DE2749855C2 - Voltage regulator circuit - Google Patents

Voltage regulator circuit

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    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Spannungsreglerschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 (US-PS 36 17 859).The invention relates to a voltage regulator circuit according to the preamble of claim 1 (U.S. Patent 3,617,859).

; Spannungsregler in monolithischer Bandlücken-Bauart mit aktiver Rückkopplung sind bekannt. Sie ersetzten; Voltage regulators of monolithic bandgap design with active feedback are known. They replaced

die mit niedriger Leistung arbeitenden diskreten, modularen und hybriden Spannungsregler, bei welchen Zenerdloden-Bezugsquellen benutzt werden. Die verhältnismäßig weite Verbrettung der Bandlücken-Reglerschaltun-the low power discrete, modular and hybrid voltage regulators that use Zener diode sources. The relatively wide interconnection of the band gap regulator circuit gen ist darauf zurückzufahren, daß sie bei günstigen Kosten eine bessere Leltungs- und Lastregelung erlauben.gen can be traced back to the fact that they allow better Leltungs- and load control at low cost.

Bandlücl 'n-Spannungsreglerscfraltungen enthalten Im allgemeinen eine Interne Bezugsspannungsquelle, einen getrennten Fehlerverstärker und eine Lelstungsaussgangsstufe. Der von der Bezugsspannungsquelle erzeugte Wert der Bezugsspannung ist ein in passender Welse gewählter Bruchteil der gewünschten Ausgangsspannung. Der FehlerverstSrker vergleicht dann die Bezugsspannung mit einem Bruchteil der Ist-Ausgangsspannung undBandlücl'n voltage regulator circuits generally contain an internal voltage reference source, a separate error amplifier and a power output stage. The one generated by the reference voltage source The value of the reference voltage is an appropriately chosen fraction of the desired output voltage. The error amplifier then compares the reference voltage with a fraction of the actual output voltage and veranlaßt die Ausgangsstufe, Ue beiden verglichenen Spannungen gleich zu halten. Durch diese Rückkopplung wird eine Ist-Ausgangsspannung erzeugt, welche kontinuierlich auf dem gewünschten Pegel gehalten ist.causes the output stage to keep Ue equal to both voltages compared. Through this feedback an actual output voltage is generated, which is continuously kept at the desired level.

Spannungsreglerschaltungen der Bandlücken-Bauart haben diese Bezeichnung erhalten, well die Bezugsspannungsquellen eine Nulltemperaturkoefflzlenten-Bezugsspannung erzeugen, welche proportional der Bandlückenspannung des Halbleitermaterials ist, indem die Differenz Δ VK zwischen der Basis-Em^r-Spannung zweierVoltage regulator circuits of the bandgap type have received this designation, because the reference voltage sources generate a zero temperature coefficient reference voltage which is proportional to the bandgap voltage of the semiconductor material by dividing the difference ΔV K between the base Em ^ r voltage of two einander zugeordneter Transistoren erzeugt wird, dieser Δ K-Spannungswert in geeigneter Welse herabgesetzt wird und dieser untersetzte Δ K-Spannungswert zu der Basls-Emltter-Spannung eines anderen Transistors addiert wird. Die so erzeugte Bezugsspannung ist im Regelfall ein ganzzahllges Vielfaches der Bandlückenspannung des Halbleiters. Eine Bandlücken-Regelelnrlchtung dieser Art, bei welcher variable Kollektorströme In einer monolithischen Integrierten Schaltung verwendet werden, 1st in US-PS '36 17 859 beschrieben. Eineassociated transistors is generated, this Δ K S £ voltage value is reduced in a suitable manner and this reduced Δ K B £ voltage value is added to the Basls-Emltter voltage of another transistor. The reference voltage generated in this way is usually an integer multiple of the band gap voltage of the semiconductor. A bandgap control device of this type, in which variable collector currents are used in a monolithic integrated circuit, is described in U.S. Patent '36 17 859. One Beschreibung dieser Bauart einer Regeleinrichtung mit variablen Emitterbereichen befindet sich auch In dem Aufsatz von A. P. Brokaw »A Simple Three-Termlnal IC Band Gap Reference« In »IEEE Journal of Solid State Circuits«, Band SC-9 Nr. 6, Dez. 1974, S. 388.A description of this type of control device with variable emitter areas can also be found in the Article by A. P. Brokaw, "A Simple Three-Termlnal IC Band Gap Reference" In "IEEE Journal of Solid State Circuits ", Volume SC-9 No. 6, Dec. 1974, p. 388.

Wenn Spannungsreglerschaltunger· der Bandlücken-Bauart, welche In monolithischen integrierten Schaltungen ausgebildet sind, die Bezugsspannungsquelle bilden, können der Fehlerverstärker und die zugehörige Stcuer-When Voltage Regulator Circuits · Of The Band Gap Type Which In Monolithic Integrated Circuits that form the reference voltage source, the error amplifier and the associated control

so schaltung die aktive Fläche der Schaltung in der Größenordnung bis zur Hälfte und mehr beanspruchen. Die Kosten je Einheit können beträchtlich herabgesetzt werden, wenn der Platzbedarf je Reglerschaltung auf dem Halblelterplättchen gesenkt wird, da dann mehr Reglerschaltungen je Halblelterplättchen hergestellt werden können und weniger Material je Funktion erforderlich 1st. Alternativ kann die Reduktion der erforderlichen Fläche des Halblelterplättchens die Möglichkeit eröffnen, zusätzliche Schaltungen und dementsprechend zusätzso circuit the active area of the circuit in the order of magnitude of up to half or more. the Unit costs can be reduced considerably if the space required for each controller circuit on the Half-Parent Tile is lowered as more regulator circuits are then made per Half-Parent Tile and less material is required per function. Alternatively, the reduction of the required Area of the half-liner plate open up the possibility of additional circuits and, accordingly, additional liehe Funktionen auf dem gleichen Chip-Bereich unterzubringen, als es bisher der Fall war.To accommodate borrowed functions on the same chip area as was previously the case.

Aus der bereits genannten US-PS 36 17 859 1st eine Spannungsreglerschaltung mit Interner Nulltemperaturkoefflzlenten-Bezugsspannungsquelle bekannt, welche eine Bezugsspannung erzeugt, die einer Halbleilermatcrlal-Bandlückenspannung proportional Ist. Diese Schaltung besitzt auch ein mit einem Ausgangsverstärker verbundenes Spannungstellernetzwerk; ein Eingang des Fehlerverstärkers 1st mit einem Zweig des SpannungsA voltage regulator circuit with an internal zero temperature coefficient reference voltage source is known from the aforementioned US Pat. No. 3,617,859, which generates a reference voltage which is proportional to a semiconductor material bandgap voltage. This circuit also has an output amplifier connected voltage regulator network; an input of the error amplifier is connected to a branch of the voltage tellernetzwerks und ein anderer Eingang 1st mit der Bezugsspannungsquelle gekoppelt, während der Ausgang des Fehlerverstärkers mit dem Eingang des Ausgangsverstärkers gekoppelt 1st.plate network and another input is coupled to the reference voltage source, while the output of the error amplifier is coupled to the input of the output amplifier.

, Diese Spannungsreglerschaltung hat den bereits beschriebenen Nachteil, daß die Bezugsspannungsquellc, der Fehlerverstärker und die zugehörige Steuerschaltung die Größenordnung von V3 bis V3 des aktiven Gebietes der Schaltung einnehmen, und dieser Anteil kann bei Schaltungen mit niedrigerer Leistung bis auf 80% steigen. DerThis voltage regulator circuit has the disadvantage already described that the reference voltage source, the error amplifier and the associated control circuit occupy the order of magnitude of V 3 to V 3 of the active area of the circuit, and this proportion can increase to 80% in circuits with lower power. Of the Erfindung Hegt daher die Aufgabe zugrunde, bei einer Spannungsreglerschaltung der eingangs bezeichneten Art die Zahl der Komponenten unter Beibehaltung der entsprechenden Funktionen zu reduzieren oder aber In einer Schaltung die Ausführung einer größeren Zahl von Operationen zu ermöglichen.The invention is therefore based on the object, in a voltage regulator circuit of the type indicated at the outset to reduce the number of components while maintaining the corresponding functions or in one Circuit to allow a larger number of operations to be performed.

Diese Aufgabe wird bei einer Spannungsreglerschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch dieThis object is achieved in a voltage regulator circuit according to the preamble of claim 1 by the

49 85549 855

Merkmale des Kennzelchnungslells gelöst.Characteristics of the identification number solved.

Zum Stand der Technik wird in diesem Zusammenhang noch Bezug genommen auf »IEEE Transactions Broadcast & Television Receivers«, Band BTR-18, 2. Mal 1972, S. 73-76. In dieser Veröffentlichung von Mitarbeitern der Fairchild Camera and Instrument Corporation wird über neuere Entwicklungen auf dem Gebiet der monolithischen Spannungsreglerschaltungen berichtet. Die Fig.4 und 5 und die zugehörigen Beschreibungsteile auf den Selten 74 und 75 der genannten Schriftstelle beschreiben Spannungsregelschaltungen mit einer internen Nulltemperaturkoeffizienten-Bezugsspannungsqueile, welche eine Bezugsspannung erzeugt» die proportional einer Halbleitermaterial-Banklückenspannunglst^und in welchen Fehlerverstärker Integriert sind.With regard to the state of the art, reference is also made in this context to “IEEE Transactions Broadcast & Television Receivers ", Volume BTR-18, 2nd time 1972, pp. 73-76. In this publication by staff The Fairchild Camera and Instrument Corporation will be informed of recent developments in the field of monolithic voltage regulator circuits reported. 4 and 5 and the associated parts of the description on the rare 74 and 75 of the cited reference describe voltage control circuits with an internal Zero temperature coefficient reference voltage source which generates a reference voltage »which is proportional a semiconductor material bank gap voltage and in which error amplifiers are integrated.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher beschrieben. ;■ ■ .......The invention is described in more detail below with reference to the drawings. ; ■ ■ .......

Fig. 1 zeigt ein allgemeines Blockschaltbild ejner Bandlücken-Spannungsregeleinrichtung bekannter Bauart. Ό1 shows a general block diagram of a bandgap voltage regulator of known type. Ό

Flg.2 1st ein Blockschaltbild der Spannungsreglerschaltung gemäß der Erfindung, weiche In Kombination eine Bezugsspannungsquelle und Fehlerverstärkeraufweist.Fig. 2 is a block diagram of the voltage regulator circuit according to the invention, soft in combination a reference voltage source and error amplifier.

FIg. 3 enthält eine schematische Darstellung; der Schaltung gemäß der Erfindung zur Erläuterung der Wirkungsweise als BezugsspannungsqueHe. , .FIg. 3 contains a schematic representation; the circuit according to the invention to explain the Function as a reference voltage source. ,.

Flg.4 ist eine schemaifsche Darstellung der- Schaltung gemäß der Erfindung zur Darstellung der Wirkungs- !* weise als Fehlerverstärker. :;:: ·. . ;:.; ; .- .■..-.. ^. ■·...-:-.. :>· -. - ; -.·-· .?"';■Flg.4 is a schematic representation of the circuit according to the invention to show how it works as an error amplifier. : ; :: ·. . ; : . ; ; .-. ■ ..- .. ^. ■ · ...-: - ..:> · -. -; -. · - ·.? "'; ■

Die Arbeitsweise einer Bandlür.ken-Spannungsreglerschaltung wird anhand von FIg-Λ allgemein beschrieben. Die Funktion Im einzelnen kann Datenblättern für BandlOcken-Regeleinrichtungen entnommen werden, beispielsweise der Serie Fairchild UA7800. Bei;.der. in,Fig. 1 dargestellten Schaltung wird die Spannung der Eingangsleitung an Klemme 17 angelegt. Eine Stromquelle 9 legt einen Voispannungsstrom an Fehlerverstärker 11 und an Stromverstärker 12, und dadurch wird Ausgangstransistor 13 veranlaßt, Strom zur Ar.«jangsklemme 16 und zu dem aus Widerständen Γ4 und 15 bestehender. AusgangsteÜernetzwerk durchzulasseu. Zunächst !st die am Tellernetzwerk anliegende Spannung rar.begrenzt durch, die. kombinierte Stromverstärkungen des Stromverstärkers 12 und des Ausgangstransistors 13* jedoch bestimmt BezugsspannungsqueHe 10 in Kombination mit dem RQckkoppIungsvorgang schließlich die an Klemme 16 angelegte Ausgangsspannung in der nachfolgend beschriebenen Weise. Der Ausgang der BezugsspannungsqueHe 10 wird als ein Eingang in den Fehlerverstärker Ii eingeführt, welcher gewöhnlich ein Zweistufen-OperatlonsverstärKer ist. Der andere Eingang zum Fehlerverstärker U wird von Klemme 19 Im mittleren Schaltpunkt des Ausgangs-Spannungsteilernetzwerks, welches durch die Widerstände 14 und 15 gebildet ist, abgenommen. Der Ausgangsstrom des Fehlerverstärkers 11 wird in Stromverstärker 12 eingeführt, dessen Ausgang den Leistungsausgangstransistor 13 steuert, welcher die bei Klemme 16 vorhandene Spannung steuert. Die Spannung am Schaltungspunkt 19 muß gleich VR sein; andernfalls wird ein Fehlersignal durch Fehlerverstärker 11 erzeugt, und dadurch wird Stromverstärker 12 veranlaßt, eine neue Spannung an der Basis des Leistungsausgangstransistors 13 zu erzeugen, um dadurch die an Klemme 16 vorhandene Spannung auf einem konstanten Wert zu halten. Die Werte der Widerstände 14 und 15 sind so gewählt, daß die Spannung VR am Schaltungspunkt 19 anliegt, wenn die Ausgangs- oder Lastspannung an Klemme 16 den gewünschten Wert der Ausgangsspannung hat. Die Ausgangsspannung an Klemme 16 ist dann, bezogen auf die Werte der Widerstände,The operation of a Bandlür.ken voltage regulator circuit is described in general with the aid of FIg- Λ. The function In detail, data sheets for belt gap control devices can be found, for example the Fairchild UA7800 series. In the. in, Fig. 1, the voltage of the input line is applied to terminal 17. A current source 9 applies a voltage current to error amplifier 11 and to current amplifier 12, and this causes output transistor 13 to supply current to the output terminal 16 and to that consisting of resistors Γ4 and 15. Output control network to be allowed through. First! The voltage applied to the plate network is rarely limited by the. Combined current amplifications of the current amplifier 12 and the output transistor 13 *, however, the reference voltage source 10 in combination with the feedback process ultimately determines the output voltage applied to terminal 16 in the manner described below. The output of the reference voltage source 10 is introduced as an input to the error amplifier Ii, which is usually a two-stage operational amplifier. The other input to the error amplifier U is taken from terminal 19 in the middle switching point of the output voltage divider network, which is formed by resistors 14 and 15. The output current of the error amplifier 11 is fed into the current amplifier 12, the output of which controls the power output transistor 13, which controls the voltage present at terminal 16. The voltage at node 19 must be equal to V R ; otherwise an error signal is generated by error amplifier 11 and this causes current amplifier 12 to generate a new voltage at the base of power output transistor 13, thereby keeping the voltage present at terminal 16 at a constant value. The values of the resistors 14 and 15 are chosen so that the voltage V R is applied to the node 19 when the output or load voltage at terminal 16 has the desired value of the output voltage. The output voltage at terminal 16, based on the values of the resistors, is

Vom From -

... Vr (Ru + R\s) ... Vr (Ru + R \ s)

Dieses aktive Rückkopplungs-Steuersystem ermöglicht eine sehr gute Leitungs- und Lastregelung, jedoch erfordert es getrennt eine Bezugsspannungsouelle 10 und einen Fehlerverstärker 11. In Fig. 2 Ist eine Bandabstand-Spannungsrcgeieinrichtung gemäß der Erfindung im Blockschaltbild dargestellt. Man erkennt aus dieser Darstellung, daß diese Schaltung die gleiche allgemeine Funktion erfüllt, wobei Bezugsspannungsquelle/Fehlerverstärker 20 kombiniert sind. Wie obenstehend beschrieben, kann der Wert der Ausgangsspannung an Klemme 25 durch üle folgende Formel wiedergegeben werden:This active feedback control system allows very good line and load control, however it requires separately a reference voltage source 10 and an error amplifier 11. In Fig. 2 is a bandgap voltage regulator shown according to the invention in the block diagram. It can be seen from this illustration that this circuit fulfills the same general function, with reference voltage source / error amplifier 20 are combined. As described above, the value of the output voltage at terminal 25 can be represented by the following formula:

v _ KRv, + v _ K Rv, + fr.;) fr .;) VrVr

In der Darstellung der Flg. 2 Ist die Kombination 20 aus BezugsspannungsqueHe und Fehlerverstärker allgemein als Operationsverstärker dargestellt, welcher eine bewußt verhältnismäßig hoch gewählte Kompensatlonsspannung bei vorzugebenden Werten von Polarität, Temperaturkoeffizient und Betrag hat. Nähere Einzelheiten können beispielsweise der Schrift von Tobey u. a. »Operational Amplifiers: Design and Applications« entnommen werden. Wie nachfolgend noch näher erläutert werden wird, arbeitet die kombinierte Schaltung gleichzeitig In 7.WCl unterschiedlichen Arbeltswelsen, damit die beiden gewünschten Funktionen zur Verfügung gestellt werden können. Eine solche Simultanarbeitsweise ist dadurch möglich, daß die Bezugsspannungsquellle im Glelchslrombelrleb arbeite1, und zwar bei Spannungswerten in der Größenordnung von Volt, während die !•■ehlcrvcrsiürkerfunktlon Ir1I Wechselstrombetrieb arbeitet, und zwar mit nled.igen Spannungen in der Größen- ω Ordnung von Millivolt. E?le Funktion der Fehlerverstärkung erfolgt durch Modulierung der Funktion der iic/.ugsspunnungsquelle.In the representation of Flg. 2 Is the combination 20 of reference voltage source and error amplifier generally shown as an operational amplifier, which has a consciously relatively high compensation voltage with specified values of polarity, temperature coefficient and magnitude. Further details can be found, for example, in Tobey et al. "Operational Amplifiers: Design and Applications". As will be explained in more detail below, the combined circuit works simultaneously in different working environments, so that the two desired functions can be made available. Such a simultaneous operation is possible because the Bezugsspannungsquellle in Glelchslrombelrleb work 1, namely when the voltage values of the order of volts, while the! • ■ ehlcrvcrsiürkerfunktlon Ir 1 I AC operation works, namely ω with nled.igen voltages in the order of magnitude of millivolts. Every function of the error amplification takes place by modulating the function of the iic / .ugss voltage source.

Hlnc Schaltung, welche kombiniert die Funktionen der Fehlerverstärkung und der BezugsspannungsqueHe erfüHt, Ist Innerhalb von gestrichelten Linien 45 in Flg. 3 dargestellt; sie Ist getrennt herausgezeichnet In Flg.4. Die Schaltung Ist In Flg. 3 mit zusätzlichen Komponenten dargestellt, um die Betriebswelse zu beschreiben, In der sie die Funktion einer ßezugsspannungsquelle erfüllt. Aus Flg. 4 Ist Insbesondere erkennbar, daß die Schallung in der Arbeitsweise der BezugsspannungsqueHe Identisch Ist mit der Schaltung In der Arbeltswelse des Fchlcrvcrstilrkcrs. Die liifferenz in den beiden Arbeitswelsen liegt, wie nachfolgend noch näher beschriebenHlnc circuit which combines the functions of error amplification and reference voltage source is found within dashed lines 45 in Flg. 3 shown; it is drawn out separately in Flg. 4. The circuit is in Flg. 3 shown with additional components to describe the operating environment, In which it fulfills the function of a pull-out voltage source. From Flg. 4 In particular, it can be seen that the schallung In the operation of the reference voltage source Is identical to the circuit in the Arbeltswelse of the Fchlcrvcrstilrkcrs. The difference between the two types of work is as described in more detail below

werden wird, In der Art der Eingänge und Ausgänge und In den Punkten, in denen die Eingänge eingeführt und die Ausgänge aus der Schaltung abgenommen werden.will be, In the nature of the entrances and exits and In the points in which the entrances are introduced and the outputs are taken from the circuit.

Bei der folgenden Beschreibung wird davon ausgegangen, daß npn-Translstoren mit hohem Beu-Wcrt (Transistoren, bei denen das Verhältnis von Kollektorstrom zum Basisstrom gegen unendlich geht) verwendetIn the following description it is assumed that npn translators with a high Beu-Wcrt (transistors in which the ratio of collector current to base current approaches infinity) are used werden. Nimmt man an, daß die in Flg. 3 dargestellte Schaltung sich In der Betriebswelse als Spannungsqucllc befindet, so wird eine Bezugsspannung durch die Basls-Emltter-Spannungen von Transistoren 30 und 33 plus dem Spannungsabfall Ober Widerstand 39 bestimmt. Die abhängige Stromquelle 46 treibt gleich Kollekiorströmc In die Transistoren 30 und 31, so daß eine Spannung AVBE, welche von dem Verhältnis der EmUterbcrclche der Transistoren 30 und 31 abhängig Ist, Ober Widerstand 38 eingeprägt wird. Diese Spannung aVHf ober Widerstandwill. If one assumes that the in Flg. 3 is in the operating mode as a voltage source, a reference voltage is determined by the Basls-Emltter voltages of transistors 30 and 33 plus the voltage drop across resistor 39. The dependent current source 46 drives equal collector currents into the transistors 30 and 31, so that a voltage AV BE , which is dependent on the ratio of the EmUterbruche of the transistors 30 and 31, is impressed across the resistor 38. This voltage aV Hf above resistance 38 bestimmt auch die Betriebskollektorströme der Transistoren 30 bis 33, wenn die Spannungsrückkopplungsschlelfe vollständig Ist. Mathematisch können die Spannung AVaE und die entsprechenden Kollekiorströmc der Transistoren 30 bis 33 durch Gleichungen 1 und 2 wie folgt dargestellt werden:38 also determines the operating collector currents of transistors 30-33 when the voltage feedback loop is complete. Mathematically, the voltage AV aE and the corresponding collector currents of transistors 30 to 33 can be represented by equations 1 and 2 as follows:

(D ΔνΒΕ=γΙ (D Δν ΒΕ = γΙ

(2) lao β /οι a Ιώϊ β fc» "η^ ' ~ξ (2) lao β / οι a Ιώϊ β fc » " η ^ '~ ξ

Dabei ist:Where:

k = Boltzmannsche Konstante k = Boltzmann's constant

T = Temperatur in Grad Kelvin n T = temperature in degrees Kelvin n

q = Ladung des Elektrons q = charge of the electron

= 2,585 X 10-2 Volt bei 300° K - = 2.585 x 10- 2 volts at 300 ° K

qq «ι«Ι

-in ^e30, AE)\ = Emitterbereiche der Transistoren 30 bzw. 31- in ^ e 30 , A E ) \ = emitter areas of transistors 30 and 31, respectively

Rn = Widerstandswert des Widerstands 38 R n = resistance of resistor 38 In = natürlicher Logarithmus In = natural logarithm

lao bis Im = Kollektorströme in den Transistoren 30 bis 33. lao to Im = collector currents in transistors 30 to 33.

Diese der Berechnung zugängliche Spannung Δ VBE hat einen positiven Temperaturkoeffizienten, wie sich aus der pachfoigenden Gleichung ergibt: This voltage Δ V BE , which can be used for calculation, has a positive temperature coefficient, as can be seen from the pachfoigenden equation:

If L4 Vbe1 =-Sf !J '"{ΑεΤοΙ J - 1 l"AD0 T If L 4 Vbe 1 = -Sf ! J '"{ΑεΤοΙ J - 1 l " A D0 T

dT LT "J 6T [q \ Abo I J Q ado ι dT LT "J 6T [q \ Abo IJQ ado ι 4" 4 "

Kk] hat daher einen positiven Temperaturkoeffizienten, weil sowohl Δ VBE und Tposiiive reelle Zahlen sind. Da nun npn-Transistoren mit holiem Beta-Wert vorausgesetzt sind, beträgt die Spannung über Widerstand 39:- Kk] therefore has a positive temperature coefficient, because both Δ V BE and Tposiiive are real numbers. Since npn transistors with a holiem beta value are assumed, the voltage across resistor 39 is:

39 Ol 39 ßJg q 39 Ol 39 ß Jg q

und diese muß auch einen positiven Temperaturkoeffizient haben, da das Verhältnis &,: Rn temperaturunabhängig ist. Daher kann die Spannung an der Basis des Transistors 33 und zwischen den Leitungen 42 un* 43, die Bezugsspannung V^f, durch die nachfolgenden Gleichungen (4) und (5) wiedergegben werden:and this must also have a positive temperature coefficient, since the ratio & ,: Rn is independent of temperature. Therefore, the voltage at the base of transistor 33 and between lines 42 un * 43, the reference voltage V ^ f, can be represented by the following equations (4) and (5):

(4) V11Ef= VBE30 + VBm + g · — In [^ ), oder(4) V 11 Ef = V BE30 + V Bm + g · - In [^), or

V =2V +— —In
H= Tnndctnnn in i.nri « aic i^onticrhp opfimptrischc Strukturen ausEsbildet sind. Da das erste Glied der
V = 2V + - - In
H = Tnndctnnn in i.nri «aic i ^ onticrhp opfimptrischc structures are formed. Since the first link of the

da die Transistoren 30 und 33 als identische geometrische Strukturen ausgebildet sind. Da das erste Glied der «ι Gleichung (5) auf der rechten Seite einen negativen Temperaturkoeffizienten und das zweite Glied einen positiven Temperaturkoeffizienten hat, kann restgestellt werden, daß ein Satz von Werten Tür Rx und R39 der Bezugsspannung VREF einen Null-TemperaturkoeiTlzlenten verleiht. Bei der betrachteten Schaltung tritt dies ein bei VREF = 2,56 Volt. In einer praktisch ausgeführten integrierten Schaltung hat der Wert Beta nicht immer den oben angenommenen sehr hohen Wen, so daß die Arbeitsweise der Schaltung In geringem Umfang durch die ^ Basisströme der verschiedenen Transistoren beeinflußt wird. Die Wirkungen dieser endlichen Beta-Werte werden sehr gering gehalten durch einen Widerstand 40. welcher die Basisstromfehler kompensiert.since the transistors 30 and 33 are designed as identical geometric structures. Since the first term of equation (5) on the right-hand side has a negative temperature coefficient and the second term a positive temperature coefficient, it can be assumed that a set of values for R x and R 39 of the reference voltage V REF have a zero temperature coefficient confers. In the circuit under consideration, this occurs at V REF = 2.56 volts. In a practically implemented integrated circuit, the value beta does not always have the very high value assumed above, so that the operation of the circuit is influenced to a small extent by the base currents of the various transistors. The effects of these finite beta values are kept very small by a resistor 40 which compensates for the base current errors.

PIe an Klemme 36 vorhandene Ausgangsspannung Ist dann nach der folgenden Gleichung (6) von der Bc/upsspnnnunp abhängig:PIe at terminal 36 output voltage is then according to the following equation (6) of the Bc / upsspnnnunp dependent:

(6) k«-^^ VKf- (6) k «- ^^ V Kf -

Im wesentlichen wird die Ausgangsspannung an Klemme 36 bestimmt durch die Schaltung Innerhalb der gestrichelten Linie 45, welche einen Null-Temperaturkoefflzlenten hat. VRFF wird erzeugt zwischen den Leltungen 42 und 43 und steuert den I.elstungsiiusgiing 34. Dies wird erreicht, well der Strom In die Leitung 44, welche durch Klemme 44' mit dem Hingang des Stromverstärkers 35 verbunden Ist, sich so ändert, wie es erforderlich Ist, um die entsprechenden mathematischen Beziehungen von VREf aufrecht zu erhalten, wenn die RückWwpplungsschlelfe durch die Widerstände 37 und 47 geschlossen wird. Die Kombination des Stromverstärkers 35 und des Leistungsausgangstransistors 34 arbeitet als Leistungsausgangsstufe. Die Ausgangsspannung Vm, an Klemme 36 wird durch die Leistungsausgangsstufe unabhängig von der Eingangsspannung oder der Ausgangsbelastung auf dem gewünschten Wert gehalten.The output voltage at terminal 36 is essentially determined by the circuit within the dashed line 45, which has a zero temperature coefficient. V RFF is generated between the lines 42 and 43 and controls the power supply 34. This is achieved because the current in the line 44, which is connected through terminal 44 'to the input of the current amplifier 35, changes as it does Is required to maintain the appropriate mathematical relationships of V REf when the feedback loop through resistors 37 and 47 is closed. The combination of the current amplifier 35 and the power output transistor 34 operates as a power output stage. The output voltage V m , at terminal 36 is kept at the desired value by the power output stage, regardless of the input voltage or the output load.

Die Betriebswelse der Fehlerverstärkung der Schaltung gemäß der Erfindung ist aus Flg.4 erkennbar. Die Wirkungswelse dieser Schaltung als Verstärker wird nachfolgend beschrieben. Wenn die Spannungsdifferenz zwischen den Leitungen 42 und 43 allmählich von Null auf einen Wert angehoben wird, welcher höher als die is Bezugsspannung Ist, werden die Ströme /C3J und /c33 In gleicher Welse steigen. Aufgrund der verhältnismäßig hohen Widerstandswerte der Widerstände 38 und 39, welche In der Größenordnung von Kiloohm liegen, steigt jedoch Iex Im wesentlichen linear mit der Spannung, während /C3] näherungsweise exponentiell In demjenigen Gebiet steigt. In dem /r]}«/ru«^£lst. Es Ist der Vorgang des Schlleßens der Rückkopplungsschielfe um denThe operating mode of the error amplification of the circuit according to the invention can be seen from FIG. The functioning of this circuit as an amplifier is described below. If the voltage difference between the lines 42 and 43 is gradually increased from zero to a value which is higher than the reference voltage, the currents / C3J and / c33 will increase in the same way. Due to the relatively high resistance values of the resistors 38 and 39, which are of the order of magnitude of kilo-ohms , however, Iex increases essentially linearly with the voltage, while / C3] increases approximately exponentially in that area. In the / r]} «/ ru « ^ £ lst. It is the act of closing the feedback squint around the

nichtlinearen Regelverstärker durch die In Flg. 3 dargestellten Widerstände 37 und 47, welcher die Ausglelchs-Arbeltsströme der Transistoren 30 bis 33 bei dem Stromwert /)VBE/Rn zum Fließen bringt.non-linear control amplifier through the In Flg. 3 shown resistors 37 and 47, which causes the compensation working currents of the transistors 30 to 33 to flow at the current value /) V BE / R n.

In der Nähe des Ausglelchsbetrlebsstroms kann man die Wirkungen kielner Störungen der Spannung auf Leitung 42 gegenüber Leitung 43 so betrachten, als würden sie an der Verstärker-Ausgangsklemme 44 beobachtet. Für diese kleinen Störungen kann die Änderung des Ausgangsstroms /„, als Funktion der kleinen Eingangs- 2S spannung auf Leitung 42, nämlich v„„ charakterisiert werden als eine lineare Funktion, und in der linearen Analyse des kleinen Signals wird eine Stellheltsfunktlon (transconductance function) definiert als g„ = i,i,lvaia. Die Steilheit (transconductance) der Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung In der Arbeltswelse des Fehlervcrstürkers kann dann wiedergegeben werden durch Gleichung (7):In the vicinity of the equilibrium operating current, the effects of any disturbances in the voltage on line 42 with respect to line 43 can be viewed as if they were observed at the amplifier output terminal 44. For these small disturbances, the change of the output current / can ', as a function of the small input 2S voltage on line 42, namely, v "" be characterized as a linear function, and in the linear analysis of the small signal is a Stellheltsfunktlon (transconductance function) defined as g " = i, i, lv aia . The transconductance of the circuit according to the present invention in the operation of the error converter can then be represented by equation (7):

\ gml \ gml ^ + ^ +

[2 + gm, ([2 + g m , (

\ gml' \ gml '

ß~+J [2 + gm, (Ä39 + ß ~ + J [2 + g m , (A39 +

wobei a„ die Steilheit der Verstärkerstufe Ist und definiert Ist als das Verhältnis der Änderung des Ausgangs-Stroms des kleinen Signals zu der Änderung der Ihn hervorrufenden Eingangsspannung, und sie ist nach Definition = /a,„/v,i».where a "is the steepness of the amplifier stage and is defined as the ratio of the change in the output current of the small signal to the change in the input voltage causing it, and according to the definition it is = / a ," / v, i ".

Dabei istIt is

β = Transistorstromverstärkung leih β = borrow transistor current gain

RM und R39 sind die Widerstandswerte der Widerstände 38 und 39 In Flg.4. Bei der bevorzugten Ausführungs form der Erfindung betragt die Steilheit (transconductance) etwa 250 Microhm. Obwohl die Steilheit der Verstärkerstufe verhältnismäßig niedrig 1st, kann man einen wirksam arbeitenden Fehlerverstärker darstellen, wenn die Lastimpedanz am Schaltungspunkt 44' groß Ist. Dieses Erfordernis kann leicht erfüllt werden mit verhältnismäßig einfachen Schaltungselementen in dem Stromverstärker 35, welcher nur eine große Stromverstärkung ermöglichen muß. R M and R 39 are the resistance values of the resistors 38 and 39 in Fig. 4. In the preferred embodiment of the invention, the transconductance is about 250 microhms. Although the steepness of the amplifier stage is relatively low, an effectively working error amplifier can be represented if the load impedance at node 44 'is large. This requirement can easily be met with relatively simple circuit elements in the current amplifier 35, which only needs to enable a large current gain.

Im Betrieb liegt der Bereich der Gleichstrompegel, welche für die Transistoren 30 bis 33 zulässig sind, zwischen zehntel Mikroampere bis etwa in die Größenordnung von Milliampere. Als praktische Grenze 1st dabei die Größe der Oberfläche des Chip zu beachten, welche die Widerstände ÄM und Ri9 einnehmen, wenn sie In monomischer Form hergestellt werden. Auf jeden Fail ist der Bereich der Strompegel weit genug und Hegt In einer ausreichenden Größenordnung, um der Schaltung die Erzeugung einer Bezugsspannung zu erlauben, 5i welche ein praktikabler Bruchteil der gewünschten Ausgangsspannung ist. Die Amplitude des niedrigen Wechselstromsignals, welches am Schaltungspunkt 44' durch den Fehlerverstärker entsprechend Flg. 4 erzeugt wird, Ist sehr niedrig. Um 100 Milliampere Ausgangsgielchstrom auszuregeln, würde der Wechselstrom In der Größenordnung von Nanoampere liegen oder noch niedriger sein. Der dem Fehlerverstärker zugeordnete Wechselstrom Ist dann wesentlich niedriger als die Gleichströme auf dem Pegel von Mikroampere, welche bei «> der Bezugsspannungsquelle auftreten. Dementsprechend wird die Funktion der Bezugsspannung nicht dadurch beeinträchtigt, daß Ihr die Funktion des Fehlerverstärkers überlagert wird.In operation, the range of direct current levels which are permissible for transistors 30 to 33 is between tenths of a microampere and approximately in the order of magnitude of milliamps. As a practical limit, the size of the surface of the chip must be taken into account, which the resistors A M and R 19 occupy if they are produced in monomial form. In any event, the range of current levels is wide enough and of an order of magnitude sufficient to allow the circuit to generate a reference voltage which is a practical fraction of the desired output voltage. The amplitude of the low alternating current signal which is generated at node 44 'by the error amplifier in accordance with Flg. 4 is generated is very low. To regulate 100 milliamps output DC current, the alternating current would be on the order of nanoamps or less. The alternating current assigned to the error amplifier is then significantly lower than the direct currents at the level of microamps which occur at the reference voltage source. Accordingly, the function of the reference voltage is not impaired by the fact that the function of the error amplifier is superimposed on it.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (2)

Patentansprache:Patent address: 1. Spannungsreglerschaltung mit Interner Nulltemperaturkoefflzlenten-Bezugsspannungsqueile, weiche eine Beaigsspannung erzeugt, die einer Halbleitennaterial-Bandlflckenspannung proportional Ist, und mit einem1. Voltage regulator circuit with internal zero temperature coefficient reference voltage source, soft one Generates an output voltage that is proportional to a semiconductor material bandgap voltage, and with a Fehlerverstarker und einem mit einem Ausgangsverstärker verbundenen Spannungsteilernetzwerk, wobei ein . Eingang des Fehlerverstärkers mit einem Zweig des Spannungstellernetzwerks und ein anderer Eingang mit der Bezugsspannungsquelle und der Ausgang des Fehlerverstärkers mit dem Eingang des Ausgangsverstärkers gekoppelt Ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Fehlerverstärker und die Bezugsspannungsquelle sich in derselben Integrierten Schaltung befinden, daß die Schaltung einen ersten Transistor (31)Error amplifier and a voltage divider network connected to an output amplifier, wherein a . Input of the error amplifier with one branch of the voltage regulator network and another input with the reference voltage source and the output of the error amplifier is coupled to the input of the output amplifier, characterized in that the error amplifier and the reference voltage source are in the same integrated circuit, that the circuit has a first transistor (31) ίο aufweist, dessen Kollektor und Basis mit der Basis eines zweiten Transistors (30) elektrisch verbunden sind, daß der Emitter des zweiten Transistors (30) Ober einen ersten Widerstand (38) mit dem Emitter des ersten Transistors (31) elektrisch verbunden ist, daß der Emitter eines dritten Transistors (32) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (30) elektrisch verbunden 1st, daß der Emitter eines vierten Transistors (33) mit der Basis des dritten Transistors (32) und über einen zweiten Widerstand (39) mit dem Kollektor des erstenίο has whose collector and base are electrically connected to the base of a second transistor (30), that the emitter of the second transistor (30) via a first resistor (38) with the emitter of the first Transistor (31) is electrically connected that the emitter of a third transistor (32) with the collector of the second transistor (30) is electrically connected that the emitter of a fourth transistor (33) with the Base of the third transistor (32) and via a second resistor (39) to the collector of the first is Transistors (31) elektrisch verbunden ist, und daß die Kollektoren des dritten (32) und des vierten (33) Transistors miteinander gekoppelt sind, wobei die Basis des vierten Transistors (33) mit dem Spannungstellerneizwerk (37, 47) und der Kollektor des dritten Transistors (32) mit dem Ausgang des Fehlerverstärkers verbunden sind.is transistor (31) is electrically connected, and that the collectors of the third (32) and the fourth (33) Transistors are coupled to one another, the base of the fourth transistor (33) to the voltage controller (37, 47) and the collector of the third transistor (32) to the output of the error amplifier are connected. 2. Spannungsreglerschaltung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Widerstand (40) zwischen der Basis des zweiten Transistors (30) und der Basis des ersten Transistors (31) eingeschaltet Ist.2. Voltage regulator circuit according to spoke 1, characterized in that a third resistor (40) is switched on between the base of the second transistor (30) and the base of the first transistor (31).
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