DE3020313A1 - TV AM transistorised amplifier stage - has working point control circuit operating at very low modulation frequencies e.g. below 10 hz - Google Patents

TV AM transistorised amplifier stage - has working point control circuit operating at very low modulation frequencies e.g. below 10 hz

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Abstract

Amplifier stage, e.g. for TV transmitter, is designed for improved efficiency with power transistor lay-out. The effective threshold base resistance for the transistor as derived from the working-point control circuit is made small compared with the differential input resistance of the base-emitter circuit of the transistor. The working point control circuit is arranged so that it is effective only for very low modulation frequencies, more specif. for video frequencies below approx. 10 Hz.

Description

Verstärkerstufe zum Verstärken amplitudenmodulierter Frequenzsignale Die Erfindung betrifft eine VerstErkerstufe laut Oberbegriff des Hauptanspruches.Amplifier stage for amplifying amplitude-modulated frequency signals The invention relates to an amplifier stage according to the preamble of the main claim.

In Senderendstufen beispielsweise von Fernsehsendern werden immer mehr Transistorverstärkerstufen eingesetzt. Bei den bisher üblichen Schaltungen auch mit Arbeitspunkt-Regelung zum Schutz des Transistors vor Dauerüberlastung wird der Transistor nicht mit optimal möglichem Wirkungsgrad betrieben. Grössere Leistungen können daher nur durch Zusammenschalten von mehreren solchen bisher noch sehr teuren Leistunastransistoren erreicht werden. Wenn eine Arbeltspunktschaltung vorgesehen war, so wurde ihr Ausgangswiderstand stets relativ gross gewählt, beispielsweise in der Grössenordnung von 100 Ohm, damit die nötige Steuerspannung aus dem Kollektorkreis gewonnen werden kann, ohne die Versorgung dadurch zusätzlich wesentlich zu belasten.In transmitter output stages, for example from television stations, are always more transistor amplifier stages used. With the usual circuits also with operating point control to protect the transistor from permanent overload the transistor is not operated with the best possible degree of efficiency. Greater achievements can therefore only be very expensive up to now by interconnecting several of these Power transistors can be achieved. If an operating point circuit is provided was, its initial resistance was always chosen to be relatively large, for example in the order of magnitude of 100 ohms, thus providing the necessary control voltage from the collector circuit can be obtained without placing an additional burden on the supply.

Es ist Aufgabe der Erfindung, den Wirkungsgrad einer Leistungstransistor-VerstärkerstuSe zu erhöhen.It is the object of the invention to improve the efficiency of a power transistor amplifier stage to increase.

Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Verstärkerstufe laut Oberbegriff des Hauptanspruches durch dessen kennzeichnende-Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.This task is based on an amplifier stage according to the generic term of the main claim solved by its characterizing features. Advantageous further training result from the subclaims.

Bei der erfindungsgemässen Verstärkerstufe wird durch Eigengleichrichtung des modulierten Eingangssignals in der Steuerstrecke des Leistungstransistors, bei einem beispielsweise in Emitterschaltung betriebenen Leiungstransistor in der Basis-Emitter-Strecke, eine Verschiebung des Arbeitspunktes für den Emitter-Kollektor-Kreis des Leistungstransistors bewirkt und damit der Transistor mit optimalem Wirkungsgrad betrieben. Damit dieser Regeleffekt nicht durch die zum Schutz vor Dauerüberlastung des Transistors vorgesehene Arbeitspunkt-Regelschaltung, die eine Regelung des mittleren Kollektorstroms bewirkt, beeinträchtigt bzw. kompensiert wird, ist diese Regelschaltung so dimensioniert, dass sie nur für sehr tiere Frequenzen wirksam ist. Damit. wird zugunsten der Betriebsstabilität auf die Eigensteuerfunktion des Leistungstransistors verzichtet. Für eine Verstärkerstufe zum Verstärken von mit Video-Signalen modulierten Hochfrequenzträgern genügt es beispielsweise, diese Arbeitspunkt-Regelschaltung nur im Video-Frequenzbereich von Null bis etwa 10 Hz wirken zu lassen, im darüberliegenden Videobereich von 10 Hz bis 8 NHz diese Arbeitspunktregelung jedoch unwirksam zu lassen und hier nur die erfindungemäss vorgeschlagene Arbeitspunkt-Verschiebung über die Eigengleichrichtung des Transistors wirken zu lassen und somit in diesem Bereich den Transistor mit optimalem Wirkungsgrad zu betreiben. Die erfindungsgemässe Arbeitspunkt-Verschiebung muss so verzögerungsarm -erfolgen, dass diese auch noch für sehr- hohe Frequenzen wirksam ist, bei TV-Signalen beispielsweise auch noch ür den Ton-(,5bi6,5MHz im Falle gemeinsamer Bild-Ton- ers ta"rkun -.In the amplifier stage according to the invention, self-rectification of the modulated input signal in the control path of the power transistor a line transistor operated, for example, in the emitter circuit in the base-emitter path, a shift in the operating point for the emitter-collector circuit of the power transistor caused and thus operated the transistor with optimal efficiency. So that this Control effect not provided by the transistor for protection against permanent overload Operating point control circuit that regulates the mean collector current, is impaired or compensated, this control circuit is dimensioned in such a way that that it is only effective for very animal frequencies. In order to. is in favor of operational stability dispenses with the self-control function of the power transistor. For an amplifier stage it is sufficient to amplify high-frequency carriers modulated with video signals for example, this operating point control circuit only in the video frequency range of Let zero to about 10 Hz have an effect, in the video range above 10 Hz up to 8 NHz, however, to leave this operating point regulation ineffective and here only the According to the invention, proposed shifting of the operating point via the intrinsic rectification of the transistor and thus the transistor in this area to operate at optimum efficiency. The working point shift according to the invention must be achieved with such little delay that it can also be used for very high frequencies is effective, with TV signals, for example, also for the sound - (, 5bi6,5MHz im Case of common image toners ta "rkun -.

trägerau'r e:ne e ne Steuerung in so kurzen Zeiten erhebliche Ströme erforderlich sind, muss die Steüerquelle im Sinne der Erfindung sehr niederohmig sein. Der Eigengleichrichtungs-Effekt in der Steuerstrecke tritt nur auf, wenn die Steuerquelle niederohmiger ist als der differentielle Innenwiderstand der Steuerstrecke des Transistors im Arbeitspunkt. Nur dann kann das durch die Eigengleichrichtung gewonnene Steuersignal auch zum Aufsteuern des Kollektorstromes des Leistungstransistors führen.Carrier-free: ne e control in such short times considerable currents are required, the Steüerquelle must be very low resistance within the meaning of the invention be. The self-rectification effect in the control path only occurs when the Control source is lower than the differential internal resistance of the control path of the transistor at the operating point. Only then can this be achieved through self-rectification obtained control signal also to control the collector current of the power transistor to lead.

Der Wirkungsgrad der erfindungsgemässen Verstärkerstufe kann noch dadurch gesteigert werden, dass im Sinne der Unteransprüche auch noch die Betriebsspannung des Leistungstransistors in Abhängigkeit vom Eingangssignal gesteuert wird. Hierdurch kann das zur Verfügung stehende Leistungs-Arbeitsfeld des Transistors mit symmetrischer Arbeitspunktlage praktisch voll ausgenutzt werden.The efficiency of the amplifier stage according to the invention can still can be increased by the fact that in the sense of the subclaims, the operating voltage of the power transistor is controlled depending on the input signal. Through this can the available power working field of the transistor with symmetrical Working point position can be practically fully utilized.

Die erfindungsgemässe Massnahme ist im Prinzip bei allen üblichen Transistor-Grundschaltungen anwendbar, beispielsweise auch bei mit Feldeffekttransistoren bestückten Schaltungen, sie ist jedoch von besonderem Vorteil für Leistungstransistoren, die in Emitterbasisschaltung betrieben sind.The measure according to the invention is in principle common with all Basic transistor circuits can be used, for example also with field effect transistors equipped circuits, but it is of particular advantage for power transistors, which are operated in emitter-base circuit.

Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is described below with reference to schematic drawings Embodiments explained in more detail.

mit Fig. 1 zeigt eine Leistungsverstärkerstufe zum Verstärken von7Videosignalen amplitudenmodulierten Hochfrequenzsignalen mit einem in Emitterbasissohaltung betriebenen Leistungstransistor 1, dessen Basiselektrodebüber eine Eingangs-Anpassungsschaltung 2 das zu verstärkende modulierte Eingangssignal zugeführt wird. Das am Kollekc torSabgegriffene verstärkte Ausgangssignal gelangt über eine Ausgangs-Anpassungsschaltung 3 zur Last 4. Zwischen Kollektoranschluss C und der Speisespannungs-Gleichspannungsquelle 5 liegt ein Messwiderstand 6, der zu einer Arbeitspunkt-Regelschaltung 7 führt. with Fig. 1 shows a power amplifier stage for amplifying 7 video signals amplitude-modulated high-frequency signals with an operated in emitter base maintenance Power transistor 1, the base electrode of which has an input matching circuit 2 the modulated input signal to be amplified is supplied. That which was picked up at the collector The amplified output signal reaches the load via an output matching circuit 3 4. Between the collector connection C and the supply voltage DC voltage source 5 there is a measuring resistor 6 which leads to an operating point control circuit 7.

Die am Widerstand 6 abgegriffene Regelgrösse, die dem Kollektorstrom IC proportional ist, wird als Stellgrösse der Basis B des Leistungstransistors 1 zugeführt.The controlled variable tapped at the resistor 6, which is the collector current IC is proportional, is used as the manipulated variable of the base B of the power transistor 1 fed.

Durch einen an der Basiseektrode B angeschalteten sehr niederohmigen Ohm'schen Widerstand 8dr sgangswiderstand dieser Regelschaltung 7 so niederohmig gewählt, dass er klein ist gegenüber dem differentiellen Innenwiderstand der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 1, also der wirksamen Steuerstrecke. Gleichzeitig ist die Regelschaltung 7 zu einer Tiefpass-Schaltung ergänzt, in dem gezeigten Ausführungsbeispiel durch einen Kondensator 13 zu einem ersten Tiefpass vor dem Regelverstärkungstransistor 9 und zu einem zweiten Tiefpass über einen Kondensator 10 am Ausgang dieses Transistors 9. Die Grenzfrequenz dieser beiden RC-TieSpassglieder 13 u.10 ist so tief gewählt, dass die Arbeitspunkt-Regelung über die Schaltung 7 nur für sehr langsame Amplitudenänderung wirksam ist.By a very low resistance connected to the base electrode B. Ohmic resistance 8dr The resistance of this control circuit 7 is so low chosen so that it is small compared to the differential internal resistance of the base-emitter path of the transistor 1, i.e. the effective control path. Simultaneously the control circuit 7 is supplemented to form a low-pass circuit, in the exemplary embodiment shown through a capacitor 13 to a first low pass before the control gain transistor 9 and to a second low-pass filter via a capacitor 10 at the output of this transistor 9. The cutoff frequency of these two RC-Tie-Passglieder 13 and.10 is chosen so low that that the operating point control via the circuit 7 only for very slow amplitude changes is effective.

Für einen Video-Sendeverstärker genügt es beispielsweise, die beiden Tierpässe-13ulO so zu dimensionieren, dass diese Regelschaltung 7 nur für Videofrequenzen zwischen etwa Null und10 Hz wirksam ist, darüber jedoch aussetzt und dann nur noch die durch die Eigengleichrichtung an der Basis-Emitter-Strecke sich aufbauende Steuerspannung zur Verschiebung des Arbeitspunktes wirksam ist.For a video transmission amplifier, for example, it is sufficient to use both To dimension animal passports-13ulO so that this control circuit 7 only for video frequencies is effective between about zero and 10 Hz, but stops above it and then only the control voltage that builds up due to the inherent rectification at the base-emitter path is effective for shifting the operating point.

Um möglichst kleine Kondensatoren für die Realisierung der Tiefpassglieder zu erhalten,'werden diese an denjenigen Stellen der Gesamtschaltung angebracht, an denen der höchste Widerstandsanteil besteht. Aus diesem Grunde ist der erste Kondensatorl3 für das erste RC-Tiefpassglied parallel zur Basis-Emitter-Strecke des in Basisschaltung betriebenen Transistors 9 geschaltet. Der zweite Tiefpass 10 bewirkt im wesentlichen nur eine zusätzliche Korrektursiebung und ist nicht unbedingt nötig.The smallest possible capacitors for the implementation of the low-pass elements 'these are attached to those points of the overall circuit, which have the highest share of resistance. Because of this, the first is Capacitor 13 for the first RC low-pass element parallel to the base-emitter path of the transistor 9 operated in the base circuit is switched. The second low pass 10 essentially only effects an additional correction screening and is not essential necessary.

Die bisher beschriebene Regelschaltung genügt ftir kleinere Leistungstransistoren mit hoher Verstärkung. Für Leisungstransistoren grösserer Leistung-ist es vorteilhaft zur Verminderung des Leistungsbedarfes dieser Regelschaltung noch einen Hilfstransistor 11 vorzugsweise in Kollektorbasisschaltung (Emitterfolger) zwischenzuschalten und diesen über eine gesonderte relativ niedrige HilSsspeisespannung UH zu versorgen.The control circuit described so far is sufficient for smaller power transistors with high gain. It is advantageous for power transistors with greater power an auxiliary transistor to reduce the power requirement of this control circuit 11 should preferably be connected in a collector base circuit (emitter follower) and to supply this via a separate, relatively low auxiliary supply voltage UH.

Natürlich sind in der gesamten Schaltung noch zusätzliche nicht dargestellte Siebglieder vorgesehen, beispielsweise zwischen dem Messwiderstand 6 und dem Kollektoranschluss C und auch in der Zuleitung der Regelschleife zwischen Regelschaltung 7 und Basiselektrode B, um störende Rückwirkungen der Hochfrequenzströme zu vermeiden.Of course, additional ones are not shown in the entire circuit Filter elements are provided, for example between the measuring resistor 6 and the collector connection C and also in the feed line of the control loop between control circuit 7 and base electrode B, in order to avoid disruptive repercussions of the high-frequency currents.

Die Grösse der differentiellen Basis-Emitter-Widerstandes REB kann für die verschiedenartigsten Transistortypen und für den normalen Arbeitspunkt aus den von den Trans istorhers tellern gegebenen Transistordaten in bekannter Weise errechnet werden, und zwar nach folgender Grundbeziehung: wobei UT die jeweilige Temperaturspannung des Transistors und 1B der aus dem StromverstGrkungsfaktor ß und dem Kollektorstrom 10 zu errechnende Transistorbasisstrom ist. FUr -einen üblichen Leistungstransistor ergibt sich danach beispielsweise ein differentieller Basis-Emitter-Widerstand von 0,8 Ohm im Arbeitspunkt. Eine mit einem üblichen Transistor 11 bestückte Emitterfolgerschaltung der Regelschaltung 7 ergibt beispielsweise einen Ausgangswiderstand von etwa 0,4 Ohm be i einem Basis-Emitter-Wi.derstand 8 am Leistungstransistor von beispielsweise 2,2 Ohm ergibt dies einen effektiven Quellwiderstand der Regelschaltung 7 für den Leistungstransistor 1 vo34 Ohm, der also wesentlich kleiner ist als der oben errechnete differentielle Widerstand der Basis-Emitter-Strecke des Leistungstransistors 1 im Arbeitspunkt.The size of the differential base-emitter resistance REB can be calculated in a known manner for the most varied of transistor types and for the normal operating point from the transistor data provided by the transistor manufacturers, using the following basic relationship: where UT is the respective temperature voltage of the transistor and 1B is the transistor base current to be calculated from the current gain factor β and the collector current 10. For a conventional power transistor, for example, this results in a differential base-emitter resistance of 0.8 ohms at the operating point. An emitter follower circuit of the control circuit 7 equipped with a conventional transistor 11 gives, for example, an output resistance of approximately 0.4 ohms with a base-emitter resistance 8 on the power transistor of, for example, 2.2 ohms, this gives an effective source resistance of the control circuit 7 for the Power transistor 1 vo34 ohms, which is significantly smaller than the differential resistance calculated above of the base-emitter path of the power transistor 1 at the operating point.

Fig. 2 zeigt anhand eines Ublichen Kollektorstrom-Kollektorspannungs-Kennliniendiagramms eines Leistungstransistors die Wirkungsweise der erfindungsgemässen Arbeitspunktverschiebung. Der Arbeitspunkt A des Transistors nimmt ohne Aussteuerung die angegebenen Mittellage auf der gestrichelt eingezeichneten Arbeitsgeraden ein. Durch die Eigengleichrichtung des Transistors wird der Kollektorstrom entsprechend gesteuert, und zwar zwischen den angegebenen Grenzen längs der Linie X. Damit wird in dem gestrichelt eingezeichneten Arbeitsfeld die Arbeitsgerade je nach Amplitude des Eingangssignals entsprechend parallel verschoben, der Leistungstransistor liefert also für grosse Aussteuerungen entsprechend grosse Leistung, für kleine Aussteuerungen dagegen entsprechend kleine Leistung, er passt sich also optimal an die jeweiligen Leistungserfordernisse an und wird daher mit optimalem Wirkungsgrad betrieben.FIG. 2 shows a typical collector current-collector voltage characteristic curve diagram of a power transistor, the mode of operation of the operating point shift according to the invention. The operating point A of the transistor takes the specified central position without modulation on the working line drawn in dashed lines. By self-rectification of the transistor, the collector current is controlled accordingly, between the specified limits along the line X. This is shown in the dashed line Working field the working line depending on the amplitude of the input signal accordingly shifted in parallel, so the power transistor delivers for large levels correspondingly large power, for small levels, on the other hand, correspondingly small ones Performance, so it adapts optimally to the respective performance requirements and is therefore operated with optimum efficiency.

Fig. 3 zeigt, wie durch eine zusätzliche Steuerung der Versorgungsspannung in Abhängigkeit von dem Eingangssignal der Wirkungsgrad noch weiter optimiert werden kann. Die zugehörige Steuerschaltung ist in Fig. 1 schematisch angedeutet, die Spannungsquelle 5 ist in diesem Fall steuerbar ausgeführt und sie wird über einen zusätzlichen Regelkreis 12 in Abhängigkeit von der Amplitude des Eingangssignals so gesteuert, dass bei grosser Eingangssignal-Amplitude eine grössere Speisespannung UB geliefert wird als bei kleinerer Amplitude dieses Eingangssignals. Auf diese Weise wird zusätzlich zu der in Richtung der Diagrammachse IC wirksamen Stromverschiebung des Arbeitspurktes auch noch eine in Richtung der Spannungsachse wirksame Arbeitspunktverschiebung erreicht, also eine Parallelverschiebung der Arbeitsgeraden im eingezeichneten Arbeitsfeld längs der schräg eingezeichneten Geraden X. Aus Fig. 3 ist ersichtlich, dass durch eine solche zusätzliche Spannungssteuerung das Arbeitsfeld optimal an das Kennlinienfeld angepasst ist und für grosse und kleine Leistung symmetrische Aussteuerung gewährleistet ist.Fig. 3 shows how by an additional control of the supply voltage Depending on the input signal, the efficiency can be further optimized can. The associated control circuit is indicated schematically in FIG. 1, the voltage source 5 is designed to be controllable in this case and it is via an additional control loop 12 controlled as a function of the amplitude of the input signal so that at A larger input signal amplitude a larger supply voltage UB is supplied than with a smaller amplitude of this input signal. This way it will be additional to the current shift of the working track effective in the direction of the diagram axis IC also an effective working point shift in the direction of the stress axis reached, i.e. a parallel shift of the working line in the working area shown along the obliquely drawn straight line X. From Fig. 3 it can be seen that through such an additional voltage control optimally aligns the working field with the characteristic field is adapted and ensures symmetrical modulation for large and small power is.

Fig. 4 zeigt, wie durch eine zusätzliche Schwellwertschaltung in der zusätzlichen Regelschaltung 12 dafür gesorgt, werden kann, dass diese zusätzliche Spannungssteuerung erst ab einem bestimmten Amplitudenschwellwert eintritt. Für ein Videosignal kann damit noch eine weitere Optimierung des Wirkungsgrades dadurch erzielt werden, dass im Bildbereich des Videosignals jeweils nur die zuerst erwähnte Stromsteuerung längs der Geraden X1 durchgeführt wird und erst im Synchronimpulsbereich des Videosignals die kombinierte Strom- und Spannungssteuerung längs der Geraden X2 wirksam ist.Fig. 4 shows how by an additional threshold circuit in the additional control circuit 12 can be ensured that this additional Voltage control only occurs from a certain amplitude threshold value. For a video signal can still do this a further optimization of the efficiency can be achieved in that in each case only the first in the image area of the video signal mentioned current control is carried out along the straight line X1 and only in the synchronous pulse range of the video signal, the combined current and voltage control along the straight line X2 is effective.

Claims (9)

Patentansnrüche 1. Verstärkerstufe zum Verstärken amplitudenmodulierter Hochfrequenzsignale, insbesondere von mit Videosignalen modulierten Hochfrequenzsignalen, mit einem Leistungstransistor und einer zwischen Ausgangspunkt-Regelschaltung. Claims 1. Amplifier stage for amplifying amplitude-modulated High-frequency signals, in particular high-frequency signals modulated with video signals, with a power transistor and an intermediate point of departure regulating circuit. Kreis des Transistors wirkenden Arbeits-Regelschaltung, d a d u r c h g e k e n n z e i e h n e t,- dass der an der Steuerelektrode (B) des Transistors (1) wirksame Queliwiderstand der Arbeitspunkt-Regelschaltung (7) klein gewählt ist gegenüber dem differentiellen Eingangswiderstand der Steuerstrecke (B,E) des Transistors (1). Circuit of the transistor acting work-regulating circuit, d a d u r c h e k e k e n n n z e i n e n e t, - that the one at the control electrode (B) of the transistor (1) the effective source resistance of the operating point control circuit (7) is selected to be small compared to the differential input resistance of the control path (B, E) of the transistor (1). 2. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c-h n e t, dass die Arbeitspunkt-Regelschaltung(7)so dimensioniert ist, dass sie nur für sehr tiefe Modulationsfrequenzen wirksam ist.2. Amplifier stage according to claim 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c-h n e t that the operating point control circuit (7) is dimensioned so that it is only effective for very low modulation frequencies. 3. Verstärkerstufe nach Anspruch 2 zum Verstärken von mit Videosignalen modulierten Hochfrequenzsignalen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Regelschaltung so dimensioniert ist, dass sie nur für Videofrequenzen unterhalb etwa 10 Hz wirksam ist.3. Amplifier stage according to claim 2 for amplifying with video signals modulated high-frequency signals, d u r c h e k e n n n e i c h n e t that the control circuit is dimensioned so that it only works for video frequencies below about 10 Hz is effective. 4. Verstärkerstufe nach Anspruch 2 oder 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Regelschaltung (7) zu mindestens einem Tiefpass (10, 13) mit entsprechend tiefer Grenzfrequenz ergänzt ist.4. amplifier stage according to claim 2 or 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the control circuit (7) to at least one low pass (10, 13) is supplemented with a correspondingly lower cutoff frequency. 5. Verstärkerstufe nach einem oder-mehreren der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, dass am Ausgang der Arbeitspunkt-Regelschaltung (7) ein über eine Hilfsspannung (UH) betriebener Hilfstransistor (11) insbesondere in Emitterfolgerschaltung vorgesehen ist.5. Amplifier stage according to one or more of the preceding claims, d a d u r c h e k e n n -z e i c h n e t that at the output of the operating point control circuit (7) an auxiliary transistor (11) operated via an auxiliary voltage (UH) in particular is provided in emitter follower circuit. 6. Verstärkerstufe nach einem oder mehreren der vorhergehenden Anspräche, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, dass der Leistungstransistor (1) in Emitterbasisschaltung betrieben ist und die Regelschaltung (7) zwischen Kollektor (G) und Basis (B) vorgesehen ist.6. Amplifier stage according to one or more of the preceding claims, d a d u r c h e k e n n -z e i c h n e t that the power transistor (1) in Emitter base circuit is operated and the control circuit (7) between the collector (G) and base (B) is provided. 7. Verstärkerstufe nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, dass parallel zu Basis-Emitter-Strecke (B,E) des Leistungstransistors (1) ein ohm'scher Widerstand (8) von etwa 1 bis 10 Ohm geschaltet ist.7. amplifier stage according to one or more of the preceding claims, d a d u r c h e k e n n -z e i c h n e t that parallel to the base-emitter path (B, E) of the power transistor (1) an ohmic resistor (8) of about 1 to 10 Ohm is switched. 8. Verstärkerstufe nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, dass die Speisespannungsquelle (5) des Leistungstransistors (1) regelbar ausgebildet und die Speisespannung (UB) über eine zusätzliche Regelschaltung (12) in Abhängigkeit vom amplitudenmodulierten Eingangssignal gesteuert ist.8. amplifier stage according to one or more of the preceding claims, d a d u r c h e k e n n -z e i c h n e t that the supply voltage source (5) of the Power transistor (1) designed to be controllable and the supply voltage (UB) via a additional control circuit (12) depending on the amplitude-modulated input signal is controlled. 9. Verstärkerstufe nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die zusätzliche Regelschaltung (12) so dimensioniert ist, dass die zusätzliche Speisespannungsregelung nur oberhalb eines vorbestimmten Schwellwertes der Amplitude des amplitudenmodulierten Eingangssignales, bei Videosignalen nur im Synchronimpuls-Bereich, wirksam ist (Fig. 4). N9. amplifier stage according to claim 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the additional control circuit (12) is dimensioned so that the additional supply voltage regulation only above a predetermined threshold value the amplitude of the amplitude-modulated input signal, for video signals only in the sync pulse area, is effective (Fig. 4). N
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