DE3128715C2 - Circuit arrangement - Google Patents
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/35—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K3/352—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region the devices being thyristors
Abstract
Die Erfindung betrifft eine selbstlöschende Thyristorstufe, die aus zwei Transistoren zusammengesetzt ist. Nach der Erfindung ist an die Thyristorstufe ein Stromspiegelverstärker angeschlossen, über den einem Speicherelement bei durchgesteuerter Thyristorstufe Strom zugeführt wird. Nach Erreichen eines definierten Speicher-Zustandes am Speicherelement wird ein Schaltelement durchgeschaltet, so daß der Thyristorstufe der für die Aufrechterhaltung des durchgesteuerten Zustandes erforderliche Strom entzogen wird.The invention relates to a self-extinguishing thyristor stage which is composed of two transistors. According to the invention, a current mirror amplifier is connected to the thyristor stage, via which current is fed to a storage element when the thyristor stage is activated. After a defined storage state has been reached on the storage element, a switching element is switched through, so that the current required to maintain the through-controlled state is withdrawn from the thyristor stage.
Description
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß das Speicherelement (C) eine Kapazität ist, die parallel zur Steuerstrecke eines das Schaltelement bildenden Transistors (T4) geschaltet ist, und daß der Kolkktor dieses Transistors (T4) an die Steuerelektrode der Thyrislorstufe angeschlossen ist.2. A circuit arrangement as claimed in claim 1, characterized in that the storage element (C) is a capacitance forming in parallel to the control path of the switch element transistor (T 4) is connected, and that the Kolkktor of this transistor (T 4) to the control electrode of the Thyrislor stage is connected.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität (C) aus einer integrierten »Miller-Kapazität« besteht.3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the capacitance (C) consists of an integrated "Miller capacitance".
4. Schaltungsanordnung rieh einem der vorangegangenen Ansprüche gekennzeichnet durch ihre Verwendung als elektroaisch' Schutzschaltung.4. Circuit arrangement rieh one of the preceding Claims characterized by their use as an electrical protection circuit.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche ι _4_ gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Zeitschalter, insbesondere als monostabile Kippstufe oder als Taktgenerator.5. Circuit arrangement according to one of claims ι _4_ characterized by its use as a time switch, in particular as a monostable multivibrator or as a clock generator.
des Transistors T, ist der Steueranschluß C der Thyristorslufc Thy angeschlossen. Der Widerstand Ri zwischen dem Sicueranschluß G und dem KalhodcnanschluB K verhindert, daß der Rcslstrom des Transistors -, T2 den Transistor T, über dessen Basis ungewollt ansteuert. of the transistor T, the control terminal C of the Thyristorlufc Thy is connected. The resistance Ri between the Sicueranschluss G and the KalhodcnanschluB K prevents that the Rcslstrom of the transistor -, T 2, the transistor T, drives unintentionally via its base.
Ohne Ansteuerung der Thyristorstufe über den SteueranschluB G mit einem von der Stromquelle Qs gelieferten Si rom Lsi die dargestellte Thyristorstufe '.:ci angeln schlosscner Vcrsorgungsspanniing Un gesperrt. Wird dagegen ein .Signalsirom über die hochohmigc Stromquelle (?* dem Steueranschluß G zugeführt, dann baut sich über dem Widerstand /?, eine für die Durchsteuerung des Transistors Τ, ausreichend große Basisemittcrspannung auf. Der Transistor Ti wird somit leitend, so daß der Transistor T2 über seine Basiselektrode angesteuert und somit nicdcrohmig durchgeschaket wird. Dieser durchgcschaltetc Zustand der Thyristorstufe Thy bleibt auch dann erhalten, wenn der Steuerstrom aus der Quelle ζ\ unterbrochen wird. Die Thyristorstrecke A-K kann nur dann gesperrt werden, wenn der Kollektorstrom /(.ι des Transistors T; den WertWithout control of the thyristor via the SteueranschluB G with the thyristor represented by the current source Q s provided Si rom Lsi ':. Ci fishing schlosscner Vcrsorgungsspanniing Un locked. If, on the other hand, a .Signalsirom is fed to the control connection G via the high-resistance current source (? *, Then a base-emitter voltage which is sufficiently high to control the transistor Τ builds up across the resistor /? T 2 is controlled via its base electrode and is thus not passed through. This switched-through state of the thyristor stage Thy is retained even if the control current from the source ζ \ is interrupted. The thyristor path AK can only be blocked when the collector current /(.ι of the transistor T; the value
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Die Erfindung betrifft eine Schallungsanordnung mit einer aus zwei Transistoren Tx. T2 bestehenden Thyristorstufe mit einer an den Thyristor angeschlossenen -r> Löschschaltung, durch die die durchgcsteucrie Thyristorstufe nach einer vorgegebenen Zeit wieder abgeschaltet wird. Aus der DE-AS 11 89 585 ist einejTionostabile Kippschaltung mit einem schalibarcn Gleichrichter bekannt, der mittels Zündung einer Vierschicht- w diode und Kondensatoren kurze Zeit nach der Durchsteuerung wieder abgeschaltet wird.The invention relates to a sound arrangement with one of two transistors T x . T 2 existing thyristor stage with a -r> extinguishing circuit connected to the thyristor, through which the durchgcsteucrie thyristor stage is switched off again after a predetermined time. From DE-AS 11 89 585 einejTionostabile flip-flop with a schalibarcn rectifier is known, the means of ignition of a four-layer diode w and capacitors short time is switched off again after By controlling.
Ferner ist aus der US-PS 42 23 280 ein Oszillator bekannt, bei dem ein Kondensator über eine Konstantstromquelle aufgeladen und über einen Thyristor nach ν Erreichen einer Schwellspannung wieder entladen wird. Im Leitungspfad des Thyristors liegt ein Stromspicgclverstärker, der bei einer bestimmten Entladespannung am Kondensa'orden Stromfluß durch den Leitungspfad ctes Thyristors, der aus zwei Transistoren besteht, unter- h bricht.Furthermore, from US-PS 42 23 280 an oscillator is known in which a capacitor via a constant current source is charged and discharged again via a thyristor after a threshold voltage has been reached. In the conduction path of the thyristor there is a Stromspicgcl Amplifier, which at a certain discharge voltage on the condensator current flow through the conduction path ctes thyristor, which consists of two transistors, under- h breaks.
Eine Thyristorsiufe ist beispielsweise in K i g. I dargestellt. Sie besteht aus den Transistoren /Ί und /..wobei die Br.siskollektorsireeke des Transistors /, parallel zur Basiskollcktorstrecke des Transistors 7'· Ικμί. Pie limit- .· terelektrodc des Transistors Γ· bildet du- Ninnle \ der Thyristorstufe. während die limilterel'-ktrode des Transistors /', deren Kathode K is!. An die Basiselektrode annimmt. Dabei is- Um \ die Basisemitterspannung des Transistors T1. Die Reduzierung des Kollektorstromes lr2 des Transistors T2 unter den angegebenen Grenzwert kann beispielsweise durch Abschalten der Versorgungsspannung Un erreicht werden.A thyristor level is, for example, in K i g. I shown. It consists of the transistors / Ί and /..wherein the Br.siskollektorsireeke of the transistor /, parallel to the base collector path of the transistor 7 '· Ικμί. Pie limit-. · Terelectrodc of the transistor Γ · forms the inner part of the thyristor stage. while the limilterel'-ktrode of the transistor / ', whose cathode is K !. Adopts to the base electrode. Here, Um \ is the base-emitter voltage of the transistor T 1 . The reduction of the collector current I r2 of the transistor T 2 below the specified limit value can be achieved, for example, by switching off the supply voltage Un .
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung mit einer aus zwei Transistoren bestehenden Thyristorstufe anzugeben, bei der eine Abschaltung der Versorgungsspannung zum Löschen der Thyristorstufe mit einer einfachen und exakt arbeitenden Schaltung erreicht wird. Diese Aufgabe w'rd erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß an den den Anodenstrom der Thyristorstufe f.Ohrenc'-r·. Transistor ein weitcrer Transistor so angcschiossen ist, daß diese beiden Transistoren einen Stromspiegelverstärkcr bilden, über den einem Speicherelement bei durchgesteuerter Thyrislorstufe Strom zugeführt wird, und daß an das Speicherelement ein Schaltelement angeschlossen ist. das beim Erreichen eines bestimmten Speicherzustandes des Speicherelement* durchgeschaket wird, so daß der Thyristorstufe der für die Aufrechicrhaltung des durchgesleucrten Zustandes erforderliche Strom an der Steuerelektrode entzogen wird. Das Speicherelement ist vorzugsweise eine Kapazität, die parallel zur Steuerstrecke eines das Schaltelement bildenden Transistors geschähet ist. Der Kollektor dieses Transistors ist dann an die Steuerelektrode der Thyristorstufe angeschlossen. Die Kapazität kann auch durch eine für die Integra-, lion in einem Halblciterbauslcin besonders geeignete »Millcr-Kapaziläl« ersetzt werden.The invention is based on the object of providing a circuit arrangement with one of two transistors specify existing thyristor stage in which a disconnection of the supply voltage to delete the Thyristor stage is achieved with a simple and precisely working circuit. This task w'rd according to the invention solved by the fact that the anode current the thyristor stage f.Ohrenc'-r ·. Transistor another Transistor is connected in such a way that these two transistors form a current mirror amplifier the one storage element when the thyrislor stage is controlled Current is supplied, and that a switching element is connected to the storage element. the when a certain memory state of the memory element * is reached, so that the Thyristor stage for maintaining the leakage State required current is withdrawn from the control electrode. The storage element is preferably a capacity that is parallel to the control path of a transistor forming the switching element is done. The collector of this transistor is then connected to the control electrode of the thyristor stage. The capacity can also be increased by a lion in a half liter is particularly suitable "Millcr-Kapaziläl" to be replaced.
Die Erfindung wird nachstehend noch anhand eines Ausführungsbcispieles näher erläutert.The invention is explained in more detail below with the aid of an exemplary embodiment.
Die Schaltung gemäß F i g. 2 zeigt eine Thyristorstufe ) mit einer angeschlossenen Löschschaltung. Die Thyristorsitife aus den Transistoren 7", und T: und dem Widerstand Ki entspricht dabei der unhand der F i g. 1 beschriebenen Schaltung. In die F.miiicr.sireekc des Transistors 7· ist /iir Strombegrenzung ein Widerstand R; geschaltet. Der I ransisior 7Ί bildet zusammen mit dem Transistor /.· einen Siromspiejrolversiärker. I licr/ii siiul die Basiselektroden der beiden Transistoren gleichet lOhrilät miteinander verl-unden. Die KniiiierelektnukThe circuit according to FIG. 2 shows a thyristor stage) with a connected quenching circuit. The Thyristorsitife of the transistors 7 ", and T: and the resistor Ki corresponds to the g unhand the F i-described circuit 1 is in the F.miiicr.sireekc of the transistor 7 · / iir current limiting resistor R, connected in the... I ransisior 7Ί, together with the transistor /.·, forms a siromspiejrolversiärker. I licr / ii siiul the base electrodes of the two transistors are connected to one another in the same way as lOhrilät
les Transistors 7 j liegt beispielsweise am positiven Poential der Versorgungsspannungsquclle Un. Der Strom '( i durch den Transistor T-. wird durch das !'liichcnverlältnis der Kinitier/.cjnen der Transistoren 7", und T, und icn Widerstand R. bestimmt.The transistor 7 j is, for example, at the positive potential of the supply voltage source Un. The current '( i through the transistor T-. Is determined by the liichcnverlältnis the kinetics / .cjnen of the transistors 7 ", and T, and in the resistance R.
Im Kollektor/weig des Transistors Ti liegt die Kapa-'.ität C". die mit dem Kolleklorstrom /( ι aufgeladen wird. Die Kapazität Γ liegt parallel zur Basisemitterstrecke ies Transistors T1, dessen Kollektorclektrode mit dem Steueranschluß C der Thyristorstufe verbunden ist. iuIn the collector / weig of the transistor Ti lies the capacitance C "which is charged with the collector current / ( ι. The capacitance Γ lies parallel to the base-emitter path ies transistor T 1 , whose collector electrode is connected to the control terminal C of the thyristor stage. iu
Bei durchgesteuerter Thyristorstufe fließt ein durch das Flächenverhältnis der Emitterzonen der Transistoren T2 und Tj bedingter Strom /ei in den Kondenator C und lädt diesen auf. Sobald am Kondensator C eine Spannung anliegt, die zur Durchsieuerung des Transistors T4 ausreicht, wird dem Transisior Ti der für dessen Durchsteuerung erforderliche Basissirom über die KoI-lektoreir.itterstrecke des Transistors T4 entzogen. Damit schaltet die Thyristorstufe ab. wobei die Zeitspanne bis zum Abschaltvorgang durch den Strom /· ■ und die G röße der Kapazität C bestimmt wird. Der Transistor / ·. wird vorzugsweise so dimensioniert, daß an inm nur eine sehr geringe Kollekloremitter-Restspannußg abfällt, so daß eine sichere Sperrung der Thyristorstufc gewährleistet ist. Die in der Fi g. 2 dargestellte Kapazi- 2> tat C kann auch durch eine sogenannte »Miller-Kapazität« ersetzt werden. Eine derartige »Miller-Kapazität« ist insbesondere für die Einfügung der Kapazität in eine integrierte Halbleiterschaltung geeignet. Bei der ivlillcrkapazität wird der Verstärkungsfaktor eines aktiven Bauelementes ausgenutzt, so daß die tatsächlich eingesetzte Kapazität um den Verstärkungsfaktor kleiner als die effektiv wirksame Kapazität ist. Hierzu wird beispielsweise eine kleine Kapazität parallel zur Basiskollektorstrecke eines zusätzlichen Transistors geschaltet. }■> Bei der Schaltung gemäß Fig. 2 wäre dann die Basiselektrode dieses Transistors an die Basiselektrode des Transistors T4 angeschlossen, die Emitterelektrode wäre mit Masse verbunden, und die Kollekiorelektrodc wäre beispielsweise über einen Widerstand an den positiven 4» Pol der Versorgungsspannungsquelle Un angeschlossen. Die erfindungsgemäße selbsllöschcnde Thyristorslufe eignet sich beispielsweise für den Einsatz in elektronischen Schutzschaltungcn. Bei derartigen elektronischen Schutzschalt'jngen wird beispielsweise bei einer auflre- -ti tenden Überlastung über die Thyristorstufe eine Schaltung, etwa eine Verstärkerschaltung, abgeschaltet. Bei der erfindungsgemäßen Schaltung wird die Thyristorstufc nach einer vorgebei^n und über die Größe der Kapazität C einstellbaren Zeit wieder gelöscht, so daß w die gesicher'en Schaltunger, ihre Betriebsweise wieder aufnehmen können, sofern der Kurzschluß oder eine sonstige Störung zuvor beseitigt wurde.When the thyristor stage is activated, a current / ei due to the area ratio of the emitter zones of the transistors T 2 and Tj flows into the capacitor C and charges it. As soon as a voltage is applied to the capacitor C which is sufficient to permeate the transistor T 4 , the basic circuit required for its control is withdrawn from the transistor Ti via the coil lektoreir.itter path of the transistor T 4. This switches off the thyristor stage. The time until the switch-off process is determined by the current / · ■ and the size of the capacitance C. The transistor / ·. is preferably dimensioned in such a way that only a very small residual voltage of the collector emitter is dropped at inm, so that reliable blocking of the thyristor stage is ensured. The in Fi g. The capacitance C shown in FIG. 2 can also be replaced by a so-called "Miller capacitance". Such a "Miller capacitance" is particularly suitable for inserting the capacitance into an integrated semiconductor circuit. The amplification factor utilizes the amplification factor of an active component so that the capacitance actually used is smaller than the effectively effective capacitance by the amplification factor. For this purpose, for example, a small capacitance is connected in parallel to the base collector path of an additional transistor. } ■> In the circuit according to FIG. 2, the base electrode of this transistor would then be connected to the base electrode of transistor T 4 , the emitter electrode would be connected to ground, and the collector electrode would be connected to the positive 4 »pole of the supply voltage source Un via a resistor, for example . The self-quenching thyristor barrel according to the invention is suitable, for example, for use in electronic protective circuits. In the case of such electronic protection switches, a circuit, for example an amplifier circuit, is switched off via the thyristor stage, for example in the event of an overload. In the circuit according to the invention, the thyristor stage is deleted again after a predetermined time that can be set via the size of the capacitance C, so that the secured circuits can resume their operation if the short circuit or other fault has been eliminated beforehand.
Ferner kann die Ci-findungsgcmäßc Schallung in vorteilhafter Weise als Zeitschalter, insbesondere als mono· r>5 stabile Kippstufe oder als Taktgenerator verwendet werden.Furthermore, the C-findungsgcmäßc-transmission can advantageously as a time switch, in particular as mono · r> 5 multivibrator or used as a clock generator.
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Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813128715 DE3128715C2 (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Circuit arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813128715 DE3128715C2 (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Circuit arrangement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3128715A1 DE3128715A1 (en) | 1983-02-17 |
| DE3128715C2 true DE3128715C2 (en) | 1984-10-11 |
Family
ID=6137353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19813128715 Expired DE3128715C2 (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Circuit arrangement |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3128715C2 (en) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL283358A (en) * | 1961-09-18 | |||
| FR84985E (en) * | 1961-09-18 | 1965-09-24 | ||
| NL293418A (en) * | 1962-05-30 | 1900-01-01 | ||
| US3568005A (en) * | 1968-07-05 | 1971-03-02 | Wagner Electric Corp | Control circuit |
| DE2062354A1 (en) * | 1970-12-18 | 1972-07-13 | Licentia Gmbh | Pulse generator, especially for deflection circuits |
| JPS5058971A (en) * | 1973-09-25 | 1975-05-22 | ||
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-
1981
- 1981-07-21 DE DE19813128715 patent/DE3128715C2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3128715A1 (en) | 1983-02-17 |
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|
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| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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