DE2921966A1 - Verfahren zur aufbringung von silikonkautschukschichten - Google Patents

Description

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Verfahren zur Aufbringung von Silikonkautschukschichten

Die Erfindung kann im Druckgewerbe, z. B. zur Herstellung von chemisch und mechanisch stark beanspruchten Schildern, Warntafeln usw., angewendet v/erden. Darüber hinaus ist aufgrund der Klebewirkung vor der Vulkanisation des Silikonkautschuks auch in vielen Gebieten der Elektrotechnik/Elektronik ein Einsatz möglich. Im weiteren ist die Erfindung geeignet, dreidimensional definierte Folien aus Silikonkautschuk, wie z. B. Membranen, herzustellen·

Silikonkautschuk hat aufgrund seiner stoffspezifischen Eigenschaften, wie eine hohe Wärmebeständigkeit, ausgeprägte wasserabweisende Wirkung, gutes elektrisches Isolationsvermögen soTJie physiologische Unbedenklichkeit breitesten Eingang in viele Anwendungsgebiete gefunden· Prinzipiell ist bei Silikonkautschuk zwischen kalt- und heißhärtenden Produkten zu unterscheiden. Heißhärtende Produkte werden vor allem zur Herstellung von Eormartikeln bzw. Gewebebeschichtungen eingesetzt. Nachteilig wirkt sich hier neben der komplizierten Herstellungstechnologie der Umstand aus, daß zur Vulkanisation und damit zur endgültigen Aushärtung des Kautschuks Temperaturen ϊ> IQO⁰G benötigt werden, die eine Anwendung für viele Gebiete einschränkt· Bei kalthärtenden Produkten wiederum wird der zur Reaktion (Vulkanisation) erforderliche

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Vernetzer unter die Kautschukkomponente gemischt. Durch die Topfzeit des Systems werden die Verarbeitungs- und Anwendungsmöglichkeiten stark eingeschränkt.

Es ist bisher üblich, die mit dem Vernetzer vermischte Kautschukkomponente mit den allgemein bekannten Auftragungstechnologien auf die zu behandelnden Flächen zu bringen. Diese Technologien sind z. B. Kalandrieren, Tauchen, Spritzen, Streichen usw.

Diese Verfahren haben Jedoch den wesentlichen Nachteil, daß man mit ihnen keine homogene und dreidimensionale Silikonkautschukschicht auf Unterlagen erzielt. Die hergestellten Silikonkautschukschichten sind in ihrer Dicke ungleichmäßig sowie in der Länge bzw. Breite nicht genau zu definieren. Dieses hat zur Folge, daß kalthärtender Silikonkautschuk für einige Gebiete der Technik nicht einsetzbar ist·

Die Erfindung hat das Ziel, auf Unterlagen Schichten aus Silikonkautschuk aufzubringen, die sich durch gleichmäßige Dicke und exakt definierter Flächenausdehnung auszeichnen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Aufbringung von Silikonkautschukschichten zu schaffen, das geeignet ist, selbst extrem dünne dreidimensionale Schichten aus kalthärtenden Silikonkautschuk auf Unterlagen herzustellen·

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Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß mittels Siabdruckverfahren die Silikonlcautschukkomponente getrennt vom Vernetzer auf die Unterlage, die vorher mit dem Vernetzer behandelt wurde, aufgebracht wird·

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von einigen Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Sollen a. B. auf Leiterplattenmaterial, wie Cu-kaschiertes Phenol- bzw. Epoxidharz eine definiert dreidimensionale Isolierschicht aufgebracht werden, so wird das Leiterplattenmaterial zuvor mit einer Haftvermittlerlösung, z. B· 5-#ige ^- Aminopropyltriäthoxy_ silan-Lösung behandelt· Nach Verdampfen des Lösungsmittels erfolgt die Beschichtung mit dem Vernetzer, z. B. einer 5-%igen Dibutylzinndilaurat-Lösung« Anschließend erfolgt der Siebdruckvorgang mit einem auf herkömmliche Weise präpariertem Sieb·

In einem weiteren Beispiel sollen elektronische Schaltkreise mit Glastarget elastisch und spannungsfrei mit Metallgehäusen verklebt werden· Dazu wird zunächst das Metallgehäuse mit einem Haftvermittler, vorzugsweise aus einer J-^igen^-Glycidoxypropyltriäthoxysilan-Lösung versehen· Der elektronische Schaltkreis wird ebenfalls mit dem gleichen Haftvermittler versehen, und nach dem erfolgten Abdampfen des Lösungsmittels erfolgt die Beschichtung mit dem Vernetzer· Anschließend wird

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das Metallgehäuse bedruckt· So ergibt z. B. Silikonkautschuk mit einer Viskosität von 100 + 20 Pa.s und einem Siebgewebe von 195 mesh eine Silikonkautschukschicht von 20+2 ,um· Auf diese Silikonkautschukschicht wird dann der elektronische Schaltkreis gebracht·

Darüber hinaus ist es möglich, mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens Folien oder Membranen aus Silikonkautschuk, wie sie u. a. in der Biomedizin Anwendung finden, herzustellen« Dazu wird der Vernetzer auf eine inerte Unterlage aufgetragen und anschließend mit der Silikonkautschukkomponente bedruckt. Hach erfolgter Vernetzungsreaktion wird die Folie bzw. Membrane von der inerten Unterlage getrennt·

Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten und anhand von einigen Ausführungsbeispielen näher beschriebenen Silikonkautschukschichten weisen in jedem Fall eine gleichmäßige dreidimensionale jomogene Struktur auf« Das vorstehend beschriebene Verfahren ist unkompliziert und störunanfällig und erschließt darüber hinaus weitere Gebiete der Technik für die Silikonchemie·

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Claims (1)

1. Pat entans prüche

   1» Verfahren zur Aufbringung von Silikonkautschukschichten, dadurch gekennzeichnet, daß mittels Siebdruckverfahren die Silikonkautschukkomponente getrennt vom Vernetzer auf die Unterlage, die vorher mit dem Vernetzer behandelt wurde, aufgebracht wird·

   2· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß kalthärtender Silikonkautschuk mit einer Viskosität von 100 - 300 Pa.s verwendet wird·

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