DE2727653A1 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - Google Patents

LIQUID CRYSTAL DISPLAY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

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Kenzi Matsuhiro
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Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigezelle. Insbesondere betrifft die Erfindung einen orientierenden Film zur orientierenden Ausrichtung der Flüssigkristallmoleküle sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Zelle.The invention relates to a liquid crystal display cell. In particular, the invention relates to an orienting Film for orienting the liquid crystal molecules and a method for producing this cell.

Bisher wurde die Ausrichtung oder Orientierung der Flüssigkristallmoleküle durch ein Reibverfahren bewirkt. Dieses Reibverfahren verträgt sich jedoch nicht mit der hohen Versiegelungstemperatur, welche beim Versiegeln mit Glas erforderlich ist. Andererseits ist es bekannt, einen orientierenden Film nach einem Schrägaufdampfverfahren herzustellen. Dabei erhält man einen thermisch stabilen Orientierungsfilm. Dieses Verfahren wurde z. B. beschrieben von E. Guyon, P. Pieranski & M. Boix "On different boundary conditions of nematic films deposited on obliquely evaporated plates", Lett. Appl. Eng. Sei., Band 1, Seiten 19-24, 1973, US-Patent-Anmeldung Nr. 386 472 vom 7. August 1973, welche am 10. September 1974 zu dem US-Patent 3 834 792 führt; US-Patent-Anmeldung Nr. 480 665 vom 19. Juni 1974, welche am 22. Juni 1976 zu dem US-Patent Nr. 3 964 158 führte.Heretofore, the alignment or orientation of the liquid crystal molecules has been effected by a rubbing method. However, this rubbing method is incompatible with the high sealing temperature which is required when sealing with glass. On the other hand, it is known to produce an orienting film by an oblique vapor deposition method. A thermally stable orientation film is thereby obtained. This method has been used e.g. B. described by E. Guyon, P. Pieranski & M. Boix "On different boundary conditions of nematic films deposited on obliquely evaporated plates", Lett. Appl. Closely. Sci., Vol. 1, pages 19-24, 1973, U.S. Patent Application No. 386,472 filed August 7, 1973, which leads to U.S. Patent 3,834,792 on September 10, 1974; U.S. Patent Application No. 480,665 filed June 19, 1974 which gave rise to U.S. Patent No. 3,964,158 on June 22, 1976.

Bei dem bekannten Verfahren beträgt der Kippwinkel oder Neigungswinkel der Flüssigkristallmoleküle zur Substratoberfläche etwa 0° oder etwa 25°. Wenn der Kippwinkel etwa bedeutet, und das elektrische Feld angelegt wird, so ist es schwierig, die Richtung bei der Reorientierung der Flüssigkristallmoleküle festzulegen, so daß man einen umgekehrten Kippwinkel erhält. Wenn der Kippwinkel etwa 25 ° beträgt, so unterliegt die Richtung, aus der die Anzeigetafel leicht lesbar ist, erheblichen Beschränkungen, so daß der Betrachungswinkel-Bereich schmal ist, und die Anzeigetafel hat keine guten Multiplexeigenschaften.In the known method, the tilt angle or angle of inclination of the liquid crystal molecules to the substrate surface is about 0 ° or about 25 °. If the tilt angle means something, and the electric field is applied, so it is difficult to determine the direction of reorientation of the liquid crystal molecules so that it is reversed Tilt angle receives. If the tilt angle is about 25 °, the direction from which the display panel is slightly subject legible, severe restrictions, so that the viewing angle range is narrow, and the display panel does not have good multiplexing properties.

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Ein orientierender Film mit zwei Schichten zur Verhinderung eines umgekehrten Kippens wurde z. B. in der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Nr. 138849/1975 vom 6. November 1975 beschrieben, sowie in dem US-Patent 3 967 883 vom 6. Juli 1976. In der ersteren Anmeldung findet sich keine Beschreibung der speziellen Struktur und der Herstellung derselben und in dem letzteren US-Patent 3 967 883 ist die zweite Schicht, welche mit den Flüssigkristallmolekülen in Berührung kommt, extrem dünn (weniger als 20 8), so daß die Steuerung der Filmdicke schwierig ist und die Reproduzierbarkeit und Stabilität bei einer industriellen Fertigung unbefriedigend sind.An orienting film having two layers for preventing reverse tilting has been used, for example, in US Pat. B. in Japanese unexamined patent application No. 138849/1975 dated November 6th In 1975 and in U.S. Patent 3,967,883 dated July 6, 1976. There is no description in the former application the specific structure and manufacture thereof and in the latter U.S. Patent 3,967,883 the second layer is which comes into contact with the liquid crystal molecules, extremely thin (less than 20 8), so that the control of the Film thickness is difficult and the reproducibility and stability in industrial production are unsatisfactory are.

Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristallanzeigezelle zu schaffen, welche leicht lesbar ist und bei der die Flüssigkristallmoleküle ohne umgekehrte Kippung oder Neigung in einer Richtung orientiert sind. Die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigezelle soll somit einen weiten Betrachtungswinkel haben, sowie ausgezeichnete MuItiplexeigenschaften, und der Orientierungsfilm soll gegen hohe Temperaturen stabil sein. Ferner wird erfindungsgemäß ein Verfahren zur Ausbildung eines stabilien Orientierungsfilms mit hoher Reproduzierbarkeit geschaffen, welches vereinfacht ist und weniger Verfahrensmaßnahmen erfordert und sich somit für die Massenfertigung eignet.It is therefore an object of the present invention to provide a liquid crystal display cell to create which is easy to read and in which the liquid crystal molecules without inverted Tilt or incline are oriented in one direction. The liquid crystal display cell of the present invention should thus have a wide viewing angle, as well as excellent Multiplex properties, and the orientation film should against be stable at high temperatures. Furthermore, according to the invention provided a method of forming a stable orientation film with high reproducibility, which is simplified and requires fewer procedural measures and is therefore suitable for mass production.

Die vorstehende Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man die erste Schicht mit einem Einfallswinkel O1 im Bereich von 60 bis 88° abscheidet und darauf die zweite Schicht mit einem Einfallswinkel von θ im Bereich von 4 5 bis 75 abscheidet.The above object is achieved according to the invention in that the first layer is deposited with an angle of incidence O 1 in the range from 60 to 88 ° and the second layer is deposited thereon with an angle of incidence of θ in the range from 45 to 75 °.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:In the following the invention is explained in more detail with reference to drawings. Show it:

Fig. 1 eine schematische Ansicht einer Feldeffekt-Flüssigkristallanzeigezelle; Fig. 1 is a schematic view of a field effect liquid crystal display cell;

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Fig. 2 ein Elektrodenmuster für Multiplexbetrieb; Fig. 3 den Einfallswinkel 0;Fig. 2 shows an electrode pattern for multiplexing; 3 shows the angle of incidence 0;

Fig. 4 die Bildung eines Orientierungsfilms; Fig. 5 eine vergrößerte Ansicht des Orientierungsfilms;Fig. 4 shows the formation of an orientation film; Fig. 5 is an enlarged view of the orientation film;

Fig. 6 den Kreuzungswinkel γ zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht;6 shows the crossing angle γ between the first layer and the second layer;

Fig. 7 und 9 Diagramme der Spannungs-Leucht-Charakteristik und7 and 9 are graphs of the voltage-luminous characteristics and

Fig. 8 eine schematische Ansicht einer Flüssigkristallanzeigezelle gemäß vorliegender Erfindung.Figure 8 is a schematic view of a liquid crystal display cell according to the present invention.

Die Feldeffekt-Flüssigkristallanzeigezelle hat den Aufbau gemäß Fig. 1. Auf einem Paar von Substraten 2, 4,z. B. Glasplatten, ist jeweils eine elektrisch leitfähige Folie (Elektrode) 1, 3 aus Zinnoxid und/oder Indiumoxid mit einem vorbestimmten Muster ausgebildet. Die Substrate sind mit Hilfe eines Abstandselementes 5 in einem vorbestimmten Abstand einander gegenüber angeordnet. Eine Flüssigkristallsubstanz 6 ist in den Zwischenraum eingefüllt und der Zwischenraum ist versiegelt. Ein Paar Polarisatoren 7, 8 sind auf den Außenflächen der Substrate 2, 4 vorgesehen.The field effect liquid crystal display cell has the structure according to FIG. 1. On a pair of substrates 2, 4, e.g. B. glass plates, each is an electrically conductive film (Electrode) 1, 3 formed from tin oxide and / or indium oxide with a predetermined pattern. The substrates are with With the aid of a spacer element 5 arranged opposite one another at a predetermined distance. A liquid crystal substance 6 is filled in the space and the space is sealed. A pair of polarizers 7, 8 are provided on the outer surfaces of the substrates 2, 4.

Wenn an die Elektroden 1, 3 mittels einer Treiberschaltung 9 ein elektrisches Feld angelegt wird, so findet eine Anzeige statt durch die Reorientierung der Flüssigkristallmoleküle. Bei einem Multiplexbetrieb der Anzeige sind gemeinsame Segmente für beide Elektroden in Form eines Elektrodenmusters gemäß Fig. 2 angeordnet und die Anzeige erfolgt im Multiplexbetrieb. When connected to the electrodes 1, 3 by means of a driver circuit 9 an electric field is applied, a display takes place through the reorientation of the liquid crystal molecules. When the display is multiplexed, segments are common for both electrodes in the form of an electrode pattern arranged according to FIG. 2 and the display takes place in multiplex mode.

Bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigezelle wird die erste Schicht gemäß Fig. 3 mit einem Einfallswinkel G1 von 60 bis 88 ° auf den Oberflächen der Substrate abgeschieden, und zwar auf den die Elektroden tragenden Oberflächen, welche mit den Flüssigkristallmolekülen in Berührung stehen. Danach wird die zweite Schicht mit einem Einfallswinkel O2 von 45 bis 75° auf der ersten Schicht abgeschieden. Die erste Schicht auf der Oberfläche des SubstratsIn the liquid crystal display cell according to the invention, the first layer according to FIG. 3 is deposited at an angle of incidence G 1 of 60 to 88 ° on the surfaces of the substrates, specifically on the surfaces carrying the electrodes which are in contact with the liquid crystal molecules. The second layer is then deposited on the first layer at an angle of incidence O 2 of 45 to 75 °. The first layer on the surface of the substrate

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wird durch Abscheidung von orientierendem Material, wie SiO2, MgF2, WO3, MoO3 oder dgl. mit dem ausgewählten Einfallswinkel auf das Substrat ausgebildet. Zur Abscheidung des orientierenden Materials auf die Oberfläche des Substrats mit dem gewünschten Einfallswinkel wird die Verdampfungsquelle 10 in der Neigungsrichtung zu einer senkrecht zur Oberfläche des Substrats verlaufenden Linie angeordnet. Geeignete Verfahren zur Abscheidung sind die Vakuumaufdampf ung, das Sputter-Verfahren und andere bekannte Dampfverfahren. is formed by depositing orienting material such as SiO 2 , MgF 2 , WO 3 , MoO 3 or the like with the selected angle of incidence on the substrate. In order to deposit the orienting material on the surface of the substrate at the desired angle of incidence, the evaporation source 10 is arranged in the direction of inclination to a line running perpendicular to the surface of the substrate. Suitable processes for deposition are vacuum vapor deposition, the sputtering process and other known vapor processes.

Fig. 5 zeigt eine vergrößerte Teilansicht der erhaltenen ersten Schicht. Die Richtung der Verdampfungsquelle wird bestimmt durch den Winkel < hsa = θ (Einfallswinkel) zwischen der Richtung der verdampften Teilchen sa (Einfallsrichtung) von der Verdampfungsquelle 10 und der senkrechten Linie hs auf das Substrat gemäß Fig. 3. In Fig. 3 bezeichnet die Richtung sa1 die Projektion der Linie sa auf das Substrat. Diese wird im folgenden als Abscheidungsrichtung bezeichnet. Man erhält die Wirkung des Orientierungsfilms wenn der Einfallswinkel O- im Bereich von 45 bis 89,9° und vorzugsweise von 60 bis 88° und speziell von 70 bis 85 liegt. Diese Maßnahme ist wirksam hinsichtlich der Kohärenz der zweiten Schicht. Die zweite, auf die erste Schicht aufgebrachte Schicht wird ebenfalls durch Abscheidung von fluchtenden Materalien, wie SiO2, MgF2, WO3, MoO3 usw. in einem ausgewählten Einfallswinkel O2 auf das Substrat aufgebracht. Der gewünschte Effekt des Orientierungsfilms wird erhalten, wenn der Einfallswinkel O2 im Bereich von 45 bis 89.9° liegt. Zur Erzielung ausgezeichneter Multiplexcharakteristika ist es bevorzugt, das Orientierungsmaterial in einem Einfallswinkel O„ von 45 bis 75° und speziell 50 bis 70° abzuscheiden. Bei der Abscheidung beeinflußt der Kreuzungswinkel f zwischen der Abscheidungsrichtung a's der ersten Schicht und der Abscheidungsrichtung b's der zweiten Schicht (Fig. 6) den Neigungswinkel oder Kippwinkel relativ zum Substrat.Fig. 5 shows an enlarged partial view of the first layer obtained. The direction of the evaporation source is determined by the angle <hsa = θ (angle of incidence) between the direction of the evaporated particles sa (direction of incidence) from the evaporation source 10 and the vertical line hs on the substrate according to FIG. 3. In FIG. 3 denotes the direction sa 1 the projection of the line sa onto the substrate. This is referred to below as the deposition direction. The effect of the orientation film is obtained when the angle of incidence O- is in the range from 45 to 89.9 ° and preferably from 60 to 88 ° and especially from 70 to 85 °. This measure is effective in terms of the coherence of the second layer. The second layer applied to the first layer is also applied to the substrate by the deposition of aligned materials such as SiO 2 , MgF 2 , WO 3 , MoO 3 etc. at a selected angle of incidence O 2. The desired effect of the orientation film is obtained when the angle of incidence O 2 is in the range from 45 to 89.9 °. In order to achieve excellent multiplex characteristics, it is preferred to deposit the orientation material at an angle of incidence of 45 to 75 ° and especially 50 to 70 °. During the deposition, the crossing angle f between the deposition direction a's of the first layer and the deposition direction b's of the second layer (FIG. 6) influences the angle of inclination or tilt angle relative to the substrate.

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Dieser Winkel wird im Bereich von O°< t<89° oder 91° ·' · < 179° ausgewählt. Zur Erzielung ausgezeichneter Multiplexcharakteristika ist ein Winkel -f im Bereich von 10°v t % 60° oder 120°x ^ N 170° bevorzugt.This angle is selected in the range of 0 ° <t <89 ° or 91 ° · '· <179 °. To achieve excellent multiplex characteristics, an angle -f in the range of 10 ° vt % 60 ° or 120 ° x ^ N 170 ° is preferred.

Erfindungsgeniäß erhält man den Kippwinkel oder Neigungswinkel der Flüssigkristallmoleküle durch die gegenseitige Kombination der ersten Schicht und der zweiten Schicht. Eine Dicke d.. der ersten Membran ist nicht kritisch und beträgt vorzugsweise 20 bis lOOO Ä während die Dicke d„ der zweiten Schicht vorzugsweise im Bereich von 0,05 < d^/dj ^. **^ liegt. Es ist gewöhnlich bevorzugt, eine Dicke d„ von 50 bis 600 8 zu wählen. Zur Ausbildung eines orientierenden Films bestehend aus zwei Schichten wird die erste Schicht ausgebildet durch Abscheidung in einem ausgewählten Abscheidungswinkel oder Einfallswinkel und in einer ausgewählten Abscheidungsrichtung. Dann wird das Vakuum unterbrochen und das Substrat wird auf den vorbestimmten Winkel neu eingestellt und dann wird die zweite Schicht durch Abscheidung ausgebildet, und zwar wie bei der Ausbildung der ersten Schicht. Ein solches Verfahren ist jedoch nachteilig, da die Abscheidung in zwei Stufen erfolgt. Dies ist nicht einfach durchführbar und auf der Oberfläche des Substrats erscheinen vor der zweiten Abscheidung Flecke und Defekte, so daß die Reproduzierbarkeit und Zuverlässigkeit des orientierenden Films nicht genügend groß sind. Es ist daher bevorzugt, die erste Schicht und die zweite Schicht dadurch auszubilden, daß man den Einfallswinkel und die Abscheidungsrichtung bei Beibehaltung des Vakuums wechselt (ein einziges Vakuumsystem).According to the invention, the tilt angle or angle of inclination is obtained of the liquid crystal molecules by the mutual combination of the first layer and the second layer. A thickness d. Of the first membrane is not critical and is preferably 20 to 100 Å while the thickness d is second layer preferably in the range of 0.05 <d ^ / dj ^. ** ^ lies. It is usually preferred to have a thickness d of 50 to 600 8 to choose. The first layer is used to form an orienting film consisting of two layers formed by deposition at a selected deposition angle or angle of incidence and in a selected deposition direction. Then the vacuum is broken and the substrate is readjusted to the predetermined angle and then the second layer is deposited by deposition as in the formation of the first layer. However, such a method is disadvantageous, because the deposition takes place in two stages. This is not easy to do and on the surface of the Before the second deposition, spots and defects appear on the substrate, so that the reproducibility and reliability of the orienting film are not large enough. It is therefore preferable to use the first layer and the second layer to be formed by changing the angle of incidence and the direction of deposition while maintaining the vacuum (a single vacuum system).

Fig. 6 zeigt die Einfallsrichtung und die Abscheidungsrichtung für die erste Abscheidung und für die zweite Abscheidung des orientierenden Materials auf das Substrat. Die Bezugszeichen as, a's, bs und b's bezeichnen die Einfallsrichtung bzw. die Abscheidungsrichtung der ersten Schicht und dieFig. 6 shows the direction of incidence and the direction of deposition for the first deposition and for the second deposition of the orienting material on the substrate. The reference symbols as, a's, bs and b's denote the direction of incidence or the direction of deposition of the first layer and the

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Einfallsrichtung und Abscheidungsrichtung der zweiten Schicht.Direction of incidence and direction of deposition of the second layer.

Bei dem Verfahren zur Ausbildung der ersten Schicht und der zweiten Schicht in einem einzigen Vakuumsystem wird zunächst die erste Abscheidung durchgeführt und dann wird das Substrat 1 um eine Achse gedreht, welche senkrecht zur Ebene verläuft, welche durch die beiden Linien as und bs aufgespannt ist und danach wird die zweite Abscheidung vorgenommen, so daß die beiden Schichten im gleichenIn the process of forming the first layer and the second layer in a single vacuum system first the first deposition is carried out and then the substrate 1 is rotated about an axis which is perpendicular runs to the plane, which is spanned by the two lines as and bs and then the second deposition made so that the two layers are in the same

Vakuumsystem ausgebildet werden. Als AchseVacuum system can be formed. As an axis

für die Drehung des Substrats dient vorzugsweise die Linie, welche durch s hindurchgeht und den oben genannten Bedingungen genügt. Das Bezugszeichen S bezeichnet einen Punkt, welcher im wesentlichen in der Mitte des Substrats liegt. Das Substrat kann in verschiedenster Weise in dem Vakuum gedreht werden, z. B. mit Hilfe eines Motors, von Hand oder dgl.the line which passes through s and the above-mentioned conditions is preferably used for the rotation of the substrate enough. The reference character S denotes a point which is substantially in the center of the substrate. The substrate can be rotated in the vacuum in various ways, e.g. B. with the help of a motor, by hand or the like.

Bei einem abgewandelten Verfahren kann der Orientierungsfilm der beiden Schichten ausgebildet werden, indem man zunächst die erste Schicht von einer der Aufdampfquellen aufdampft und dann die Elektrodenplatte umdreht und die Auf dampfung der zweiten Schicht von der anderen der Aufdampfquellen im Vakuumsystem vornimmt.In a modified method, the orientation film of the two layers can be formed by first the first layer is vapor-deposited from one of the vapor deposition sources and then the electrode plate is turned over and the on vaporization of the second layer from the other of the vapor deposition sources in the vacuum system.

Eine Zelle kann hergestellt werden, indem man das erhaltene Substrat mit dem Orientierungsfilm auf mindestens einer Seite verwendet, sowie das Substrat mit dem in gleicher Weise ausgebildeten Orientierungsfilm oder einem in herkömmlicher Weise ausgebildeten Orientierungsfilm auf der anderen Seite. Dazwischen ist ein Abstandselement vorgesehen. Die Flüssigkristallsubstanz wird in den Zwischenraum eingefüllt. Dabei erhält man die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigezelle. Die Flüssigkristallmoleküle sind mit einem Kippwinkel oder Neigungswinkel von 2 bisA cell can be manufactured by placing the obtained substrate with the orientation film on at least one Side used, as well as the substrate with the orientation film formed in the same way or a conventional one Way trained orientation film on the other hand. A spacer element is provided in between. The liquid crystal substance is poured into the space. This gives the according to the invention Liquid crystal display cell. The liquid crystal molecules are at a tilt angle or tilt angle of 2 to

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zum Substrat orientiert durch den Effekt des Orientierungsfilms. Hierdurch wird eine umgekehrte Neigung oder Kippung nicht hervorgerufen, wenn man das elektrische Feld anlegt. Man erhält somit eine Einkristallstruktur und die Anzeige ist klar und deutlich lesbar. Der Kipp- oder Neigungswinkel kann vorzugsweise im Bereich von 2 bis 6 liegen, wobei man eine Flüssigkristallanzeigezelle mit ausgezeichneten Multiplexcharakteristika erhält.oriented to the substrate by the effect of the orientation film. This creates a reverse tilt or tilt not caused when the electric field is applied. A single crystal structure is thus obtained and the display is clear and easy to read. The tilt or tilt angle may preferably be in the range of 2 to 6, giving a liquid crystal display cell having excellent Maintains multiplex characteristics.

Wenn der herkömmliche Orientierungsfilm mit einer einzigen Schicht bei einem Einfallswinkel von 75 bis 89,9 hergestellt wird, so beträgt der Kippwinkel, wie oben beschrieben, etwa 25°.If the conventional orientation film with a single Layer made at an angle of incidence of 75 to 89.9 is, the tilt angle, as described above, is about 25 °.

Fig. 7 zeigt die Vergleichsdaten der Multiplexcharakteristik der herkömmlichen Anzeigezelle und der erfindungsgemäßen Anzeigezelle· Die herkömmliche Anzeigezelle wurde dabei hergestellt unter Verwendung eines Substrats mit einem Kippwinkel von etwa 25° während die erfindungsgemäße Anzeigezelle unter Verwendung eines Substrats mit einem Kippwinkel von etwa 4 hergestellt wurde. Die ausgezogene Linie bezeichnet die Spannungs-Leucht-Charakteristik der erfindungsgemäßen Anzeigezelle, während die gestrichelte Linie die Spannungs-Leuch t-Charakteristik der herkömmlichen Anzeigezelle bezeichnet. Die Betriebsgrenze ist gegeben durch die Spannungsdifferenz V „_ - V , wobei V die Spannung bedeutet, bei der der mit ON bezeichnete Leuchtzustand vorliegt, während V _„ die Spannung bezeichnet, bei der der mit OFF bezeichnete Leuchtzustand vorliegt. Fig. 7 zeigt, daß die erfindungsgemäße Anzeigezelle einen breiten Arbeitsbereich zeigt.Fig. 7 shows the comparative data of the multiplex characteristic of the conventional display cell and that of the present invention Display Cell · The conventional display cell was fabricated using a substrate having a Tilt angle of about 25 ° during the inventive Display cell was fabricated using a substrate with a tilt angle of about 4. The undressed Line denotes the voltage-luminous characteristic of the display cell according to the invention, while the dashed line Line denotes the voltage-light characteristic of the conventional display cell. The operating limit is given by the voltage difference V "_ - V, where V is the Voltage means at which the lighting state marked with ON is present, while V _ "means the voltage, in which the lighting state marked OFF is present. Fig. 7 shows that the display cell according to the invention shows a wide range of work.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen näher erläutert.The invention is explained in more detail below with the aid of examples.

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Beispiel 1example 1

Ein Orientierungsfilm 11 wird ausgebildet durch Abscheidung von Zinnoxid, welches mit Indiumoxid dotiert ist (1) auf ein Glassubstrat, gefolgt von einer Abscheidung von SiO mit einem Einfallswinkel von 60° und einer Dicke von 2OC Das erhaltene Erzeugnis dient als erstes Substrat.An orientation film 11 is formed by deposition of tin oxide doped with indium oxide (1) on a glass substrate, followed by a deposition of SiO with an angle of incidence of 60 ° and a thickness of 2OC The product obtained serves as the first substrate.

Zur Herstellung des anderen Substrats wird eine erste Schicht 11 durch Abscheidung von mit Indiumoxid (3) dotiertem Zinnoxid auf eine Glassubstrat 4 ausgebildet, worauf SiO mit einem Einfallswinkel von 82 und einer Dicke von 100 8 auf die zuvor abgeschiedene Fläche abgeschieden wird. Sodann wird eine zweite Schicht von SiO mit einem Einfallswinkel von 60 ° bei einem Kreuzungswinkel von 170° auf der ersten Schicht 11 abgeschieden, und zwar mit einer Dicke von 200 8. Aus den beiden Substraten mit Orientierungsfilmen wird eine Flüssigkristallanzeigezelle gemäß Fig. 8 hergestellt, wobei ein Abstandselement 5 verwendet wird. Die Zelle wird mit einer nematischen Flüssigkristallsubstanz vom P-Typ gefüllt. Wenn die Anzeigezelle mit Hilfe einer Treiberschaltung 9' mit MuItipiexsignalen beaufschlagt wird, so wird ein Einkristall ausgebildet und man erzielt ausgezeichnete Multiplexeigenschaften. Die Spannungs-Leucht-Charakteristik der Anzeigezelle ist in Fig. 9b gezeigt.To produce the other substrate, a first layer 11 is formed by depositing tin oxide doped with indium oxide (3) formed on a glass substrate 4, whereupon SiO with an angle of incidence of 82 and a thickness of 100 8 is deposited on the previously deposited surface. Then a second layer of SiO is made at an angle of incidence of 60 ° at a crossing angle of 170 ° is deposited on the first layer 11, specifically with a thickness of 200 8. A liquid crystal display cell as shown in FIG. 8 is produced from the two substrates with orientation films, a spacer element 5 being used. The cell is made with a nematic liquid crystal substance P-type filled. When the display cell is acted upon with multiphase signals with the aid of a driver circuit 9 ' is formed, a single crystal is formed and excellent multiplexing properties are obtained. The voltage-light characteristic the display cell is shown in Figure 9b.

Beispiel 2Example 2

Das mit Indiumoxid dotierte Zinnoxid wird auf ein Glassubstrat abgeschieden und mit einem gewünschten Muster geätzt. Das Glassubstrat wird in einer Halterung derart gehalten, daß sich ein Einfallswinkel von 85° bei der Vakuumabscheidung ergibt. Die erste Schicht mit einer Dicke von 2OO 8 wird durch Abscheidung von SiO unter einem Vakuum von 1 χ 10" Torr mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 5 8/sec ausgebildet. Das Substrat wird sodann um 35° gedreht, und zwar um die Achse, welche durch die Mittellinie des Substrats geht. Dies geschiehtThe tin oxide doped with indium oxide is deposited on a glass substrate and has a desired pattern etched. The glass substrate is held in a holder in such a way that there is an angle of incidence of 85 ° at the Vacuum deposition results. The first layer with a thickness of 2OO 8 is made by depositing SiO underneath a vacuum of 1 χ 10 "Torr with a deposition rate of 5 8 / sec. The substrate is then rotated by 35 °, namely about the axis which goes through the center line of the substrate. this happens

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durch Drehung des in der Halterung gehaltenen Substrats mit einem Außendrehmechanismus. Die Abscheidungsrichtung der zweiten Schicht beträgt etwa 20° zur Abscheidungsrichtung der ersten Schicht und der Einfallswinkel beträgt 60°. Die zweite Schicht hat eine Dicke von 200 8 und wird gebildet durch Abscheidung von SiO mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 20 8/sec unter den oben genannten Bedingungen, wobei man ebenfalls einen Orientierungsfilm erhält.by rotating the substrate held in the holder with an external rotating mechanism. The direction of deposition the second layer is about 20 ° to the deposition direction of the first layer and the angle of incidence is 60 °. The second layer has a thickness of 200 8 and is formed by depositing SiO at a deposition rate of 20 8 / sec under the above conditions, also using an orientation film receives.

Es wird wiederum unter Verwendung der beiden Substrate mit Orientierungsfilmen eine Flüssigkristallanzeigezelle hergestellt. Die Anzeigezelle bildet einen Einkristall aus und zeigt ausgezeichnete Multiplexeigenschaften.Again, a liquid crystal display cell is fabricated using the two substrates with orientation films. The display cell forms a single crystal and exhibits excellent multiplexing properties.

Beispiel 3Example 3

Auf einem Glassubstrat wird mit Antimonoxid dotiertes Zinnoxid abgeschieden. Das Substrat wird dabei auf einer Halterung gehalten und der Einfallswinkel beträgt 80° zur ersten Aufdampfquelle bzw. 60° zur zweiten Aufdampfquelle. Eine erste Schicht mit einer Dicke von 1OO A wird durch Abscheidung von SiO bei 1 χ 10~ Torr und bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 8 8/sec durch die erste Aufdampfquelle gebildet. Sodann wird das Substrat um 30° gedreht, und zwar um eine Achse, welche senkrecht zum Substrat verläuft. Dies geschieht mit Hilfe eines Halterungsdrehmechanismus. Sodann wird eine zweite Schicht mit einer Dicke von 200 8 ausgebildet durch Abscheidung von SiO mit einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 15 8/sec mit Hilfe einer zweiten Aufdampfquelle. Dabei wird ebenfalls ein orientierender Film gebildet.Tin oxide doped with antimony oxide is deposited on a glass substrate. The substrate is on a holder held and the angle of incidence is 80 ° to the first vapor deposition source or 60 ° to the second vapor deposition source. A first layer with a thickness of 100 Å is formed by depositing SiO at 1 χ 10 ~ Torr and at a deposition rate of 8 8 / sec formed by the first vapor deposition source. Then the substrate is rotated by 30 °, namely about an axis which is perpendicular to the substrate. This is done with the help of a bracket rotation mechanism. Then, a second layer having a thickness of 200 8 is formed by depositing SiO at a deposition rate of 15 8 / sec with the help of a second vapor deposition source. There will also be an orientation Film formed.

Unter Verwendung der beiden Substrate mit Orientierungsfilmen wird eine Flüssigkristallanzeigezelle hergestellt. Dabei werden die gleichen Effekte erzielt wie bei BeispielA liquid crystal display cell is fabricated using the two substrates with orientation films. The same effects are achieved as in the example

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Claims (10)

27276b327276b3 PATENTANSPRÜCHEPATENT CLAIMS / 1., Flüssigkristallanzeigezelle mit einer Flüssigkristal 1 substanz zwischen zwei Substraten, deren jedes einen elektrisch leitfähigen Film und einen Orientierungsfilm aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Orientierungsfilm aus zwei durch Schrägabscheidung ausgebildeten Schichten besteht, deren erste durch Abscheidung eines Orientierungsmaterials mit einem Einfallswinkel von 60 bis 88° und deren zweite durch Abscheidung eines Orientierungsmaterials mit einem Einfallswinkel von 45 bis 75° hergestellt wurde./ 1., liquid crystal display cell with a liquid crystal 1 substance between two substrates, each of which has an electrically conductive film and an orientation film, characterized in that at least an orientation film is composed of two layers formed by oblique deposition, the first of which is formed by deposition an orientation material with an angle of incidence of 60 to 88 ° and the second by deposition an orientation material with an angle of incidence of 45 to 75 °. 2. Flüssigkristallanzeigezelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke d1 der ersten Schicht und die Dicke do der zweiten Schicht der folgenden Beziehung gehorchen 0,05 \ d^/dj < 30.2. Liquid crystal display cell according to claim 1, characterized in that the thickness d 1 of the first layer and the thickness d o of the second layer obey the following relationship 0.05 \ d ^ / dj <30. 3. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke d.. der ersten Schicht im Bereich von 20 A \ Ci1 <. 1000 X liegt.3. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 or 2, characterized in that the thickness d .. of the first layer in the range of 20 A \ Ci 1 <. 1000 X lies. 4. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke do der zweiteti Schicht im Bereich von 50 Ä < d„ \ 600 8 liegt.4. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 to 3, characterized in that the thickness d o of the second layer is in the range of 50 Å <d "\ 600 8. 5. Flüssigkristallanzeigezelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kreuzungswinkel zwischen den Winkeln der ersten und der zweiten Schicht im Dereich von 10°s τ - 60° oder 12O°v j - 17O° liegt.5. Liquid crystal display cell according to one of claims 1 to 4, characterized in that the crossing angle between the angles of the first and second layers is in the range of 10 ° s τ - 60 ° or 12O ° v j - 17O °. 6. Fl üssigkr i st.i . ι anzoigezelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrisch leitfahige Film ein Muster für den Multiplexbetrieb aut we ist.6. LIQUID CRYST.i. ι anzoigezelle according to one of claims 1 to 5, characterized in that the electrical conductive film a pattern for multiplexing aut we is. ■ ι ■: M ? / Π 7 4 ? ORIGINAL INSPECTED■ ι ■: M? / Π 7 4? ORIGINAL INSPECTED 7. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigezelle, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Orientierungsmaterial mit einem Einfallswinkel von 60 bis 88 auf einem Substrat unter Bildung einer ersten Schicht abscheidet und danach ein Orientierungsmaterial mit7. A process for producing a liquid crystal display cell, characterized in that an orientation material with an angle of incidence of 60 to 88 is applied a substrate to form a first layer and then an orientation material with einem Einfallswinkel von 45 bis 75° auf der ersten Schicht unter Ausbildung einer zweiten Schicht abscheidet, so daß ein orientierender Film erhalten wird.an angle of incidence of 45 to 75 degrees on the first Layer is deposited to form a second layer, so that an orienting film is obtained. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Schichten des Orientierungsfilms durch zwei Abscheidungsstufen in einem einzigen Vakuumsystem hergestellt werden.8. The method according to claim 7, characterized in that the two layers of the orientation film by two Deposition stages can be produced in a single vacuum system. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß nach Ausbildung der ersten Schicht das Substrat um eine Achse gedreht wird, welche senkrecht zu einer Ebene verläuft, die die Einfallsrichtung der ersten Schicht und die Einfallsrichtung der zweiten Schicht einschließt, worauf die zweite Schicht durch Abscheidung mit der gleichen Verdampfungsquelle in demselben Vakuumsystem ausgebildet wird.9. The method according to any one of claims 7 or 8, characterized in, that after the formation of the first layer, the substrate is rotated about an axis which is perpendicular runs to a plane which is the direction of incidence of the first layer and the direction of incidence of the second Layer includes, whereupon the second layer by deposition with the same evaporation source in the same Vacuum system is formed. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht und die zweite Schicht durch Abscheidung aus verschiedenen Verdampfungsquellen in demselben Vakuumsystem ausgebildet werden. 10. The method according to any one of claims 7 to 9, characterized in that that the first layer and the second layer are formed by deposition from different evaporation sources in the same vacuum system. :> I 0 7 k ? :> I 0 7 k ?
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