DE2723748A1 - Bistable CRT of storage type - provides peripheral display free zone with insulating carrier of collector electrodes (NL 30.12.77) - Google Patents

Bistable CRT of storage type - provides peripheral display free zone with insulating carrier of collector electrodes (NL 30.12.77)

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DE2723748A1
DE2723748A1 DE19772723748 DE2723748A DE2723748A1 DE 2723748 A1 DE2723748 A1 DE 2723748A1 DE 19772723748 DE19772723748 DE 19772723748 DE 2723748 A DE2723748 A DE 2723748A DE 2723748 A1 DE2723748 A1 DE 2723748A1
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Gerald Emmett Mcteague
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    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored

Abstract

The bistable storage screen of the CRT eliminates the effect of halo with the peripheral zone of the screen featuring a layer over the fringe of the collector electrode. The layer extends to the collimation electrode, and its surface potential is lower than that of display zone of the screen, but is close to the potential of the cathode. In addition to conventional electrodes in the electron gun of the tube, the latter includes flood electron guns (34) which emit slow electrons and are set near the vertical deflection plates. Conductive layers (42, 44, 46, 48) on the wall of the tube ensure the focussing and collimation of the slow flood electrons and are fed with stepwise increased potentials, optimum operation being achieved when the highest positive voltage is at the electrode (42). This distributes the slow electrons uniformly over the screen. The screen electrode (52)of the tube face plate is formed by a film of tin oxide and is connected to the junction of resistors (58/60). The film is coated with a dielectric layer (56).

Description

Bistabile Kathodenstrahl-Speicherröhre Bistable cathode ray storage tube

Die Erfindung betrifft Kathodenstrahl röhren, sie bezieht sich insbesondere auf bistabile Speicherschirme für Kathodenstrahlröhren.The invention relates to cathode ray tubes, and more particularly relates to cathode ray tubes on bistable storage screens for cathode ray tubes.

Bistabile Kathodenstrahl-Speicherröhren sind aus den US-PS 3 956 662; 3 531 675; 3 798 477; 3 293 473 und 3 293 474 bekannt. Derartige Schirmanordnungen für diese bistabilen Speicherröhren enthalten typischerweise eine isolierte Frontplatte, auf der eine leitende Beschichtung aufgebracht ist. Die leitende Beschichtung kann transparent, kontinuierlich oder nichtkontinuierlich sein und arbeitet als Kollektor-Elektrode, an der eine über der Spannung des Bündel knotens (crossover) liegende Spannung anliegt, um Sekundärelektronen zu sammeln, die von einem dielektrischen Phosphormaterial emittiert werden, das an die leitende Beschichtung oder Schicht angrenzt, wobei das dielektrische Phosphormaterial einen Aufhau besitzen kann, der porös sein kann, um-das Hindurchwandern der Sekundärelektronen zu ermöglichen, der jedoch auch nicht so porös oder undurchdringlich sein kann, wobei die Sekundärelektronen dann an zugänglichen Kol lektorbereichen sammeln.Cathode ray bistable storage tubes are disclosed in U.S. Patents 3,956,662; 3,531,675; 3,798,477; 3,293,473 and 3,293,474 known. Such screen arrangements for these bistable storage tubes typically contain an insulated front panel, on which a conductive coating is applied. The conductive coating can be transparent, continuous or discontinuous and works as a collector electrode, to which a voltage above the tension of the bundle knot (crossover) is applied, to collect secondary electrons from a dielectric phosphor material be emitted adjacent to the conductive coating or layer, wherein the dielectric phosphor material can have a structure which can be porous, in order to allow the secondary electrons to migrate through, which, however, also does not as porous or impenetrable can be, the secondary electrons then being accessible Collect collective areas.

An der Peripherie der Anzeigefläche dieser herkömmlichen bistabilen Kathodenstrahl-Speicherrohrschi rmen können frei zugängliche oder im wesentlichen zugäng iche Kollektor- oder Sammelelektroden vorgesehen sein, di durch einen Trennbereich von einer Kollimationselektrode heahstandet sind, wobei die Kollimationselektrode mit einem wesentlich kleineren Potential als die Kollektorelektrode betrieben wird. Die Kol 1 imationselektrode verursacht, daß die Niedergeschwindigkeitselektronen von der Flutkanoneneinrichtung gleichförmig über den Speicherschirm verteilt werden. Der zugängliche Kollektor-Elektroden-Peripherie-Bereich besitzt eine größere Ausbeute oder Leistungsfähigkeit beim Sammeln von Sekundärelektroden, da er eine größere Sammelfläche darstellt, die bewirkt, daß die Peripherie- oder Umfangszone der Anzeigefläche vol lstänci g beschrieben wird, d. h. positiv verblaßt ist (faded) oder konstant hell ist, wobei sich ein Llchthof ergibt, der den Anzeigebereich des Schirms umgibt.On the periphery of the display surface of this conventional bistable Cathode ray storage tubes can be freely accessible or essentially Accessible collector or collecting electrodes can be provided, ie through a separation area are protruded from a collimation electrode, the collimation electrode is operated with a significantly lower potential than the collector electrode. The collimation electrode causes that the low-speed electrons be distributed uniformly over the storage screen by the flood cannon device. The accessible collector-electrode-peripheral area has a greater yield or efficiency in collecting secondary electrodes, since it has a larger one Represents quilt that causes the peripheral or peripheral zone of the display area fully described, d. H. is positively faded or constant is bright, resulting in a halo surrounding the display area of the screen.

Dieser Lichthof oder Strahlenring (halo) stellt beim Betrachten der auf der Anzeigefläche des bistabilen Speicherschirms angezeigten oder gespeicherten Information und beim Auslesen der Information vom Speicherschirm, wenn sogenannte tthard copies" (Kopien) in der in dem US-Patent Nr. 3 811 007 offenbarten Weise hergestellt werden sollen, ein Problem dar.This atrium or ring of rays (halo) represents when looking at the displayed or stored on the display surface of the bistable memory screen Information and when reading the information from the storage screen, if so-called tthard copies "in the manner disclosed in U.S. Patent No. 3,811,007 to be produced poses a problem.

Die vorliegende Erfindung betrifft Kathodenstrahlröhren, sie bezieht sich Insbesondere auf bistabile Kathodenstrahl-Speicherröhren, deren Speicherschirm am Außenbereich oder der Peripherie der Spelcherfläche eine Materialschicht aufweist, die einen Umfangsbereich oder Außenbereich der Kollektorelektrode bedeckt und sich bis auf einen Teil einer Kollimationselektrode erstreckt, wobei das Material dieser Schicht ein Phosphor sein kann, jedoch nicht tu seln braucht, und wobei diese Schicht eine ausreichende Dicke oder Dichte oder Materialeigenschaften besitzt,damit das Oberflächenpotential dieser peripheren Außenschicht im wesentlichen kleiner als das Oberflächenpotential des Anzei gebereichs des Spelcherschirms ist, wobei das Oberflächenpotential dieser Außenschicht gleich dem Kathodenpotential oder nahe bei dem Kathodenpotential liegt.The present invention relates to cathode ray tubes to which it relates In particular, to bistable cathode ray storage tubes, their storage screen has a material layer on the outer area or the periphery of the spelcher surface, which covers a peripheral area or outer area of the collector electrode and is extends to a part of a collimation electrode, the material of which Layer can be a phosphor, but does not need to be filled, and this layer is has sufficient thickness or density or material properties that the Surface potential of this peripheral outer layer is essentially less than is the surface potential of the display area of the Spelcher screen, where the The surface potential of this outer layer is equal to or close to the cathode potential is at the cathode potential.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Kathodenstrahlröhre mit einem Speicherschirm anzugeben, der einen Peripherie-Bereich um die Schlrmanzeigefläche aufweist, auf dem keine Information speicherbar ist. Der Peripherie- oder Außenbereich um die Schirmanzeigefläche soll dabei einen Teil der Kollektorelektrode und einen Teil der Kollimationselektrode überdecken, die benachbart zur Kollektorelektrode und von dieser beabstandet angeordnet ist. Der Peripherie- oder Außenbereich um die Schirmanzeigefläche soll aus einem Material bestehen, das ein Phosphor sein kann, jedoch nicht zu sein braucht, wobei die Dicke und die Dichte oder die Materialeigenschaften ausreichend sein sollen, daß das Oberflächenpotential dieses Außenbereichs im wesentlichen kleiner als das Oberflächenpotential der Schirmanzeigefläche ist. Der Peripherie- oder Außenbereich um die Schirmanzeigefläche soll bevorzugt ein Oberflächenpotential besitzen, das auf Kathodenpotential liegt, um die Speicherung von Information auf dem Außenbereich zu vermeiden.The object of the invention is to provide a cathode ray tube with a storage screen to indicate which has a peripheral area around the Schllman display area on no information can be saved is. The periphery or outside area around the screen display area should be a part of the collector electrode and a Cover part of the collimation electrode that is adjacent to the collector electrode and is arranged at a distance from this. The periphery or outside area around the screen display surface should be made of a material which is a phosphor can, but need not be, the thickness and the density or the material properties should be sufficient that the surface potential of this outer area is substantially is less than the surface potential of the screen display area. The periphery or the outside area around the screen display area should preferably have a surface potential own, which is at cathode potential, in order to store information on to avoid the outside area.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Zelchnung.Further details, features and advantages of the invention result from the following description of the billing.

Es zeigen: Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Kathodenstrahl-Speicherröhre nach der Erfindung; Fig. 2 einen Teilquerschnitt einer Frontendplatte der Kathodenstrahl-Speicherröhre nach Fig. 1, die den Speicherschirm enthält; Fig. 3 eine schematische Darstellung der Anzeigefläche des Speicherschirms einer Kathodenstrahlröhre, die von einem Peripherie- oder Außenbereich umgehen ist; Fig. 4 eine der Fiy. 2 tjntsprechende Ansicht einer weiteren Ausführungsform des Speicherschi rms auf der Frontendplatte der Kathodenstrahl-Speicherröhre; und Fig. 5 eine der Fig. 2 entsprechende ähnliche Darstellung einer weiteren Ausfüslrungsform des Speicherschirms ju t der Frontendp latte einer Kathodenstrahl-Speicherröhre.1 shows a schematic representation of a cathode ray storage tube according to the invention; 2 shows a partial cross section of a front end plate of the cathode ray storage tube of Fig. 1 containing the storage screen; 3 shows a schematic representation the display area of the storage screen of a cathode ray tube, which is connected by a peripheral or outside area is bypassing; Fig. 4 one of the Fiy. 2 corresponding View of a further embodiment of the storage schi rms on the front end plate the cathode ray storage tube; and FIG. 5 is a similar one to FIG. 2 Representation of a further embodiment of the storage screen ju t the front endp latte of a cathode ray storage tube.

Die in Fig. 1 dargestellte Kathodenstrahl-Speicherröhre 10 enthält ein Gehäuse 12 aus isolierendem Material, das eine Elektronenkanone mit einem Heizfaden 14, einer Kathode 16, die an eine Spannungsquelle hoher negativer Spannung anschließbar Ist, mit einem Steuergitter 18 und einer Fokussier- und Beschleunigungsstruktur 20 aufnimmt. Der von der Elektronenkanone erzeugte Elektronenstrahl 22 aus Elektronen hoher Geschwindigkeit wird mittels Horizontal-Ablenkplatten 24 horizontal, und mittels Vertikal-Ahlenkplantten 2h- in Ahhängigkeit eines Elngangssignals abgelenkt, das dem Eingangsarschluß 28 zugeführt ist, der konventionelle Ablenkschaltungen 30 betreibt, die an die Horizontal- und Vertikal-Ablenkpidtten angeschlossen sind, so daß der Elektronenstrahl selektiv längs des Speicherschi rms 32 am Ende des Gehäuses 12, der Elektronenkanone entgegengesetzt, In Abhängigkeit vom Eingangssignal ausgesteuert und positioniert wird.The cathode ray storage tube 10 shown in FIG. 1 contains a housing 12 made of insulating material containing an electron gun with a filament 14, a cathode 16, which can be connected to a voltage source of high negative voltage Is, with a control grid 18 and a focusing and accelerating structure 20 picks up. The electron beam 22 of electrons generated by the electron gun high speed is horizontal by means of horizontal baffles 24, and by means of Vertical Ahlenkplantten 2h deflected in dependence of an input signal, the is fed to input port 28 which operates conventional deflection circuits 30, which are connected to the horizontal and vertical deflection pidtten, so that the Electron beam selectively along storage shelf 32 at the end of housing 12, opposite to the electron gun, controlled depending on the input signal and is positioned.

In der Speicherröhre ist eine oder mehrere Fl utelektronenkanonen 34 vorgesehen, wobei jede Fl utelektronenkanone eine Kathode 36, ein Steuergitter 38 und eine Anode 40 enthält. Flutkanonen 34 sind innerhalh des Gehäuses 12 in der Nähe der Ausgangsenden der Vertikal-Ablenkplatten 26 angeordnet. Die Kathoden 36 werden herkömmlich bei einem niederen Spannungspegel betrieben, der üblicherweise gleich dem Massepegel ist, während die Gitter 38 an eine niedere negative Spannung gelegt sind. Elektronen niederer Geschwindigkeit, die von den F 1 utkanonen 34 emittiert werden, divergieren in einen konisch geformten Strahl und werden gleichförmig über den Schirm 32 verteilt.In the storage tube is one or more flood electron guns 34 is provided, each flood electron gun having a cathode 36, a control grid 38 and an anode 40 contains. Flood cannons 34 are within the housing 12 in the Located near the exit ends of the vertical baffles 26. The cathodes 36 are conventionally operated at a lower voltage level, which is usually is equal to the ground level, while the grids 38 to a lower one negative voltage are applied. Low speed electrons released by the F 1 ut cannons 34 emitted diverge into a conically shaped beam and are uniformly distributed over the screen 32.

Auf der inneren Oberfläche des Gehäuses 12 sind zwischen den Fl utkanonen 34 und dem Schirm 32 mehrere Elektroden angeordnet.On the inner surface of the housing 12 are between the flood cannons 34 and the screen 32 arranged a plurality of electrodes.

Diese Elektroden sind bevorzugt als beabstandete Beschichtungen aus leitendem Material ausgehildet, und die erste Beschichtung oder Schicht 42 wirkt primär als Fokussier-Elektrode für die Fl utelektronen, die von den Fl utkanonen emittiert werden, wobei diese Schicht mit einer geeigneten Quelle eines elektrischen positiven Potentials verbunden ist. Eine zweite Elektroden-Wandbeschichtung 44 ist von der Beschichtung 42 beabstandet angeordnet und ist ebenfalls elektrisch mit einem positiven Potential verbunden und dient als Fokussier- und Kolilmations-Elektrode. Eine dritte Elektroderischicht 46 ist von der Schicht 44 beabstandet und mit einem positiven Potential verbunden und arbeitet ebenfalls als Fokussier- und Kollimations-Elektrode. Als Ergebnis der Kollimationswirkung der Elektroden-Wandbeschichtungen werden die von den Fl utkanonen 34 emittierten Elektronen gleichförmig huber die Oberfläche des Schirms 32 verteilt.These electrodes are preferably made as spaced apart coatings Conductive material formed, and the first coating or layer 42 acts primarily as a focusing electrode for the flood electrons from the flood cannons be emitted, this layer with a suitable source of an electrical positive potential is connected. A second electrode wall coating 44 is spaced from the coating 42 and is also electrically with connected to a positive potential and serves as a focusing and collimation electrode. A third electrode layer 46 is spaced from the layer 44 and with a connected to positive potential and also works as a focusing and collimation electrode. As a result of the collimating action of the electrode wall coatings, the electrons emitted from the flood cannons 34 uniformly across the surface of the screen 32 distributed.

Eine vierte Elektroden-Wandbeschichtung 48 ist zwischen der Wandbeschichtung 46 und der Kollektorelektrode des Speicherschirms 32 angeordnet und von der Beschichtung 46 und der Kollektorelektrode beabstandet, und liegt an einer positiven Spannung. Die Wandbesch ichtung 48 dient ebenfalls als Fokussier- und Kollimationselektrode für die Fl utelektronen.A fourth electrode wall coating 48 is between the wall coating 46 and the collector electrode of the storage screen 32 and from the coating 46 and the collector electrode spaced apart, and is at a positive voltage. The wall coating 48 also serves as a focusing and collimation electrode for the flood electrons.

Die Elektroden 42, 44, 46 und 48 sind an ahsteigend positive Potentiale gelegt, wobei das größte positive Potential an der Elektrode 42 zur Erzielung eines optimalen Betriebs liegt.The electrodes 42, 44, 46 and 48 are at increasing positive potentials placed, with the greatest positive potential at electrode 42 to achieve a optimal operation.

Wie am besten aus Fig. 2 ersichtlich ist, erhält eine Form des Speicherschirms 32 eine isolierende Endplatte 50 in Form einer Schale, die eine transparente Schirm- oder Kollektor-Elektrode 52 besitzt, über der eine Reihe von leitenden Punkten oder Punktbere i chen 54 in Form eines Punktemusters und eine dlelektrische Schicht 56 aufgebracht ist, die aus der US-PS 3 956 662 bekannt ist. Die Endplatte 50 ist mit dem Gehäuse 12 mittels herkömmlicher Schmelz-Dichtverfahren (frit-sealing) schmelzgedichtet. Die isolierende Endplatte 50 stellt ein Tragteil dar und besteht aus transparentem Material, z. B.As best seen in Figure 2, one shape of the storage screen is given 32 an insulating end plate 50 in the form of a Shell, the one transparent screen or collector electrode 52 has, over which a series of conductive points or point areas 54 in the form of a point pattern and a Electrically applied layer 56, which is known from US Pat. No. 3,956,662. The end plate 50 is attached to the housing 12 by conventional fusion sealing techniques (frit-sealing) melt-sealed. The insulating end plate 50 constitutes a supporting part and consists of transparent material, e.g. B.

Glas, und kann rechteckförmig, kreisförmig oder in einer anderen gewünschten Gestalt ausgebildet sein. Die Schirm- oder Kollektor-Elektrode 52 besteht aus einer dünnen transparenten Beschichtung oder Schicht, bevorzugt aus Zinnoxid, und ist geeignet mit dem Mittenpunkt eines Spannungsteilers verbunden, der die Widerstände 58 und 60 enthält, die zwischen ein positives Potential und Masse gelegt sind. Der Widerstand 58 ist veränderbar und so eingestellt, daß eine geeignete Betriebsspannung an der Schirmelektrode 52 liegt. Alternativ kann die Schirmelektrode 52 mit Verstärkereinrichtungen verbunden werden, um eine elektrische Auslesung der auf dem Spelcherschirm gespeicherten Information zu ermöglichen, wie des in der US-PS 3 293 474 offenbart ist. Die Kolilmatlonselektrode 48 befindet sich auf der Innenwand der Endplatte 50 und erstreckt sich in Richtung auf die Kollektorelektrode 52 und ist von dieser durch einen Spalt 52 beabstandet, wie am besten aus Fig. 3 ersichtlich ist, wobei die Kollektorelektrode 52 an einem höheren positiven Potential als die Kollimatlonselektrode 48 liegt. Ein Peripherie-Bereich oder Außenbereich 64 umgibt einen Sichtbereich 66, vgl. Fig. 3. Der Peripherie-Bereich 64 enthält Material 68, das aus Phosphor bestehen kann, jedoch nicht bestehen muß, und das eine ausreichende Dicke und Dichte oder Materialeigenschaften aufweist, damit das Oberflächenpotential dieses Peripherie-Brichs wesentlich kleiner als das Oberflächenpotential der Schirmanzeigefläche 66 ist, d. h. das Oberflächenpotential des Peripherie-Bereichs 64 befindet slch auf, oder nahe am Kathodenpotential.Glass, and can be rectangular, circular or in any other desired shape Be formed. The shield or collector electrode 52 consists of one thin transparent coating or layer, preferably made of tin oxide, and is suitably connected to the midpoint of a voltage divider, which is the resistors 58 and 60 which are placed between a positive potential and ground. Of the Resistor 58 is variable and set to provide a suitable operating voltage is on the shield electrode 52. Alternatively, the shield electrode 52 can be provided with amplifier devices can be connected to an electrical readout of the stored on the Spelcher's screen To provide information as disclosed in U.S. Patent 3,293,474. The Colilmatlon Electrode 48 is located on the inner wall of the end plate 50 and extends toward on the collector electrode 52 and is spaced from this by a gap 52, as best seen in Fig. 3, the collector electrode 52 at a higher positive potential than the collimation electrode 48 is. A peripheral area or outer area 64 surrounds a viewing area 66, see FIG. 3. The peripheral area 64 contains material 68, which may or may not consist of phosphorus, and which has sufficient thickness and density or material properties, thus the surface potential of this peripheral break is much smaller than that Is the surface potential of the screen display area 66; H. the surface potential of the peripheral area 64 is at or near the cathode potential.

Das Material 68 kann kann dasselbe sein wie das Material der Schicht 56. Das Material 68 bedeckt einen äußeren Bereich der Kollektorelektrode 52 und einen Teil der Kol 1 imationselektrode 48, und es bedeckt den Spalt 62. Da die Oberfläche des Materials 68 sich auf Kathodenpotential oder nahe bei diesem Potential befindet, wird auf dieser Oberfläche keine Information gespeichert.The material 68 can be the same as the material of the layer 56. The material 68 covers an outer region of the collector electrode 52 and part of the col 1 imation electrode 48, and it covers the gap 62. As the surface of material 68 is at or near cathode potential, no information is saved on this interface.

Die Punkte 54 stellen leitende Partikel, bevorzugt aus Kobald, dar, und besitzen bevorzugt im wesentlichen eine konische Form, wobei deren Grundflächen mit der Elektrode 52 verbunden sind, und wobei die Spitzen sich von der äußeren Oberfläche der dielektrischen Schicht 56 nach außen erstrecken. Die Punkte 54 definieren Kol lektorelektroden, und diese Punkte können auch andere Formen als eine konische Form besitzen, sie können z. B. pyramidenförmig, dreieckförmig etc. ausgebildet sein. Die dielektrische Schicht 56 besteht aus Phosphor und bevorzugt aus einem Phosphor des P-l-Typs oder einer Mischung aus P-l-Phosphor und Yttrium-Oxid, oder Yttrium-Oyldsulfld, oder Yttrium-Oxid oder Yttrium-Oxysulfid, das mit einem Seltenen Element (Seltenen Erdelement) aktiviert lst,wie in der US-Anmeldung mit der S. N. 658 977 vom 18. Februar 1976 offenbart ist.The points 54 represent conductive particles, preferably made of cobalt, and preferably have a substantially conical shape, the bases of which are connected to the electrode 52, and with the tips protruding from the outer Surface of the dielectric layer 56 extend outward. Define the points 54 Col lector electrodes, and these points can also be other shapes than a conical Have shape, they can be, for. B. pyramidal, triangular, etc. formed be. The dielectric layer 56 is made of phosphorus, and preferably one P-1 type phosphorus or a mixture of P-1 phosphorus and yttrium oxide, or Yttrium Oyldsulfld, or Yttrium Oxide, or Yttrium Oxysulfide, with a rare Element (rare earth element) is activated, as described in the US application with the S.N. 658,977 dated February 18, 1976 is disclosed.

Mittels des Hochgeschwindigkeitselektronenstrahls 22 wird auf die Anzeigefläche 66 des Speicherschirms 32 Information geschrieben, die z. B. In Form einer Kurvenform vorliegen kann, dle an den Vertikal-Ablenkplatten 26 anliegt, während der Strahl horizontal mittels der Horizontal-Ablenkplatten 24 die Zellenablenkung erfährt. Zusätzlich zur elektrischen Auslesung ist die auf die Anzeigefläche des Spelcherschirms aufgeschriebene Information/durch das transparente Tragteil 50 hindurch sichtbar angezeigt. Während des Betriebs werden die Röhrenpotentlale derart eingestellt, daß der Strahl 22 eine relativ hohe Geschwindigkeit zum Schreiben besitzt und in der Lage ist, Sekundärelektronen zu erzeugen, wenn er auf das Speicherdielektrikum 56 auftrifft. Die Anzeigefläche 66, die vom Strahl 22 berührt wird, wird auf das Potential der Kollektorelektroden 54 und der Schirmelektrode 52 vom Massepotentialpegel angehoben, wodurch bewirkt wird, daß der dielektrische Schirm dabei phosphorisiert. Diese Sekundärelektronen werden dann von den Kollektorelektronen 54 aufgesammelt, und die Bereiche des Speicherdielektrikums in der Anzeigefläche 66, die vom Strahl 22 getroffen werden, stellen einen positiv aufgeladenen F lächenbereich dar; sie emittieren Sekundärelektronen mit einem Verhältnis von Eins, wobei die Sekundärl-ktronn von den Kollektorelektroden 54 aufgesammelt werden, die sich in der Nähe der positiv aufgeladenen (beschriebenen) Bereiche des Speicherdielektrikums 56 befinden, wobei die Information sichtbar beobachtet werden kann und unbegrenzt lange für Studienzwecke erhalten bleibt oder fotografiert werden kann. Der Peripherie-Bereich 64, der die Anzeigefläche umgibt, ist nicht In der Lage, mit Information beschrieben zu werden oder Information auf ihm zu speichern, da das Oberflächenpotential gleich dem Kathodenpotential ist oder sich in der Nähe des Kathodenpotentials befindet. Der Schirm kann in bekannter Weise dadurch gelöscht werden, daß die Schirmelektrode gepulst wird und dabei die Anzeigefläche des Speicherdielektrisums auf das Potential der Kollektorelektroden angehoben wird und anschließend auf Massepotential abgesenkt wird, so daß die Flutelektronen es dort so lange aufrecht erhalten, bis der Strahl 22 erneut Information einschreibt. Zur weiteren Information, die die Wirkungsweise und den Betrieh derartiger bistabiler Speicherschirme betrifft, wird die obengenannten US-Patente verwiesen.By means of the high-speed electron beam 22, the Display area 66 of the storage screen 32 written information which z. B. In shape may be of a curve shape abutting the vertical baffles 26 while the beam horizontally by means of the horizontal deflection plates 24, the cell deflection learns. In addition to the electrical readout, the Information written down by Spelcherschirm / through the transparent support member 50 visibly displayed. During operation, the tube potentials are set in such a way that that the jet 22 has a relatively high speed to write possesses and is able to generate secondary electrons when it hits the storage dielectric 56 hits. The display surface 66 that is touched by the beam 22 is displayed on the Potential of the collector electrodes 54 and the shield electrode 52 from the ground potential level is raised, causing the dielectric screen to phosphorize. These secondary electrons are then collected by the collector electrons 54, and the areas of storage dielectric in display area 66 exposed by the beam 22 are taken, represent a positively charged surface area; she emit secondary electrons with a ratio of one, the secondary electrons being the ktronn are collected by the collector electrodes 54, which are located near the positive charged (written) regions of the storage dielectric 56 are, wherein the information can be visibly observed and indefinitely for study purposes can be preserved or photographed. The peripheral area 64, which the Surrounding display area is not able to be written with information or to store information on it, since the surface potential is equal to the cathode potential or near the cathode potential. The umbrella can be known in Way can be erased by pulsing the screen electrode and thereby the Display area of the storage dielectric on the potential of the collector electrodes is raised and then lowered to ground potential, so that the flood electrons it is maintained there until the beam 22 writes information again. For further information about the mode of action and operation of such bistable As for storage screens, reference is made to the aforementioned U.S. patents.

Typische Spannungen, bei denen die Kollimationselektrode 48 und die Kollektorelektrode 52 arbeiten, liegen bei 40 bis 70 Volt bzw. 150 bis 280 Volt.Typical voltages at which the collimation electrode 48 and the Working collector electrode 52 are 40 to 70 volts and 150 to 280 volts.

Innerhalb des Rahmens der Erfindung liegt es, daß die Frontplatte eine ebene oder gekrümmTe Oberfläche besitzen kann und daß die Kollimationselektrode am Außen- oder Peripherie-Bereich angeordnet sein kann, der die Schirmanzeigefläche umgibt, wobei ein Spalt die Kollimationselektrode und die Schirmanzeigefläche trennt. Die dielektrische Schicht, die Teile der Kollektor- und der Kollimationselektroden überdeckt, besitzt ein Oberflächenpotential, das gleich dem Kathodenpotential ist oder nahe bei diesem Potential liegt, um jegliches Einschreiben von Information auf dieser Schicht zu vermeiden.It is within the scope of the invention that the faceplate can have a flat or curved surface and that the collimation electrode can be arranged on the outer or peripheral area, which the screen display area surrounds, with a gap separating the collimation electrode and the screen display surface. The dielectric layer, the parts of the collector and collimation electrodes covered, has a surface potential that is equal to the cathode potential or close to this potential to avoid any writing of information to avoid on this layer.

Fig. 4 zeigt eine weitere bevorzugte Ausführungsform einer Speicherschirmanordnung auf einer schalenförmigen Endplatte 50 a, die bis auf die Ausgestaltung der dielektrischen Schicht 56 a die die Kollektorelektrode 52 a bedeckt und die Schirmanzelgefläche definiert, den gleichen Aufbau wie die Anordnung nach Fig. 2 besitzt. Die dielektrische Schicht 56 a besteht aus einem Phosphormaterial , z. B. einem P-l-Phosphor oder einer Mischung, wie sie in der genannten US-Patentanmeldung mit der S.N. 658 977 beschrieben ist, sie ist halbkontinuierlich ausgebildet und besitzt einen poröse Struktur, die es erlaubt, daß von einem beschriebenen Bereich der dielektrischen Schicht emittierte Sekundärelektronen durch sie hindurch wandern und von der Kollektorelektrode 52 a aufgesammelt werden. Diese Art eines porösen bistabilen .Speicherschirms ist in der US-PS 3 293 473 offenbart. Die Kollimationselektrode 48 a ist von der Kollektorelektrode 52 a getrennt, wie in Fig, 2, und der Außenbereich oder Peripherie-Bereich, der die Schirmanzeigfläche umgibt und die Kol lektorlektrode 52 a und die Kollimationselektrode 48 a und den Spalt 62 a überdeckt, ist mit der Schicht 68 a aus einem Material bedeckt, das gleich dem Material 68 der Fig. 2 ist. Die Peripherie- oder Außenschicht 68 a wirkt in der gleichen Weise wie die Schicht 68 und verhindert das Einschreiben von Information auf sich selbst, da ihr Oberflächenpotential sich auf dem Kathoderipotential oder in der Nähe dieses Kathodenpotentials befindet.4 shows another preferred embodiment of a storage screen arrangement on a bowl-shaped end plate 50 a, which except for the design of the dielectric Layer 56 a which covers the collector electrode 52 a and the shield panel surface has the same structure as the arrangement according to FIG. The dielectric Layer 56 a consists of a phosphor material, e.g. B. a P-l phosphor or a mixture as described in said US patent application with the S.N. 658 977 is described, it is semicontinuous and has a porous Structure that allows that of a written area of dielectric Layer emitted secondary electrons migrate through it and from the collector electrode 52 a can be collected. This type of porous bistable storage screen is disclosed in U.S. Patent 3,293,473. The collimation electrode 48 a is from the collector electrode 52 a separated, as in Fig, 2, and the outer area or peripheral area, the the screen display area surrounds and the Kol lektorlektrode 52 a and the collimation electrode 48 a and the gap 62 a covered, is covered with the layer 68 a made of a material, which is the same as material 68 of FIG. The peripheral or outer layer 68 a works in the same way as layer 68 and prevented the writing of information on itself, given its surface potential itself is at the cathode potential or in the vicinity of this cathode potential.

Die Schirmstruktur nach Fig. 5 ist dem Schirmaufbau nach den Fig. 2 und 4 ähnlich mit der Ausnahme, ddß die Kollektorelektrode 52 b in Form eines Rasters oder Netzes auf der inneren Oberfläche der Endplatte 50 h ausgebildet ist, und das Phosphormaterial oder eine der in der US-Anmeldung mit der S.N. 658 977 beschriebenen Mischungen isolierte Inseln 56 b bilden, die in den Öffnungen des Rasters oder Gitters 52 b angeordnet sind und auf diese Weise die Schirmanzeigefläche bilden. Diese Art eines Schirms ist vollständig in dem US-PS 3 793 474 offenbart. Material 68 b In Form einer äußeren Grenze umgibt die Schirmanzeigefläche und befindet sich in Verbindung mit Teilen der Kollektorelektrode 52 b und der Kollimationselektrode 48 b und bedeckt den Spalt 62b und wirkt als Schichten 68 und 68 a, so daß sich dessen Oberfläche auf Kathodenpotential oder in der Nähe des Kathodenpotentlals befindet, wodurch ein Einschreiben der Information auf dieser Oberfläche vermieden wird.The screen structure according to FIG. 5 is similar to the screen structure according to FIGS. 2 and 4 are similar except that the collector electrode 52b is in the form of a Grid is formed on the inner surface of the end plate 50h, and the phosphor material or one of those described in U.S. application S.N. 658 977 Mixtures described form isolated islands 56 b, which are in the openings of the Grid or grid 52 b are arranged and in this way the screen display area form. This type of screen is fully disclosed in U.S. Patent 3,793,474. Material 68 b In the form of an outer border surrounds the screen display area and is located in connection with parts of the collector electrode 52 b and the collimation electrode 48 b and covers the gap 62 b and acts as layers 68 and 68 a, so that its surface at cathode potential or in the vicinity of the cathode potential which avoids writing the information on this surface will.

Die in den US-Patenten 3 531 675 und 3 798 477 offenbarten bistabilen Speicherschirm oder andere bistabile Speicherschirme können mit einer Peripherie-Schicht aus Material 68 versehen sein, das in Berührung mit Teilen der Schirm- oder Kollektorelektrode und der Kol 1 imationselektrode steht, die von der Schirm-oder Kollektorelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung getrennt ist.The bistables disclosed in U.S. Patents 3,531,675 and 3,798,477 Storage screen or other bistable storage screens can have a peripheral layer made of material 68 which is in contact with parts of the screen or collector electrode and the col 1 imation electrode stands from the shield or collector electrode is separated according to the present invention.

Die Verwendung eines Peripherie-oder Grenzbereichs liefert ein gleichförmigeres Feld über die gesamte Schirmanzeigefläche und verringert die normalerweise vorhandene Tendenz, den Pegel anzuheben und zu halten (fade up), so z. B. wird das vollständige Beschreiben um den Grenzbereich reduziert, wodurch eine Verbesserung der Schreibgeschwindigkeit und der Leuchtdichte erzielt wird, wodurch eine verbesserte Informationsanzeige auf der Schirmanzeigefläche gewonnen wird. Es läßt sich auf diese Weise die gesamte Anzeigefläche verwenden, ohne daß die Peripherie der Anzeigefläche dem fade-up- oder dem Leuchthof-Effekt (Halo-Effekt) unterworfen wäre.Using a peripheral or border area provides a more uniform one Field over the entire screen display area and normally decreases that existing tendency to fade up the level, e.g. B. will complete writing reduced to the limit, thus improving the writing speed and the luminance is achieved, whereby an improved Information display is obtained on the screen display area. It lets itself on in this way use the entire display area without affecting the periphery of the display area would be subject to the fade-up or the Leuchthof effect (halo effect).

L e e r s e i t eL e r s e i t e

Claims (10)

Bistabile Kathodenstrahl-Speicherröhre 1. Kathodenstrahl-Speicherröhre, g e k e n n z e i c h -n e t d u r c h ein isolierendes Tragteil (50, 50a, 50b) mit Kollektorelektrodeneinrichtungen (52, 52a, 52b) auf der inneren Oberfläche des Tragteils und mit Kollimationselektrodeneinrichtungen (48, 48a, 48b) auf dem isolierenden Tragteil (50, 50a, 50b) in der Nähe und beabstandet von den Kollektorelektrodeneinrichtungen (52, 52a, 52b), Einrichtungen (58, 60), die mit den Kollektorelektrodeneinrichtungen (52, 52a, 52b) verbunden sind und an die Kollektorelektrodeneinrichtungen eine vorgegebene Spannung anlegen, Einrichtungen, die mit den Kollimationselektrodeneinrichtungen (48, 48a, 48b) verbunden sind und an die Kollimationselektrodeneinrichtungen eine vorgegebene Spannung anlegen, die kleiner als die Spannung an den Kollektorelektrodeneinrichtungen (52, 52a, 52b) ist. Bistable cathode ray storage tube 1. Cathode ray storage tube, g e k e n n n z e i c h -n e t d u r c h an insulating support part (50, 50a, 50b) having collector electrode means (52, 52a, 52b) on the inner surface of the Supporting part and with collimation electrode devices (48, 48a, 48b) on the insulating Support part (50, 50a, 50b) in the vicinity and at a distance from the collector electrode means (52, 52a, 52b), devices (58, 60) associated with the collector electrode devices (52, 52a, 52b) are connected and to the collector electrode devices a predetermined Apply voltage to devices associated with the collimation electrode devices (48, 48a, 48b) are connected and to the collimation electrode devices a Apply a predetermined voltage which is less than the voltage at the collector electrode devices (52, 52a, 52b) is. eine erste dielektrische Schicht (56, 56a, 56b) , die die Anzeigefläche test und ur d zur Speicherung von Ladungsmustern auf den Kollektorelektrodeneinrichtungen (52, 52a, 52b) dient, eine zweite dielektrische Schicht (68, 68a, 68b), die die erste dielektrosche Schicht (56, 56a, 56b) umgibt, wobei die zweite dielektrische Schicht (68, 68a, 68b) einen Peripherie-Bereich der Kollektorelektroden-Einrichtungen (52, 52a, 52b) und einen Bereich der Kol limationseleketroden-Einrichtungen (48, 48a, 48b) berüh rt und ein Oberflächenpotenti 1 a 1 bes i tzt, das wesentlich kleiner dl das Oberflächenpotential der ersten dielektrischen Schicht ist, so daß keine Information auf der zweiten dielektrischen Schicht (68, 68a, 68b) speicherbar ist und ein Gehäuse (12), an dem das isolierden Tragteil (50, 50a, 50b) dichtend befestigt ist, wobei das Gehäuse (12) Einrichtungen (14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 30) zur Emission und zur Lenkung von Elektronen hoher Geschwindigkeit auf die Anzeigefläche zur Erzeuguny eines Ladungsmusters auf der Anzeigefläche, und Einrichtungen (34, 36, 38, 40, 42, 44, 46) zur Emission und Lenkung von Elektronen niederer Geschwindigkeit gegen und auf die Anzeigefläche aufweist, um ausgewählte Flächenbereiche der ersten dielektri schen Schicht (56, 56a, 56b) in ein von zwei stabilen Potential zuständen zu treiben, um das Ladungsmuster auf der Anzeigefläche zu erhalten.a first dielectric layer (56, 56a, 56b) forming the display surface test and ur d for storing charge patterns on the collector electrode devices (52, 52a, 52b) is used, a second dielectric layer (68, 68a, 68b), which the first dielectric layer (56, 56a, 56b) surrounds, the second dielectric Layer (68, 68a, 68b) a peripheral region of the collector electrode devices (52, 52a, 52b) and an area of the Kol limationseleketroden devices (48, 48a, 48b) and has a surface potential 1 a 1, which is much smaller dl is the surface potential of the first dielectric layer, so that none Information can be stored on the second dielectric layer (68, 68a, 68b) and a housing (12) to which the insulating support member (50, 50a, 50b) is sealingly attached is, the housing (12) means (14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 30) for emission and directing high speed electrons onto the display surface for generation a charge pattern on the display surface, and devices (34, 36, 38, 40, 42, 44, 46) for the emission and control of low-speed electrons against and having on the display area to selected areas of the first dielectric tian layer (56, 56a, 56b) to be driven into one of two stable potential states, to get the charge pattern on the display surface. 2. Kathodenstrahl-Speicherröhre n.3ch Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e , c c h n e t , daß das isolierende Tragteil (50, 50d, 'Jb) eine schalenförmige Form besitzt, daß die Kollektorelektroden-Einrichtungen (48, 48a, 48b) auf der Oberfläche der Innenwand des schalenförmiger Tragttil, (50, 50a, 50b) angeordnet sind.2. cathode ray storage tube n.3ch claim 1, d a d u r c h g e k e n n z e, c c h n e t, that the insulating support part (50, 50d, 'Jb) has a bowl-shaped Has shape that the collector electrode means (48, 48a, 48b) on the surface the inner wall of the shell-shaped support part, (50, 50a, 50b) are arranged. Kathodenstrahl-Speicherröhre nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c Ii n e t , daß das isolierende Tragteil (50, 50a, 50b) transparent ist.Cathode ray storage tube according to claim 2, d a d u r c h g e k It is noted that the insulating support part (50, 50a, 50b) is transparent is. 4. Kathodenstrahl-Speicherröhre nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite dielektrische Schicht (68, 68a, 68b) aus demselben Material wie die erste Schicht (56, 56a, 56b) ist.4. cathode ray storage tube according to claim 1, d a d u r c h g e it is not noted that the second dielectric layer (68, 68a, 68b) consists of the same material as the first layer (56, 56a, 56b). 5. Kathodenstrahl-Speicherröhre nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite dielektrische Schicht (68, 68a, 68b) eine Dicke und Dichte oder Materialeigenschaften besitzt, die ausreichen, damit das Oberflächenpotential der zweiten dielektrischen Schicht wesentlich kleiner als das Oberflächenpotential der ersten dielektrischen Schicht (56, 56a, 56b) ist.5. cathode ray storage tube according to claim 1, d a d u r c h g e it is not noted that the second dielectric layer (68, 68a, 68b) has a Has thickness and density or material properties sufficient to allow the surface potential of the second dielectric layer is significantly smaller than the surface potential the first dielectric layer (56, 56a, 56b). 6. Speicherschirm für eine Kathodenstrahlröhre mit einem Gehäuse und einem dicht auf einem Ende des Gehäuses befestigten Tragteil, einer leitenden Schicht auf der inneren Oberfläche des isolierenden Tragteils, die Kollektorelektrodeneinrichtungen darstellt, die an einen ersten vorgegebenen Spannungswert gelegt werden, mit einer dielektrischen Schicht zur Speicherung von Ladungsmustern, die eine Anzeigefläche festlegt, die auf der leitenden Schicht angeordnet ist, mit im Gehäuse vorgesehenen Einrichtungen zur Emission und zur Lenkung von Elektronen hoher Geschwindigkeit in Richtung und auf die Anzeigefläche, um das Ladungsmuster auf der dielektrischen Schicht auszubilden, und Einrichtungen zur Emission und zur Lenkung von Elektronen niederer Geschwindigkeit in Richtung und auf die dielektrische Schicht, um ausgewählte Bereiche der dielektrischen Schicht in einen von zwei stabilen Potentialzuständen zu treiben, um das Ladungsmuster auf der dielektrlschen Schicht zu erhalten, d a d u r c h g e- k e n n -z e i c h n e t , daß Kollimationselektrodenelnrichtungen (48, 48a, 48b) auf dem isolierenden Tragtell (50, 50a, 50b) beabstandet von den Elektrodeneinrichtungen (52,52a, 52b) vorgesehen sind, daß dle Kollimatlonselektrodeneinrichtungen (48,48a, 48b) an elnem vorgegebenen Spannungswert liegen, der kleiner als der Spannungswert ist, der an den Kol lektorelektrodenelnrtchtungen (52, 52a, 52b) 1 legt, daß dielektrlsche Schlchtanordnungen (68, 68a, 68b) einen die Anzeigefläche umgebenden äußeren Bereich der Kol lektorelektrodeneinrlchtungen (52, 52a, 52b) und einen Teil der Kol 1 imationselektrodeneinrichtungen (48, 48a, 48b) berühren, und daß das Oberflächenpotentlal der dielektrischen Schichtanordnungen (68, 68a, 68b) wesentlich kleiner als das Oberflächenpotential der Anzeigefläche ist, um zu verhindern, daß auf den dielektrlschen Schichtanordnungen (68, 68a, 68b) Information gespeichert wird.6. Storage screen for a cathode ray tube with a housing and a support part, a conductive layer, fastened tightly to one end of the housing on the inner surface of the insulating support member, the collector electrode means represents that are applied to a first predetermined voltage value, with a dielectric layer for storing charge patterns forming a display surface defines, which is arranged on the conductive layer, with provided in the housing Devices for emitting and directing high-speed electrons towards and onto the display surface to reveal the charge pattern on the dielectric Form layer, and devices for emission and guidance of electrons lower speed towards and onto the dielectric layer in order to selected Areas of the dielectric layer in one of two stable potential states to drive to maintain the charge pattern on the dielectric layer, d a e n g e n n n -z e i n e t that collimation electrode directions (48, 48a, 48b) on the insulating support plate (50, 50a, 50b) at a distance from the Electrode devices (52,52a, 52b) are provided that the collimation electrode devices (48,48a, 48b) are at a predetermined voltage value that is smaller than the voltage value is, who attaches to the collector electrode devices (52, 52a, 52b) 1 that dielectric Schlichtanrichtungen (68, 68a, 68b) an outer area surrounding the display area the collector electrode devices (52, 52a, 52b) and part of the collector electrode devices (48, 48a, 48b) touch, and that the surface potential of the dielectric layer arrangements (68, 68a, 68b) significantly smaller than the surface potential of the display area is to prevent that on the dielectric layer arrangements (68, 68a, 68b) Information is stored. 7. Speicherschirm nach Anspruch 6, d a d u r c h 9 e -k e n n z e i c h n e t , daß die Einrichtungen (14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 30) zur Emission und zur Lenkung von Elektronen hoher Geschwindigkeit eine Kathode (16) umfassen, daß die dielektrische Schichtanordnung (68, 68a, 68b) eine ausreichende Dicke und Dichte oder Materialeigenschaften aufweist, die es ermöglichen, daß die Oberfläche der dielektrischen Schichtanordnungen (68, 68a, 68h) auf dem Potential der Kathode (18) oder in der Nähe des Potentials der Kathode (16) liegt.7. Storage screen according to claim 6, d a d u r c h 9 e -k e n n z e i c h n e t that the devices (14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 30) for emission and to High speed directing electrons to a cathode (16) include that the dielectric layer arrangement (68, 68a, 68b) has a sufficient Has thickness and density or material properties that enable the Surface of the dielectric layer arrangements (68, 68a, 68h) at the potential the cathode (18) or in the vicinity of the potential of the cathode (16). 8. Speicherschirm nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die dielektrischen Schichtanordnungen (68, 68a, 68b) dasselbe Material besitzen, wie die dielektrische Schicht (56, 56a, 56b) die die Anzeigefläche bildet. 8. Storage screen according to claim 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the dielectric layer arrangements (68, 68a, 68b) are the same Material, such as the dielectric layer (56, 56a, 56b) which the display surface forms. 9. Speicherschirm nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein Spaltbereich (62, 62a, 62b) zwischen den Kollsktorelektrodeneinrichtungen (52, 52a, 52b) und den Kollimatlonselektrodeneinrichtungen (48, 48a, 48b) vorgesehen ist und diese Elektrodenelnrichtungen voneinander trennt, und daß die dielektrischenSchichtanordnungen (68, 68a, 68b) diese Spaltfläche bedecken. 9. Storage screen according to claim 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that a gap area (62, 62a, 62b) between the collector electrode devices (52, 52a, 52b) and the collimation electrode devices (48, 48a, 48b) and that separates these electrode directions from each other, and that the dielectric layer arrangements (68, 68a, 68b) cover this cleavage area. 10. Speicherschirm nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Material der dielektrischen Schichtanordnungen (68, 68a, 68b) von dem Material der dielektrischen Schicht (52, 52a, 52h), die die Anzeigefläche hildet, verschieden ist.10. Storage screen according to claim 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the material of the dielectric layer arrangements (68, 68a, 68b) of the material of the dielectric layer (52, 52a, 52h) making up the display surface educates, is different.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS5182565A (en) * 1975-01-17 1976-07-20 Tokyo Shibaura Electric Co CHOKUSHIGATACHI KUSEKIKAN

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