DE3134918A1 - "Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it" - Google Patents

"Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it"

Info

Publication number
DE3134918A1
DE3134918A1 DE19813134918 DE3134918A DE3134918A1 DE 3134918 A1 DE3134918 A1 DE 3134918A1 DE 19813134918 DE19813134918 DE 19813134918 DE 3134918 A DE3134918 A DE 3134918A DE 3134918 A1 DE3134918 A1 DE 3134918A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
metal
heat
silver
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19813134918
Other languages
German (de)
Other versions
DE3134918C2 (en
Inventor
Katsuhiko Takatsuki Honjo
Noriya Miyazaki Sato
Hiromitsu Taki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to DE19813134918 priority Critical patent/DE3134918A1/en
Publication of DE3134918A1 publication Critical patent/DE3134918A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE3134918C2 publication Critical patent/DE3134918C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
    • C23C18/1893Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1865Heat
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Electrode on a heat-resistant, insulating substrate, which can be manufactured cheaply and has stable properties. To this end, a paste containing from 0.05 to 40% by weight of a metal material which contains from 0.5 to 100% by weight of a silver component, the remainder being an organic excipient, is applied to the substrate, a heat treatment is carried out at temperatures of from 250 to 900 DEG C, so that a metal particle layer having a thickness of from 0.05 to 2 micrometres (microns) is formed on the substrate, after which an electrode consisting of nickel or copper is applied in a thickness of from 0.1 to 20 micrometers by electroless metallisation.

Description

Elektrode auf wärmebeständigem isolierendem Electrode on heat-resistant insulating

Substrat und Verfahren zur Herstellung derselben Die Erfindung betrifft Elektroden für wärmebeständige isolierende Substrate, die billig zu erstellen sind und stabile Eigenschaften aufweist, sowie ein verbessertes Verfahren zu deren Herstellung. Substrate and Method of Making Same The invention relates to Electrodes for heat-resistant insulating substrates that are inexpensive to manufacture and has stable properties, and an improved method for their manufacture.

Die Verwendung einer Metallglasurelektrode aus im wesentlichen teuren Metallen wie Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, Ag-Ni als Elektrode auf wärmebeständigen und isolierenden Substraten ist bekannt.The use of a metal glaze electrode made from essentially expensive Metals such as Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, Ag-Ni as an electrode on heat-resistant and insulating Substrates is known.

Verwendet man derartige Silberelektroden jedoch, wo eine Potentialdifferenz über benachbarten Elektroden bei hoher Feuchtigkeit steht, können Kurzschlüsse sowie eine Silberwanderung auftreten. Weiterhin braucht die Elektrode sich beim Löten auf.If you use such silver electrodes, however, where there is a potential difference Standing over adjacent electrodes in high humidity can cause short circuits as well a silver migration may occur. Furthermore, the electrode needs to be soldered on.

Infolge des hohen Silberpreisanstiegs sind außerdem seit kurzem die herkömmlichen Silberelektroden zu teuer geworden.As a result of the high rise in silver prices, the conventional silver electrodes have become too expensive.

Daher hat man mit den steigenden Metallpreisen mehr Aufmerksamkeit auf die Herstellung von Elektroden nach galvanischen oaer stromlosen Metallisierungsverfahren verwandt. Derartige Elektroden werden im allgemeinen stromlos erzeugt. Dazu taucht man das Substrat zum Sensibilisieren in eine Zinn(II)chloridlösung, dann zum Aktivieren in eine Palladiumchloridlösung und metallisiert schließlich stromlos.Therefore, one has to pay more attention to the rising metal prices on the production of electrodes using galvanic or electroless metallization processes related. Such electrodes are generally generated without current. To do this, dives to sensitize the substrate in a tin (II) chloride solution, then for activation in a palladium chloride solution and finally metallized without current.

Die stromlos aufgebrachte herkömmliche Elektrode haftet jedoch nicht fest genug am Substrat und ihre Eigenschaften verschlechtern sich mit der Zeit. Weiterhin ist diese Elektrode auch hinsichtlich ihrer Herstellung nachteilig. Das Verfahren ist der Herstellung von Elektroden auf dielektrischen, piezoelektrischen und halbleitenden Substraten und dergleichen angepaßt; dabei werden Beläge auf der gesamten Oberfläche des Substrats ausgebildet. Die Elektrode schlägt man dann entlang der Umfangskontur ab und bildet sie Fläche zu Fläche aus.However, the electrolessly applied conventional electrode does not adhere tight enough to the substrate and their properties deteriorate over time. Furthermore, this electrode is also disadvantageous in terms of its manufacture. That Process is the manufacture of electrodes on dielectric, piezoelectric and adapted to semiconducting substrates and the like; there are coverings on the formed over the entire surface of the substrate. The electrode is then hit along the circumferential contour and forms it surface to surface.

Dabei ergibt sich die Spannungsfestigkeit aus der Dicke der Elektrode und die Isolierung kann rasch durch Spannungskonzentrationen an den Rändern der Elektrode zerstört werden.The dielectric strength results from the thickness of the electrode and the insulation can quickly become through stress concentrations at the edges of the Electrode can be destroyed.

Die Verwendung sehr dünner Substrate war daher nicht möglich.The use of very thin substrates was therefore not possible.

Zur Lösung dieser Herstellungsprobleme wurden Verfahren vorgeschlagen, die eine teilweise Metallisierung beinhalten.To solve these manufacturing problems, methods have been proposed which contain a partial metallization.

Beispielsweise wurde ein Metallfilm auf einen Teil der Oberfläche eines Keramiksubstrats ausgebildet, das ein Resistmaterial trug, so daß nur die erforderlichen Flächenteile aktiviert wurden. Die Metallschicht wurde stromlos überall dort ausgebildet, von wo die Resistschicht entfernt worden war.For example, a metal film was applied to part of the surface formed of a ceramic substrate carrying a resist material so that only the required area parts have been activated. The metal layer became electroless everywhere formed where the resist layer was removed.

Weiterhin wurden Ätz-, Aufdampf- und Sputterverfahren zur teilweisen Metallisierung angewandt. Diese Verfahren sind jedoch nicht voll zufriedenstellend, da die nach ihnen ausgebildeten Elektroden nicht fest genug auf dem Substart haften und unzureichende Eigenschaften zeigten. Vom Standpunkt der Fertigung und des Aufwands werden sie daher nur ungern angwandt.Furthermore, etching, vapor deposition and sputtering processes were used in part Metallization applied. However, these procedures are not entirely satisfactory, because the electrodes formed after them do not adhere firmly enough to the substrate and showed insufficient properties. From the manufacturing point of view and They are therefore reluctant to use because of the effort involved.

Es ist also ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine ausgezeichnete und stabile Elektrode auf einem wärmebeständigen isolierenden Substrat sowie ein neuartiges und verbessertes Verfahren anzugeben, das sich in der Fertigung leicht und mit geringem Aufwand anwenden läßt.It is thus an object of the present invention to provide an excellent one and a stable electrode on a heat-resistant insulating substrate and a specify new and improved process that is easy to manufacture and can be used with little effort.

Die vorliegende Erfindung schafft daher eine Elektrode auf einem Substrat, die aus einer durch eine Warmebehandlung hergestellten, Silber enthaltenden Metallschicht sowie einer stromlos aufgebrachten Metallisierungsschicht besteht, fest auf dem Substrat haftet, gute Eigenschaften aufweist und sich für die Fertigung ausgezeichnet eignet.The present invention therefore provides an electrode on a substrate, those made of a silver-containing metal layer produced by a heat treatment as well as an electrolessly applied metallization layer, firmly on the Substrate adheres, has good properties and is excellent for manufacturing suitable.

Die vorliegende Erfindung soll im folgenden unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung ausführlich beschrieben werden.The present invention shall hereinafter be considered with reference to the accompanying Drawing will be described in detail.

Fig. 1 ist ein Schnitt durch die Elektrode nach der vorliegenden Erfindung auf einem wärmebeständigen isolierenden Substrat, wobei 1 das wärmebeständige isolierende Substrat, 2 die Metallschicht mit einer Silberkomponente und 3 die stromlose Metallisierungsschicht bezeichnen; Fig. zeigt das Muster der Elektrode auf einem Aluminiumoxidsubstrat, wobei 1 das Aluminiumoxidsubstrat, 2 die Elektrode zur Messung der Haftfestigkeit und 3 die Elektrode zum Bestimmen der Silberwanderung bezeichnet; Fig. 3 zeigt einen Schnitt sowie eine Draufsicht der Elektrode auf einem dielektrischen Keramiksubstrat, wobei 1 das dielektrische Keramiksubstrat, 2 die Metallschicht mit der Silberkomponente und 3 die stromlose Metallisierungsschicht bezeichnen.Fig. 1 is a section through the electrode of the present invention on a heat-resistant insulating substrate, with 1 being the heat-resistant insulating Substrate, 2 the metal layer with a silver component and 3 the electroless metallization layer describe; Fig. Shows the pattern of the electrode on an alumina substrate, where 1 is the alumina substrate, 2 is the electrode for measuring adhesive strength and 3 denotes the electrode for determining the silver migration; Fig. 3 shows a section and a top view of the electrode on a dielectric Ceramic substrate, where 1 is the dielectric ceramic substrate, 2 is the metal layer with the silver component and 3 denote the electroless metallization layer.

Nach der vorliegenden Erfindung wird eine Elektrode wie folgt auf einem wärmebeständigen und isolierenden Substrat hergestellt: Man bringt auf das Substrat eine Paste mit 0,05 bis 40 Gew.-% eines Metallmaterials auf, das 0,5 bis 100 Gew.-% einer Silberkomponente enthält, erwärmt dann auf 250 bis 9000C, so daß sich eine Metallschicht auf dem Substrat bildet, und bringt schließlich stromlos eine Elektrode aus Nikkel oder Kupfer in einer Dicke von 0,1 bis 20 ;im auf die Metallschicht stromlos auf.According to the present invention, an electrode is provided as follows made of a heat-resistant and insulating substrate: one brings on that Substrate a paste with 0.05 to 40 wt .-% of a metal material containing 0.5 to Contains 100 wt .-% of a silver component, then heated to 250 to 9000C, so that a metal layer forms on the substrate, and ultimately brings about de-energized an electrode made of nickel or copper in a thickness of 0.1 to 20; im on the Electroless metal layer.

Nach dem hier vorgeschlagenen Verfahren verwendet man als Silberkomponente im Metallmaterial der Paste ein Silberpulver und/oder eine Silberverbindung wie beispielsweise Silbernitrat, Silberkarbonat, Silberchlorid, die unter Wärmebehandlung eine metallische Silberschicht ausbildet.The method proposed here is used as the silver component in the metal material of the paste a silver powder and / or a silver compound such as for example silver nitrate, silver carbonate, silver chloride, which under heat treatment forms a metallic silver layer.

Die Silberkomponente ist für das Ziel der vorliegenden Erfindung gut geeignet, da sie leicht metallisches Silber bildet, kaum oxidiert und billig ist.The silver component is good for the purpose of the present invention suitable because it forms metallic silver easily, is hardly oxidized and is cheap.

Die metallische Komponenten - mit Ausnahme des Silbers - bestehen aus einfachen Metallen und Legierungen - beispielsweise sind Kupfer, Aluminium, Zink, Zinn, Wolfram, Molybdän, Eisen, Kobalt, Chrom und insbesondere Nickel als Grundmetall besonders geeignet.The metallic components - with the exception of the silver - are made made of simple metals and alloys - for example, copper, aluminum, Zinc, tin, tungsten, molybdenum, iron, cobalt, chromium and especially nickel as Base metal particularly suitable.

Das Pulver des Silbers und des Crundmetalls sollte einen Durchmesser von weniger als 2 ßm haben. Bei mehr als 2 iim leiden die Haftung der Elektrode, die elektrischen Eigenschaften sowie die Druckeigenschaften der Paste.The powder of the silver and the base metal should have a diameter of less than 2 m. If more than 2 iim, the adhesion of the electrode will suffer, the electrical properties as well as the printing properties of the paste.

Das Silber und das Grundmetall liegen zu Anteilen von 0,5 bis 100 Gew.-% Silber und 0 bis 99,5 Gew.-% Grundmetall vor; vorzugsweise wählt man 5 bis 80 Gew.-t der Silberkomponente und 95 bis 20 Gew.-% des Grundmetalls.The silver and base metal are in proportions from 0.5 to 100 Weight percent silver and 0 to 99.5 weight percent base metal; preferably one chooses 5 to 80% by weight of the silver component and 95 to 20% by weight of the base metal.

Ist gegenüber dem C-rundmetall zu wenig Silberkomponente vorhanden, oxidiert die sich ausbildende Metallschicht bei der Wärmebehandlung zu leicht und die stromlos aufgebrachte Metallschicht wird ungleichmäßig; man erhält eine schlechte Haftung sowie unzureichende elektrische Eigenschaften; Auch bei zu viel Silber haftet die Elektrode schlecht.If there is too little silver component compared to the C-round metal, the forming metal layer oxidizes too easily during the heat treatment and the electrolessly applied metal layer becomes uneven; you get a bad one Adhesion, as well as inadequate electrical properties; Even with too much silver it sticks the electrode bad.

Durch Zugeben von 0,01 bis 5 Cew.-% Palladiumkomponente zur erwähnten Metallkomponente erhält man eine vorzügliche Aktivierung für die stromlose Metallisierung, desgleichen eine gleichmäßige Elektrode, eine bessere Haftfestigkeit und bessere elektrische Eigenschaften.By adding 0.01 to 5 wt% palladium component to the mentioned Metal component gives an excellent activation for electroless metallization, also a uniform electrode, better adhesive strength and better Electrical Properties.

Der Anteil des Metallmaterials in der Paste beträgt 0,05 bis 40 Gew.-%. Bei einem zu kleinen Anteil leiden die C.leichmäßigkeit der Ablagerung beim stromlosen Metallisieren und die Haftfestigkeit der Elektrode; bei zu viel Metallmaterial haftet die entstehende Elektrode ebenfalls schlecht, zeigt schlechte elektrische Eigenschaften und wird zu teuer. Vorzugsweise liegt der Anteil im Bereich von 5 bis 30 Cew.-t.The proportion of the metal material in the paste is 0.05 to 40% by weight. If the proportion is too small, the uniformity of the deposit will suffer when the device is not powered Plating and the adhesive strength of the electrode; sticks if there is too much metal material the resulting electrode is also poor, showing poor electrical properties and becomes too expensive. The proportion is preferably in the range from 5 to 30 Cew.-t.

Nach der vorliegenden Erfindung kann die weitere Zugabe von 0,5 bis 5 Gew.-% Glaspulver oder niedrigschmelzendes Oxid wie beispielsweise Bi2O3, B203 PbO zur Paste die Haftfestigkeit der Elektrode verbessern, während B2O3 auch die Oxidation des aktiven Metalls für die stromlose Metallisierung verhindert. Daher ist ein Glaspulver erwünscht, das B2O3 enthält.According to the present invention, the further addition of 0.5 to 5% by weight of glass powder or low-melting oxide like for example Bi2O3, B203 PbO to paste improve the adhesive strength of the electrode, while B2O3 also prevents the oxidation of the active metal for electroless plating. Therefore, a glass powder containing B2O3 is desired.

Der Anteil dieser Zuschläge ist unter 0,5 Cew.-% nicht wirksam genug; bei mehr als 5 ew.- werden die Haftfestigkeit und die elektrischen Eigenschaften der Elektrode beeintrachtigt.The proportion of these surcharges is not effective enough below 0.5 wt .-%; at more than 5 pw - the adhesive strength and the electrical properties the electrode is affected.

Da herkömmliche Silberpaste des Schmelztyps ein Hauptbestandteil des Silberpulvers ist, ist die Druckgenauigkeit der Paste gut. Je größer jedoch der Harzanteil in der Paste, desto schlechter wir die Druckgenauigkeit, da er die Paste auslaufen läßt.Since conventional melt type silver paste is a main component of the When the powder is silver, the printing accuracy of the paste is good. However, the bigger the Resin content in the paste, the worse we print accuracy, since it is the paste can run out.

Da andererseits die Paste nach der vorliegenden Erfindung geringere Anteile der Metallbestandteile enthält, läuft sie leicht aus. Gibt man ihr 1 bis 30 Sew.-t Kohlepulver oder anorganisches Pulver wie SiO2, MgO, CaO und Ton von 2 Mikrometer zu, läßt ein Auslaufen der Paste sich wirkungsvoll verhindern, und die Paste beeinflußt die anderen Eigenschaften nicht.On the other hand, since the paste according to the present invention is less Contains parts of the metal components, it runs out easily. If you give her 1 to 30 Sew.-t carbon powder or inorganic powder such as SiO2, MgO, CaO and clay from 2 Micrometer, leakage of the paste can be effectively prevented, and the Paste does not affect the other properties.

Das Minimum der zuzugebenden Menge ist die, die vorgehend erläuterte Wirkung ergibt; das Maximum liegt dort, wo eine gleichmäßige Ablagerung bei der stromlosen Metallisierung die Haftfestigkeit und die elektrischen Eigenschaften zu verschlechtern beginnen.The minimum of the amount to be added is that which was explained above Effect results; the maximum is where there is even deposition at the electroless metallization, the adhesive strength and the electrical properties begin to deteriorate.

Nach der vorliegenden Erfindung erwärmt man das Substrat auf Temperaturen zwischen 250 und 9000C, nachdem man die Paste in den gewünschten Bereichen auf das wärmebeständige isolierende Substrat aufgedruckt oder aufgespritzt und dann getrocknet hat.According to the present invention, the substrate is heated to temperatures between 250 and 9000C after applying the paste in the desired areas to the heat resistant insulating Substrate printed or sprayed on and then dried.

Der Zweck der Wärmebehandlung ist, auf einer Oberfläche des Substrats eine stabile Schicht aus Metallteilchen auszubilden. Ist die Behandlungstemperatur niedriger als der angegebene Grenzwert, ist es wegen der Harzrückstände schwierig, eine gleichmäßige Schicht aus Metallteilchen zu erreichen; die dann ausgebildete Elektrode hat eine schlechte Haftfestigkeit und schlechte elektrische Eigenschaften. Liegt die Temperatur über der Grenze, bildet sich keine gleichmäßige Schicht aus Metallteilchen, da das Metall schmilzt oder oxidiert, so daß die Haftfestigkeit und die elektrischen Eigenschaften ebenfalls leiden. Aus den genannten Gründen liegt die optimale Temperatur zwischen 350 und 600"C.The purpose of the heat treatment is on one surface of the substrate to form a stable layer of metal particles. Is the treatment temperature lower than the specified limit value, it is difficult because of the resin residues achieve a uniform layer of metal particles; the then trained Electrode has poor adhesive strength and poor electrical properties. If the temperature is above the limit, no uniform layer is formed Metal particles as the metal melts or oxidizes, so that the adhesive strength and the electrical properties also suffer. For the reasons mentioned lies the optimal temperature between 350 and 600 "C.

Ist die auf dem Substrat durch die Wärmebehandlung ausgebildete Metallteilchenschicht gleichmäßig zwischen 0,05 und 2 Mikrometern dick, kann sie ihre Funktion als Aktivierungsschicht für die stromlose Metallisierung gut ausüben.Is the metal particle layer formed on the substrate by the heat treatment Evenly between 0.05 and 2 micrometers thick, it can function as an activation layer exercise well for electroless plating.

Demgegenüber wird die herkömmliche Schmelz-Silberelektrode als Dickschicht von etwa 5 bis 20 Mikrometern ausgebildet-und arbeitet selbst als Elektrode. Die dünne Metallschicht nach der vorliegenden Erfindung kann weder selbst als Elektrode wirken noch ist sie lötbar, bevor die stromlose Metallisierungsschicht auf sie aufgebracht worden ist. Daher unterscheidet sich die Metallschicht wesentlich von den herkömmlichen Silberelektroden des Schmelztyps.In contrast, the conventional fused silver electrode is used as a thick film of about 5 to 20 micrometers - and works itself as an electrode. the thin metal film according to the present invention can neither itself as an electrode still work, it can be soldered before the electroless metallization layer is applied to it has been. Therefore, the metal layer differs significantly from the conventional ones Melt-type silver electrodes.

Ist die Metallschicht dünner als der genannte Grenzwert, bildet die Metallisierungsschicht sich ungleichmäßig aus und die Elektrode zeigt schlechte Eigenschaften.If the metal layer is thinner than the specified limit, the The metallization layer turns out unevenly and the electrode shows poor results Properties.

Ist die Metallschicht zu dick, lassen sich keine klaren Elektrodenumrisse für die stromlose Metallisierung erreichen; weiterhin erhält man nicht nur eine geringe Haftfestigkeit und schlechte elektrische Eigenschaften, sondern auch bei der Dauerprüfung, bei der eine Spannung unter hoher Feuchtigkeit an der Elektrode liegt, eine Silberwanderung.If the metal layer is too thick, no clear electrode outlines can be seen for electroless plating achieve; furthermore you don't get just one poor adhesive strength and poor electrical properties, but also at the endurance test, in which a voltage under high humidity is applied to the electrode lies, a silver hike.

Weiterhin ist eine Metallteilchenschicht einer Dicke wie der der herkömmlichen Silberelektrode aus Kostengründen unerwünscht. Am besten ist die Metallschicht also zwischen 0,2 und 1 Mikrometer dick. Dann läßt sich im Fall der Wärmebehandlung kleiner Keramikkondensatoren eine gute Genauigkeit der Metallschicht erreichen, indem man in einer Masse aus anorganischem Material wie Aluminiumoxid von 0,1 bis 10 Millimeter Durchmesser erwärmt.Furthermore, a metal particle layer is of a thickness as that of the conventional one Silver electrode undesirable for reasons of cost. So the metal layer is best between 0.2 and 1 micrometer thick. Then, in the case of the heat treatment, it can be smaller Ceramic capacitors achieve a good accuracy of the metal layer by one in a mass of inorganic material such as alumina from 0.1 to 10 millimeters Diameter heated.

Nach der vorliegenden Erfindung ist eine stromlose Metallisierung mit Kupfer und Nickel aus Gründen der elektrischen Eigenschaften, der Lötbarkeit und der Eignung für die Massenfertigung bevorzugt.According to the present invention is an electroless plating with copper and nickel for reasons of electrical properties and solderability and suitability for mass production is preferred.

Dabei enthält das stromlose Metallisierungsbad hauptsächlich eine wasserlösliche Kupferverbindung, einen Kupfer(II)-Komplexbildner, eine Alkaliverbindung und Formaldehyd als Reduktionsmittel. Ein stromloses Vernickelungsbad enthalt allgemein Nickelsulfat und Phosphit als Reduktionsmittel; eine Borverbindung als Reduktionsmittel im Bad ist aus Gründen der Löteigenschaften bevorzugt.The electroless plating bath mainly contains one water-soluble copper compound, a copper (II) complexing agent, an alkali compound and formaldehyde as a reducing agent. An electroless nickel plating bath generally includes Nickel sulfate and phosphite as reducing agents; a boron compound as a reducing agent in the bathroom is preferred for reasons of soldering properties.

Nach der vorliegenden Erfindung beträgt die Dicke der stromlos aufgebrachten Metallisierung 0,1 bis 20 Mikrometer. Der untere Grenzwert wird von der Wirksamkeit als Elektrode, der obere Grenzwert durch die elektrischen Eigenschaften und den Kostenaufwand bestimmt; der optimale Dickenbereich liegtzwischen 1 und 10 Mikrometer. Behandelt man die bei der Wärmebehandlung gebildete Metallschicht vor dem stromlosen Metallisieren mit einer Lösung, die mindestens ein Ion der Gruppe Pd, Pt, Os, Ir und Ru enthält, wird sie für die stromlose Metallisierungsreaktion aktiviert und man erhält eine gleichmäßige Elektrode. Behandelt man weiterhin die Metallschicht in einer Lösung, die eine organische Säure, Ammoniumlösung, Salpetersäure, Schwefelsäure einzeln oder in Mischung enthält, bevor man mit der Lösung beispielsweise des Pd-Ions substitutionsbehandelt, läßt sich eine bessere Abmessungsgenauigkeit der stromlos aufgebrachten Elektrode erreichen.According to the present invention, the thickness is that of the electroless applied Metallization 0.1 to 20 micrometers. Of the lower limit is on the effectiveness as an electrode, the upper limit due to the electrical properties and determines the cost; the optimum range of thicknesses is between 1 and 10 Micrometer. If the metal layer formed during the heat treatment is pre-treated electroless plating with a solution containing at least one ion of the group Containing Pd, Pt, Os, Ir and Ru, it is used for the electroless plating reaction activated and you get a uniform electrode. If you continue to treat the Metal layer in a solution containing an organic acid, ammonium solution, nitric acid, Contains sulfuric acid individually or as a mixture, before using the solution, for example Substitution-treated of the Pd ion, better dimensional accuracy can be obtained of the electrolessly applied electrode.

Für die vorliegende Erfindung muß das wärmebeständige und isolierende Substrat bei Temperaturen über 2500C wärmebeständig sein; vorzugsweise verwendet man ein Keramiksubstrat.For the present invention, it must be heat-resistant and insulating Substrate be heat resistant at temperatures above 2500C; preferably used one ceramic substrate.

Durch Aufrauhen der Substraoberfläche mit chemischen bzw.By roughening the substrate surface with chemical resp.

mechanischen Mitteln kann man die Haftfestigkeit der Elektrode und deren elektrische Eigenschaften verbessern.mechanical means can improve the adhesive strength of the electrode and improve their electrical properties.

Die Fig. 1 zeigt im Schnitt den Aufbau einer Elektrode auf dem wärmebeständigen isolierenden Substrat, wie man sie nach der vorliegenden Erfindung erhält. In der Fig. 1 bezeichnen 1 das wärmebeständige isolierende Substrat, 2 die Metallschicht mit einer Silberkomponente und 3 die stromlos aufgebrachte Metallisierungsschicht.Fig. 1 shows in section the structure of an electrode on the heat-resistant insulating substrate as obtained according to the present invention. In the In Fig. 1, 1 is the heat-resistant insulating substrate, 2 is the metal layer with a silver component and 3 the electrolessly applied metallization layer.

Die nach der vorliegenden Erfindung erzeugten Elektroden auf einem wärmebeständigen isolierenden Substrat sind geeignetals Beläge für Leitungszüge, Kondensatoren, piezoelektrische Bauelemente usw.The electrodes produced according to the present invention on a heat-resistant insulating substrates are suitable as coverings for cable runs, Capacitors, piezoelectric components, etc.

Beispiel 1 Als wärmebeständiges und isolierendes Substrat wurde ein 50 x 50 mm großes Aluminiumoxidsubstrat einer Dicke von 1 mm verwendet, das in einer Mischlösung aus Fluorsäure und Salpetersäure geätzt worden war.Example 1 As a heat-resistant and insulating substrate, a 50 x 50 mm aluminum oxide substrate with a thickness of 1 mm used, which is in a Mixed solution of fluoric acid and nitric acid had been etched.

Die Paste, die auf das Substrat aufgedruckt wurde, wurde mit 0,05 bis 40 Gew.-% des Metallmaterials hergestellt, das 0 bis 100 Gew.-% Silberkomponente und 100 bis 0 Cew.-% Crundmetall, Rest ein organischer Träger, enthielt.The paste that was printed on the substrate was rated 0.05 to 40% by weight of the metal material, the 0 to 100% by weight of the silver component and 100 to 0 wt .-% base metal, the remainder an organic carrier.

Als Silberkomponente dienten Silberpulver mit einem durchschnittlichen Durchmesser von 1 Mikrometer und/oder Silbernitrat.Silver powder with an average was used as the silver component 1 micron diameter and / or silver nitrate.

Als Grundmetall diente ein Metallpulver wie beispielsweise Ni, Cu, Al, Zn, Sn, W, Mo, Fe, Co, Cr mit einem durchschnittlichen Durchmesser von weniger als 2 Mikrometer.A metal powder such as Ni, Cu, Al, Zn, Sn, W, Mo, Fe, Co, Cr with an average diameter of less than 2 microns.

Der organische Träger war ein Harz wie beispielsweise Äthylcellulose, Acetcellulose, Butylgummi, Polyvinylbutyral, Phenol sowie ein Lösungsmittel wie Carbitol, Terpineol,Cellosolve oder Alkohol.The organic carrier was a resin such as ethyl cellulose, Acet cellulose, butyl rubber, polyvinyl butyral, phenol and a solvent such as Carbitol, Terpineol, Cellosolve, or Alcohol.

Die als Zusatzmittel verwendetenC-laspulverkomponeten waren wie folgt: Glaspulver A aus PbO, B203, Al203, Na2O; Glaspulver B aus B203, Nu203, CaO, ZnO; Glaspulver C aus Na2O, P203, CaO, ZnO, B2O3.The C-laser powder components used as additives were as follows: Glass powder A made from PbO, B203, Al203, Na2O; Glass powder B made from B203, Nu203, CaO, ZnO; Glass powder C made of Na2O, P203, CaO, ZnO, B2O3.

Diese Paste wurde in dem in Fig. 2 gezeigten Muster auf das Aluminiumoxid gedruckt, dann bei 100 bis 1200C getrocknet und dann durch Wärmebehandlung bei 200 bis 9000C auf einem elektrischen Herd die Metallteilchenschicht ausgebildet.This paste was applied to the alumina in the pattern shown in FIG printed, then dried at 100 to 1200C and then by heat treatment at 200 to 9000C on an electric stove, the metal particle layer was formed.

Danach wurde das Substrat in eine Palladium-Ionenlösung von 0,01 % getaucht, dann eine Kupfer- und Nickelschicht in einer Dicke von 0,1 bis 20 Mikrometer durch stromloses Metallisieren auf dem Substrat ausgebildet.The substrate was then immersed in a palladium ion solution of 0.01% dipped, then a copper and nickel layer 0.1 to 20 microns thick formed by electroless plating on the substrate.

Eine Komponente des stromlosen Verkupferungsbads wurde mit Kupfersulfat, EDTA als Komplexbildner, Formaldehyd als Reduziermittel, Natriumhydroxid als pE-Regulator und Zusatzmittel versehen, dann die stromlose Verkupferung im Bad bei einer Bad-Temperatur von 70 bis 750C durchgeführt. Ein Teil des stromlosen Vernickelungsbades wurde mit Nickelsulfat, Natriumcitrat als Komplexbildner, Natriumphosphit als Reduziermittel versehen und dann bei einer Badtemperatur von 88 bis 920C stromlos vernickelt.One component of the electroless copper plating bath was treated with copper sulfate, EDTA as a complexing agent, formaldehyde as a reducing agent, sodium hydroxide as a pE regulator and additives, then electroless copper plating in the bath at a bath temperature carried out from 70 to 750C. Part of the electroless nickel plating bath was with Nickel sulfate, sodium citrate as a complexing agent, sodium phosphite as a reducing agent and then electrolessly nickel-plated at a bath temperature of 88 to 920C.

Zur Messung der Haftfestigkeit der Elektroden wurde auf dem Substrat jeweils eine Elektrode mit einem Durchmesser von 5 mm (vergl. Fig. 2-2) vorgesehen und ein 0,5 mm starker Draht an sie angelötet.To measure the adhesive strength of the electrodes on the substrate in each case one electrode with a diameter of 5 mm (see Fig. 2-2) is provided and a 0.5mm thick wire soldered to it.

Beim Silberwanderungstest wurde eine Spannung von 10V zwischen zwei Elektroden in der in Fig. 2-3 gezeigten Form gelegt. Die Prüfung erfolgte bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 95 % für die Dauer von 1.000 Std.In the silver migration test, a voltage of 10V was found between two Electrodes placed in the form shown in Fig. 2-3. The test was carried out at a Temperature of 600C and a relative humidity of 95% for the duration of 1,000 hours

Nach dem Test wurde die Silberwanderung beobachtet.Silver migration was observed after the test.

Als Beispiel für herkömmliche stromlos aufgebrachte Elektroden wurde das Substrat durch Eintauchen in eine Zinn(II)-Ionenlösung und eine Palladium-Ionenl8sung getaucht und unter Abdekkung mit einem Resistmaterial eine Elektrode mit einem Durchmesser von 5 mm auf das Substrat durch stromlose Vernickelung aufgebracht.As an example of conventional electroless electrodes the substrate by immersion in a tin (II) ion solution and a palladium ion solution immersed and covered with a resist material an electrode with a diameter of 5 mm applied to the substrate by electroless nickel plating.

Als.Beispiel einer herkömmlichen Silberelektrode des Schmelztyps wurde eine Silberpaste auf das Substrat im in der Fig.As an example of a conventional melt type silver electrode a silver paste on the substrate in the Fig.

2-2, 2-3 gezeigten Muster aufgedruckt, bei 1200C zehn Minuten getrocknet und dann 10 Minuten bei 8600C wärmebehandelt.2-2, 2-3 pattern shown, dried at 1200C for ten minutes and then heat treated at 8600C for 10 minutes.

Die Ergebnisse dieses Beispiels sind in der Tabelle I zusammengefaßt.The results of this example are summarized in Table I.

Die Tabelle zeigt eine Abschätzung des Zustands des stromlos aufgebrachten Metallauftrags mit dern Zeichen "o" für "gut", t. für "noch gut" und "x" für "schletht".Bei den in den "Bemerkungen" mit "nur Ag-Verbindung" gekennzeichneten Proben diente nur Silberpulver als Ag-Komponente.The table shows an estimate of the state of the de-energized Metal order with the character "o" for "good", t. for "still good" and "x" for "schletht" was used for the samples marked with "Ag compound only" in the "Comments" only silver powder as Ag component.

Ein Kreis um die Probennummer kennzeichnet ein Vergleichsbeispiel.A circle around the sample number indicates a comparative example.

Beispiel 2 Ein Keramiksubstrat (Dielektrikum) mit 4 bis 10 mm Durchmesser und 0,15 bis 1 mm Dicke aus BaTiO3 BaZrO2 und CaTiO3 wurde in einer Mischlösung aus Fluor- und Salpetersäure geätzt und diente dann als wärmebeständiges isolierendes Substrat.Example 2 A ceramic substrate (dielectric) with a diameter of 4 to 10 mm and 0.15 to 1 mm thickness of BaTiO3 BaZrO2 and CaTiO3 was in a mixed solution Etched from fluoric and nitric acid and then served as a heat-resistant insulating Substrate.

Als Paste wurde die gleiche wie im Beispiel 1 zubereitet und im in Fig. 3 gezeigten Muster unter Verwendung einer Abdekkung so aufgedruckt, daß ein gleichmäßiger Rand von 0,5 bis 1 mm auf jeder Seite des Substrats verblieb.The same paste as in Example 1 was prepared and used in in Fig. 3 is printed using a cover so that a uniform margin of 0.5 to 1 mm remained on each side of the substrate.

Die nachfolgende Behandlung und Messung der Haftfestigkeit war wie im Beispiel 1.The subsequent treatment and measurement of the adhesive strength was like in example 1.

Als dielektrische Eigenschaften wurden£und tand vor und nach dem Dauertest (1.000 Std. bei 850C, relative Luftfeuchtigkeit 85 t) bei einer Temperatur von 200C mit einer Frequenz von 20 kHz auf einer Kapazitätsbrücke gemessen.The dielectric properties were given before and after the endurance test (1,000 hours at 850C, relative humidity 85 t) at a temperature of 200C measured with a frequency of 20 kHz on a capacitance bridge.

Die Ergebnisse sind in der Tabelle II zusammengefaßt. -Die Tabelle II enthält eine Abschätzung des Zustands der stromlos aufgebrachten Metallisierung mit den gleichen Zeichen wie in Tabelle I; ein Kreis um eine Probennummer kennzeichnet ebenfalls ein Bezugsbeispiel.The results are summarized in Table II. -The table II contains an estimate of the state of the electrolessly applied metallization with the same symbols as in Table I; denotes a circle around a sample number also a reference example.

Wie sich aus der vorgehenden Beschreibung und den Daten in den Tabellen ergibt, weist die nach der vorliegenden Erfindung auf dem wärmebeständigen isolierenden Substrat ausgebildete Elektrode bessere Eigenschaften auf und ist billiger zu erstellen als eine herkömmliche Silber-Schmelzelektrode; sie ist gegenüber dieser nach ihren Eigenschaften bevorzugt und für die industrielle Massenproduktion besser geeignet als die nach dem herkömmlichen Verfahren stromlos aufgebrachte Nickelelektrode.As can be seen from the previous description and the data in the tables results, according to the present invention on the heat-resistant insulating Substrate formed electrode has better properties and is cheaper to create than a conventional silver fusible electrode; she is towards this after her Properties preferred and more suitable for industrial mass production than the electroless nickel electrode applied by the conventional method.

Die Elektrode auf dem wärmebeständigen isolierenden Substrat und das Herstellungsverfahren nach der Erfindung sind also für die Industrie von hohem Wert.The electrode on the heat-resistant insulating substrate and the Manufacturing processes according to the invention are therefore of great value to industry.

TABELLE I Probe Zusammensetzung Metall- Zuschläge Tempe- Durchschn. Dicke d. Zustand Maßgenauig- Haft - Silbre- Bemerkungen Nr. d.Metallkompo- anteil i.d.Paste Dicke d. stromlos d.strom- keit n.d. festig- wanderatur d.TABLE I Sample Composition Metal Additions Tempe Avg. Thickness d. Condition Accurate - Adhesion - Silver - Comments No. of the metal component i.d. paste thickness d. currentless d.current n.d. Festig- wanderatur d.

nente i.d. Wärme- Metallsch. aufgebr. aufgebr. stroml. keit rung Paste behand- n.d.Wärme Metalli- Metalli- Metalli- n.d.Löten 60°C, 95% Ag-Ant. Grund- lung behandlg. sierung sierung sierung Elektrode 5# 10V metall # # Draht 0,5# 1000 Std.nente i.d. Heat metal sh. upset upset current cure paste treated after heat Metallic Metallic Metallic after soldering 60 ° C, 95% Ag-Ant. Reason- treatment treatment ization ization Electrode 5 # 10V metal # # Wire 0.5 # 1000 Hours.

Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp 1 100 0 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0~# +70~+100 0,6 Nein 2 80 20 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +50~+ 80 2,6 Nein 3 60 40 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +50~+ 80 3,3 Nein 4 40 60 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +40~+ 60 3,6 Nein 5 20 80 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +30~+ 50 3,8 Nein 6 10 90 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +30~+ 50 3,2 Nein 7 5 95 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +30~+ 50 2,7 Nein 8 0,5 99,5(Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0~# +20~+ 40 1,0 Nein 9 0 100 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) #~x +10~+ 30 0,2 Nein 10 20 80 (Ni) 0,02 - 450 0,02 - x - - -11 20 80 (Ni) 0,05 - 450 0,05 3 (Ni) # +120~+200 0,4 Nein 12 20 80 (Ni) 0,5 - 450 0,1 3 (Ni) 0~# +100~+200 0,5 Nein 13 20 80 (Ni) 1 - 450 0,1 3 (Ni) 0~# +100~+200 0,9 Nein 14 20 80 (Ni) 5 - 450 0,2 3 (Ni) 0 +80~+160 2,7 Nein 15 20 80 (Ni) 20 - 450 0,7 3 (Ni) 0 +40~+ 60 3,6 Nein 16 20 80 (Ni) 30 - 450 1,0 3 (Ni) 0 +20~+ 50 3,3 Nein 17 20 80 (Ni) 30 - 450 1,5 3 (Ni) 0 +80~+150 1,5 Nein 18 20 80 (Ni) 40 - 450 2 3 (Ni) 0 +100~+200 1,1 Nein 19 20 80 (Ni) 60 - 450 4 3 (Ni) 0 +180~+300 0,3 Nein 20 100 0 (Ni) 0,05 - 450 0,05 3 (Ni) # +150~+250 0,6 Nein nur Ag-Verbindung TABELLE I - Fortsetzung Probe Zusammensetzung Metall- Zuschläge Tempe- Durchschn. Dicke d. Zustand Maßgenauig- Haltfe- Silber- Bemerkungen Nr. d.Metallkompo- anteil i.d.Paste ratur Dicke d. stromlos d.strom- keit .n.d. stigkeit wandenente i.d. der Metallsch. aufgebr. aufgebr. stromlos n.d.Löten rung Paste Wärme- n.d. Metalli- Metalli- Metalli- Elektrode 5# 60°C, 95% # # Ag-Ant. Grund- behand- behandlg. sierung sierung sierung Draht 0,5 # 10 V metall lung 1000Std.% By weight% by weight% by weight ° C μm μm μm Kp 1 100 0 10-450 0.5 3 (Ni) 0 ~ # + 70 ~ + 100 0.6 no 2 80 20 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 2.6 no 3 60 40 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.3 No 4 40 60 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 3.6 No 5 20 80 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.8 No 6 10 90 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.2 No 7 5 95 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 2.7 no 8 0.5 99.5 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 ~ # + 20 ~ + 40 1.0 no 9 0 100 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) # ~ x + 10 ~ + 30 0.2 No 10 20 80 (Ni) 0.02 - 450 0.02 - x - - -11 20 80 (Ni) 0.05 - 450 0.05 3 (Ni) # + 120 ~ + 200 0.4 No 12 20 80 (Ni) 0.5 - 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 100 ~ + 200 0.5 No 13 20 80 (Ni) 1 - 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 100 ~ + 200 0.9 no 14 20 80 (Ni) 5 - 450 0.2 3 (Ni) 0 + 80 ~ + 160 2.7 no 15 20 80 (Ni) 20 - 450 0.7 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 3.6 No 16 20 80 (Ni) 30 - 450 1.0 3 (Ni) 0 + 20 ~ + 50 3.3 No 17 20 80 (Ni) 30 - 450 1.5 3 (Ni) 0 + 80 ~ + 150 1.5 No 18 20 80 (Ni) 40 - 450 2 3 (Ni) 0 + 100 ~ + 200 1.1 No 19 20 80 (Ni) 60 - 450 4 3 (Ni) 0 + 180 ~ + 300 0.3 No 20 100 0 (Ni) 0.05 - 450 0.05 3 (Ni) # + 150 ~ + 250 0.6 No only Ag connection TABEL I - continued sample composition metal surcharges tempe- avg. thickness d. Condition Accurate- Hold- Silver- Comments No. of the metal component in the paste rature thickness d. de-energized d.current .n.d. stigkeit walled duck i.d. the metal sh. upset upset currentless after soldering paste heat- after Metallic metallic metallic Electrode 5 # 60 ° C, 95% # # Ag-Ant. Basic treatment ization ization Wire 0.5 # 10 V metal lung 1000h.

Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp 21 100 0 1 - 450 0,1 3 (Ni) 0~# +150~+250 0,9 Nein nur Ag-Verb.Wt .-% wt .-% wt .-% wt .-% ° C µm µm µm Kp 21 100 0 1 - 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 150 ~ + 250 0.9 No only Ag-Verb.

22 100 0 1 20 (Kohle) 450 0,1 3 (Ni) 0~# + 20~+ 30 1,0 Nein nur Ag-Verb.22 100 0 1 20 (carbon) 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 20 ~ + 30 1.0 no only Ag-conn.

Ag-VerbiGew.-% 23 100 0 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 2,7 Nein Ag-Pulver 14 Gew.-% 24 20 80 (Cu) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 +100~+200 3,4 Nein 25 20 80 (Al) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,2 Nein 26 20 80 (Zn) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,0 Nein 27 20 80 (Sn) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 60~+ 80 3,4 Nein 28 20 80 (W) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 70 3,0 Nein 29 20 80 (Mo) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 3,0 Nein 30 20 80 (Fe) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,2 Nein 31 20 80 (Co) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 3,6 Nein 32 20 80 (Cr) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 60~+ 80 3,1 Nein 33 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 3,7 Nein Pd-Pulver 0,01 Gew.-% 34 20 79,9 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 20~+ 50 3,8 Nein Pd-Pulver 0,1 Gew.-% 35 20 79,8 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 20~+ 40 3,9 Nein Pd-Pulver 0,2 Gew.-% 36 20 79,5 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 20~+ 40 4,0 Nein Pd-Pulver 0,5 Gew.-% 37 20 75 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 60 3,5 Nein Pd-Pulver 5 Gew.-% 38 20 80 (Ni) 15 - 180 0,5 - x - -39 20 80 (Ni) 15 - 250 0,5 3 (Ni) # + 50~+ 80 0,3 Nein 40 20 80 (Ni) 15 - 300 0,5 3 (Ni) 0~# + 50~+ 70 0,8 Nein TABELLE I - Fortsetzung Probe Zusammensetzung Metall- Zuschläge Tempe- Durchschn. Dicke d. Zustand Maßgenauig- Haftfe- Silber- Bemerkungen Nr. d.Metallkompo- anteil i.d.Paste ratur Dicke d. stromlos d. stroml. keit n.d. stigkeit wandenente i.d. der Metallsch. aufgebr. aufgebr. stromlosen n.d.Löten rung Paste Wärme- n.d.Wärme- Metalli- Metalli- Metalli- Elektrode 5# # # Ag-Ant. Grund- behand- behandlg. sierung sierung sierung Draht 0,5 # 60°C, 95 % metall lung 10 V Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp 1000 Std.Ag-VerbiW.% 23 100 0 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 2.7 No Ag powder 14% by weight 24 20 80 (Cu) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 100 ~ + 200 3.4 No 25 20 80 (Al) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.2 No 26 20 80 (Zn) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.0 No 27 20 80 (Sn) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 3.4 No 28 20 80 (W) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 70 3.0 No 29 20 80 (Mo) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.0 No 30 20 80 (Fe) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.2 No 31 20 80 (Co) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.6 No 32 20 80 (Cr) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 3.1 No 33 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.7 No Pd powder 0.01 % By weight 34 20 79.9 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 20 ~ + 50 3.8 No Pd powder 0.1% by weight 35 20 79.8 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 20 ~ + 40 3.9 No Pd powder 0.2% by weight 36 20 79.5 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 20 ~ + 40 4.0 No Pd powder 0.5% by weight 37 20 75 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 3.5 No Pd powder 5% by weight 38 20 80 (Ni) 15 - 180 0.5 - x - -39 20 80 (Ni) 15 - 250 0.5 3 (Ni) # + 50 ~ + 80 0.3 No 40 20 80 (Ni) 15 - 300 0.5 3 (Ni) 0 ~ # + 50 ~ + 70 0.8 No. TABLE I - Continued sample composition metal surcharges tempe- avg. Thickness d. State Accurate- Adhesive- Silver- Remarks No. of the metal component in the paste rature Thickness d. currentless d. current ability n.d. stigkeit walled duck i.d. the metal sh. upset upset electroless after soldering paste heat after heat metallic metallic metallic Electrode 5 # # # Ag-Ant. Basic treatment ization ization wire 0.5 # 60 ° C, 95% metal development 10 V wt% wt% wt% wt% ° C µm µm µm Kp 1000 Hours.

41 20 80 (Ni) 15 - 350 0,5 3 (Ni) 0 + 60~+ 80 3,3 Nein 42 20 80 (Ni) 15 - 400 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,7 Nein 43 20 80 (Ni) 15 - 600 0,5 3 (Ni) 0 + 60~+ 90 3,4 Nein 44 20 80 (Ni) 15 - 800 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 1,8 Nein 45 20 80 (Ni) 15 - 900 0,5 3 (Ni) # + 40~+ 60 0,5 Nein 46 20 80 (Ni) 15 - 1050 - x - - -47 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 0,02 (Ni) x - - -48 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 0,1 (Ni) # + 30~+ 50 0,3 Nein 49 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 0,5 (Ni) 0 + , 40~+ 60 2,8 Nein 50 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 1 (Ni) 0 + 40~+ 70 3,5 Nein 51 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 5 (Ni) 0 + 60~+ 80 3,8 Nein 52 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 10 (Ni) 0+ 60~+ 90 3,8 Nein 53 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 20 (Ni) 0+ 70~+ 120 3,4 Nein 54 20 80 (Ni) 15 0,1 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 3,6 Nein 55 20 80 (Ni) 15 0,5 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 4,1 Nein 56 20 80 (Ni) 15 5 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 60 3,9 Nein 57 20 80 (Ni) 15 10 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 3,5 Nein 58 20 80 (Ni) 15 1 (Bi2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 3,7 Nein 59 20 80 (Ni) 15 1 (Sb2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 3,7 Nein 60 20 80 (Ni) 15 1 (PbO) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 3,8 Nein 61 20 80 (Ni) 15 1 Glaspulver 550 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 4,1 Nein Glaspulver A 62 20 80 (Ni) 15 1 Glaspulver 500 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 4,1 Nein Glaspulver B 63 20 80 (Ni) 15 1 Glaspulver 500 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 4,2 Nein Glaspulver C 64 20 80 (Ni) 15 1 Kohlenstoff 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 3,8 Nein Kohlepulver 65 20 80 (Ni) 15 10 Kohlenstoff 450 0,5 3 (Ni) 0 + 10~+ 20 3,7 Nein Kohlepulver 66 20 80 (Ni) 15 30 Kohlenstoff 450 0,5 3 (Ni) 0 0~+ 10 3,2 Nein Kohlepulver 67 20 80 (Ni) 15 50 Kohlenstoff 450 0,5 3 (Ni) # + 10~+ 20 0,9 Nein Kohlepulver 68 20 80 (Ni) 15 10 (SiO2) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 10~+ 30 3,6 Nein SiO2-Pulver 69 20 80 (Ni) 15 10 (MgO) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 20~+ 30 3,6 Nein MgO-Pulver 70 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 0,6 Nein ohne Ätzen d. Substrats TABELLE I - Fortetzung Probe Zusammensetzung Metall- Zuschläge Tempe- Durchschn. Dicke d. Zustand Maßgenauig- Haftfe- Siber- Bemerkkungen Nr. d.Metallkompo- anteil i.d.Paste ratur Dicke d. stromlos d.strom keit n.d. sitgkeit wandenente i.d. der Metallsch. aufgebr. aufgebr. stromlosen n.d.Löten rung Paste Wärmebe- nd. Wärme- Metalli- Metalli- Metalli- elektrode 5# 60°C, 95 % # # hand- behandlg. sierung sierung sierung Draht 0,5 # 10 V Ag-Ant. Grund- lung 1000 Std.41 20 80 (Ni) 15 - 350 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 3.3 No 42 20 80 (Ni) 15 - 400 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.7 No 43 20 80 (Ni) 15 - 600 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 90 3.4 No 44 20 80 (Ni) 15 - 800 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 1.8 No 45 20 80 (Ni) 15 - 900 0.5 3 (Ni) # + 40 ~ + 60 0.5 No 46 20 80 (Ni) 15 - 1050 - x - - -47 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 0.02 (Ni) x - - -48 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 0.1 (Ni) # + 30 ~ + 50 0.3 No 49 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 0.5 (Ni) 0 +, 40 ~ + 60 2.8 No 50 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 1 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.5 No 51 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 5 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 3.8 No 52 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 10 (Ni) 0+ 60 ~ + 90 3.8 No 53 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 20 (Ni) 0+ 70 ~ + 120 3.4 No 54 20 80 (Ni) 15 0.1 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 3.6 No 55 20 80 (Ni) 15 0.5 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 4.1 No 56 20 80 (Ni) 15 5 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 3.9 No 57 20 80 (Ni) 15 10 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.5 No 58 20 80 (Ni) 15 1 (Bi2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 3.7 No 59 20 80 (Ni) 15 1 (Sb2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.7 no 60 20 80 (Ni) 15 1 (PbO) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.8 no 61 20 80 (Ni) 15 1 glass powder 550 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 4.1 no glass powder A 62 20 80 (Ni) 15 1 glass powder 500 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 4.1 no glass powder B 63 20 80 (Ni) 15 1 glass powder 500 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 4.2 no glass powder C 64 20 80 (Ni) 15 1 carbon 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.8 no carbon powder 65 20 80 (Ni) 15 10 carbon 450 0.5 3 (Ni) 0 + 10 ~ + 20 3.7 no carbon powder 66 20 80 (Ni) 15 30 carbon 450 0.5 3 (Ni) 0 0 ~ + 10 3.2 no carbon powder 67 20 80 (Ni) 15 50 carbon 450 0.5 3 (Ni) # + 10 ~ + 20 0.9 no carbon powder 68 20 80 (Ni) 15 10 (SiO2) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 10 ~ + 30 3.6 No SiO2 powder 69 20 80 (Ni) 15 10 (MgO) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 20 ~ + 30 3.6 No MgO powder 70 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 0.6 no without etching d. Substrate TABLE I - Continuation Sample Composition Metal Additions Tempe Avg. Thickness d. Condition true to size Adhesive Silver Remarks No. of the metal component in the paste rature Thickness of the currentless d.current n.d. sitgkeit wandente i.d. the metal sh. upset upset currentless after soldering paste heat resisting heat metal metal metal metal electrode 5 # 60 ° C, 95% # # hand treat. ization ization wire 0.5 # 10 V Ag-Ant. Basic 1000 hours

metall Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp 71 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 3,6 Nein H2SO4-Behandlung 72 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 3,7 Nein HNO3-Behandlung 73 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 80~+150 2,0 Nein Metallpulver 4µ 74 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Cu) 0 + 50~+ 90 3,2 Nein stromlos verkopfert 75 stromlos aufgebrachte Ni-Elektrode (herkömmlich) 3 (Ni) 0 - 0,5 Nein 76 herkömmliche Sliberschmelzelektrode 5 (Ag) - - 3,0 Ja 77 herkömmliche Sliberschmelzelektrode 10 (Ag) - - 3,3 Ja 78 herkömmliche Sliberschmelzelektrode 20 (Ag) - - 3,3 Ja TABELLE II Probe Zusammensetzung Metall- Zuschl. Tempe- Durch- Dicke Zustand Maßgenauig- Haft- Dielektrische Bemerkungen Nr. der Metallkompo- anteil i.d. ratur schn. d. d. keit n.d. festig- Eingenschaften nente i.d. Paste d. Wär- Dicke strom-strom- stroml. keit n.d. (1 KHz, 20°C) Paste mebe- d.Me- los los Metallisie- Löten vor dem nach dem Ag-Anteil Grund- handlg.tall- aufge- aufge- ren Dauertest Dauertest schicht metall n.d. br. br. tan# 85°C, 85 %rd.F.metal wt .-% wt .-% wt .-% wt .-% ° C µm µm µm Kp 71 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.6 No H2SO4 treatment 72 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.7 No HNO3 treatment 73 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 80 ~ + 150 2.0 No metal powder 4µ 74 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Cu) 0 + 50 ~ + 90 3.2 No de-energized without current 75 Ni-electrode applied without current (conventional) 3 (Ni) 0 - 0.5 No 76 conventional sliver melting electrode 5 (Ag) - - 3.0 Yes 77 conventional sliver melting electrode 10 (Ag) - - 3.3 Yes 78 conventional sliver melting electrode 20 (Ag) - - 3.3 Yes TABLE II sample composition metal add. Tempe- Diameter- Thickness Condition Dimensional Accurate- Adhesive- Dielectric Remarks No. of Metal components i.d. rature beautiful. d. d. ability n.d. strength properties i.d. Paste d. Heat thickness current current current ability n.d. (1 KHz, 20 ° C) paste mebe- d.Melos metallization soldering before the after the Ag content basic handlg.tall- up endurance test endurance test layer metal n.d. br. br. tan # 85 ° C, 85% rd.F.

Wärme- Metal- Metal- x10-4 1000 Std.Heat- Metal- Metal- x10-4 1000 hrs.

Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp # # x10-4 1 100 0 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0~# + 60~+ 90 1,0 19000 130 17600 168 2 80 20 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,4 20200 120 18400 162 3 60 40 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 4,2 20900 110 19050 140 4 40 60 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 4,5 21200 105 19500 132 5 20 80 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 60 4,6 21700 102 20100 127 6 10 90 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 4,0 21000 109 19200 138 7 5 95 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 3,4 20700 111 18800 136 8 0,5 99,5 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) 0~# + 20~+ 40 1,7 18700 135 17500156 9 0 100 (Ni) 10 - 450 0,5 3 (Ni) #~x + 10~+ 30 0,4 16200 186 13800 420 10 20 80 (Ni) 0,02 - 450 0,02 - x - - - - - -11 20 80 (Ni) 0,05 - 450 0,05 3 (Ni) # +150~+250 0,6 16800 150 14800 220 12 20 80 (Ni) 0,5 - 450 0,1 3 (Ni) 0~# +150~+250 0,8 18600 132 17200 172 13 20 80 (Ni) 1 - 450 0,1 3 (Ni) 0~# +120~+200 1,5 19300 127 17900 165 14 20 80 (Ni) 5 - 450 0,2 3 (Ni) 0 +120~+180 3,5 21000 108 19300 137 15 20 80 (Ni) 20 - 450 0,7 3 (Ni) 0 + 50~+ 70 4,5 21500 103 20000 127 16 20 80 (Ni) 30 - 450 1,0 3 (Ni) 0 + 20~+ 40 4,1 21300 1006 19600 130 17 20 80 (Ni) 30 - 450 1,5 3 (Ni) 0 + 80~+150 2,2 20100 120 18300 162 18 20 80 (Ni) 40 - 450 2 3 (Ni) 0 - 70~+130 1,5 19500 125 17700 166 19 20 80 (Ni) 60 - 450 4 3 (Ni) +180~+300 0,7 17200 145 15300 210 20 100 0 0,05 - 450 0,05 3 (Ni) # +180~+300 1,0 17600 140 15200 200 nur Ag-Verbdg.Wt .-% wt .-% wt .-% wt .-% ° C µm µm µm Kp # # x10-4 1 100 0 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 ~ # + 60 ~ + 90 1.0 19000 130 17600 168 2 80 20 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.4 20 200 120 18 400 162 3 60 40 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 4.2 20 900 110 19050 140 4 40 60 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 4.5 21 200 105 19500 132 5 20 80 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 4.6 21700 102 20 100 127 6 10 90 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 4.0 21000 109 19200 138 7 5 95 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 3.4 20700 111 18800 136 8 0.5 99.5 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) 0 ~ # + 20 ~ + 40 1.7 18700 135 17 500 156 9 0 100 (Ni) 10 - 450 0.5 3 (Ni) # ~ x + 10 ~ + 30 0.4 16200 186 13800 420 10 20 80 (Ni) 0.02 - 450 0.02 - x - - - - - -11 20 80 (Ni) 0.05 - 450 0.05 3 (Ni) # + 150 ~ + 250 0.6 16800 150 14800 220 12 20 80 (Ni) 0.5 - 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 150 ~ + 250 0.8 18600 132 17200 172 13 20 80 (Ni) 1 - 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 120 ~ + 200 1.5 19300 127 17900 165 14 20 80 (Ni) 5 - 450 0.2 3 (Ni) 0 + 120 ~ + 180 3.5 21000 108 19300 137 15 20 80 (Ni) 20 - 450 0.7 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 70 4.5 21500 103 20000 127 16 20 80 (Ni) 30 - 450 1.0 3 (Ni) 0 + 20 ~ + 40 4.1 21300 1006 19600 130 17 20 80 (Ni) 30 - 450 1.5 3 (Ni) 0 + 80 ~ + 150 2.2 20 100 120 18300 162 18 20 80 (Ni) 40 - 450 2 3 (Ni) 0 - 70 ~ + 130 1.5 19500 125 17700 166 19 20 80 (Ni) 60 - 450 4 3 (Ni) + 180 ~ + 300 0.7 17 200 145 15 300 210 20 100 0 0.05 - 450 0.05 3 (Ni) # + 180 ~ + 300 1.0 17600 140 15200 200 only Ag-conn.

21 100 0 1 - 450 0,1 3 (Ni) 0~# +150~+300 1,4 19200 125 17800 165 nur Ag-Verbdg.21 100 0 1 - 450 0.1 3 (Ni) 0 ~ # + 150 ~ + 300 1.4 19200 125 17800 165 only Ag-Verbdg.

22 100 0 1 20Kohlen- 450 0,15 3 (Ni) 0~# + 10~+ 20 1,6 19400 122 18100 160 nur Ag-Verbdg.22 100 0 1 20 carbon 450 0.15 3 (Ni) 0 ~ # + 10 ~ + 20 1.6 19400 122 18 100 160 only Ag connection.

stoff 23 100 0 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 3,5 19800 125 1800 165 Ag-Verbg. 1Gew.-% 24 20 80 (Cu) 15 - 450 0,5 3(Ni) 0 +100~+200 4,1 20900 112 19500 139 Ag-Pulver 14 " 25 20 80 (Al) 15 - 450 0,5 3(Ni) 0 + 50~+ 70 3,9 20700 112 19400 140 26 20 80 (Zn) 15 - 450 0,5 3(Ni) 0 + 60~+ 80 3,8 20700 114 19300 140 27 20 80 (Sn) 15 - 450 0,5 3(Ni) 0 + 60~+ 80 4,2 21300 106 19400 134 28 20 80 (W) 15 - 450 0,5 3(Ni) 0 + 40~+ 70 3,6 20000 122 18100 161 TABELLE II - Fortsetzung Probe Zusammensetzung Metall- Zuschl. Tempe- Durch- Dicke Zustand Maßgenauig- Haft- Dielektrische Bemerkungen Nr. der Metallkompo- anteil i.d. ratur schn. d. d. keit n.d. festig- Eingeschaften nente i.d. Paste d.Wär- Dicke strom-strom- stroml. keit n.d. (1 KHz, 20°C) Paste mebe- d.Me- los los metallisir- Löten vor dem nach dem Ag-Ant. Grund- handlg. tall- aufge-aufge- ren Dauertest Dauertest metall schicht br. br. tan# 85°C, 85 % rd.F.fabric 23 100 0 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.5 19800 125 1800 165 Ag-Verbg. 1% by weight 24 20 80 (Cu) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 100 ~ + 200 4.1 20 900 112 19500 139 Ag powder 14 "25 20 80 (Al) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 70 3.9 20700 112 19400 140 26 20 80 (Zn) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 3.8 20700 114 19300 140 27 20 80 (Sn) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 4.2 21300 106 19400 134 28 20 80 (W) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 3.6 20000 122 18 100 161 TABEL II - continuation sample composition metal add. Tempe- Thickness Condition Dimensionally Accurate- Adhesive- Dielectric Comments No. of the metal component i.d. rature nice d. d. ability n.d. solid-property nente i.d. Paste d.Wär- Thick Strom-Strom- current ability n.d. (1 KHz, 20 ° C) paste mebe- d.Mellos metallisir- soldering before that after the Ag-Ant. Basic handlg. tall-up-up endurance test endurance test metal layer br. br. tan # 85 ° C, 85% rd.h.

n.d.Wär-Metal-Metal- # x10-4 1000 Std.n.d.Wär-Metal-Metal- # x10-4 1000 hours

mebehdg.lisier.lisier. tan# # Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp x10-4 29 20 80 (Mo) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 3,7 20100 118 18300 158 30 20 80 (Fe) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,9 20500 113 19300 140 31 20 80 (Co) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 4,4 21200 105 19200 133 32 20 80 (Cr) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 80 3,7 20100 120 18100 157 33 20 80 (Ni) 15 - 180 0,5 - x - - - - - -34 20 80 (Ni) 15 - 250 0,5 3 (Ni) # + 60~+ 80 0,6 16800 160 14600 230 35 20 80 (Ni) 15 - 300 0,5 3 (Ni) 0~# + 60~+ 80 1,6 18800 137 17600 157 36 20 80 (Ni) 15 - 350 0,5 3 (Ni) 0 + 60~+ 80 4,2 20700 112 19000 140 37 20 80 (Ni) 15 - 400 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 70 4,6 21600 103 20100 129 38 20 80 (Ni) 15 - 600 0,5 3 (Ni) 0 + 60~+ 90 4,0 21200 108 19300 136 39 20 80 (Ni) 15 - 800 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+ 70 2,4 19900 119 18100 163 40 20 80 (Ni) 15 - 900 0,5 3 (Ni) # + 40~+ 60 1,0 17300 142 15800 180 41 20 80 (Ni) 15 - 1050 0,5 - x - - - - - -42 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 0,02 (Ni) x - - - - - -43 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 0,1 (Ni) # + 30~+ 60 0,6 16900 160 14800 235 44 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 1 (Ni) 0 + 30~+ 60 3,5 21100 110 19400 138 45 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 5 (Ni) 0 + 30 ~+60 4,2 21400 107 19600 130 46 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 10 (Ni) 0 + 50~+ 70 4,7 21500 103 20000 128 47 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 20 (Ni) 0 + 60~+ 80 4,8 21200 108 19500 133 48 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 80~+120 4,2 21200 112 19300 140 49 20 80 (Ni) 15 0,1 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 4,4 21400 104 19300 130 50 20 80 (Ni) 15 0,5 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 5,0 21800 102 19200 130 51 20 80 (Ni) 15 5 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 4,8 21900 102 19100 135 52 20 80 (Ni) 15 10 (B2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 4,4 21000 110 17900 148 53 20 80 (Ni) 15 1 (Bi2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 4,7 21200 105 19200 130 54 20 80 (Ni) 15 1 (Sb2O3) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 4,8 21100 107 19000 132 55 20 80 (Ni) 15 1 (PbO) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 70 4,9 2100 106 19100 131 56 20 80 (Ni) 15 1 Glas- 550 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+60 5,2 21800 105 19500 125 Glaspulver A pulver TABELLE II - Fortsetzung Probe Zusammensetzung Metall Zuschl. Tempe- Durch Dicke Zustand Maßgenauig- Half- Dielektrische Bemerkungen Nr. d. Metallkompo- anteil i.d. ratur schn. d. d. keit n.d. festig- Eingeschaften nente i.d. Paste d.Wär- Dicke strom-strom- stroml. keit n.d. (1KHz, 20°C) Paste mebe- d.Me- los los Metallisie- Löten vor dem nach dem Ag-Ant. Grund- hand tall- aufge-aufge- ren Dauertest Dauertest Metall lg. schnitt br. br. tan# 85°C, 85 % rd.F.mebehdg.lisier.lisier. tan # # wt% wt% wt% wt% ° C µm µm µm Kp x10-4 29 20 80 (Mo) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 3.7 20 100 118 18 300 158 30 20 80 (Fe) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.9 20 500 113 19 300 140 31 20 80 (Co) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 4.4 21200 105 19200 133 32 20 80 (Cr) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 80 3.7 20 100 120 18 100 157 33 20 80 (Ni) 15 - 180 0.5 - x - - - - - -34 20 80 (Ni) 15 - 250 0.5 3 (Ni) # + 60 ~ + 80 0.6 16800 160 14600 230 35 20 80 (Ni) 15 - 300 0.5 3 (Ni) 0 ~ # + 60 ~ + 80 1.6 18800 137 17600 157 36 20 80 (Ni) 15 - 350 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 4.2 20700 112 19000 140 37 20 80 (Ni) 15 - 400 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 70 4.6 21600 103 20 100 129 38 20 80 (Ni) 15 - 600 0.5 3 (Ni) 0 + 60 ~ + 90 4.0 21200 108 19300 136 39 20 80 (Ni) 15 - 800 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 70 2.4 19900 119 18100 163 40 20 80 (Ni) 15 - 900 0.5 3 (Ni) # + 40 ~ + 60 1.0 17300 142 15800 180 41 20 80 (Ni) 15 - 1050 0.5 - x - - - - - -42 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 0.02 (Ni) x - - - - - -43 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 0.1 (Ni) # + 30 ~ + 60 0.6 16900 160 14 800 235 44 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 1 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 3.5 21 100 110 19 400 138 45 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 5 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 4.2 21400 107 19600 130 46 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 10 (Ni) 0 + 50 ~ + 70 4.7 21500 103 20000 128 47 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 20 (Ni) 0 + 60 ~ + 80 4.8 21200 108 19500 133 48 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 80 ~ + 120 4.2 21200 112 19300 140 49 20 80 (Ni) 15 0.1 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 4.4 21400 104 19300 130 50 20 80 (Ni) 15 0.5 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 5.0 21800 102 19200 130 51 20 80 (Ni) 15 5 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 4.8 21 900 102 19 100 135 52 20 80 (Ni) 15 10 (B2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 4.4 21000 110 17900 148 53 20 80 (Ni) 15 1 (Bi2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 4.7 21200 105 19200 130 54 20 80 (Ni) 15 1 (Sb2O3) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 4.8 21100 107 19000 132 55 20 80 (Ni) 15 1 (PbO) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 70 4.9 2100 106 19 100 131 56 20 80 (Ni) 15 1 glass 550 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 5.2 21 800 105 19500 125 glass powder A powder TABLE II - continued sample composition Metal surcharge Tempe- Through Thick Condition Dimensionally Accurate- Half- Dielectric Remarks No. d. Metal components i.d. rature beautiful. d. d. ability n.d. solid-property nente i.d. Paste d.Wär- Thickness strom-strom- stroml. ability n.d. (1KHz, 20 ° C) paste mebe- d.Melos metallization soldering before after the Ag-Ant. Basic hand tall- open endurance test endurance test metal lg. cut br. br. tan # 85 ° C, 85% approx.

n.d.Wär-Metal-Metal- # x10-4 1000 Std.n.d.Wär-Metal-Metal- # x10-4 1000 hours

mebehdg. lisier. lisier. tan.# # Gew.-% Gew.-% Gew.-% Gew.-% °C µm µm µm Kp x10-4 57 20 80 (Ni) 15 1 Glas- 500 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 5,0 21600 103 19400 127 Glaspulver B pulver 58 20 80 (Ni) 15 1 Glas- 500 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 5,1 21500 102 19400 125 Glaspulver C pulver 59 20 80 (Ni) 15 1 Kohlen-450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 60 4,7 21400 104 20100 129 Kohlenstoffstoff pulver 60 20 80 (Ni) 15 10 Kohlen-450 0,5 3 (Ni) 0 + 0~+ 20 4,6 21500 105 20200 130 Kohlenstoffstoff pulver 61 20 80 (Ni) 15 30 Kohlen-450 0,5 3 (Ni) 0 + 10~- 10 4,0 21000 110 19200 137 Kohlenstoffstoff pulver 62 20 80 (Ni) 15 50 Kohlen-450 0,5 3 (Ni) # + 10~+ 20 1,5 18100 140 16200 159 Kohlenstoffstoff pulver 63 20 80 (Ni) 15 10 (SiO2) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 10~+ 30 4,5 21300 108 19500 132 SiO2-Pulver 64 20 80 (Ni) 15 10 (MgO) 450 0,5 3 (Ni) 0 + 15~+ 30 4,4 21200 109 19500 130 MgO-Pulver 65 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 40~+ 60 1,3 19500 135 17700 160 ohne Ätzen d.mebehdg. lisier. lisier. tan. # # wt% wt% wt% wt% ° C µm µm µm Kp x10-4 57 20 80 (Ni) 15 1 glass 500 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 5.0 21 600 103 19400 127 glass powder B powder 58 20 80 (Ni) 15 1 glass 500 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 5.1 21500 102 19400 125 glass powder C powder 59 20 80 (Ni) 15 1 carbon 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 4.7 21400 104 20 100 129 Carbon powder 60 20 80 (Ni) 15 10 carbon-450 0.5 3 (Ni) 0 + 0 ~ + 20 4.6 21500 105 20 200 130 carbon powder 61 20 80 (Ni) 15 30 carbon-450 0.5 3 (Ni) 0 + 10 ~ - 10 4.0 21000 110 19200 137 carbon powder 62 20 80 (Ni) 15 50 carbon-450 0.5 3 (Ni) # + 10 ~ + 20 1.5 18 100 140 16 200 159 carbon powder 63 20 80 (Ni) 15 10 (SiO2) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 10 ~ + 30 4.5 21300 108 19500 132 SiO2 powder 64 20 80 (Ni) 15 10 (MgO) 450 0.5 3 (Ni) 0 + 15 ~ + 30 4.4 21200 109 19500 130 MgO powder 65 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 40 ~ + 60 1.3 19500 135 17700 160 without etching d.

Substrats 66 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 50 4,5 21500 102 20200 127 H2SO4-Behandlg.Substrate 66 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 50 4.5 21 500 102 20 200 127 H2SO4 treatment

67 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 30~+ 60 4,6 21600 102 20100 129 HNO3-Behandlung 68 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 80~+150 2,8 20300 118 18500 157 Metallpulver 4µ 69 20 80 (Ni) 15 - 450 0,5 3 (Ni) 0 + 50~+100 4,2 21000 110 19200 130 stromlos ver-70 herkömml. stromlos aufgebrachte Ni-Elektrode 3 (Ni) 0 - 0,7 17000 170 14200 250 71 herkömmliche Silberschmelzelektrode 5 (Ag) - - 3,8 20600 115 18600 161 72 herkömmliche Silberschmelzelektrode 10 (Ag) - - 4,1 20800 114 18600 161 73 herkömmliche Silberschmelzelektrode 20 (Ag) - - 4,2 21000 114 18700 160 Leerseite67 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 30 ~ + 60 4.6 21 600 102 20 100 129 HNO3 treatment 68 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 80 ~ + 150 2.8 20 300 118 18500 157 metal powder 4µ 69 20 80 (Ni) 15 - 450 0.5 3 (Ni) 0 + 50 ~ + 100 4.2 21000 110 19200 130 de-energized 70 conventional. currentless applied Ni electrode 3 (Ni) 0 - 0.7 17000 170 14200 250 71 conventional silver melting electrode 5 (Ag) - - 3.8 20600 115 18600 161 72 conventional silver fusible electrode 10 (Ag) - - 4.1 20800 114 18600 161 73 conventional silver fusible electrode 20 (Ag) - - 4.2 21000 114 18700 160 Blank page

Claims (28)

Patentansprüche Verfahren zur Herstellung einer Elektrode auf einem wärmebeständigen isolierenden Substrat, indem man eine Paste aus 0,05 bis 40 Gew.-t eines zu 0,5 bis 100 C-ew.-t einer Silberkomponente enthaltenden Metallmaterials, Rest ein organischer Träger, auf das Substrat aufbringt, bei einer Temperatur von 250 bis 9000C wärmebehandelt, wobei sich eine 0,05 bis 2 Mikrometer dicke Metallteilchenschicht ausbildet, und dann auf der Metallteilchenschicht eine Elektrode aus Nickel oder Kupfer in einer Dicke von 0,1 bis 20 Mikrometer durch stromloses Metallisieren ausbildet. A method for producing an electrode on a heat-resistant insulating substrate by making a paste of 0.05 to 40 wt. t a metal material containing 0.5 to 100 C-ew.-t of a silver component, Remainder an organic carrier, applied to the substrate, at a temperature of Heat treated 250 to 9000C, leaving a 0.05 to 2 micrometer thick layer of metal particles and then an electrode made of nickel or on the metal particle layer Forms copper in a thickness of 0.1 to 20 micrometers by electroless plating. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem wärmebeständigen isolierenden Substrat um ein Keramiksubstrat handelt.2. The method according to claim 1, characterized in that it is the heat-resistant insulating substrate is a ceramic substrate. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das Substrat durch chemische und/oder mechanische Behandlung aufrauht.3. The method according to claim 1, characterized in that the The substrate is roughened by chemical and / or mechanical treatment. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallmaterial 0,5 bis 100 Gew.-% Silberkomponente und 99,5 bis 0- Gew.-t einer Grundmetallkomponente enthält, bei der es sich um mindestens ein Metall aus der Gruppe Nickel, Kupfer, Aluminium, Zink, Zinn, Wolfram, Molybdän, Eisen, Cobalt und Chrom handelt.4. The method according to claim 1, characterized in that the metal material 0.5 to 100% by weight of a silver component and 99.5 to 0% by weight of a base metal component contains, which is at least one metal from the group nickel, copper, Aluminum, zinc, tin, tungsten, molybdenum, iron, cobalt and chromium are involved. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundmetallkomponente Nickel ist.5. The method according to claim 4, characterized in that the base metal component Nickel is. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallmaterial 0,01 bis 5 Gew.-% Palladium enthält.6. The method according to claim 4, characterized in that the metal material Contains 0.01 to 5% by weight of palladium. 7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der Silberkomponente um Silberpulver mit einem Durchmesser unter 2 Mikrometer und/oder eine Silberverbindung handelt, die bei der Wärmebehandlung zu Silber reduziert wird, und daß die Grundmetallkomponente ein Pulver aus Metall und /oder Legierung unter 2 Mikrometer Durchmesser ist.7. The method according to claim 4, characterized in that it is the silver component is silver powder with a diameter of less than 2 micrometers and / or a silver compound which reduces to silver on heat treatment and that the base metal component is a powder of metal and / or alloy is less than 2 micrometers in diameter. 8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberkomponente 5 bis 80 Gew.-% und die Grundmetallkomponente 95 bis 20 Cew.-% ausmacht.8. The method according to claim 4, characterized in that the silver component 5 to 80% by weight and the base metal component makes up 95 to 20% by weight. 9.'Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metalimaterial in der Paste zu 5 bis 30 Gew.-t vorliegt.9.'Verfahren according to claim 1, characterized in that the metal material 5 to 30 wt. t is present in the paste. 10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Paste weiterhin 0,5 bis 5 Gew.-% Glaspulver oder niedrigschmelzendes Oxid enthält.10. The method according to claim 1, characterized in that the paste furthermore contains 0.5 to 5% by weight of glass powder or low-melting oxide. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Claspulver B203 enthält und daß das Oxid B2O3 ist.11. The method according to claim 10, characterized in that the clasp powder Contains B203 and that the oxide is B2O3. 12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Paste weiterhin 1 bis 30 Cew.-% Kohlenstoffpulver oder anorganisches Pulver enthält.12. The method according to claim 1, characterized in that the paste furthermore contains 1 to 30% by weight of carbon powder or inorganic powder. 13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man bei 350 bis 600°C wärmebehandelt.13. The method according to claim 1, characterized in that at Heat treated from 350 to 600 ° C. 14. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die bei der Wärmebehandlung entstehende Metallteilchenschicht eine durchschnittliche Dicke von 0,2 bis 1 Mikrometern hat.14. The method according to claim 1, characterized in that the at the metal particle layer resulting from the heat treatment has an average thickness from 0.2 to 1 micrometer. 15. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die durch stromloses Metallisieren gebildete Elektrode 1 bis 10 Mikrometer dick ist.15. The method according to claim 2, characterized in that the by Electroless plating electrode is 1 to 10 microns thick. 16. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das wärmebehandelte Substrat vor dem stromlosen Metallisieren mit einem Pt-, Os-, Ir- oder Ru-Ion behandelt.16. The method according to claim 1, characterized in that the heat-treated substrate before electroless plating with a Pt, Os-, Ir- or Ru-Ion treated. 17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das wärmebehandelte Substrat in einer Lösung mit mindestens einer organischen Säure, einer Ammoniumlösung, Salpetersaure und Schwefelsäure behandelt.17. The method according to claim 1, characterized in that the heat-treated substrate in a solution with at least one organic acid, treated with an ammonium solution, nitric acid and sulfuric acid. 18. Elektrode auf einem wärmebeständigen isolierenden Substrat, bestehend aus einer 0,05 bis 2 Mikrometer dicken Metallschicht aus einer Silberkomponente und einer 0,1 bis 20 Mikrometer dicken Schicht aus Nickel oder Kupfer, die durch stromloses Metallisieren aufgebracht wurde.18. Electrode on a heat-resistant insulating substrate, consisting from a 0.05 to 2 micrometer thick metal layer made of a silver component and a 0.1 to 20 micrometer thick layer of nickel or copper passing through electroless plating was applied. 19.Elektrode nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmebeständige isolierende Substrat ein Keramiksubstrat ist.19.Electrode according to claim 18, characterized in that the heat-resistant insulating substrate is a ceramic substrate. 20. Elektrode nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat durch chemische und/oder mechanische Behandlung aufgerauht worden ist.20. Electrode according to claim 18, characterized in that the substrate has been roughened by chemical and / or mechanical treatment. 21. Elektrode nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht 0,5 bis 100 C-ew.-% Silberkomponente und 99,5 bis 0 Gew.-% einer Grundmetallkomponente aufweist, die sich aus mindestens einem Element aus der Gruppe Nickel, Kupfer, Aluminium, Zink, Zinn, Wolfram, Molybdän, Eisen, Cobalt, Chrom zusammensetzt.21. Electrode according to claim 18, characterized in that the metal layer 0.5 to 100% by weight of silver component and 99.5 to 0% by weight of a base metal component which consists of at least one element from the group consisting of nickel, copper, aluminum, Zinc, tin, tungsten, molybdenum, iron, cobalt, chromium. 22. Elektrode nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundmetallkomponente Nickel ist.22. Electrode according to claim 21, characterized in that the base metal component Nickel is. 23. Elektrode nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht 0,01 bis 5 Gew.-% Palladiumkomponente enthält.23. Electrode according to claim 21, characterized in that the metal layer Contains 0.01 to 5 wt .-% palladium component. 24. Elektrode nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberkomponente 5 bis 80 Gew.-% und die Grundmetallkomponente 95 bis 20 Cew.-% ausmachen.24. Electrode according to claim 21, characterized in that the silver component 5 to 80 wt .-% and the base metal component make up 95 to 20 wt .-%. 25. Elektrode nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht Glas oder niedrigschmelzendes Oxid enthält.25. Electrode according to claim 18, characterized in that the metal layer Contains glass or low-melting oxide. 26. Elektrode nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaskomponente B203 enthalt und das niedrigschmelzende Oxid B203 ist.26. Electrode according to claim 25, characterized in that the glass component Contains B203 and the low melting point oxide is B203. 27. Elektrode nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht im Durchschnitt 0,2 bis 1 Mikrometer dick ist.27. Electrode according to claim 18, characterized in that the metal layer is 0.2 to 1 micrometer thick on average. 28. Elektrode nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die durch stromloses Metallisieren aufgebrachte Schicht 1 bis 10 Mikrometer dick ist.28. Electrode according to claim 18, characterized in that the through electroless plating applied layer is 1 to 10 micrometers thick.
DE19813134918 1981-09-03 1981-09-03 "Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it" Granted DE3134918A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813134918 DE3134918A1 (en) 1981-09-03 1981-09-03 "Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it"

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813134918 DE3134918A1 (en) 1981-09-03 1981-09-03 "Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it"

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3134918A1 true DE3134918A1 (en) 1983-03-17
DE3134918C2 DE3134918C2 (en) 1991-04-11

Family

ID=6140792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813134918 Granted DE3134918A1 (en) 1981-09-03 1981-09-03 "Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it"

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3134918A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3706951A1 (en) * 1986-03-05 1987-09-10 Murata Manufacturing Co METHOD FOR METALLIZING CERAMIC MATERIALS
DE3727825A1 (en) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Series-connected thin-film solar module made from crystalline silicon
DE3727826A1 (en) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag SERIES-CONNECTED THIN-LAYER SOLAR MODULE MADE OF CRYSTAL SILICON
EP0449309A2 (en) * 1990-03-29 1991-10-02 Vacuum Metallurgical Co. Ltd. Method of making metalic thin film
US5587111A (en) * 1990-03-29 1996-12-24 Vacuum Metallurgical Co., Ltd. Metal paste, process for producing same and method of making a metallic thin film using the metal paste

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19643912B4 (en) * 1996-10-30 2004-07-08 Infineon Technologies Ag Foil capacitor for installation in a chip card

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE355443C (en) * 1921-11-10 1922-06-27 Quintin Marino Process for covering ceramic and similar goods with a firmly adhering metallic covering
DE828672C (en) * 1942-02-27 1952-01-21 Eugen Duerrwaechter Dr Ing Process for the production of silver plating preparations
DE926459C (en) * 1952-10-06 1955-04-18 Philips Nv Process for surface silvering
US2968583A (en) * 1957-04-25 1961-01-17 Western Electric Co Capacitor sections and methods of making the same
DE1227822B (en) * 1963-02-14 1966-10-27 Du Pont Metallizing palladium-silver alloy composition for use in the manufacture of capacitor electrodes
DE1291674B (en) * 1965-04-26 1969-03-27 Du Pont Precious metal paste for the production of ceramic multiple capacitors
DE2035945A1 (en) * 1970-07-20 1972-02-03 Du Pont Silver comps useful for firing onto reduced - titanate dielectric ceramic substrates
US3801364A (en) * 1971-02-03 1974-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for making printed circuits which include printed resistors
US3859128A (en) * 1968-02-09 1975-01-07 Sprague Electric Co Composition for resistive material and method of making
DE2451485A1 (en) * 1973-12-13 1975-06-19 Ibm METALIZATION METHOD OF UNFIRED CERAMIC MATERIAL
DE2433419A1 (en) * 1974-07-11 1976-01-22 Siemens Ag Surface metallisation of ceramic electric elements - with palladium and nickel(alloy), giving economy, adhesion and reproducibility
DE2263045B2 (en) * 1971-12-22 1976-01-29 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington, Del. (V.St.A.) METALIZING COMPOUNDS FOR THE PRODUCTION OF SOLDERABLE METAL LAYERS OF THE COVERINGS OF DISC CAPACITORS
DE1646904B2 (en) * 1966-05-31 1977-06-02 E.I. du Pont de Nemours and Co., Wilmington, Del. (V.StA.) METALIZING DIMENSIONS
DE2552181A1 (en) * 1975-11-21 1977-06-02 Licentia Gmbh METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONTACT LAYER
DE2805228A1 (en) * 1977-02-09 1978-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT MADE FROM CERAMICS
DE2359432B2 (en) * 1973-11-29 1978-09-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Process for the production of aluminum-coated foils for capacitors and device for carrying out the process

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE355443C (en) * 1921-11-10 1922-06-27 Quintin Marino Process for covering ceramic and similar goods with a firmly adhering metallic covering
DE828672C (en) * 1942-02-27 1952-01-21 Eugen Duerrwaechter Dr Ing Process for the production of silver plating preparations
DE926459C (en) * 1952-10-06 1955-04-18 Philips Nv Process for surface silvering
US2968583A (en) * 1957-04-25 1961-01-17 Western Electric Co Capacitor sections and methods of making the same
DE1227822B (en) * 1963-02-14 1966-10-27 Du Pont Metallizing palladium-silver alloy composition for use in the manufacture of capacitor electrodes
DE1291674B (en) * 1965-04-26 1969-03-27 Du Pont Precious metal paste for the production of ceramic multiple capacitors
DE1646904B2 (en) * 1966-05-31 1977-06-02 E.I. du Pont de Nemours and Co., Wilmington, Del. (V.StA.) METALIZING DIMENSIONS
US3859128A (en) * 1968-02-09 1975-01-07 Sprague Electric Co Composition for resistive material and method of making
DE2035945A1 (en) * 1970-07-20 1972-02-03 Du Pont Silver comps useful for firing onto reduced - titanate dielectric ceramic substrates
US3801364A (en) * 1971-02-03 1974-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for making printed circuits which include printed resistors
DE2263045B2 (en) * 1971-12-22 1976-01-29 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington, Del. (V.St.A.) METALIZING COMPOUNDS FOR THE PRODUCTION OF SOLDERABLE METAL LAYERS OF THE COVERINGS OF DISC CAPACITORS
DE2359432B2 (en) * 1973-11-29 1978-09-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Process for the production of aluminum-coated foils for capacitors and device for carrying out the process
DE2451485A1 (en) * 1973-12-13 1975-06-19 Ibm METALIZATION METHOD OF UNFIRED CERAMIC MATERIAL
DE2433419A1 (en) * 1974-07-11 1976-01-22 Siemens Ag Surface metallisation of ceramic electric elements - with palladium and nickel(alloy), giving economy, adhesion and reproducibility
DE2552181A1 (en) * 1975-11-21 1977-06-02 Licentia Gmbh METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONTACT LAYER
DE2805228A1 (en) * 1977-02-09 1978-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT MADE FROM CERAMICS

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3706951A1 (en) * 1986-03-05 1987-09-10 Murata Manufacturing Co METHOD FOR METALLIZING CERAMIC MATERIALS
DE3727825A1 (en) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag Series-connected thin-film solar module made from crystalline silicon
DE3727826A1 (en) * 1987-08-20 1989-03-02 Siemens Ag SERIES-CONNECTED THIN-LAYER SOLAR MODULE MADE OF CRYSTAL SILICON
EP0449309A2 (en) * 1990-03-29 1991-10-02 Vacuum Metallurgical Co. Ltd. Method of making metalic thin film
EP0449309A3 (en) * 1990-03-29 1994-08-17 Vacuum Metallurg Co Ltd Method of making metalic thin film
US5587111A (en) * 1990-03-29 1996-12-24 Vacuum Metallurgical Co., Ltd. Metal paste, process for producing same and method of making a metallic thin film using the metal paste
US5750194A (en) * 1990-03-29 1998-05-12 Vacuum Metallurgical Co., Ltd. Process for producing a metal paste
US5966580A (en) * 1990-03-29 1999-10-12 Vacuum Metallurgical Co., Ltd. Process for making a thin film using a metal paste

Also Published As

Publication number Publication date
DE3134918C2 (en) 1991-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3706951C2 (en)
DE60201965T2 (en) Glass and conductive paste made therefrom
DE2912402C2 (en)
DE3784764T2 (en) MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE WITH PRINTED CIRCUITS AND ITS PRODUCTION PROCESS.
DE4021364C2 (en)
DE2746320C2 (en) Copper-glass composition of matter and its uses
DE3621667C2 (en)
DE2655085A1 (en) METALIZING PREPARATIONS CONTAINING ELECTRICALLY CONDUCTIVE METALS
DE3217480A1 (en) CONDUCTIVE PASTE
DE2650466C2 (en) Electrical resistance
DE1539769A1 (en) Electric capacitor
DE2650465C2 (en) Material and method for producing conductive connections on electrical metal-ceramic components
US4510179A (en) Electrode on heat-resisting and isolating substrate and the manufacturing process for it
DE3134918A1 (en) "Electrode on heat-resistant, insulating substrate and method for manufacturing it"
DE1646606C3 (en) Compound for metallizing ceramic workpieces
DE2324327C2 (en) Ceramic material for use in resistor pastes for the manufacture of thick film resistors and process for the manufacture of this material
DE2640316A1 (en) MATERIAL FOR AN ELECTRICAL RESISTANCE AND METHOD FOR MANUFACTURING A RESISTOR
DE68912365T2 (en) Multilayer capacitor.
DE602005001242T2 (en) A thick film resistor paste, a thick film resistor made using the thick film resistor paste, and an electronic device including the thick film resistor
EP0529195B1 (en) Resistant paste for manufacturing thick-film resistors
DE2550275A1 (en) PROCESS FOR CREATING BARRIERS FOR LOETZINN ON LADDER
DE102014204729B4 (en) Thick film conductivity inks for electronic devices
DE3050770C2 (en) Method for manufacturing a varistor
US4559279A (en) Electrode on heat-resisting and isolating substrate
DE69709596T2 (en) Coated metal powder and process for its manufacture by decomposition

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: RUSCHKE, H., DIPL.-ING., 8000 MUENCHEN RUSCHKE, O.

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee