DE3246144C2

DE3246144C2 - Circuit arrangement for keeping the current constant

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Publication number: DE3246144C2
Application number: DE19823246144
Authority: DE
Inventors: Peter Dipl.-Ing. 7050 Waiblingen Meschkat; Jürgen Ing.(grad.) 7252 Weil der Stadt Zanzig
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1982-12-14
Filing date: 1982-12-14
Publication date: 1986-09-25
Also published as: DE3246144A1; ES528050A0; ES8503143A1

Abstract

Ein Transistor, der mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe mit einem veränderlichen Verbraucherwiderstand und einem Emitterwiderstand an einer Spannungsquelle liegt und mit seiner Basis an eine Quelle konstanter Bezugsspannung angeschlossen ist, soll auch außerhalb des Konstantstrombereichs nicht aufgrund höherer Verbraucherwiderstände übersteuert werden können, damit, vom Verbraucherwiderstand aus gesehen, die hohe Impedanz der Schaltungsanordnung erhalten bleibt. Hierzu ist eine Übersteuerungsschutzeinrichtung vorgesehen, die die Kollektorspannung überwacht und unterhalb einer den Sollkonstantstrom noch ermöglichenden Mindestkollektorspannung einen von Null zunehmenden Basisvorwiderstand bildet. Mit Vorteil kann die Erfindung in symmetrischen Speiseschaltungen für Fernsprechteilnehmerleitungen verwendet werden.A transistor that is connected to a voltage source with its collector-emitter path in series with a variable consumer resistor and an emitter resistor and whose base is connected to a source of constant reference voltage should not be able to be overdriven outside the constant current range due to higher consumer resistances , seen from the consumer resistance, the high impedance of the circuit arrangement is maintained. For this purpose, an overload protection device is provided which monitors the collector voltage and forms a base series resistor which increases from zero below a minimum collector voltage that still enables the setpoint constant current. The invention can advantageously be used in symmetrical feed circuits for telephone subscriber lines.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung derThe invention relates to a circuit arrangement of

ίο im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art. Sie dient vorzugsweise zur Speisung von Fcrnsprechteilnehmerleitungen. ίο in the preamble of claim 1 mentioned Art. It is primarily used to feed telephone subscriber lines.

Derartige Speiseschaltungen sind beispielsweise durch die deutsche Offenlegungsschrift 25 21 984 bckannt Sie halten den Strom über die Fernsprechteilnehmerleitung unabhängig von deren Länge im wesentlichen konstant Dabei bilden sie für die auf der Teilnehmerleitung auftretenden Sprechspannungen eine hohe Impedanz, so daß keine wesentliche Einfügungsdämpfung der Teilnehmerleitung hervorgerufen wird. Diese hohe Impedanz wird erreicht, solange die Größe eines maximalen Lastwiderstands nicht überschritten wird.Such feed circuits are known, for example, from German Offenlegungsschrift 25 21 984 They essentially hold power over the subscriber line regardless of its length constant In doing so, they form a high level of voltage for the speech voltages occurring on the subscriber line Impedance so that no substantial insertion loss of the subscriber line is introduced. These high impedance is achieved as long as the size of a maximum load resistance is not exceeded.

Wird diese Größe dennoch überschritten, so ist der Transistor mangels höherer Speisespannung nicht mehr in der Lage, den bestimmten Konstantstrom zu liefern.l Der Transistor wird dann übersteuert und verliert seine dynamische Hochohmigkeit, so daß die Fernsprechleitung entsprechend bedämpft wird. Dabei nimmt der Strom ab.If this value is nevertheless exceeded, the transistor is no longer due to the lack of a higher supply voltage able to deliver the certain constant current. l The transistor is then overdriven and loses its dynamic high resistance, so that the telephone line is attenuated accordingly. In doing so, the Power off.

Um eine Übersteuerung des Transistors zu vermeiden, wäre es möglich, zwei Ausführungen der Schaltungsanordnung zur Stromkonstanthaltung vorzusehen, und zwar eine für den Normalbetrieb mit einem Leitungslängennormalbereich und eine zweite für extrem lange Teilnehmerleitungen. Es könnte auch eine umschaltbare Ausführung vorgesehen werden, die beispielsweise durch die Umschaltung von einer in der Bczugsspannungsquelle verwendeten Zenerdiode auf eine Zenerdiode höherer Zenerspannung kennzeichnet sein könnte.In order to avoid overdriving the transistor, it would be possible to use two versions of the circuit arrangement to keep the current constant, namely one for normal operation with a normal line length range and a second for extremely long subscriber lines. It could also be a switchable Execution can be provided, for example by switching from one in the reference voltage source Zener diode used to be marked on a Zener diode with a higher Zener voltage could.

Durch die deutsche Auslegeschrift 15 88 766 ist eine Schaltungsanordnung zur Gleichspannungsregclung mit Strombegrenzung bekannt, bei der die Kulleklor-Emitter-Strecke eines Transistors mit einem veränderlichen Verbraucherwiderstand in Reihe an einer Spannungsquelle liegt, bei der die Basis dieses Transistors mit einer Bezugsspannungsquelle gekoppelt ist und bei der ein diesen Transistor steuernder Reglertransislor vorgesehen ist. Der Reglertransistor hat eine zu der des ersten Transistors entgegengesetzte Leitfähigkeit und wird abhängig von der Verbraucherspannung und einer Konstantstromquelle gesteuert, wobei die Basis mit dem Abgriff eines die Verbraucherspannung führenden Spannungsteilers und der Emitter mit der Konstanlstromquelle verbunden ist und zwischen der Konsiunistromquelle und dem Verbraucher eine Zenerdiode liegt. Der Ausgang des ersten Transistors ist jcoclch über die Zenerdiode dynamisch kurzgeschlossen. Ferner basiert der Regelmechanismus auf einer Basisstromsteuerung des ersten Transistors, bei der die Rcgclgcnauigkeit von der Stromverstärkung und somit von den Transistorexemplarstreuungen abhängig ist.The German Auslegeschrift 15 88 766 discloses a circuit arrangement for DC voltage regulation known with current limitation, in the case of the Kulleklor emitter route a transistor with a variable load resistance in series at a voltage source lies, in which the base of this transistor is coupled to a reference voltage source and in which a regulator transistor controlling this transistor is provided. The regulator transistor has one to that of the first transistor opposite conductivity and is dependent on the consumer voltage and a Controlled constant current source, the base with the tap of a leading consumer voltage Voltage divider and the emitter is connected to the Konstanlstromquelle and between the Konsiunistromquelle and the consumer has a zener diode. The output of the first transistor is jcoclch Dynamically short-circuited via the Zener diode. Furthermore, the regulating mechanism is based on a basic current control of the first transistor, in which the accuracy of the current gain and thus of the Transistor specimen scatter is dependent.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der, von der Last aus gesehen, die dynamische Hochohmigkeit auch in demjenigen Bereich aufrechterhalten wird, der außerhalb des Konstantsirombcrcichs liegt und bei der nur eine Ausführung nötig ist.The object of the invention is to provide a circuit arrangement to create of the type mentioned in the, seen from the load, the dynamic High resistance is also maintained in that area which is outside the constant range and only one execution is necessary.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Kurz vor dem Übersleuerungspunkt am Ende des Konstantstrombereichs wird daher der Transistor durch Vergrößerung des Busisvorwiderstandes derart gesteuert, daß nie eine Übersteuerung eintreten kann.This task is characterized by the Features of claim 1 solved. Shortly before the overflow point at the end of the constant current range Therefore, the transistor is controlled by increasing the Busisvorharzes so that never one Overload can occur.

Vorzugsweise wird die Überstrombegrenzungseinrichtung mit einem Transistor gebildet, dessen Steuerstrecke mit der Basis und dem Kollektor des ersten Transistors gekoppelt ist und dessen gesteuerte Strecke den Ausgang der Übersteuerungsschutzeinrichtung bildet. The overcurrent limiting device is preferably used formed with a transistor, whose control path with the base and the collector of the first Transistor is coupled and the controlled path forms the output of the override protection device.

Mit Vorteil ist die Erfindung auch in der nach dem Oberbegriff des Anspruchs 3 arbeitenden Schaltungsanordnung verwendbar. Eine solche Schaltungsanordnung ist in der Patentanmeldung P 32 37 681 vorgeschlagen worden. Der Vorteil besteht darin, daß auch eine Verminderung der Leistungsaufnahme der Schaltungsanordnung im Leerlauffall erzielt wird.The invention is also advantageous in the circuit arrangement operating according to the preamble of claim 3 usable. Such a circuit arrangement is proposed in patent application P 32 37 681 been. The advantage is that there is also a reduction in the power consumption of the circuit arrangement is achieved when idling.

Die Erfindung wird nun anhand zweier Ajsführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigtThe invention will now be explained using two examples explained in more detail. It shows

Fig. 1 eine Schaltungsanordnung zur Konstanthaltung eines über einen veränderlichen Verbraucherwiderstand fließenden Stromes undFig. 1 shows a circuit arrangement for keeping a constant via a variable load resistance flowing stream and

F i g. 2 eine Speiseschaltung für eine Teilnehmerschaltung einer Fernsprechanlage.F i g. 2 a feed circuit for a subscriber circuit a telephone system.

In Fig. 1 ist ein Transistor Γ mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe mit einem veränderlichen Verbraucherwiderstand Rx und einem Emitterwiderstand R 1 an eine Spannungsquelle B gelegt. Die Basis dieses Transistors ist mit einem Eingangsanschluß e2 und einem Ausgangsanschluß a 2 einer Überstrombegren-/ungseinrichtung S verbunden, deren anderer Eingangsanschluß c 1 an den Kollektor des Transistors Γ angeschlossen ist. Ein anderer Ausgangsanschluß a 1 der Überstcuerungsschutzeinrichtung 5 ist mit dem Abgriff eines aus einem Widerstand R 2 und einer Zenerdiode Z bestehenden und an die Spannungsquelle B angeschlossenen Spannungsteilers verbunden.In Fig. 1, a transistor Γ with its collector-emitter path in series with a variable load resistor Rx and an emitter resistor R 1 is placed on a voltage source B. The base of this transistor is connected to an input connection e2 and an output connection a 2 of an overcurrent limiter S, the other input connection c 1 of which is connected to the collector of the transistor Γ. Another output terminal a 1 of the overload protection device 5 is connected to the tap of a voltage divider consisting of a resistor R 2 and a Zener diode Z and connected to the voltage source B.

Die Übcrstrombegrenzungseinrichtung S arbeitet im Nornialarbeitsbereich der Schaltungsanordnung so, daß aufgrund der zwischen Basis und Kollektor auftretenden Spannung die Ausgangsanschlüsse a 1, a 2 durchgeschallet sind, so daß die normale Regelfunktion, nämlich Vergleich der Zenerspannung mit der am Emitterwiderstand R 1 abfallenden Spannung und entsprechende Einstellung des Kollektorstroms, der Schaltungsanordnung nicht gestört wird. Sinkt jedoch die Kollektorspannung aufgrund eines aus dem Normalarbeksbereich heraustretenden, erhöhten Verbraucherwiderstandes Rx unter eine den Sollkonstantstrom noch ermöglichende Mindeskollektorspannung ab, so wird die Übersteuerungsschutzeinrichtung S an ihren Eingangsanschlüssen el, c2 so gesteuert, daß mit abnehmender Kollektorspannung der Ausgangswiderstand an den Ausgangsan-Schlüssen a 1, a 2 zunimmt, und zwar derart, daß eine Übersteuerung des Transistors 7vermieden wird.The overcurrent limiting device S works in the normal working range of the circuit arrangement in such a way that, due to the voltage occurring between the base and collector, the output connections a 1, a 2 are sounded through, so that the normal control function, namely comparison of the Zener voltage with the voltage drop across the emitter resistor R 1 and the corresponding setting the collector current, the circuit arrangement is not disturbed. However, if the collector voltage falls below a minimum collector voltage that still enables the nominal constant current due to an increased consumer resistance Rx emerging from the normal working range, the override protection device S is controlled at its input connections el, c2 in such a way that the output resistance at the output connections a 1 , a 2 increases in such a way that overdriving of the transistor 7 is avoided.

Die Übcrstrombegrenzungseinrichtung 5 kann durch einen Transistor gebildet sein, wie er als Transistor 75 in F i g. 2 dargestellt ist.The overcurrent limiting device 5 can be formed by a transistor such as the transistor 75 in Fig. 2 is shown.

Die in F i g. 2 dargestelle Speiseschaltung dient zur Stromversorgung einer Teilnehmerstation TA über eine Teilnehmerleitung L. Die Teilnehmerleitung L und die Teilnehmersiation 7" stellen den veränderlichen Verbraueherwidcrstand Rx dar, der sich je nach dem Leitiingswidcrstiind verschieden langer TeilnehmerleituniJL'ii /. in vorgegebenen Grenzen ändern kann.The in F i g. The feed circuit shown in 2 is used to supply power to a subscriber station TA via a subscriber line L. The subscriber line L and the subscriber interface 7 "represent the variable consumer resistance Rx , which can change within specified limits depending on the line resistance of different lengths of subscriber lines.

In der Fernsprechanlage steht eine Speisespannungsquelle, Batterie B, zur Stromversorgung zur Verfügung. Die Speisewiderstände zu den Adern a und b der Teilnehmerleitung L, die über Koppelkondensatoren oder dgl. gleichstrommäßig abgeblockt zu einem Koppelfeld K der Fernsprechanlage führt, werden jeweils aus einer Reihenschaltung der Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors und eines gleich großen Emitterwiderstandes gebildet. In dem einen Speisestromzweig ist diese Reihenschaltung mit einem Transistor Tl und einem Emitterwiderstand R4i gebildet, während im anderen Schleifenstromzweig diese Reihenschaltung mit einem Transistor T2 und einem Emitterwiderstand R 42 ausgeführt ist. Der Kollektor des Transistors 71 ist an die Ader a angeschaltet, und der Emitterwiderstand R 41 ist mit dem negativen Pol der Batterie B verbunden. Der Kollektor des Transistors T2 ist an die Ader b angeschaltet, während der Emitterwiderstand R 42 mit dem positiven Pol der Batterie S verbunden ist. Dabei ist der Transistor Π als npn-Transistor und Transistor T2 als pnp-Transistor ausgebildet.A supply voltage source, battery B, is available in the telephone system for power supply. The feed resistances to the wires a and b of the subscriber line L, which leads to a coupling network K of the telephone system blocked via coupling capacitors or the like, are each formed from a series connection of the collector-emitter path of a transistor and an emitter resistor of the same size. In one feed branch this series connection is formed with a transistor T1 and an emitter resistor R4i, while in the other loop current branch this series connection is implemented with a transistor T2 and an emitter resistor R 42 . The collector of the transistor 71 is connected to the wire a, and the emitter resistor R 41 is connected to the negative pole of the battery B. The collector of the transistor T2 is connected to the wire b , while the emitter resistor R 42 is connected to the positive pole of the battery S. The transistor Π is designed as an npn transistor and transistor T2 as a pnp transistor.

Zwischen dem Kollektor des Transistors 71 und dem Kollektor des Transistors 72 liegt eine Reihenschaltung aus einem Widerstand R 2t, einem Kondensator C und einem Widerstand R 22. Zwischen dem gemeinsamen Verbindungspunkt des Widerstands R 21 mit dem Kondensator C und der Basis des Transistors Π ist eine Reihenschaltung aus der Basis-Emitter-Strecke eines npn-Transistors 75, eines Widerstands R 31 und der Basis-Emitter-Strecke eines npn-Transistors 73 angeschlossen, dessen Kollektor mit dem des Transistors T1 verbunden ist. In analoger Weise liegt zwischen dem gemeinsamen Verbindungspunkt des Widerstands R 22 mit dem Kondensator C und der Basis des Transistors Γ2 eine Reihenschaltung aus der Basis-Emitter-Strecke eines pnp-Transistors 76. eines Widerstands R 32 und der Basis-Emitter-Strecke eines pnp-Transistors 74, dessen Kollektor mit dem des Transistors 72 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 75, 76 sind durch eine Zenerdiode Zl gekoppelt. Zwischen dem Emitter des Transistors 75 und dem negativen Pol der Batterie B liegt ein nichtlineares Glied Rtt, während zwischen dem Emitter des Transistors 76 und dem positiven Pol der Batterie B ein nichtlineares Glied R 21 angeordnet ist. Die beiden Glieder R 11 und R 12 besitzen einen linear ansteigenden Stromverlauf im Bereich kleiner Spannungen und einen anschließend konstanten Stromverlauf im Bereich höherer Spannungen. Sie sind vorzugsweise als CRD-Strombegrenzungsdiode oder als MOS-Transistor ausgebildet, dessen Gate-Anschluß und Source-Anschluß miteinander verbunden sind. Sie können aber auch komplexere Gebilde mit den beschriebenen Eigenschaften sein.Between the collector of the transistor 71 and the collector of the transistor 72 is a series circuit of a resistor R 2t, a capacitor C and a resistor R 22. Between the common connection point of the resistor R 21 with the capacitor C and the base of the transistor Π is a Series connection of the base-emitter path of an npn transistor 75, a resistor R 31 and the base-emitter path of an npn transistor 73, the collector of which is connected to that of the transistor T 1. In an analogous manner, there is a series circuit of the base-emitter path of a pnp transistor 76, a resistor R 32 and the base-emitter path of a pnp between the common connection point of the resistor R 22 with the capacitor C and the base of the transistor Γ2 -Transistor 74 whose collector is connected to that of transistor 72. The collectors of the transistors 75, 76 are coupled through a Zener diode Zl. A non-linear element Rtt is located between the emitter of transistor 75 and the negative pole of battery B , while a non-linear element R 21 is arranged between the emitter of transistor 76 and the positive pole of battery B. The two elements R 11 and R 12 have a linearly increasing current profile in the range of low voltages and a subsequent constant current profile in the range of higher voltages. They are preferably designed as CRD current limiting diodes or MOS transistors, the gate terminal and source terminal of which are connected to one another. But they can also be more complex structures with the properties described.

Die beiden Widerstände R2\ und R 22 sind gleich groß und hatten bei einer Ausführung einen Wert von je 22kOhm. Die beiden Widerstände R 31 und R 32 sind ebenfalls gleich groß und hatten einen Wert von je 47 kOhm. Der Wert der beiden Emitterwiderstände betrug jeweils 300 Ohm. Die Zenerspannung der Zenerdiode Zl war 27 V. Die Batterie B hatte eine Spannung von 48 V. Bei dieser Bemessung fiel an den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 71. 72 eine Spannung von je 0, 6 V und am Widerstand /?31 bzw. /?32 eine Spannung von 0.5 V ab, während der Strom durch das nichtlineare Glied R 11 b/w. R 12 einen Wert von 1 mA und der Strom durch den Emitterwidersuind /?4I bzw. R 42 einen Wert von 28 mA hatte.The two resistors R2 and R 22 are the same size and each had a value of 22kOhm in one version. The two resistors R 31 and R 32 are also the same size and each had a value of 47 kOhm. The value of the two emitter resistors was 300 ohms each. The Zener voltage of the Zener diode Zl was 27 V. The battery B had a voltage of 48 V. With this measurement, a voltage of 0.6 V was applied to the base-emitter paths of the transistors 71, 72 and a voltage of 0.6 V to each and the resistor /? 31 or . /? 32 from a voltage of 0.5 V, while the current through the non-linear element R 11 b / w. R 12 had a value of 1 mA and the current through the emitter resistance / 4I or R 42 had a value of 28 mA.

Die symmetrische Konstantstromspeisung erfolgt über die Transistorpaare 71/73 und 72/74. Die Wi-The symmetrical constant current supply takes place via the transistor pairs 71/73 and 72/74. The wi-

derstände R 31 und R 32 sind so dimensioniert, daß die einfließenden Basisströme einen zu vernachlässigenden Spannungsabfall gegenüber der Spannung an den Gliedern All, R 12 und andererseits einen geringen Leerlaufstrom über die Basis-Emitter-Strecken der Transistören hervorrufen. Die Längsspannungsempfindlichkeit der Speiseschaltung ist dadurch gegeben, daß die in den beiden Leitungsadern einfließenden Längsströme an den Emitterwiderständen in Betrag und Phase gleiche Spannungsabfälle hervorrufen, sich aber im gemeinsamen Eingangskreis der Transistorpaare aufheben. Somit werden die Transistoren durch die Längsspannungen nicht ausgesteuert. Beide Transistorpaare »schwimmen« auf der Längsspannung. Die Basis-Emitter-Spannungen und die Kollektorspannungen ändern sich im Takt der Längsspannung. Eine Längsspannung fällt aber am Transistor 71 bzw. 72 nicht ab, so daß die an den Leitungsadern a, b wirksame Längsspannung nur an den niederohmigen Emitterwiderständen Λ 41 und R 42 auftritt. Dadurch ist die Speiseschaltung gegenüber Längsspannungen im Vergleich zum Innenwiderstand der Längsspannungsquelle und dem Leitungswiderstand niederohmig. Nachfolgende Schaltungen K werden somit nicht gefährdet. Um eine ausreichende Stromversorgung der Zenerdiode Zl zu garantieren, ohne die Längsspannungsunempfindlichkeit der Speiseschaltung aufzugeben, sind bei der vorliegenden Erfindung nichtlineare Glieder All, Λ 12 parallel zur Reihenschaltung aus Basisvorwiderstand, den Basis-Emitter-Strecken der Transistorpaare und dem Emitterwiderstand geschaltet. Diese Glieder begrenzen den Strom durch die Zenerdiode Z 1 und die durchgeschalteten Transistoren 75, 76 auf 1 mA. Dabei reicht der genannte Konstantstrom von 1 mA aus, um die Zenerdiode ZX im Zenerbereich zu betreiben. Der Spannungsabfall an diesen Gliedern wird durch die beiden Transistorpaare bestimmt, und die Hochohmigkeit für Gegentaktsignale (Nutzsignale) sowie die Niederohmigkeit für Gleichtaktsignale (Störlängssignale) werden durch den Einsatz solcher Glieder nicht verändert. Resistors R 31 and R 32 are dimensioned so that the inflowing base currents cause a negligible voltage drop compared to the voltage at the elements All, R 12 and, on the other hand, a low no-load current across the base-emitter paths of the transistors. The longitudinal voltage sensitivity of the supply circuit is given by the fact that the longitudinal currents flowing into the two line cores cause the same voltage drops at the emitter resistors in magnitude and phase, but cancel each other out in the common input circuit of the transistor pairs. Thus, the transistors are not controlled by the line voltages. Both transistor pairs "float" on the longitudinal voltage. The base-emitter voltages and the collector voltages change in time with the longitudinal voltage. However, a series voltage does not drop across the transistor 71 or 72, so that the series voltage effective at the line cores a, b occurs only at the low-ohmic emitter resistors 41 and R 42. As a result, the feed circuit has a low resistance to line voltages compared to the internal resistance of the line voltage source and the line resistance. Subsequent circuits K are therefore not endangered. In order to guarantee a sufficient power supply of the Zener diode Zl without giving up the longitudinal voltage insensitivity of the supply circuit, non-linear elements All, Λ 12 are connected in parallel to the series connection of the base series resistor, the base-emitter paths of the transistor pairs and the emitter resistor. These members limit the current through the Zener diode Z 1 and the switched-through transistors 75, 76 to 1 mA. The mentioned constant current of 1 mA is sufficient to operate the zener diode ZX in the zener range. The voltage drop across these elements is determined by the two transistor pairs, and the high resistance for push-pull signals (useful signals) and the low resistance for common mode signals (interfering longitudinal signals) are not changed by using such elements.

Um den Einfluß unterschiedlicher Stromverstärkung der Transistoren auf die Arbeitspunkteinstellung gering zu halten, werden die Transistorpaare über die Widerstände Λ 21 und /?22 und die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 75, TS rückgekoppelt. Eine unterschiedliche Aussteuerung würde bei kurzen Teilnehmerleitungen eine ungünstige Leistungsverteilung an den Transistoren bewirken und könnte bei langen Teilnehmerleitungen die maximal mögliche Leitungslänge durch die Übersteuerung eines der Transistorpaare ungünstig begrenzen.In order to keep the influence of different current amplifications of the transistors on the operating point setting low, the transistor pairs are fed back via the resistors Λ 21 and / 22 and the base-emitter paths of the transistors 75, TS. A different modulation would cause an unfavorable power distribution on the transistors in the case of short subscriber lines and could unfavorably limit the maximum possible line length in the case of long subscriber lines by overdriving one of the transistor pairs.

Die Transistoren 75, 76 sind dabei im Normalarbeitsbereich der Schaltungsanordnung durchgeschaltet, so daß sie in diesem Bereich keinen Einfluß auf die übrige Funktion der Schaltungsanordnung haben. Erreichen die Transistorpaare Ti, 73 und T2, 74 die Übersteuerungsgrenze, so kommen die Transistoren 75, 76 aus ihrem Übersteuerungsbereich heraus. Eine Zunahme der an den Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren T5. 76 abfallenden Spannungen bewirkt eine Verminderung des Leitungschleifenstroms und damit eine Abnahme der Spannungsabfälle am Widerstand Rx und an den Emitterwiderständen RAX, R 42. Damit steigt wiederum die Koüektor-Emitter-Spannung an den Transistorpaaren 71, 73 und 72, 74 an. Auf diese Weise geraten diese Transistorpaare nie in den Übersteuercngsbereich. Daher ve^rliert die Schaltungsanordnung außerhalb des Normalsrbeitsbereichs auch nicht die Eigenschaft, den auf der Teilnehmerleitung auftretenden Sprachspannungen eine hohe Impedanz entgegenzusetzen. Daher wird auch die Einfügungsdämpfung nicht größer.The transistors 75, 76 are switched through in the normal operating range of the circuit arrangement, so that in this area they have no influence on the rest of the function of the circuit arrangement. If the transistor pairs Ti, 73 and T2, 74 reach the overdrive limit, the transistors 75, 76 come out of their overdrive range. An increase in the collector-emitter paths of the transistors T5. 76 decreasing voltages causes a reduction in the line loop current and thus a decrease in the voltage drops across the resistor Rx and the emitter resistors RAX, R 42. This in turn increases the coector-emitter voltage across the transistor pairs 71, 73 and 72, 74. In this way, these transistor pairs never get into the overdrive range. Therefore ve ^rl ated the circuitry outside the Normalsrbeitsbereichs not oppose the property, the voice stresses occurring on the subscriber line high impedance. Therefore, the insertion loss does not increase either.

Da die Transistoren 75 und 76 im Aussteuerbercich die Transistorpaare 71, 73 und 72, 74 wechsclspannungsmäßig aussteuern könnten, wird der Wechsel· Spannungsanteil durch den Kondensator C kurzgeschlossen. Since the transistors 75 and 76 in the control range, the transistor pairs 71, 73 and 72, 74 in terms of alternating voltage could modulate, the alternating voltage component is short-circuited by the capacitor C.

Die Verhältnisse im Leerlauffall sind folgende. Ohne die Vorwiderstände R 31 und R 32 und die Transistoren 75, 76 würde im Leerlauf der Strom in Höhe des Leitungsschleifenstromes über die Basis-Emitter-Strecken der Transistorpaare, die Zenerdiode Z1 und die Emitterwiderstände R 41, R 42 fließen und damit einen unannehmbaren Leistungsverbrauch verursachen. Diese Vorwiderstände und Transistoren begrenzen den Strom über die Basis-Emitter-Strecken auf einen zu vernachlässigenden Wert. Auch der Strom über die nichllinearen Glieder R 11, R2X wird durch die Transistoren 75, 76 unterbrochen, so daß im Leerlauf keine Leistung verbraucht wird. Ein Rückwärtsstrom kann nicht über den Rückkopplungswiderstand R 22 fließen, da die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 76 dann sperrt, so daß auch dadurch eine Verminderung der Leistungsaufnahme erreicht wird.The conditions in the idle case are as follows. Without the series resistors R 31 and R 32 and the transistors 75, 76, the current in the amount of the line loop current would flow through the base-emitter paths of the transistor pairs, the Zener diode Z1 and the emitter resistors R 41, R 42 and thus an unacceptable power consumption cause. These series resistors and transistors limit the current through the base-emitter paths to a negligible value. The current through the non-linear elements R 11, R2X is also interrupted by the transistors 75, 76, so that no power is consumed when idling. A reverse current cannot flow via the feedback resistor R 22, since the base-emitter path of the transistor 76 then blocks, so that a reduction in the power consumption is achieved as a result.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Circuit arrangement for keeping a current flowing through a variable consumer resistor constant by means of a first transistor whose collector-emitter path is in series with the consumer resistor and an emitter resistor at a voltage source and whose base is coupled to a source of constant reference voltage. in particular for feeding telephone subscriber lines, characterized in that an overcurrent limiting device (S) with a control input and a control path is provided, the control path being between the reference voltage source and the base of the first transistor (T) and the control input with the collector of the first transistor ( T) is connected in such a way that the control path is switched through above a minimum collector voltage which still enables the soil constant current and that with decreasing collector voltage below this minimum collector voltage, the output resistance of the control path increases.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the overcurrent limiting device (S) is formed by a transistor whose collector-emitter path forms the control path and whose base forms the control input.

3. Circuit arrangement according to claim 1, in which a series connection of a second transistor and a second emitter resistor is also in the other voltage source supply line and thus a symmetrical feed circuit for a telephone subscriber line is formed, in which the base of the first transistor is also formed via the emitter-base path a third transistor, a first resistor, a Zener diode, a second resistor and the base-emitter path of a fourth transistor is coupled in this order to the base of the second transistor, the collectors of the first and third transistor are connected to one another, the collectors of the second and fourth transistor are connected to one another, the common connection point of the first resistor and the Zener diode is coupled via a first non-linear element to the negative voltage source pole and the common connection point of the second resistor and the Zener diode is coupled via a second it nonlinear member is coupled to the positive voltage source pole, the nonlinear members having a linearly increasing current curve in the range of low voltages and a subsequently constant current curve in the range of higher voltages, characterized in that between the common connection point of the first resistor with the first nonlinear member and the Zener diode, the collector-emitter path of a fifth transistor (T 5) and between the common connection point of the second resistor with the second non-linear element and the Zener diode, the collector-emitter path of a sixth transistor (T6) is arranged that the base of the fifth transistor is connected via a third resistor to the collector of the first transistor (Tl) and the base of the sixth transistor via a fourth resistor (R 22) to the collector of the second transistor and that the bases of the fifth and sixth transistors by means of a condenser sators (C) are coupled.