DE2743947A1 - Forming doped region in semiconductor substrate - without bulge in depth, by complementary ion implantation of opposite type - Google Patents

Forming doped region in semiconductor substrate - without bulge in depth, by complementary ion implantation of opposite type

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DE2743947A1 DE19772743947 DE2743947A DE2743947A1 DE 2743947 A1 DE2743947 A1 DE 2743947A1 DE 19772743947 DE19772743947 DE 19772743947 DE 2743947 A DE2743947 A DE 2743947A DE 2743947 A1 DE2743947 A1 DE 2743947A1
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    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts

Abstract

A deeply doped region in a semiconductor substrate, produced by an ion implantation through another mask with a complementary structure to magnify the doping of the substrate. This has the same reach as the first and its doping concn. is chosen to reduce the lateral size of the doped region. This reduces the undesirable widening of the deep or buried doped regions beyond the width of the mask windows.

Description

Verfahren zur Bildung von tiefreichenden oder vergrabenen dotier-Process for the formation of deep-reaching or buried doping

ten Gebieten in einem Halbleitersubstrat vom entgegengesetzten Leitungstsc.th areas in a semiconductor substrate from the opposite line stsc.

Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Bildung von tiefreichenden oder vergrabenen, dotierten Gebieten in einem Halbleitersubstrat des entgegengesetzten Leitungstyps nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 oder des Patentanspruchs 4.The invention relates to methods of forming deep reaching or buried, doped regions in a semiconductor substrate of the opposite Line type according to the preamble of claim 1 or claim 4th

Bei der Bildung derartiger tiefreichender bzw. vergrabener dotierter Gebiete nach den herkömmlichen Ionenimplantationsverfahren hat sich gezeigt, daß insbesondere bei der Anwendung von Tiefimplantationsschritten eine in vielen Fällen unerwünschte Verbreiterung dieser Gebiete über die durch die Dotierungsmasken gegebenen lateralen Abmessungen hinaus nicht vermieden werden kann. Auf dieses Problem wurde beispielsweise von H. Runge in der Zeitschrift phys.In the formation of such deeper or buried doped Areas following conventional ion implantation techniques have been found to especially when using deep implantation steps, one in many cases undesired widening of these areas beyond those given by the doping masks lateral dimensions cannot be avoided. On this problem was for example by H. Runge in the journal phys.

stat. sol.(a) 39, S. 595ff (1977) hingewiesen.stat. sol. (a) 39, p. 595ff (1977).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Verfahren der eingangs genannten Art gerade in dieser Hinsicht zu verbessern. Das wird bei der Bildung von tiefreichenden dotierten Gebieten erfindungsgemäß durch eine Anwendung der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 oder des Patentanspruchs 3 angeführten Maßnahmen erreicht, bei der Bildung von vergrabenen dotierten Gebieten durch eine Anwendung der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 4 oder des Patentanspruchs 5 angegebenen Maßnahmen.The invention is based on the method of the aforementioned Kind of improving in this regard. That will go deep in the formation of doped areas according to the invention by an application of the characterizing part of claim 1 or claim 3 achieved measures, in the formation of buried doped regions through an application of the characteristic Part of claim 4 or claim 5 specified measures.

Der mit dem Verfahren nach der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere darin, daß die lateralen Abmessungen solcher tiefreichenden oder tiefliegenden dotierten Gebiete sehr genau kontrolliert werden können. Damit ist unabhängig davon, ob es sich bei diesen Gebieten um Teile von Bauelementen integrierter Schaltungen oder um Gebiete handelt, die solche Bauelemente elektrisch gegeneinander isolieren, eine höhere Packungsdichte der Bauelemente erreichbar, die zu einer Verringerung der für eine integrierte Schaltung benötigten Halbleiterfläche führt.The advantage that can be achieved with the method according to the invention is there in particular that the lateral dimensions of such deep-reaching or deep-set doped areas can be controlled very precisely. It is therefore independent of whether these areas are parts of integrated circuit components or areas that electrically isolate such components from one another, a higher packing density of the components can be achieved, which leads to a reduction the semiconductor area required for an integrated circuit.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand einiger bevorzugter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei zeigt: Fig. 1 ein Halbleitersubstrat, in das zur Bildung eines tiefreichenden Gebiets entgegengesetzter Dotierung ein erster Dotierstoff mittels lonentiefimplantation eingebracht ist, Fig. 2 das Einbringen eines zweiten Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat nach Fig. 1, Fig. 3 ein Halbleitersubstrat, in das zur Bildung eines tiefreichenden Gebiets entgegengesetzter Dotierung zwei Dotierstoffe mittels Ionentiefimplantation eingebracht sind, Fig. 4 ein Halbleitersubstrat, das zur Bildung eines vergrabenen Gebietes entgegengesetzter Dotierung mit einem mittels Ionentiefimplantation eingebrachten, ersten Dotierstoff versehen ist, Fig. 5 das Einbringen eines zweiten Dotierstoffes in das Substrat nach Fig. 4 und Fig. 6 das Einbringen zweier weiterer Dotierstoffe in das Substrat nach Fig. 4.The invention is explained below with the aid of a few preferred exemplary embodiments explained in more detail. 1 shows a semiconductor substrate into which for formation of a deep region of opposite doping, a first dopant is introduced by means of ion deep implantation, FIG. 2 shows the introduction of a second Dopant in the semiconductor substrate according to FIG. 1, FIG. 3 a semiconductor substrate, into the two opposite to the formation of a deep region of doping Dopants are introduced by means of deep ion implantation, FIG. 4 shows a semiconductor substrate, that to form a buried region of opposite doping with a first dopant introduced by means of deep ion implantation is provided, FIG. 5 the introduction of a second dopant into the substrate according to FIG. 4 and FIG. 6 the introduction of two further dopants into the substrate according to FIG. 4.

In Fig. 1 ist ein dotiertes Halbleitersubstrat S im Schnitt dargestellt, das mit einer Dotierungsmaske 1 abgedeckt ist. Durch eine Maskenöffnung 2 wird ein erster Dotierstoff, der die Dotierung eines herzustellenden tiefreichenden Gebietes G vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp bestimmt, mittels einer Ionentiefimplantation in das Substrat S eingebracht. Dabei zeigt es sich, daß die lateralen Abmessungen der Öffnung 2 von den seitlichen Grenzen des Gebiets G insbesondere in den tieferen Zonen des Halbleiter- substrats S weit überschritten werden. Dies erklärt sich daraus, daß die implantierten Ionen erst in den tieferen Zonen in ihrer Geschwindigkeit soweit abgebremst sind, daß sie beim Auftreffen auf Atome des Halbleitersubstrats S unter Umständen in lateraler Richtung weit in die übrigen Bereiche des Halbleitersubstrats abgelenkt werden. Die maximale laterale Abmessung B von G tritt in der Entfernung Rp von der Substratoberfläche auf, die auch als mittlere projizierte Reichweite bezeichnet wird.In Fig. 1, a doped semiconductor substrate S is shown in section, which is covered with a doping mask 1. A mask opening 2 is a first dopant, which is the doping of a deep region to be produced G determined by the opposite conductivity type, by means of a deep ion implantation introduced into the substrate S. It turns out that the lateral dimensions of the opening 2 from the lateral boundaries of the area G in particular in the deeper ones Zones of the semiconductor substrate S are far exceeded. this is explained by the fact that the implanted ions only occur in the deeper zones in their Speed are slowed down so that they hit the atoms of the semiconductor substrate S under certain circumstances far into the remaining areas of the semiconductor substrate in the lateral direction to get distracted. The maximum lateral dimension B of G occurs in the distance Rp from the substrate surface, also called the mean projected range referred to as.

Besteht nun der nächste Verfahrensschritt aus einer in Fig. 2 dargestellten Ionentiefimplantation mit einem zweiten Dotierstoff, der die Grunddotierung des Substrats S verstärkt und durch Öffnungen 3,4 einer komplementär strukturierten Dotierungsmaske 5 in Gebiete G' und G " implantiert wird, so kann bei einer Dotierungskonzentration des zweiten Dotierstoffes, die innerhalb der einzelnen parallel zur Substratoberfläche verlaufenden Zonen jeweils der des ersten Dotierstoffes etwa entspricht, eine Einschnürung der lateralen Grenzen des Gebiets G auf den in Fig. 1 strichpunktiert gezeichneten Verlauf erzielt werden. Die Dotierungskonzentration der jeweils in die Gebiete G und G' bzw. G " implantierten Dotierstoffe kann z. B. so gewählt werden, daß die Summe der Konzentrationen des zweiten Dotierstoffes und der Grunddotierung des Substrats S die Dotierungskonzentration des Gebiets G bevorzugt übersteigt. Durch geeignete Wahl dieser Summe von Konzentrationen kann eine vorgegebene Breite des Gebiets G eingestellt werden, die bei hinreichender Größe dieser Summe auch kleiner sein kann als die Breite der Maskenöffnung 2.The next method step now consists of one shown in FIG Deep ion implantation with a second dopant, which is the basic doping of the Substrate S reinforced and structured in a complementary manner by openings 3, 4 Doping mask 5 is implanted in regions G 'and G ″, then at a doping concentration of the second dopant, which within each parallel to the substrate surface running zones each approximately corresponds to that of the first dopant, a constriction of the lateral boundaries of the area G to those shown in phantom in FIG. 1 Course can be achieved. The doping concentration in each of the regions G and G 'or G "implanted dopants can be selected, for example, so that the Sum of the concentrations of the second dopant and the basic doping of the substrate S preferably exceeds the doping concentration of region G. Through suitable Choice of this sum of concentrations can be a predetermined width of the area G can be set, which can also be smaller if this sum is sufficient than the width of the mask opening 2.

Ein anderes Verfahren zur Reduzierung der lateralen Abmessungen des entgegengesetzt zum Substrat dotierten, tiefreichenden Gebiets G ist in Fig. 3 gezeigt. Danach wird nach dem Einbringen des ersten, den Leitungstyp des Gebiets G definierenden Dotierstoff ein zweiter, die Dotierung des Substrats S verstärkender Dotierstoff mittels einer ganzflächigen Ionentiefimplantation in eine mit 6 bezeichnete, der Unterseite des Gebiets G angenäherte, parallel zur Oberfläche von S verlaufende Halbleiterzone vorgenommen. Wird die Zone 6 dabei so angeordnet, daß sie mit der größten lateralen Ausdehnung des Gebiets G etwa zusammenfällt, so erfolgt eine Ein- schnürung der lateralen Grenzen von G auf den in Fig. 3 strichpunktiert dargestellten Verlauf. Dabei muß die Summe aus der Dotierungskonzentration des zweiten Dotierstoffes und der Dotierungskonzentration des Substrats S stets kleiner sein als die Dotierungskonzentration des ersten Dotierstoffes.Another method of reducing the lateral dimensions of the The deep region G doped opposite to the substrate is shown in FIG. 3. After that, after the introduction of the first, the conduction type of area G is defined Dopant a second dopant which increases the doping of the substrate S by means of a full-area deep ion implantation in a designated 6, the Underside of area G approximated parallel to the surface of S Semiconductor zone made. If the zone 6 is arranged so that it is with the coincides approximately with the largest lateral extent of area G, an lacing of the lateral boundaries of G on the course shown in phantom in FIG. 3. The sum of the doping concentration of the second dopant and the doping concentration of the substrate S must always be smaller than the doping concentration of the first dopant.

Fig. 4 läßt den ersten Verfahrensschritt bei der Bildung eines vergrabenen, entgegengesetzt dotierten Gebiets in einem dotierten Halbleitersubstrat S erkennen. Auch in diesem Fall kann erreicht werden, daß die Öffnung 2 der Dotierungsmaske den lateralen Abmessungen des gewünschten, entgegengesetzt dotierten Gebiets entspricht. Durch eine Ionentiefimplantation eines den Leitungstyp des vergrabenen Gebiets bestimmenden, ersten Dotierstoffes entsteht ein Gebiet G " ', das wieder die lateralen Ausweitungen entsprechend der Fig. 1 besitzt. In einem nachfolgenden Schritt wird dann ein zweiter, die Dotierung des Substrats S verstärkender Dotierstoff mittels einer flachen Ionenimplantation ganzflächig in eine oberhalb des zu bildenden vergrabenden Gebiets liegende Halbleiterzone 7 eingebracht, die parallel zur Substratoberfläche verläuft (Fig. 5). Die Dotierungskonzentration des zweiten Dotierstoffes in der Zone 7 ist dabei wesentlich größer gewählt als die des ersten im Gebiet G??f. Nach diesem Schritt entsteht ein vergrabenes Gebiet VG, das durch die Schicht 7 von der Oberfläche des Halbleitersubstrats S getrennt ist. Bei einer nachfolgenden Wärmebehandlung des Substrats läßt man den zweiten Dotierstoff aus der Zone 7 teilweise in tiefere Substratzonen eindiffundieren, was in Anbetracht der durch die Pfeile in Fig. 5 angedeuteten Diffusionsrichtungen auch zu einer lateralen Einschnürung des Gebiets VG führt, so daß die gestrichelt gezeichneten seitlichen Grenzen erreicht werden.Fig. 4 shows the first process step in the formation of a buried, Recognize oppositely doped region in a doped semiconductor substrate S. In this case, too, it can be achieved that the opening 2 of the doping mask corresponds to the lateral dimensions of the desired, oppositely doped region. Through an ion deep implantation of a conduction type of the buried area, first dopant creates a region G "'which again has the lateral widenings according to FIG. 1. In a subsequent step, a second, dopant enhancing the doping of the substrate S by means of a shallow ion implantation over the entire area in a semiconductor zone lying above the area to be buried 7 introduced, which runs parallel to the substrate surface (Fig. 5). The doping concentration of the second dopant in zone 7 is selected to be significantly larger than that of the first in the G ?? f area. After this step, a buried area is created VG, which is separated from the surface of the semiconductor substrate S by the layer 7 is. In a subsequent heat treatment of the substrate, the second is left Dopant from zone 7 partially diffuse into deeper substrate zones, what in view of the diffusion directions indicated by the arrows in FIG. 5 as well leads to a lateral constriction of the area VG, so that the dashed lines lateral limits can be reached.

Fig. 6 zeigt eine Abwandlung des anhand der Figuren 4 und 5 erläuterten Verfahrens. Dabei wird nach der Ausbildung des vergrabenen Gebiets VG, die in der vorstehend beschriebenen Weise erfolgt, zur lateralen Einschnürung von VG eine weitere ganzflächige Ionentiefimplantation vorgenommen, bei der ein dritter Dotierstoff, der die Dotierung des Substrats S verstärkt, in eine Halbleiterzone 8 eingebracht wird, die der Unterseite von VG angenähert ist, parallel zu der Substratoberfläche verläuft und die größte laterale Ausdehnung von VG enthält. Auch aus diesen Verfahrensschritten kann eine Einschnürung von VG resultieren, die in Fig. 6 durch die gestrichelt eingezeichneten Grenzen angedeutet ist.FIG. 6 shows a modification of that explained with reference to FIGS. 4 and 5 Procedure. After the formation of the buried area VG, which is in the The manner described above takes place, for the lateral constriction of VG, another full-area deep ion implantation carried out, in which a third dopant, which increases the doping of the substrate S, in a Semiconductor zone 8 is introduced, which is approximated to the underside of VG, parallel to the substrate surface and contains the largest lateral extent of VG. Also from these procedural steps A constriction of VG can result, which is shown in FIG. 6 by the dashed lines Limits is indicated.

Mit Vorteil besteht das Halbleitersubstrat S bei jedem der oben erwähnten Verfahren aus p-leitendem Silizium, wobei dann der erste Dotierstoff aus einer Dotierstoffgruppe ausgewählt wird, der die Stoffe Phosphor und Arsen angehören und der zweite und ggf. der dritte Dotierstoff jeweils aus einer Dotierstoffgruppe ausgewählt werden, der die Stoffe Bor, Aluminium und Gallium angehören. Bei n-leitendem Silizium kehren sich die Gruppenzuordnungen der einzelnen Dotierstoffe um. Bei einem Substrat S, das als Verbindungshalbleiter (z.B. GaAs) ausgebildet ist, werden die Dotierstoffe je nach dem Leitungstyp des Substrats einer Dotierstoffgruppe entnommen, die Schwefel, Selen und Tellur enthält oder bestehen aus Zink.The semiconductor substrate S advantageously exists in each of the above-mentioned Method made of p-conductive silicon, in which case the first dopant is from a dopant group is selected, to which the substances phosphorus and arsenic belong and the second and if necessary, the third dopant can each be selected from a dopant group, to which the substances boron, aluminum and gallium belong. Sweep with n-type silicon the group assignments of the individual dopants change. For a substrate S, that is designed as a compound semiconductor (e.g. GaAs) become the dopants depending on the conductivity type of the substrate taken from a dopant group, the sulfur, Selenium and tellurium contain or consist of zinc.

6 Patentansprüche 6 Figuren Leerseite6 claims 6 figures Blank page

Claims (6)

Patentansprüche (1)Verfahren zur Bildung eines tiefreichenden dotierten Gebiets in einem Halbleitersubstrat vom entgegengesetzten Leitungstyp bei dem ein die Dotierung des Gebiets bestimmender erster Dotierstoff mittels einer ersten Ionentiefimplantation durch die Öffnungen einer ersten Dotierungsmaske in das Substrat eingebracht wird, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß nach dem Einbringen des ersten Dotierstoffes ein zweiter, die Dotierung des Substrats verstärkender Dotierstoff durch die Öffnungen einer zweiten Dotierungsmaske, die zu der ersten komplementär strukturiert ist, mittels einer zweiten Ionentiefimplantation derart eingebracht wird, daß er die gleiche mittlere projizierte Reichweite aufweist wie der erste und daß seine Dotierungskonzentration innerhalb von parallel zur Substratoberfläche verlaufenden Zonen in Relation zu aerjenigen des ersten Dotierstoffes jeweils so gewählt wird, daß eine vorgegebene Reduzierung der lateralen Abmessungen des dotlerten Gebiets erfolgt. Claims (1) a method for the formation of a deep doped Area in a semiconductor substrate of the opposite conductivity type to the one the first dopant determining the doping of the region by means of a first deep ion implantation is introduced into the substrate through the openings of a first doping mask, as a result, that after the introduction of the first dopant a second dopant increasing the doping of the substrate through the openings a second doping mask which is structured in a complementary manner to the first, is introduced by means of a second ion deep implantation in such a way that he the has the same mean projected range as the first and that its doping concentration within zones running parallel to the substrate surface in relation to aer that of the first dopant is chosen so that a predetermined Reduction of the lateral dimensions of the doped area takes place. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Summe der Dotierungskonzentrationen des Substrats S und des zweiten Dotierstoffes so gewählt wird, daß sie die Dotierungskonzentration des ersten Dotierstoffes derart übersteigt, daß die lateralen Abmessungen des dotierten Gebiets (G) gleich oder kleiner sind als die entsprechenden Abmessungen der Öffnungen (2) der Dotierungsmaske. 2. The method according to claim 1, characterized in that the sum the doping concentrations of the substrate S and the second dopant are selected is such that it exceeds the doping concentration of the first dopant so that the lateral dimensions of the doped region (G) are equal to or smaller than the corresponding dimensions of the openings (2) of the doping mask. 3. Verfahren zur Bildung eines tiefreichenden dotierten Gebiets in einem Halbleitersubstrat vom entgegengesetzten Leitungstyp, bei dem ein die Dotierung des Gebiets bestimmender erster Dotierstoff mittels einer ersten Ionentiefimplantation durch die Öffnungen einer ersten Dotierungsmaske in das Substrat eingebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Einbringen des ersten Dotierstoffes ein zweiter, die Dotierung des Substrats verstärkender Dotierstoff mittels einer ganzflächigen Ionentiefimplantation in eine der Unterseite des dotierten Gebiets angenäherte, parallel zur Substratoberfläche verlaufende Halbleiterzone (6), in der das tiefreichende Gebiet (G) die größte laterale Ausdehnung aufweist, derart eingebracht wird, daß die Summe aus der Dotierungskonzentration des zweiten Dotierstoffes und der Dotierungskonzentration des Substrats in dieser Halbleiterzone (6) geringer ist als die des ersten Dotierstoffes. 3. Method of forming a deep doped region in a semiconductor substrate of the opposite conductivity type, in which the doping the first dopant determining the area by means of a first deep ion implantation is introduced into the substrate through the openings of a first doping mask, characterized in that after the introduction of the first dopant, a second, the doping of the substrate reinforcing dopant by means of a full-area Deep ion implantation in one of the underside of the doped area approximated, semiconductor zone (6) running parallel to the substrate surface, in which the deep-reaching area (G) has the greatest lateral extent, such is introduced that the sum of the doping concentration of the second dopant and the doping concentration of the substrate in this semiconductor zone (6) is lower is than that of the first dopant. 4. Verfahren zur Bildung eines vergrabenen dotierten Gebiets in einem Halbleitersubstrat vom entgegengesetzten Leitungstyp, bei dem ein die Dotierung des Gebiets bestimmender erster Dotierstoff mittels einer ersten Ionentiefimplantation durch die Öffnungen einer ersten Dotierungsmaske in das Substrat eingebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Einbringen des ersten Dotierstoffes ein zweiter, die Dotierung des Substrats verstärkender Dotierstoff mittels einer Ionenimplantation ganzflächig in eine oberhalb des zu bildenden vergrabenen Gebiets liegende, parallel zur Substratoberfläche verlaufende Halbleiterzone eingebracht wird, wobei die Dotierungskonzentration des zweiten Dotierstoffes wesentlich größer gewählt ist als die des ersten, und daß das Substrat sodann einer Wärmebehandlung unterzogen wird, in deren Verlauf der zweite Dotierstoff unter gleichzeitiger lateraler Einschnürung des vergrabenen Gebiets in tiefere Substratzonen eindiffundiert.4. Method of forming a buried doped region in one Semiconductor substrate of the opposite conductivity type in which the doping the first dopant determining the area by means of a first deep ion implantation is introduced into the substrate through the openings of a first doping mask, characterized in that after the introduction of the first dopant, a second, dopant enhancing the doping of the substrate by means of ion implantation over the entire area in a parallel lying above the buried area to be formed Semiconductor zone running to the substrate surface is introduced, the doping concentration of the second dopant is chosen to be significantly larger than that of the first, and that the substrate is then subjected to a heat treatment in the course of which the second dopant with simultaneous lateral constriction of the buried Area diffused into deeper substrate zones. 5. Verfahren zur Bildung eines vergrabenen dotierten Gebiets in einem Halbleitersubstrat vom entgegengesetzten Leitungstyp, bei dem ein die Dotierung des Gebiets bestimmender erster Dotierstoff mittels einer ersten Ionentiefimplantation durch die Öffnungen einer ersten Dotierungsmaske in das Substrat eingebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Einbringen des ersten Dotierstoffes ein zweiter, die Dotierung des Substrats verstärkender Dotierstoff mittels einer Ionenimplantation ganzflächig in eine oberhalb des zu bildenden vergrabenen Gebiets liegende, parallel zur Substratoberfläche verlaufende Halbleiterzone eingebracht wird, wobei die Dotierungskonzentration des zweiten Dotierstoffes wesentlich größer gewählt ist als die des ersten und daß ein dritter, die Dotierung des Substrats verstärkender Dotierstoff mittels einer ganzflächigen Ionentiefimplantation in eine der Unterseite des vergrabenen Gebiets angenäherte, parallel zur Substratoberfläche verlaufende, zweite Halbleiterzone, in der das tiefreichende Gebiet die größte laterale Ausdehnung aufweist, derart eingebracht wird, daß die Dotierungskonzentration des dritten Dotierstoffes in der zweiten Halbleiterzone geringer ist als die des ersten.5. Method of forming a buried doped region in one Semiconductor substrate of the opposite conductivity type in which the doping the first dopant determining the area by means of a first deep ion implantation is introduced into the substrate through the openings of a first doping mask, characterized in that after the introduction of the first dopant, a second, dopant enhancing the doping of the substrate by means of ion implantation over the entire area in a parallel lying above the buried area to be formed Semiconductor zone running to the substrate surface is introduced, the doping concentration of the second dopant is chosen to be significantly larger than that of the first and that a third dopant which increases the doping of the substrate by means of a full-area deep ion implantation in one of the underside of the buried area approximate, parallel to the substrate surface trending, second Semiconductor zone in which the deep area has the greatest lateral extent, is introduced in such a way that the doping concentration of the third dopant in the second semiconductor zone is less than that of the first. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat aus p-leitendem Silizium besteht, daß der erste Dotierstoff aus einer Dotierstoffgruppe ausgewählt wird, der die Stoffe Phosphor und Arsen angehören und daß der zweite und der dritte Dotierstoff jeweils aus einer Dotierstoffgruppe ausgewählt werden, der die Stoffe Bor, Aluminium und Gallium angehören.6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in, that the semiconductor substrate consists of p-conductive silicon, that the first dopant is selected from a dopant group to which the substances phosphorus and arsenic belong and that the second and third dopants each consist of a dopant group be selected, to which the substances boron, aluminum and gallium belong.
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EP0066065A1 (en) * 1981-05-29 1982-12-08 International Business Machines Corporation Radiation tolerant semiconductor device and method of making such a device

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