflächen schicht 11 des Halbleiterkörpers 23 als Strombegrenzung wir ken kann.With a further increase in voltage, a flashover is finally provoked, which begins and ends on the highly conductive surface areas of the semiconductor body and thus does not start from the metallic electrodes. The energy converted in this stage should be limited to 1 joule, whereby the resistance of the conductive surface layer 11 of the semiconductor body 23 can act as a current limitation.

Das sich entwickelnde Plasma dehnt sich mit Überschall geschwindigkeit aus und gelangt dabei mit dem Randbereich der ionisierten Zone in die Nähe der metallischen Elektroden 22 und 24, wobei durch eine geringfügige weitere Ausdehnung des Plasmas bereits ein großflächiger Kontakt zu den Metall elektroden hergestellt wird. Damit ist nun ein sehr nieder ohmiger Kurzschluß hergestellt, der Kurzschlußstrom kann sich entwickeln, fließt aber durch die großvolumige ioni sierte Wolke, so daß die Halbleiteroberfläche entlastet ist, wobei gleichzeitig durch die großflächige Kontaktierung der ionisierten Wolke zu den Elektroden Brandstellen an den Elek troden und eine Zerstäubung von Elektrodenmaterial weitge hend verhindert werden.The developing plasma expands at supersonic speed and thereby reaches the edge region of the ionized zone in the vicinity of the metallic electrodes 22 and 24 , with a slight further expansion of the plasma already producing a large-area contact with the metal electrodes. So that a very low-ohmic short circuit is produced, the short-circuit current can develop, but flows through the large-volume ionized cloud, so that the semiconductor surface is relieved, while at the same time by the large-area contacting of the ionized cloud to the electrodes, fire spots on the electrodes and atomization of electrode material can be largely prevented.

Da, wie beschrieben, der Kurzschlußstrom nicht über den Halbleiter geht, genügen übliche Maßnahmen für die Kon taktierung der metallischen Elektroden zu den leitfähigen Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers.Since, as described, the short-circuit current does not exceed the semiconductor goes, usual measures are sufficient for the Kon Clocking the metallic electrodes to the conductive ones Surface areas of the semiconductor body.

Fig. 4 zeigt eine weitere Ausführungsform der Zündvor richtung in einer Ausbildung, wie sie insbesondere für eine Zündkerze besonders geeignet ist. Die äußere Ringelektrode 22, die Mittelelektrode 24 und der Halbleiterkörper 23 sind so angeordnet und mit ihren Oberflächen ausgebildet, daß diese im wesentlichen eine Kugelschale definieren, deren Randbereich durch die Ringelektrode 22, deren Boden durch die Mittelelektrode 24 und deren dazwischen liegender Bereich durch den Halb leiterkörper 23 gebildet ist, wie dies Fig. 4 zeigt. Der Halbleiterkörper enthält wiederum eine ringförmige Aus schleifung 13 mit einer bis in den schlecht leitenden Kern 12 reichenden Tiefe, so daß der dotierte Oberflächenbereich 11 in zwei Teile zerfällt, von denen jeder mit einer der Elektroden 22 und 24 in Verbindung steht. Fig. 4 shows a further embodiment of the Zündvor direction in a training as it is particularly suitable for a spark plug. The outer ring electrode 22 , the center electrode 24 and the semiconductor body 23 are arranged and formed with their surfaces so that they essentially define a spherical shell, the edge region through the ring electrode 22 , the bottom through the center electrode 24 and the region in between through the half conductor body 23 is formed, as shown in FIG. 4. The semiconductor body in turn contains an annular grinding from 13 with a depth reaching into the poorly conductive core 12 , so that the doped surface region 11 disintegrates into two parts, each of which is connected to one of the electrodes 22 and 24 .

Mit der Ausgestaltung der Funkenstrecke gemäß Fig. 4 läßt sich vermeiden, daß das sich bildende Plasma an den Metallelektroden vorbei in den Brennraum geschleudert wird und diese Elektroden vom Plasma eventuell nur kleinflächig berührt werden.With the embodiment of the spark gap as shown in FIG. 4 can be avoided, that the plasma which forms will pass thrown against the metal electrodes into the combustion chamber and these electrodes are contacted by the plasma may only small areas.

Bei der Ausführungsform nach Fig. 4 bildet sich das 1. Plasma auf der Halbleiteroberfläche bei 20, 21. Während seiner Ausbreitung bewegt sich das Plasma auf die in seiner Ausbreitungsrichtung liegende Ring- bzw. Körperelektrode 22 zu. Bis die Körperelektrode 22 erreicht ist, hat das Plasma ein so großes Volumen eingenommen, daß die Berührung zur Körperelektrode sehr großflächig erfolgt. Die Anordnung ist dabei so gewählt, daß auch die Mittelelektrode 24 entspre chend der Volumenzunahme nahezu gleichzeitig erreicht und großflächig berührt wird.In the embodiment according to FIG. 4, the 1st plasma forms on the semiconductor surface at 20, 21 . During its propagation, the plasma moves towards the ring or body electrode 22 lying in its direction of propagation. Until the body electrode 22 is reached, the plasma has taken up such a large volume that the body electrode is touched over a very large area. The arrangement is chosen so that the central electrode 24 corresponding to the increase in volume is reached almost simultaneously and is touched over a large area.

Damit kann dann der Kurzschlußstrom über das Plasma fließen, ohne die Halbleiteroberfläche oder die großflächig berührten metallischen Elektroden besonders zu belasten. Das Plasma wird dabei so weit aufgeheizt, wie der Energie speicher (Kondensator) für den Funken Energie nachschiebt. Rückstoßkräfte treiben dabei die Plasmawolke aus dem schüs selförmigen Hohlraum der Zündvorrichtung - Halbleiterzünd kerze - in den Brennraum.This can then be the short-circuit current through the plasma flow without the semiconductor surface or the large area particularly touch the touched metallic electrodes. The plasma is heated up as much as the energy memory (capacitor) for the spark of energy. Recoil forces drive the plasma cloud out of the shot self-shaped cavity of the ignition device - semiconductor ignition candle - in the combustion chamber.

Durch eine äußere induktive Beschaltung kann der volle Kurzschlußstrom so lange verzögert werden, bis sich das 1. Plasma so weit ausgedehnt hat, daß die großflächige Kontak tierung zu Mittel- und Körperelektrode bereits sicherge stellt ist. Damit werden eventuelle vorzeitige Überschläge von den Elektroden zu dem noch nicht voll ausgebildeten Plasma vermieden, insbesondere dann, wenn der leitende Ober flächenbereich des Halbleiterkörpers nicht sehr niederohmig ist.The full Short-circuit current are delayed until the 1st Plasma has expanded so far that the large-area contact Already secured to central and body electrodes represents is. This will prevent any premature rollovers from the electrodes to the not yet fully developed one Avoid plasma, especially if the senior officer area of the semiconductor body is not very low is.

Vorzugsweise wird die Polung von Mittelelektrode 24 und äußerer Ringelektrode (Körperelektrode) 22 so gewählt, daß letztere die Kathode und Mittelelektrode die Anode darstellt. Die Ringelektrode hat nämlich die größere Oberfläche und da ein großer Teil der Energie wegen des Kathodenfalls auf der Kathodenoberfläche umgesetzt wird, ist es von Vorteil, wenn die großflächigere Elektrode die Kathode darstellt.The polarity of the center electrode 24 and the outer ring electrode (body electrode) 22 is preferably selected such that the latter represents the cathode and center electrode the anode. This is because the ring electrode has the larger surface and since a large part of the energy is converted on the cathode surface due to the cathode drop, it is advantageous if the electrode with the larger area is the cathode.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Zündvorrichtung, wie sie in Fig. 5 dargestellt ist, schließt die äußere Ring elektrode (Körperelektrode) 22 die oben erwähnte Kugelschale im wesentlichen zu einer vollen kugelförmigen Kammer. Die als Kathode geschaltete äußere Ringelektrode 22 ist dabei an die Form des entstehenden 1. Plasmas weitgehend angepaßt, so daß als Kontaktfläche eine außergewöhnlich große Fläche zur Verfügung steht. Die kugelförmige Kammer weist eine Kammeröffnung 27 auf, durch die das weiter aufgeheizte Plas ma unter hohem Innendruck mit großer Geschwindigkeit weit in den sich anschließenden Brennraum hinausgeschleudert wird. In a further embodiment of the ignition device, as shown in Fig. 5, the outer ring electrode (body electrode) 22 closes the above-mentioned spherical shell substantially to a full spherical chamber. The outer ring electrode 22, which is connected as a cathode, is largely adapted to the shape of the resulting first plasma, so that an extraordinarily large area is available as the contact area. The spherical chamber has a chamber opening 27 through which the further heated plasma is thrown far out into the adjoining combustion chamber under high internal pressure at high speed.

Der Außenmantel der die Kathode darstellenden Ring elektrode (Körperelektrode) 22 kann mit Schraubgewinde und Dichtschulter versehen sein, so daß der Einsatz in übliche Zündkerzengewindebohrungen paßt.The outer jacket of the ring electrode representing the cathode (body electrode) 22 can be provided with a screw thread and sealing shoulder, so that the insert fits into conventional spark plug threaded bores.

Wenn die elektrische Auslegung so gewählt ist, daß nur in etwa die elektrische Energie zur Verfügung steht, die für die Bildung des 1. Plasmas ausreicht, so ist die Anord nung nach Fig. 5 trotzdem für einen Einsatz bei Hubkolben motoren sinnvoll, weil dann der Kammerhohlraum periodisch mit zündfähigem Gemisch gefüllt wird, wobei dieses Gemisch durch das 1. Plasma voll gezündet und die heißen Gase dann auch wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 4 weit in den Brennraum geschleudert werden. Die Hauptenergie entstammt in diesem Fall dann eben dem Kraftstoff-Luftgemisch.If the electrical design is chosen so that only approximately the electrical energy is available, which is sufficient for the formation of the first plasma, the arrangement according to FIG. 5 is nevertheless useful for use in reciprocating engines, because then the The chamber cavity is periodically filled with an ignitable mixture, this mixture being fully ignited by the 1st plasma and the hot gases then also being thrown far into the combustion chamber, as in the embodiment according to FIG. 4. In this case, the main energy comes from the fuel-air mixture.

Durch das energiereiche Ausschleudern heißer, zum Teil ionisierter Gase in den eigentlichen Brennraum wird dort das Durchbrennen des Gemisches wesentlich beschleunigt bzw. es werden auch zündunwillige Gemische noch entflammt. Zum Beispiel ist es möglich, Motoren über die bisherige Lauf grenze hinaus mit weiter abgemagertem Gemisch zu betreiben, was eine weitere Motoroptimierung in Richtung auf Abgasver ringerung und Verbrauch ermöglicht.Due to the high-energy spinning, hotter, sometimes ionized gases in the actual combustion chamber is there burning of the mixture is accelerated or mixtures that do not ignite are also ignited. To the Example it is possible to run engines over the previous one to operate across borders with a further lean mixture which further engine optimization towards exhaust gas allows reduction and consumption.

Die hierbei vorgesehene Funkenenergie bis zirka 1 Joule pro Funke lassen noch eine ausreichend hohe Funkenfolge zu, ohne den Aufwand für das eigentliche Zündgerät wesentlich zu erhöhen.The intended spark energy up to about 1 joule per spark still allow a sufficiently high spark sequence, without the effort for the actual ignitor essential to increase.

Fig. 6 zeigt eine der Ausführungsform der Fig. 4 ähn liche Ausführungsform der gegenständlichen Zündvorrichtung, die als prüffähiger Einsatz hergestellt ist. Die Körperelek trode 22 ist hierbei als Hülse ausgebildet, die in ein alles umgebendes Schutzrohr eingesetzt werden kann, wobei in die Mittelbohrung des Halbleiterkörpers 23 ein zusätzlicher Iso lator 25 eingesetzt sein kann, der Überschläge an der der Zündseite abgewandten Stirnfläche und zum Teil auch Durch schläge durch den Halbleiterkörper behindert. Durch eine Verglasung 26 wird der Gesamtaufbau kompakt verbunden. Fig. 6 shows one of the embodiment of FIG. 4 Liche embodiment of the subject ignition device, which is made as a verifiable insert. The body electrode 22 is in this case designed as a sleeve which can be inserted into an all-round protective tube, an additional isolator 25 being able to be inserted into the center bore of the semiconductor body 23 , the arcing on the end face facing away from the ignition side and in some cases also through strikes hindered by the semiconductor body. The overall structure is compactly connected by glazing 26 .

Bei der Ausführungsform der Fig. 7 weist die wie bei der Ausführungsform nach Fig. 5 kugelförmige Kammer statt einer mehrere in den Brennraum führende Bohrungen 27 auf, die jeweils die Flammstrahlen in die gewünschten Richtun gen lenken. Im übrigen ist die Ausführungsform nach Fig. 7 als prüffähiger Einsatz wie diejenige nach Fig. 6 ausge bildet.In the embodiment of FIG. 7, the spherical chamber, as in the embodiment according to FIG. 5, instead of a plurality of bores 27 leading into the combustion chamber, each of which directs the flame jets in the desired directions. For the rest, the embodiment according to FIG. 7 forms a testable insert like the one according to FIG. 6.

Die beschriebenen Zündvorrichtungen sind als Hochener giezündkerze nicht nur für Brennkraftmaschinen, sondern auch für Gasturbinen und Triebwerke geeignet. Sie können dabei in Verbindung mit einer Kondensatorentladung energiezündung, mit einer Plasmajet-Zündung, bei der die Energie für das erste Plasma und den Kurzschlußstrom unter schiedlichen Energiequellen entstammt und in Verbindung mit einer Vorfunkenzündung eingesetzt werden.The ignition devices described are as Hochener casting spark plug not only for internal combustion engines, but also also suitable for gas turbines and engines. You can in connection with a capacitor discharge energy ignition, with a plasma jet ignition, in which the Energy for the first plasma and the short circuit current below different energy sources come from and in connection with a spark ignition can be used.

Claims

1. Sliding spark ignition device with two electrodes ( 22 , 24 ) and a lying between the electrodes, adjacent to these semiconductor body ( 23 ) with low electrical conductivity, the surface extending between the electrodes forming an edge of the discharge gap, characterized in that the semiconductor body Adjacent to each of the electrodes ( 22 , 24 ) contains a well-doped surface area ( 11 ) which forms a part of said surface adjacent to the electrode ( 22 , 24 ) assigned to it, the doped areas belonging to different electrodes through the core ( 12 ) of the semiconductor body with low electrical conductivity are separated.

2. glide spark ignition device according to claim 1, characterized in that the extending between the electrodes he surface of the semiconductor body ( 23 ) is concave.

3. sliding spark ignition device according to claim 2, characterized in that it is formed axially symmetrical and one electrode ( 24 ) lies in the axis, while the other electrode ( 22 ) surrounds the axial electrode in a ring, the surfaces of the electrodes ( 22 , 24 ) and of the interposed semiconductor body ( 23 ) form approximately a spherical shell.

4. sliding spark ignition device according to claim 3, characterized in that the outer electrode ( 22 ) closes the Kugelscha le to a spherical discharge chamber, the discharge chamber in the outer electrode one or more outward openings ( 27 ) for the plasma discharge from the discharge chamber having.

5. sliding spark ignition device according to one of claims 3 or 4, characterized in that the outer electrode ( 22 ) is the cathode.

6. Slide spark ignition device according to one of the above the claims, designed as a spark plug for internal combustion seem.