DE2736053A1

DE2736053A1 - Temp. variation detector using semiconductor switch - includes thyristor with ambient temp. compensating device using thermistor or diode

Info

Publication number: DE2736053A1
Application number: DE19772736053
Authority: DE
Inventors: Josuke Nakata
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1977-08-10
Filing date: 1977-08-10
Publication date: 1979-02-22
Also published as: DE2736053C2

Abstract

A temp. variation detector or measurement device is a new type using a heat sensitive semiconductor switching device such as a thyristor (30) thermally coupled to a specific device whose temp. is to be monitored. Ambient temp. compensation is provided in a simple efficiently manufactured wide application device. The semiconductor switch has two main and one control electrodes and switches suddenly from high impedance to low impedance at a defined temp. A compensating thermistor or PN diode with impedance dependent on ambient temp. is connected between the control electrode and one main electrode.

Description

Detektor zur Feststellung von Temperatur- Detector for determining temperature

änderungen Beschreibung Die Erfindung betrifft einen Detektor zur Feststellung bzw. Erfassung von Temperaturänderungen. Changes Description The invention relates to a detector for Determination or recording of temperature changes.

Ein wärmeempfindliches Halbleiterschaltelement mit einem PNPN-Ubergang ist bereits aus der US-Patentschrift 4 009 482, der Deutschen Patentschrift 2 446 104 und der Canadischen Patentschrift 1 005 926 bekannt. A heat-sensitive semiconductor switching element with a PNPN junction is already from US patent specification 4 009 482, German patent specification 2,446 104 and Canadian Patent 1,005,926.

Das Durchbruchsphänomen aufgrund von Wärmewirkung, das bei Thyristoren zu Schwierigkeiten führte, ist hierbei zur Schaffung einer wärmeempfindlichen Schalteinrichtung neuartigen Typs in effektiver Weise ausgenutzt worden. The breakdown phenomenon due to the effect of heat that occurs in thyristors led to difficulties, is here to create a heat-sensitive switching device novel type has been effectively exploited.

Ein solcher wärmeemptindllcher Thyristor weist~ Kennwerte bzw. Eigenschaften zur Bestimmung der Temperatur auf, bei der eine Umschaltung vom Sperrzustand zum Durchlaßzustand erfolgt, wenn die Spannung in Durchlaßrichtung und die Steuerbedingungen konstant sind, so daß er zur Erfassung eines absoluten Temperaturwertes in der in den vorstehend erwähnten Patentschriften beschriebenen Weise verwendet werden kann. Such a heat-resistant thyristor has characteristic values or properties to determine the temperature at which a switchover from the locked state to the On condition occurs when the voltage is on and the control conditions are constant, so that it can be used to detect an absolute temperature value in the in the manner described above can be used.

Für Verwendungszwecke, bei denen der wärmeempfindliche Thyristor durch Erfassen des Temperaturanstiegs eines Bauelementes geschaltet werden soll, dessen Temperatur durch thermische Kopplung zwischen dem wärmeempfindlichen Thyristor und dem Bauelement ermittelt wird, ist es jedoch erforderlich, den Einfluß von Änderungen der Umgebungstemperatur zu kompensieren. For uses where the thermosensitive thyristor is to be switched by detecting the temperature rise of a component, its temperature due to thermal coupling between the thermosensitive thyristor and the component is detected, however, it is necessary to take the influence of changes to compensate for the ambient temperature.

Wenn die von dem durch den wärmeempfindlichen Thyristor fließenden Strom hervorgerufene Eigenwärmeerzeugung gering ist, ergibt sich die Temperatur des wärmeempfindlichen Thyristors aus der Summe der Umgebungstemperatur und dem Temperaturanstieg des zu überwachenden Bauelementes, so daß es schwierig ist, den wärmeempfindlichen Thyristor durch genaue Erfassung des Temperaturanstiegs des Bauelementes zu schalten, ohne daß hierbei die Umgebungstemperatur des wärmeempfindlichen Thyristors konstant gehalten wird. When the from flowing through the thermosensitive thyristor Electricity-induced self-heat generation is low, the temperature results of the thermosensitive thyristor from the sum of the ambient temperature and the Temperature rise of the component to be monitored, so that it is difficult to heat-sensitive thyristor by precisely detecting the temperature rise of the component to switch without affecting the ambient temperature of the heat-sensitive thyristor is kept constant.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen neuartigen Detektor zur Feststellung von Temperaturänderungen zu schaffen, der eine wärmeempfindliche Halbleiterschalteinrichtung wie etwa einen wärmeempfindlichen Thyristor aufweist, der mit einem spezifischen Bauteil oder Bauelement, dessen Temperatur festzustellen oder zu überwachen ist, derart thermisch gekoppelt ist, daß der Ein- fluß der Umgebungstemperatur kompensiert und somit eine genaue Feststellung der tatsächlichen Temperaturänderung des überwachten Bauelementes ermöglicht wird. Hierbei soll der Detektor zur Feststellung von Temperaturänderungen einen einfachen Aufbau aufweisen, wirtschaftlich herstellbar sein und relativ breite Anwendungsmöglichkeiten bieten. The object of the invention is therefore to provide a novel detector for To provide detection of temperature changes, the a heat-sensitive semiconductor switching device such as a thermosensitive thyristor with a specific Component or structural element, the temperature of which is to be determined or monitored, is thermally coupled in such a way that the input ambient temperature flow compensated and thus an exact determination of the actual temperature change of the monitored component is made possible. Here the detector should be used to determine of temperature changes have a simple structure, can be produced economically and offer a relatively wide range of possible applications.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst. According to the invention, this object is achieved by the subject matter of the patent claim 1 solved.

In den Unteransprüchen sind vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gekennzeichnet. The subclaims contain advantageous embodiments of the invention marked.

Vorzugsweise verwendete Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden nachstehend näher beschrieben. Preferred embodiments of the invention are shown in of the drawing and are described in more detail below.

Es zeigen: Fig. 1(A) eine schematische Darstellung des herkömmlichen wärmeempfindlichen Thyristors, Fig. 1(B) ein Ersatzschaltbild der Anordnung gemäß Fig. 1(A), Fig. 2 Temperaturkennlinien des wärmeempfindlichen Thyristors gemäß Fig. 1, Fig. 3 eine schematische Ansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Detektors zur Feststellung von Temperaturänderungen, Fig. 4 Kennlinien, die das Prinzip der Kompensation des Einflusses der Umgebungstemperatur bei dem Detektor zur Feststellung von Temperaturänderungen gemäß der Erfindung veranschaulichen, Fig. 5 Strom/Spannungskennlinien einer zur Kompensation verwendeten PN-Diode, und Fig. 6 Temperaturkennlinien eines wärmeempfindlichen Thyristors im Falle der Verwendung der PN-Diode zur Kompensation. 1 (A) is a schematic diagram of the conventional one heat-sensitive thyristor, Fig. 1 (B) is an equivalent circuit diagram of the arrangement according to Fig. 1 (A), Fig. 2 temperature characteristics of the heat-sensitive thyristor according to Fig. 1, FIG. 3 is a schematic view of an embodiment of the invention Detector to determine temperature changes, Fig. 4 characteristics, which the principle of compensation for the influence of the ambient temperature at the Illustrate detector for detecting temperature changes according to the invention, 5 current / voltage characteristics of a PN diode used for compensation, and Fig. 6 Temperature characteristics of a thermosensitive thyristor in the case of use the PN diode for compensation.

Fig. 1(A) ist eine schematische Darstellung eines wärmeempfindlichen Thyristors 30, bei der die Bezugszahl 10 eine P-leitende Emitterschicht, die Bezugszahl 12 eine N-leitende Basisschicht, die Bezugszahl 14 eine P-leitende Basisschicht, die Bezugszahl 16 einen N-leitenden Emitter, die Bezugszahlen 18, 20 und 22 jeweils einen ersten, zweiten bzw. dritten PN-Ubergang, die Bezugszahl 24 eine Anode, die Bezugszahl 26 eine Kathode, die Bezugszahl 28 eine Steuerelektrode, die Bezugszahl 32 einen Steuerwiderstand und die Bezugs zahl 34 ein nahe dem wärmeempfindlichen Thyristor 30 angeordnetes Bauteil oder Bauelement, dessen Temperatur erfaßt wird (Wärmequelle), bezeichnen. Fig. 1 (A) is a schematic diagram of a thermosensitive Thyristor 30, in which the reference number 10 is a P-type emitter layer, the reference number 12 an N-conductive base layer, the reference number 14 a P-conductive base layer, reference numeral 16 an N-type emitter; reference numerals 18, 20 and 22, respectively a first, second and third PN junction, reference numeral 24 an anode, the Reference number 26 a cathode, reference number 28 a control electrode, reference number 32 a control resistor and the reference number 34 a close to the heat-sensitive Thyristor 30 arranged component or component, the temperature of which is detected (Heat source).

Fig. 1(B) stellt ein Ersatzschaltbild einer indirekt erwärmten wärmeempfindlichen Thyristoranordnung 100 dar, die die thermische Kopplung des wärmeempfindlichen Thyristors 30 mit der Wärmequelle (Heizeinrichtung) 34 veranschaulicht. Der wärmeempfindliche Thyristor 30 kann einen aus fünf Schichten bestehenden PNPNP-Aufbau (oder NPNPN-Aufbau) sowie auch einen aus vier Schichten bestehenden PNPN-Aufbau aufweisen. Fig. 1 (B) shows an equivalent circuit diagram of an indirectly heated thermosensitive Thyristor arrangement 100 represents the thermal coupling of the heat-sensitive thyristor 30 with the heat source (heater) 34 illustrated. The heat sensitive Thyristor 30 can have a five-layer PNPNP structure (or NPNPN structure) as well as a four-layer PNPN structure.

In Fig. 2 sind Temperaturkennlinien des wärmeempfindlichen Thyristors dargestellt, die die Abhängigkeit der Durchbruchs spannung VBo des wärmeempfindlichen Thyristors 30 von der Temperatur T. des wärmeempfind-3 lichen Thyristors für Widerstandswerte des Steuerwiderstandes 32 von 1 kQ , 10 k Q , und 100 k Q veranschaulichen. In Fig. 2, there are temperature characteristics of the thermosensitive thyristor shows the dependence of the breakdown voltage VBo of the heat-sensitive Thyristor 30 from the temperature T. of the heat-sensitive 3 union thyristor for resistance values of the control resistor 32 of 1 kΩ, 10 kΩ, and 100 kΩ.

Aus dem Verlauf der Kennlinien gemäß Fig. 2 ist ersichtlich, daß die Durchbruchsspannung V im Falle eines Anstiegs der Temperatur T. bei konstantem Wider-3 standswert des Steuerwiderstandes beträchtlich absinkt. From the course of the characteristics according to FIG. 2 it can be seen that the breakdown voltage V in the case of an increase in temperature T. at constant Resistance value of the control resistor drops considerably.

Nachstehend soll nun eine Ausführungsform der Erfindung unter Einbeziehung der grundsätzlichen Eigenschaften wärmeempfindlicher Thyristoren näher beschrieben werden. The following is now intended to incorporate an embodiment of the invention the basic properties of heat-sensitive thyristors are described in more detail will.

Fig. 3 stellt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform der Erfindung dar. Ein Thermistor bzw. FIG. 3 is a schematic view of an embodiment of FIG Invention. A thermistor or

Heißleiter 40, der die in Fig. 4 durch die gestrichelte Linie II dargestellte Widerstands/Temperaturkennlinie aufweist, findet als Steuerwiderstand R5 Verwendung. Die Umgebungstemperatur des wärmeempfindlichen Thyristors 30 wird von dem Thermistor derart erfaßt, daß der Thyristor auch bei Änderungen der Umgebungstemperatur bei dem gewünschten spezifischen Wert des Temperaturanstiegs der Wärmequelle (34) geschaltet bzw. umgeschaltet wird.Thermistor 40, which is shown in Fig. 4 by the dashed line II Has resistance / temperature characteristic is used as control resistor R5. The ambient temperature of the thermosensitive thyristor 30 is determined by the thermistor detected in such a way that the thyristor even with changes in the ambient temperature the desired specific value of the temperature rise of the heat source (34) switched or is switched.

Fig. 4 zeigt Kennlinien, die das Prinzip der Kompensation von Umgebungstemperaturänderungen durch den Thermistor veranschaulichen, wobei die Schalttemperatur T5 (oC) über der Ordinate und der Widerstandswert R5 (KO. Fig. 4 shows characteristics showing the principle of compensation for ambient temperature changes illustrate by the thermistor, with the switching temperature T5 (oC) above the Ordinate and the resistance value R5 (KO.

des Steuerwiderstandes in logarithmischem Maßstab über der Abszisse aufgetragen sind.of the control resistance on a logarithmic scale over the abscissa are applied.

In Fig. 4 bezeichnet die ausgezogene Linie (I) die Schalttemperatur T5, bei der der wärmeempfindliche Thyristor 30 durchgeschaltet wird, wenn eine Spannung von 10 V zwischen der Anode 24 und der Kathode 26 des wärmeempfindlichen Thyristors 30 zur Änderung des Widerstandswertes R5 des Steuerwiderstandes 32 angelegt wird. In Fig. 4, the solid line (I) denotes the switching temperature T5, in which the heat-sensitive thyristor 30 is switched through when a voltage of 10 V between the anode 24 and the cathode 26 of the thermosensitive thyristor 30 to change the resistance value R5 of the control resistor 32 is applied.

In einem Bereich des Widerstandswertes Rs von 1 KQ bis 500 K2 ändert sich die Schalttemperatur T5 im wesentlichen umgekehrt proportional zu den logarithmischen Werten des Widerstandes. Changes in a range of the resistance value Rs from 1 KQ to 500 K2 the switching temperature T5 is essentially inversely proportional to the logarithmic Values of resistance.

Wie durch die gestrichelte Linie (11) gemäß Fig. 4 veranschaulicht wird, findet bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform der Erfindung ein Thermistor Verwendung, der die Widerstands-Temperatur-Kennwerte des Gradienten der ausgezogenen Linie (I) aufweist. Die Umgebungstemperatur des wärmeempfindlichen Thyristors 30 wird von dem Thermistor erfaßt, so daß trotz Änderung der Umgebungstemperatur bei einem Temperaturanstieg der Wärmequelle bei dem vorgegebenen spezifischen Wert ein Schaltvorgang erfolgt. As illustrated by the dashed line (11) in FIG. 4 takes place in the embodiment of the invention described above Thermistor use that shows the resistance-temperature characteristics of the gradient of the has solid line (I). The ambient temperature of the heat-sensitive Thyristor 30 is detected by the thermistor, so that despite the change in the ambient temperature when the temperature of the heat source rises at the predetermined specific value a switching process takes place.

Wenn der Widerstandswert R5 des Thermistori bei einem Wert der Umgebungstemperatur von 0 OC ungefähr 500 K Q beträgt, liegt die Schalttemperatur T5 des wärmeempfindlichen Thyristors 30 bei ungefähr 100ob, wie aus der ausgezogenen Linie (I) gemäß Fig. 4 ersichtlich ist. When the resistance value R5 of the thermistor is at a value of the ambient temperature of 0 OC is approximately 500 K Q, the switching temperature T5 of the heat-sensitive Thyristor 30 at about 100ob, as shown by the solid line (I) of FIG. 4 can be seen.

Wenn die Umgebungstemperatur bei ungefähr 62,50C liegt, beträgt der Widerstandswert des Thermistors ungefähr 5 Ki , wie dies durch die gestrichelte Linie (11) dargestellt ist. Die Schalttemperatur des wärmeempfindlichen Thyristors 30 beträgt ungefähr 162,50C. Das heißt, daß der wärmeempfindliche Thyristor 30 trotz Änderung der Umgebungstemperatur ständig bei einer Temperatur geschaltet werden kann, die um ungefähr 1000C über der Umgebungstemperatur liegt. When the ambient temperature is around 62.50C, the Resistance of the thermistor about 5 Ki, as indicated by the dashed line Line (11) is shown. The switching temperature of the heat sensitive thyristor 30 is approximately 162.50C. That is, the thermosensitive thyristor 30 despite modification the ambient temperature is constantly switched at one temperature which is about 1000C above the ambient temperature.

Der Temperaturänderungswert für die Feststellung bzw. Erfassung (1000C) kann durch entsprechende Wahl des Widerstandswertes bei der spezifischen Temperatur beliebig eingestellt werden. The temperature change value for the determination or detection (1000C) can by choosing the resistance value at the specific temperature can be set as required.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden die Einflüsse der Umgebungstemperatur kompensiert, indem eine PN-Diode zur Kompensation von Umgebungstemperaturänderungen zwischen den Kathodenanschluß 26 und den Steuerelektrodenanschluß 28 des wärmeempfindlichen Thyristors 30 geschaltet wird. In diesem Falle ist der Kathodenanschluß des wärmeempfindlichen Thyristors mit dem N-seitigen Anschluß der PN-Diode zur Kompensation von Umgebungstemperaturänderungen verbunden. In a further embodiment of the invention, the influences The ambient temperature is compensated by adding a PN diode to compensate for ambient temperature changes between the cathode terminal 26 and the control electrode terminal 28 of the heat-sensitive Thyristor 30 is switched. In this case the cathode terminal is the thermosensitive one Thyristor with the N-side connection of the PN diode to compensate for changes in ambient temperature tied together.

Gemäß den Strom-Spannungskennlinien (I/U-Kennlinien) der PN-Diode zur Kompensation von Umgebungstemperaturänderungen in der in Fig. 4 dargestellten Weise verringert sich der äquivalente Widerstandswert bei der gleichen Spannung durch einen Anstieg der Temperatur Ta . Dies zeigt, daß die I/U-Kennlinie in einem gewissen Temperaturbereich den gleichen Gradienten wie die Temperaturkennlinie (I) des wärmeempfindlichen Thyristors gemäß Fig. 3 aufweist. Dies wiederum bedeutet, daß sich Änderungen der Umgebungstemperatur kompensieren lassen.According to the current-voltage characteristics (I / U characteristics) of the PN diode to compensate for changes in ambient temperature in the one shown in FIG Way, the equivalent resistance value decreases with the same voltage by an increase in temperature Ta. This shows that the I / U characteristic in one certain temperature range has the same gradient as the temperature curve (I) of the thermosensitive thyristor shown in FIG. This in turn means that changes in the ambient temperature can be compensated.

Dem diese Ausführungsform der Erfindung betreffenden Diagramm gemäß Fig. 5 ist zu entnehmen, daß die I/U-Kennlinie der PN-Diode zur Kompensation von Umgebungstemperaturänderungen gleich bzw. entsprechend der I/U-Kennlinie des PN-Bereiches zwischen dem Steuerelektrodenanschluß 28 und dem Kathodenanschluß 26 des wärmeempfind- lichen Thyristors 30 ausgewählt worden ist. According to the diagram relating to this embodiment of the invention Fig. 5 shows that the I / U characteristic of the PN diode to compensate for Ambient temperature changes equal to or according to the I / U characteristic of the PN range between the control electrode connection 28 and the cathode connection 26 of the heat-sensitive lichen Thyristor 30 has been selected.

Der wärmeempfindliche Thyristor 30 ist derart angeordnet, daß er mit der Wärmequelle thermisch gekoppelt ist. Die PN-Diode zur Temperaturkompensation ist von der Wärmequelle entfernt angeordnet, so daß sie lediglich von der Umgebungstemperatur Ta beeinflußt wird. The heat sensitive thyristor 30 is arranged so that it is thermally coupled to the heat source. The PN diode for temperature compensation is located away from the heat source, so that it is only affected by the ambient temperature Ta is affected.

In Fig. 6 ist die Beziehung zwischen der Durchbruchsspannung VBo und der Temperatur T. des wärmeempfindlichen 3 Thyristors 30 unter Verwendung der Umgebungstemperatur Ta der zur Temperaturkompensation dienenden PN -Diode als Parameter dargestellt. Die Anschluß- oder Klemmenspannung V des wärmeempfindlichen Thyristors beträgt 15 V, so daß 5 die Schalttemperatur T51 des wärmeempfindlichen Thyristors bei einer 250C betragenden Umgebungstemperatur den Wert 700C aufweist. Wenn die Umgebungstemperatur Ta den Wert 500C aufweist, beträgt die Schalttemperatur T52 950C. In Fig. 6, the relationship between the breakdown voltage is VBo and the temperature T. of the thermosensitive 3 thyristor 30 using the Ambient temperature Ta of the PN diode used for temperature compensation as a parameter shown. The terminal or terminal voltage V of the thermosensitive thyristor is 15 V, so that the switching temperature T51 of the heat-sensitive thyristor has the value 700C at an ambient temperature of 250C. If the Ambient temperature Ta has the value 500C, the switching temperature is T52 950C.

Das heißt, die Schalttemperatur erhöht sich bei einem Anstieg der Umgebungstemperatur von 250C ebenfalls um zur so daß sich der Erfassungswert von 500C für den Temperaturanstieg nicht ändert.This means that the switching temperature increases when the Ambient temperature of 250C also around so that the detection value of 500C for the temperature rise does not change.

Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ist der wärmeempfindliche Thyristor als wärmeempfindliche Halbleiterschalteinrichtung betrachtet worden. Somit ist die Verwendung einer wärmeempfindlichen Halbleiterschalteinrichtung möglich, die durch Verbinden eines PNP-Transistors mit einem äquivalenten NPN-Transistor gebildet ist. In the embodiments described above, the one is heat sensitive Thyristor has been regarded as a heat sensitive semiconductor switching device. Consequently it is possible to use a heat-sensitive semiconductor switching device, those by connecting a PNP transistor to an equivalent NPN transistor is formed.

Als variables Impedanzelement, dessen Impedanz sich in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur ändert, hat ein Thermistor bzw. eine Thermistor-Diode Verwendung gefunden. Somit ist auch die Verwendung anderer Bauelemente möglich, die den Einfluß der Umgebungstemperatur auf die Schalttemperaturkennwerte bzw. -kennlinie der wärmeempfindlichen Halbleiterschalteinrichtung durch eine in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur variable Impedanzkennlinie bzw. Impedanzkennwerte kompensieren. As a variable impedance element, the impedance of which is dependent changes from the ambient temperature, has a thermistor or a thermistor diode Use found. This means that other components can also be used possible, the influence of the ambient temperature on the switching temperature characteristic values or characteristic curve of the heat-sensitive semiconductor switching device by a function of compensate for the variable impedance characteristic curve or impedance characteristic values of the ambient temperature.

Wie in Verbindung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung erläutert, ist die wärmeempfindliche Halbleiterschalteinrichtung mit dem Bauteil oder Bauelement, dessen Temperatur erfaßt werden soll, wie zum Beispiel mit einem Motor, einem Transformator, einer Heizeinrichtung usw. thermisch derart gekoppelt, daß der Einfluß von Änderungen der Umgebungstemperatur durch das mit dem Steueranschluß verbundene variable Impedanzelement kompensiert wird. Die Temperaturänderung des Bauteiles oder Bauelementes, dessen Temperatur erfaßt werden soll, läßt sich somit unabhängig von Änderungen der Umgebungstemperatur feststellen. Der erfindungsgemäße Detektor zur Feststellung von Temperaturänderungen kann somit in einem weiten Anwendungsbereich für unterschiedlichste Steuerschaltungen Verwendung finden, so daß seine industrielle Verwertbarkeit beträchtlich ist. As in connection with the embodiments described above the invention explained, the heat-sensitive semiconductor switching device is with the component or component whose temperature is to be detected, such as, for example with a motor, a transformer, a heater, etc. thermally so coupled that the influence of changes in ambient temperature by the the variable impedance element connected to the control terminal is compensated. The temperature change of the component or component, the temperature of which is to be detected, can thus determine regardless of changes in the ambient temperature. The inventive Detector for detecting temperature changes can thus be used in a wide range of applications for a wide variety of control circuits use, so its industrial Usability is considerable.

Auch kann der Temperaturänderungen feststellende Detektor gemäß der Erfindung zur Steuerung und Konstanthaltung der Temperaturdifferenz zwischen zwei Substraten oder zwei Zwischenräumen bzw. -bereichen wie z. B. bei einer Klimaanlage und/oder einem einfachen Leistungsmeßgerät Verwendung finden. The detector which detects temperature changes can also be used in accordance with FIG Invention for controlling and keeping constant the temperature difference between two Substrates or two spaces or areas such. B. in an air conditioning system and / or a simple power meter can be used.

Zusammengefaßt weist der vorgeschlagene Detektor zur Feststellung von Temperaturänderungen somit eine wärmeempfindliche Halblelterschaltelnrlchtung (einen wärmeempfindlichen Thyristor) auf und führt einen Schaltvorvorgang durch, wenn die Temperatur eines hinsichtlich seiner Temperatur zu Uberwachenden Bauteils oder Bauelementes eine Xnderung.auf einen spezifischen Wert hinsichtlich der Umgebungstemperatur erfährt. In summary, the proposed detector has to be determined of temperature changes thus a heat-sensitive half-switch switch device (a heat-sensitive thyristor) and performs a switching operation, if the temperature of one as to its temperature to be monitored Component or component a change to a specific value with regard to the ambient temperature.

Ein variables Impedanzelement, d. h., ein Bauelement mit variabler Impedanz wie etwa ein Thermistor und/oder eine Diode, deren Widerstandswert sich in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur ändert, ist zwischen den P-Steuerelektrodenanschluß und den Kathodenanschluß des wärmeempfindlichen Thyristors geschaltet, der wiederum thermisch mit dem Bauteil oder Bauelement gekoppelt ist, dessen Temperatur erfaßt bzw. festgestellt werden soll, wodurch der Einfluß der Umgebungstemperatur auf das Schaltverhalten bzw. die Schalttemperaturkennlinie oder -kennwerte des wärmeempfindlichen Thyristors kompensiert wird. A variable impedance element, i. i.e., a component with variable Impedance such as a thermistor and / or diode, the resistance of which is different changes depending on the ambient temperature, is between the P-control electrode connection and the cathode connection of the heat-sensitive thyristor switched, which in turn is thermally coupled to the component or component whose temperature is detected or should be determined, whereby the influence of the ambient temperature on the Switching behavior or the switching temperature characteristic or characteristic values of the heat-sensitive Thyristor is compensated.

Claims

Claims t1 * t detector for determining temperature changes, characterized in that a heat-sensitive semiconductor switching device (30) is thermally coupled to a component (34), the temperature of which is detected, has at least two main electrodes (24, 26) and a control electrode (28) and suddenly from an operating state when heated to a certain temperature switches with high impedance to an operating state with low impedance, and that a component (40) with variable depending on the ambient temperature Impedance between one of the main electrodes and the control electrode of the thermosensitive Semiconductor switching device is switched, whereby the influence of the ambient temperature on the switching temperature value of the heat-sensitive semiconductor switching device due to the impedance value of the variable depending on the ambient temperature Impedance component (40) is compensated.

2. Detector according to claim 1, characterized gekennEe'lc'hSeUtv w that the heat-sensitive semiconductor switching device at least four semiconductor layers with alternately different conductivity types.

3. Detector according to claim 1, characterized in that the heat-sensitive Semiconductor switching device formed by a PNP transistor and an NPN transistor will.

4. Detector according to claim 1, characterized in that the component variable impedance is a thermistor.

5. Detector according to claim 1, characterized in that the component variable impedance is a PN diode.