DE3111707C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Widerstandselement nach dem Oberbe griff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a resistance element according to the Oberbe handle of claim 1.
Unter einem Widerstandselement bzw. resistiven Element sind Widerstände mit linearer oder nicht linearer Charakteristik zu verstehen, z. B. Widerstände mit negativem oder positivem Tem peraturkoeffizient, oder aber Widerstände, deren Wert von der angelegten Spannung abhängt. Zur Vereinfachung der Beschrei bung wird im folgenden der Begriff "Widerstand" verwendet, der jedoch nicht einschränkend zu verstehen ist und inbesondere nicht nur Widerstände linearer Charakteristik umfaßt. Die Er findung befaßt sich insbesondere mit linearen Widerständen.Are under a resistance element or resistive element Resistors with linear or non-linear characteristics too understand e.g. B. Resistors with negative or positive tem temperature coefficient, or resistors, the value of which applied voltage depends. To simplify the description Exercise the term "resistance" is used in the following, the however, it should not be understood as restrictive and in particular not only includes linear characteristic resistors. The he invention is particularly concerned with linear resistors.
Ein besonderes Anwendungsgebiet der erfindungsgemäßen Wider stände sind solche, die auf den Substraten von Hybridschaltun gen aufgebracht sind. Die üblicherweise verwendeten Substrate sind empfindlich in bezug auf Wärmesprünge, denn sie sind zu meist aus Aluminiumdioxid-, Keramik- oder Glasplättchen gebil det. Eine Besonderheit der Erfindung besteht darin, daß nur die elektrischen Überbelastungen betrachtet werden, die für Substrate der genannten Art kritisch sind.A particular application of the contra invention stands are those that are on the substrates of hybrid circuits gene are applied. The commonly used substrates are sensitive to heat jumps because they are closed mostly made of aluminum dioxide, ceramic or glass plates det. A special feature of the invention is that only the electrical overloads that are considered for Substrates of the type mentioned are critical.
Wenn ein auf einem Substrat aufgebrachter Widerstand einer Stromüberlastung ausgesetzt wird, so können zwei Fälle auftre ten, je nachdem, ob die zu schützende Vorrichtung die Hybrid schaltung selbst und folglich deren Substrat ist, dessen Bruch durch einen Temperaturschock verhindert werden muß, oder ob die zu schützende Vorrichtung ein wesentlich umfangreicheres elektronisches System ist, das durch eine besonders ausgelegte Hybridschaltung geschützt werden soll, die als Sicherung dient, wobei ihr Substrat unter dem Einfluß des Temperaturschocks plötzlich zerbricht.If a resistor is applied to a substrate Power overload is exposed, so two cases can occur depending on whether the device to be protected is the hybrid circuit itself and consequently its substrate is its break must be prevented by a temperature shock, or whether the device to be protected is much more extensive electronic system is that by a specially designed Hybrid circuit is to be protected, which serves as a fuse, their substrate under the influence of temperature shock suddenly breaks.
Als erstes (nicht einschränkendes) Beispiel sind Widerstands elemente mit gesteuerter Erwärmung zu nennen, die parallel zu einem Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTC) geschaltet sind und hohe Spannungen aushalten müssen, bis der PTC-Widerstand umkippt.The first (non-limiting) example is resistance elements with controlled heating that are parallel to a resistor with positive temperature coefficient (PTC) are switched and have to withstand high voltages until the PTC resistor tips over.
Die Schwierigkeit besteht dann darin, zu verhindern, daß das Substrat, auf dem die Widerstände aufgebracht sind, zerbricht, wobei die das Zerbrechen des Substrats auslösenden Vorgänge von einem Temperaturgradienten in dem Raum zwischen dem heißen Punkt des Widerstandes und dem Substrat beherrscht werden.The difficulty then is to prevent that Substrate on which the resistors are applied breaks, the processes triggering the breaking of the substrate from a temperature gradient in the space between the hot Resistance point and substrate can be mastered.
Um dieser Schwierigkeit zu begegnen, können solche Widerstän de, die parallel zu einem PTC-Widerstand geschaltet sind, überdimensioniert werden, was aber nicht nur zu höheren Her stellungskosten des Endproduktes führt, sondern darüber hinaus den Nachteil mit sich bringt, daß die Oberfläche, die von den Widerständen auf der Oberfläche des Substrates eingenommen wird, vergrößert wird, so daß unter Berücksichtigung der Her stellungstoleranzen eine optimale Ausbeute nicht erreicht wer den kann. To overcome this difficulty, such resistances can be used de, which are connected in parallel to a PTC resistor, to be oversized, but not only to higher heights costs of the end product, but beyond has the disadvantage that the surface that the Resistances ingested on the surface of the substrate is enlarged, so that taking into account the Her positional tolerances an optimal yield is not achieved that can.
Ein zweites Beispiel für ein resistives Element mit gesteuer ter Erwärmung sind Sicherungen, die eine sehr hohe Impedanz aufweisen. Wenn es sich um eine relativ umfangreiche Schal tungsanordnung handelt, kann sie durch eine spezielle Hybrid schaltung geschützt werden, die zum einen als Sicherung mit sehr hoher Impedanz wirkt und zum anderen eine sehr große Ge schwindigkeit aufweist, wobei der bzw. die Widerstände, die auf der besonderen Hybridschaltung aufgebracht sind, derart ausgelegt sind, daß sie eine Zerstörung des Substrats bei Stromüberlastung verursachen. Dies kann dadurch erreicht wer den, daß die Widerstände unterdimensioniert werden. Der Mecha nismus des Wanderns von Phononen in polykristallinen Stoffen wie in Aluminiumoxid oder Keramik wird jedoch noch nicht voll ständig beherrscht, und insbesondere ist die einige Sekunden bis einige Zehntelsekunden betragende Zeitspanne, vor deren Ablauf das Substrat zerbrechen soll, sehr ungenau und ohnehin zu lang. Die auf einem Substrat in der sogenannten Dickschicht technologie aufgebrachten Widerstände sind nämlich aus Metall oxiden gebildet, bei denen es sich im wesentlichen um hitzebe ständige Stoffe handelt. Folglich ist es nicht möglich, die Verdampfung des Widerstandes aufgrund einer Überlastung auszu nutzen. Diese Verdampfung würde viel zu spät stattfinden, wenn sie überhaupt stattfindet, und die umfangreiche elektronische Anordnung hinter der als Sicherung dienenden Hybridschaltung würde zerstört, bevor der Widerstand zerstört wird.A second example of a resistive element with control ter Warming are fuses that have a very high impedance exhibit. If it is a relatively extensive scarf tion arrangement, it can by a special hybrid circuit protected, on the one hand with a fuse very high impedance and on the other hand a very large Ge has speed, the or the resistances are applied to the special hybrid circuit, such are designed to destroy the substrate Cause power overload. This can be achieved by who that the resistors are undersized. The mecha mechanism of phonon migration in polycrystalline materials as in aluminum oxide or ceramics, however, is not yet full constantly mastered, and especially that is a few seconds up to a few tenths of a second before which Process the substrate should break, very imprecise and anyway too long. The one on a substrate in the so-called thick film Technology resistors are made of metal oxides formed, which are essentially heat permanent substances. Hence it is not possible to Evaporation of resistance due to overload use. This vaporization would take place far too late, though it takes place at all, and the extensive electronic Arrangement behind the hybrid circuit serving as a fuse would be destroyed before the resistance is destroyed.
Aus der DD-PS 50 893 ist bereits ein Widerstandselement mit gesteuerter Erwärmung bekannt, bei dem auf einem zylindrischen Keramik-Trägerkörper eine umlaufende Schicht aus Kohlenstoff aufgebracht ist, deren Dicke im Bereich der Zylinderenden mi nimal und in der Mitte des Zylinders maximal ist. An den stirnseitigen Enden befindet sich jeweils eine metallische An schlußkappe. Durch diese Ausbildung wird ein thermisch gleich mäßig belasteter Schichtwiderstand angestrebt.A resistance element is already part of the DD-PS 50 893 Controlled heating known in the case of a cylindrical Ceramic carrier body a circumferential layer of carbon is applied, whose thickness in the area of the cylinder ends mi nimal and maximum in the middle of the cylinder. To the There is a metallic end on each end end cap. This training makes a thermally the same moderately loaded sheet resistance aimed for.
Aus den US-PS 39 78 443 und 41 01 820 sind jeweils Wider standselemente mit gesteuerter Erwärmung bekannt, bei denen ein Sollbruch des Widerstandselementes durch die Widerstands schicht und das diese tragende Substrat erfolgt.From US-PS 39 78 443 and 41 01 820 are each opposed Stand elements with controlled heating known in which a predetermined breaking of the resistance element by the resistance layer and this substrate is carried.
Ferner sind aus der DE-OS 26 11 819 Widerstandselemente mit gesteuerter Erwärmung bekannt, bei de nen die Wärmeerzeugung dadurch variiert ist, daß Materialien unterschiedlicher elektrischer Leitfähigkeit übereinanderlie gen, wodurch die dort angestrebte Sicherungswirkung erzielt wird. Die übereinanderliegenden Schichten können einen ver schiedenen spezifischen Widerstand aufweisen.Furthermore, from DE-OS 26 11 819 Resistance elements with controlled heating known, de NEN the heat generation is varied in that materials different electrical conductivity one above the other gene, whereby the desired security effect is achieved there becomes. The superimposed layers can ver have different resistivity.
Schließlich ist aus der DE-OS 23 05 354 bereits ein Wider standselement bekannt, bei dem im zentralen Bereich die aufge nommene Leistung maximal ist, was dadurch erreicht wird, daß ein zentraler Bereich der Widerstandsschicht entfernt ist. Die Entfernung der Widerstandsschicht kann auch an mehreren Stel len vorgenommen sein.Finally, a contradiction is already from DE-OS 23 05 354 stand element known, in which in the central area the power taken is maximum, which is achieved in that a central area of the resistance layer is removed. The The resistance layer can also be removed in several places len.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Widerstandsele ment mit gesteuerter Erwärmung anzugeben, bei dem die freige setzte Wärme entweder regelmäßig über die gesamte Oberfläche des Widerstandselementes verteilt oder aber lokalisiert auf einen eingeschränkten, im voraus gewählten Bereich abgegeben wird.The invention has for its object a resistance sele ment with controlled heating, in which the free either put heat regularly over the entire surface of the resistance element distributed or localized on submitted a restricted, pre-selected area becomes.
Diese Aufgabe wird bei dem gattungsgemäßen Widerstandselement erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patent anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.This task is performed with the generic resistance element according to the invention in the characterizing part of the patent claims 1 specified measures solved.
Durch die Erfindung werden Probleme hinsichtlich Überdimen sionierung oder Unterdimensionierung der Widerstände und An sprechgeschwindigkeit gelöst, und zwar durch eine aufgebrachte Widerstandsstruktur, die aus mehreren Schichten gebildet ist, die in Form von mehreren Zonen mit veränderlicher Resistivität verteilt sind. Diese Schichten und Zonen sind so ausgelegt und aufgebracht, daß die aufgenommene Leistung in dem Widerstand moduliert wird und die Wärmeerzeugung auf frei wählbare Stel len konzentriert wird, die durch Rechnung und Versuche leicht bestimmt werden können. Bei diesen erfindungsgemäßen Wider standselementen können resistive Pasten zur Anwendung gelangen, die die Zonen mit einem Widerstands- und folglich Leistungsgradienten bestimmen, so daß dadurch auch ein Gra dient der Wärmeabgabe bestimmt wird.The invention eliminates overdimitation problems Sioning or undersizing of the resistors and an speech speed solved, namely by an applied Resistance structure, which is formed from several layers, that in the form of multiple zones with variable resistivity are distributed. These layers and zones are designed and applied that the power consumed in the resistor is modulated and the heat generation on freely selectable position len is concentrated, which is easy through calculation and trials can be determined. In this contra invention stand elements can be used resistive pastes that the zones with a resistance and consequently Determine performance gradients, so that thereby a Gra serves the heat emission is determined.
Weiterbildung der Erfindung sind in den Unteransprüchen an gegeben.Further development of the invention are in the subclaims given.
Einzelheiten mehrerer Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung. In der Zeichnung zeigtDetails of several embodiments of the invention emerge from the following description with reference to the Drawing. In the drawing shows
Fig. 1 eine Perspektivansicht eines Widerstandselements, und zwar für den Anwendungsfall, daß die Wärme auf einen eingeschränkten Bereich konzentriert werden soll; Figure 1 is a perspective view of a resistance element, for the application that the heat is to be concentrated in a restricted area.
Fig. 2 eine Perspektivansicht eines Teiles des Widerstandselements, und zwar für den An wendungsfall, daß die Wärme über eine Oberfläche gleichförmig abgegeben werden soll; und Fig. 2 is a perspective view of a part of the resistance element, for the use case that the heat is to be emitted uniformly over a surface; and
Fig. 3 eine Weiterbildung für den Fall, daß die freigesetzte Wärme auf einen Punkt konzentriert werden soll. Fig. 3 is a further development in the event that the released heat is to be concentrated on one point.
Fig. 1 zeigt den Aufbau bzw. die Struktur eines Widerstandselements. Um die Beschreibung zu vereinfa chen, ist der einfache Fall angenommen, daß die von dem Wider stand bei Überlast freigesetzte Wärme auf einen Bereich ge ringer Abmessung lokalisiert werden soll. Fig. 1 shows the structure of a resistance element. In order to simplify the description, the simple case is assumed that the heat released by the resistance under overload should be localized to an area of small dimension.
Auf einem Substrat 1 ist über zwei Leitern 2, dem Eingangs- und Ausgangsleiter des betrachteten Widerstandselements, eine erste Widerstandsschicht 3 aufgebracht, und zwar in der allgemeinen geometrischen Gestalt eines ange näherten Rechtecks - oder allgemeiner - eines Quaders. Die Schicht 3 stellt den ohmschen Kontakt mit den zwei Anschluß leitern 2 her. Auf diese erste Schicht 3 ist eine zweite Schicht abgelagert, die die erste Schicht 3 nur teilweise überdeckt und eine oder mehrere Zonen derselben frei läßt. Bei dem gezeigten Beispiel, bei welchem die freigesetzte Wärme auf einen kleinen Bereich konzentriert werden soll, um das Substrat zu zerbrechen, ist diese zweite Schicht in zwei Teil schichten 4, 5 unterteilt, die an den Enden des Widerstands elements in der Nähe der Leiter 2 lokalisiert sind. In Drauf sicht ist also der Widerstand aus drei Zonen gebildet, näm lich aus zwei Endzonen, die auf der Seite des ersten Leiters aus zwei Schichten 3, 4 und auf der Seite des zweiten Leiters aus zwei Schichten 3, 5 gebildet sind, und aus einer Zone 6, die sich zwischen den beiden vorstehend genannten Zonen be findet und in welcher der Widerstand nur eine einzige Schicht 3 umfaßt, die frei gelassen ist.A first resistance layer 3 is applied to a substrate 1 via two conductors 2 , the input and output conductors of the resistance element under consideration, in the general geometric shape of an approximated rectangle - or more generally - a cuboid. Layer 3 establishes the ohmic contact with the two connection conductors 2 . A second layer is deposited on this first layer 3 , which only partially covers the first layer 3 and leaves one or more zones thereof free. In the example shown, in which the released heat is to be concentrated in a small area in order to break the substrate, this second layer is divided into two sub-layers 4, 5 , which are located at the ends of the resistance element near the conductor 2 are localized. In plan view, the resistance is formed from three zones, namely from two end zones, which are formed on the side of the first conductor from two layers 3, 4 and on the side of the second conductor from two layers 3, 5 , and one Zone 6 , which is located between the two zones mentioned above and in which the resistance comprises only a single layer 3 , which is left free.
Die Schicht 3 einerseits und die Teilschichten 4 und 5 ande rerseits haben Dicken, die veränderlich sein können, und zwar je nach dem angestrebten Ergebnis; sie sind gebildet aus Werk stoffen, die verschiedene spezifische Widerstände p aufweisen. Wenn e 1 die Dicke der Schicht 3 ist, die den spezifischen Widerstand p 1 aufweist, so ist e 2 die Dicke der Schichten 4 und 5, deren spezifischer Widerstand p 2 ist.Layer 3, on the one hand, and sub-layers 4 and 5, on the other hand, have thicknesses that can vary, depending on the desired result; they are formed from materials that have different resistivities p . If e 1 is the thickness of layer 3 , which has specific resistance p 1 , then e 2 is the thickness of layers 4 and 5 , whose specific resistance is p 2 .
Das auf diese Weise gebildete Widerstandselement ist also hinsichtlich seiner Struktur äquivalent einer Folge von drei Widerständen R 1, R 2, die in Reihe geschaltet sind.The structure of the resistance element formed in this way is therefore equivalent to a sequence of three resistors R 1 , R 2 which are connected in series.
Wenn das angestrebte Ergebnis gemäß dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel darin besteht, eine Sicherung zu schaffen, d. h. die Wärmefreisetzung auf einen beschränkten Bereich zu konzentrieren, um das Substrat zu zerbrechen, so müssen gleich zeitig die Bedingungen erfüllt sein, daß R 1 < R 2 und R 3 < R 2, wobei auch folgende Lösung in Betracht kommt:If the desired result according to the exemplary embodiment shown in FIG. 1 consists in creating a safeguard, ie concentrating the heat release on a limited area in order to break the substrate, the conditions must simultaneously be fulfilled that R 1 < R 2 and R 3 < R 2 , the following solution also being considered:
p 2 < p 1 mit e 1 = e 2. p 2 < p 1 with e 1 = e 2 .
Wenn I die Stromstärke bei Überlast des Widerstandes ist, so ist die aufgenommene Gesamtleistung gleich der Summe der in jedem Widerstandsabschnitt aufgenommenen Leistungen:If I is the current when the resistor is overloaded, the total power consumed is equal to the sum of the powers consumed in each resistance section:
P = R 1 I 2 + R 2 I 2 + R 3 I 2. P = R 1 I 2 + R 2 I 2 + R 3 I 2 .
Da R 2 wesentlicher größer ist als R 1 und R 3, wird die Leistung hauptsächlich im mittleren Bereich des Widerstandes frei gesetzt, wodurch das Substrat zerbricht.Since R 2 is significantly larger than R 1 and R 3 , the power is released mainly in the central region of the resistor, causing the substrate to break.
Fig. 2 zeigt eine von der Ausführungsform nach Fig. 1 abge leitete Struktur, wobei das angestrebte Ergebnis jedoch im Gegensatz zu dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel darin besteht, die Wärmeabgabe auf eine große Oberfläche des Substrats zu verteilen, um den Wärmegradienten zu ver mindern und den Bruch des Substrates zu verhindern. Fig. 2 shows a structure derived from the embodiment according to Fig. 1, the desired result, however, in contrast to the previously described embodiment, is to distribute the heat emission over a large surface of the substrate in order to reduce the thermal gradient and the ver To prevent breakage of the substrate.
Um den Unterschied in der geometrischen Ausgestaltung zu verdeutlichen, zeigt Fig. 2 einen Querschnitt des auf dem Substrat 1 abgelagerten Widerstands. Zwischen den Leitern 2 befindet sich weiterhin eine erste Widerstandsschicht 3, deren spezifischer Widerstand mit p 1 und deren Dicke mit e 1 bezeichnet sind. Um jedoch die Wärmeabgabe zu steuern, erfolgt diese in einer Mehrzahl von Zonen 6, die voneinander durch eine Mehrzahl von Teilschichten 7, 8, 9 usw. getrennt sind, deren spezifischer Widerstand p 2 ist und deren Dicke den Wert e 2 aufweist.In order to clarify the difference in the geometrical configuration, FIG. 2 shows a cross section of the resistor deposited on the substrate 1 . Between the conductors 2 there is also a first resistance layer 3 , the specific resistance of which is denoted by p 1 and the thickness of which is denoted by e 1 . However, in order to control the heat emission, this takes place in a plurality of zones 6 , which are separated from one another by a plurality of partial layers 7, 8, 9 etc., the specific resistance of which is p 2 and the thickness of which has the value e 2 .
Drei Schichten 7, 8, 9 sind in Fig. 2 als Beispiel dargestellt, wobei diese Anzahl natürlich nur ein Beispiel ist; die zweite Schicht kann ferner aus einer größeren Anzahl von Widerstands-Teilschichten 7, 8, 9 usw. zusammengesetzt sein, die ein Gitter bilden, wobei die heißen Punkte sich zwischen den Maschen dieses Gitters befinden. Bei dieser Ausführungs form kann die Leistungsabgabe moduliert und der Temperatur gradient vermindert werden, da die über das Substrat 1 abge leitete Wärme von einer Mehrzahl von Bereichen ausgeht, die in einer Ebene verstreut sind.Three layers 7, 8, 9 are shown in FIG. 2 as an example, this number being of course only an example; the second layer can also be composed of a larger number of resistive sub-layers 7, 8, 9 etc., which form a grid, the hot spots being located between the meshes of this grid. In this embodiment, the power output can be modulated and the temperature gradient can be reduced, since the heat dissipated via the substrate 1 originates from a plurality of areas which are scattered in one plane.
Es ist ferner vorgesehen, daß die zweite Schicht nur aus einem einzelnen Streifen gebildet ist, wobei es sich um eine Ausführungsform handelt, die zu der nach Fig. 1 entgegengesetzt ist. Es ist dann nur noch eine einzelne zweite Schicht vorhanden, die in der Mitte auf der ersten Schicht 3 aufgebracht ist; bei dieser Ausführungs form muß die Bedingung erfüllt sein, daß R 2 < R 1 und R 2 < R 3, wenn ein Wärmegradient vermieden werden soll.It is further contemplated that the second layer is formed from only a single strip, which is an embodiment that is opposite to that of FIG. 1. There is then only a single second layer which is applied in the middle to the first layer 3 ; in this embodiment, the condition must be fulfilled that R 2 < R 1 and R 2 < R 3 if a thermal gradient is to be avoided.
Da der mittlere Bereich des Widerstandes einen geringeren Widerstandswert aufweist, setzt er weniger Wärme frei, und die Wärme wird in den zwei den Leitern benachbarten Zonen freigesetzt.Because the middle area of resistance is a smaller one Resistance value, it releases less heat, and the heat is in the two zones adjacent to the conductors released.
Fig. 3 zeigt eine Weiterbildung ausgehend von der Ausführungsform, bei welcher einfache rechtwinklige Widerstandselemente vorgesehen sind und die zweite Schicht in Form von ebenfalls rechtwinkligen Streifen aufgebracht ist. Bei dieser Ausführungsform können die auf der ersten Schicht aufgebrachten Teilschichten Formen aufweisen, die im Hinblick auf das angestrebte Ergebnis optimiert sind, um z. B. den heißen Punkt auf die Mitte der zentralen Zone zu konzentrieren, die in Fig. 1 mit 6 bezeichnet ist, oder aber - im Gegensatz hierzu - die von den Widerstandsschichten frei gesetzte Wärme auf eine möglichst große Oberfläche des Ele mentes zu verteilen, indem als Form der zweiten Schicht z. B. ein vielstrahliger Stern gewählt wird. Fig. 3 shows a development based on the embodiment in which simple rectangular resistance elements are provided and the second layer is applied in the form of also rectangular strips. In this embodiment, the partial layers applied to the first layer can have shapes which are optimized with regard to the desired result, in order to e.g. B. to focus the hot spot on the center of the central zone, which is denoted by 6 in Fig. 1, or - in contrast to this - to distribute the heat released by the resistance layers on the largest possible surface of the element by as the shape of the second layer z. B. a multi-beam star is selected.
Fig. 3 zeigt als Ausführungsbeispiel ein Widerstandselement in Draufsicht. Dieses ist aus einer ersten Widerstandsschicht 3 gebildet, die in ohm'schem Kontakt mit den zwei Anschluß leitungen 2 aufgebracht ist; in dem mittleren Bereich ist eine Zone 10 vorgesehen, die einen Teil der freigelassenen Schicht 3 bildet. Diese Zone 10 hat die Eigenschaft, daß sie annä hernd ellipsenförmig ist, was durch die Form der zweiten Teil schichten 11, 12 erreicht wird, wodurch in der Mitte eines von der Schicht 3 gebildeten Quaders ein heißer Punkt gebil det wird, der den Bruch des Substrates auslöst. Fig. 3 shows an embodiment of a resistance element in plan view. This is formed from a first resistance layer 3 , which is applied in ohmic contact with the two connecting lines 2 ; In the middle area, a zone 10 is provided which forms part of the exposed layer 3 . This zone 10 has the property that it is approximately elliptical, which is achieved by the shape of the second partial layers 11, 12 , whereby a hot spot is formed in the center of a cuboid formed by layer 3 , which breaks the Triggers substrate.
Bei anderen Ausführungsformen ist die Gestaltung entgegen gesetzt zu der nach Fig. 3, damit die freigesetzte Wärme so abgegeben wird, daß die Temperaturgradienten optimiert werden.In other embodiments, the design is opposite to that of FIG. 3, so that the heat released is released so that the temperature gradients are optimized.
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