DE2759815C2 - Optically ignitable semiconductor rectifier - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen optisch zündbaren *o Halbleitergleichrichter, der eine erste kontaktierte Emitterschicht, eine benachbarte kontaktierte Steuerbasisschicht, eine folgende Hauptbasisschicht und eine benachbarte zweite kontaktierte Emitterschicht aufweist, wobei die Anregungsstrahlung entweder auf den Bereich des Übergangs von Steuerbasis- und Hauptbasisschicht oder auf einen Einstrahlbereich der ersten Emitterschicht wirkt und eine Kompensation des in der Steuerbasisschicht des optisch zündbaren Halbleitergleichrichters unterhalb des Zündbereichs der ersten Emitterschicht bei du/df-Belastung auftretenden Störpotentials durch Anlegen eines weiteren, ebenfalls bei du/df-Belastung auftretenden Störpotentials an den Rand des Zündbereichs der ersten Emitterschicht mittels einer ohmschen Verbindung erfolgt, und der als « primär gezündeter Pilot-Halbleitergleichrichter zur Zündung eines stromgezündeten Halbleitergleichrichters dient.The invention relates to an optically ignitable * o Semiconductor rectifier which has a first contacted emitter layer, an adjacent contacted control base layer, a following main base layer and a having adjacent second contacted emitter layer, wherein the excitation radiation is either on the Area of transition from control base and main base layer or to an irradiation area of the first The emitter layer acts and compensates for the in the Control base layer of the optically ignitable semiconductor rectifier below the ignition area of the first Emitter layer with du / df exposure occurring interference potential by applying another, also at du / df load occurring interference potential at the edge of the ignition area of the first emitter layer takes place by means of an ohmic connection, and which is called " Primarily ignited pilot semiconductor rectifier is used to ignite a current-ignited semiconductor rectifier.
Bei einem optisch zündbaren Halbleitergleichrichter werden zur Zündung mittels Lichtenergie Ladungsträgerpaare in der Steuerbasiszone des Halbleitergleichrichters erzeugt. Die Zuführung der Lichtenergie erfolgt beispielsweise über die der Steuerbasisschicht benachbarte Emitterschicht. Auf diese Weise wird eine lokalisierte Anregung bei hoher Anregungsdichte *5 erreicht.In the case of an optically ignitable semiconductor rectifier, charge carrier pairs are generated in the control base zone of the semiconductor rectifier for ignition by means of light energy. The supply of light energy takes place, for example, via the emitter layer adjacent to the control base layer. That way becomes a localized excitation achieved at high excitation density * 5.
Bei optisch zündbaren Thyristoren ist eine ausreichende Störsicherheit gegen Zündvorgänge bzw.In the case of optically ignitable thyristors, sufficient interference immunity against ignition processes or Störströme notwendig, die durch den infolge Temperaturerhöhung ansteigenden Sperrstrom oder durch eine zu starke du/df-Belastung bewirkt wird Diese Ströme sind bei einwandfreien Bauelementen etwa gleichmäßig über die Thyristorfläche verteilt und werden im folgenden als Störströme bezeichnet Dieses Problem tritt insbesondere im Zündbereich des Halbleitergleichrichters auf. Wird dieser Bereich nämlich durch geometrische Dimensionierung und Dotierrng zündempfindlich für eine niedrige Anregungsdichte ausgelegt so tritt auch eine unerwünschte Zündung bereits bei geringen Störströmen auf.Interference currents are necessary, which are caused by the reverse current rising as a result of the increase in temperature or by a too strong du / df loading is causing these currents are distributed approximately evenly over the thyristor surface in faultless components and are in the hereinafter referred to as interference currents This problem occurs particularly in the ignition area of the semiconductor rectifier. Will this area namely through Geometric dimensioning and doping designed to be sensitive to ignition for a low excitation density, so an undesired ignition occurs low interference currents.
Bei einem bekannten optisch zündbaren Halbleitergleichrichter der eingangs definierten Bauart (DE-OS 25 49 563) wird zur Vermeidung einer Störzündung das im Randbereich der Steuerbasisschicht auftretende Störpotential zur Kompensation des in der Steuerbasisschicht unterhalb des lichtempfindlichen Emitterbereichs des optisch zündbaren Halbleitergleichrichters bei du/dt-Belastung auftretenden Störpotentials verwendetIn a known optically ignitable semiconductor rectifier of the type defined at the outset (DE-OS 25 49 563), the interference potential occurring in the edge area of the control base layer is used to compensate for the interference potential in the control base layer below the light-sensitive emitter area of the optically ignitable semiconductor rectifier in the event of du / dt loading occurring interference potential is used
Aus »Electronics«, 16. September 1976, S. IOE und 12E, ist es ferner bekannt einen optisch zündbaren Halbleitergleichrichter zur Zündung eines stromzündbaren Halbgleichrichters zu verwenden. In diesem Zusammenhang ist es aus SCR Manual 1972, General Electric Comp, S. 414—417, bekannt die Steuerbasisschicht des optisch zündbaren Halbleitergleichrichters mit einer Elektrode zu versehen und diese über einen ohmschen Widerstand ebenso wie die Kathodenelektrode zu erden. Mittels dieses Widerstandes kann die optische Zündempfindlichkeit eingestellt werden. Die Zündempfindlichkeit nimmt mit größeren Widerstandswerten zu, wobei der Halbleitergleichrichter dann jedoch anfälliger gegen die bei du/df-Belastung auftretenden Störströme istFrom Electronics, September 16, 1976, pp. IOE and 12E, it is also known to use an optically ignitable semiconductor rectifier for igniting a current ignitable half rectifier. In this In connection with the SCR Manual 1972, General Electric Comp, pp. 414-417, the control base layer of the optically ignitable semiconductor rectifier is known to be provided with an electrode and to ground this via an ohmic resistor as well as the cathode electrode. By means of this resistance, the optical ignition sensitivity can be set. The ignition sensitivity increases with larger resistance values, with the semiconductor rectifier then however, it is more susceptible to the interference currents that occur with du / df loads
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen optisch zündbaren Halbleitergleichrichter der eingangs definierten Bauart wie er aus der DE-OS 25 49 563 bekannt ist dahingehen» zu modifizieren, daß er als primär gezündeter Pilot-Halbleitergleichrichter zur Zündung eines stromzündbaren Halbleitergleichrichters eine hohe du/df-Störsicherheit bei gleichzeitig hoher optischer Zündempfindlichkeit gewährleistetThe invention is therefore based on the object, an optically ignitable semiconductor rectifier of the initially defined type as known from DE-OS 25 49 563 there go "to modify that it contains as primary ignition pilot semiconductor rectifier for igniting a stromzündbaren semiconductor rectifier a high dv / df interference immunity guaranteed with high optical ignition sensitivity at the same time
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst daß als weiteres Störpotential das im Steueranschlußbereich der Steuerbasisschicht des stromgezündeten Halbleitergleichrichters auftretende Störpotential vorgesehen ist.This object is achieved according to the invention in that the interference potential occurring in the control connection area of the control base layer of the current-ignited semiconductor rectifier is used as a further interference potential is provided.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß das unterhalb des Zündbereichs der ersten Emitterschicht in der Steuerbasisschicht des optisch zündbaren Halbleitergleichrichters auftretende Störpotential durch ein der Steuerbasisschicht vorgeschaltetes Element mit nichtlinearer Charakteristik begrenzt ist.An advantageous development of the invention is that the below the ignition range of the first emitter layer occurring in the control base layer of the optically ignitable semiconductor rectifier Interference potential due to an element with non-linear characteristics connected upstream of the control base layer is limited.
Der durch die Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß bei einem derartigen optisch zündbaren Halbleitergleichrichter ein relativ hoher ohmscher Widerstand gewählt werden kann, so daß hohe optische Zündempfindlichkeil bei gleichzeitig hoher du/df-Störsicherheit durch die Begrenzung des Störpotentials und die Kompensation des verbleibenden Störpotentials erreicht ist.The advantage achieved by the invention is, in particular, that in such an optical ignitable semiconductor rectifier a relatively high ohmic resistance can be selected so that high optical ignition sensitivity with high du / df interference immunity due to the limitation of the Interference potential and the compensation of the remaining interference potential is achieved.
Die Erfindung wird nachstehend von in der Zeichnung schematisch dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigtThe invention is explained in more detail below using exemplary embodiments shown schematically in the drawing. It shows
ter mit einer Störkompensation und Begrenzung des Störpotentials, welcher Pilotthyristor für einen weiteren stromzljndbaren Leistungsthyristors ist,ter with an interference compensation and limitation of the interference potential, which pilot thyristor for another current-triggerable power thyristor,
F i g, 2 ein Potentialdiagramm zur Verdeutlichung der Wirkungsweise des störpotentialkompensterten Halbleitergleichrichters in Verbindung mit dem Leistungs-Halbleitergleichrichter. F i g, 2 a potential diagram to illustrate the How the interference potential-compensated semiconductor rectifier works in connection with the power semiconductor rectifier.
In der Fi g. 1 ist ein an sich bekannter !'!entzündbarer Halbleitergleichrichter 200 dargestellt, der radialsymmetrisch ausgebiJflat ist und eine n+-Emitterschidit 30 mit einem Einstrahlbereicb 30a, eine p-Steuerbasisschicht 31, eine n-Hauptbasisschicht 32 und eine p-Emittevschicht 33 aufweist; die Emitterschicht 30 ist mit einer ringförmigen Elektrode 34 und die Steuerbasisschicht 31 ebenfalls mit einer ringförmigen Elektrode 35 versehen. Zwischen dem auf Nullpotential liegenden Anschluß 43 und der Steuerbasiselektrode 35 ist ein Widerstand 39 angeordnet (etwa 500 Ω), durch den die optische Zündempfindlichkeit einstellbar ist mit entsprechender Änderung der Störzündempfindlichkeit Die Begrenzung des Störpotentials der Steuerbasisschicht 31 erfolgt mittels einer Diode 14, die parallel zum an der Steuerbasiselektrode 35 und Kler>!me 43 liegenden Widerstand 39 geschaltet ist Der Halbleitergleichrichter 200 ist über Leitungen 101,103 galvanisch mit einem gatezündbaren Leistungs-Halbleitergleichrichter 300 (Teilausschnitt) bekannter Ausbildung verbunden, so daß der Halbleitergleichrichter 200 für den Halbleitergleichrichter 300 einen primär gezündeten Pilotthyristor darstelltIn Fi g. 1 shows a per se known ignitable semiconductor rectifier 200 which is radially symmetrical and has an n + emitter section 30 with an irradiation area 30a, a p control base layer 31, an n main base layer 32 and a p emitter layer 33; the emitter layer 30 is provided with an annular electrode 34 and the control base layer 31 is likewise provided with an annular electrode 35. Between the terminal 43, which is at zero potential, and the control base electrode 35, a resistor 39 is arranged (approx. 500 Ω), through which the optical ignition sensitivity can be adjusted with a corresponding change in the interference ignition sensitivity The semiconductor rectifier 200 is galvanically connected via lines 101,103 to a gate-ignitable power semiconductor rectifier 300 (partial section) of known design, so that the semiconductor rectifier 200 for the semiconductor rectifier 300 is a primarily ignited pilot thyristor represents
Beim Halbleitergleichrichter 200 ist eine zentrale Ersatzkapazität C1 und eine radial verteilte Ersatzkapazität Cb, Cb' angedeutet sowie radial verteilte Ersatzwiderstände R1, R1. In the case of the semiconductor rectifier 200, a central equivalent capacitance C 1 and a radially distributed equivalent capacitance Cb, Cb 'are indicated, as well as radially distributed equivalent resistances R 1 , R 1 .
Die Anrcgungssirahlung wird auf den Einstrahiungsbereich 30a des Halbleitergleichrichters 200 gegeben, so daß Fotoströme fließen, die an den radial verteilten Ersatzwiderständen R1, R1 ein Zündpotential aufbauen, das zur Zündung des Halbleitergleichrichters 200 führtThe excitation radiation is applied to the radiation area 30a of the semiconductor rectifier 200 so that photocurrents flow which build up an ignition potential at the radially distributed equivalent resistors R 1 , R 1 , which leads to the ignition of the semiconductor rectifier 200
Im du/dr-Störfall treten über die Kapazitäten C1, Cb, Cb kapazitive "Ströme auf, die zu einer Störpotentialerhöhung in der Steuerbasisschicht 31 unterhalb der Emitterschicht 30 führen.In the du / dr fault case, capacitive "currents" occur via the capacitors C 1 , Cb, Cb , which lead to an increase in the interference potential in the control base layer 31 below the emitter layer 30.
Ist die Steuerbasiselektrode 35 nur über den Widerstand 39 mit der auf Nullpotential liegenden Kathodenklemme 43 verbunden (Diode 14 nicht vorhanden), io tritt an den Ersatzwiderständen R1, R1 durch den Fotostrom ein optisches Zündpotential und durch den kapazitiven Störstrom ein Störpotential bestimmter Größe auf.If the control base electrode 35 is connected only via the resistor 39 to the lying at zero potential cathode terminal 43 (diode 14 is not present), io by the photocurrent an optical ignition potential, and by the capacitive parasitic current, a noise potential of a certain size appears at the equivalent resistances R 1, R 1 .
Der an sich bekannte Halbleitergleichrichter 300 besteht aui einer η+-Emitterschicht 90, einer p-Steuerbasisschicht Sl, einer n-Hauptbasisschicht 92 und einer p-Emitterschicht 93. Die Emitterschicht 90 ist mit einer Kathodenelektrode 94, der zentrale Bereich 99 der Steuerbasisschicht 91 mit einer Zündelektrode 95 und die Emitterschicht 93 mit einer Anodenelektrode % versehen. Die Emitterschicht 90 weist Emitterkurzschlüsse 97, 98 auf. Ein Widerstand 102 dient zur Ableitung von Gateeinstreuungen und ist an sich bekannt.The semiconductor rectifier 300 known per se consists of an η + emitter layer 90, a p-control base layer Sl, an n-main base layer 92 and a p-emitter layer 93. The emitter layer 90 is with a Cathode electrode 94, the central region 99 of the control base layer 91 with an ignition electrode 95 and the emitter layer 93 is provided with an anode electrode%. The emitter layer 90 has emitter short circuits 97, 98 on. A resistor 102 serves to divert gate interference and is in itself known.
Für den Halbleitergleichrichter 200 ist das im Gatebereich 99 der Steuerbasisschicht 91 auftretende Störpotential des stromgesteuerten Halbleitergleichrichters 300 als Kompensationspotential herangezogen.For the semiconductor rectifier 200, that occurs in the gate region 99 of the control base layer 91 Interference potential of the current-controlled semiconductor rectifier 300 used as compensation potential.
Angedeutet ist eine Ersatzkapazität C* und die radial verteilten Ersatzwidersiände /?*. /?»'.An equivalent capacitance C * and the radially distributed equivalent resistance /? * Are indicated. /? »'.
Die Halbleitergleichr.cMer 200, 300 sind über Leitungen 100,101 und 103 miteinander verbunden.The semiconductor rectifiers 200, 300 are about Lines 100,101 and 103 connected to one another.
Hat der Halbleitergleichrichter 200 optisch gezündet, so fließt durch diesen von der Anodenelektrode 36 ein Strom in Richtung der Emitterbasiselektrode 34 und über die Leitung 100 und die Gateelektrode 95 in den Gatebereich 99 des Halbleitergleichrichters 300 und dieser zündetIf the semiconductor rectifier 200 optically ignited, a current flows through this from the anode electrode 36 in the direction of the emitter base electrode 34 and via line 100 and gate electrode 95 into the Gate region 99 of the semiconductor rectifier 300 and this ignites
Das vom Halbleitergleichrichter 300 zur Verfügung gestellte Kompensationspotential äst bestimmt durchThe compensation potential made available by the semiconductor rectifier 300 is determined by
in die Größe der Ersatzkapazität Q im Gatebereich 99 und der radial verteilten Ersatzwiderstände Rk, Ri1'; um ein ausreichend hohes Kompensationspotential zu erhalten, sollen die Ersatzkapazität Q und die Ersatzwiderstände Rk, Rk' ausreichend groß sein.into the size of the equivalent capacitance Q in the gate region 99 and the radially distributed equivalent resistances Rk, Ri 1 '; in order to obtain a sufficiently high compensation potential, the equivalent capacitance Q and the equivalent resistances Rk, Rk 'should be sufficiently large.
Ii Bei einer du/df-Störung, die auf beide Halbleitergleichrichter wirkt wird das im Gatebereich 99 des Halbleitergleichrichters 300 auftretende Störpotential über die Leitung 100 und die Elektrode 34 an den Rand der bestrahlten η+-Emitterschicht 30 des Halbleitergleichrichters 200 gelegtIi In the event of a du / df fault affecting both semiconductor rectifiers the interference potential occurring in the gate region 99 of the semiconductor rectifier 300 acts via the line 100 and the electrode 34 to the edge of the irradiated η + emitter layer 30 of the semiconductor rectifier 200 laid
Die Kompensation des Störpotentials des Halbleitergleichrichters 200 entspricht dem vom ilalbleitergleichnchter 300 angebotenen Kompensationspotential; ist dieses beispielsweise niedriger als das Störpotential des Halbleitergleichrichters 200, so erfolgt auch nicht eine vollständige Kompensation dieses Störpotentials. Zwecks Angleichung der Potentiale kann eine Verringerung der Zündempfindlichkeit des Halbleitergleichrichters 200 (mittels des Widerstandes 39) erfolgen.The compensation of the interference potential of the semiconductor rectifier 200 corresponds to that of the semiconductor rectifier 300 offered compensation potential; this is, for example, lower than the interference potential of the Semiconductor rectifier 200, there is also not a complete compensation of this interference potential. In order to match the potentials, a reduction in the ignition sensitivity of the semiconductor rectifier can be achieved 200 (by means of the resistor 39).
jo Durch die Anwendung der Diode 14 kann jedoch ein relativ niedriges Kompensationspotential liefernder Halbleitergleichrichter 300 verwendet werden, da am Halbleitergleichrichter 200 dann nur noch ein in seiner Höhe sehr stark begrenztes Störpotential in derjo By using the diode 14, however, a Semiconductor rectifiers 300 providing a relatively low compensation potential can be used, since on Semiconductor rectifier 200 then only has an interference potential that is very limited in its level
1^ Steuerbasisschicht auftritt 1 ^ tax base layer occurs
Die Wirkungsweise des Halbleitergleichrichtersystems 200, 300 wird nachstehend anhand des Diagramms der F i g. 2 erläutert.The operation of the semiconductor rectifier system 200, 300 is explained below with reference to the diagram in FIG. 2 explained.
Im Teil A sind die in der Steuerbasisschicht 31 desIn part A are those in the control base layer 31 of the
■to Halbleitergleichrichters 200 auftretenden Potentiale dargestellt, wobei das Potential der Anschlußklemme 43 als Potentialnullpunkt gewählt ist. φορ, ist der bei Lichteinstrahlung entstehende Potentialverlauf, <p„p der bei dtf/d/-Belastung durch kapazitive Ströme entstehen-■ to semiconductor rectifier 200 shown potentials occurring, the potential of the connection terminal 43 being selected as the potential zero point. φ ορ , is the potential curve that occurs when light is irradiated, <p " p that occurs with dtf / d / -load due to capacitive currents-
■»"> de Verlauf und ψαπ, ist das durch die Diode 14 gegebene Begrenzungspotential. Im Teil ßist das von Halbleitergleichrichter 300 erzeugte Störpotential ψ*ιρ dargestellt, das als Kompensationspotential <p„,mp dem Halbleitergleichrichter 200 zugeführt wird.The curve and ψαπ is the limiting potential given by the diode 14. Part ß shows the interference potential ψ * ιρ generated by the semiconductor rectifier 300, which is fed to the semiconductor rectifier 200 as a compensation potential <p „, mp.
''" Es sei angenommen, daß der Steuerbasisschicht 31 des Halbleitergleichrichters 200 die Diode 14 und ein sehr hoher Widerstanti39 vorgeschaltet sind, so daß das Potential am Steuerbasisanschluß 35 bereits bei sehr kleinen optisch erzeugten Strömen und Störströmen auf'' "Assume that the control base layer 31 of the semiconductor rectifier 200, the diode 14 and a very high resistance 39 are connected upstream, so that the Potential at the control base connection 35 even with very small optically generated currents and interference currents
> > die Höhe des Begrenzungspotentials g>/,m angehoben ist. Die Potentiale steigen dann gemäß dem durch die Ersatzwiderstände Λ* R1 angedeuteten Querwiderstand der Steuerbasisschicht 31 zur Mitte des Einstrahlbereiches 30a hin weiter an.>> the level of the limiting potential g> /, m is increased. The potentials then rise further towards the center of the irradiation area 30a in accordance with the transverse resistance of the control base layer 31 indicated by the equivalent resistances Λ * R 1.
bfl Infolge der in Fip 1 dargestellten Verknüpfung der Halbleitergleichrichter 200 und 300 wird aber im di//d/-Störfall die EmiitefSchidit 3G des Halbleitergleichrichters 200 im Potential soweit angehoben wie der Steuerstromanschluß 95 des Halbleitergleichrich-b fl result of the combination of the semiconductor rectifier shown in Fip 1200 and 300, but as far as the raised di // d / -Störfall the EmiitefSchidit 3G of the semiconductor rectifier 200 in potential as the control current terminal 95 of the Halbleitergleichrich-
·>■"> ters 300. Der Verlauf des Steuerbasispotentials in diesem Bu eich is; in- Teil B durch φ?3ι, dargestellt. Durch die Übertragung vermindert sich die Potentialdifferenz zwischen den Schichten 30 und 31 desThe course of the control base potential in this book is shown in part B by φ 3ι . The transfer reduces the potential difference between the layers 30 and 31 of the
Halbleitergleichrichters 200 bis auf einen Rest b, ausreicht. Dann erhält man eine verringerte optischeSemiconductor rectifier 200 except for a remainder b is sufficient. Then you get a reduced optical
welcher unterhalb der zur Zündung notwendigen Zündempfindlichkeit; die Verhinderung von du/df-Stör-which is below the ignition sensitivity required for ignition; the prevention of du / df interference
Potentialdifferenz liegt. Zündungen ist jedoch weiter gegeben durch diePotential difference lies. However, ignitions is passed on through the
Ist die Diode 14 nicht vorhanden, so muß der besondere Verknüpfung der Halbleitergleichrichter 200,If the diode 14 is not present, the special link between the semiconductor rectifiers 200,
Widerstand 39 so niedrig gewählt werden, daß weiterhin . 300.
das Potential <p„,m!, zur Verhinderung der StörzündungResistance 39 can be chosen so low that continues. 300
the potential <p ", m! , to prevent accidental ignition
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|---|---|---|---|---|
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1977
- 1977-08-31 DE DE19772759815 patent/DE2759815C2/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2549563A1 (en) * | 1975-11-05 | 1977-05-12 | Licentia Gmbh | LIGHT IGNITION THYRISTOR |
Non-Patent Citations (2)
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| Electronics, 16. September 1976, S. 10E, 12E * |
| SCR Manual 1972, General Electric Comp., S. 414-417 * |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| OI | Miscellaneous see part 1 | ||
| OI | Miscellaneous see part 1 | ||
| OD | Request for examination | ||
| AC | Divided out of |
Ref country code: DE Ref document number: 2739183 Format of ref document f/p: P |
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