DE3406764A1 - RELEASE CIRCUIT - Google Patents
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Description
PRINZ, LEISER, BU.NKE-&: PARTNERPRINZ, LEISER, BU.NKE- &: PARTNER
Patentanwälte" **-" European^ PaigjTt Attorneys O / Π C Π C I Patent Attorneys "** -" European ^ PaigjTt Attorneys O / Π C Π CI
München λ StuttgartMunich λ Stuttgart
22. Februar 1984February 22, 1984
PLESSEY OVERSEAS LIMITEDPLESSEY OVERSEAS LIMITED
2-60 Vicarage Lane2-60 Vicarage Lane
Unser Zeichen: P 2498Our reference: P 2498
AuslöseschaltungTrigger circuit
Die Erfindung betrifft Auslöseschaltungen, insbesondere eine monostabile Auslöseschaltung, die durch Gammastrahlung
getriggert wird und zum Abschalten einer Stromversorgung geeignet ist.
5The invention relates to trigger circuits, in particular a monostable trigger circuit which is triggered by gamma radiation and is suitable for switching off a power supply.
5
Transistorschaltkreise, insbesondere NMOS-Schaltkreise, werden leicht durch die Auswirkungen von Strahlung zerstört, die bei einer nuklearen Explosion auftritt. Der Hauptschaden, der an NMOS-Vorrichtungen verursacht wird, besteht in einer Ionisation, durch die der Schwellwert der Vorrichtung in solchem Ausmaß verändert wird, daß die Vorrichtung nicht mehr einwandfrei arbeitet. Die Stärke der in diesen Vorrichtungen auftretenden Ionisierung hängt von der Dosis der insgesamt empfangenen und kumulierten Gammastrahlung ab. Derartige Schaltkreise sind weniger gefährdet, wenn die Stromversorgung abgeschaltet wird. Durch Abschalten der Stromversorgung einige Mikrosekunden nach dem ersten Auftreten eines Gammastrahlungs-Transistor circuits, especially NMOS circuits, are easily destroyed by the effects of radiation from a nuclear explosion. Of the The main damage caused to NMOS devices is ionization, which causes the threshold the device is changed to such an extent that the device no longer works properly. The strenght the ionization occurring in these devices depends on the total dose received and accumulated Gamma radiation. Such circuits are less at risk when the power supply is turned off will. By turning off the power supply a few microseconds after the first occurrence of gamma radiation
HD/GlHD / Gl
Stoßes kann die Ionisation beträchtlich vermindert werden (da die kumulierte Gammadosis über eine Zeitspanne von mehreren Sekunden absorbiert wird).The ionization can be reduced considerably if the impact occurs (as the cumulative gamma dose is absorbed over a period of several seconds).
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Auslöseschaltung, die imstande ist, den Beginn einer auftretenden Gammastrahlung festzustellen und eine Stromversorgung während einer vorbestimmten Zeitspanne abzuschalten, bis die Strahlung vorüber ist.The object of the invention is to provide a trip circuit which is capable of the onset of an occurring Detect gamma radiation and turn off a power supply for a predetermined period of time until the radiation is over.
Durch die Erfindung wird eine monostabile Auslöseschaltung geschaffen, die versehen ist mit einer ersten und mit einer zweiten Spannungsversorgungsleitung, einer Vorspannschaltung, die zwischen die Versorgungsleitungen geschaltet ist und eine Reihenanordnung aus einem ersten Widerstand, einem Kondensator und einer Diode enthält, die in dieser Reihenfolge zwischen die erste und die zweite Versorgungsleitung geschaltet sind, wobei die Diode in Vorwärtsrichtung gepolt ist, einem ersten Transistor eines ersten Polaritätstyps, dessen Basiselektrode mit der zweiten Versorgungsleitung über einen zweiten Widerstand verbunden ist und dessen Emitterelektrode an den Verbindungspunkt zwischen der Diode und dem Kondensator angeschlossen ist, einem zweiten Transistor des genannten Polaritätstyps, dessen Kollektorelektrode an den Verbindungspunkt zwischen dem Kondensator und dem ersten Widerstand angeschlossen ist und dessen Emitterelektrode an die zweite Versorgungsleitung angekoppelt ist, und einem dritten Transistor des entgegengesetzten Polaritätstyps, dessen Basiselektrode an die Kollektorelektrode des ersten Transistors über eine resistive Einrichtung angekoppelt ist, dessen Emitterelektrode an die erste Versorgungsleitung angekoppelt ist und dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des zweiten Transistors über eine zweite resistive Einrichtung verbunden ist.The invention provides a monostable trigger circuit which is provided with a first and with a second voltage supply line, a bias circuit connected between the supply lines and includes a series arrangement of a first resistor, a capacitor and a diode shown in in this order are connected between the first and the second supply line, with the diode in forward direction is polarized, a first transistor of a first polarity type whose base electrode with the second supply line is connected via a second resistor and its emitter electrode to the connection point connected between the diode and the capacitor, a second transistor of the aforesaid Polarity type whose collector electrode is connected to the connection point between the capacitor and the first resistor is connected and the emitter electrode is coupled to the second supply line, and one third transistor of the opposite polarity type, the base electrode of which is connected to the collector electrode of the first The transistor is coupled via a resistive device, the emitter electrode of which is connected to the first supply line is coupled and whose collector electrode is connected to the base electrode of the second transistor a second resistive device is connected.
Die erste resistive Einrichtung kann einen Spannungsteiler enthalten, der zwischen die Kollektorelektrode des ersten Transistors und die erste Versorgungsleitung geschaltet ist, wobei die Basiselektrode des dritten Transistors mit einem Abgriffpunkt des Spannungsteilers verbunden ist.The first resistive device may include a voltage divider between the collector electrode of the first Transistor and the first supply line is connected, wherein the base electrode of the third transistor with is connected to a tap point of the voltage divider.
Die zweite resistive Einrichtung kann einen Spannungsteiler enthalten, der zwischen den Kollektor des dritten Transistors und die zweite Versorgungsleitung geschaltet ist, wobei die Basiselektrode des zweiten Transistors an einem Abgriffpunkt des Spannungsteilers angekoppelt ist.The second resistive device may include a voltage divider connected between the collector of the third Transistor and the second supply line is connected, the base electrode of the second transistor on is coupled to a tap of the voltage divider.
Die Schaltungsanordnung kann eine zweite Diode enthalten, die in der Vorspannschaltung zwischen die erste Versorgungsleitung und den ersten Widerstand eingefügt und in Vorwärtsrichtung gepolt ist.The circuitry may include a second diode which is inserted in the bias circuit between the first supply line and the first resistor and poled in the forward direction.
Ein Kondensator kann zwischen die Basiselektrode des zweiten Transistors und die zweite Versorgungsleitung eingefügt sein.A capacitor can be inserted between the base electrode of the second transistor and the second supply line be.
Die Transistoren sind vorzugsweise bipolare Transistoren.The transistors are preferably bipolar transistors.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung ist eine Strom-Versorgungsschaltung
mit einer Schaltvorrichtung versehen, die mit der vorstehend definierten Schaltung versehen ist
und auf diese anspricht/ um die Stromzufuhr während eines vorbestimmten Zeitintervalls ansprechend auf einfallende
Gammastrahlung zu unterbinden.
30According to a further feature of the invention, a power supply circuit is provided with a switching device which is provided with the circuit defined above and is responsive to this / in order to cut off the supply of power for a predetermined time interval in response to incident gamma radiation.
30th
Die Schaltvorrichtung kann in Reihe mit einer der Ausgangsleitungen der Stromversorgung geschaltet sein und durch die monostabile Auslöseschaltung ansprechend auf einfallende Gammastrahlung in ihren nichtleitenden Zustand geschaltet werden. Bei einer anderen Ausführungsform ist die Stromversorgung mit einer Uberlastschutzschaltung versehen, und die Schaltvorrichtung kann parallel zu denThe switching device can be in series with one of the output lines the power supply and be switched by the monostable trigger circuit in response to incident Gamma radiation can be switched to its non-conductive state. In another embodiment is the power supply is provided with an overload protection circuit, and the switching device can be parallel to the
Ausgangsleitungen der Stromversorgung geschaltet sein und in ihrem leitenden Zustand durch die monostabile Auslöseschaltung ansprechend auf Gammastrahlung umgeschaltet werden.Output lines of the power supply are switched and in their conductive state by the monostable trigger circuit be switched in response to gamma radiation.
Bei einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist die Schaltvorrichtung ein HEXFET.In a particularly advantageous embodiment of the invention, the switching device is a HEXFET.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und aus der Zeichnung, auf die Bezug genommen wird. In der Zeichnung zeigen:Further advantages and features of the invention emerge from the following description of exemplary embodiments and from the drawing referred to. In the drawing show:
Fig. 1 ein Schaltbild einer erfindungsgemäß ausgebildeten Auslöseschaltung;Fig. 1 is a circuit diagram of a designed according to the invention Trigger circuit;
Fig. 2 ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäß aufgebauten Stromversorgungsschaltung, die ein in Reihenschaltung angeordnetes Schaltelement enthält; undFig. 2 is a block diagram of one constructed according to the invention A power supply circuit including a switching element arranged in series; and
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer anderen Ausführungsform der Stromversorgungsschaltung, die erfindungsgemäß ausgebildet ist und von einem parallel liegenden Schaltelement Gebrauch macht.Figure 3 is a block diagram of another embodiment of the power supply circuit made in accordance with the present invention is formed and makes use of a parallel switching element.
Die in Fig. 1 gezeigte monostabile Auslöseschaltung enthält drei bipolare Transistoren TR1, TR2 und TR3. Die Basiselektrode des ersten Transistors TR1 ist mit einer auf 0 Volt Gleichspannung liegenden Versorgungsleitung 10 über einen Widerstand R1 verbunden, während seine Kollektorelektrode mit einer auf +5 Volt liegenden Versorgungsleitung 11 über einen Spannungsteiler verbunden ist, der aus den Widerständen R2 und R3 gebildet ist. Die 5V-Versorgungsspannung wird durch einen Widerstand R4 und einen Siebkondensator C1, die gemeinsam ein Tiefpaßfilter bilden, geglättet.The monostable trip circuit shown in Fig. 1 includes three bipolar transistors TR1, TR2 and TR3. the The base electrode of the first transistor TR1 is connected to a supply line at 0 volts DC voltage 10 connected through a resistor R1 while its Collector electrode connected to a supply line 11 at +5 volts via a voltage divider formed from resistors R2 and R3. The 5V supply voltage is through a resistor R4 and a filter capacitor C1, which together form a low-pass filter, smoothed.
Ein Zeitsteuerkreis ist durch eine Reihenanordnung zwischen den Versorgungsleitungen 10 und 11 gebildet und enthält eine Diode D1, einen Widerstand R5, einen Kondensator C2 und eine weitere Diode D2, welche in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, wobei die Dioden in Vorwärtsrichtung gepolt sind, so daß Strom durch die Reihenanordnung zwischen den Versorgungsleitungen 10 und 11 fließt. Die Emitterelektrode des Transistors TR1 ist an den Verbindungspunkt B zwischen Kondensator C2 und Diode D2 angeschlossen.A timing circuit is formed by a series arrangement between the supply lines 10 and 11 and includes a diode D1, a resistor R5, a capacitor C2 and another diode D2, which in said Sequence are arranged, the diodes are polarized in the forward direction, so that current through the series arrangement flows between the supply lines 10 and 11. The emitter electrode of the transistor TR1 is on the connection point B between capacitor C2 and diode D2 is connected.
Die Kollektorelektrode des zweiten Transistors TR2 ist mit dem Verbindungspunkt A zwischen dem Widerstand R5 und dem Kondensator C2 verbunden, während seine Emitterelektrode mit der Versorgungsleitung 10 verbunden ist.The collector electrode of the second transistor TR2 is with connected to the connection point A between the resistor R5 and the capacitor C2, while its emitter electrode is connected to the supply line 10.
Die Emitterelektrode des dritten Transistors TR3 ist an die Versorgungsleitung 11 angeschlossen, während seine Kollektorelektrode mit der Versorgungsleitung 10 über einen Spannungsteiler verbunden ist, der aus den Widerständen R6 und R7 gebildet ist, deren Verbindungspunkt mit der Basiselektrode des Transistors TR2 verbunden ist, während die Basiselektrode des Transistors TR3 mit dem Verbindungspunkt C zwischen den Widerständen R2 und R3 verbunden ist. Die Basis des Transistors TR2 ist von der Versorgungsleitung 10 über einen Kondensator C3 entkoppelt und mit einem Testanschluß 12 über einen Widerstand R8 verbunden. Ein Ausgang 13 der Schaltung ist mit dem Emitter des Transistors TR3 verbunden. Die folgenden Bauteile können unter bestimmten Umständen entfallen, da sie für die Arbeitsweise der Schaltung nicht wesentlich sind:The emitter electrode of the third transistor TR3 is connected to the supply line 11, while its Collector electrode is connected to the supply line 10 via a voltage divider, which consists of the resistors R6 and R7 are formed, the connection point of which is connected to the base electrode of the transistor TR2, while the base electrode of the transistor TR3 with the connection point C between the resistors R2 and R3 connected is. The base of the transistor TR2 is decoupled from the supply line 10 via a capacitor C3 and connected to a test terminal 12 through a resistor R8. An output 13 of the circuit is to the emitter of the transistor TR3 connected. The following components can be omitted under certain circumstances as they are used for the operation of the circuit are not essential:
C1, C3, R4, R8, DI. Die Kondensatoren C1 und C3 sowie der Widerstand R4 dienen zur Unterdrückung von Störsignalen. Die Arbeitsweise der Schaltung ist folgende:C1, C3, R4, R8, DI. The capacitors C1 and C3 as well as the Resistors R4 are used to suppress interference signals. The circuit works as follows:
Im nicht ausgelösten Zustand liegt der Punkt A auf +5 V, B liegt auf O V, C liegt auf +5 V, und alle Transistoren TRl, TR2 und TR3 sind gesperrt, so daß der Ausgang am Anschluß 13 auf niedrigem Potential liegt. Wenn ein positiver Testimpuls an die Basis des Transistors TR2 angelegt wird, so wird dieser leitend gesteuert. Die Spannung am Punkt A wird dann gegen 0 V abgesenkt, wodurch wiederum die Spannung am Punkt B gegen -5 V geht. Die Basis-Emitter-Strecke des Transistors TR1 ist nun in Vorwärtsrichtung gepolt und leitend gesteuert, so daß die Spannung am Punkt C absinkt. Wegen der Basis-Emitter-Spannung des Transistors TR3 sinkt die Spannung am Punkt C um 0,7 V auf +4,3 V ab. Der Transistor TR3 wird daher leitend, wodurch wiederum die Spannung an der Basis des Transistors TR2 hochgeht und ein Spannungssprung am Ausgang 13 zu positiven Spannungswerten hin auftritt. Diese Mitkopplungswirkung hält alle Transistoren im leitenden Zustand.When not triggered, point A is at +5 V, B is at O V, C is at +5 V, and all of the transistors TRl, TR2 and TR3 are blocked, so that the output at terminal 13 is at low potential. If a positive Test pulse is applied to the base of the transistor TR2, this is controlled to be conductive. The voltage at point A it is then lowered to 0 V, which in turn causes the voltage at point B to go to -5 V. The base-emitter route of the transistor TR1 is now polarized in the forward direction and controlled conductive, so that the voltage drops at point C. Because of the base-emitter voltage of the transistor TR3, the voltage at point C drops by 0.7 V to +4.3 V. The transistor TR3 is therefore conductive, whereby in turn, the voltage at the base of the transistor TR2 goes up and a voltage jump at the output 13 increases positive voltage values occurs. This positive feedback keeps all transistors in the conductive state.
Die Spannung am Punkt B steigt nun langsam an, während die Ladung des Kondensators C2 über die Widerstände R3 und R2 abfließt. Nach etwa 10 Sekunden ist die Spannung am Punkt B ausreichend angestiegen, um den Transistor TR1 zu sperren. Der Punkt C steigt daher auf +5 V an, wodurch der Transistor TR3 gesperrt wird. Hierdurch wird wiederum der Transistor TR2 gesperrt, und das Ausgangssignal am Anschluß 13 geht auf niedriges Potential. Der Kondensator C2 wird dann über den Widerstand R5 aufgeladen, bis der Punkt A wieder auf 5 V liegt.The voltage at point B now rises slowly, while the charge on the capacitor C2 via the resistors R3 and R2 drains. After about 10 seconds, the voltage at point B has risen sufficiently to switch transistor TR1 to lock. The point C therefore rises to +5 V, whereby the transistor TR3 is blocked. This in turn the transistor TR2 blocked, and the output signal at the terminal 13 goes to low potential. The condenser C2 is then charged via resistor R5 until point A is again at 5V.
Der Eingang 12 dient Testzwecken, und der Testimpuls simuliert lediglich die Auswirkung von Gammastrahlung, die in die Schaltungsanordnung einfällt. Diese Schaltungsanordnung ist eine diskrete monostabile Kippstufe, die durch Photoströme ausgelöst wird, welche durch die Vorderflanke eines einfallenden Gammastrahlungsimpulses induziert werden, der bei einer nuklearen Explosion auftritt. Die monostabile Kippschaltung bleibt bei den angegebenen WertenInput 12 is used for test purposes and the test pulse is simulated only the effect of gamma rays entering the circuitry. This circuit arrangement is a discrete monostable multivibrator, which is triggered by photocurrents, which through the leading edge an incident gamma-ray pulse that occurs in a nuclear explosion. The monostable Toggle switching remains at the specified values
der Bauteile während 10 Sekunden im eingeschalteten Zustand, und diese Zeitspanne reicht aus, um jegliches Aufbauen einer erheblichen Gammastrahlungs-Gesamtdosis zu unterbinden, während Schaltungskreise unter Strom sind. 5of the components for 10 seconds in the switched-on state, and this period of time is sufficient for any Stop building up a significant total dose of gamma radiation while circuitry is energized. 5
Das Ausgangssignal der monostabilen Kippschaltung kann verwendet werden, um eine Stromversorgung abzuschalten, die elektronische Schaltungsanordnungen speist, welche durch die Gammastrahlung sonst beschädigt werden könnten. Diese Anwendung ist in den Figuren 2 und 3 dargestellt.The output signal of the monostable multivibrator can be used to switch off a power supply, which feeds electronic circuit arrangements which could otherwise be damaged by the gamma radiation. This application is shown in FIGS.
Fig. 2 zeigt eine Stromversorgung 2 0 mit zwei Ausgangsleitungen, von denen eine direkt mit einem Ausgangsanschluß 21 und die andere mit einem Ausgangsanschluß 22 über einen HEXFET 23 verbunden ist. Die Gate-Elektrode des HEXFET ist über einen invertierenden Verstärker 26 mit dem Ausgangsanschluß 13 einer monostabilen Kippschaltung der in Fig. 1 gezeigten Art verbunden. Der Ausgang der monostabilen Kippschaltung liegt in deren Normalzustand auf niedrigem Pegel. Dieser niedrige Ausgangspegel wird durch den invertierenden Verstärker 26 in einen hohen Ausgangspegel umgesetzt, um den HEXFET so anzusteuern, daß die zu schützenden Schaltkreise 25 mit Strom versorgt werden. Wenn Gammastrahlung einfällt, gibt die monostabi-Ie Kippschaltung ein hohes Ausgangssignal ab, der Ausgang, des invertierenden Verstärkers 26 geht auf niedrigen Pegel, und der HEXFET wird gesperrt, so daß während einer Zeitspanne von 10 Sekunden die Stromzufuhr zu den Schaltkreisen 25 unterbunden, wird und diese Schaltkreise geschützt werden, bis die Gammastrahlung vorüber ist.Fig. 2 shows a power supply 2 0 with two output lines, one of which is directly connected to an output terminal 21 and the other is connected to an output terminal 22 via a HEXFET 23. The gate electrode of the HEXFET is via an inverting amplifier 26 to the output terminal 13 of a monostable multivibrator the type shown in Fig. 1 connected. The output of the monostable multivibrator is in its normal state at a low level. This low output level is converted to a high level by the inverting amplifier 26 Output level converted to control the HEXFET so that the circuits to be protected 25 supplied with current will. When gamma radiation is incident, the monostabi-Ie flip-flop emits a high output signal, the output, of the inverting amplifier 26 goes low and the HEXFET is blocked, so that during a Power supply to the circuits for a period of 10 seconds 25 will be prevented, and these circuits will be protected until the gamma radiation has passed.
In der in Fig. 3 gezeigten Schaltungsanordnung wird eine Stromversorgung 2 0 verwendet, die mit einem Stromüberlastschutz versehen ist, z.B. Kurzschlußstrom-Rückregelung, wobei ein HEXFET-Transistor paralllel die Ausgangsleitungen der Stromversorgung überbrückt, um eine Kurzschlußbrücke zu bilden. Die Gate-Elektrode ist mit demIn the circuit arrangement shown in Fig. 3, a power supply 2 0 is used, which is provided with a current overload protection is provided, e.g. short-circuit current regulation, with a HEXFET transistor in parallel the output lines the power supply bridged to form a short-circuit bridge. The gate electrode is with the
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Ausgang 13 der monostabilen Kippschaltung 24 verbunden. Im normalen Zustand liegt der Ausgang des invertierenden Verstärkers auf niedrigem Pegel, so daß der HEXFET-Transistor gesperrt ist und die Stromversorgung 20 Strom an die zu schützenden Schaltkreise 25 abgibt. Wenn Gammastrahlung einfällt, geht der Ausgang der monostabilen Kippschaltung 24 auf hohen Pegel und steuert den HEXFET in den leitenden Zustand, so daß dieser die Stromversorgung kurzschließt und deren Ausgangsspannung auf Null absinkt.Output 13 of the monostable multivibrator 24 connected. In the normal state, the output of the inverting amplifier is low, so that the HEXFET transistor is blocked and the power supply 20 delivers current to the circuits 25 to be protected. When gamma radiation occurs, the output of the monostable multivibrator 24 goes high and controls the HEXFET into the conductive state, so that it shorts the power supply and its output voltage to zero sinks.
Bei den im Schaltbild angegebenen Bauteilwerten ergab sich eine Ansprechzeit von 5 Mikrosekunden, wenn ein auslösender Testimpuls angelegt wird. Diese Zeit sinkt auf 5 Mikro-Sekunden, wenn die Auslösung durch Gammastrahlung mit einer Dosisrate von 8x10 Rad/Sekunden erfolgt. Diese Verkürzung ergibt sich dadurch, daß die durch Strahlung verursachten Photoströme alle Transistoren gleichzeitig einschalten.With the component values specified in the circuit diagram, there was a response time of 5 microseconds if a triggering Test pulse is applied. This time drops to 5 microseconds when using gamma radiation at a dose rate of 8x10 rad / seconds. These Shortening results from the fact that the photocurrents caused by radiation all transistors at the same time turn on.
Zahlreiche Abwandlungen der beschriebenen Ausführungsformen sind möglich. Dies gilt sowohl für die monostabile Kippschaltung als auch für deren Kombination mit der Stromversorgung. Insbesondere sind folgende Ausführungsformen vorgesehen:Numerous modifications of the described embodiments are possible. This applies both to the monostable multivibrator and to its combination with the Power supply. In particular, the following embodiments are provided:
1. In der in Fig. 1 gezeigten Schaltung sind die Transistoren TR1 und TR2 als PNP-Transistoren ausgebildet, während der Transistor TR3 ein NPN-Transistor ist und die Versorgungsleitungen entsprechende Potentiale zuführen .1. In the circuit shown in Fig. 1, the transistors TR1 and TR2 are designed as PNP transistors, while the transistor TR3 is an NPN transistor and apply appropriate potentials to the supply lines.
2. Als Schaltvorrichtungen werden zwar HEXFET-Transistoren bevorzugt, weil sie in Anwesenheit von nuklearer Strahlung stabile Betriebsparameter aufweisen, jedoch sind auch andere Schaltvorrichtungen bei der in Fig. gezeigten Anordnung möglich, z.B. Thyristoren oder Transistoren.2. HEXFET transistors are preferred as switching devices because they are in the presence of nuclear Radiation have stable operating parameters, but other switching devices are also possible in the case of the in Fig. arrangement shown possible, e.g. thyristors or transistors.
3.Es kann eine einzelne monostabile Schaltung verwendet werden, um Systeme zu schützen, in denen viele Schaltungskreise enthalten sind, wobei eine Vielzahl von Versorgungspotentialen vorhanden sein kann. Der Schutz kann dadurch erfolgen, daß in jeder Versorgungsleitung ein geeigneter HEXFET-Transistor liegt, der durch dieselbe monostabile Kippschaltung gesteuert wird.3. A single monostable circuit can be used to protect systems in which there are many circuits are included, wherein a variety of supply potentials can be present. The protection can be done in that a suitable HEXFET transistor is in each supply line, which through the same monostable multivibrator is controlled.
4. Die Anordnung ist besonders wertvoll zum Schützen von NMOS-Vorrichtungen, die auf die Gesamtdosis ansprechen, von CMOS-Schaltkreisen, die unerwünscht sperren können ("latch up"), und von Schottky-TTL-Schaltkreisen.4. The arrangement is particularly valuable for protecting NMOS devices that are responsive to the total dose, of CMOS circuits that can block undesirably ("latch up"), and from Schottky TTL circuits.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: GEC-MARCONI LTD., STANMORE, GB |
|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PRINZ, E., DIPL.-ING. LEISER, G., DIPL.-ING. SCHWE |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |