DE3402257A1 - Circuit arrangement for converting a binary signal into a ternary signal - Google Patents

Circuit arrangement for converting a binary signal into a ternary signal

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Abstract

A circuit arrangement is constructed of a logic circuit having an input, a first and second output and a transformer with a secondary winding and two series-connected primary windings. The first output of the logic circuit is connected to the gate electrode of a first and second field effect transistor. The second output of the logic circuit is connected to the gate electrode of a third and fourth field effect transistor. The source electrode of the first field effect transistor is connected to the source electrode of the fourth field effect transistor and to one terminal of a voltage source, the other terminal of which is connected to the mutually connected source electrodes of the second and third field effect transistor and to the junction between the two primary windings. The drain electrode of the first field effect transistor is connected via a first diode to one primary winding and via a third diode to the drain electrode of the second field effect transistor. The drain electrode of the fourth field effect transistor is connected via a second diode to the second primary winding and via a fourth diode to the drain electrode of the third field effect transistor. The ternary signal is picked up across the connections of the secondary winding.

Description

Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines binärenCircuit arrangement for converting a binary

Signales in ein ternäres Signal.Signal into a ternary signal.

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines binären Signales in ein ternäres Signal mit einem Übertrager, der eine Sekundärwicklung aufweist, an der das ternäre Signal abnehmbar ist, und bei dem eine erste und eine zweite Primärwicklung in Reihe geschaltet sind, und mit einer Logikschaltung, deren Eingang das binäre signal zugeführt wird, die an ihrem ersten und zweiten Ausgang Signale mit dem Binärwert 11011 abgibt, wenn das binäre Signal den Binärwert 8 annimmt, und die an ihrem ersten und zweiten Ausgang alternierend zueinander komplementäre Binärwerte abgibt, wenn das binäre Signal den Binärwert "1" annimmt.The invention relates to a circuit arrangement for converting a binary signal into a ternary signal with a transformer that has a secondary winding has, at which the ternary signal can be removed, and in which a first and a second primary winding are connected in series, and with a logic circuit whose Input the binary signal is fed to its first and second output Emits signals with the binary value 11011 when the binary signal assumes the binary value 8, and those which are complementary to one another alternately at their first and second output Outputs binary values when the binary signal assumes the binary value "1".

Eine Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines binären Signales in ein ternäres Signal ist aus Bell Telephone Laborartories, Transmission Systems for Comrnunications, revised forth edition, december 1971 bekannt. Bei der Schaltungsanordnung, die in der FIG. 27 - 36 auf Seite 667 der genannten Literaturstelle gezeigt ist, wird das binäre Signal über eine Ader dem ersten Eingang eines ersten und zweiten Und-Gatters sowie dem Eingang eines Modulo-2-Zählers zugeführt. Der nichtinvertierende Ausgang des Modulo-2-Zählers ist mit dem zweiten Eingang des ersten Und-Gatters verbunden, während der invertierende Ausgang des Modulo-2-Zählers mit dem zweiten Eingang des zweiten Und-Gatters verbunden ist. Der Ausgang des ersten Und-Gatters ist über zwei in Reihe geschaltete Primärwicklungen eines Übertragers mit dem Ausgang des zweiten Und-Gatters verbunden. Der Verbindungspunkt der beiden Primärwicklungen ist geerdet. An den beiden Anschlüssen der Sekundärwicklung des Übertragers wird das ternäre Signal abgegriffen.A circuit arrangement for converting a binary signal into a ternary signal is from Bell Telephone Laborartories, Transmission Systems for Comrnunications, revised forth edition, December 1971. In the circuit arrangement, in FIG. 27 - 36 is shown on page 667 of the cited literature, the binary signal is sent via a wire to the first input of a first and a second AND gate and the input of a modulo-2 counter. The non-inverting one The output of the modulo-2 counter is connected to the second input of the first AND gate connected while the inverting output of the modulo 2 counter is connected to the second input of the second AND gate. The outcome of the first AND gate is via two series-connected primary windings of a transformer connected to the output of the second AND gate. The connection point of the two Primary winding is grounded. At the two connections of the secondary winding of the The ternary signal is tapped from the transformer.

Bei der Übertragung von Datensignalen im Basisband ist zwischen die Logikschaltung, die in der bekannten Schaltungsanordnung aus dem Modulo-2-Zähler und den beiden Und-Gattern besteht, und dem Übertrager eine Treiberschaltung vorzusehen. Mit Hilfe der Treiberschaltung und des Übertragers sollen die an den beiden Ausgängen der Logikschaltung anstehenden binären Signale in die Übertragungsleitung als ternäres Signal eingespeist werden. Dabei treten an den beiden Ausgängen der Logikschaltung entweder abwechselnd die Binärwerte "1" oder gleichzeitig die Binärwerte 11011 auf. Dagegen verhindert die Logikschaltung, daß gleichzeitig an ihren beiden Ausgängen die Binärwerte 11111 auftreten. Wenn das ternäre Signal am Ausgang des Übertragers den Wert 11+111 oder "-1" annimmt, soll der Ausgangswiderstand der Schaltungsanordnung von der Übertragungsleitung her gesehen dem Innenwiderstand einer Spannungsquelle entsprechen, dagegen soll er hochohmig sein, wenn das ternäre Signal den Wert 11911 annimmt. Dadurch ist es möglich, mehrere solcher Schaltungsanordnungen, die aus einer Logikschaltung, einer Treiberschaltung und einem Übertrager aufgebaut sind, parallel an eine Übertragungsleitung anzuschließen. Dabei sind die Sekundärwicklungen der Übertrager parallel geschaltet und mit der Übertragungsleitung verbunden.When transmitting data signals in the baseband is between the Logic circuit in the known circuit arrangement from the modulo-2 counter and the two AND gates, and to provide a driver circuit for the transformer. With the help of the driver circuit and the transformer, the two outputs the logic circuit pending binary signals in the transmission line as ternary Signal are fed. Thereby occur at the two outputs of the logic circuit either the binary values "1" alternately or the binary values 11011 at the same time. On the other hand, the logic circuit prevents that at its two outputs at the same time the binary values 11111 occur. When the ternary signal at the output of the transformer assumes the value 11 + 111 or "-1", the output resistance of the circuit arrangement should Seen from the transmission line, the internal resistance of a voltage source on the other hand, it should be high resistance if the ternary signal has the value 11911 accepts. This makes it possible to use several such circuit arrangements a logic circuit, a driver circuit and a transformer are constructed, parallel to connect a transmission line. There are those Secondary windings of the transformers connected in parallel and with the transmission line tied together.

Beim Integrated Services Digital Network, kurz ISDN genannt, sind solche Schaltungsanordnungen zur Umwandlung eines binären Signales in ein ternäres Signal als Schnittstellen vorgesehen, deren Eigenschaften genau spezifiziert sind. Neben den bereits angegebenen Widerstandsbedingungen sollen die Schaltungsanordnungen eine hohe Erdsymmetrie aufweisen, nur eine geringe Ansteuerleistung benötigen und eine hohe Flankensteilheit beim ternären Signal gewährleisten.In the Integrated Services Digital Network, or ISDN for short, are such circuit arrangements for converting a binary signal into a ternary one Signal provided as interfaces, the properties of which are precisely specified. In addition to the resistance conditions already specified, the circuit arrangements have a high earth symmetry, only require a low control power and ensure a high edge steepness for the ternary signal.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb,. eine erdsymmetrische Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines binären Signales in ein ternäres Signal anzugeben, deren Ausgangswiderstand hochohmig ist, wenn das ternäre Signal den Wert 11911 annimmt, deren Ausgangswiderstand dagegen niederohmig ist, wenn das ternäre Signal den Wert n+l oder "-1" annimmt, und die dabei eine geringe Ansteuerleistung benötigt sowie eine hohe Flankensteilheit des ternären Signales bewirkt.The object of the invention is therefore. a balanced circuit arrangement to convert a binary signal into a ternary signal, specify its output resistance If the ternary signal assumes the value 11911, its output resistance is high on the other hand, it is low-resistance when the ternary signal assumes the value n + l or "-1", and which requires a low control power and a high edge steepness of the ternary signal causes.

Die Erfindung löst diese Aufgabe dadurch, daß der erste Ausgang Al der Logikschaltung L mit der Gate-Elektrode eines ersten und eines zweiten Feldeffekttransistors F1, F2 verbunden ist, daß der zweite Ausgang A2 der Logikschaltung L mit der Gate-Elektrode eines dritten und vierten Feldeffekttransistors F3, F4 verbunden ist, daß die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors F1 mit der Source-Elektrode des vierten Feldeffekttransistors F4 und mit dem einen Pol einer Spannungsquelle U verbunden ist, daß die Source-Elektroden des zweiten und dritten Feldeffekttransistors F2, F3 miteinander verbunden sind und an den anderen Pol der Spannungsquelle U sowie an den Verbindungspunkt der ersten und zweiten Primärwicklung Pl, P2 angeschlossen sind, daß die Drain-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors F1 über eine erste Diode D1 mit dem Anschluß der ersten Primärwicklung P1 verbunden ist, der nicht mit der zweiten Primärwicklung P2 verbunden ist, daß die Drain-Elektrode des vierten Feldeffekttransistors F4 über eine zweite Diode D2 mit dem Anschluß der zweiten Primärwicklung P2 verbunden ist, der nicht mit der ersten Primärwicklung P1 verbunden ist, daß die Drain-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors F1 über eine dritte Diode D3 mit der Drain-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors F2 verbunden ist, daß die Drain-Elektrode des vierten Feldeffekttransistors F4 über eine vierte Diode D4 mit der Drain-Elektrode des dritten Feldeffekttransistors F3 verbunden ist, daß der erste Feldeffekttransistor Fl im Gegentakt zum zweiten Feldeffekttransistor F2 arbeitet, daß der dritte Feldeffekttransistor F3 im Gegentakt zum vierten Feldeffekttransistor F4 arbeitet, daß die erste Diode D1 in dem Kreis aus der Spannungsquelle U, der ersten Primärwicklung P1 und der Drain-Source-Strecke des ersten Feldeffekttransistors F1 in Durchlaßrichtung gepolt ist, daß die zweite Diode D2 in dem Kreis aus der Spannungsquelle U, der zweiten Primärwicklung P2 und der Drain-Source-Strecke des vierten Feldeffekttransistors F4 in Durchlaßrichtung gepolt ist, daß die dritte Diode D3 in dem aus der Spannungsquelle U und den Drain- Source-Strecken des ersten und zweiten Feldeffekttransistors F1, F2 gebildeten Kreis in Durchlaßrichtung gepolt ist und daß die vierte Diode D4 in dem aus der Spannungsquelle U und den Drain-Source-Strecken des dritten und vierten Feldeffekttransistors F3, F4 gebildetetn Kreis ebenfalls in Durchlaßrichtung gepolt ist.The invention solves this problem in that the first output Al the logic circuit L with the gate electrode of a first and a second field effect transistor F1, F2 is connected that the second output A2 of the logic circuit L to the gate electrode a third and fourth field effect transistor F3, F4 is connected that the source electrode of the first field effect transistor F1 with the source of the fourth field effect transistor F4 and connected to one pole of a voltage source U. is that the source electrodes of the second and third field effect transistor F2, F3 are connected to one another and to the other pole of the voltage source U as well as connected to the connection point of the first and second primary winding Pl, P2 are that the drain electrode of the first field effect transistor F1 has a first Diode D1 is connected to the terminal of the first primary winding P1, which is not is connected to the second primary winding P2 that the drain electrode of the fourth Field effect transistor F4 via a second diode D2 to the connection of the second Primary winding P2 is connected, which is not connected to the first primary winding P1 is that the drain electrode of the first field effect transistor F1 via a third Diode D3 connected to the drain electrode of the second field effect transistor F2 is that the drain electrode of the fourth field effect transistor F4 via a fourth Diode D4 connected to the drain electrode of the third field effect transistor F3 is that the first field effect transistor Fl in push-pull to the second field effect transistor F2 works that the third field effect transistor F3 in push-pull to the fourth field effect transistor F4 works that the first diode D1 in the circuit from the voltage source U, the first primary winding P1 and the drain-source path of the first field effect transistor F1 is forward polarized that the second diode D2 in the circuit from the Voltage source U, the second primary winding P2 and the drain-source path of the fourth field effect transistor F4 is polarized in the forward direction that the third Diode D3 in which the voltage source U and the drain Source routes of the first and second field effect transistor F1, F2 formed circuit in the forward direction is polarized and that the fourth diode D4 in the from the voltage source U and the Drain-source paths of the third and fourth field effect transistors F3, F4 are formed Circle is also polarized in the forward direction.

In den Unteransprüchen sind vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung angegeben. Die Figur zeigt ein Ausführungsbeispiel, das zunächst beschrieben und anschließend anhand der Figur erläutert wird.The subclaims contain advantageous embodiments of the invention specified. The figure shows an embodiment that was first described and will then be explained with reference to the figure.

Dem Eingang E der Logikschaltung L wird das binäre Signal zugeführt. Der Ausgang Al der Logikschaltung L ist mit der Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors F1 und eines Feldeffekttransistors F2 verbunden, während der Ausgang A2 der Logikschaltung L mit der Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors F3 und eines Feldeffekttransistors F4 verbunden ist. Die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors F1 ist mit der Source-Elektrode des Feldeffekttransistors F4 sowie mit dem negativen Pol einer Spannungsquelle U verbunden, deren positiver Pol an die miteinander verbundenen Source-Elektroden der Feldeffekttransistoren F2 und F3 angeschlossen ist. Der Verbindungspunkt der ersten und zweiten Primärwicklung P1 und P2 ist ebenfalls mit dem positiven Pol der Spannungsquelle U verbunden. Die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors F1 ist mit der Kathode einer Diode D3 und einer Diode D1 verbunden. Die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors F4 ist mit der Kathode einer Diode D4 und einer Diode D2 verbunden. Die Anode der Diode D3 ist mit der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors F2 verbunden, und ebenso ist die Anode der Diode D4 mit der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors F3 verbunden. Die Anode der Diode D1 ist über einen Widerstand R1 mit dem Anschluß der Primärwicklung P7 verbunden, der nicht mit der zweiten Primärwicklung P2 verbunden ist, während die Anode der Diode D2 über einen Widerstand R2 mit dem Anschluß der Primärwicklung P1 verbunden ist, der nicht mit der Primärwicklung P2 verbunden ist. An den beiden Anschlüssen B1 und B2 der Sekundärwicklung ist das ternäre Signal abnehmbar. An diese beiden Anschlüsse B1 und B2 kann eine Übertragungsleitung angeschlossen werden. Die Logikschaltung L kann z.B. so aufgebaut sein, wie die in der FIG 27 - 36 der angegebenen Literaturstelle gezeigte Schaltung. Die Feldeffekttransistoren F1 und F4 sind selbstsperrende n-Kanal-Feldeffekttransistoren, während es sich bei den Feldeffekttransistoren F2 und F3 um selbstsperrende p-Kanal-Feldeffekttransistoren handelt. Die Miller-Kapazitäten CM der Feldeffekttransistoren F1 und F4 sind in der Figur gestrichelt eingezeichnet. Die gleich großen Widerstände R1 und R2 sind niederohmig gewählt.The binary signal is fed to the input E of the logic circuit L. The output A1 of the logic circuit L is connected to the gate electrode of a field effect transistor F1 and a field effect transistor F2 connected, while the output A2 of the logic circuit L to the gate electrode of a field effect transistor F3 and a field effect transistor F4 is connected. The source electrode of the field effect transistor F1 is with the Source electrode of the field effect transistor F4 and with the negative pole of a Voltage source U connected, whose positive pole is connected to the interconnected Source electrodes of the field effect transistors F2 and F3 is connected. The connection point the first and second primary windings P1 and P2 is also positive Pole of the voltage source U connected. The drain electrode of the field effect transistor F1 is connected to the cathode of a diode D3 and a diode D1. The drain electrode of the field effect transistor F4 is connected to the cathode of a diode D4 and a diode D2 connected. The anode the diode D3 is connected to the drain electrode of the field effect transistor F2 is connected, and likewise the anode of the diode D4 is connected to connected to the drain electrode of the field effect transistor F3. The anode of the diode D1 is connected to the connection of the primary winding P7 via a resistor R1, which is not connected to the second primary winding P2, while the anode of the Diode D2 connected to the connection of the primary winding P1 via a resistor R2 which is not connected to the primary winding P2. At the two connections B1 and B2 of the secondary winding, the ternary signal can be removed. To these two A transmission line can be connected to terminals B1 and B2. The logic circuit L can, for example, be structured like that in FIGS. 27-36 of the cited literature reference circuit shown. The field effect transistors F1 and F4 are normally off n-channel field effect transistors, while the field effect transistors F2 and F3 are normally off p-channel field effect transistors acts. The Miller capacitances CM of the field effect transistors F1 and F4 are in the figure drawn in dashed lines. The resistors R1 and R2 are equal in size selected low resistance.

Bei der Erklärung der Funktionsweise des Ausführungsbeispieles wird zunächst von dem Fall ausgegangen, daß am Eingang E der Logikschaltung L als binäres Signal eine Folge von Einsen anliegt. Dann gibt die Logikschaltung L an ihren beiden Ausgängen Al und A2 abwechselnd zueinander komplementäre Signale ab: Wenn am ersten Ausgang Al eine logische "1" abgegeben wird, gibt der zweite Ausgang A2 eine logische 11011 ab. Bei der nächsten logi- schen "1" am Eingang E gibt der erste Ausgang Al eine logische 11911, dagegen der zweite Ausgang A2 nun eine logische lllfl ab.When explaining the mode of operation of the exemplary embodiment, initially assumed that at the input E of the logic circuit L as a binary Signal is a sequence of ones. Then the logic circuit gives L to both of them Outputs A1 and A2 alternately produce complementary signals: If on the first Output A1 outputs a logical "1", the second output A2 outputs a logical "1" 11011 from. At the next logi- between "1" at input E gives the first output A1 a logical 11911, on the other hand the second output A2 now a logical one lllfl from.

Es sei nun angenommen, daß am ersten Ausgang Al der Logikschaltung L eine logische "1", also hohes Potential, und am Ausgang A2 eine logische 11911, also niederes Potential, anliegt. Weil der Feldeffekttransistor F1 deshalb leitend ist, während der Feldeffekttransistor F2 gesperrt ist, kann ein Strom in der Schleife fließen, die aus der Spannungsquelle U, der Primärwicklung Pl, dem Widerstand R1, der Diode D3 und der Drain-Source-Strekke des Feldeffekttransistors F1 gebildet wird. Die Aufgaben der Feldeffekttransistoren F2 und F3 werden später erläutert. Trotz des leitenden Feldeffekttransistors F3 kann wegen der Dioden D2 und D4 und weil der Feldeffekttransistor F2 gesperrt ist, kein Strom durch die Primärwicklung P2 fließen.It is now assumed that at the first output Al of the logic circuit L a logic "1", i.e. high potential, and a logic 11911 at output A2, so low potential is applied. Because the field effect transistor F1 is therefore conductive is, while the field effect transistor F2 is blocked, a current can be in the loop flow from the voltage source U, the primary winding Pl, the resistor R1, the diode D3 and the drain-source path of the field effect transistor F1 will. The tasks of the field effect transistors F2 and F3 will be explained later. Despite the conductive field effect transistor F3 can because of the diodes D2 and D4 and because the field effect transistor F2 is blocked, no current through the primary winding P2 flow.

Von den Ausgängen B1 und B2 der Sekundärwicklung aus betrachtet wird die Primärwicklung P2 wegen der Dioden D2 und D4 in diesem Fall im Leerlauf betrieben. Das ternäre Signal am Ausgang der Sekundärwicklung nimmt den Wert "+1" an. Bei der nächsten logischen 11111 am Eingang E der Logikschaltung L kehren sich die Potentialverhältnisse an den Ausgängen Al und A2 um. Am Ausannr 1 liegt jetzt eine logische "8", also niederes Potential, an, während am Ausgang A2 wegen der logischen "1" hohes Potential anliegt. Weil die Bauteile F1, F2, D1, D3, R1 und P1 symmetrisch zu den Bauteilen F4, F3, D2, D4, R2 und P2 angeordnet sind, kehren sich auch die Verhältnisse an den Feldeffekttransistoren und den Primärwicklungen um. Weil der Feldeffekttransistor F1 nun gesperrt ist, fließt jetzt ein Strom durch die zweite Primärwicklung P2, während die erste Primärwicklung P1 trotz des leitenden Feldeffekttransistors F2 wegen der Dioden D1 und D3 im Leerlauf betrieben wird.From the outputs B1 and B2 of the secondary winding is viewed the primary winding P2 operated in this case in no-load mode because of the diodes D2 and D4. The ternary signal at the output of the secondary winding assumes the value "+1". In the The next logical 11111 at the input E of the logic circuit L reverses the potential relationships at the outputs A1 and A2. At output 1 there is now a logical "8", that is low potential, while at output A2 because of the logic "1" high potential is present. Because the components F1, F2, D1, D3, R1 and P1 are symmetrical to the components F4, F3, D2, D4, R2 and P2 are arranged, the ratios also reverse the field effect transistors and the primary windings. Because the field effect transistor F1 is now locked, now flows a current through the second primary winding P2, while the first primary winding P1 despite the conductive field effect transistor F2 is operated in no-load mode because of the diodes D1 and D3.

Der Feldeffekttransistor F2 hat die Aufgabe, die in der Figur gestrichelt angedeute Miller-Kapazität CM des Feldeffekttransistors F1 zu entladen, wenn der Feldeffekttransistor F1 vom leitenden in den sperrenden Zustand übergeht. Ebenso entlädt der Feldeffekttransistor F3 die Miller-Kapazität CM des Feldeffekttransistors F4, wenn der Feldeffekttransistor F4 vom leitenden in den sperrenden Zustand übergeht. Wenn am Ausgang Al der Logikschaltung L hohes Potential anliegt, ist der Feldeffekttransistor F1 leitend. In der Leitphase wird die Miller-Kapazität CM, die zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode liegt, so aufgeladen, daß an der Gate-Elektrode hohes, an der Drain-Elektrode dagegen niederes Potential anliegt. Sobald am Ausgang Al der Logikschaltung L wieder niederes Potential anliegt, sperrt der Feldeffekttransistor F1. Durch den Übergang von hohem zu niederem Potential am Ausgang Al erfolgt bei der einen mit der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors F7 verbundenen Elektrode der Miller-Kapazität CM ein Ladungsausgleich. Die gegenüberliegende Elektrode der Miller-Kapazität liegt aber noch wegen des vorangegangenen Aufladevorgangs auf niederem Potential. Ohne den Feldeffekttransistor F2 würde ein Ladungsaustausch zwischen dieser Elektrode und dem positivem Pol der Spannungsquelle U über den Widerstand R1 und die Primärwicklung P1 erfolgen. Dies hätte eine Verschlechterung der Flankensteilheit des ternären Signales zur Folge. Weil jedoch der Feldeffekttransistor F2 nun leitend ist, erfolgt der Ladungsaustausch nicht über den Widerstand R1 und die Primärspule P1 sondern über die Diode D3 und den Feldeffekttransistor F2. Auf die gleiche Weise wird die Miller-Kapazität des Feldeffekttransistors F4 über die Diode D4 und die Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors F3 umgeladen.The field effect transistor F2 has the task of the dashed line in the figure indicated Miller capacitance CM of the field effect transistor F1 to discharge when the Field effect transistor F1 changes from the conductive to the blocking state. as well the field effect transistor F3 discharges the Miller capacitance CM of the field effect transistor F4, when the field effect transistor F4 changes from the conducting to the blocking state. If there is a high potential at the output A1 of the logic circuit L, the field effect transistor is F1 conductive. In the conduction phase, the Miller capacitance CM, which is between the gate electrode and the drain electrode is charged so that it is high at the gate electrode the drain electrode, on the other hand, has a low potential. As soon as the exit Al der Logic circuit L is applied again low potential, the field effect transistor blocks F1. The transition from high to low potential at output Al takes place at the one connected to the gate electrode of the field effect transistor F7 electrode the Miller capacitance CM is a charge equalization. The opposite electrode of the Miller capacity is still low because of the previous charging process Potential. Without the field effect transistor F2, a charge exchange would occur between this electrode and the positive pole of the voltage source U via the resistor R1 and the primary winding P1 take place. This would have a worsening of the edge steepness of the ternary Signal. But because the field effect transistor F2 is now conductive, the charge exchange does not take place via the resistor R1 and the primary coil P1 but via the diode D3 and the field effect transistor F2. on the same way is the Miller capacitance of the field effect transistor F4 via the Diode D4 and the drain-source path of the field effect transistor F3 recharged.

Durch die Umladung der Miller-Kapazitäten mittels der Feldeffekttransistoren F2 und F3 wird die Flankensteilheit des ternären Signales beim Übergang der Feldeffekttransistoren F1 und F4 vom leitenden in den sperrenden Zustand erhöht. Der Übergang vom sperrenden in den leitenden Zustand ist nicht kritisch, weil die Miller-Kapazitäten über die Drain-Source-Strecke der Feldeffekttransistoren F1 und F2 umgeladen werden. Dies beeinflußt die Flankensteilheit des ternären Signales nicht in negativer Weise.By reloading the Miller capacitances using the field effect transistors F2 and F3 are the slope of the ternary signal at the transition of the field effect transistors F1 and F4 increased from the conductive to the blocking state. The transition from the blocking in the conductive state is not critical because the Miller capacitance over the Drain-source path of the field effect transistors F1 and F2 are reloaded. this does not affect the slope of the ternary signal in a negative way.

Schließlich ist noch der Fall zu betrachten, daß an beiden Ausgängen Al und A2 der Logikschaltung L eine logische "8", d.h. niederes Potential, anliegt. Die Feldeffekttransistoren F1 und F4 sind gesperrt, während sich die Feldeffekttransistoren F2 und F3 in der Leitphase befinden. Wegen der Dioden D1 und D3 wird die erste Primärwicklung P1 und wegen der Dioden D2 und D4 wird auch die zweite Primärwicklung P2 von der Sekundärwicklung her gesehen im Leerlauf betrieben.Finally, consider the case that at both exits A1 and A2 of the logic circuit L a logic "8", i.e. low potential, is applied. The field effect transistors F1 and F4 are blocked, while the field effect transistors F2 and F3 are in the lead phase. Because of the diodes D1 and D3, the first winding becomes primary P1 and because of the diodes D2 and D4, the second primary winding P2 is also connected to the Secondary winding is operated in no-load mode.

Wenn der Feldeffekttransistor F1 leitend ist, fließt in der Schleife aus der Spannungsquelle U, der Source-Drain-Strecke des Feldeffekttransistors F1, der Diode D1, dem Widerstand R1 und der Primärwicklung P1 ein Strom. Das ternäre Signal hat dabei den Wert "+1". Die Primärwicklung P1 ist dann, wenn man den Innenwiderstand der Spannungsquelle U, den Widerstand der Source-Drain-Strecke des Feldeffekttransistors F1 und den Widerstand der Diode D1 vernachläßigt, mit dem genau definierbaren und niederohmig gewählten Widerstand R1 abgeschlossen. Weil der Widerstand R2 - wie bereits erwähnt - gleich groß wie der Widerstand R1 gewählt ist, gilt das gleiche sinngemäß für die Primärwicklung P2.When the field effect transistor F1 is conductive, flows in the loop from the voltage source U, the source-drain path of the field effect transistor F1, the diode D1, the resistor R1 and the primary winding P1 a current. The ternary Signal has thereby the value "+1". The primary winding P1 is then if you consider the internal resistance of the voltage source U, the resistance of the source-drain path of the field effect transistor F1 and the resistance of the diode D1 neglected, with the precisely definable and low-resistance selected resistor R1 completed. because the resistor R2 - as already mentioned - chosen to be the same size as the resistor R1 is, the same applies mutatis mutandis to the primary winding P2.

Wenn das ternäre Signal den Wert "+1 oder ~1#111 annimmt, ist deshalb der Ausgangswiderstand der Schaltungsanordnung von der Sekundärwicklung her gesehen niederohmig, während er wegen der Dioden D1, D2, D3 und D4 hochohmig ist, wenn das ternäre Signal den Wert 11911 annimmt. Mittels der Feldeffekttransistoren F2 und F3 wird die Flankensteilheit des ternären Signales erhöht. Eine gute Erdsymmetrie ergibt sich aus dem symmetrischen Aufbau der Schaltungsanordnung. Die Ansteuerleistung ist gering, weil Feldeffekttransistoren verwendet werden.Therefore, when the ternary signal takes the value "+1 or ~ 1 # 111 the output resistance of the circuit arrangement seen from the secondary winding low-resistance, while it is high-resistance because of the diodes D1, D2, D3 and D4, if that ternary signal assumes the value 11911. By means of the field effect transistors F2 and F3 increases the slope of the ternary signal. Good earth symmetry results from the symmetrical structure of the circuit arrangement. The control power is low because field effect transistors are used.

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Claims (4)

Patentansprüche Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines binären Signales in ein ternäres Signal mit einem übertrager (Ü), der eine Sekundärwicklung aufweist, an der das ternäre Signal abnehmbar ist, und bei dem eine erste und eine zweite Primärwicklung (P1, P2) in Reihe geschaltet sind, und mit einer Logikschaltung (L), deren Eingang (E) das binäre Signal zugeführt wird, die an ihrem ersten und zweiten Ausgang (Al, A2) Signale mit dem Binärwert A8" abgibt, wenn das binäre Signal den Binärwert "o" annimmt, und die an ihrem ersten und zweiten Ausgang (Al, A2) alternierend zueinander komplementäre Binärwerte abgibt, wenn das binäre Signal den Binärwert ~1" annimmt, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Ausgang (Al) der Logikschaltung (L) mit der Gate-Elektrode eines ersten und eines zweiten Feldeffekttransistors (F1, F2) verbunden ist, daß der zweite Ausgang (A2) der Logikschaltung (L) mit der Gate-Elektrode eines dritten und vierten Feldeffekttransistors (F3, F4) verbunden ist, daß die Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (F1) mit der Source-Elektrode des vierten Feldeffekttransistors (F4) und mit dem einen Pol einer Spannungsquelle (U) verbunden ist, daß die Source-Elektroden des zweiten und dritten Feldeffekttransistors (F2, F3) miteinander verbunden sind und an den anderen Pol der Spannungsquelle (U) sowie an den Verbindungspunkt der ersten und zweiten Primärwicklung (P1, P2) angeschlossen sind, daß die Drain-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (F1) über eine erste Diode (D1) mit dem Anschluß der ersten Primärwicklung (Pl) verbunden ist, der nicht mit der zweiten Primärwicklung (P2) verbunden ist, daß die Drain-Elektrode des vierten Feldeffekttransistors (F4) über eine zweite Diode (D2) mit dem Anschluß der zweiten Primärwicklung (P2) verbunden ist, der nicht mit der ersten Primärwicklung (P1) verbunden ist, daß die Drain-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (F1) über eine dritte Diode (D3) mit der Drain-Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors (F2) verbunden ist, daß die Drain-Elektrode des vierten Feldeffekttransistors (F4) über eine vierte Diode (D4) mit der Drain-Elektrode des dritten Feldeffekttransistors (F3) verbunden ist, daß der erste Feldeffekttransistor (F1) im Gegentakt zum zweiten Feldeffekttransistor (F2) arbeitet, daß der dritte Feldeffekttransistor (F3) im Gegentakt zum vierten Feldeffekttransistor (F4) arbeitet, daß die erste Diode (D1) in dem Kreis aus der Spannungsquelle (U), der ersten Primärwicklung (P1) und der Drain-Source-Strecke des ersten Feldeffekttransistors (F1) in Durchlaßrichtung gepolt ist, daß die zweite Diode (D2) in dem Kreis aus der Spannungsquelle (U), der zweiten Primärwicklung (P2) und der Drain-Source-Strekke des vierten Feldeffekttransistors (F4) in Durchlaßrichtung gepolt ist, daß die dritte Diode (D3) in dem aus der Spannungsquelle (U) und den Drain-Source-Strecken des ersten und zwei- ten Feldeffekttransistors (F1, F2) gebildeten Kreis in Durchlaßrichtung gepolt ist und daß die vierte Diode (D4) in dem aus der Spannungsquelle (U) und den Drain-Source-Strecken des dritten und vierten Feldeffekttransistors (F3, F4) gebildeten Kreis ebenfalls in Durchlaßrichtung gepolt ist.Circuit arrangement for converting a binary signal into a ternary signal with a transformer (Ü) that has a secondary winding, at which the ternary signal can be removed, and at which a first and a second Primary winding (P1, P2) are connected in series, and with a logic circuit (L), the input (E) of which the binary signal is fed to the first and second Output (Al, A2) emits signals with the binary value A8 "if the binary signal is the Binary value "o" assumes, and that at their first and second output (A1, A2) alternately outputs complementary binary values when the binary signal has the binary value ~ 1 ", characterized in that the first output (A1) of the logic circuit (L) to the gate electrode of a first and a second field effect transistor (F1, F2) is connected that the second output (A2) of the logic circuit (L) with the Gate electrode of a third and fourth field effect transistor (F3, F4) connected is that the source electrode of the first field effect transistor (F1) with the source electrode of the fourth field effect transistor (F4) and with one pole of a voltage source (U) is connected that the source electrodes of the second and third field effect transistor (F2, F3) are connected to each other and to the other Pole of Voltage source (U) and at the connection point of the first and second primary winding (P1, P2) are connected that the drain electrode of the first field effect transistor (F1) via a first diode (D1) to the connection of the first primary winding (Pl) is connected, which is not connected to the second primary winding (P2) that the drain electrode of the fourth field effect transistor (F4) via a second diode (D2) is connected to the terminal of the second primary winding (P2) that is not connected to the first primary winding (P1) is connected to that the drain electrode of the first Field effect transistor (F1) via a third diode (D3) to the drain electrode of the second field effect transistor (F2) is connected to that the drain electrode of the fourth Field effect transistor (F4) via a fourth diode (D4) to the drain electrode of the third field effect transistor (F3) is connected that the first field effect transistor (F1) works in push-pull to the second field effect transistor (F2) that the third Field effect transistor (F3) works in push-pull mode to the fourth field effect transistor (F4), that the first diode (D1) in the circuit from the voltage source (U), the first primary winding (P1) and the drain-source path of the first field effect transistor (F1) in the forward direction is polarized that the second diode (D2) in the circuit from the voltage source (U), the second primary winding (P2) and the drain-source path of the fourth field effect transistor (F4) is polarized in the forward direction that the third diode (D3) in the one from the voltage source (U) and the drain-source paths of the first and two th field effect transistor (F1, F2) formed circle is polarized in the forward direction and that the fourth diode (D4) in which from the voltage source (U) and the drain-source paths of the third and fourth field effect transistor (F3, F4) formed circle also in the forward direction is polarized. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der ersten Diode (D1) und der ersten Primärwicklung (P1) ein erster Widerstand (R1) und zwischen der zweiten Diode (D2) und der zweiten Primärwicklung (P2) ein zweiter Widerstand (R2) liegt.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that a first resistor between the first diode (D1) and the first primary winding (P1) (R1) and between the second diode (D2) and the second primary winding (P2) second resistor (R2) is located. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Widerstand (R1, R2) niederohmig und gleich groß gewählt sind.3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the first and second resistors (R1, R2) are selected to be of low resistance and the same size. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der vierte Feldeffekttransistor (F1, F4) selbstsperrende n-Kanal-Feldeffekttransistoren sind und daß der zweite und dritte Feldeffekttransistor (F2, F3) selbstsperrende p-Kanal-Feldeffekttransistoren sind.4. Circuit arrangement according to claim 1, 2 or 3, characterized in that that the first and fourth field effect transistors (F1, F4) are normally off n-channel field effect transistors and that the second and third field effect transistors (F2, F3) are normally off are p-channel field effect transistors.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6598102B1 (en) * 1999-06-30 2003-07-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Serial signal transmission apparatus

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