DE2848333A1 - Solid state element construction process - using EM, electron or ion beams directed onto selected regions of layer to change their crystalline state - Google Patents

Solid state element construction process - using EM, electron or ion beams directed onto selected regions of layer to change their crystalline state

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Abstract

A semiconductor construction element is produced with little or no masking or heat treatment. The solid-state body has several bounded regions of various crystalline states. Selected regions of a solid-state material layer have their crystalline state changed by energy conveyed by a wave or particle type beam. Electro-magnetic, electron or ion rays can be used to transmit this transforming energy. The beam can be controlled so that it is deflected exclusively onto the regions to be changed. The solid-state material layer can be mounted on a substrate. Several solid-state material layers can be mounted on top of each other, each having selected regions changed after mounting. The layer can consist of amorphous material changed to polycrystalline and/monocrystalline material.

Description

Verfahren zum Herstellen von FestkörperbauelementenMethod for manufacturing solid-state components

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Festkörperbauelementen mit mehreren begrenzten Bereichen unterschiedlichen kristallinen Zustands.The invention relates to a method for producing solid-state components with several limited areas of different crystalline state.

Insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen ist es bisher üblich, von einem monokristallinen Festkörper auszugehen und die Begrenzung der aktiven Zonen des Bauelements, soweit sie nicht durch PN-Übergänge geschieht, dadurch zu bewirken, daß der gesamte Festkörper, ggf.It is particularly important in the manufacture of semiconductor components up to now common to start from a monocrystalline solid and the limitation the active zones of the component, as long as it does not occur through PN junctions, to cause the entire solid, possibly

nach geeigneten Maskierungsschritten, einer thermischen Behandlung ausgesetzt wird, bei der bestimmte Teile des Festkörpers durch Oxidation in ein isolierendes Oxid des Festkörp ermaterials umgewandelt werden.after suitable masking steps, a thermal treatment exposed, in which certain parts of the solid body by oxidation in a insulating oxide of the solid material are converted.

Ein solches Verfahren ist aufwendig und hat u.a. die Nachteile, daß besondere Maskierungsschritte erforderlich sind, und daß die thermische Behandlung zu einer unerzXnschten Verschiebung der Dotierstoffverteilung im Festkörper führen kann.Such a method is expensive and has the disadvantages, among other things, that special masking steps are required, and that the thermal treatment lead to an undesirable shift in the dopant distribution in the solid can.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß auf Maskierungsschritte und thermische Behandlung des gesamten Festkörpers weitgehend, wenn nicht vollständig, verzichtet werden kann.The invention is based on the object of a method of the above named type so that on masking steps and thermal treatment of the entire solid can largely, if not completely, be dispensed with.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ausgewählte Bereiche einer Festkörpermaterialschicht durch Energie zufuhr mittels eines Wellen- oder Teilchenstrahls in ihrem kristallinen Zustand geändert werden.According to the invention, this object is achieved in that selected Areas of a solid material layer by supplying energy by means of a wave or particle beam are changed in their crystalline state.

Als Wellen- oder Teilchenstrahl können gebündelte elektromagnetische Strahlung, ein Elektronenstrahl oder ein Ionenstrahl dienen, die es gestatten, der Festkörpermaterialschicht sowie thermische Energie zuzuführen, daß z.B.As wave or particle beam bundled electromagnetic Radiation, an electron beam or an ion beam are used that allow the To supply solid material layer as well as thermal energy that e.g.

amorphes Material in polykristallines oder wenn die Schicht dabei örtlich völlig aufgeschmolzen wird, in monokristallines Material umzuwandeln.amorphous material in polycrystalline or if the layer is doing so is locally completely melted to convert into monocrystalline material.

Die Verwendung eines solchen Wellen- oder Teilchenstrahls gestattet es, den Strahl durch gesteuerte Ablenkung nur auf die in ihrem Zustand zu ändernden Bereiche zu lenken, Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.The use of such a wave or particle beam is permitted it is to change the beam by controlled deflection only to those in their state Areas to steer, Further refinements of the invention emerge from the subclaims.

Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sind insbesondere darin zu sehen, daß Festkörperbauelemente, bei denen bestimmte aktive, poly- oder monokristalline Bereiche durch isolierende Bereiche voneinander getrennt sind unter weitgehenden Verzicht auf Maskierungsschritte, d.h. die Anwendung photolithographischer Verfahren, und unter Verzicht auf eine thermische Behandlung des gesamten Festkörpers herzustellen.The advantages of the method according to the invention are in particular therein to see that solid-state components in which certain active, poly- or monocrystalline Areas separated from one another by insulating areas are under extensive No masking steps, i.e. the use of photolithographic processes, and to produce without thermal treatment of the entire solid.

Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert.Some exemplary embodiments of the invention are based on the following the accompanying drawings explained in more detail.

Es zeigen Fig. 1a-c Schnitte durch eine nach dem Verfahren nach der Erfindung hergestellte Halbleiterdiode in auf- einanderfolgenden Stufen ihrer Herstellung, Fig. 2a-d Schnitte durch einen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Transistor in vier aufeinanderfolgenden Stufen seiner Herstellung, nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Kontakte bzw. Leiterbahnen, -für eine Flüssigkristail anzeige in Stufen ihrer Herstellung.1a-c show sections through a semiconductor diode produced by the method according to the invention in successive stages of its production, FIGS. 2a-d show sections through a transistor produced according to the method according to the invention in four successive stages of its production, contacts or conductor tracks produced by the method according to the invention, -for a liquid crystal display in Stages of their manufacture.

In den Figuren sind der Deutlichkeit halber die Abmessungen in Dickenrichtung übertrieben groß dargestellt.In the figures, for the sake of clarity, the dimensions are in the thickness direction shown exaggerated.

Fig. 1a zeigt ein Substrat 1 aus N+-leitendem Silicium. Auf diesem Substrat 1 ist eine erste Schicht 2 aus amorphem Silicium niedergeschlagen, die durch Ionenimplantation mit Arsen oder Phosphor dotiert. Die Schbht bleibt aber nichtlei tend. Die Dicke der Schicht 2 beträgt etwa 11um. Anschliessend wird das amorphe Silicium eines Teilbereiches 2a durch Bestrahlen mit einem Laser- oder Elektronenstrahl 8 in monokristallines Material ungewandelt das N-leitend ist.1a shows a substrate 1 made of N + -conducting silicon. On this one Substrate 1 is deposited a first layer 2 of amorphous silicon which doped with arsenic or phosphorus by ion implantation. The Schbht remains ineffective. The thickness of the layer 2 is about 11 µm. Then it will amorphous silicon of a sub-area 2a by irradiation with a laser or electron beam 8 converted into monocrystalline material that is N-conductive.

Der Strahl wird dabei durch geeignete Vorrichtungen so abgelenkt und über die Schicht 2 geführt, daß er nur den Teilbereich 2 bestreicht.The beam is deflected by suitable devices and passed over layer 2 so that it only sweeps part 2.

Anschließend wird auf die erste amorphe Siliciumschicht 2 eine zweite, gleich dicke amorphe Siliciumschicht 3 aufgebracht, was wie bei der ersten Schicht durch Niederschlagen aus der Gasphase bei niedrigen Temperaturen geschehen kann.Subsequently, a second, Amorphous silicon layer 3 of the same thickness is applied, which is the same as for the first layer can happen by precipitation from the gas phase at low temperatures.

Anschließend wird die zweite Schicht durch Implantation von Borionenstark dotiert und dann ein über dem Teilbereich 2a der ersten Schicht liegender Teilbereich 3a durch Bestrahlung mit einem entsprechend abgelenkten Laser- oder Elektronenstrahl 8 in iit>nokristallines, Ptleitendes Material umge- wandelt (siehe Fig. 2b).Then the second layer is made strong by implantation of boron ions doped and then a sub-area lying over the sub-area 2a of the first layer 3a by irradiation with a correspondingly deflected laser or electron beam 8 in iit> nocrystalline, Pt-conductive material transforms (see Fig. 2b).

Nach diesen Verfahrensschritten ergibt sich also die in Fig. 1c dargestellte Diode, die aus den beiden monokristallinen, einen PN-übergang miteinander bildenden Zonen 2a und 2b besteht, die praktisch einen Mesa bilden und seitlich von dem isolierenden amorphen Silicium der nicht umgewandelten Teile der aufgebrachten Schichten 2 und 3 begrenzt werden.After these procedural steps, that shown in FIG. 1c results Diode, which from the two monocrystalline, a PN-junction with each other forming Zones 2a and 2b, which practically form a mesa and to the side of the insulating amorphous silicon of the unconverted parts of the applied layers 2 and 3 can be limited.

Der PN-übergang zwischen den Zonen 2a und 3a verläuft also völlig eben, so daß diese Diode besonders für hohe Sperrspannungen geeignet ist.The PN transition between zones 2a and 3a is therefore complete so that this diode is particularly suitable for high reverse voltages.

Anhand der Fig. 2a-c wird ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors beschrieben. Auch her wird von einem N+-leitenden Substrat 1 aus Silicium ausgegangen, auf das zunächst eine erste Schicht 10 aus amorphem Silicium mit einer Dicke von etwa 1/um aufgebracht wird. Diese Schicht wird dann durch Implantation von Arsen oder Phosphor dotiert und anschließend ein ausgewählter Bereich 10a durch Bestrahlen mit einem entsprechend abgelenkten Laser- oder Elektronenstrahl 8 in monokristallines Material umgewandelt. Auf diese Weise ist eine N-dotierte, in leitender Verbindung mit dem Substrat 1 stehende Kollektorzone des Transistors gebildet (siehe Fig. 2a).A method for producing a transistor is illustrated with reference to FIGS. 2a-c described. An N + -conducting substrate 1 made of silicon is also assumed, on the first a first layer 10 of amorphous silicon with a thickness of about 1 / µm is applied. This layer is then implanted with arsenic or doped with phosphorus and then a selected area 10a by irradiation with a correspondingly deflected laser or electron beam 8 in monocrystalline Material converted. In this way an N-doped one is in conductive connection formed with the substrate 1 standing collector zone of the transistor (see Fig. 2a).

Anschließend wird auf die erste Schicht 10 eine zweite Schicht 20 aus amorphem Silicium aufgebracht und durch Implantation von Borionen dotiert, von der dann ein sich völlig über den Bereich 10a der ersten Schicht, also den Kollektor erstreckenden Bereich 20a, der sich aber seitlich über den Bereich 10a hinauserstreckt, anschließend durch Bestrahlen mit einem entsprechend abgelenkten Laser- oder Elektronenstrahl 8 in monokriscalline3,, P-leitendes Material umgewandelt wird. Die sich so ergebende mono- kristalline Zone 20a bildet die Basis des Transistors (siehe Fig. 2b).A second layer 20 is then applied to the first layer 10 applied from amorphous silicon and doped by implantation of boron ions, of which then extends completely over the area 10a of the first layer, that is to say the collector extending area 20a, but which extends laterally beyond the area 10a, then by irradiating with an appropriately deflected laser or electron beam 8 is converted into monokriscalline3 ,, P-conductive material. The resulting one mono- crystalline zone 20a forms the base of the transistor (see Fig. 2b).

Anschließend wird, wie in Fig. 2c dargestellt, auf die zweite Schicht 20 und die in ihr gebildete Zone 20a eine dritte Schicht 30 aus amorphem Silicium aufgebracht. Dabei ist jedoch vorher ein Oberflächenteil 21 der Zone 20a auf geeignete Weise maskiert worden, so daß hier kein amorphes Silicium niedergeschlagen wird. Das so in der Schicht 30 gebildete Loch gestattet es später die Zone 20a zu kontakieren. Diese mit der gleichen Dicke wie die Schichten 20 und 10 niedergeschlagenen Schicht 30-wird zunächst durch Implantation von Arsen oder Phosphor dotiert und dann ein Bereich 30a der oberhalb der in den Schichten 10 und 20 gebildeten Zonen 10a und 20a liegt, durch Bestrahlung mit einem entsprechend abgelenkten Laser- oder Elektronenstril in monokristallines,N+leitendes Material umgewandelt. Es bildet sich so die Emitterzone des Transistors.Then, as shown in FIG. 2c, the second layer is applied 20 and the zone 20a formed in it, a third layer 30 made of amorphous silicon upset. In this case, however, a surface part 21 of the zone 20a is suitable beforehand Wise masked so that no amorphous silicon is deposited here. The hole thus formed in the layer 30 allows the zone 20a to be contacted later. This layer deposited with the same thickness as layers 20 and 10 30-is first doped by implantation of arsenic or phosphorus and then a Area 30a of the zones 10a and 10a formed above the layers 10 and 20 20a is due to irradiation with a correspondingly deflected laser or electron string converted into monocrystalline, N + conductive material. The emitter zone is thus formed of the transistor.

Der Aufbau dieses Transistors vor der Kontaktierung ist dann nocheinnal in der Fig. 3d dargestellt, die zeigt, daß die NPN-Zonenfolge mesaartig auf dem Substrat 1 aufgebaut ist und seitlich von dem isolierenden, amorphen Silicium der nicht Umgewandelten Teile der aufgebrachten Schichten 10, 20 und 30 begrenzt wird.The structure of this transistor before contacting is then one more time shown in Fig. 3d, which shows that the NPN zone sequence is mesa-like on the Substrate 1 is constructed and the side of the insulating, amorphous silicon Unconverted parts of the applied layers 10, 20 and 30 is limited.

Bei der Herstellung dieses Transistors war es benso wie bei der Herstellung der Diode nach der Fig. 1 nicht erforderlich, den gesamten Halbleiterkörper einer thermischen Behandlung auszusetzen, da die erforderliche Verteilung der implantierten Dotierstoffionen und das Ausheilen der Kristallbeschädigung bei dem Bestrahlen der Schichten mit einem Laser- oder Elektronenstrahl zum Umwandeln des amorphen Materials in monokristallines Material mitbewirkt wird.Making this transistor was just like making it the diode according to FIG. 1 is not required, the entire semiconductor body of a subject to thermal treatment, as the necessary distribution of the implanted Dopant ions and the healing of crystal damage upon irradiating the Layers with a laser or electron beam to convert the amorphous material is involved in monocrystalline material.

Weiter war es, bis auf die Bildung des L#cches 21 in der dritten Schicht 30 bei dem Transistor, nicht erforderlich, Maskierungsschritte anzuwenden, da die Bestrahlung zur Umwandlung der Kristallstnilctur, durch geeignete Ablenkung der Laser- oder Elektronenstrahlen auf die zu implantierenden bzw. umzuwandelnden Gebiete beschränkt werden kann.It was further, except for the formation of the hole 21 in the third layer 30 with the transistor, it is not necessary to apply masking steps as the Irradiation to transform the crystal structure, by suitable deflection of the Laser or electron beams on the areas to be implanted or converted can be restricted.

Die Fig. 3 zeigt schließlich die Herstellung von Kontakten bzw. Leiterbahnen für eine Flüssigkristallanzeige. Hier wird ausgegangen von einem Glassubstrat 40, auf das eine amorphe, nichtleitende Schicht 41 aus InSn-Oxid niedergeschlagen wird. Diese Schicht hat eine Dicke von etwa 1/um.Finally, FIG. 3 shows the production of contacts or conductor tracks for a liquid crystal display. A glass substrate 40 is assumed here, on which an amorphous, non-conductive layer 41 made of InSn oxide is deposited. This layer has a thickness of about 1 / µm.

Bereiche 42 dieser Schicht 41, die später als leitende Kontakte bzw. Leiterbahnen dienen sollen, werden dann durch Bestrahlung mit einem Laser- oder Elektronenstrahl in kristallines, leitendes InSn-Oxid umgewandelt.Dabei kann auf die Verwendung von Maskierungsschritten verzichtet werden, da der umwandelnde Laser- oder Elektronenstrahl durch geeignete Ablenkmittel nur auf die umzuwandelnden Bereiche gerichtet werden kann. Es ist jedoch auch möglich, auf das Glassubstrat eine Schicht 41 nicht aus einem amorphen, sondern aus einem leitenden kristallinen InSn-Oxid aufzubringen und ausgewählte Bereiche dieser Schicht dann durch Bestrahlung mit einem entsprechend abgelenkten Ionenstrahl in amorphes, also nichtleitendes InSn-Oxid umzuwandeln.Areas 42 of this layer 41, which will later be used as conductive contacts or Conductor tracks are to be used, then by irradiation with a laser or Electron beam converted into crystalline, conductive InSn oxide the use of masking steps can be dispensed with, since the converting laser or electron beam by suitable deflection means only on the areas to be converted can be directed. However, it is also possible to apply a layer to the glass substrate 41 not made of an amorphous, but of a conductive crystalline InSn oxide to apply and selected areas of this layer then by irradiation with a correspondingly deflected ion beam into amorphous, i.e. non-conductive InSn oxide to convert.

Eine weitere Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung ist die Herstellung von magnetischen Speicherelementen.Another application of the method according to the invention is manufacturing of magnetic storage elements.

Hierbei kann von einem Substrat ausgegangen werden, auf das eine aus Bariumoxid und Fe203 bestehende paramagnetische Schicht aufgebracht ist. Von dieser Schicht werden dann ausgewählte Bereiche, die dann Träger der magnetischen Information sind, durch Energiezufuhr vorzugsweise mittels eines auf geeignete Weise abgelenkten Laser- oder Elektronenstrahls in Anwesenheit eines Magnetfeldes in den ferromag- netischen Zustand umgewandelt. Es entstit somit in der Schicht auf dem Substrat eine Matrix von Elementen, von denen entsprechend der eingespeicherten Information einige den ferromagnetischen und die anderen den paramagnetischen Zustand aufweisen.In this case, one can start from a substrate that is aimed at one Barium oxide and Fe203 existing paramagnetic layer is applied. Of this Layer are then selected areas, which then carry the magnetic information are, by supplying energy, preferably by means of a suitably deflected Laser or electron beam in the presence of a magnetic field in the ferromag- netic State converted. A matrix thus forms in the layer on the substrate of elements, some of which the ferromagnetic and the others have the paramagnetic state.

Eine weitere Anwendung des Verfahrens nach der Herstellung ist die Bildung einer Matrix von Elementen in einer Schicht, von denen einige supraleitend und die anderen normalleitend sind. Dazu wird von einer auf ein Substrat aufgebrachten dünnen supraleitenden, amorphen, Molybdän-Tantal- oder Molybdän-Niob-Schicht ausgegangen, von der ausgewählte Bereiche durch Bestrahlung mit einem entsprecherd abgelenkten Laser- oder Elektronenstrahl in einen kristallinen Zustand umgewandelt und damit normalleitend gemacht werden.Another application of the process after manufacture is that of Formation of a matrix of elements in a layer, some of which are superconducting and the others are normally conductive. For this purpose, one is applied to a substrate thin superconducting, amorphous, molybdenum-tantalum or molybdenum-niobium layer assumed, from the selected areas deflected by irradiation with a corresponding earth Laser or electron beam converted into a crystalline state and thus can be made normally conductive.

Auch bei diesem Verfahren nach der Erfindung kann dank der Möglichkeit den umwandelnden Wellen- oder Teilchenstrahl abzulenken, auf besondere Maskierungsschritte verzichtet werden und es ist nicht erforderlich, den gesamten Festkörper einer thermischen Behandlung auszusetzen, da die zur Umwandlung des kristallinen Zustandes von Teilen der Schicht erforderliche Energie und die ggf. zur Verteilung von iwpXntierten Dotierstoffen erforderliche Energie durch den Wellen- oder Teilchenstrahl örtlich zugeführt wird.Also in this method according to the invention, thanks to the possibility to deflect the converting wave or particle beam, to special masking steps can be dispensed with and it is not necessary for the entire solid to have a thermal Suspend treatment as it transforms the crystalline state of parts the energy required for the layer and, if necessary, the amount of energy required for the distribution of dopants required energy is supplied locally by the wave or particle beam.

Claims (20)

PATENTANSPRU 1. Verfahren zum Herstellen von Festkörperbauelementen mit mehreren bdgrenzten Bereichen unterschiedlichen kristallinen Zustands, dadurch gekennzeichnet, daß ausgexfählte Bereiche einer F'estkörpermaterialschicht durch Energiezufuhr mittels eines Wellen- oder Teilchenstrahls in ihrem kristallinen Zustand geändert werden.PATENT CLAIM 1. Process for the production of solid-state components with several bordered areas of different crystalline state, thereby characterized in that selected areas of a solid material layer through Energy supply by means of a wave or particle beam in its crystalline state be changed. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiezufuhr mittels gebündelter elektromagnetischer Strahlung durchgeführt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the energy supply is carried out by means of bundled electromagnetic radiation. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiezufuhr mittels eines Elektronenstrahls durchgeführt wird.3. The method according to claim 1, characterized in that the energy supply is carried out by means of an electron beam. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiezufuhr mittels eines Ionenstrahls durchgeführt wird.4. The method according to claim 1, characterized in that the energy supply is carried out by means of an ion beam. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahl durch gesteuerte Ablenkung nur auf die in ihrem Zustand zu ändernden Bereiche gelenkt wird.5. The method according to any one of claims 2 to 4, characterized in that that the beam by controlled deflection only on those to be changed in their state Areas is steered. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Festkörpermaterialschicht auf ein Substrat aufgebracht wird.6. The method according to claim 1, characterized in that the solid material layer is applied to a substrate. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß nacheinander mehrere Festkörpermaterialschichten aufgebracht werden, von denen jeweils nach dem Aufbringen, ebenfalls ausgewählte Bereiche in ihrem kristallinen Zustand geändert werden.7. The method according to claim 6, characterized in that one after the other several solid material layers are applied, each of which after the Applying, also changed selected areas in their crystalline state will. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Festkörpermaterialschicht aus amorphem Material besteht und durch die Energiezufuhr in polykristaJlines und/oder monokristallines Material umgewandelt wird.8. The method according to claim 6 or 7, characterized in that the Solid material layer consists of amorphous material and due to the energy supply is converted into polycrystalline and / or monocrystalline material. 9. Verfahrenrach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Festkörpermaterialschicht aus einem Halbleitermaterial besteht.9. Method according to claim 8, characterized in that the solid material layer consists of a semiconductor material. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einem monokristallinen Halbleitermateral besteht.10. The method according to claim 9, characterized in that the substrate consists of a monocrystalline semiconductor material. 11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Festkörpermaterialschicht, zumindest in Teilbereichen, vor der Änderung des kristallinen Zustandes durch Ionenimplantation dotiert wird.11. The method according to claim 9, characterized in that the solid material layer, at least in some areas, before the change in the crystalline state due to ion implantation is endowed. 12. Verfahren nach den Ansprüchen 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche der Fe stkörpermaterialschicht, in denen das amorphe Material in polykristallnes Material umgewandelt wird, so dotiert werden, daß sie als Stromleiter dienen können.12. The method according to claims 8 and 9, characterized in that that the areas of the Fe stkörpermaterialschicht in which the amorphous material in Polycrystalline material is converted to be doped so that it acts as a conductor can serve. 13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche zum Herstellen einer Halbleiterdiode, dadurch gekennzeichnet, daß a) auf einem Halbleitersubstrat vom ersten Leitungstyp eine amorphe Halbleiterschicht aufgebracht wird, b) daß diese Schicht durch Implantation mit den ersten Leitungstyp erzeugenden Ionen dotiert wird, c) daß ein Bereich dieser Schicht durch Energiezufuhr mittels eines nur auf diesen Bereich gelenkten Elektronenstrahls in monokristallines Material umgewandelt wird, d) daß auf die teilweise umgewandelte erste Schicht eine zweite Schicht aus amorphem Halbleitermaterial aufgebracht wird, e) daß diese zweite Schicht durch Implantation mit den zweiten Leitungstyp erzeugenden Ionen dotiert wird, f) daß eine über dem umgewandelten Bereich in der ersten Schicht liegenden Bereich der zweiten Schicht mittels eines nur auf diesen Bereich gelenkten Elektronenstrahls in monokristallines Material umgewandelt wird.13. The method according to any one of the preceding claims for production a semiconductor diode, characterized in that a) on a semiconductor substrate an amorphous semiconductor layer of the first conductivity type is applied, b) that this Layer doped by implantation with ions generating the first conductivity type is, c) that a region of this layer by energy supply by means of only on This area of guided electron beam is converted into monocrystalline material will, d) that on the partially converted first layer a second Layer of amorphous semiconductor material is applied, e) that this second layer is doped by implantation with the ions generating the second conductivity type, f) that an area overlying the converted area in the first layer the second layer by means of an electron beam directed only onto this area is converted into monocrystalline material. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 zum Herstellen eines Transistors, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein leitendes Substrat nacheinander drei amorphe Halbe leiterschichten aufgebracht werden, daß nach dem Aufbringen jede Schicht durch Ionenimplantation dotiert wird, daß nach dem Dotieren ein Bereich jeder Schicht durch Energiezufuhr mittels eines Wellen- oder Teilchenstrahls in monokristallines Material umgewandelt wird, wobei die gegenseitige Lage der Bereiche und ihre Dotierung so gewählt sind, daß sich eine als Transistor wirkende PNP- oder NPN-Zonenfolge ergibt.14. The method according to any one of claims 1 to 12 for producing a Transistor, characterized in that successively on a conductive substrate three amorphous half conductor layers are applied that after application each Layer is doped by ion implantation that after doping a region each layer by supplying energy by means of a wave or particle beam in monocrystalline material is converted, with the mutual location of the areas and their doping are chosen so that a transistor acting as a PNP or NPN zone sequence results. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 zum Herstellen von Kontakten bzw. Leiterbahnen für eine Flüssigkristallanzeige, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein Glassubstrat eine amorphe, nichtleitende Schicht aufgebracht wird und ausgewählte Bereiche dieser Schicht durch Energiezufuhr mittels eines Wellen- oder Teilchenstrahls in den polykristallinen, leitenden Zustand umgewandelt werden.15. The method according to any one of claims 1 to 12 for the production of Contacts or conductor tracks for a liquid crystal display, characterized in that that an amorphous, non-conductive layer is applied to a glass substrate and selected areas of this layer by supplying energy by means of a wave or Particle beam can be converted into the polycrystalline, conductive state. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus InSn-Oxid verwendet wird.16. The method according to claim 15, characterized in that a layer made of InSn oxide is used. 17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 zum Herstellen eines magnetischen Speicherelements, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein Substrat eine paramagnetische Schicht aufgebracht #~#ird,#von -der dann ausgewählte Bereiche durch Energiezufuhr mittels eines Wellen- oder Teilchenstrahls in Anwesenheit eines Magnetfeldes in den ferromagnetischen Zustand umgewandelt werden.17. The method according to any one of claims 1 to 12 for producing a magnetic memory element, characterized in that a paramagnetic Layer applied # ~ # ird, # of -the then selected Areas due to the supply of energy by means of a wave or particle beam in the presence a magnetic field can be converted into the ferromagnetic state. 18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus Bariumoxid und Je205 bestehende Schicht verwendet wird.18. The method according to claim 17, characterized in that one from Barium oxide and Je205 existing layer is used. 19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 zum Herstellen supraleitender Bereiche in einer normalleitenden Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß in einer dünnen, supraleitenden, amorphen Schicht ausgewählte Bereiche durch Energiezufuhr mittels eines Wellen- oder Teilchenstrahls in einen kristallinen, normalleitendei Zustand umgewandelt werden.19. The method according to any one of claims 1 to 12 for producing superconducting Areas in a normally conducting layer, characterized in that in one thin, superconducting, amorphous layer selected areas by supplying energy by means of a wave or particle beam into a crystalline, normally conducting egg State to be transformed. 20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus einer Molybdän-Tantal- oder Molybdän-gTiob-Legierung verwendet wird.20. The method according to claim 19, characterized in that a layer made of a molybdenum-tantalum or molybdenum-gTiobium alloy is used.
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