DE2818079A1 - Glass carrier plate surface structure formation - has parallel groove pattern orientating liq. crystal molecules and generated by particle bombardment - Google Patents
Glass carrier plate surface structure formation - has parallel groove pattern orientating liq. crystal molecules and generated by particle bombardmentInfo
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Abstract
Description
Verfahren zur Herstellung von FlüssigkristallmoleküleProcess for the production of liquid crystal molecules
orientierenden Oberflächenstrukturen von Glasträgerplatten, insbesondere für Flüssigkristallanzeizen.orienting surface structures of glass carrier plates, in particular for liquid crystal displays.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallmoleküle orientierenden Oberflächenstrukturen von Glasträgerplatten, insbesondere für Flüssigkristallanzeigen, bei dem ein zur Orientierung der Flüssigkristallmoleküle notwendiges dichtes Parallelrillenmuster durch einen schräg zur Glasträgerplattenoberfläche ausgerichteten Teilchenbeschuß erzeugt wird.The invention relates to a method for producing liquid crystal molecules orienting surface structures of glass carrier plates, especially for liquid crystal displays, in which a dense parallel groove pattern necessary for the orientation of the liquid crystal molecules by particle bombardment oriented at an angle to the surface of the glass carrier plate is produced.
Flüssigkristallanzeigen dienen unter anderem zur Anzeige von ein- oder mehrfarbigen Bildern. Dabei wird beispielsweise der Schadt-Helfrich-Effekt in Flüssigkristallen ausgenutzt. Wird in einem Anzeigeschirm eine nematische Flüssigkristallschicht an einzelnen Stellen durch Anlegen eines elektrischen Feldes in den aufgerichteten Zustand versetzt, so wird die Polarisationsrichtung von den Anzeigenschirm durchdringendem Licht an diesen Stellen nicht, an benachbarten feldfreien Stellen jedoch um 900 gedreht. Voraussetzung hierfür ist die Parallelorientierung der Flüssigkristallmoleküle an den Substratoberflächen, wobei die mittlere Orientierung der Moleküle mit mindestens einer Substratoberfläche einen von Null verschiedenen Winkel einschließen muß. Ein hoher Grad an homogener Orientierung ergibt einen hohen Bildkontrast. Die gewünscht Parallelorientierung kann bekanntlich durch Ausbildung von parallelen Mikrorillen auf den an die Flüssigkristallschicht angrenzenden Oberflächen der Flüssigkristallanzeige verbessert werden. Es sind Verfahren bekannt, bei denen solche Mikrorillen durch Reiben, z. B.Liquid crystal displays are used, among other things, to display or multicolored images. For example, the Schadt-Helfrich effect is used exploited in liquid crystals. Used in a display screen as a nematic liquid crystal layer at individual points by applying an electric field in the erected State, the direction of polarization becomes pervasive from the display screen Light in these places not, at adjacent field-free areas but rotated by 900. The prerequisite for this is the parallel orientation of the liquid crystal molecules on the substrate surfaces, the mean orientation of the molecules with at least a substrate surface must include a non-zero angle. A a high degree of homogeneous orientation results in a high image contrast. The desired As is well known, parallel orientation can be achieved by the formation of parallel micro-grooves on the surfaces of the liquid crystal display adjoining the liquid crystal layer be improved. There are known methods in which such microgrooves by Rubbing, e.g. B.
mit Zellstoff, Linsenreinigungspapier oder mit einem Poliertuch, das mit einer Polierpaste versetzt ist, zu erzeugen sind. Einzelheiten dazu sind von Dwight W.with cellulose, lens cleaning paper or with a polishing cloth that is mixed with a polishing paste. Details are from Dwight W.
Berreman in dem Artikel "Solid Surface Shape and the Alignment of an Adjacent Nematic Liquid Crystal in Physical Review Letters, Vol. 28, Nr. 26, 1972, Seite 1.683 bis 1.686 beschrieben worden.Berreman in the article "Solid Surface Shape and the Alignment of an Adjacent Nematic Liquid Crystal in Physical Review Letters, Vol. 28, No. 26, 1972, pages 1,683 to 1,686.
Ein derartiges Verfahren führt jedoch nur dann zu einer geringfügigen Verbesserung der homogenen Orientierung von Flüssigkristallmolekülen, wenn jede an die Flüssigkristallschicht angrenzende Oberfläche aus Materialien mit unterschiedlichen Härten besteht. Dies ist in aller Regel der Fall, wenn die Flüssigkristallschicht zwischen Trägerplatten, z. B. aus Glas, eingebettet ist, auf welche ein reflexionsarmes Elektrodenmuster, z. B. aus Zinndioxid, mit einer Dicke von 1 Mikrometer aufgedampft ist. Wegen der unterschiedlichen Härtenvon Glas und Zinndioxid entstehen auf diesen Oberflächen beim gleichmäßigen Reiben Rillen in einer unterschiedlichen Dichte und Geometrie. Darüber hinaus ist die Orientierung an den Ubergangsstellen von Glas zu Zinndioxidschicht undefiniert. Da bekanntlich die Dichte der Rillen unter anderem von der Härte des geriebenen Materials abhängt, weist ein so behandelter Flüssigkristallanzeigeschirm von vornherein einen über die Schirmfläche variierten Kontrast auf. Außerdem wird beim Polieren einer mit einem fein strukturierten Elektrodenmuster versehenen Trägerplatte dieses beschädigt. Ein anderes bekanntes Herstellungsverfahren, vergl. deutsche Offenlegungsschrift 2 256 317, erlaubt die Herstellung von zur homogenen Orientierung von Flüssigkristallmolekülen in einer Flüssigkristallanordnung erforderlichen Rillen, bei denen eine einheitliche und hohe Rillendichte gegeben ist. Das Parallelrillenmuster wird bei diesem bekannten Verfahren durch einen schräg auf die Bearbeitungsebene gerichteten Teilchenbeschuß erzeugt.However, such a procedure only leads to a minor one Improving the homogeneous orientation of liquid crystal molecules if any Adjacent to the liquid crystal layer surface made of materials with different There is hardship. This is usually the case when the liquid crystal layer between carrier plates, e.g. B. made of glass, is embedded, on which a low reflection Electrode pattern, e.g. B. made of tin dioxide, vapor-deposited to a thickness of 1 micrometer is. Because of the different hardnesses of glass and tin dioxide are produced on them Surfaces when rubbing evenly grooves in a different density and Geometry. In addition, the orientation is at the transition points of glass to tin dioxide layer undefined. As is well known, among other things, the density of the grooves depends on the hardness of the rubbed material, has a so treated Liquid crystal display screen from the outset one varied across the screen surface Contrast on. In addition, when polishing one with a finely textured electrode pattern provided carrier plate this damaged. Another well-known manufacturing process, See German Offenlegungsschrift 2 256 317, allows the production of homogeneous Orientation of liquid crystal molecules in a liquid crystal array is required Grooves in which a uniform and high groove density is given. The parallel groove pattern is in this known method by an oblique to the processing plane directed particle bombardment generated.
Das Erzeugen von Rillenstrukturen durch Ionenbeschuß, bei dem die entstehenden Rillen in Richtung des Teilchenstrahls oder quer zur Richtung des Teilchenstrahls abgängig vom Auftreffwinkel entstehen, ist aus der Arbeit MCROSCOPIE ELECTRONIQUE-Etude de ltattaque du verre par bombardement ionique", veröffentlicht in "Comptes rendus des seances de l'Académie des Scinces, t. 254, p. 240 bis 242, séance du 8 janvier 1962, erschienen bei GAUTHIER-VILLARS & Cie., Frankreich, bekannt. Aus Figur 2 dieser Arbeit ist ersichtlich, daß bei einem Ionenbeschuß unter 600 Neigung zur Bearbeitungsebene eine Rillenstruktur senkrecht zu der Ebene entsteht, die aufgespannt wird von der Normalen zur Substratoberfläche und der Einfallsrichtung des Teilchenstrahls (im folgenden "quer zur Beschußrichtung" bezeichnet). Aus Figur 3 ist ersichtlich, daß bei Beschuß unter 100 Neigung zur Bearbeitungsebene eine Rillenstruktur parallel zur oben definierten Ebene (im folgenden n in BeschuBrichtung" genannt) entsteht. Die quer zur Beschußrichtung entstehenden Rillen gemäß Figur 2 kommen in etwa nach Art einer Dünenbildung zustande, während die Rillen gemäß Figur 3 durch Materialerosion, wie sie etwa durch Reiben entsteht, zustandekommen. Richtung und Abstand der Streifen sind vom Auftreffwinkel der Ionen abhängig.The creation of groove structures by ion bombardment, in which the resulting grooves in the direction of the particle beam or transversely to the direction of the particle beam depending on the angle of incidence, is from the work MCROSCOPIE ELECTRONIQUE-Etude de ltattaque du verre par bombardment ionique ", published in" Comptes rendus des seances de l'Académie des Scinces, t. 254, p. 240 to 242, séance du 8 janvier 1962, published by GAUTHIER-VILLARS & Cie., France, known. From figure 2 of this work it can be seen that with an ion bombardment below 600 there is a tendency to Machining plane creates a groove structure perpendicular to the plane that is spanned becomes from the normal to the substrate surface and the direction of incidence of the particle beam (hereinafter referred to as "transverse to the direction of fire"). From Figure 3 it can be seen that when bombarded with an inclination of less than 100 to the working plane, a groove structure is parallel to the plane defined above (hereinafter referred to as "n in the direction of attack"). The grooves formed transversely to the firing direction according to FIG. 2 follow approximately Type of dune formation, while the grooves according to Figure 3 by material erosion, as it is created by rubbing, come about. Direction and The distance between the strips depends on the angle of incidence of the ions.
Dem aus der bereits genannten deutschen Offenlegungsschrift 2 256 317 bekannten Verfahren zur Erzeugung einer homogenen Orientierung von Flüssigkristallmolekülen in einer Flüssigkristallanordnung haftet die Eigenart an, daß durch in Richtung des Teilchenbeschusses erzeugte Rillen so geartet sind, daß die auf ihnen abgelagerten Flüssigkristallmoleküle zwar zum einen in Richtung der Rillen, zum anderen jedoch außerdem um einen Anstellwinkel gegenüber der Glasträgerplattenoberfläche geneigt orientiert sind. Dieser Anstellwinkel steht jeweils in einer festen Beziehung zu der erzeugten Rillengeometrie.That from the aforementioned German Offenlegungsschrift 2 256 317 known method for generating a homogeneous orientation of liquid crystal molecules in a liquid crystal device there is a peculiarity that through in the direction of the particle bombardment generated grooves are such that the deposited on them Liquid crystal molecules on the one hand in the direction of the grooves, but on the other hand also inclined at an angle of inclination with respect to the surface of the glass carrier plate are oriented. This angle of attack is always related to a fixed relationship the generated groove geometry.
Wird nun nach obigem Verfahren eine vorgegebene Rillengeometrie erzeugt, so entsteht nach dem bekannten Verfahren ein nicht optimaler Anstellwinkel.If a predetermined groove geometry is now generated according to the above procedure, this results in a non-optimal angle of attack according to the known method.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil zu vermeiden. Es soll mit der Erfindung ermöglicht sein, Rillenstrukturen herzustellen, die einen optimalen Anstellwinkel für die Flüssigkristallmolekül-Orientierung aufweisen.The present invention is based on this disadvantage to avoid. It should be possible with the invention to produce groove structures, which have an optimal angle of attack for the liquid crystal molecule orientation.
Der Erfindung liegt die Überlegung zugrunde, daß bei einem Teilchenbeschuß der Glasträgerplattenoberfläche unter einem bestimmten Auftreffwinkel der Teilchen Rillen in Richtung des Teilchenstrahls mit einem von der Größe des Auftreffwinkels abhängigen Anstellwinkel und unter einem anderen Auftreffwinkel Rillen quer zur Richtung des Teilchenstrahls unter einem anderen Auftreffwinkel mit einem Ansteliwinkel 0° entstehen. Wenn nun in zwei Verfahrensschritten jeweils eine erste Oberflächenstruktur mit Rillen in Beschußrichtung und eine zweite Oberflächenstruktur mit Rillen quer zur Beschußrichtung hergestellt werden, wird die erste Oberflächenstruktur durch den zweiten Teilehenbeschuß so beeinflußt, daß bei geeigneter Wahl der beiden Auftreffwinkel Rillen mit definierter Geometrie für einen vorgegebenen Anstellwinkel hergestellt werden können.The invention is based on the idea that in the case of particle bombardment the glass carrier plate surface at a certain angle of incidence of the particles Grooves in the direction of the particle beam with one of the size of the angle of incidence dependent angle of attack and at a different angle of incidence grooves transverse to the Direction of the particle beam at a different angle of incidence with an angle of incidence 0 ° arise. If now a first surface structure in each case in two process steps with grooves in the direction of fire and a second surface structure with grooves across to the direction of fire are produced, the first surface structure is through the second partial fire so influenced that with a suitable choice of the two angles of incidence grooves with defined geometry for a given Angle of attack can be produced.
Die genannte Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallmolekülen orientierenden Oberflächenstrukturen von Glasträgerplatten, bei dem ein zur Orientierung der Flüssigkristallmoleküle notwendiges dichtes Parallelrillenmuster durch einen schräg zur Glasträgerplattenoberfläche ausgerichteten Teilchenbeschuß erzeugt wird, gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein erster Verfahrensschritt vorgesehen ist, bei dem zur Ausbildung einer in Richtung des Teilchenbeschusses orientierten rillenartigen ersten Oberflächenstruktur ein erster Auftreffwinkel der Teilchen innerhalb eines ersten Winkelbereiches eingestellt ist, und daß ein zweiter Verfahrensschritt vorgesehen ist, bei dem zur Ausbildung einer senkrecht zur Richtung des Teilchenbeschusses orientierten dünenartigen, die erste Oberflächenstruktur beeinflussenden zweiten Oberflächenstruktur der Auftreffwinkel der Teilchen innerhalb eines zweiten Winkelbereiches, der nichtüberlappend mit dem ersten Winkelbereich ist, eingestellt ist.The stated object is achieved by a process for the production of Surface structures of glass carrier plates that orientate liquid crystal molecules, in which a dense parallel groove pattern necessary for the orientation of the liquid crystal molecules by particle bombardment oriented at an angle to the surface of the glass carrier plate is generated, which is characterized in that a first method step is provided, in which to form a in the direction of the particle bombardment oriented groove-like first surface structure a first angle of incidence the particle is set within a first angular range, and that a second process step is provided in which to form a perpendicular the first surface structure, oriented towards the direction of the particle bombardment, is dune-like influencing the second surface structure of the angle of incidence of the particles within a second angular range that does not overlap with the first angular range is set.
Die Erfindung bietet den Vorteil, daß Flüssigkristallan ordnungen, insbesondere Flüssigkristallanzeigen herstellbar sind, bei denen die räumliche Orientierung der Flüssigkristallmolekjiie frei wählbar ist und damit optimal für den jeweiligen Verwendungszweck eines Produktes auszulegen ist.The invention offers the advantage that liquid crystal arrangements, In particular, liquid crystal displays can be produced in which the spatial orientation the liquid crystal molecule is freely selectable and therefore optimal for the respective Intended use of a product is to be interpreted.
Die Erfindung wird im folgenden anhand mehrerer, ein Ausführungsbeispiel für die Erfindung betreffender Figuren erläutert.The invention is illustrated below with reference to several, an exemplary embodiment Explained for the invention relevant figures.
Fig. 1 zeigt im Schnitt eine Glasträgerplatte 4, auf die Teilchen 3 mit einem ersten Auftreffwinkel 1 innerhalb eines ersten Winkelbereiches 1 und mit einem zweiten Anftreffwinkel f2 innerhalb eines zweiten Winkelbereiches 2 geschossen werden.Fig. 1 shows in section a glass support plate 4 onto which the particles are attached 3 with a first angle of incidence 1 within a first angle range 1 and shot with a second angle of incidence f2 within a second angle range 2 will.
Fig. 2 zeigt in perspektivischer Darstellung die Glasträgerplatte 4, auf deren Oberfläche in der Bearbeitungsebene A-B-C-D eine erste Oberflächenstruktur 1 in Beschußrichtung durch Teilchenbeschuß unter dem ersten Auftreffwinkel 1 erzeugt wird.Fig. 2 shows the glass carrier plate in perspective 4, on the surface of which in the working plane A-B-C-D a first surface structure 1 generated in the bombardment direction by particle bombardment at the first angle of incidence 1 will.
Fig. 3 zeigt die Glasträgerplatte 4, auf deren Oberfläche in der Bearbeitungsebene A-B-C-D eine zweite Oberflächenstruktur 2 quer zur BeschuBrichtung durch Teilchenbeschuß unter dem zweiten Auftreffwinkel 92 erzeugt wird.Fig. 3 shows the glass carrier plate 4, on the surface in the processing plane A-B-C-D a second surface structure 2 transversely to the direction of bombardment by particle bombardment is generated at the second angle of incidence 92.
Fig. 4 zeigt eine Glasträgerplatte 4, auf deren Oberfläche in der Bearbeitungsebene A-B-C-D eine Rillenstruktur erzeugt wird, indem in einem ersten Verfahrens schritt durch Teilchenbeschuß unter dem Auftreffwinkel Y1 eine Rillenstruktur 1 gemäß Fig. 2 und in einem zweiten Verfahrensschritt durch Teilchenbeschuß unter dem Auftreffwinkel'P2 eine zur Rillenstruktur 1 parallele Rillenstruktur 2 gemäß Fig. 3 hergestellt wird.Fig. 4 shows a glass support plate 4, on the surface in the Working plane A-B-C-D a groove structure is generated by in a first Process step by particle bombardment at the angle of incidence Y1, a groove structure 1 according to FIG. 2 and in a second process step by particle bombardment a groove structure 2 parallel to the groove structure 1 according to the angle of incidence'P2 Fig. 3 is produced.
Wie bereits erläutert, zeigt Fig. 1 im Schnitt eine Glasträgerplatte 4, auf die Teilchen 3 unter einem ersten Auftreffwinkel 1 innerhalb eines ersten Winkelbereiches 1 und unter einem zweiten Auftreffwjnkel 2 innerhalb eines zweiten Winkelbereiches 2 geschossen werden. Ein Teilchenbeschuß unter einem ersten Auftreffwinkel von bis ca. 150 bezogen auf die zu bearbeitende Oberfläche der Glasträgerplatte 4 erzeugt eine Oberflächenstruktur, bei der Mikrorillen in Richtung des Teilchenbeschusses erzeugt werden, innerhalb derer Mikroflächen,die einen von 1 abhängigen Anstellwinkel 8 aufweisen, entstehen.As already explained, Fig. 1 shows in section a glass carrier plate 4, on the particles 3 at a first angle of incidence 1 within a first Angle range 1 and under a second angle of incidence 2 within a second Angle range 2 are shot. Particle bombardment at a first angle of impact of up to approx. 150 based on the surface to be processed the Glass carrier plate 4 creates a surface structure in which micro-grooves in the direction of the particle bombardment are generated, within which micro-areas, which one of 1 have dependent angle of attack 8 arise.
Durch einen Teilchenbeschuß mit einem zweiten Auftreffwinkel Y2 innerhalb eines zweiten Winkelbereiches, der von ca. 150 bis ca. 600 Neigung gegenüber der Oberfläche ausgedehnt sein kann, wird eine Oberflächenstruktur erzeugt, bei der Mikrorillen senkrecht zu der Richtung des Teilchenbeschusses liegen. Dabei entsteht ein Anstellwinkel 8 von 00.By particle bombardment with a second angle of incidence Y2 within a second angular range, which is from approx. 150 to approx. 600 inclination with respect to the Surface can be extended, a surface structure is created in which Microgrooves are perpendicular to the direction of particle bombardment. This creates an angle of attack 8 of 00.
Mit den Figuren 2 und 3 wird verdeutlicht, wie die Mikrorillen durch Teilchenbeschuß gemäß Figur 1 auf der jeweiligen Bearbeitungsebene A-B-C-D einer Glasträgerplatte 4 ausgerichtet sind. Es entsteht entweder eine Oberflächenstruktur 1, vergl. Figur 2, oder eine Oberflächenstruktur 2, vergl. Figur 3.With the figures 2 and 3 it is made clear how the microgrooves through Particle bombardment according to FIG. 1 on the respective processing plane A-B-C-D Glass support plate 4 are aligned. Either a surface structure is created 1, see FIG. 2, or a surface structure 2, see FIG. 3.
Wird eine Glasträgerplatte gemäß Fig. 4 in einem ersten Verfahrensschritt einem Teilchenbeschuß unter einem ersten Auftreffwinkel 1 und anschließend nach Drehung um 900 um ihre Normale oder nach entsprechender Schwenkung der Teilchenkanonrin einem zweiten Verfahrensschritt einem Teilchenbeschuß unter einem zweiten Auftreffwinkel 2 ausgesetzt, so überlagern sich die beiden Rillenstrukturen 1 und 2.If a glass carrier plate according to FIG. 4 in a first process step a particle bombardment at a first angle of incidence 1 and then after Rotation by 900 around its normal or after corresponding swiveling of the particle canon a second method step, particle bombardment at a second angle of incidence 2, the two groove structures 1 and 2 are superimposed.
Zur Erzielung einer optimalen Gesamtoberflächenstruktur, bei der je nach Verwendungszweck des Produktes eine bestimmte optimale Rillengeometrie und ein bestimmter optimaler Anstellwinkel O gefordert werden, ist es vorteilhaft, die zu bearbeitende Glasträgerplatte 4 nach einem ersten Verfahrensschritt, bei dem eine erste Oberflächenstruktur 1 erzeugt worden ist, zur Durchführung des zweiten Verfahrensschrittes um eine senkrecht auf ihrer Be- arbeitungsebene A-B-C-D stehende Achse gegenüber der Teilchenkanone zu drehen oder die Teilchenkanone entsprechend um die Glasträgerplatte zu schwenken. Diese Drehung bzw. Schwenkung wird vorzugsweise um einen Winkel von 900 durchgeführt. Durch Variation der bei den einzelnen Verfahrensschritten verwendeten Teilchendosi Teilchenenergie und Teilchenart kann ein definierter Anstellwinkel O zwischen Null und O max eingestellt werden. Hierbei ist g max derjenige Anstellwinkel, der sich bei alleinigem Teilchenbeschuß unter einem flachen Winkel 1 einstellen würde. Dabei ist es gleichgültig, in welcher Reihenfolge die Verfahrensschritte durchgeführt werden.To achieve an optimal overall surface structure in which ever Depending on the intended use of the product, a certain optimal groove geometry and a certain optimal angle of attack O are required, it is advantageous to use the to be processed glass carrier plate 4 according to a first process step in which a first surface structure 1 has been produced to carry out the second Process step around a perpendicular to its loading working level A-B-C-D to rotate the standing axis opposite the particle gun or the particle gun to swivel around the glass support plate accordingly. This rotation or pivoting is preferably performed at an angle of 90 °. By varying the at particle energy and particle type used in the individual process steps a defined angle of incidence O between zero and O max can be set. Here, g max is the angle of attack that is obtained when the particles are bombarded alone would set at a shallow angle 1. It does not matter in which one Sequence the procedural steps are carried out.
Je nach Verwendungszweck des Produktes ist die Oberflächenstrukturierung der Glasträgerplatte 4 parallel und/oder senkrecht oder schräg zu den Kanten A-B, B-C, C-D, D-A der Bearbeitungsebene A-B-C-D vorzunehmen.The surface structure depends on the intended use of the product the glass support plate 4 parallel and / or perpendicular or inclined to the edges A-B, B-C, C-D, D-A of the working plane A-B-C-D.
Für den Beschuß können elektrisch neutrale Teilchen vorgesehen sein. Es können jedoch auch Ionen für den Teilchenbeschuß verwendet werden. Eine durch einen Teilchenbeschuß mittels Ionen auftretende störende elektrische Aufladung der bearbeiteten Glasträgerplatte 4 kann durch an sich bekannte Maßnahmen neutralisiert werden.Electrically neutral particles can be provided for the bombardment. However, ions can also be used for particle bombardment. One through a particle bombardment by ions occurring disruptive electrical charge of the machined glass carrier plate 4 can be neutralized by measures known per se will.
Das Verfahren erlaubt, daß beim ersten Verfahrensschritt oder beim zweiten Verfahrensschritt anstelle eines Teilchenbeschusses eine an sich bekannte Schrägbedampfung der Bearbeitungsebene vorgenommen wird. Ebenso kann beim ersten Verfahrensschritt oder beim zweiten Verfahrensschritt anstelle eines Teilchenbeschusses das an sich bekannte Aufbringen von Material mittels Sputtern vorgesehen sein. Eine einheitlich homogen orientierende Oberfläche mit Anstellwinkel 0 kann durch Reiben mit einem Anstellwinkel versehen werden. Bei einem Bearbeitungsvorgang, bei dem der zweite Auftreffwinkel 2 900 beträgt, kann anstelle eines Teilchenbeschusses ein Aufbringen von Material mittels Bedampfung vorgenommen werden. Ein Aufbringen von Material mittels Sputtern ist in diesem Fall ebenfalls möglich.The method allows that the first step or when The second process step, instead of particle bombardment, is a known one Inclined vaporization of the working plane is carried out. Likewise with the first Process step or in the second process step instead of particle bombardment the application of material known per se by means of sputtering can be provided. One uniformly homogeneously orienting surface with an angle of attack of 0 can be achieved by rubbing be provided with an angle of attack. In a machining operation in which the second angle of incidence is 2 900, can instead of particle bombardment an application of material can be made by vapor deposition. An effort of material by means of sputtering is also possible in this case.
Eine Kombination von Verfahrensschritten, bei der in einem ersten Verfahrens schritt ein Teilchenbeschuß und in einem zweiten Verfahrensschritt eine Schrägbedampfung bzw. im ersten Verfahrensschritt ein Teilchenbeschuß und in einem zweiten Verfahrens schritt eine Strukturierung durch Reiben vorgenommen wird, erlaubt bei einer Schrägbedampfung unter 100 einen Anstellwinkel von ca. 200, bei einem Teilchenbeschuß unter 300 senkrecht dazu einen Anstellwinkel von ca. 200 bis 00, bei einer Schrägbedampfung unter 300 einen Anstellwinkel von ca. 00, mit einem Teilchenbeschuß unter 100 senkrecht dazu einen Anstellwinkel von ca. Oo bis 0 Ein Reiben in zwei um 1800 zueinander versetzten Richtungen ergibt bei einer solchen Kombination einen Anstellwinkel von 00. Ein anschließender Teilchenbeschuß in Reibrichtung unter 100 ergibt einen Anstellwinkel von ca. 0° bis Das erfindungsgemäße Verfahren bietet demnach im Bezug auf Herstellung und Verwendungszweck eines Produktes eine vorteilhafte Flexibilität.A combination of procedural steps in which in a first Process step a particle bombardment and in a second process step one Inclined vapor deposition or, in the first process step, particle bombardment and in one second process step a structuring is carried out by rubbing, allowed with an inclined vapor deposition below 100 an angle of attack of approx. 200, with one Particle bombardment at 300 perpendicular to this, an angle of attack of approx. 200 to 00, with oblique vapor deposition below 300, an angle of attack of approx. 00, with particle bombardment below 100 perpendicular to it an angle of attack of approx. 0o to 0 One rub in two directions offset by 1800 to each other result in such a combination Angle of attack of 00. Subsequent particle bombardment in the direction of rubbing below 100 results in an angle of attack of approx. 0 ° to The method according to the invention offers therefore an advantageous one with regard to the manufacture and intended use of a product Flexibility.
Ein Ionenbeschuß kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wahlweise auch durch Rücksputtern (backsputtering) erfolgen.Ion bombardment can optionally be used in the method according to the invention can also be done by backsputtering.
Zwischen dem ersten Winkelbereich 1 und dem zweiten Winkelbereich 2 gibt es einen schmalen Grenzwinkelbereich d, in dem vorteilhafterweise ein Auftreffwinkel gewählt werden kann, unter dem in einem einzigen Verfahrensschritt ein Anstellwinkel 00<8 <50 erreichbar ist.Between the first angular range 1 and the second angular range 2 there is a narrow critical angle range d in which an angle of incidence is advantageous can be selected under which an angle of attack in a single process step 00 <8 <50 can be reached.
Besondere Vorteile ergeben sich aus der Tatsache, daß durch einen Ionenbeschuß einer mehrfach beschichteten Glasträgerplatte mit der Schichtenfolge SiO -MgF2-SiO, ... oder SiOx-TiOx-SiOx... oder einer anderen geeigneten Schichtenfolge die Energie der Verankerung der an den Oberflächen anliegenden Moleküle einstellbar ist.Special advantages result from the fact that by a Ion bombardment of a multi-coated glass carrier plate with the layer sequence SiO -MgF2-SiO, ... or SiOx-TiOx-SiOx ... or another suitable layer sequence the energy of the anchoring of the molecules lying on the surfaces can be adjusted is.
21 Patentansprüche 4 Figuren21 claims 4 figures
Claims (21)
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| DE19782818079 DE2818079A1 (en) | 1978-04-25 | 1978-04-25 | Glass carrier plate surface structure formation - has parallel groove pattern orientating liq. crystal molecules and generated by particle bombardment |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE2818079A1 true DE2818079A1 (en) | 1979-11-08 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE19782818079 Withdrawn DE2818079A1 (en) | 1978-04-25 | 1978-04-25 | Glass carrier plate surface structure formation - has parallel groove pattern orientating liq. crystal molecules and generated by particle bombardment |
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|---|---|
| DE (1) | DE2818079A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3431150A1 (en) * | 1984-08-24 | 1986-03-06 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau | Process for producing an orientation layer for a liquid-crystal display |
-
1978
- 1978-04-25 DE DE19782818079 patent/DE2818079A1/en not_active Withdrawn
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| DE3431150A1 (en) * | 1984-08-24 | 1986-03-06 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau | Process for producing an orientation layer for a liquid-crystal display |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAM | Search report available | ||
| OC | Search report available | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |