DE29901853U1

DE29901853U1 - Sputteranlage

Info

Publication number: DE29901853U1
Application number: DE29901853U
Authority: DE
Original assignee: Leybold Materials GmbH
Current assignee: WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date: 1999-02-03
Filing date: 1999-02-03
Publication date: 1999-07-01
Anticipated expiration: 2009-02-04

Description

Beschreibung

Sputteranlage

Die Neuerung betrifft eine Sputteranlage mit einem bei Betrieb der Sputteranlage unter Hochvakuum stehenden Rezipienten, in welchem mit Abstand zu einem zu beschichtenden Substrat eine ein Target aufweisende Kathode angeordnet ist.

Bei solchen Sputteranlagen besteht das Erfordernis, das Target auszuwechseln, bevor der Sputtervorgang so weit fortgeschritten ist, dass die das Target haltende Trägerplatte nicht mehr vollständig vom Target abgedeckt ist und dadurch ein Zerstäuben der Trägerplatte beginnt. Die Kontrolle der Reststärke des Targets erfordert jedoch relativ hohen Aufwand, weil hierzu die Anlage geflutet werden muss, bevor man sie öffnen und den Zustand des Targets überprüfen kann.

Der Neuerung liegt das Problem zugrunde, eine Sputteranlage der eingangs genannten Art so zu gestalten, dass eine Kontrolle der Targetdicke auf möglichst einfache Weise und möglichst rasch möglich wird.

Dieses Problem wird neuerungsgemäß gelöst durch zumindest ein Laserinterferometer zur Bestimmung der Dicke des Targets.

Die Bestimmung der Targetdicke im Hochvakuum durch Messen scheiterte bislang daran, dass übliche Messeinrichtungen im Hochvakuum nicht einsetzbar sind. Das gilt insbesondere für Ultraschallmessverfahren, weil die Ultraschallwellen ein Medium benötigen, in welchem sie sich ausbrei-

ten können. Laserxnterferometer benötigen ein solches Medium nicht und arbeiten auch in einem Abstand von mehreren Metern von dem Messobjekt mit sehr hoher Genauigkeit. Dank der Neuerung kann man beim Betrieb einer Sputteranlage die Produktionsdauer und den Targetwechsel· besser planen, indem man vor Beginn des Sputterprozesses die Position des Targets bestimmt und dann in regeimäßigen Abständen durch erneute Messung die Abstandsvergrößerung feststellt. Auf diese Weise lässt sich ein Abtrag von Material der Trägerplatte und dadurch eine Produktion von Ausschuss verhindern.

Besonders zuverlässig lässt sich der Materialabtrag des Targets ermitteln, wenn gemäß einer Weiterbildung der Neuerung in zwei Seitenwänden des Rezipienten jeweils ein Laserinterferometer angeordnet ist und der jeweilige Messstrahl zur Sputtergrabenmitte am Targetanfang und Targetende gerichtet ist. Da der Materialabtrag am Targetanfang und Targetende jeweils am größten ist, lässt sich ein Aufbrauchen des Targets durch diese Positionierung der Messpunkte zuverlässig ausschließen.

Die Laserinterferometer werden nicht mit dem zerstäubten Material beschichtet und dadurch funktionsuntüchtig, wenn gemäß einer anderen Weiterbildung der Neuerung die Laserinterferometer zum Inneren des Rezipienten hin durch eine zum Zwecke der Messung wegschwenkbare Blende abgedeckt sind.

Die Neuerung lässt verschiedene Ausführungsformen zu. Zur weiteren Verdeutlichung ihres Grundprinzips ist eine davon in der Zeichnung dargestellt und wird nachfolgend beschrieben. Diese zeigt in

Fig.l einen Querschnitt durch eine Sputteranlage
nach der Neuerung,

Fig.2 eine Draufsicht auf ein Target der
Sputteranlage.

Die Figur 1 zeigt einen Rezipienten 1, in welchem eine Kathode 2 angeordnet ist. Diese trägt ein Target 3, von dem Material durch Sputtern abgetragen wird, so dass ein umlaufender Sputtergraben 4 entsteht. Dem Target 3 gegenüber ist in dem Rezipienten 1 ein Substrat 5 angeordnet, bei dem es sich beispielsweise um zu beschichtendes Glas handelt.

Der Rezipient 1 hat zwei Seitenwände 6, 7, in welchen jeweils ein Laserinterferometer 8, 9 angeordnet ist. Diese Laserinterferometer 8, 9 sind so ausgerichtet, dass jeweils am Targetanfang und Targetende in der Mitte des Sputtergrabens 4 ein in Figur 2 mit 11 positionierter Messpunkt entsteht. Um eine Beschichtung der Laserinterferometer 8, 9 zu verhindern, sind diese jeweils von einer Blende 10 abgedeckt, welche von der Messung weggeschwenkt werden kann.

Da die Messpunkte 11 am Anfang und Ende des Sputtergrabens 4 angeordnet sind, liegen sie in Figur 1 gesehen vor und hinter der Bildebene. Die Figur 2 verdeutlicht jedoch für einen Messpunkt 11 die Position beider Messpunkte.

Bezugszeichenliste

1 Rezipient

2 Kathode

3 Target

4 Sputtergraben

5 Substrat

6 Seitenwand

7 Seitenwand

8 Laserinterferometer

9 Laserinterferometer

10 Blende

11 Messpunkt

Claims

• · Schutzansprüche

1. Sputteranlage mit einem bei Betrieb der Sputteranlage unter Hochvakuum stehenden Rezipienten, in welchem mit Abstand zu einem zu beschichtenden Substrat eine ein Target aufweisende Kathode angeordnet ist, gekennzeichnet durch zumindest ein Laserinterferometer (8, 9) zur Bestimmung der Dicke des Targets (3).

2. Sputteranlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in zwei Seitenwänden (6, 7) des Rezipienten (1) jeweils ein Laserinterferometer (8, 9) angeordnet ist und der jeweilige Messstrahl zur Sputtergrabenmitte am Targetanfang und Targetende gerichtet ist.

3. Sputteranlage nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserinterferometer (8, 9) zum Inneren des Rezipienten (1) hin durch eine zum Zwecke der Messung wegschwenkbare Blende (10) abgedeckt sind.