DE3224036A1 - Converter for converting analog into digital signals by means of charge coupled devices (CCD) - Google Patents

Converter for converting analog into digital signals by means of charge coupled devices (CCD)

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DE3224036A1 DE19823224036 DE3224036A DE3224036A1 DE 3224036 A1 DE3224036 A1 DE 3224036A1 DE 19823224036 DE19823224036 DE 19823224036 DE 3224036 A DE3224036 A DE 3224036A DE 3224036 A1 DE3224036 A1 DE 3224036A1
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Abstract

The invention relates to an analog/digital converter which operates in such a manner that a particular charge quantity is symmetrically divided by means of a charge divider. One of the part-charges is also symmetrically divided in a further charge divider. The other part-charge is compared with the unknown information. The smaller one of the two charges is increased by the one part charge of the second charge divider whereas the other part charge of the second charge divider is supplied to a third one. Now the next comparison is carried out between the said charges. This process is repeated in accordance with the number of bit positions to be weighted. Each electrode, which is contacted by charges used in comparisons contains at least one basic charge at any time.

Description

Umsetzer zur Umwandlung von Analog-in Digital-Signale mittels LadungsverschiebeXanordnungen (CCD).Converter for converting analog to digital signals by means of charge shifting arrangements (CCD).

Die Erfindung betrifft einen Umsetzer zur Umwandlung von Analog- in Dii,ta-Signale, bei dem die jeweilige Informit cter - - --mationsladunç mittels Ladungsteilern erzeugten Referenzladung in Bewerterschaltungen verglichen und gegebenenfalls vor einem nächsten Bewertungsvorgang mittels im gleichen Ladungsteiler erzeugten Referenzladungen vergrößert wird.The invention relates to a converter for converting analog to Dii, ta signals, for which the respective information - - --mationsladunç means Charge dividers generated reference charge compared in evaluation circuits and, if necessary generated before a next evaluation process by means of the same charge divider Reference charges is enlarged.

In Ladungstransportspeichern - insbesondere in Charge-Coupled-Devices (CCD) - ist die Ladungsspeicherkapazität der Elementarzelle im Gegensatz zu den sehr ähnlich aufgebauten dynamischen MOS-RAM-Speichern nicht durch die Empfindlichkeit der Bewerterschaltung nach unten begrenzt; vielmehr ergibt sich schon weit oberhalb der Bewerterempfindlichkeit aus den Minimalabmessungen der Speicherelektrode eine untere Grenze für die Ladungsspeicherkapazität. In charge transport storage - especially in charge-coupled devices (CCD) - is the charge storage capacity of the unit cell in contrast to the Dynamic MOS RAM memories with a very similar structure are not affected by the sensitivity the evaluation circuit limited downwards; rather, it already arises far above the evaluator sensitivity from the minimum dimensions of the storage electrode lower limit for the charge storage capacity.

Die obere Grenze Q der in einer solchen Elementarzelle zu speichernden Ladung liegt dann um ein Vielfaches über der Nachweisgrenze Q der Ladungstransportspeicher-Bewerterschaltung. The upper limit Q that can be stored in such a unit cell The charge is then several times higher than the detection limit Q of the charge transport storage evaluation circuit.

Wenn es gelingt, am Eingang eines Ladungstransportspeichers in die Speicherelemente wahlweise unterschiedliche Ladungsmengen QX (Qo - 'Q = Q) einzugeben, und wenn es gelingt, diese unterschiedliche Ladungsmengen am Ausgang des Ladungstransportspeichers zu bewerten, kann allein unter Aufwand für die notwendigen Eingabe- und Bewerterschaltungen die Informationsspeicherkapazität eines Ladungstransportspeichers deutlich erhöht werden (;Multi-Level-Storage CCD MLS-CCD). If it succeeds, at the entrance of a charge transport storage in the Storage elements optionally enter different charge quantities QX (Qo - 'Q = Q), and if it succeeds, these different amounts of charge at the output of the charge transport store to evaluate, can only with the effort for the necessary input and evaluation circuits the information storage capacity of a charge transport store is significantly increased be (; multi-level storage CCD MLS-CCD).

Analog-Digital-Umsetzer mittels CCD und speziell aus dem Gebiet der MLS-CCD sind bereits bekannt So stellt die DPS 27 04 711 ein Abzählverfahren zur Bewertung einer unbekannten Informationsladung Q' vor: Die dem Eingabe-Bitmuster (a1 a2. . a ) entsprechend aus maximal (29 - 1) Teilq ladungen Q' zusammengesetzte Ladung Q wird in einen ersten Potentialtopf gegossen, der die - möglichst kleine -Ladungsspeicherkapazität Q' hat. Wenn dieser erste Topf gefüllt ist, sorgt ein kleines Potentialgefälle dafür, daß die übrige Ladung (Q'X ~ Q') einen weiteren Topf der-Ladungsspeicherkapazität Q' erreicht usw. Anschließend werden sämtliche (2q - 1) Potentialtöpfe parallel ausgelesen und mittels üblicher (29 - 1) Bewerterschaltungen auf Füllung geprüft. Eine Auswertelogik erzeugt schließlich das gesuchte Bitmuster aus dem Muster der ersten m der (29 - 1) möglichen Füllung anzeigenden Bewerterausgänge.Analog-digital converter by means of CCD and especially from the field of MLS-CCD are already known. DPS 27 04 711 provides a counting method Evaluation of an unknown information load Q 'before: The input bit pattern (a1 a2.. a) correspondingly composed of a maximum of (29 - 1) partial charges Q ' Charge Q is poured into a first potential well, which is the - as small as possible -Has charge storage capacity Q '. When that first pot is filled, one takes care of it small potential gradient so that the remaining charge (Q'X ~ Q ') has another Pot of the charge storage capacity Q 'is reached, etc. Then all (2q - 1) Potential wells read out in parallel and by means of conventional (29 - 1) evaluation circuits checked for filling. An evaluation logic finally generates the bit pattern sought from the pattern of the first m of the (29-1) possible filling indicating evaluator outputs.

Der Vorgang des allmählichen Füllens der Potentialtöpfe durch Uberfließen ohne Elektrodentaktung ist naturgemäß langsam und bedingt lange Stillstandszeiten der Ladungstransportanordnung. Bei einer Anwendung nach US-PS 3 958 210 wird deshalb eine größere Anzahl von Potentialtopfreihen parallel aus einer ebenso großen Anzahl von Ausgabeelektroden gefüllt. Diese werden anschließend seriell ausgewertet, während gleichzeitig die Ausgabeelektroden seriell erneut gefüllt werden. Dadurch ergeben sich seltener Stillstandszeiten für die Ladungstransporteinrichtung.The process of gradually filling the potential wells by overflowing Without electrode clocking, this is naturally slow and requires long downtimes the charge transport arrangement. In an application according to US Pat. No. 3,958,210, therefore a larger number of rows of potential wells in parallel from an equally large number filled by output electrodes. These are then evaluated serially while at the same time the output electrodes are refilled serially. Result from this less downtime for the load transport device.

Das beschriebene Auswerteverfahren ist für MLS-CCD-Speicher nur sehr bedingt geeignet, weil für den oberen Grenzwert der Informationsladung gilt: (29 - 1)- Q'.The evaluation method described is only very useful for MLS-CCD memories Conditionally suitable because the following applies to the upper limit of the information load: (29 - 1) - Q '.

Die Ladungsspeicherkapazität der Auswertetöpfe kann aber nur durch Verkleinerung der angelegten Gleichspannungspotentiale klein gehalten werden, was den störenden Einfluß eventueller Einsatzspannungsschwankungen vergrößert.The charge storage capacity of the evaluation pots can only go through Reduction of the applied DC voltage potentials can be kept small, what the disturbing influence of possible threshold voltage fluctuations increases.

Weiterhin geschieht das Abmessen durch (2q - 1) unabhängig voneinander geometrisch definierte Gebilde. Schließlich können Störungen dadurch auftreten, daß die höherwertigen Potentialtöpfe nur selten überhaupt von Ladungen erreicht werden, deren Oberflächenzustände aber ständig geleert werden (fehlender Grundladungsbetrieb).Furthermore, the measurement by (2q - 1) takes place independently of one another geometrically defined structures. After all, malfunctions can occur that the higher-value potential wells are rarely even reached by charges whose surface states are constantly being emptied (no basic charge operation).

Bei einer Anwendung nach US-PS 4 085 459 soll die Größe der bis zu vierwertigen Informationsladung am Ausmaß der Umladung des Ausgangsdiffusionsgebietes der Ladungstransportanordnung festgestellt werden Drei Inverter sind mit dem Diffusionsgebiet verbunden. In jedem Inverter besitzen die Transistoren unterschiedliche Einsatzspannungswerte.In an application according to US Pat. No. 4,085,459, the size of the up to tetravalent information charge on the extent of the charge reversal of the output diffusion area Three inverters are connected to the diffusion region tied together. The transistors in each inverter have different threshold voltage values.

Es liegt auf der Hand, daß drei Inverter das Ausgangsdiffusionsgebiet kapazitiv stark belasten und daß drei verschiedene, genau einzustellende Einsatzspannungen nur unter großen Aufwand zu verwirklichen sind.It is obvious that three inverters make up the output diffusion region load capacitively and that three different, precisely adjustable threshold voltages can only be achieved with great effort.

Der in US-PS 4 087 812 beschriebene Digital-Analog-Umsetzer reproduziertkine unter eine Refreshelektrode anstehende Informationsladung in schrittweiser Annäherung. Ein D/A-Umsetzer zeigt dann in seinem Endwert den Umfang der zu bestimmenden Ladung an.The digital-to-analog converter described in U.S. Patent 4,087,812 does not reproduce Information charge pending under a refresh electrode in a step-by-step approach. A D / A converter then shows the extent of the charge to be determined in its final value at.

Dieses Verfahren kann Ladungen bewerten, die unterhalb des Grenzwertes Q der Ladungsspeicherkapazität von Minimal-CCD liegen. Es ist jedoch zeitaufwendig, da die einzelnen Bitstellen nacheinander abgearbeitet werden und zudem die Anzahl der Zeitschritte für eine Bitstelle noch von der jeweils vorhergehenden Entscheidung abhängig ist.This procedure can evaluate charges that are below the limit value Q is the charge storage capacity of minimal CCD. However, it is time consuming because the individual bit positions are processed one after the other and also the number the time steps for a bit position still from the previous decision is dependent.

Ein in der US-PS 4 072 939 beschriebener Generator für Ladungsbruchteile Q/2i wird auch zur Bewertung einer Informationsladung QX benutzt. Zuerst wird QX mit Q/21 verglichen. Ist QX) Q2/ , dann: a1 = 1, und eine Ladungsweiche erhöht die Vergleichs ladung durch Addition des 2 nächsten Ladungsbruchteils auf (Q/21 + Q/22). Ist QX < Q/2, dann: a1 = 0, und die Ladungsweiche fügt der Informations-Q/22 ladung den nächsten Ladungsbruchteil Q/22 hinzu, woraufhin dann (QX + Q/22) mit Q/21 verglichen wird, Nach genau g.A fractional charge generator described in US Pat. No. 4,072,939 Q / 2i is also used to evaluate an information load QX. First, QX compared to Q / 21. If QX) Q2 /, then: a1 = 1, and a load switch increases the Compare charge by adding the 2 next charge fraction to (Q / 21 + Q / 22). If QX <Q / 2, then: a1 = 0, and the information Q / 22 adds the charge switch charge the next charge fraction Q / 22, whereupon (QX + Q / 22) with Q / 21 is compared, after exactly g.

Zeitschritten steht das Bitmuster (a1a2 .....aq ) fest.The bit pattern (a1a2 ..... aq) is fixed in time steps.

q Es können Ladungen unterhalb Q (Grenzwert) bewertet werden. q Charges below Q (limit value) can be assessed.

Die Anordnung ist deshalb für MLS-CCD geeignet. Es wird einmal eine Ladung abgemessen, anschließend wird sie dann nur noch im Verhältnis 1:1 geteilt und entscheidungsabhängig verschoben. Das Bewerten einer Ladung mit einer Genauigkeit von q bit erfordert q Zeitschritte. Ein Grundladungsbetrieb ist nicht möglich. Das schrittweise Halbieren der Referenzladung geschieht mittels eingeschobener Trennelektrode, was sehr leicht zu Unsymmetrien führen kann.The arrangement is therefore suitable for MLS-CCD. There will be one The load is measured, then it is then only divided in a ratio of 1: 1 and postponed depending on the decision. Assessing a load with an accuracy of q bit requires q time steps. A basic charge operation is not possible. That The reference charge is gradually halved by means of an inserted separating electrode, which can very easily lead to asymmetries.

In den US-PS 4 070 667 und 4 145 689 wird ein weiterer Analog-Digital-Umsetzer nach Ladungsverschiebeprinzipien vorgestellt. Eine vom Analogsignal geöffnete Potentialmulde wird aus einer vorher vollständig gefüllten Referenzelektrode nunmehr selbst gefüllt. Der Ladungsverlust der Referenzelektrode wird anschließend durch abgezähltes Hinzufügen von m gleichbleibenden Ladungseinheiten Q wieder ausgeglichen. Das Zählergebnis m wird schließlich noch mittels Auswertelogik in ein Bitmuster umgesetzt.Another analog-to-digital converter is disclosed in U.S. Patents 4,070,667 and 4,145,689 presented according to charge shifting principles. A potential well opened by the analog signal is now filled by itself from a previously completely filled reference electrode. The charge loss of the reference electrode is then counted by adding balanced by m constant charge units Q again. The counting result Finally, m is converted into a bit pattern by means of evaluation logic.

Die Anzahl m der Zeitschritte ist informationsabhängig und kann bis zu (29 - 1) erreichen. Ein direktes Anschließen an einen MLS-CCD-Speicher ist nicht möglich, da Ladungseinheiten der erforderlichen Größe Q' = (Q unterer Geometrie-Grenzwert) kaum reproduzierbar herstellbar sind.The number m of time steps is information-dependent and can be up to to reach (29 - 1). A direct connection to an MLS-CCD memory is not possible, since charge units of the required size Q '= (Q lower Geometry limit value) are hardly reproducible.

In der Anwendung nach US-PS 4 139 910 wird die gleiche Elektrode, in der das vierstufige Ladungspaket für die Eingabe in ein MLS-CCD hergestellt wird, benutzt, um die Informationsladung am Ausgang der Ladungstransportanordnung zu bewerten. Das Elektrodenpotential der Zelle, die die Informationsladung enthält, wird in vier Schritten erhöht. Eine Nachbarelektrode nimmt evtl. ausfließende Ladung auf. Ein angeschlossener Bewerter erkennt, ob dort viermal, dreimal, zweimal oder nur einmal Ladung vorhanden ist. Eine Auswertelogik stellt aus dem in vier Zeitschritten gefundenen Ergebnis ein zweistelliges Bitmuster her.In the application according to US Pat. No. 4,139,910, the same electrode is in which the four-stage charge package for input into an MLS-CCD is produced, used to evaluate the information charge at the output of the charge transport arrangement. The electrode potential of the cell containing the information charge is divided into four Steps increased. A neighboring electrode picks up any charge that may leak out. A connected evaluator recognizes whether there four times, three times, twice or only once Charge is present. An evaluation logic makes up the found in four time steps The result is a two-digit bit pattern.

In der US-PS 4 136 335 wird ein mittels Ladungsverschiebeanordnungen realisiertes binäres Suchverfahren beschrieben. Die unbekannte Ladung - im Bereich von 1/2 bis (2q - 1/2) Minimalladungen Q - durchläuft in q Schritten eine CCD-Anordnung, deren Abmessungen von Stufe zu Stufe um den Faktor 2 kleiner werden. Während die Informationsladung Q' maximal den Wert Q (29 - 1/2) erreichen darf, wird im ersten Schritt geprüft, ob sie tatsächlich von einer Elektrode der Kapazität Q 2q-1 gefaßt wird (a1 = 0) oder nicht (a1 = 1). Wenn letzteres zutrifft, wird eine Ladungsmenge Q 2q-1 von Q'X abgezogen. Bei a1 = ° bleibt Q' unverändert. Anschließend wird mit einer Elektrode der Kapazität Q 2q-2 entsprechend verfahren. Das Bitmuster wird nach dem Durchlaufen der q Stufen unmittelbar an den Bewerterausgängen abgelesen Das Verfahren eignet sich zum Pipeline-Betrieb. Während in der zweiten Stufe das zweite Bit der ersten Ladungsmenge bewertet wird, kann in der ersten Stufe bereits das erste Bit der folgenden Ladungsmenge erkannt werden usw. In einem Zeittakt stehen an den q Bewertern die Bitwerte aufeinanderfolgender q Ladungen an. Der Geschwindigkeitsgewinn ist offenbar: Je Zeitschritt ist ein vollständig neues Bitmuster vorhanden.US Pat. No. 4,136,335 teaches a means of charge transferring assemblies implemented binary search method described. The unknown cargo - in the area from 1/2 to (2q - 1/2) minimum charges Q - passes through a CCD arrangement in q steps, the dimensions of which are reduced by a factor of 2 from step to step. While the Information load Q 'may reach a maximum value of Q (29 - 1/2), is in the first Step checked whether it was actually taken by an electrode of capacitance Q 2q-1 becomes (a1 = 0) or not (a1 = 1). If the latter is true, an amount of charge becomes Q 2q-1 subtracted from Q'X. With a1 = ° Q 'remains unchanged. Then with proceed accordingly for an electrode with capacitance Q 2q-2. The bit pattern becomes read directly from the evaluator outputs after passing through the q levels The method is suitable for pipeline operation. While in the second stage that second bit of the first amount of charge is evaluated, can already in the first stage the first bit of the following amount of charge are recognized, etc. are in a time cycle to the q evaluators the bit values of successive q charges. The gain in speed is obvious: a completely new bit pattern is available for each time step.

Für MLS-CCD-Speicher ist das Verfahren jedoch nicht geeignet, da noch der Ladungsanteil Q des letztstelligen Bits von der Minimalelektrodenfläche bestimmt wird. Außer-- - ei> -- - - - - - - - - -dem gesch *3sämtliche Substraktionen in geometrisch unabhängigen t 1 entsprechend mit unterschiedlichen Streuungen behafteten Elektroden, deren Randfehler mit abnehmender Elektrodengröße immer stärkeren Einfluß gewinnen. Ein Grundladungsbetrieb ist nicht möglich.However, the method is not suitable for MLS-CCD memories, since it is still the charge fraction Q of the last-digit bit is determined by the minimum electrode area will. Except - - ei> - - - - - - - - - - all subtractions correspondingly afflicted with different scatter in geometrically independent t 1 Electrodes, the edge defects of which have an increasing influence with decreasing electrode size to win. A basic charge operation is not possible.

Auch eine Anwendung nach US-PS 4 206 446 benutzt Auswerterstufen mit Potentialtöpfen abnehmender Größe. Denn es müssen mit zunehmender Bitstelle immer kleinere Ladungsmengen subtrahiert werden. Die auszuwertende Ladung umfaßt den Bereich von 0 bis (29 - 1) Minimalladungen Q. Für den Auswertevorgang werden parallel (q-1) Informationsladungen benötigt. Für q > 2 werden aus (q-2) dieser Eingabeladungen nacheinander durch Substraktion die Entscheidungen über die ersten (q-2) Biststellen getroffen. Diese Ergebnisse werden benutzt, um aus der letzten Eingabe ladung auf genau einem von 2q 2 sich vereinigenden Ladungswegen eine Ladungsmenge im Bereich von 0 bis 3 Minimalladungen Q bereitzustellen, die die Information über die beiden letztstelligen Bits enthält. Zwei weitere Substraktionen von je einer Ladung Q und logisch verknüpfte Auswertung ergeben schließlich die beiden letzten Bitwerte.An application according to US Pat. No. 4,206,446 also uses evaluation stages Potential pots of decreasing size. Because with increasing bit position it always has to smaller amounts of charge can be subtracted. The charge to be evaluated includes the area from 0 to (29 - 1) minimum charges Q. For the evaluation process, parallel (q-1) Loads of information needed. For q> 2, (q-2) of these become input charges successively by subtraction the decisions about the first (q-2) bis positions met. These results are used to charge from the last input exactly one of 2q 2 unifying charge paths a charge amount in the area from 0 to 3 minimum charges Q provide the information about the two contains last digit bits. Two further subtractions of one charge each Q and Logically linked evaluations ultimately result in the last two bit values.

Für MLS-CCD-Speicher ist das Verfahren nicht geeignet, da (q-1)mal die Informationsladung zur Verfügung gestellt werden muß. Die Sicherheit der Bewertung hängt empfindlich von dem Flächenverhältnis unterschiedlich großer Elektroden 2 ab. Da in einem Zeitschritt bis zu 2q 2 Subtraktionen durch Ladungswanderung über entsprechend viele Potentialtöpfe ausgeführt werden, ist die Betriebsfrequenz stark eingeschränkt. Ein Grundladungsbetrieb ist nicht möglich.The method is not suitable for MLS-CCD memories because (q-1) times the information load provided must become. The security the rating depends sensitively on the area ratio of different sizes Electrodes 2 off. Since up to 2q 2 subtractions due to charge migration in one time step are carried out using a corresponding number of potential wells, is the operating frequency highly limited. A basic charge operation is not possible.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, u.a. für die Ausgabeschaltung von Multi-Level-Storage-Ladungstransportspeichern (MLS-CCD) einen Analog-Digital-Umsetzer bereitzustellen, der aus den analog eingespeicherten Ladungspaketen deren Informationsgehalt in digitaler Form zurückgewinnt. The object of the present invention is, inter alia, for the output circuit of Multi-Level-Storage-Charge Transport Storage (MLS-CCD) an analog-digital converter to provide the information content of the charge packets stored in the analogue recovered in digital form.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein Analog-Digital-Umsetzer gemäß der Erfindung derart ausgebildet, daß eine vorgegebene Ladung mittels eines ersten Taktes in einem ersten Ladungsteiler in eine kleinere Grundladung und eine größere Vergleichsladung-aufgeteilt und unter ersten und zweiten Speicherelektroden getrennt gespeichert wirdr daß anschließend mittels eines zweiten Taktes die Grundladung aus der ersten Speicherelektrode über eine zweite Speicherelektrode in eine dritte Speicherelektrode geschoben wird, daß gleichzeitig die Vergleichs ladung aus der zweiten Speicherelektrode mittels eines zweiten symmetrischen Ladungsteilers in zwei gleiche Teilladungen aufgespalten wird und unter vierten und fünften Speicherelektroden getrennt gespeichert wird, daß anschließend mittels eines dritten Taktes die Grund ladung aus der dritten Speicherelektrode in einer weiteren Zwischenspeicherelektroe mit der einen Teilladung aus der vierten Speicherelektrode vermischt wird und als Referenzladung in einer über ein leitendes Diffussionsgebiet mit dem nichtinvertierenden Eingang einer ersten Bewerterschaltung verbundenen sechsten Speicherelektrode bereitgehalten wird, daß gleichzeitig die andere Teilladung aus der fünften Speicherelektrode mittels eines dritten symmetrischen Ladungsteilers in zwei gleiche Teilladungen aufgespalten wird und unter siebten und achten Speicherelektroden getrennt gespeichert wird, daß gleichzeitig über eine weitere Zwischenspeicherelektrode aus einer mit ihr gekoppelten Ladungstransportspeicherschleife die zu bewertende Informationsladung übernommen wird und in einer über ein leitendes Diffusionsgebiet mit dem invertierenden Eingang einer ersten Bewerterschaltung verbundenen neunten Speicherelektrode bereitgehalten wird, daß anschließend in der Pause zwischen dem dritten Takt und einem vierten Takt der erste Potentialvergleich zwischen den mit der sechsten Speicherelektrode und der neunten Speicherelektrode verbundenen Diffusionsgebieten von der ersten Bewerterschaltung ausgeführt und das Ergebnis als Anzeige nach außen abgegeben wird, daß anschließend während des vierten Taktes die Verschiebeelektroden von den siebten und achten Speicherelektroden zu den folgenden Zwischenspeicherelektroden entsprechend dem Ergebnis des Potentialvergleichs mit dem Potential des Taktes oder mit Nullpotential beaufschlagt werden daß.demnach mittels des vierten Taktes in Vorbereitung zu einem zweiten Potentialvergleich die Referenzladung aus der sechsten Speicherelektrode in einer weiteren Zwischenspeicherelektrode entweder mit der einen Teilladung aus der siebten Speicherelektrode vermischt wird oder unverändert bleibt und jedenfalls als reine Referenzladung in einer über ein, leitendes Diffusionsgebiet mit dem nichtinvertierenden Eingang einer zweiten Bewerterschaltung verbundenen zehnten Speicherelektrode bereitgehalten wird, daß gleichzeitig die Teilladung aus der siebten Speicherelektrode im zweiten Fall mittels eines vierten symmetrischen Ladungsteilers in zwei gleiche Teilladungen aufgespalten wird und unter elften und zwölften Speicherelektroden getrennt gespeichert wird, daß gleichzeitig die Teilladung aus der achten Speicherelektrode entweder mittels des vierten symmetrischen Ladungsteilers in zwei gleiche Teilladungen aufgespalten wird und unter elften und zwölften Speicherelektroden getrennt gespeichert wird oder unverändert in einer weiteren Zwischenspeicherelektrode als Zusatzladung mit der Informationsladung aus der neunten Speicherelektrode vermischt wird und als neue Informationsladung in einer über ein. leitendes Diffusionsgebiet mit dem invertierenden Eingang einer zweiten Bewerterschaltung verbundenen dreizehnten Speicherelektrode bereitgehalten wird, daß gleichzeitig die Informationsladung aus der neunten Speicherelektrode im ersten Fall unverändert bleibt und über die Zwischenspeicherelektrode in besagte dreizehnte Speicherelektrode geschoben wird, und daß sich dieser Vorgang entsprechend der Anzahl der zu bewertenden Bitstellen fortschreitend wiederholt. To solve this problem, an analog-to-digital converter is according to the invention designed such that a predetermined charge by means of a first Clock in a first charge divider into a smaller basic charge and a larger one Comparative charge-split and separated between first and second storage electrodes The basic charge is then stored by means of a second cycle from the first storage electrode via a second storage electrode into a third Storage electrode is pushed that at the same time the comparison charge from the second storage electrode by means of a second symmetrical charge divider in two equal partial charges are split and under fourth and fifth storage electrodes is stored separately that then by means of a third clock the reason charge from the third storage electrode in a further intermediate storage electrode is mixed with a partial charge from the fourth storage electrode and as Reference charge in one via a conductive diffusion area with the non-inverting one Receipt of a first Evaluation circuit connected sixth storage electrode is kept ready that at the same time the other partial charge from the fifth storage electrode by means of a third symmetrical charge divider into two equal partial charges is split up and stored separately under seventh and eighth storage electrodes is that at the same time via a further intermediate storage electrode from one with its coupled charge transport storage loop the information charge to be evaluated is taken over and in one via a conductive diffusion area with the inverting one Ninth storage electrode connected to the input of a first evaluation circuit is that then in the pause between the third measure and a fourth Clock the first potential comparison between those with the sixth storage electrode and diffusion regions connected to the ninth storage electrode from the first The evaluation circuit is carried out and the result is given as a display to the outside world, that then during the fourth cycle, the displacement electrodes of the seventh and eighth storage electrodes corresponding to the following intermediate storage electrodes the result of the potential comparison with the potential of the clock or with zero potential are acted upon dass.demnach by means of the fourth measure in preparation for a second potential comparison, the reference charge from the sixth storage electrode in a further intermediate storage electrode either with the one partial charge the seventh storage electrode is mixed or remains unchanged and in any case as a pure reference charge in one via a conductive diffusion area with the non-inverting one Tenth storage electrode connected to the input of a second evaluation circuit held ready that at the same time the partial charge from the seventh storage electrode in the second case by means of a fourth symmetric charge divider into two equal Partial charges are split up and under eleventh and twelfth storage electrodes is stored separately that at the same time the partial charge from the eighth storage electrode either by means of the fourth symmetrical charge divider into two equal partial charges is split up and stored separately under eleventh and twelfth storage electrodes is or unchanged in a further intermediate storage electrode as an additional charge is mixed with the information charge from the ninth storage electrode and as a new information load in one over one. conductive diffusion area with the thirteenth storage electrode connected to the inverting input of a second evaluation circuit is kept ready that at the same time the information charge from the ninth storage electrode remains unchanged in the first case and via the intermediate storage electrode in said thirteenth storage electrode is pushed, and that this process changes accordingly the number of bit positions to be evaluated is repeated progressively.

Zum Betrieb der betreffenden CCD-Anordnungen werden allein die üblichen Betriebstakte verwendet, wie sie für z.B.Only the usual ones are used to operate the relevant CCD arrangements Operating cycles used as they are for e.g.

ein 2-Phasen-oder ein 1-Phasen-CCD nötig sind. Es können ferner abgestufte Ladungsmengen bewertet werden, die z.B.a 2-phase or a 1-phase CCD are necessary. It can also be graduated Charge quantities are assessed, e.g.

auch unter der Ladungs-Speicherkapazität Q der Elementarzellen eines Ladungstransportspeichers minimaler Abmessungen bleiben.also below the charge storage capacity Q of the unit cells Charge transport storage of minimal dimensions remain.

Die Anordnung nach der Erfindung ist -abgesehen von einer im MLS-CCD-Anwendungsfall je einmal nötigen Elektrode zum Bereitstellen einer Referenzladung QQ - ~ vorteilhafterweise nicht den Bedingungen minimaler Geometrie unterworfen, wie sie im Ladungstransportspeicher selbst herrschen.The arrangement according to the invention is - apart from one in the MLS-CCD application each electrode required once to provide a reference charge QQ - ~ is advantageous not subject to the conditions of minimum geometry as they are in charge transport storage rule yourself.

Das Verfahren ist jedoch nicht auf die Verarbeitung von Minimalladungen beschränkt Bei entsprechend großer Auslegung können Ladungsmengen beliebiger Größe verarbeitet werden.The procedure, however, is not limited to the processing of minimal charges limited With a correspondingly large design, charges of any size can be used are processed.

Es werden keinerlei Ladungssubtraktionen ausgeführt, die zu unerwünschten Streuungen führen können und in Ladungstransportanordnungen nur langsam ablaufen.No charge subtractions are carried out that would lead to undesired Can lead to scattering and occur only slowly in charge transport arrangements.

Bis auf eine allen Aufteilungen vorangehende Abspaltung einer in jeder Ladungstransportanordnung nötigen kleinen Grundladung QFZ (Fat Zero), die nicht genau bestimmt, jedoch reproduzierbar sein muß, verlaufen sämtliche Aufteilungen vorteilhafterweise im Verhältnis 1:1, was durch symmetrisch angeordnete CCD-Kanäle einfach und genau zu erreichen ist. Alle Verschiebungen geschehen unter dem Einfluß der angelegten Takte in bekannter Weise in einer Richtung..Jede von informationsbestimmten Ladungen berührte Elektrode enthält zu jedem Zeitpunkt mindestens die Grundladung QFZ (vollständiger Grundladungsbetrieb!).Except for a split-off preceding all divisions, one in each Charge transport arrangement required small basic charge QFZ (Fat Zero), which is not precisely defined, but must be reproducible, all subdivisions run advantageously in a ratio of 1: 1, which is achieved by symmetrically arranged CCD channels can be reached easily and precisely. All shifts happen under the influence of the applied clocks in a known way in one direction. Each of information-determined Electrode that is in contact with charges contains at least the basic charge at all times QFZ (complete basic charge operation!).

Der Umsetzer arbeitet im Pipeline-Verfahren, indem die Ladungen nacheinander vollkommen gleichartige- d.h auch geometrisch gleich große - Stufen durchlaufen. Der Breite q des Bitmusters entspricht die Anzahl q der in jedem Zeitschritt bearbeiteten Ladungsmengen. Demnach ist die Datenrate (hier Produkt aus Taktfrequenz und Breite des Bitmusters) vergleichsweise hoch.The translator works in a pipeline process, adding the loads one at a time completely identical - i.e. also geometrically the same size - steps through. The width q of the bit pattern corresponds to the number q processed in each time step Charge quantities. Accordingly, the data rate is (here the product of the clock frequency and width of the bit pattern) is comparatively high.

Im Analog-Digital-Umsetzer wird keine Referenzspannung benötigt Es wird stattdessen genau einmal pro Zeitschritt und damit pro zu bearbeitender Ladungsmenge eine Referenzladung Qr bereit-gestellt, die der in der Minimalelektrode zu speichernden Ladungsmenge Q entsprechen kann.No reference voltage is required in the analog-digital converter Es is instead exactly once per time step and therefore per charge quantity to be processed a reference charge Qr is provided, the one to be stored in the minimum electrode Charge amount Q can correspond.

Die zum Analog-Digital-Umsetzer gehörigen Bewerterschaltungen müssen in der Lage sein, nicht zerstörend eine Spannungsdifferenz zu erkennen, wie sie einer Ladungsdifferenz von Q/2 q+1 entspricht, wenn q die Breite des Bitmusters (a1a2 ...aq) ist.The evaluation circuits belonging to the analog-digital converter must be able to detect a voltage difference as they are not destructive corresponds to a charge difference of Q / 2 q + 1 if q is the width of the bit pattern (a1a2 ... aq) is.

Ein weiterer Vorteil des beschriebenen Umsetzers ist es, durch Beschalten von außen die Breite q des Bitmusters von einem - dem Ausbau der Anordnung entsprechenden -Maximalwert schrittweise herabsetzen zu können. Wenn z.B.Another advantage of the converter described is by wiring from the outside the width q of the bit pattern of one - corresponding to the expansion of the arrangement - To be able to reduce the maximum value step by step. If e.g.

die Empfindlichkeit der Bewerterschaltung nicht ausreicht oder der Störpegel zu hoch ist, kann je zurückgenommene Bitstelle die notwendige Empfindlichkeit um den Faktor 2 vermindert werden.the sensitivity of the evaluation circuit is insufficient or the If the interference level is too high, the necessary sensitivity can be achieved for each bit position that is withdrawn can be reduced by a factor of 2.

Insbesondere läßt sich der Analog-Digital-Umsetzer derart ausbilden, daß er sieben Reihen von parallel verlaufenden kettenförmigen hintereinander liegenden Speicherelektroden enthält, daß bei einer Bitmusterbreite von q Bits die erste, fünfte, sechste und siebte Reihe aus (q+1) Speicherelektroden und die zweite bis vierte Reihe aus (q+2) Speicherelektroden besteht, daß die Speicherelektroden der ungeradzahligen Reihen mit einer ersten Spannungsquelle, die eine Gleichspannung liefert, und die Speicherelektroden der geradzahligen Reihen mit einer zweiten Spannungsquelle, die eine Taktspannung liefert, verbanden sind, daß die Ladungen der Speicherelektroden der einzelnen Reihen über von außen steuerbare Verschiebeelektroden, die zwischen den Speicherelektroden der einzelnen Reihen liegen, entsprechend eines vorgegebenen Taktprogrammes zu den Speicherelektroden der benachbarten Reihen verschiebbar sind, daß jede Speicherelektrode der ersten Reihe von je zwei Verschiebeelektroden beeinflußbar ist, wobei die jeweils ersten Verschiebeelektroden mit der ersten Spannungsquelle und die jeweils zweiten Verschiebeelektroden mit der zweiten Spannungsquelle verbunden sind, daß die jeweils ersten zugehörigen Verschiebeelektroden der Speicherelektroden der ersten Reihe jeweils gleich große Verschiebekanäle zu den ersten (q+1) Speicherelektroden der zweiten Reihe herstellen, daß die zweiten zugehörigen Verschiebeelektroden der ersten Reihe jeweils Ladungsverschiebekanäle zu den letzten (q+1) Speicherelektroden der zweiten Reihe herstellen, daß die q letzten Speicherelektroden der ersten Reihe außerdem leitende Diffusionsgebiete mit schwebendem Potential aufweisen, die mit ersten Eingabeknoten von q Bewertungsschaltungen verbunden sind, daß zwischen Speicherelektroden der zweiten und der dritten Reihe ebenfalls Verschiebeelektroden angeordnet sind, daß jede Verschiebeelektrode einen gleich großen Ladungsverschiebekanal zwischen den jeweils benachbarten Speicherelektroden der zweiten und dritten Reihe freigibt, daß die Verschiebeelektroden zwischen den ersten beiden und den letzten Speicherelektroden der zweiten und dritten Reihe mit der zweiten Spannungsquelle und die Verschiebeelektroden zwischen den übrigen Speicherelektroden der zweiten und dritten Reihe mit den nichtinvertierenden Ausgängen der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß die letzte Speicherelektrode der zweiten Reihe über eine Verschiebeelektrode, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist, mit einer ersten Ladungssenke gekoppelt ist, daß zwischen der dritten und vierten Reihe der Speicherelektroden erste Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden sind, die Ladungsverschiebekanäle von allen Speicherelektroden der dritten Reihe zu allen Speicherelektroden der vierten Reihe beeinflussen, wobei der Ladungsverschiebekanal zwischen den beiden ersten Speicherelektroden dieser Reihen wesentlich kleiner ist als zwischen allen übrigen Elektroden, daß mit Ausnahme der ersten beiden und der letzten Speicherelektroden der dritten Reihe sowie der ersten beiden Speicherelektroden der vierten Reihe zwischen den Speicherelektroden dieser beiden Reihen weitere Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit den invertierenden Ausgängen der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß zwischen den beiden ersten Speicherelektroden der vierten und fünften Reihe der Speicherelektroden eine Verschiebeelektrode, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist, mit einem größeren Ladungsverschiebekanal als zwischen allen anderen Speicherelektroden liegt, daß zwischen der zweiten und dritten Speicherelektrode der vierten Reihe und den ersten beiden Speicherelektroden der fünften Reihe außerdem Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit der zweiten Spannungsquelle verbunden sind, daß ab der zweiten Speicherelektrode bis zur vorletzten Speicherelektrode der vierten Reihe und ab der zweiten Speicherelektrode der fünften Reihe zwischen den Speicherelektroden dieser Reihen Verschiebeelektroden liegen, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden sind, die Ladungsverschiebekanäle zwischen den entsprechenden Speicherelektroden steuern, daß außerdem beginnend mit der vierten Speicherelektrode der vierten und der dritten Speicherelektrode der fünften Reihe zwischen den Speicherelektroden weitere Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit den nichtinvertierenden Ausgängen der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß zwischen den Speicherelektroden der fünften und sechsten Reihe beginnend mit der dritten Speicherelektrode der fünften und der zweiten Speicherelektrode der sechsten Reihe und endend mit der letzten Speicherelektrode der fünften und der vorletzten Speicherelektrode der sechsten Reihe Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit den invertierenden Ausgängen der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß den Speicherelektroden der sechsten Reihe ferner Verschiebeelektroden zugeordnet sind, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden sind und die Ladungskanäle zu den Speicherelektroden der siebten Reihe steuern, wobei die letzte Speicherelektrode der sechsten Reihe einen Ladungsverschiebekanal zu einer zweiten Ladungssenke aufweist, daß den Speicherelektroden der sechsten Reihe weitere Verschiebeelektroden zugeordnet sind, die mit der zweiten Spannungsquelle verbunden sind, wobei die Verschiebeelektroden dieser Art Ladungsverschiebekanäle zu den Speicherelektroden der siebten Reihe beeinflussen, und daß die Speicherelektroden der siebten Reihe mit Ausnahme der ersten Speicherelektrode dieser Reihe außerdem leitende Diffusionsgebiete mit schwebendem Potential aufweisen, die mit den zweiten Eingabeknoten der q Bewerterschaltungen verbunden sind, und daß die erste Speicherelektrode der siebten Reihe über eine Verschiebeelektrode, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist, mit einer Ladungstransportspeicheranordnung, die zur Eingabe der Informationsladung dient, gekoppelt ist.In particular, the analog-to-digital converter can be designed in such a way that that he has seven rows of parallel chain-shaped one behind the other Storage electrodes contains that with a bit pattern width of q bits the first, fifth, sixth and seventh rows of (q + 1) storage electrodes and the second to fourth row consists of (q + 2) storage electrodes that the storage electrodes of the odd-numbered rows with a first voltage source which is a DC voltage supplies, and the storage electrodes of the even-numbered rows with a second voltage source, which supplies a clock voltage, are connected to the charges of the storage electrodes of the individual rows via externally controllable displacement electrodes between the storage electrodes of the individual rows lie, corresponding to a predetermined Clock program can be moved to the storage electrodes of the adjacent rows, that each storage electrode of the first row can be influenced by two displacement electrodes is, the respective first displacement electrodes with the first voltage source and the respective second displacement electrodes with the second voltage source are connected that the respective first associated displacement electrodes of the storage electrodes of the first row of the same size displacement channels to the first (q + 1) storage electrodes of the second row produce that the second associated displacement electrodes of the first row charge transfer channels to the last (q + 1) storage electrodes of the second row establish that the q last storage electrodes of the first row also have conductive diffusion areas with floating potential, which with first input node of q evaluation circuits that are connected between storage electrodes the second and third rows also have displacement electrodes, that each displacement electrode has an equally large charge displacement channel between releases the respective adjacent storage electrodes of the second and third row, that the shift electrodes between the first two and the last storage electrodes the second and third row with the second voltage source and the displacement electrodes between the remaining storage electrodes of the second and third row with the non-inverting ones Outputs of the first (q-1) evaluation circuits are connected to the last storage electrode the second row via a displacement electrode connected to the first voltage source is connected, is coupled to a first charge sink that between the third and first shift electrodes are arranged in the fourth row of the storage electrodes, which are connected to the first voltage source, the charge transfer channels of all storage electrodes of the third row to all storage electrodes of the fourth Affect row, with the charge transfer channel between the first two Storage electrodes of these rows is much smaller than between all the others Electrodes, that with the exception of the first two and the last storage electrodes the third row and the first two storage electrodes of the fourth row between the Storage electrodes of these two rows arranged further displacement electrodes are those to the inverting outputs of the first (q-1) evaluator circuits are connected that between the first two storage electrodes of the fourth and fifth row of storage electrodes, a displacement electrode that corresponds to the first Voltage source is connected, with a larger charge transfer channel than between all other storage electrodes lies between the second and third storage electrodes the fourth row and the first two storage electrodes of the fifth row as well Displacement electrodes are arranged, which are connected to the second voltage source are that from the second storage electrode to the penultimate storage electrode the fourth row and from the second storage electrode of the fifth row between the storage electrodes of these rows are shifting electrodes that correspond to the first Voltage source are connected, the charge transfer channels between the corresponding Storage electrodes control that also starting with the fourth storage electrode the fourth and third storage electrodes of the fifth row between the storage electrodes further displacement electrodes are arranged, which are connected to the non-inverting outputs of the first (q-1) evaluator circuits are connected that between the storage electrodes of the fifth and sixth row starting with the third storage electrode of the fifth and the second storage electrode of the sixth row and ending with the last Storage electrode of the fifth and the penultimate storage electrode of the sixth Row displacement electrodes are arranged, which are connected to the inverting outputs of the first (q-1) evaluator circuits are connected to the storage electrodes the sixth row are also associated with displacement electrodes that are associated with the first Voltage source are connected and the Charge channels to the storage electrodes control of the seventh row, the last storage electrode being the sixth row a charge transfer channel to a second charge sink that the storage electrodes the sixth row are assigned further displacement electrodes, which are associated with the second Voltage source are connected, the displacement electrodes of this type charge displacement channels to affect the storage electrodes of the seventh row, and that the storage electrodes the seventh row with the exception of the first storage electrode of this row as well Have conductive diffusion areas with floating potential, which with the second Input nodes of the q evaluation circuits are connected, and that the first storage electrode the seventh row via a displacement electrode connected to the first voltage source is connected to a charge transport storage arrangement which is used to input the Information charge is used, is coupled.

Die Bewerterschaltung läßt sich dabei als Flipflop ausbilden, dessen Signaleingänge die Torelektroden der Lasttransistoren bilden, wobei die Torelektroden als "Floating -gurtes" ausgebildet sind, die mit den "Floating-Diffusions verbunden sind, welche von den Informations- bzw. Vergleichsladungen beeinflußt werden Anhand der Ausführungsbeispiele nach den Figuren 1 bis 4 wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen: Fig.1 das schematische Schaltbild des Analog-Digital-Umsetzers, Fig.2 eine Bewerterschaltung für den Analog-Digital-Umsetzer, Fig.3 das Taktdiagramm für die Bewerterschaltung, Fig.4 Einzelheiten einer Speicherzelle mit Floatinggate.The evaluation circuit can be designed as a flip-flop, its Signal inputs form the gate electrodes of the load transistors, the gate electrodes are designed as "floating belts", which are connected to the "floating diffusion" which are influenced by the information or comparison charges The invention is explained in more detail in the exemplary embodiments according to FIGS. 1 to 4. They show: FIG. 1 the schematic circuit diagram of the analog-digital converter, FIG. 2 an evaluation circuit for the analog-digital converter, Fig.3 the timing diagram for the evaluation circuit, FIG. 4 details of a memory cell with floating gate.

In den folgenden schematischen Darstellungen werden die Elektroden der Ladungstransportelektroden in symbolischer Form dargestellt. Große Rechtecke bedeuten Speicherelektroden, die mindestens die Ladungsmenge Q speichern können. Dabei ist Q durch die Ladungsspeicherkapazität eines Ladungstransportspeichers minimaler Geometrie vorgegeben.In the following schematic representations the electrodes of the charge transport electrodes shown in symbolic form. Big rectangles mean storage electrodes that can store at least the amount of charge Q. Q is minimal due to the charge storage capacity of a charge transport store Geometry given.

Kleine Rechtecke bedeuten Verschiebeelektroden. Sie geben einen Ladungsverschiebeweg in Richtung auf die mit ihr verbundene Speicherelektrode frei Bei von außen steuerbarenVerschiebeelektroden wird der Weg genau dann freigegeben, wenn benachbarte Speicherelektroden und Verschiebeelektroden gleichzeitig mit demselben Potential beaufschlagt sind.Small rectangles mean displacement electrodes. They give a load transfer path in the direction of the storage electrode connected to it free With externally controllable displacement electrodes the path is released exactly when adjacent storage electrodes and displacement electrodes are simultaneously acted upon with the same potential.

Zur Veranschaulichung wird eine 1-Phasen-Betriebsweise zugrundegelegt. o bedeutet eine mittlere Gleichspannung ist ein Spannungstakt, der Werte zwischen 0 und rund 2o annimmt. Während 01 angelegt ist, werden Ladungen unter den mit 1 verbundenen Elektroden gespeichert. Wird abgeschaltet, werden die Ladungen über die mit verbundenen Verschiebeelektroden.in die mit verbundenen Speicherelektroden geschoben. Steigt 1 wieder an, werden die Ladungen aus den mit O verbundenen Speicherelektroden in die mit 1 verbundenen Speicherelektroden übernommen, wenn die dazwischenliegenden Verschiebeelektroden ebenfalls mit 1 verbunden sind oder gleichzeitig von außen mit einem gleich großen Potential beaufschlagt werden. Verschiebeelektroden auf Nullpotential sperren den Verschiebeweg.A 1-phase mode of operation is used as a basis for illustration. o means an average DC voltage is a voltage pulse, the values between 0 and around 2o. While 01 is applied, charges under the 1 connected electrodes. If switched off, the charges are over the shift electrodes connected to the storage electrodes connected to pushed. If 1 rises again, the charges from the storage electrodes connected to O become taken over into the storage electrodes connected to 1, if the intermediate ones Shift electrodes are also connected to 1 or at the same time from the outside be applied with an equally large potential. Shift electrodes on Zero potential block the displacement path.

Das Verfahren wird im folgenden an einer Anordnung nach Fig.1 zum Bewerten einer Informationsladung QX ~ Q beschrieben, die sechzehn äquidistante Werte annehmen kann, deren Informationsgehalt also'4bit ist: Wie sich aus der periodischen Struktur der Anordnung ergibt, ist das Verfahren jedoch nicht auf diese Bitmusterbreite (q=4) festgelegt Durch Verlängern der Anordnung kann eine größere Bitmusterbreite verarbeitet werden, durch Verkürzen eine geringere. Außerdem kann jede Anordnung auch mit einer Breite po q betrieben werden, die geringer ist, als dem Ausbau entspricht, indem nur die gewünschten perststelligen Bits beachtet werden.The method is described below using an arrangement according to FIG. As can be seen from the periodic structure of the arrangement, however, the method is not restricted to this bit pattern width (q = 4). A larger bit pattern width can be processed by lengthening the arrangement and a smaller one by shortening it. In addition, each arrangement can also be operated with a width po q which is less than that corresponding to the configuration, in that only the desired permanent-digit bits are taken into account.

Aus einer Ladungseinschreibstufe der üblichen Art, die nicht eigens dargestellt ist, übernimmt die mit 1 verbundene Speicherelektrode 10 bei einem ersten Einschalten des Taktes 1 eine Ladungsmenge Qr(1)= Q.From a charge registration level of the usual type, which is not specifically is shown, the storage electrode 10 connected to 1 takes over in a first Switching on the cycle 1 an amount of charge Qr (1) = Q.

Falls der hier beschriebene Analog-Digital-Umsetzer am Ausgang einer Ladungstransport-Speicherschleife angeordnet ist, an deren Eingang sich ein in der Patentanmeldung P....... beschriebener Digital-Analog-Umsetzer befindet, kann Qr entsprechend den Verschiebeverlusten beim Durchlauf dieser Speicherschleife - gegenüber der Eingabeladung des Digital-Analog-Umsetzers mittels' geeigneter Ladungsaufspaltung vermindert werden.If the analog-to-digital converter described here is at the output of a Charge transport storage loop is arranged, at the entrance of which there is a in the Patent application P ....... described digital-to-analog converter is located, Qr corresponding to the shift losses when passing through this storage loop - opposite the input charge of the digital-to-analog converter by means of suitable charge splitting be reduced.

Beim Abschalten des Taktes 1 stehen der Ladung Qr(1) zwei Wege in die mit verbundenen Elektroden 11 und 12 offen. Diese Verschiebewege sind unterschiedlich breit ausgelegt. Deswegen geht nur ein Bruchteil Q(1) 4 Q ( 1 ) FZ r (z.B. QFZ Qr/8) in die Elektrode 11 über (Grundladung), während der Hauptanteil (1) in die Elektrode 12 gescho-5 ben wird. Nach diesem ersten Takt Q1 kann somit folgende Bilanz notiert werden: wobei der obere Index die Ordnungsnummer des Taktes kennzeichnet, währenddessen die Ladungsmenge bemessen wurde, und der untere Index an der Klammer die Elektrode bezeichnet, unter der sich die Ladungen befinden Während des Anstiegs zum nächsten-zweiten-Takt 01 wird Q(1) unverändert aus der Elektrode 11 in die Elektrode 23 übernommen. (1) gelangt ebenfalls unverändert aus 12 nach 20. Beim Abschalten von 1 gelangt Q§) weiterhin unverändert nach 25, während die Ladung Q5 ) aus der Elektrode 20 auf vollkommen symmetrisch ausgelegten Verschiebewegen zu gleichen Teilen in die Elektroden 21 und 22 abfließt..When cycle 1 is switched off, the charge Qr (1) has two paths into the electrodes 11 and 12 connected to it. These displacement paths are designed to be of different widths. Therefore only a fraction of Q (1) 4 Q (1) FZ r (eg QFZ Qr / 8) is transferred to electrode 11 (basic charge), while the main part (1) is pushed into electrode 12. After this first measure Q1, the following balance can be noted: The upper index identifies the order number of the cycle during which the amount of charge was measured, and the lower index on the brackets indicates the electrode under which the charges are located.During the increase to the next-second cycle 01, Q (1) remains unchanged of the electrode 11 taken over into the electrode 23. (1) also goes unchanged from 12 to 20. When switching off 1, Q§) continues unchanged to 25, while the charge Q5) from the electrode 20 flows in equal parts into the electrodes 21 and 22 on completely symmetrical displacement paths.

Nach dem zweiten Takt 1 kann somit über die im ersten Takt in die Anordnung eingegebene Ladung Qr(1) folgende Bilanz notiert werden: über die während dieses zweiten Taktes 1 von Elektrode 10 übernommene Ladung Qr2) kann,- entsprechend zum oben Beschriebenen - notiert werden: Während des Anstiegs zum dritten Takt 1 wird Q(z) aus der Elektrode 25 entnommen und in der Elektrode 33 mit der Ladung QS(2) /2 aus der Elektrode 21 vermischt, während die andere Ladung Q(2) /2 unverändert in die Elektrode 30 übergeht. Gleichzeitig übernimmt die Elektrode 34 aus der dort angeschlossenen Ladungstransport-Speicher-Schleife die hier jedoch nur durch deren beiden letzten Speicherelektroden 24 und 26 angedeutet ist, die zu bewertende Informationsladung Q Während des Abschaltens des dritten Taktes 1 spaltet sich die in der Elektrode 30 befindliche Ladung symmetrisch auf die Elektroden 31 und 32 auf Gleichzeitig gehen die Ladungen aus 33 unverändert nach 35 und die aus 34 unverändert nach 36 über Dann gilt: Während der nun folgenden Taktpause von 1 wird die erste Bewertung ausgeführt, die über das erststellige Bit a(3) (3) der Informationsladung Q(3) entscheidet. Dazu sind an den Ladungstransportkanal unter den O-Elektroden 35 und 36 leitende Gebiete (Floating-Diffusions) angeschlossen, die mit den Eingabeknoten einer ersten Flipflop-Schaltung FF1 verbunden sind. Die Einzelheiten dieser Schaltung werden in Fig.2 und 4 im einzelnen erläutert. Hier wird nur benutzt, daß die Schaltung FF1 erkennt, ob die Ladung unter 36 größer (a1=1) oder kleiner (a1=0) als die unter 35 ist, und daß die mit FF1 verbundenen Leitungen Al und Al während des folgenden Taktes 1 durch ihren Zustand nach außen anzeigen, ob a1=1 oder a1=0, was sich in A1=H, A1=L oder A1=L, A1=H z.eigt.After the second cycle 1, the following balance can be noted for the charge Qr (1) entered into the arrangement in the first cycle: The charge Qr2) taken over by electrode 10 during this second cycle 1 can be noted - in accordance with what has been described above: During the rise to the third clock 1, Q (z) is taken from the electrode 25 and mixed in the electrode 33 with the charge QS (2) / 2 from the electrode 21, while the other charge Q (2) / 2 is transferred unchanged to the Electrode 30 passes over. At the same time, the electrode 34 takes over the information charge Q to be assessed from the charge transport storage loop connected there, which is only indicated here by its two last storage electrodes 24 and 26 symmetrically on the electrodes 31 and 32 at the same time the charges from 33 pass unchanged to 35 and those from 34 unchanged after 36 then applies: During the clock pause of 1 that now follows, the first evaluation is carried out, which decides on the first-digit bit a (3) (3) of the information load Q (3). For this purpose, conductive areas (floating diffusions) are connected to the charge transport channel under the O-electrodes 35 and 36 and are connected to the input nodes of a first flip-flop circuit FF1. The details of this circuit are explained in detail in FIGS. It is only used here that the circuit FF1 recognizes whether the charge under 36 is greater (a1 = 1) or less (a1 = 0) than that under 35, and that the lines A1 and A1 connected to FF1 during the following cycle 1 their state indicates to the outside whether a1 = 1 or a1 = 0, which tends towards A1 = H, A1 = L or A1 = L, A1 = H z.

Nach dem dritten Takt 1 werden folgende Ladungen verglichen: Elektrode 35: Qref1 QFZ +QS/2 Elektrode 36: Die Differenzbildung 4 QX-Q,,f1 Qs /2 + (2+i)/2i 1/2) QXref1 - 5((a(3) - 1) /2 + i=2 a1 + 5 zeigt, daß QX um mindestens Qs/25 größer ist als Qref1, wenn a1 = 1, und um mindestens QS/25 kleiner ist als Qref1, wenn a1 = 0.After the third cycle 1, the following charges are compared: Electrode 35: Qref1 QFZ + QS / 2 Electrode 36: The difference formation 4 QX-Q ,, f1 Qs / 2 + (2 + i) / 2i 1/2) QXref1 - 5 ((a (3) - 1) / 2 + i = 2 a1 + 5 shows that QX is at least Qs / 25 greater than Qref1 when a1 = 1 and at least QS / 25 less than Qref1 when a1 = 0.

Während des nächstfolgenden - vierten-Anstiegs von werden die mit Al bzw. A1 verbundenen Verschiebeelektroden dieser Entscheidung gemäß mit einem 1 entsprechenden Potential beaufschlagt, was abhängig vom Wert a1 der ersten Bitstelle eine Vergrößerung der Referenzladung Qref1 um Q5/2² (a1 = 1) oder eine Vergrößerung der Informationsladung um die Zusatzladung Qzus2 = Q5/22 (a1 = O) zur Folge hat. Folgende Bilanz kann für den Zustand nach dem Abschalten des vierten Taktes 1 angeschrieben werden: In der folgenden Taktpause 1 werden zur Feststellung der zweiten Bitstelle a24) die Ladungen Qref2 in Elektrode a2 45 und QX + Qzus2 in Elektrode 46 verglichen: Die Differenzbildung nach dem vierten Takt , zeigt, daß QX+Qzus2 um mindestens Qs/25 größer ist als Qref2, wenn a2=1, und Qs/25 kleiner ist als Qref2' wenn a2=0.During the next - fourth rise of, the displacement electrodes connected to Al or A1 are acted upon with a potential corresponding to 1 in accordance with this decision, which, depending on the value a1 of the first bit position, increases the reference charge Qref1 by Q5 / 2² (a1 = 1) or an increase in the information charge by the additional charge Qzus2 = Q5 / 22 (a1 = O). The following balance can be written for the status after switching off the fourth cycle 1: In the following clock pause 1, the charges Qref2 in electrode a2 45 and QX + Qzus2 in electrode 46 are compared to determine the second bit position a24): The formation of the difference after the fourth measure, shows that QX + Qzus2 is at least Qs / 25 greater than Qref2 when a2 = 1 and Qs / 25 is less than Qref2 'when a2 = 0.

In gleicher Weise werden nach dem fünften und sechsten Takt 1 die Bitstellen a3 und a4 bestimmt. Während des Anstiegs zum sechsten Takt 1 wird die Ladung Q55/24 zwar noch mittels des Taktes an A3 bzw. A3 aus der Elektrode 51 bzw 52 in die Elektrode 60 übernommen, dann jedoch nach Abschalten des Taktes 1 vollständig nach Elektrode 61 verschoben. Ein folgender siebter Takt ist nur noch dazu nötig, die Referenzladung Qref4 4 aus Elektrode 65 und die Restladung QS/24 aus Elektrode 61 nach Elektrode 73 und die Summe aus Informationsladung Qx und Zusatzladung zus4 aus Elektrode 66 nach Elektrode 74 zu übernehmen, aus denen sie dann mit Abschalten von 1 in die Ladungssenken 75 bzw. 76 abfließen.In the same way, after the fifth and sixth bar 1, the Bit positions a3 and a4 are determined. During the ascent to the sixth measure 1, the Charge Q55 / 24 by means of the clock at A3 or A3 from the electrode 51 or 52 taken over into the electrode 60, but then completely after switching off the cycle 1 moved to electrode 61. A following seventh bar is only necessary to the reference charge Qref4 4 from electrode 65 and the remaining charge QS / 24 from electrode 61 to electrode 73 and the sum of information charge Qx and additional charge plus 4 to take over from electrode 66 to electrode 74, from which they then switch off flow from 1 into the charge sinks 75 and 76, respectively.

Nach Abschluß des Bewertungsvorganges ist keine Ladung mit dem Informationsgehalt der Eingabeladung QX mehr vorhanden. Zum Wiedereinschreiben der Information in eine eventuell vorhandene Ladungstransportschleife müssen die jeweils an den Leitungen A. und A. anstehen-1 1 den Signale ausgenutzt werden Bemerkenswert ist, daß sämtliche Anteile der Referenzladung Reif4 sowie der Zusatzladung zus4 aus ein und derselben Vergleichs ladung Qr herrühren und aus dieser - bis auf die Abspaltung von QFZ - allein durch symmetrisches Ladungsteilen gewonnen wurden. Bei den notwendigen Differenzbildungen sind diese Ladungsteile demnach nicht durch unterschiedliche Streuungen belastet.After completion of the evaluation process there is no charge with the information content the input charge QX is longer available. To rewrite the information in a Any existing charge transport loops must be attached to the lines A. and A. pending-1 1 the signals are used. It is noteworthy that all Portions of the reference charge Reif4 and the additional charge add4 from one and the same Comparison charge Qr originate and from this - except for the splitting off of QFZ - obtained by symmetrical charge sharing alone. With the necessary difference formations these parts of the load are therefore not burdened by different scattering.

Die einzelnen Bitstellen der Informationsladung Qx wurden jeweils nach den Takten 01 mit den Ordnungszahlen 3 bis 6 gewonnen, was der zeitlichen Abfolge bei der Eingabe der zugehörigen Ladungsanteile entspricht, wenn sich am Eingang der Ladungstransportspeicherschleife ein in der Patentanmeldung beschriebener Digital-Analog-Umsetzer befindet. Nach jedem einzelnen Takt 1 werden jeweils in den vier Bewerterschaltungen FF1 bis FF4 vier Vergleiche an vier verschiedenen Ladungen aus vier verschiedenen in Ladungstransportrichtungen aufeinanderfolgenden Eingabeladungen parallel ausgeführt ("Pipe-Lining").The individual bit positions of the information load Qx were each after bars 01 with ordinal numbers 3 to 6 won what the time sequence when entering the associated charge proportions corresponds if there is at the input of the charge transport storage loop, a digital-to-analog converter described in the patent application is located. After each individual cycle 1 are in each case in the four evaluation circuits FF1 to FF4 four comparisons on four different loads from four different ones Consecutive input charges carried out in parallel in charge transport directions ("Pipe lining").

Als Bewerter für den beschriebenen Analog-Digital-Umsetzer eignet sich ein Differenzbewerter. Fig.2 zeigt vorteilhafterweise ein Flipflop FF mit Eingängen an den States der Lasttransistoren M1 uni' M2.Solche FF-Bewerter sind Stand der Technik für CCD-Speicher mit Referenzerzeugung mittels Dummy-CCD.Suitable as an evaluator for the analog-digital converter described a difference evaluator. FIG. 2 advantageously shows a flip-flop FF with inputs on the states of the load transistors M1 and M2. Such FF evaluators are state of the Technology for CCD memories with reference generation using a dummy CCD.

Bei der Auswahl und Dimensionierung sind hier jedoch einige Besonderheiten zu beachten: Da hier die zu vergleichenden Ladungen in den folgenden Stufen des Umsetzers erneut benötigt werden, muß das Bewerten nichtzerstörend erfolgen. Dies ist durch Verwendung von "Floating-Gates" (FG) oder "Floating-Diffusions" (FD) möglich.However, there are some special features in the selection and dimensioning Please note: Since the charges to be compared in the following stages of the Converter are needed again, the evaluation need not be destructive. this is possible by using "floating gates" (FG) or "floating diffusions" (FD).

Die Zeitsteuerung des Analog-Digital-Umsetzers ist so, daß in den Taktpausen von 1 bewertet wird und daß das Ergebnis dieser Bewertung noch vor Beendigung der Pause zur Verfügung stehen muß Denn die Verschiebeelektroden Ai und A7 (vgl Fig.1) müssen mit ansteigendem Takt richtig gesetzt werden.The timing of the analog-to-digital converter is such that in the Cycle pauses of 1 is evaluated and that the result of this evaluation before completion the pause must be available because the displacement electrodes Ai and A7 (cf. Fig. 1) must be set correctly with increasing cycle.

Die Zeitspanne "#1 auf H", während der die abzufühlenden Elektroden keine Ladung enthalten, ist deshalb kurz (Fig.3).The period "# 1 on H" during which the electrodes to be sensed contain no charge, is therefore short (Fig. 3).

FG-Bewerter brauchen Vorladetransistoren, die während dieser Zeit getaktet werden müssen Ein solcher Vorladetakt ist bei den üblichen Betriebsfrequenzen der CCD-Speicher nur schwer im Taktprogramm unterzubringen. Es wird deshalb hier mittels "Floating-Diffusions" Ein solches Diffusionsgebiet FD ist bei möglichst geringer Kapazität mit der abzufühlenden Speicherelektrode leitend verbunden (Fig 4).FG evaluators need precharge transistors during this time must be clocked Such a pre-charging clock is at the usual operating frequencies the CCD memory is difficult to accommodate in the clock program. It is therefore here by means of "floating diffusion" Such a diffusion region FD is possible at low capacitance conductively connected to the storage electrode to be sensed (Fig 4).

Bei Verwendung eines FD in Verbindung mit einem Flipflop ist darauf zu achten, daß das Setzen und Rücksetzen der folgenden Stufen (FF-Knoten und Bewerter-Endstufen) keine Rückwirkung auf die wegen ihrer kleinen Kapazität besonders empfindlichen FD-Gebiete hat. Die in Figur 2 gezeigte Schaltung erfüllt diese Forderung. Sie wird betrieben durch die Takte 1' 2' T3 und T5, deren Zeitläufe in Fig. 3 dargestellt sind. An FD stellt sich ohne Ladung unter der Elektrode G ein Potential ein, das um eine Schwellspannung unter dem der Elektrode G liegt (vgl.Fig.4). Das Potential O der Elektrode G wird vorteilhafterweise konstant auf etwa halber Taktspannung 01 (rd. 5V) gehalten (1-Phasen-Betrieb). Damit ergibt sih für das Potential an FD ein Wert von rd. 1,8 V. Beim Eintreffen von Ladungen unter G wird dieser Wert weiter abgesenkt. Damit das angeschlossene FF'noch ausreichend schnell reagiert, müssen für die Transistoren Ml und M2 "Normally-On-Typen" gewählt werden. Der Ausgang Ai ist etwas kräftiger als der Ausgang A. dimen-1 1 sioniert, damit an ihn ein Ausgangsverstärker angeschlossen werden kann (Fig.2).When using an FD in conjunction with a flip-flop it is important Make sure that the setting and resetting of the following levels (FF nodes and evaluator output stages) no repercussions on the particularly sensitive because of their small capacity Has FD territories. The circuit shown in Figure 2 meets this requirement. she will operated by the clocks 1 '2' T3 and T5, the timing of which is shown in FIG are. Without a charge, a potential is established at FD under electrode G, which by a threshold voltage below that of electrode G (see Fig. 4). The potential O of the electrode G is advantageously constant at approximately half the clock voltage 01 (approx. 5V) held (1-phase operation). This results in the potential at FD a value of around 1.8 V. When charges below G arrive, this value increases lowered. In order for the connected FF 'to react sufficiently quickly, for the transistors Ml and M2 "normally-on types" can be selected. The exit Ai is a bit more powerful than output A. Dimen-1 1 sioniert, so that an output amplifier is attached to it can be connected (Fig. 2).

Damit sind die Besonderheiten der Bewerterschaltung für die Analog-Digital-Umsetzer beschreiben. Die übrige Auslegung der Stromläufe (Fig.2) ist Stand der Technik.These are the special features of the evaluation circuit for the analog-digital converter describe. The rest of the layout of the circuit (Fig. 2) is state of the art.

Fig.4 zeigt nocheinmal eine Speicherzelle des AnalogDigital-Umsetzers, wobei die Speicherzellen mit schwebendem Diffusionsgebiet FD ausgebildet sind. Diese Diffusionsgebiete werden mit dem Gate der Lasttransistoren M der Bewerterschaltung verbunden. Neben der Speicherelektrode G, die mit der ersten Spannungsquelle o verbunden ist, sind noch die beiden Verschiebeelektroden V1, V2 dargestellt, wobei V1 mit der ersten Spannungsquelle O und V2 mit der zweiten Spannungsquelle 1 verbunden ist. Im Analog-Digital-Umsetzer sind diese Speicherzellen in der ersten und letzten Reihe, wie bereits beschrieben, angeordnet.Fig. 4 shows again a memory cell of the analog-to-digital converter, wherein the memory cells are formed with a floating diffusion region FD. These Diffusion regions are connected to the gate of the load transistors M of the evaluation circuit tied together. In addition to the storage electrode G, which is connected to the first voltage source o is, the two displacement electrodes V1, V2 are also shown, V1 with the first voltage source O and V2 is connected to the second voltage source 1 is. In the analog-to-digital converter, these memory cells are in the first and last Row, as already described, arranged.

8 Patentansprüche 4 Figuren L e e r s e i t e8 claims 4 figures L e r s e i t e

Claims (8)

Patentansprüche Umsetzer Umsetzer zur Umwandlung von Analog-in Digitalsignale, bei dem mittels Ladungsteilern erzeugte Referenzladungen mit der jeweiligen Informationsladung oder mit der um Referenzladungsteile vergrößerten Informations ladung in Bewerterschaltungen verglichen werden, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e-t, daß eine yorgegebene Ladung (Q r) mittels eines ersten Taktes (#1(1)) in einem ersten Ladungsteiler (10,11,12) in eine kleinere Grundladung (QFZ) und eine größere Vergleichsladung (QS) aufgeteilt und unter ersten und zweiten Speicherelektroden (11,12) getrennt gespeichert wird, daß anschließend mittels eines zweiten Taktes ((2)) die Grundladung (QFZ) aus der ersten Speicherelektrode (11) über eine weitere Zwischenspeicherelektrode (23)in eine dritte Speicherelektrode (25) geschoben wird, daß gleichzeitig die Vergleichsladung (QS) aus der zweiten Speicherelektrode (12) mittels eines zweiten symmetrischen Ladungsteilers (20,21,22) in zwei gleiche Teilladungen (% /2)) aufgespalten wird und unter vierten und fünften Speicherelektroden (21,22) getrennt gespeichert wird, daß anschließend mittels eines dritten Taktes die Grundladung (QFZ) aus der dritten Speicherelektrode (25) in einer weiteren Zwischenspeicherelektrode (33) mit der einen Teilladung aus der vierten Speicherelektrode (21) vermischt wird und als Referenzladung (Qref1) in einer über ein leitendes Diffusionsgebiet mit dem nichtinvertierenden Eingang einer ersten Bewerterschaltung (FF1) verbundenen sechsten Speicherelektrode (35) bereitgehalten wird, daß gleichzeitig die andere Teilladung aus der fünften Speicherelektrrde (22) mittels eines dritten symmetrischen tadungsspeichers (30,31,32) in zwei gleiche Teilladungen (Q /4) aufgespalten wird und unter siebten und achten Speicherelektroden (31,32) getrennt gespeichert wird, daß gleichzeitig über eine weitere Zwischenspeicherelektrode (34) aus einer mit ihr gekoppelten Ladungstransportspeicherschleife (24,26) die zu bewertende Informationsladung (D ) übernommen wird und in einer über ein leix tendes Diffusionsgebiet mit dem invertierenden Eingang einer ersten Bewerterschaltung (FF1) verbundenen neunten Speicherelektrode (36) bereitgehalten wirdr daß anschließend in der Pause zwischen dem dritten Takt ((3)) und einem vierten Takt (0(4) ) der erste Potentialvergleich zwischen den mit der sechsten Speicherelektrode (35) und der neunten Speicherelektrode (36) verbundenen Diffusionsgebieten von der ersten Bewerterschaltung (FF1) ausgeführt und das Ergebnis als Anzeige nach außen abgegeben wird, daß anschließend während des vierten Taktes ( ) die Verschiebeelektroden von den siebten und achten Speicherelektroden (31,32) zu den folgenden Zwischenspeicherelektroden (43,40; 40,44) entsprechend dem Ergebnis des Potentialvergleichs mit dem Potential des Taktes oder mit Nullpotential beaufschlagt (4) werden, daß demnach mittels des vierten Taktes ((4)) in Vorbereitung zu einem zweiten Potentialvergleich die Referenzladung (Qref1) aus der sechsten Speicherelektrode (35) in einer weiteren Zwischenspeicherelektrode (43) entweder mit der einen Teilladung aus der siebten Speicherelektrode (31) vermischt wird oder unverändert bleibt und jedenfalls als neue Referenzladung (Qref2) in einer über ein leitendes Diffusionsgebiet mit dem nichtinvertierenden Eingang einer zweiten Bewerterschaltung (FF2) verbundenen zehnten Speicherelektrode (45) bereitgehalten wird, daß gleichzeitig die Teilladung aus der siebten Speicherelektrode (31) im zweiten Fall mittels eines vierten symmetrischen Ladungsteilers (40,41,42) in zwei gleiche Teilladungen (9s/8) aufgespalten wird und unter elften und zwölften Speicherelektroden (41,42) getrennt gespeichert wird, daß gleichzeitig die Tei.lladung aus der achten Speicherelektrode (32) entweder mittels des vierten symmetrischen Ladungsteilers (40, 41,42) in zwei gleiche Teilladungen (Q /8) aufgespalten wird und unter elften und zwölften Speicherelektroden (41,-42) getrennt gespeichert wird oder unverändert in einer weiteren Zwischenspeicherelektrode (44) als Zusatzladung (Qzus2) mit der Informationsladung (x) aus der neunten Speicherelektrode (36) vermischt wird und als neue informationsladung (CAx + Qzus2) in einer über ein leitendes Diffusionsgebiet mit dem invertierenden Eingang einer zweiten Bewerterschaltung (FF2) verbundenen drei zehnten Speicherelektrode (46) bereitgehalten wird, daß gleichzeitig die Informationsladung (ix) aus der neuntenSpeicherelektrode (36) im ersten Fall unverändert bleibt und über die Zwischenspeicherelektrode (44) in besagte dreizehnte Speicherelektrode (46) geschoben wird und daß sich dieser Vorgang entsprechend der Anzahl der zu bewertenden Bitstellen fortschreitend wiederholt.Claims Converter Converter for converting analog to digital signals, in the case of the reference charges generated by means of charge dividers with the respective information charge or with the information charge increased by reference charge parts in evaluation circuits be compared, d u r c h e k e n n n n z e i c h n e-t, that a given Charge (Q r) by means of a first clock (# 1 (1)) in a first charge splitter (10,11,12) divided into a smaller basic charge (QFZ) and a larger comparison charge (QS) and is stored separately under first and second storage electrodes (11, 12), that then by means of a second clock ((2)) the basic charge (QFZ) from the first storage electrode (11) via a further intermediate storage electrode (23) in a third storage electrode (25) is pushed that simultaneously the comparison charge (QS) from the second storage electrode (12) by means of a second symmetrical one Charge divider (20,21,22) is split into two equal partial charges (% / 2)) and is stored separately under fourth and fifth storage electrodes (21,22), that then by means of a third cycle, the basic charge (QFZ) from the third Storage electrode (25) in a further intermediate storage electrode (33) with the a partial charge from the fourth storage electrode (21) is mixed and used as a reference charge (Qref1) in one via a conductive diffusion area with the non-inverting one Input of a first evaluation circuit (FF1) connected sixth storage electrode (35) is kept ready that at the same time the other partial load from the fifth Storage electrode (22) by means of a third symmetrical charge storage (30,31,32) is split into two equal partial charges (Q / 4) and under seventh and respect, think highly of Storage electrodes (31,32) is stored separately that at the same time via a further intermediate storage electrode (34) from a charge transport storage loop coupled to it (24,26) the information load (D) to be assessed is taken over and in an over a conductive diffusion region with the inverting input of a first evaluation circuit (FF1) connected ninth storage electrode (36) is kept ready r that then in the pause between the third measure ((3)) and a fourth measure (0 (4)) the first potential comparison between those with the sixth storage electrode (35) and the ninth storage electrode (36) connected diffusion regions from the first Evaluation circuit (FF1) is carried out and the result is issued to the outside world as a display is that then during the fourth clock () the shift electrodes of the seventh and eighth storage electrodes (31,32) to the following intermediate storage electrodes (43,40; 40,44) corresponding to the result of the potential comparison with the potential of the clock or applied to zero potential (4) that accordingly by means of the fourth cycle ((4)) in preparation for a second potential comparison, the reference charge (Qref1) from the sixth storage electrode (35) in a further intermediate storage electrode (43) either mixed with a partial charge from the seventh storage electrode (31) becomes or remains unchanged and in any case as a new reference charge (Qref2) in a via a conductive diffusion area with the non-inverting input of a second Evaluation circuit (FF2) connected tenth storage electrode (45) held ready is that at the same time the partial charge from the seventh storage electrode (31) in second case by means of a fourth symmetrical charge splitter (40,41,42) in two equal partial charges (9s / 8) are split and under eleventh and twelfth storage electrodes (41.42) is stored separately that at the same time the partial charge from the eighth storage electrode (32) either by means of the fourth symmetrical one Charge divider (40, 41, 42) is split into two equal partial charges (Q / 8) and stored separately under eleventh and twelfth storage electrodes (41, -42) or unchanged in a further intermediate storage electrode (44) as an additional charge (Qzus2) mixed with the information charge (x) from the ninth storage electrode (36) and as a new information charge (CAx + Qzus2) in a via a conductive diffusion area connected to the inverting input of a second evaluation circuit (FF2) three tenth storage electrode (46) is kept ready that at the same time the information charge (ix) from the ninth storage electrode (36) remains unchanged in the first case and via the intermediate storage electrode (44) into said thirteenth storage electrode (46) is pushed and that this process corresponds to the number of to be assessed Bit positions repeated progressively. 2. Umsetzer nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß der Analog-Digital-Umsetzer sieben Reihen von parallel verlaufenden kettenförmig hintereinander liegenden Speicherelektroden enthält, daß bei einer Bitmusterbreite von q Bits die erste, fünfte, sechste und siebte Reihe aus (q+1) Speicherelektroden und die zweite bis vierte Reihe aus (q+2) Speicherelektroden besteht, daß die Speicherelektroden der ungeradzahligen Reihen mit einer ersten Spannungsquelle, die eine Gleichspannung #0 liefert, und die Speicherelektroden der geradzahligen Reihen mit einer zweiten Spannungsquelle, die eine Taktspannung 1 zwischen Null und zu liefert, verbunden sind, daß die Ladungen der Speicherelektroden der einzelnen Reihen über von außen steuerbare Verschiebeelektroden r die zwischen den Speicherelektroden der einzelnen Reihen liegen, entsprechend eines vorgegebenen Taktprogrammes zu den Speicherelektroden der benachbarten Reihen verschiebbar sind, daß jede Speicherelektrode (25,35r45,55,65) der ersten Reihe von je zwei Verschiebeelektroden beeinflußbar ist, wobei die jeweils ersten Verschiebeelektroden mit der ersten Spannungsquelle und die jeweils zweiten Verschiebeelektroden mit der zweiten Spannungsquelle verbunden sind, daß die jeweils ersten zugehörigen Verschiebeelektroden der Speicherelektroden (25, 35,45,55,65) der ersten Reihe jeweils gleich große Ladungsverschiebekanäle zu den ersten (q+1) Speicherelektroden (23, 33,43,53,63) der zweiten Reihe herstellen, daß die zweiten zugehörigen Verschiebeelektroden der Speicherelektroden (25, 35, 45, 55, 65) der ersten Reihe jeweils Ladungsverschiebekanäle zu den letzten (q+1) Speicherelektroden der zweiten Reihe herstellen, daß die q letzten Speicherelektroden der ersten Reihe außerdem leitende Diffusionsgebiete mit schwebendem Potential aufweisen, die mit ersten Eingabeknoten von q Bewertungsschaltungen verbunden sind, daß zwischen Speicherelektroden der zweiten und der dritten Reihe ebenfalls Verschiebeelektroden angeordnet sind, daß jede Verschiebeelektrode einen gleich großen Ladungsverschiebekanal zwischen den jeweils benachbarten Speicherelektroden der zweiten und dritten Reihe freigibt, daß die Verschiebeelektroden zwischen den ersten beiden und den letzten Speicherelektroden (23, 11; 33,21; 73,61) der zweiten und dritten Reihe mit der zweiten Spannungsquelle und die Verschiebeelektroden zwischen den übrigen Speicherelektroden (43,31; 53,41; 63,51) der zweiten und dritten Reihe mit den nichtinvertierenden Ausgängen (A1, A2, A3) der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß die letzte Speicherelektrode (73) der zweiten Reihe über eine Verschiebeelektrode' die mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist, mit einer ersten Ladungssenke (95) gekoppel.t ist, daß zwischen der dritten und vierten Reihe der Speicherelektroden (11,21,31,41,51,61; 10,20,30,40,50,60) erste Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden sind, die Ladungsverschiebekanäle von allen Speicherelektroden (11 r21 31,41,51,61) der dritten Reihe zu allen Speicherelektroden (10,20,30,40,50,60) der vierten Reihe beeinflussen, wobei der Ladungsverschiebekanal zwischen den beiden ersten Speicherelektroden (11, 10) dieser Reihen wesentlich kleiner ist als zwischen allen übrigen Elektroden, daß mit Ausnahme der ersten beiden und der letzten Speicherelektroden (11,21,61) der dritten Reihe sowie der ersten beiden Speicherelektroden der vierten Reihe (10, 20) zwischen den Speicherelektroden (31,40; 41,50; 51,60) dieser beiden Reihen weitere Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit den invertierenden Ausgängen der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß zwischen den beiden ersten Speicherelektroden (10,12) der vierten und fünften Reihe der Speicherelektroden eine Verschiebeelektrode, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist, mit einem größeren Ladungsverschiebekanal als zwischen allen anderen Speicherelektroden liegt, daß zwischen der zweiten und dritten Speicherelektrode (20,30) der vierten Reihe und den ersten beiden Speicherelektroden (12,22) der fünften Reihe außerdem Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit der zweiten Spannungsquelle verbunden sind, daß ab der zweiten Speicherelektrode (30) bis zur vorletzten Speicherelektrode (50) der vierten Reihe und ab der zweiten Speicherelektrode (22) der fünften Reihe zwischen den Speicherelektroden (20,22; 30,32; 40,42;, 50,52) dieser Reihen Verschiebeelektroden liegen, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden sind, die Ladungsverschiebekanäle zwischen den entsprechenden Speicherelektroden (20,30,40,50; 22,32,42ü52) steuern, daß außerdem beginnend mit der vierten Speicherelektrode (40) der vierten Reihe und der dritten Speicherelektrode (32) der fünften Reihe zwischen den Speicherelektroden (40,32; 50,42; 60,52) weitere Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit den nichtinvertierenden Ausgängen der ersten (q-1) Bewerterschaltungen verbunden sind, daß zwischen den Speicherelektroden der fünften und sechsten Reihe beginnend mit der dritten Speicherelektrode (32) der fünften und der zweiten Speicherelektrode (44) der sechsten Reihe und endend mit der letzten Speicherelektrode (52) der fünften und der vorletzten Speicherelektrode (64) der sechsten Reihe Verschiebeelektroden angeordnet sind, die mit den invertierenden Ausgängen der ersten Bewerterschaltungen verbunden sind, daß den Speicherelektroden der sechsten Reihe ferner Verschiebeelektroden zugeordnet sind, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden sind und die Ladungskanäle zu den Speicherelektroden der siebten Reihe steuern, wobei die letzte Speicherelektrode (74) der sechsten Reihe einen Ladungsverschiebekanal zu einer zweiten Ladungssenke (76) aufweist, daß den Speicherelektroden (34,44,54,64,74) der sechsten Reihe weitere Verschiebeelektroden zugeordnet sind, die mit der zweiten Spannungsquelle verbunden sind, wobei die Verschiebeelektroden dieser Art Ladungsverschiebekanäle zu den Speicherelektroden (26,36,46,56,66) der siebten Reihe beeinflussen, und daß die Speicherelektroden (36,46, 56,66) der siebten Reihe mit Ausnahme der ersten Speicherelektrode (26) dieser Reihe außerdem leitende Diffusionsgebiete mit schwebendem Potential aufweisen, die mit den zweiten Eingabeknoten der q Bewerterschaltungen verbunden sind, und daß die erste Speicherelektrode der siebten Reihe über eine Verschiebeelektrode, die mit der ersten Spannungsquelle verbunden ist, mit einer Ladungstransportspeicheranordnung (24), die zur Eingabe der Informationsladung dient, gekoppelt ist 2. Converter according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that the analog-to-digital converter has seven rows of parallel chains storage electrodes lying one behind the other contains that with a bit pattern width of q bits the first, fifth, sixth and seventh rows of (q + 1) storage electrodes and the second through fourth rows consist of (q + 2) storage electrodes that are the storage electrodes of the odd-numbered rows with a first voltage source, which is a DC voltage # 0 supplies, and the storage electrodes of the even-numbered rows with a second Voltage source that supplies a clock voltage 1 between zero and closed are that the charges of the storage electrodes of the individual rows from outside controllable displacement electrodes r between the Storage electrodes of the individual rows are, according to a predetermined clock program to the Storage electrodes of the adjacent rows are displaceable that each storage electrode (25,35r45,55,65) of the first row can be influenced by two displacement electrodes is, the respective first displacement electrodes with the first voltage source and the respective second displacement electrodes are connected to the second voltage source are that the respective first associated displacement electrodes of the storage electrodes (25, 35,45,55,65) of the first row each have the same size charge transfer channels to the first (q + 1) storage electrodes (23, 33,43,53,63) of the second row, that the second associated displacement electrodes of the storage electrodes (25, 35, 45, 55, 65) of the first row charge transfer channels to the last (q + 1) Make storage electrodes of the second row that the q last storage electrodes the first row also have conductive diffusion regions with floating potential, which are connected to the first input node of q evaluation circuits that between Storage electrodes of the second and third rows also shift electrodes are arranged so that each displacement electrode has an equally large charge displacement channel between the respective adjacent storage electrodes of the second and third row releases the shift electrodes between the first two and the last Storage electrodes (23, 11; 33,21; 73,61) of the second and third rows with the second voltage source and the displacement electrodes between the remaining storage electrodes (43.31; 53.41; 63.51) of the second and third rows with the non-inverting ones Outputs (A1, A2, A3) of the first (q-1) evaluation circuits are connected that the last storage electrode (73) of the second row via a displacement electrode ' which is connected to the first voltage source, with a first Charge sink (95) is gekoppel.t that between the third and fourth row of Storage electrodes (11, 21, 31, 41, 51, 61; 10, 20, 30, 40, 50, 60) first displacement electrodes are arranged, which are connected to the first voltage source, the charge transfer channels from all storage electrodes (11 r21 31,41,51,61) of the third row to all storage electrodes (10,20,30,40,50,60) affect the fourth row, being the charge transfer channel between the first two storage electrodes (11, 10) of these rows is essential is smaller than that between all the other electrodes, with the exception of the first two and the last storage electrodes (11,21,61) of the third row and of the first two storage electrodes of the fourth row (10, 20) between the storage electrodes (31.40; 41.50; 51.60) of these two rows further displacement electrodes are arranged are those to the inverting outputs of the first (q-1) evaluator circuits are connected that between the first two storage electrodes (10,12) of the fourth and fifth row of storage electrodes, a shift electrode that is connected to the first Voltage source is connected, with a larger charge transfer channel than between all other storage electrodes lies between the second and third storage electrodes (20,30) of the fourth row and the first two storage electrodes (12,22) of the fifth Row are also arranged displacement electrodes, which are connected to the second voltage source are connected that from the second storage electrode (30) to the penultimate storage electrode (50) of the fourth row and from the second storage electrode (22) of the fifth row between the storage electrodes (20,22; 30,32; 40,42 ;, 50,52) of these rows of displacement electrodes which are connected to the first voltage source, the charge transfer channels control between the corresponding storage electrodes (20,30,40,50; 22,32,42ü52), that also beginning with the fourth storage electrode (40) of fourth row and the third storage electrode (32) of the fifth row between the storage electrodes (40, 32; 50, 42; 60, 52) are arranged further displacement electrodes are those with the non-inverting outputs of the first (q-1) evaluator circuits are connected that between the storage electrodes of the fifth and sixth rows beginning with the third storage electrode (32) of the fifth and the second storage electrode (44) of the sixth row and ending with the last storage electrode (52) of the fifth and the penultimate storage electrode (64) of the sixth row of displacement electrodes are arranged, which are connected to the inverting outputs of the first evaluation circuits are connected that the storage electrodes of the sixth row also shift electrodes are assigned, which are connected to the first voltage source and the charge channels to control the storage electrodes of the seventh row, the last storage electrode (74) of the sixth row a charge transfer channel to a second charge sink (76) has that the storage electrodes (34,44,54,64,74) of the sixth row further Shift electrodes are assigned, which are connected to the second voltage source are, the displacement electrodes of this type charge transfer channels to the storage electrodes (26,36,46,56,66) affect the seventh row, and that the storage electrodes (36,46, 56,66) of the seventh row with the exception of the first storage electrode (26) this row also have conductive diffusion areas with floating potential, which are connected to the second input node of the q evaluation circuits, and that the first storage electrode of the seventh row has a shift electrode, which is connected to the first voltage source, with a charge transport storage arrangement (24), which is used to enter the information load, is coupled 3. Umsetzer nach einem der.vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h. g e k e n n z e i c h. n e t, daß die Bewerterschaltung als Flipflop (FF) ausgebildet ist, des sen Signaleingänge die Torelektroden der Lasttransistoren bilden, wobei die Torelektroden als "Floating Gates" ausgebildet sind..3. Converter according to one of the preceding claims, d a d u r c h. g e k e n n g e I. n e t that the evaluation circuit is designed as a flip-flop (FF), the sen Signal inputs form the gate electrodes of the load transistors, the gate electrodes are designed as "floating gates" .. 4. Umsetzer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Erzeugung der Referenzladungsanteile allein durch symmetrische Aufschaltung geschieht.4. Converter according to one of the preceding claims, d a -d u r c h e k e k e n n n e i c h n e t that the generation of the reference charge components alone happens through symmetrical connection. 5. Umsetzer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die zu vergleichenden Ladungen allein durch Addition von Referenzladungsanteilen bzw. durch Addition von Referenzladungsanteilen zur Informationsladung erzeugt werden.5. Converter according to one of the preceding claims, d a -d u r c it is noted that the charges to be compared solely by addition of reference charge proportions or by adding reference charge proportions to the Information charge can be generated. 6. Umsetzer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß sämtliche von Referenz- bzw. Informationsladungen berührte Elektroden mindestens eine Grundladung enthalten.6. Converter according to one of the preceding claims, d a -d u r c h e k e n n n n e i n e t that all of reference or information loads touched electrodes contain at least one basic charge. 7. Umsetzer nach den vorhergehenden Ansprüchen, d a d u r ch g e k e n n z e i c h. n e t, daß sämtliche Ladungen nach Abschluß des Vergleichsvorganges mittels dafür vorgesehener Ladungssenken aus der Anordnung beseitigt werden.7. Converter according to the preceding claims, d a d u r ch g e k e n g e i c h. n e t that all charges after completion of the comparison process can be removed from the arrangement by means of charge sinks provided for this purpose. 8. Umsetzer nach den vorhergehenden Ansprüchen, d a d u r ch g e k e n n z e i c h n e t, daß er zur Umsetzung von Analogsignalen in Form von Ladungsmengen in parallel anstehende Digitalsignale in Gestalt von Potentialen keinerlei Refarenzspannu.nq benötigt8. Converter according to the preceding claims, d a d u r ch g e k It is noted that it is used to convert analog signals in the form of amounts of charge no reference voltage in parallel pending digital signals in the form of potentials needed
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US4072939A (en) * 1976-03-01 1978-02-07 International Business Machines Corporation Analog-to-digital and digital-to-analog converter circuits employing charge redistribution

Patent Citations (1)

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