DE3338338A1 - Developer solution for positive-working presensitised offset printing plates - Google Patents
Developer solution for positive-working presensitised offset printing platesInfo
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Abstract
Description
ENTWICKLERLÖSUNG FÜR POSITIV ARBEITENDE, VORSENSIBILISIERTEDEVELOPMENT SOLUTION FOR POSITIVE WORKERS, PRESENSITIZED PEOPLE
FLACHDRUCKFORMEN ENTWICKLERLÖSUNG FÜR POSITIV ARBEITENDE, VORSENSIBILISIERTE FLACHDRUCKFORMEN Die Erfindung betrifft eine verbesserte Entwicklerlösung zum Entwickeln von positiv arbeitenden, vorsensibilisierten Flachdruckformen mit einer o-Chinondiazidverbindung als lichtempfindlichem Bestandteil.FLAT PRINT FORMS DEVELOPER SOLUTION FOR POSITIVE WORKERS, PRESENSITIZED FLAT PRINT FORMS The invention relates to an improved developer solution for developing positive working, presensitized planographic printing forms with an o-quinonediazide compound as a photosensitive component.
Bei Bestrahlung von o-Chinondiazidverbindungen mit aktinischem Licht erfolgt bekanntlich eine Zersetzung der Diazogruppe und es entstehen Carboxylgruppen-enthaltende Verbindungen. Bei der bildmäßigen Belichtung und Verarbeitung mit einer alkalischen Entwicklerlösung wird deshalb die o-Chinondiazid-enthaltende lichtempfindliche Schicht in dem belichteten Bereichen entfernt, während die nicht-belichteten Bereiche unter Erzeugung eines Bildes zurückbleiben.When o-quinonediazide compounds are irradiated with actinic light As is known, the diazo group decomposes and carboxyl group-containing substances are formed Links. During imagewise exposure and processing with an alkaline The developing solution therefore becomes the o-quinonediazide-containing photosensitive layer in the exposed areas removed while the non-exposed areas under Generation of an image lagging behind.
Aus diesem Grund sind o-Chinondiazidverbindungen vielfach als sogenannte positive arbeitende, lichtempfindliche Komponenten in der lichtempfindlichen Schicht von vorsensibilisierten Platten oder in Photoresist-Zusammensetzungen für das Photoätzen eingesetzt worden. Mischungen aus einer o-Chinondiazidverbindung und einem alkalilöslichen Harz haben sich als besonders vorteilhaft und wirtschaftlich erwiesen. Beispielsweise sind Zusammensetzungen aus einer o-Chinondiazidverbindung und einem Phenol-Formaldehyd-Novolak oder einem Kresol-Formaldehyd-Kondensat in großem Umfang eingesetzt worden.For this reason, o-quinonediazide compounds are widely called so-called positive working photosensitive components in the photosensitive layer of presensitized plates or in photoresist compositions for photoetching been used. Mixtures of an o-quinonediazide compound and an alkali-soluble one Resins have proven particularly advantageous and economical. For example are compositions of an o-quinonediazide compound and a phenol-formaldehyde novolak or a cresol-formaldehyde condensate has been used extensively.
Als Entwickler für lichtempfindliche Schichten, die derartige o-Chinondiazide enthalten, werden bisher z.B. wässrige Lösungen von tertiärem Natriumphosphat, Natriumhydroxid, Natriumsilikat, Kaliumsilikat oder Ammoniumsilikat allein oder in Kombination verwendet. Wässrige Lösungen von Natriumhydroxid, tertiärem Natriumphosphat oder dergleichen haben jedoch bei der Entwicklung von lichtempfindlichen Materialien mit einem Metallträger den Nachteil, daß sie eine starke Ätzwirkung auf das Metall, z.B. Aluminium, in Abhängigkeit von der Entwicklungszeit ausüben. Außerdem ermöglichen diese wässrigen Lösungen extrem schlecht reproduzierbare Entwicklungsergebnisse und in manchen Fällen werden die Bilder bereits bei geringfügiger Überschreitung der Entwicklungszeit entfernt. Da die Entwicklungsfähigkeit dieser wässrigen Lösungen bei wiederholter Verwendung stark beeinträchtigt wird, kann mit einem bestimmten Volumen dieser Lösungen nur eine beschränkte Menge an lichtempfindlichen Materialien entwickelt werden (geringe Verarbeitungskapazität).As a developer for light-sensitive layers, the o-quinonediazides of this type contain, for example, aqueous solutions of tertiary sodium phosphate, sodium hydroxide, Sodium silicate, potassium silicate or ammonium silicate used alone or in combination. Aqueous solutions of sodium hydroxide, sodium tertiary phosphate or the like have, however, in the development of photosensitive materials with a metal support the disadvantage that they have a strong etching effect on the metal, e.g. aluminum, in Exercise depending on the development time. In addition, these enable aqueous Solutions extremely poorly reproducible development results and in some cases the images are already slightly exceeded the development time removed. Since the developability of these aqueous solutions with repeated Use can be severely impaired with a certain volume of these solutions only a limited amount of photosensitive materials can be developed (low Processing capacity).
In letzter Zeit sind wässrige Lösungen von Natriumsilikat oder Kaliumsilikat eingesetzt worden. Diese Lösungen üben nur eine geringe Atzwirkung auf Metalle aus. Außerdem kann ihre Entwicklungsfähigkeit in gewissem Umfang durch Ein stellen des Verhältnisses von Siliciumoxid (SiO2) zu Natriumoxid (Na2O) oder Kaliumoxid <K20) (im allgemeinen ausgedrückt als Molverhältnis SiO2/Na2O oder SiO2/K2O), wobei die Oxide Bestandteile von Natriumsilikat oder Kaliumsilikat sind, und durch Einstellen deren Konzentration geregelt werden. Mit zunehmendem SiO2-Gehalt wird die Entwicklungsfähigkeit gebremst, jedoch nimmt die Entwicklungsstabilität zu. Mit zunehmendem Gehalt an Nu 20 oder K 20 nimmt die Entwicklungsfähigkeit zu, während die Entwicklungsstabilität abnimmt. Unter Entwicklungsstabilität" wird die Stabilität des Bildes, bezogen auf die Entwicklungszeit, verstanden.Recently, there are aqueous solutions of sodium silicate or potassium silicate been used. These solutions have only a slight etching effect on metals. In addition, their ability to develop can be reduced to a certain extent by setting the Ratio of silicon oxide (SiO2) to sodium oxide (Na2O) or potassium oxide <K20) (generally expressed as the molar ratio SiO2 / Na2O or SiO2 / K2O), where the Oxides are constituents of sodium silicate or potassium silicate, and by adjusting whose concentration can be regulated. As the SiO2 content increases, so does the developability slowed down, but development stability increases. With increasing content of Nu 20 or K 20 increases developability while developing stability decreases. Development stability "refers to the stability of the image the development time, understood.
Erhöht man nur den Gehalt an Na2O oder K2O, besteht die Gefahr, daß das Bild nach kurzer Entwicklungszeit entfernt wird.If you only increase the content of Na2O or K2O, there is a risk that the image is removed after a short development time.
Da die Verarbeitungskapazität eines bestimmten Volumens der Entwicklerlösung mit dem Gehalt an Na2O oder K2O zunimmt, läßt sich eine ausreichende Verarbeitungskapazität zusammen mit einer gewissen Entwicklungsstabilität und Entwicklungsfähigkeit erzielen, wenn man die Gesamtkonzentration des Silikats durch geeignetes Einstellen des Verhältnisses SiO2/ Na2O oder SiO2/K20 erhöht. Dies ist jedoch immer noch ungenügend, da selbst bei zufriedenstellender Entwicklungs- fähigkeit die Stabilität des Entwicklers unbefriedigend ist.Because the processing capacity of a certain volume of the developer solution with the content of Na2O or K2O increases, a sufficient processing capacity can be found together with a certain development stability and developability, considering the total concentration of the silicate by properly adjusting the ratio SiO2 / Na2O or SiO2 / K20 increased. However, this is still insufficient because even with satisfactory development ability the stability of the Developer is unsatisfactory.
Andererseits sind bei brauchbarer Entwicklungsstabilität die Entwicklungsfähigkeit und Verarbeitungskapazität ungenügend.On the other hand, if the development stability is usable, there is the developability and processing capacity insufficient.
Da außerdem relativ hohe Konzentrationen angewandt werden, bilden sich leicht Niederschläge und zur Neutralisation der verbrauchten Flüssigkeit ist eine große Säuremenge erforderlich.In addition, since relatively high concentrations are used, form It is easy to precipitate and neutralize the consumed liquid a large amount of acid is required.
Bekannte Entwicklerlösungen, die Natriumhydroxid, tertiäres Natriumphosphat, Natriumsilikat, Kaliumsilikat oder dergleichen enthalten, haben somit folgende Nachteile: erhöhte Basenstärke führt zu einer ungenügenden Stabilität, obwohl die Entwicklungsfähigkeit und Verarbeitungskapazität zunehmen. Um eine ausreichende Entwicklungsstabilität zu erzielen, muß die Alkalikonzentration verringert werden, was eine ungenügende Verarbeitungskapazität zur Folge hat. Wenn daher eine ausreichende Entwicklungsstabilität bei hoher Basenstärke erzielt wird, liegt eine Entwicklerlösung mit ausgezeichneter Entwicklungsfähigkeit und Verarbeitungskapazität vor.Well-known developer solutions that contain sodium hydroxide, tertiary sodium phosphate, Containing sodium silicate, potassium silicate or the like thus have the following disadvantages: increased base strength leads to insufficient stability, although the developability and processing capacity increase. To have sufficient development stability To achieve, the alkali concentration must be reduced, which is insufficient Processing capacity. Therefore, if sufficient development stability is achieved with a high base strength, a developer solution with excellent Developability and processing capacity.
Ein Verfahren zur Erzielung einer ausreichenden Entwicklungsstabilität bei hoher Basenstärke ist in der JP-OS 51324/75 beschrieben. Hierbei wird der Entwicklerlösung ein anionisches oder amphoteres Tensid zugesetzt.A method for achieving sufficient development stability with a high base strength is described in JP-OS 51324/75. This is where the developer solution an anionic or amphoteric surfactant added.
Ein weiteres Verfahren zur Erzielung einer ausreichenden Entwicklungsstabilität bei hoher Basenstärke ist in der JP-OS 142528/81 beschrieben, wobei der Lösung ein wasserlösliches kationisches Polymer zugesetzt wird. Beide Entwicklerlösungen haben jedoch den Nachteil, daß bei der Sprühentwicklung unter Verwendung einer automatischen Entwicklungsmaschine die Entwicklerlösung zur Schaumbildung neigt.Another method for achieving sufficient development stability with high base strength is described in JP-OS 142528/81, the solution being a water soluble cationic polymer is added. Both developer solutions have however, the disadvantage that in the spray development using an automatic Development machine the developer solution tends to foam.
In der JP-OS 25100/80, die der CA-PS 1145190 entspricht, ist der Zusatz einer ionischen Verbindung eines Übergangselementes der Gruppen IIA, IIIA oder IIIX des Periodensystems beschrieben. Obwohl dieser Zusatz ein Anätzen des anodisierten Aluminiumträgers durch die starke Base unterdrückt, ist die Entwicklungsstabilität ungenügend.In JP-OS 25100/80, which corresponds to CA-PS 1145190, is the addition of an ionic compound of a group IIA transition element, IIIA or IIIX of the periodic table. Although this addition is a roughness of the anodized aluminum support suppressed by the strong base, the development stability is insufficient.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Entwicklerlösung für positiv arbeitende, vorsensibilisierte Flachdruckformen mit ausgezeichneter Entwicklungsfähigkeit, Entwicklungsstabilität, Verarbeitungskapazität und geringer Neigung zur Schaumbildung bereitzustellen.The object of the invention is therefore to provide a developer solution for positive working, presensitized planographic printing plates with excellent developability, Development stability, processing capacity and low tendency to foam provide.
Es wurde nun gefunden, daß eine ausgezeichnete wässrige Entwicklerlösung erhalten wird, wenn man einer wässrigen Lösung eines Alkalisilikats ein wasserlösliches organometallisches Tensid zusetzt. Gegenstand der Erfindung ist deshalb eine wässrige Entwicklerlösung für positiv arbeitende, vorsensibilisierte Flachdruckformen mit einer o-Chinondiazid enthaltenden lichtempfindlichen Schicht, welche (a) eine wässrige Alkalisilikatlösung und (b) ein wasserlösliches organometallisches Tensid enthält.It has now been found that it is an excellent aqueous developing solution is obtained when an aqueous solution of an alkali silicate is a water-soluble organometallic surfactant adds. The invention therefore relates to an aqueous one Developer solution for positive working, presensitized planographic printing plates with an o-quinonediazide-containing photosensitive layer which is (a) an aqueous Alkali silicate solution and (b) a water-soluble organometallic surfactant.
Beispiele für erfindungsgemäß verwendbare Alkalisilikate sind Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Lithiumsilikat, Ammomiumsilikat, Aminsilikate und Kombinationen davon. Das SiO2/M2O (M ist gleich Alkalimetall)-Molverhältnis des Alkalisilikats beträgt vorzugsweise 0,5:1 bis 3,0:1, insbesondere 1,0:1 bis 2,0:1. Bei einem Molverhältnis von mehr als 3,0:1 nimmt die Entwicklungsfähigkeit ab, während bei Molverhältnissen von weniger als 0,5:1 die Basenstärke derart zunimmt, daß Aluminiumplatten oder dergleichen, die gewöhnlich als Träger für vorsensibilisierte Flachdruckformen verwendet werden, angeätztwerden.Examples of alkali silicates which can be used according to the invention are sodium silicate, Potassium silicate, lithium silicate, ammonium silicate, amine silicate and combinations thereof. The SiO2 / M2O (M equals alkali metal) molar ratio of the alkali silicate is preferably 0.5: 1 to 3.0: 1, in particular 1.0: 1 to 2.0: 1. At a molar ratio greater than 3.0: 1 will decrease developability while at molar ratios of less than 0.5: 1 the base strength increases so that aluminum plates or the like commonly used as supports for presensitized planographic printing plates be etched.
Die Konzentration des Alkalisilikats in der Entwicklerlösung beträgt vorzugsweise 1 bis 10, insbesondere 1,5 bis 7 Gew.-%.The concentration of the alkali silicate in the developer solution is preferably 1 to 10, in particular 1.5 to 7% by weight.
Bei einer Konzentration von mehr als 10 Gew.-% bilden sich Niederschläge oder Kristalle und bei der Neutralisation der verbrauchten Flüssigkeit kommt es zur Gelbildung. Andererseits nehmen bei Konzentrationen von weniger als 1 Gew.-% die Entwicklungsfähigkeit und Verarbeitungskapazität ab.At a concentration of more than 10% by weight, they form Rainfall or crystals and when the used liquid is neutralized it occurs for gel formation. On the other hand, at concentrations of less than 1% by weight developability and processing capacity.
Die erfindungsgemäß verwendeten wasserlöslichen organometallischen Tenside sind Tenside, die ein von einem Alkalimetall verschiedenes Metall im Molekül enthalten. Bevorzugte, im Tensidmolekül enthaltene Metalle sind z.B. Si, Ti, Sr, Zr und Ge, wobei Ti und Si besonders bevorzugt sind. Die wasserlöslichen organometallischen Tenside können z.B. kationische, anionische, nicht-ionische oder hochmolekulare organometallische Tenside sein.The water-soluble organometallic used according to the invention Surfactants are surfactants that have a metal in the molecule other than an alkali metal contain. Preferred metals contained in the surfactant molecule are e.g. Si, Ti, Sr, Zr and Ge, with Ti and Si being particularly preferred. The water-soluble organometallic Surfactants can be, for example, cationic, anionic, non-ionic or high molecular weight be organometallic surfactants.
Beispiele für erfindungsgemäß verwendbare wasserlösliche organometallische Tenside sind in "Surfactants Handbook", (publiziert von Kogaku Tosho Kabushiki Kaisha und Kagaku Kogyo), Vol. 19, S. 147 (1966) beschrieben. Im folgenden sind bevorzugte Beispiele genannt: (a) (C2H5) 3Si(CH2)nCOOH, (b) C6H5(CH3)2Si(CH2)2COOH, (c) (CH3)3Si(CH2)2COOH, (d) HOOCC2H4Si(CH3)2O(CH3)2SiC2H4COOH, (e) (C113) 3SiOSi (CH2)2SCH2COOH, (f) [(CH3)3SiO2]2Si(CH3)(CH2)3OSO H, (g) (C4H9O)2Si(OC2H4NH2)22RCOOH, (h) [(Cl2H25NH2)4Si]Ct4, (i) [(CH3)3SiO]3Si(CH2)3NH(CH2)2NH2, (k) HO(C2H4O)3SiC2H4COO(C2H4O)3H, (l) (CH3)3SiC6H4OC2H4OH, (m) C18H37Si[O(C2H4O)pH]3, (n) (CH3O)3TiO[Ti(OCH3)OCO17H35]nOTi(OCH3)2, (p) Si[(OCH2CH2)pOR]4, (q) [RO(CH2CH2O)p]2Ti(OC4H9)2, Si oder Ti kann in diesen Verbindungen durch Ti bzw. Si oder durch Ge, Zr oder Sn ersetzt sein. In diesen Verbindungen bedeuten R und R' Wasserstoffatome oder substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppen mit 1 bis 25 Kohlenstoffatomen, m, n und 1 haben einen Wert von 1 bis 5 und p, q, rund s einen Wert von 1 bis 50. Die wasserlöslichen organometallischen Tenside werden in Mengen von 0,001 bis 0,5, vorzugsweise 0,003 bis 0,3 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der Entwicklerlösung, eingesetzt.Examples of water-soluble organometallic surfactants which can be used according to the invention are described in “Surfactants Handbook” (published by Kogaku Tosho Kabushiki Kaisha and Kagaku Kogyo), Vol. 19, p. 147 (1966). Preferred examples are given below: (a) (C2H5) 3Si (CH2) nCOOH, (b) C6H5 (CH3) 2Si (CH2) 2COOH, (c) (CH3) 3Si (CH2) 2COOH, (d) HOOCC2H4Si (CH3 ) 2O (CH3) 2SiC2H4COOH, (e) (C113) 3SiOSi (CH2) 2SCH2COOH, (f) [(CH3) 3SiO2] 2Si (CH3) (CH2) 3OSO H, (g) (C4H9O) 2Si (OC2H4NH2) 22RCOOH (h) [(Cl2H25NH2) 4Si] Ct4, (i) [(CH3) 3SiO] 3Si (CH2) 3NH (CH2) 2NH2, (k) HO (C2H4O) 3SiC2H4COO (C2H4O) 3H, (l) (CH3) 3SiC6H4OC2H4OH, (m) C18H37Si [O (C2H4O) pH] 3, (n) (CH3O) 3TiO [Ti (OCH3) OCO17H35] nOTi OCH3) 2, (p) Si [(OCH2CH2) pOR] 4, (q) [RO (CH2CH2O) p] 2Ti (OC4H9) 2, Si or Ti can be replaced in these compounds by Ti or Si or by Ge, Zr or Sn. In these compounds, R and R 'denote hydrogen atoms or substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 25 carbon atoms, m, n and 1 have a value of 1 to 5 and p, q, and s have a value of 1 to 50. The water-soluble organometallic surfactants are used in amounts of 0.001 to 0.5, preferably 0.003 to 0.3% by weight, based on the weight of the developer solution.
Die lichtempfindliche o-Chinondiazidschicht, auf die die erfindungsgemäße Entwicklerlösung aufgetragen wird, ist eine lichtempfindliche Kopierschicht, die als lichtempfindliche Komponente eine o-Chinondiazidverbindung enthält, deren Alkali löslichkeit bei Bestrahlung mit aktinischem Licht zunimmt.The photosensitive o-quinonediazide layer on which the invention Developer solution is applied is a photosensitive copy layer that contains as a photosensitive component an o-quinonediazide compound, the alkali thereof solubility increases upon exposure to actinic light.
Die positiv arbeitende, vorsensibilisierte Platte, die mit der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung entwickelt wird, umfaßt im wesentlichen eine Aluminiumplatte und eine darauf aufgebrachte lichtempfindliche Schicht aus einem o-Chinondiazid. Geeignete Aluminiumträger sind z.B. Platten aus Reinaluminium oder Aluminiumlegierungen. Auch Kunststofffolien mit auflaminiertem oder im Vakuum aufgedampftem Aluminium können verwendet werden. Die Oberfläche der Aluminiumplatte kann auf verschiedene Weise vorbehandelt werden, z.B. durch Körnen, Eintauchen in wässrige Lösungen von Natriumsilikat, Kaliumfluorozirkonat oder Phosphat oder durch anodische Oxidation. Geeignet sind auch Aluminiumplatten, die gekörnt und dann in eine wässrige Natriumsilikatlösung getaucht wurden, und Aluminiumplatten, die anodisch oxidiert und dann in eine wässrige Natriumsilikatlösung getaucht wurden (US-PS 3181461). Die anodische -Oxidation kann z.B. dadurch erfolgen, daß man unter Verwendung einer Aluminiumplatte als Anode einen Strom durch ein Elektrolysebad leitet, das im wesentlichen aus einer wässrigen oder nicht-wässrigen Lösung einer anorganischen Säure, wie Phosphorsäure, Chromsäure, Schwefelsäure oder Borsäure, oder einer organischen Säure, wie Oxalsäure oder Sulfaminsäure, oder deren Salz besteht. Auch die in der US-PS 3658662 beschriebene galvanische Abscheidung von Silikat kann angewandt werden.The positive working, presensitized plate made with the inventive Developing solution is essentially comprised of an aluminum plate and a photosensitive layer made of an o-quinonediazide thereon. Suitable Aluminum supports are e.g. panels made of pure aluminum or aluminum alloys. Even Plastic films with aluminum laminated on or vacuum vapor deposited can be used be used. The surface of the aluminum plate can be in several ways pretreated, e.g. by graining, dipping in aqueous solutions of sodium silicate, Potassium fluorozirconate or phosphate or by anodic oxidation. Are suitable Also aluminum plates that are grained and then placed in an aqueous sodium silicate solution Were immersed, and aluminum plates that are anodized and then placed in an aqueous Sodium silicate solution (U.S. Patent 3,181,461). The anodic oxidation can for example, by using an aluminum plate as an anode conducts a current through an electrolytic bath, which consists essentially of an aqueous or non-aqueous solution of an inorganic acid, such as phosphoric acid, chromic acid, Sulfuric acid or boric acid, or an organic acid such as oxalic acid or sulfamic acid, or whose salt consists. Also the galvanic described in US-PS 3658662 Deposition of silicate can be used.
Aluminiumträger, die elektrolytisch gekörnt (US-PS 4087341, JP-AS 27481/71 und JP-OS 30503/72) und dann anodisch oxidiert worden sind, sind ebenfalls geeignet. Weitere verwendbare Träger sind Aluminiumplatten, die durch Körnen, chemisches Atzen und anschließende anodische Oxidation erhalten werden (US-PS 3834998). Derartige Hydrophilisierungsbehandlungen werden nicht nur dazu angewandt, die Trägeroberfläche hydrophil zu machen, sondern sie verhindern auch eine unerwünschte Reaktion der darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Zusammensetzung und verbessern die Haftung zwischen Träger und lichtempfindlicher Schicht.Aluminum supports that are electrolytically grained (US-PS 4087341, JP-AS 27481/71 and JP-OS 30503/72) and then anodized are also suitable. More usable Carriers are aluminum plates that by graining, chemical etching and subsequent anodic oxidation (U.S. Patent 3,834,998). Such hydrophilization treatments are not just that applied to make the support surface hydrophilic, but they also prevent it an undesirable reaction of the photosensitive composition applied thereto and improve the adhesion between the support and the photosensitive layer.
Die auf die hydrophile Oberfläche des Trägers aufgebrachte lichtempfindliche Schicht enthält eine o-Chinondiazidverbindung. Besonders bevorzugte o-Chinondiazide sind o-Naphthochinondiazidverbindungen, wie sie z.B. in den US-PS 3046110, 3046111, 3046121, 3046115, 3046118, 3046119, 3046120, 3046121, 3046122, 3046123, 3061430, 3102809, 3106465, 3635709 und 3647443 beschrieben sind. Bevorzugte o-Naphthochinondiazide sind o-Naphthochinondiazidsulfonsäureester oder o-Naphthochinondiazidcarbonsäureester von aromatischen Hydroxyverbindungen sowie o-Naphthochinondiazidsulfonsäureamide oder o-Naphthochinondiazidcarbonsäureamide von aromatischen Aminoverbindungen. Besonders bevorzugt sind das durch Veresterung eines Pyrogallol/Aceton-Kondensats mit o-Naphthochinondiazidsulfonsäure erhaltene Produkt (US-PS 3635709); das durch Veresterung eines Hydroxylgruppen-haltigen Polyesters mit o-Naphthochinondiazidsulfonsäure oder -carbonsäure erhaltene Produkt (US-PS 4028111); das durch Veresterung eines Homopolymers von p-Hydroxystyrol oder eines Copolymers von p-Hydroxystyrol und einem anderen copolymerisierbaren Monomer mit o-Naphthochinondiazidcarbonsäure erhaltene Produkt (GB-PS 1494043) sowie das durch Amidbildung eines Copolymers von p-Aminostyrol und einem anderen copolymerisierbaren Monomer mit o-Naphthochinondiazidsulfonsäure oder -carbonsäure erhaltene Produkt (US-PS 3759711).The light-sensitive applied to the hydrophilic surface of the support Layer contains an o-quinonediazide compound. Particularly preferred o-quinonediazides are o-naphthoquinonediazide compounds, as for example in US-PS 3046110, 3046111, 3046121, 3046115, 3046118, 3046119, 3046120, 3046121, 3046122, 3046123, 3061430, 3102809, 3106465, 3635709 and 3647443 are described. Preferred o-naphthoquinonediazides are o-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester or o-naphthoquinonediazide carboxylic acid ester of aromatic hydroxy compounds and o-naphthoquinonediazide sulfonic acid amides or o-naphthoquinonediazide carboxamides of aromatic amino compounds. Particularly these are preferred by esterifying a pyrogallol / acetone condensate with o-naphthoquinonediazide sulfonic acid obtained product (U.S. Patent 3,635,709); that by esterification of a hydroxyl group-containing Polyester with o-naphthoquinonediazide sulfonic acid or carboxylic acid obtained product (U.S. Patent 4,028,111); that by esterification of a homopolymer of p-hydroxystyrene or a copolymer of p-hydroxystyrene and another copolymerizable monomer with o-naphthoquinonediazidecarboxylic acid obtained product (GB-PS 1494043) and the by amidation of a copolymer of p-aminostyrene and another copolymerizable Monomer obtained with o-naphthoquinonediazide sulfonic acid or carboxylic acid (U.S. Patent 3,759,711).
Obwohl diese o-Chinondiazidverbindungen allein verwendet werden können, vermischt man sie vorzugsweise mit einem alkalilöslichen Harz und verwendet dieses Gemisch als lichtempfindliche Schicht. Geeignete alkalilösliche Harze sind z.B. Styrol-Maleinsäureanhydrid-Copolymere und Phenolharze vom Novolak-Typ, insbesondere Phenol-Formaldehyd; o-Kresol-Formaldehyd und m-Kresol-Formaldehydharze. Besonders bevorzugt ist das in der US-PS 4123279 beschriebene Gemisch eines der genannten Phenolharze mit einem Kondensat von Phenol oder Kresol, die durch einen Alkylrest mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen substituiert sind, mit Formaldehyd, z.B.Although these o-quinonediazide compounds can be used alone, preferably mixed with one alkali-soluble resin and uses this mixture as a photosensitive layer. Suitable alkali-soluble Resins are e.g. styrene-maleic anhydride copolymers and phenolic resins of the novolak type, especially phenol-formaldehyde; o-cresol-formaldehyde and m-cresol-formaldehyde resins. The mixture described in US Pat. No. 4,123,279 is particularly preferably one of the following called phenolic resins with a condensate of phenol or cresol, which by a Alkyl radical of 3 to 8 carbon atoms are substituted with formaldehyde, e.g.
t-Butylphenol-Formaldehydharz. Die Menge des alkalilöslichen Harzes beträgt etwa 50 bis 85, vorzugsweise 60 bis 80 Gew.-%, bezogen auf das Gewicht der lichtempfindlichen Schicht, wobei der Rest der Schicht die o-Chinondiazidverbindung ist.t-butylphenol-formaldehyde resin. The amount of alkali-soluble resin is about 50 to 85, preferably 60 to 80 wt .-%, based on the weight of the photosensitive layer, the remainder of the layer being the o-quinonediazide compound is.
Gegebenenfalls kann die das o-Chinondiazid enthaltende lichtempfindliche Schicht weitere Additive enthalten, z.B.Optionally, the light-sensitive containing the o-quinonediazide Layer contain further additives, e.g.
Farbstoffe, Weichmacher und Ausdruckmittel. Diese Materialien sind bekannt und nicht auf die nachstehenden Beispiele beschränkt.Dyes, plasticizers and print-out agents. These materials are known and not limited to the examples below.
Farbstoffe werden verwendet, um dem Bildbereich nach der Belichtung und Entwicklung der vorsensibilisierten Platte Kontrast gegenüber dem Nicht-Bildbereich (der Trägeroberfläche) zu verleihen. Bevorzugte Farbstoffe sind alkohollösliche Farbstoffe, wie C.I. 26, 105 (Öl-Rot RR), C.I. 21, 260 (Öl-Scharlach Nr. 308), C.I. 74, 350 (Öl-Blau), C.I. 52, 015 (Methylen-Blau) und C.I. 42, 555 (Kristall-Violett).Dyes are used to mark the image area after exposure and developing the presensitized plate to contrast with the non-image area (the support surface) to give. Preferred dyes are alcohol-soluble Dyes such as C.I. 26, 105 (Oil-Red RR), C.I. 21, 260 (Oil Scarlet No. 308), C.I. 74, 350 (oil blue), C.I. 52, 015 (methylene blue) and C.I. 42, 555 (crystal violet).
Diese Farbstoffe werden in ausreichender Menge verwendet, um einen klaren Farbkontrast zwischen der hydrophilen Oberfläche des nicht bedeckten Trägers und der restlichen lichtempfindlichen Schicht zu schaffen. Im allgemeinen beträgt die Farbstoffmenge nicht mehr als etwa 7 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der lichtempfindlichen Zusammensetzung.These dyes are used in sufficient quantities to produce a clear color contrast between the hydrophilic surface of the uncovered support and the rest of the photosensitive layer. Generally amounts to the amount of dye no more than about 7% by weight, based on the total weight of the photosensitive composition.
Weichmacher werden verwendet, um die Flexibilität der licht- empfindlichen Schicht auf dem Träger zu erhöhen. Beispiele für geeignete Weichmacher sind Phthalatester, wie Dimethylphthalat, Diethylphthalat, Dibutylphthalat, Diisobutylphthalat, Dioctylphthalat, Octylcaprylphthalat, Dicyclohexylphthalat, Di-(tridecyl)phthalat, Butylbenzylphthalat, Diisodecylphthalat und Diallylphthalat; Glykolester, wie Dimethylglykolphthalat, Ethylphthallylethylglykolat, Methylphthallylethylglykolat, Butylphthallylbutylglykolat und Triethylenglykoldicaprylat; Phosphatester,wie Trikresylphosphat und Triphenylphosphat; aliphatische Dicarbonsäureester, wie Diisobutyladipat, Dioctyladipat, Dimethylsebacat, Dibutylsebacat, Dioctylazelat und Dibutylmaleat; Polyglycidylmethacrylat; Triethylcitrat; Glycerintriacetylester; und Butyllaurat. Die Weichmachermenge beträgt nicht mehr als etwa 5 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge des lichtempfindlichen Zusammensetzung.Plasticizers are used to increase the flexibility of the light sensitive Increase layer on the support. Examples of suitable plasticizers are phthalate esters, such as dimethyl phthalate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, diisobutyl phthalate, dioctyl phthalate, Octyl capryl phthalate, dicyclohexyl phthalate, di- (tridecyl) phthalate, butyl benzyl phthalate, Diisodecyl phthalate and diallyl phthalate; Glycol esters, such as dimethyl glycol phthalate, Ethyl phthallyl ethyl glycolate, methyl phthallyl ethyl glycolate, butyl phthallyl butyl glycolate and triethylene glycol dicaprylate; Phosphate esters such as tricresyl phosphate and triphenyl phosphate; aliphatic dicarboxylic acid esters, such as diisobutyl adipate, dioctyl adipate, dimethyl sebacate, Dibutyl sebacate, dioctyl azelate and dibutyl maleate; Polyglycidyl methacrylate; Triethyl citrate; Glycerol triacetyl ester; and butyl laurate. The amount of plasticizer is no more than about 5% by weight based on the total amount of the photosensitive composition.
Das Ausdruckmittel wird verwendet, um unmittelbar nach der bildmäßigen Belichtung der lichtempfindlichen Schicht der vorsensibilisierten Platte ein sichtbares Bild zu ergeben.The expression means is used to immediately after the pictorial Exposure of the photosensitive layer of the presensitized plate to a visible one Image to yield.
Beispiele sind die in der GB-PS 1041463 beschriebenen pH-Indikatoren, die in der US-PS 3969118 beschriebene Kombination von o-Naphthochinondiazid-4-sulfonylchlorid mit einem Farbstoff und die in der JP-AS 6413/69 beschriebene photochrome Verbindung. Außerdem können die in der US-PS 4115128 beschriebenen cyclischen Säureanhydride der lichtempfindlichen Schicht zugesetzt werden, um deren Empfindlichkeit zu erhöhen.Examples are the pH indicators described in GB-PS 1041463, the combination of o-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride described in US Pat. No. 3,969,118 with a dye and the photochromic compound described in JP-AS 6413/69. In addition, the cyclic acid anhydrides described in US Pat. No. 4,115,128 can be added to the photosensitive layer to increase its sensitivity.
Die o-Naphthochinondiazid enthaltende lichtempfindliche Zusammensetzung wird auf den Träger als Lösung in einem geeigneten Lösungsmittel aufgetragen. Verwendbare Lösungsmittel sind z.B. Glykolether, wie Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether und 2-Methoxyethylacetat, Ketone, wie Aceton, Methylethylketon und Cyclohexanon, sowie chlorierte Kohlenwasserstoffe, wie Ethylendichlorid.The photosensitive composition containing o-naphthoquinonediazide is applied to the carrier as a solution in a suitable solvent. Usable Solvents are, for example, glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether and 2-methoxyethyl acetate, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, and chlorinated hydrocarbons such as ethylene dichloride.
Die Menge der auf den Träger aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht beträgt etwa 0,5 bis 7, vorzugsweise 1,5 bis 3 g/m2.The amount of photosensitive layer applied to the support is about 0.5 to 7, preferably 1.5 to 3 g / m 2.
Belichtet man die erhaltene positiv arbeitende, vorsensibilisierte Platte mit aktinischem Licht aus einer Kohlebogen-, Quecksilber-, Metallhalogenid-, Xenon- oder Wolframlampe durch ein bildtragendes Diapositiv, so werden die belichteten Bereiche alkalilöslich. Dementsprechend wird der belichtete Bereich der lichtempfindlichen Schicht von wässrigen alkalischen Lösungen weggewaschen und die hydrophile Trägeroberfläche wird freigelegt.The positive-working, presensitized one obtained is exposed to light Plate with actinic light made of a carbon arc, mercury, metal halide, Xenon or tungsten lamp through an image-bearing slide, the exposed ones are exposed Areas soluble in alkali. Accordingly, the exposed area becomes the photosensitive Layer washed away by aqueous alkaline solutions and the hydrophilic support surface is exposed.
Bei Verwendung der erfindungsgemäßen Entwicklerlösung werden folgende Vorteile erzielt: sie erhöht die Entwicklungsstabilität derart, daß eine leichte Kontrolle der Entwicklungsbedingungen möglich ist. Die Verarbeitungskapazität wird erhöht, so daß eine große Menge an lichtempfindlichem Material mit einer kleinen Menge der Entwicklerlösung entwickelt werden kann. Die Menge an verbrauchter Flüssigkeit ist so gering, daß die Abwasseraufbereitung keine Schwierigkeiten bereitet.When the developer solution according to the invention is used, the following are achieved Advantages achieved: it increases the development stability so that a slight Control of development conditions is possible. The processing capacity will increased so that a large amount of photosensitive material with a small Amount of developer solution can be developed. The amount of liquid used is so small that wastewater treatment does not cause any problems.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung. Alle Teile und Prozente beziehen sich auf das Gewicht, sofern nichts anderes angegeben ist.The following examples illustrate the invention. All parts and percentages relate to weight, unless otherwise stated.
Beispiel 1 o,8 Teil eines Naphthochinon-1 ,2-diazido-5-sulfonsäurepolyhydroxyphenylesters, der durch Polykondensation von Aceton und Pyrogallol erhalten wurde (JP-AS 28403/68; US-PS 3635709), 2,2 Teile eines m- und p-Kresol-Formaldehyd-Novolakharzes, 0,02 Teil eines Octylphenol-Novolakharzes, 0,08 Teil Phthalsäureanhydrid, 0,08 Teil 2-Trichlormethyl-5- (p-butoxystyryl) -1,3, 4-oxadiazol und 0,03 Teil Kristallviolett-p-toluolsulfonat werden in einem Gemisch auf 20 Teilen Methylcellosolveacetat und 8 Teilen Methylethylketon zu einer lichtempfindlichen Lösung vermischt. Example 1 o, 8 part of a naphthoquinone-1, 2-diazido-5-sulfonic acid polyhydroxyphenyl ester, obtained by polycondensation of acetone and pyrogallol (JP-AS 28403/68; U.S. Patent 3,635,709), 2.2 parts of a m- and p-cresol-formaldehyde novolak resin, 0.02 Part of an octylphenol novolak resin, 0.08 part phthalic anhydride, 0.08 part 2-trichloromethyl-5- (p-butoxystyryl) -1.3, 4-oxadiazole and 0.03 Part of crystal violet p-toluenesulfonate are in a mixture of 20 parts of methyl cellosolve acetate and 8 parts of methyl ethyl ketone mixed to a photosensitive solution.
Eine 0,3 mm dicke, mit einer Nylonbürste gekörnte Aluminiumplatte wird mit Alkali geätzt und dann elektrolytisch in wässriger Salpetersäure geätzt. Hierauf anodisiert man die Platte in einer 10% wässrigen Schwefelsäure (Menge des gebildeten Oxidfilms: 2,7 g/m2) und behandelt mit einer 1% wässrigen Zinkacetatlösung von 700C. Hierauf wird die Platte gründlich gewaschen und getrocknet.A 0.3 mm thick aluminum plate grained with a nylon brush is etched with alkali and then electrolytically etched in aqueous nitric acid. The plate is then anodized in 10% aqueous sulfuric acid (amount of oxide film formed: 2.7 g / m2) and treated with a 1% aqueous zinc acetate solution from 700C. The plate is then thoroughly washed and dried.
Auf die so behandelte Aluminiumplatte wird mit einer Schleuderscheibe die oben erhaltene lichtempfindliche Lösung aufgetragen und getrocknet, wobei man eine positiv arbeitende, vorsensibilisierte Flachdruckform mit einer lichtempfindlichen Schicht in einer Menge von 2,0 g/m2 erhält. Diese vorsensibilisierte Platte wird unter Verwendung eines Vakuumrahmens in engen Kontakt mit einem Stufenkeil einer Dichtedifferenz von 0,15 und einem Halbtonpunktkeil gebracht. Hierauf belichtet man die Platte mit einer 2 kW-Metallhalogenidlampe.A slinger is used on the treated aluminum plate the photosensitive solution obtained above applied and dried, whereby a positive working, presensitized planographic printing form with a photosensitive one Layer received in an amount of 2.0 g / m2. This presensitized plate will using a vacuum frame in close contact with a step wedge of a Density difference of 0.15 and a halftone dot wedge. Then exposed the plate with a 2 kW metal halide lamp.
Getrennt davon werden Entwicklerlösungen durch Zusatz der in Tabelle
1 genannten Verbindungen zu 1 Liter einer 2% wässrigen Natriumsilikatlösung mit
einem SiO2/Na2O-Molverhältnis von etwa 1,1 hergestellt.
Zwei vorsensibilisierte Platten, die belichtet und bedruckt worden sind, werden in jede der bei 250C gehaltenen Entwicklerlösungen getaucht. Eine Platte wird nach 1 Minute entnommen, die andere nach 5 Minuten. Hierauf wäscht man die Platten mit Wasser. In Tabelle 2 sind die gelösten Stufen und die Halbtonpunkt-Reproduzierbarkeit der Glanzlichtbereiche des Halbtonpunktkeils angegeben.Two presensitized plates that have been exposed and printed are immersed in each of the developing solutions kept at 250C. A plate is removed after 1 minute, the other after 5 minutes. Then you wash them Plates with water. Table 2 shows the solved levels and halftone dot reproducibility of the highlight areas of the halftone dot wedge.
Tabelle 2 Beispiel Stufenzahl des Stufenkeils 1 Min. 5 Min. Halbtonpunktkeil Entwicklung Entwicklung 1 3 4 150 Linien/2,54 cm, 2% Halbtonpunkte werden bei 5 Min. Table 2 Example of the number of steps in the step wedge 1 min. 5 min Development Development 1 3 4 150 lines / 2.54 cm, 2% halftone dots are at 5 Min.
Entwicklung reproduziert. Reproduced development.
2 3 4 3 3 4 II 4 3 4 5 3 4 6 3 5 7 3 4 11 Vergleichsbeispiel 1 6 13 150 Linien/2,54 cm, 2% Halbtonpunkte werden bei 5 Min. 2 3 4 3 3 4 II 4 3 4 5 3 4 6 3 5 7 3 4 11 Comparative example 1 6 13 150 lines / 2.54 cm, 2% halftone dots at 5 min.
Entwicklung nicht reproduziert. Development not reproduced.
Die Ergebnisse von Tabelle 2 zeigen, daß die Entwicklerlösungen Nr. 1 bis 7 im Vergleich zu Vergleichsbeispiel 1, wo eine wässrige Natriumsilikatlösung unabhängig verwendet wird, eine außerordentlich gute Entwicklungsstabilität haben. Hinsichtlich der Verarbeitungskapazität behalten die Entwicklerlösungen Nr. 1 und 2 selbst nach dem Entwikkeln von 3 m2/Liter vorsensibilisierten Platten eine aus- reichende Entwicklungsfähigkeit.The results of Table 2 show that the developing solutions No. 1 to 7 in comparison to Comparative Example 1, where an aqueous sodium silicate solution is used independently, have extremely good development stability. In terms of processing capacity, the developing solutions No. 1 and No. 1 retain 2 even after developing 3 m2 / liter of presensitized panels, an ex- reaching Development ability.
Beispiel 2 Das Verfahren von Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch verwendet man die Entwicklerlösungen Nr. 8 bis 14. Diese Lösungen werden unter Verwendung einer 2,5% wässrigen Kaliumsilikatlösung mit einem SiO2/K2O-Molverhältnis von 1,2 anstelle des Natriumsilikats in den Entwicklerlösungen Nr. 1 bis 7 hergestellt. Es werden dieselben Ergebnisse wie in Beispiel 1 erhalten. Example 2 The procedure of Example 1 is repeated but used the developer solutions No. 8 to 14. These solutions are using a 2.5% aqueous potassium silicate solution with an SiO2 / K2O molar ratio of 1.2 instead of the sodium silicate in developer solutions No. 1 to 7. The same results as in Example 1 are obtained.
Claims (12)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18541982A JPS5975255A (en) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | Developing solution used for positive type photosensitive lithographic plate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3338338A1 true DE3338338A1 (en) | 1984-04-26 |
Family
ID=16170454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833338338 Withdrawn DE3338338A1 (en) | 1982-10-22 | 1983-10-21 | Developer solution for positive-working presensitised offset printing plates |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5975255A (en) |
DE (1) | DE3338338A1 (en) |
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US4828965A (en) * | 1988-01-06 | 1989-05-09 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Aqueous developing solution and its use in developing positive-working photoresist composition |
EP0732628A1 (en) * | 1995-03-07 | 1996-09-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Aqueous alkaline solution for developing offset printing plate |
EP0908305B2 (en) † | 1997-10-08 | 2006-07-19 | Agfa-Gevaert | A method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive imaging element |
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---|---|---|---|---|
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US6511790B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate |
US7081330B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-07-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of making lithographic printing plate |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18541982A patent/JPS5975255A/en active Pending
-
1983
- 1983-10-21 DE DE19833338338 patent/DE3338338A1/en not_active Withdrawn
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5975255A (en) | 1984-04-27 |
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