DE2714483A1 - Semi-automatic contacting device for semiconductor systems - has fluxless solder placed between contact parts - Google Patents

Semi-automatic contacting device for semiconductor systems - has fluxless solder placed between contact parts

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DE2714483A1 DE19772714483 DE2714483A DE2714483A1 DE 2714483 A1 DE2714483 A1 DE 2714483A1 DE 19772714483 DE19772714483 DE 19772714483 DE 2714483 A DE2714483 A DE 2714483A DE 2714483 A1 DE2714483 A1 DE 2714483A1
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Abstract

The semiautomatic contacting device is used for semiconductor systems. It has the retaining plate and/or the large-area contacts of the semiconductor system provided with solder before the contacting process as in 2541114 takes place. This solder contains no flux and consists of soft solder especially of lead, tin or indium or of an alloy of these metals possibly with additives (e.g. silver). (The solder is placed between the plate and s-c contacts and the heated.

Description

Verfahren zur teilautomatisierten Kontaktierung von Halbleiter-Process for the partially automated contacting of semiconductor

systemen.systems.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur teilautomatisierten Kontaktierung von Halbleitersystemen mit Bodenplatten, bei dem Haltebleche zur Kontaktierung benutzt werden und bei dem auf getrennten Förderbändern zwei verschiedene Arten von Horden laufen, wobei die Horden der einen Art mit den Bodenplatten bestückt werden, während in die Horden der anderen Art, die so gestaltet sind, daß sie mit an die Toleranzen der Halbleitersysteme und Haltebleche angepaßten Vertiefungen und Aufnahmestiften versehen sind, so daß sich ein Justieren der Haltebleche gegen die Halbleitersysteme erübrigt, die Halbleitersysteme und danach mindestens ein Halteblech so eingelegt werden, daß das Halteblech an den vorgesehenen Kontaktflächen mindestens ein Halbleitersystem berührt, daß anschließend zwischen Halbleitersystem an den Kontaktflächen und Halteblech mechanisch feste Verbindungen geschaffen werden und danach die Kombination aus Halbleitersystem und Halteblech auf die Bodenplatte aufgesetzt wird, wobei gegebenenfalls eine Verbindung zwischen Halteblech und Bodenplatte hergestellt wird, daß alle Lötstellen zwischen Halbleitersystem, Halteblech und Bodenplatte, welche nicht von vornherein mit Lot versehen sind, mit Lot bestückt werden, daß anschließend alle Lötstellen zwischen Halbleitersystem, Halteblech und Bodenplatte in einem Lötofen hergestellt werden, und daß schließlich das Halteblech in eine der Anzahl der Anschlüsse eines fertigen Halbleiterbauelementes entsprechende Zahl von Teilblechen durchtrennt wird.The invention relates to a method for partially automated contacting of semiconductor systems with base plates, where retaining plates are used for contacting and with two different types of trays on separate conveyor belts run, with the hordes of one kind being equipped with the floor panels while into the hordes of the other kind, which are designed in such a way that they comply with the tolerances the semiconductor systems and retaining plates adapted recesses and locating pins are provided so that an adjustment of the retaining plates against the semiconductor systems there is no need to insert the semiconductor systems and then at least one retaining plate be that the holding plate on the intended contact surfaces at least one semiconductor system touches that then between the semiconductor system on the contact surfaces and holding plate mechanically strong connections are created and then the combination of semiconductor system and holding plate is placed on the base plate, where appropriate a connection between holding plate and base plate is made that all soldering points between Semiconductor system, retaining plate and base plate, which are not soldered from the outset are provided, are equipped with solder that then all solder points between Semiconductor system, retaining plate and base plate are manufactured in a soldering furnace, and that finally the retaining plate in one of the number of connections of a finished Semiconductor component corresponding number of partial sheets is severed.

Aus US-PS 3 060 553 ist ein Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen mit Bodenplatten unter Zuhilfenahme eines Halteblechs bekannt. Das beschriebene Verfahren zeigt jedoch nicht auf, mittels welcher Vorrichtung und Hilfsmittel eine weitgehende Automatisierung des Kontaktierverfahrens erreicht werden kann.US Pat. No. 3,060,553 discloses a method for making contact with semiconductor systems known with base plates with the aid of a retaining plate. The described However, the method does not show by which device and aids a extensive automation of the contacting process can be achieved.

Bei der Massenanfertigung von Halbleiterbauelementen bereitet die Kontaktierung besondere Schwierigkeiten, da eine Kontaktierung von Hand wegen der äußerst kleinen geometrischen Abmessung der Kontaktflächen nicht nur technisch schwierig, sondern auch zeit-und kostenaufwendig ist. Einen erheblichen Zeitaufwand verursacht hierbei vor allem das Justieren der Halbleitersysteme einerseits und der darauf zu befestigenden Kontaktteile andererseits.For the mass production of semiconductor components, the Contacting special difficulties, since contacting by hand because of the extremely small geometric dimensions of the contact surfaces not only technically difficult, it is also time-consuming and costly. Caused a considerable expenditure of time Here, above all, the adjustment of the semiconductor systems on the one hand and those on them to be fastened contact parts on the other hand.

Bei einem Kontaktierverfahren von Halbleitersystemen mit Bodenplatten mittels Halteblechen kann eine automatische Verlötung aller Lötstellen in einem Lötofen nur dann erfolgen, wenn alle Lötstellen von Bodenplatte, Halteblech und Halbleitersystem gegeneinander hinreichend genau justiert in den Lötofen gelangen. Ein Versuch, die Bodenplatte automatisch mit Halbleiterbauelementen und Halteblechen zu bestücken und diese auf den Bodenplatten automatisch zu justieren, scheitert im allgemeinen an der Tatsache, daß die Toleranzen der Bodenplatte und ihrer zugehörigen Anschlußte--~le, nämlich der Kontaktstifte und der Glaseinschmelzungen, wesentlich größer s nd als die Toleranzen der Kontaktflächen von Halbleitersystem und Halteblech.In a contacting process for semiconductor systems with base plates by means of retaining plates, all soldering points can be automatically soldered in one Soldering furnace only take place if all soldering points on the base plate, retaining plate and The semiconductor system entered the soldering furnace with sufficient accuracy against one another. An attempt to make the base plate automatically with semiconductor components and retaining plates to equip them and to automatically adjust them on the base plates fails in general from the fact that the tolerances of the base plate and its associated Connections, namely the contact pins and the glass seals, are essential s nd greater than the tolerances of the contact surfaces of the semiconductor system and the retaining plate.

Aus DT-OS 25 41 114 ist weiterhin ein Verfahren bekannt, welches viele de genannten Schwierigkeiten dadurch löst, daß auf getrenawen För@erbandern zwei verschiedene Arten von Horden laufen, wobei die Horden azr einen Art mit den Bodenplatten bestückt werden, wahrend in die Horden der anderen Art, die so gestaltet sind, da; sle mit n die toleranzen der Halöleitersysteme und Haltetleche aagevaDven Vertiefungen und Aufnahmestiften versehen sind, so dav S1Cn enn Justieren aer Halteblech gegen die Halbleitersysteme erübrigt, die Halbleitersysteme a- danach mindestens ein Hahlteblech so soeingelegt werden, daß ilsHalteblech an den v@g sehenen Kontak@flächen miniestens @in Halbleitersystem berüht, daß anschließend zwischen Halbleitersystem an den Kontaktflächen und Halteblech mechanisch feste Verbindungen geschaffen werden und danach die Kombination aus Halbleitersystem und Halteblech auf die Bodenplatte aufgesetzt wird, wobei gegebenenfalls eine Verbindung zwischen Halteblech und Bodenplatte hergestellt wird, daß alle Lötstellen zwischen Halbleitersystem, Halteblech und Bodenplatte, welche nicht von vornherein mit Lot versehen sind, mit Lot bestückt werden, daß anschließend alle Lötstellen zwischen Halbleitersystem, Halteblech und Bodenplatte in einem Lötofen hergestellt werden, und daß schließlich das Halteblech in eine der Anzahl der Anschlüsse eines fertigen Halbleiterbauelementes entsprechende Zahl von Teilblechen durchtrennt wird. Bei diesem Verfahren wird das Lot für eine Lötverbiniung zwischen Halbleitersystem und Bodenplatte bzw. AmboB der Bodenplatte einerseits und einer Lötverbindung zwischen Halbleitersystem und Halteblech-anschlüssen andererseits durch eine Vorbelotung aller Kontaktflächen auf der Halbleitersystemoberfläche bewirkt.From DT-OS 25 41 114 a method is also known which many de solves the mentioned difficulties by the fact that two separate conveyors Different types of hordes run, the hordes azr one type with the floor panels be stocked while in the hordes of the other kind, which are so designed there; With n the tolerances of the halogen conductor systems and holding plate aagevaDven indentations and locating pins are provided, so do the adjustment of the retaining plate against the semiconductor systems are superfluous, the semiconductor systems a- then at least one steel sheet be inserted in such a way that the retaining plate on the contact surfaces shown is minimal @in semiconductor system concerns that subsequently between semiconductor system at the contact surfaces and Holding plate mechanically strong connections are created and then the combination of semiconductor system and retaining plate is placed on the base plate, where appropriate a connection between the retaining plate and the base plate is made, that all solder joints between the semiconductor system, retaining plate and base plate, which are not in advance are provided with solder, are equipped with solder, that then all solder points between the semiconductor system, retaining plate and base plate in a soldering furnace be, and that finally the retaining plate in one of the number of connections one finished semiconductor component corresponding number of partial sheets is severed. In this process, the solder is used for a solder connection between semiconductor systems and base plate or anvil of the base plate on the one hand and a soldered connection between Semiconductor system and retaining plate connections, on the other hand, by pre-soldering of all contact surfaces on the semiconductor system surface.

Eine Vorbelotung, insbesondere von sehr kleinen Kontaktflächen an der Oberseite eines Halbleitersystems ist mittels Kapillar-Lötung praktisch nicht möglich und läßt sich bei sehr feinen Feinstrukturen und bei dreifach diffundierten Halbleitersystemen mit offenen pn-Übergängen an der Oberfläche mittels Tauchbelotung nicht verwirklichen, bei gröberen Feinstrukturen bereitet die Automatisierung der Tauchbelotung zumindest erhebliche technische Schwierigkeiten. Bei dreifach diffundierten Halbleitersystemen mit offenen pn-Übergängen an der Oberfläche verursacht bei einer Tauchbelotung außerdem das Flußmittel erhebliche Schäden.Pre-soldering, especially from very small contact areas the top of a semiconductor system is practically not possible by means of capillary soldering possible and can be used with very fine fine structures and with triple diffusion Semiconductor systems with open pn junctions on the surface by means of dip soldering cannot be realized, with coarser fine structures the automation of the Dip soldering at least considerable technical difficulties. With triple diffused Semiconductor systems with open pn junctions on the surface caused a Dip soldering also causes considerable damage to the flux.

Als Kapillarlötung wird in diesem Zusammenhang ein, wie folgt, beschreibenes Lötverfahren verstanden: Zwischen zwei zu verlötenden Flächen wird ein kapillar-feiner Spalt geschaffen. In oder an diesem Spalt werden vorgeformte Lotteile gebracht und mittels Erwärmung geschmol#en. Das geschmolzene Lot fließt mittels Kapillarwirkung in den Spalt hinein zwischen die zu verlötenden Flächen und schafft somit die gewünschte Lötverbindung.In this context, a capillary soldering is described as follows Understanding the soldering process: between two surfaces to be soldered, a capillary-finer surface becomes Gap created. In or at this gap, preformed solder parts are brought and melted by heating. The molten solder flows by means of capillary action into the gap between the surfaces to be soldered and thus creates the desired Solder connection.

Aus DT-AS 22 26 958 ist ein Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mittels vorbeloteter Kontaktteile und unter Verwendung von Flußmitteln bekannt. Die Verwendung von Flußmitteln bei der Kontaktierung von Halbleiterbauelementen insbesondere von Halbleiterbauelementen mit offenen pn-Ubergängen an der zu kontaktierenden Oberfläche bewirkt im allgemeinen eine Verschlechterung der Sperreigenschaften entsprechender pn-Übergänge. Es ist deshalb wünschenswert, bei der Kontaktierung von Halbleiterbauelementen flußmittelfreie Lötungen vorzunehmen.From DT-AS 22 26 958 there is a method for contacting semiconductor components by means of pre-soldered contact parts and under Use of fluxes known. The use of flux in contacting semiconductor components in particular of semiconductor components with open pn junctions on the one to be contacted Surface generally causes the barrier properties to deteriorate pn junctions. It is therefore desirable when contacting semiconductor components to make flux-free soldering.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein automatisierbares,flußmittelfreies Lötverfahren für Halbleitersysteme anzugeben, das bei Verwendung von Halteblechen auch eine Kontaktierung sehr kleiner Kontaktflächen ermöglicht und daß zugleich auf beliebige Halbleiterbauelemente, insbesondere auf Leistungshalbleiterbauelemente oder Leistungs-IC's anwendbar ist.The object of the present invention is therefore to provide an automatable, flux-free Specify soldering process for semiconductor systems when using retaining plates also enables very small contact areas to be contacted and that at the same time on any semiconductor components, in particular on power semiconductor components or power IC's is applicable.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Haltebleche und/oder großflächige Kontakte der Halbleitersysteme flußmittelfrei vorbelotet, d. h., vor Beginn des Kontaktierverfahrens ohne Verwendung eines Flußmittels mit Lot versehen werden.According to the invention, this object is achieved in that the retaining plates and / or large-area contacts of the semiconductor systems pre-soldered without flux, d. That is, before starting the contacting process without using a flux with Solder to be provided.

Als Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dessen Anwendbarkeit auf Halbleitersysteme mit sehr feinen Kontaktflächen auf dreifach diffundierte Halbleitersysteme mit offenen pn-Übergängen an der Oberfläche, sowie auf Leistungshalbleiterbauelemente und Leistungs-IC's zu nennen.An advantage of the method according to the invention is its applicability on semiconductor systems with very fine contact surfaces on triple diffused semiconductor systems with open pn junctions on the surface, as well as on power semiconductor components and power ICs.

Es ist vorteilhaft, daß das Lot aus Weichlot, insbesondere aus Blei, Zinn, Indium oder aus Legierungen dieser Metalle moglicherweise mit weiteren Metallzusätzen, z. B. Silber, bestehen.It is advantageous that the solder is made of soft solder, especially lead, Tin, indium or alloys of these metals, possibly with other metal additives, z. B. silver exist.

Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß ein Vorbeloten auf die Weise erfolgt, daß Lotteile von einer bestimmten geometrischen Gestalt und die vorzubelotenden Haltebleche und/oder Halbleitersysteme so in entsprechend geformte Behälter eingebracht werden, daß die Lotteile einerseits und die Haltebleche bzw. die Halbleitersysteme andererseits sich an den zu belotenden Kontaktflächen berühren, daß die Lotteile danach durch Wärmeeinwirkung geschmolzen, die Haltebleche bzw. die Halbleitersysteme an den zu belotenden Stellen mit Lot bedeckt werden.A further development of the invention is that a pre-soldering takes place in such a way that solder parts of a certain geometric shape and the holding plates and / or semiconductor systems to be soldered into accordingly shaped Container are introduced that the solder parts on the one hand and the retaining plates or the semiconductor systems, on the other hand, touch on the contact surfaces to be soldered, that the solder parts are then melted by the action of heat, the retaining plates or the semiconductor systems are covered with solder at the points to be soldered.

Ein Vorteil dieser Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, eine Möglichkeit für eine Automatisierung der Vorbelotung von Halteblechen und/oder von Halbleiterbauelementen anzugeben.An advantage of this development of the method according to the invention is a possibility for automating the pre-soldering of retaining plates and / or of semiconductor components.

Es erübrigt sich auch die Verwendung unterschiedlicher Bodenplatten, welche Vertiefungen aufweisen, die der Form und Größe des aufzunehmenden Halbleitersystems angepaßt sind. Es werden vielmehr einheitliche Bodenplatten verwendet. Die Verwendung einheitlicher Bodenplatten bringt verschiedene Vorteile, bedingt durch einen geringeren Aufwand bei der Beschaffung, Lagerhaltung und Verarbeitung der Bodenplatten und durch eine gewisse Zeitersparnis durch die Beschickung der Montagebänder mit nur einer Sorte von Bodenplatten, was zu einer entsprechenden Kostenverringerung der hiernach gefertigten Produkte führt.There is also no need to use different floor panels, which have depressions that correspond to the shape and size of the semiconductor system to be accommodated are adapted. Rather, uniform floor panels are used. The usage Uniform base plates bring various advantages, due to a lower one Effort in the procurement, storage and processing of the floor panels and due to a certain amount of time saved by loading the assembly lines with only one type of floor slab, resulting in a corresponding reduction in the cost of the products manufactured according to this.

Es ist vorteilhaft, daß die Lotteile als Kugeln und/oder Zylinder und/oder Quader und/oder Würfel und/oder Streifen ausgebildet sind.It is advantageous that the solder parts as balls and / or cylinders and / or cuboids and / or cubes and / or strips are formed.

Eine Anwendung von Lotteilen der angegebenen geometrischen Formen bei der Belotung von Halbleitersystemrückseiten erzeugt in hohem Maße lunkerarme Lotschichten und führt deshalb zu einer Verbesserung der elektrischen Kenndaten hiernach gefertigter Bauelemente.An application of solder parts of the specified geometric shapes When soldering the rear of the semiconductor system, it produces a high degree of low-voids Solder layers and therefore leads to an improvement in the electrical characteristics subsequently manufactured components.

Durch die Verwendung von Lotteilen bestimmter geometrischer Gestalt und Größe läßt sich die Lotmenge an den zu belotenden Teilen steuern. Es lassen sich somit z. B. bei einfach diffundierten Silicium-Leistungstransistoren durch eine verstärkte Kontaktbelotung u. a. eine kleine Sättigungsspannung bedingt durch einen größeren Kontakt querschnitt d. h. bedingt durch einen niederohmigeren Kontakt, erreichen. Im Falle einer Ätzung des Halbleitersystems nach dem Löten wird außerdem bei Halbleitersystemen, welche nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gefertigt und mit einer dosierten Lotmenge versehen wurden, eine höhere Ätzresistenz der Systemmetal~isierung beobachtet, was sich wiederum vorteilhaft auf die technischen Daten der hiernach gefertigten Halbleiterbauelemente auswirkt.By using solder parts of a certain geometric shape and size, the amount of solder on the parts to be soldered can be controlled. Leave it thus z. B. in single diffused silicon power transistors increased contact soldering, among other things. a small saturation voltage due to a larger contact cross-section d. H. due to a lower resistance contact, reach. In addition, in the case of etching the semiconductor system after soldering in semiconductor systems which are manufactured according to the method according to the invention and have been provided with a dosed amount of solder, a higher etching resistance of the system metallization observed, which in turn is beneficial to the technical data below manufactured semiconductor components.

Es ist auch vorteilhaft, daß ein Schmelzen der Lotteile durch eine Wasserstoff-Flamme und/oder einen elektrischen Durchlaufofen und/oder durch induktive Erwärmung jeweils in Schutzgasatmosphäre bewirkt wird.It is also advantageous that the solder parts melt through one Hydrogen flame and / or an electric continuous furnace and / or by inductive Heating is effected in each case in a protective gas atmosphere.

Eine Weiterbildung der Erfindung besteht auch darin, daß das Vorbeloten des Halteblechs durch Lotabscheidung aus einem galvanischen Bad oder durch Aufwalzen einer Lotschicht auf das Halteblech erfolgt.A further development of the invention consists in that the pre-soldering of the retaining plate by solder deposition from an electroplating bath or by rolling on a solder layer takes place on the holding plate.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung und an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 eine mit Bodenplatten bestückte Horde auf einem ersten Förderband und eine mit Halteblechen und Ralbleitersystemen bestückte zweite Horde auf einem zweiten Förderband; Fig. 2 eine perspektivische Darstellung eines Halteblechs mit Lotteilen; Fig. 3 einen Querschnitt durch einen Behälter mit einem Halteblech und einem Lotteil; Fig. 4 einen den Ausschnitt b aus Fig. 3 darstellenden Querschnitt durch einen Teil eines vorbeloteten Halteblechs; Fig. 5 einen Querschnitt durch einen Behälter zur Vorbelotung von Halbleitersystemen; Fig. 6 eine perspektivische Darstellung eines Halbleitersystems in Verbindung mit dem Ausschnitt "B" aus Fig. 2 eines Halteblechs; Fig. 7 eine Seitenansicht einer Bodenplatte mit vorbeloteten Halbleitersystem und Halteblech.The invention is described below with reference to the drawing and an exemplary embodiment explained in more detail. They show: FIG. 1 a tray equipped with floor panels on top of one first conveyor belt and a second equipped with retaining plates and conductor systems Tray on a second conveyor belt; Fig. 2 is a perspective view of a Retaining plate with solder parts; Fig. 3 is a cross section through a container with a Retaining plate and a solder part; 4 shows a section b from FIG. 3 Cross section through part of a pre-soldered retaining plate; Fig. 5 is a cross section through a container for pre-soldering semiconductor systems; Fig. 6 is a perspective Representation of a semiconductor system in connection with the section "B" from Fig. 2 of a retaining plate; Fig. 7 is a side view of a base plate with pre-soldered Semiconductor system and retaining plate.

Die Fig. 1 zeigt ein perspektivisches Bild einer Horde 1 der ersten Art und einer Horde 2 der zweiten Art. Die Horde 1 weist in einem gewissen Abstand von der Bodenfläche 5 der Horde 1 Einknickungen der Seitenwände 6 und 7 längs der Knicklinien 3 und 4 auf. Die Seitenwände 6 und 7 tragen an ihrer oberen freien Kante außerdem Einbuchtungen, welche bis auf das Niveau der Khicklinien 3 und 4 herunterragen und zur Aufnahme der Bodenplatten 10 bestimmt sind. Die Bodenplatten 10 haben eine annähernd elliptische norm. Die beiden Bohrungen 11 und 12 der Bodenplatte 10 sind zur Befevt gung des fertigen Bauelenentes beim Einbau desselben in ein Csehäuse vorgesehen Die Bo#enplatte 10 weist weiterhin einen Sockel 13 mit einem Amboß 14 auf. Durch die Bodenplatte 10 und den Sockel 13 werden Kontaktstifte 15 und 16 elektrisch isoliert durchgeführt. Die Kontaktstifte 15 und 16 sind an ihren oberen Enden, die sich beim fertigen Bauelement im Innern des Halbleitergehäuses befinden, als Vierkante mit diskontinuierlichen Verjüngungen an den Stellen 17 und 18 ausgebildet. Halteblech 31 und Halbleitersystem 30 werden in der durch strichpunktierte Linien angedeuteten Lage auf die Kontaktstifte 15 und 16 bzw. auf den Amboß 14 aufgesetzt. Das Halteblech kommt dabei auf den diskontinuierlich verformten Stellen 17 und 18 der Haltestifte zum Liegen, so daß eine Berührung desselben mit dem Sockel 13 der Bodenplatte verhindert wird. Längs der strichpunktierten Linien 19 und 20 ist ein Durchteilen des Haltebleches nach erfolgter Kontaktierung vorgesehen.Fig. 1 shows a perspective picture of a tray 1 of the first Type and a tray 2 of the second type. The tray 1 points at a certain distance from the bottom surface 5 of the tray 1 buckling of the side walls 6 and 7 along the Crease lines 3 and 4. The side walls 6 and 7 carry on their upper free edge also indentations, which protrude down to the level of the khick lines 3 and 4 and are intended for receiving the floor panels 10. The floor panels 10 have a approximately elliptical norm. The two bores 11 and 12 of the base plate 10 are for fastening the finished component when installing it in a housing provided The base plate 10 has continue to have a base 13 an anvil 14. The base plate 10 and the base 13 are contact pins 15 and 16 carried out electrically isolated. The contact pins 15 and 16 are on their upper ends, which are located in the interior of the semiconductor housing in the finished component are located as a square with discontinuous tapers at points 17 and 18 trained. Retaining plate 31 and semiconductor system 30 are shown in the dash-dotted line Lines indicated position on the contact pins 15 and 16 or on the anvil 14 placed. The retaining plate comes to the discontinuously deformed points 17 and 18 of the retaining pins for lying, so that a contact of the same with the base 13 of the Base plate is prevented. Along the dash-dotted lines 19 and 20 is a Dividing the retaining plate is provided after contact has been made.

Die Horde 2 weist ein annähernd H-förmiges Profil auf. In der Bodenfläche 22 der Horde 2 sind durchgehende Vertiefungen 23 mit den Toleranzen der aufzunehmenden Halbleitersysteme 30, durchgehende Bohrungen 24 und Aufnahmestifte 25 mit den Toleranzen der Stanzlöcher 32 des Haltebleches 31 vorgesehen. Beim Einlegen der Halbleitersysteme 30 in die Vertiefungen 23 und beim Auflegen der Haltebleche 31 auf die Aufnahmestifte 25 kopsen die Kanten der rechtwinkelig abgebogenen Teile 33 und 34 des Haltebleches 31 genau auf die hierfür vorgesehenen Kontaktflächen am Halbleitersystem 30 zu liegen und werden miteinander mechanisch fest durch Löten oder Schweißen verbunden. Das mit dem Halbleitersystem 30 verbundene Halteblech 31 wird mittels einer Vakuumhebevorrichtung, angedeutet durch die Vorrichtung 35, in Richtung des Pfeiles 37 aus der Horde 2 herausgehoben, wobei zusätzliche, in die Bohrung 24 von unten eingreifende Stifte das Herausheben des Haltebleches 31 aus der Horde 2 erleichtern. Der Anschluß der Vakuumvorrichtung an eine geeignete Vakuumpumpe wird durch den Vakuumschlauch 36 angedeutet. Halteblech 31 und Halbleitersystem 30 werden durch die Vakuumhebevorrichtung entlang dem Pfeil 37 auf die Kontaktstifte 15 und 16 der Bodenplatte 10 beziehungsweise auf den Amboß 14 der Bodenplatte 10 aufgesetzt. Den Transport der Horden 1 bzw. 2 übernehmen der Reihe nach die Förderbänder 40 bzw. 41.The tray 2 has an approximately H-shaped profile. In the floor area 22 of the tray 2 are continuous depressions 23 with the tolerances of the to be received Semiconductor systems 30, through holes 24 and locating pins 25 with the tolerances the punched holes 32 of the holding plate 31 are provided. When inserting the semiconductor systems 30 in the recesses 23 and when placing the retaining plates 31 on the receiving pins 25 Kopsen the edges of the bent at right angles parts 33 and 34 of the retaining plate 31 to lie exactly on the contact surfaces provided for this purpose on the semiconductor system 30 and are mechanically firmly connected to one another by soldering or welding. That with the semiconductor system 30 connected retaining plate 31 is by means of a vacuum lifting device, indicated by the device 35, in the direction of the arrow 37 from the tray 2 lifted out, with additional, engaging in the bore 24 from below pins make it easier to lift the retaining plate 31 out of the tray 2. The connection of the Vacuum device to a suitable vacuum pump is provided through vacuum hose 36 indicated. Holding plate 31 and semiconductor system 30 are by the vacuum lifting device along the arrow 37 onto the contact pins 15 and 16 of the base plate 10, respectively placed on the anvil 14 of the base plate 10. The transport of the trays 1 resp. 2 take over the conveyor belts 40 and 41 in sequence.

Fig. 2 zeigt eine perspektivische Darstellung eines Haltebleches 31 mit kugelförmigen Lotteilen 53. Das Halteblech 31 weist Stanzlöcher 32 und Kontaktfahnen 38 und 39 mit rechtwinkelig abgebogenen Teilen 33 und 34 auf. Die Schmalkanten 54 und 55 der rechtwinkelig abgebogenen Teile 33 und 34 des Haltebleches 31 bilden die Kontaktflächen zum Anschluß an das Halbleitersystem 30.2 shows a perspective illustration of a holding plate 31 with spherical solder parts 53. The holding plate 31 has punched holes 32 and contact lugs 38 and 39 with parts 33 and 34 bent at right angles. The narrow edges 54 and 55 of the parts 33 and 34 of the holding plate 31 bent at right angles form the contact areas for connection to the semiconductor system 30.

Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch einen Behälter 50, der mit einem Halteblech 31 und einem kugelförmigen Lotteil 53 zur Belotung der rechtwinkelig abgebogenen Teile 33 bzw. 34 des Ralteblechs 31 bestückt ist. Das Innere des Behälters 50 ist mit einer Vertiefung 42 zur Aufnahme der Lotteile 53, einer Auflagefläche 44 für Teile des Halteblechs 31 und Befestigungsstiften 43 zur Aufnahme des Halteblechs 31 versehen, wobei der Abstand zwischen der Vertiefung 42 und dem Befestigungsstift 43 so dimensioniert ist, daß die Schmalkanten 54, 55 des Halteblechs 31 auf entsprechende Lotteile 53 zu liegen kommen. Der Behälter 50 weist einen Deckel 56 auf, der infolge seines Gewichts das Halteblech 31 auf das Lotteil 53 drückt und der zugleich durch Wärmeableitung eventuell mittels zusätzlicher Kühlung das Halteblech 31 vor einer zu großen Erhitzung schützt. Eine Wasserstoff-Flamme 59 bringt das Lotteil 53 zum Schmelzen.Fig. 3 shows a cross section through a container 50 with a Holding plate 31 and a spherical solder part 53 for Belotung the right-angled bent parts 33 and 34 of the Ralteblechs 31 is equipped. The inside of the container 50 has a recess 42 for receiving the solder parts 53, a support surface 44 for parts of the holding plate 31 and fastening pins 43 for receiving the holding plate 31 provided, the distance between the recess 42 and the fastening pin 43 is dimensioned so that the narrow edges 54, 55 of the holding plate 31 on corresponding Solder parts 53 come to rest. The container 50 has a lid 56, as a result its weight presses the retaining plate 31 onto the solder part 53 and at the same time through Heat dissipation possibly by means of additional cooling, the holding plate 31 in front of a too much heating protects. A hydrogen flame 59 brings the solder part 53 to Melt.

Fig. 4 zeigt einen den Ausschnitt A aus Fig. 3 darstellenden Querschnitt durch einen Teil eines vorbeloteten Halteblechs 31.FIG. 4 shows a cross section depicting detail A from FIG. 3 through part of a pre-soldered retaining plate 31.

Der rechtwinkelig abgebogene Teil 33 bzw. 34 des Halteblechs 31 ist dabei so mit einer Lotschicht 58 versehen, daß die Schmalkanten 54 bzw. 55 eine Lotschicht hinreichender Dicke aufweisen.The right-angled bent part 33 or 34 of the holding plate 31 is thereby provided with a solder layer 58 that the narrow edges 54 and 55 a Have solder layer of sufficient thickness.

Fig. 5 stellt einen Querschnitt durch einen Behälter 51 zur Vorbelotung von Halbleitersystemen 30 dar. In stufenförmig angeordneten Vertiefungen 52 befindet sich in der untersten Vertiefung ein kugelförmiges Lotteil 53, darüber,mit der Rückseite dem Lotteil zugekehrt,ein vorzubelotendes Halbleitersystem 30 mit metallisch beschichteten Feinstrukturen 29 auf seiner Vorderseite.5 shows a cross section through a container 51 for pre-soldering of semiconductor systems 30. Located in depressions 52 arranged in steps In the lowermost recess there is a spherical solder part 53, above it, with the back Facing the solder part, a semiconductor system 30 to be soldered in advance with metallically coated Fine structures 29 on its front.

Ein gemäß Fig. 3 und Fig. 4 vorbelotetes Halteblech 31 ist mit seinen Stanslöchern 32 so auf die Aufnshmestifte 25 des Behälters 51 aufgesetzt, daß die Schmalkanten 54 bzw. 55 der Kontaktfahnen 38 bzw. 39 genau auf den Kontaktstellen der Metallschicht 28 bzw.A holding plate 31 pre-soldered according to FIG. 3 and FIG. 4 is provided with its Stansholern 32 so placed on the Aufnshmestifte 25 of the container 51 that the Narrow edges 54 and 55 of the contact lugs 38 and 39 exactly on the contact points the metal layer 28 or

der metallbeschichteten Feinstruktur 29 aufliegen. Die Toleranzen der stufenförmigen Vertiefungen 52 und die Toleranzen der Aufnahmestifte 25 sowie die Toleranzen des Halteblechs 31 und dessen Stanzlöcher 32 sind den Toleranzen der Kontaktflächen auf der Feinstrukturen 29 bzw. auf der Metallschicht 28 angepaßt, so daß sich ein Justieren des Halbleitersystems 30 gegen das Halteblech 31 erübrigt. Ein Deckel 57 von bestininiten Gewicht schafft mittels seines Auflagedrucks einen sicheren mechanischen Kontakt zwischen Halteblech 31 und Halbleitersystem 30 einerseits sowie zwischen Halbleitersystem 30 und Lotteil 53 andererseits.the metal-coated fine structure 29 rest. The tolerances of the step-shaped depressions 52 and the tolerances of the receiving pins 25 as well the tolerances of the holding plate 31 and its punched holes 32 are the tolerances adapted to the contact surfaces on the fine structures 29 or on the metal layer 28, so that an adjustment of the semiconductor system 30 against the holding plate 31 is unnecessary. A lid 57 of maximum weight creates one by means of its contact pressure secure mechanical contact between retaining plate 31 and semiconductor system 30 on the one hand and between the semiconductor system 30 and solder part 53 on the other hand.

Fig. 6 zeigt eine perspektivische Darstellung eines Halbleitersystems 30, welches nach Fig. 5 mit einem Halteblech versehen wurde von dem der Ausschnitt "B" aus Fig. 2, dargestellt ist. Teile der Kontaktfahnen 38 bzw. 39 kontaktieren mit ihren rechtwinklig abgebogenen Teilen 33 bzw. 34 an der Schmalkante 54 die Metallschicht 28 bzw. an der Schmalkante 55 die Feinstruktur 29 des Halbleitersystems 30.6 shows a perspective illustration of a semiconductor system 30, which was provided with a retaining plate according to FIG. 5 from which the cutout "B" of Fig. 2 is shown. Contact parts of the contact lugs 38 and 39, respectively with their parts 33 and 34 bent at right angles at the narrow edge 54, the metal layer 28 or the fine structure 29 of the semiconductor system 30 on the narrow edge 55.

Fig. 7 zeigt eine Seitenansicht einer Bodenplatte 10 mit Sockel 13 und Amboß 14 sowie Kontaktstiften 15 bzw. 16 versehen. Auf die Kontaktstifte 15 bzw. 16 ist das Halteblech 31 aufgesetzt, das mit dem Halbleitersystem 30 an den Schmalkanten 54 bzw. 55 verbunden ist. Das Halbleitersystem 30 weist auf seiner Rückseite einen annähernd halbkugelförmigen Lötfleck 45 auf, der den Amboß 14 berührt. Auf die Kontaktstifte 15, 16 sind außerdem Lotringe 46 aufgesteckt. Die strichpunktierte Linie 47 deutet eine Systemkappe an, mit welcher das fertige Bauelement abgedeckt wird. Die Bohrungen 11 und 12 dienen zur Befestigung des fertigen Halbleiterbauelements auf entsprechenden Gehäuseplatten.7 shows a side view of a base plate 10 with a base 13 and anvil 14 and contact pins 15 and 16, respectively. On the contact pins 15 or 16, the holding plate 31 is attached, which is connected to the semiconductor system 30 to the Narrow edges 54 and 55 is connected. The semiconductor system 30 has on his Back an approximately hemispherical solder pad 45, which the anvil 14 touches. In addition, solder rings 46 are slipped onto the contact pins 15, 16. The dash-dotted one Line 47 indicates a system cap with which the finished component is covered will. The bores 11 and 12 are used to fasten the finished semiconductor component on corresponding housing plates.

Um ein Halbleiterbauelement nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zu kontaktieren, wird zunächst ein Halteblech 31 in einem Gefäß 50 gemäß Fig. 3 und Fig. 4, mittels eines galvanischen Bades oder durch Aufwalzen einer Lotschicht, vorbelotet. Die Vorbelotung des Haiteblechs 31 kann auch in einer weiteren in Fig. 1 nicht dargestellten Horde von einer dem Behälter 50 entsprechenden Form auf einem weiteren in der Fig. 1 ebenfalls nicht dargestellten Förderband erfolgen. Die Bestückung des Behälters 50 bzw. entsprechender Horden mit Lotteilen 53 erfolgt automatisch z. B. mittels eines Rohres, in dem sich die Lotteile befinden und das einen Rohrverschluß aufweist, der sich in einemyVerschub des Förderbandes angepaßtem Takt öffnet und schließt. Die Haltebleche werden in den Behälter 50 bzw. in eine entsprechen geformte Horde von Hand eingelegt. Behälter 50 bzw. entsprechende Horden bestehen aus Metall, Graphit oder Keramik. Die Lotteile 53 sind insbesondere als Kugeln, Zylinder, Quader, Würfel oder Streifen ausgebildet und werden mittels einer Wasserstoff-Flamme, eines elektrischen Durchlaufofens oder durch induktive Erwärmung zum Schmelzen gebracht.To a semiconductor component according to the inventive method contact is first a holding plate 31 in a vessel 50 according to FIG. 3 and 4, by means of an electroplating bath or by rolling on a layer of solder, pre-soldered. The pre-soldering of the retaining plate 31 can also be carried out in a further manner shown in FIG. 1 tray, not shown, of a shape corresponding to the container 50 on a further conveyor belt, also not shown in FIG. 1, take place. The assembly of the container 50 or equivalent Horde with solder parts 53 takes place automatically z. B. by means of a tube in which the solder parts are located and that has a pipe closure which is adapted in a shift of the conveyor belt Clock opens and closes. The retaining plates are in the container 50 or in a corresponding shaped tray inserted by hand. Container 50 or corresponding trays are made of metal, graphite or ceramic. The solder parts 53 are in particular as Spheres, cylinders, cuboids, cubes or strips are formed and are by means of a Hydrogen flame, an electric continuous furnace or by inductive heating melted.

Die Horden 2 aus Fig. 1 werden zunächst in ihrer Form dem Behälter 51 aus Fig. 5 angepaßt. In die Behälter 51 bzw. entsprechend geformte Horden werden Lotteile 53 durch eine automatische Füllvorrichtung gebracht, z. B. durch ein Rohr mit einem Verschluß, welcher sich in einem dem Verschub des Förderbandes 41 angepaßtem Takt öffnet und schließt. Danach wird die modifizierte Horde 2 aus Fig. 1 bzw. der Behälter 51 aus Fig. 5 mittels Saughebern mit Halbleitersystemen 30 bestückt, welche zur Montage bereits in gewissen Horden befindlich angeliefert werden. Vorbelotete Haltebleche 31 werden danach ebenfalls mittels Saughebern aus Behältern 50 bzw. entsprechenden Horden auf die Aufnahmestifte 25 der modifizierten Horden 2 aufgesetzt. Ein Deckel 57 bewirkt einen entsprechenden Auflagedruck und somit einen sicheren mechanischen Kontakt zwischen den Schmalkanten 54, 55 des Haltebleches 31 und metallischen Schichten 28 bzw. Feinstrukturen 29 auf der Oberfläche des Halbleitersystems 30 sowie einen mechanischen Kontakt zwischen der Rückseite des Halbleitersystems und dem Lotteil 53.The trays 2 from Fig. 1 are initially the container in their shape 51 from FIG. 5 adapted. In the container 51 or correspondingly shaped trays Solder parts 53 brought by an automatic filling device, e.g. B. through a pipe with a closure, which is adapted to the displacement of the conveyor belt 41 in a Clock opens and closes. Thereafter, the modified tray 2 from FIG. 1 or Container 51 from FIG. 5 equipped with semiconductor systems 30 by means of suction lifters, which be delivered already located in certain trays for assembly. Pre-soldered Retaining plates 31 are then also removed from containers 50 or corresponding trays are placed on the receiving pins 25 of the modified trays 2. A cover 57 causes a corresponding contact pressure and thus a secure one mechanical contact between the narrow edges 54, 55 of the retaining plate 31 and metallic Layers 28 or fine structures 29 on the surface of the semiconductor system 30 as well as a mechanical contact between the rear side of the semiconductor system and the solder part 53.

Für eine genaue Lagejustierung zwischen den Schmalkanten 54, 55 des Haltebleches 31 und den Kontaktstellen an der Vorderseite des Halbleitersystems 30 sorgen die Toleranzen des Behälters 51 bzw.For precise position adjustment between the narrow edges 54, 55 of the Retaining plate 31 and the contact points on the front of the semiconductor system 30 ensure the tolerances of the container 51 or

der modifizierten Horde 2, welche den Toleranzen des Halbleitersystems 30 angepaßt sind. Ein Justieren des Halteblechs 31 gegen das Halbleitersystem 30 erübrigt sich. Die Behälter 51 bzw. die modifizierten Horden 2 werden in einem elektrischen Durchlaufofen oder mittels induktiver Erwärmung dosiert beheizt. Wegen der Gefahr einer Überhitzung der Halbleitersysteme 30 wird hierbei von der Verwendung von Wasserstoff-Flammen abgesehen. Die dem Behälter 51 bzw. der modifizierten Horde 2 zugeführte Wärmemenge wird so dosiert, daß das kugelförmige Lotteil 53 auf der Rückseite des Halbleitersystems 30 einen halbkugelförmigen Lotfleck 45 bildet und die vorbelotete Schmalkante 54 bzw. 55 des Halteblechs 31 mit der Oberseite des Halbleitersystems 30 eine mechanisch feste Lötverbindung herstellt. Die Güte der hierbei entstehenden elektrischen Kontakte ist zunächst unerheblich. Die Horde 1 aus Fig. 1 wird während der beschriebenen Arbeitsvorgänge automatisch mittels einer geeigneten Rüttelmaschine mflt Bodenplatten 10 bestückt. Eine solche Rüttelmaschine (nicht abgebildet) besteht im Prinzip aus einem großen Behälter, in den die Bodenplatten 10 ungeordnet eingefüllt werden. Am oberen Teil des Gefäßes ist eine Öffnung mit einem in vertikaler Richtung schräg nach unten verlaufenden Kanal angeordnet. Die Form der Bodenplatten 10 bewirkt, daß die Bodenplatten 10 nur in einer nach ihrer Querachse ausgerichteten Stellung den Kanal hinuntergleiten können. Für eine ständige Lageänderung der Bodenplatten 10 im Gefäß sorgen ständige Erschütterungen und Bewegungen des Gefäßes. Dadurch nimmt innerhalb einer gewissen Zeit jede vor der Austrittsöffnung liegende Bodenplatte 10 eine Lage ein, in der sie durch die Austrittsöffnung in den Kanal hineingleiten kann. Die so angeordneten Bodenplatten 10 werden dann mittels geeigneter (nicht abgebildeter) Hebewerkzeuge auf die Horde 1 aufgelegt.the modified Horde 2, which meets the tolerances of the semiconductor system 30 are adapted. Adjusting the holding plate 31 against the semiconductor system 30 unnecessary. The containers 51 or the modified trays 2 are in an electrical Continuous furnace or metered heating by means of inductive heating. Because of the danger Overheating of the semiconductor systems 30 is caused by the use of hydrogen flames apart. The amount of heat supplied to the container 51 or the modified tray 2 will dosed so that the spherical solder part 53 on the back of the semiconductor system 30 forms a hemispherical solder spot 45 and the pre-soldered narrow edge 54 or 55 of the holding plate 31 with the top of the semiconductor system 30 mechanically Establishes a solid solder connection. The quality of the resulting electrical contacts is initially irrelevant. The tray 1 from Fig. 1 is described during the Work processes automatically by means of a suitable vibrating machine with floor plates 10 equipped. Such a vibrating machine (not shown) basically consists of a large container into which the base plates 10 are filled in a random manner. At the upper part of the vessel there is an opening with an inclined in the vertical direction arranged downward channel. The shape of the floor panels 10 causes that the floor panels 10 only in a position aligned with their transverse axis slide down the canal. For a constant change of position of the floor slabs 10 in the vessel ensure constant vibrations and movements of the vessel. Through this takes within a certain time each floor plate lying in front of the outlet opening 10 a position in which they slide into the channel through the outlet opening can. The floor panels 10 arranged in this way are then used by means of suitable (not shown) lifting tools placed on the shelf 1.

Die mit Halteblechen 31 mechanisch fest verbundenen Halbleitersysteme 30 werden mittels entsprechender Hebewerkzeuge, in Fig. 1 angedeutet, durch die Vorrichtung 35, auf die Kontaktstifte 15, 16, der Bodenplatte 10 aufgesetzt, nachdem die Kontaktstifte 15, 16 zuvor automatisch in geeigneter Weise aufgerichtet und verformt, z. B. gequetscht wurden. Mit dem Quetschen der Kontaktstifte 15, 16 läßt sich eine Berührung der Haltebleche 31 mit der Bodenplatte 10 vermeiden. Es kommt dadurch nur der gewünschte Kontakt des halbkugelförmigen Lotflecks 45 am Halbleitersystem 30 mit der Bodenplatte 10 bzw. mit dem Amboß 14 zustande. Beim Schmelzen des Lotflecks 45 entsteht zwischen der Rückseite des Halbleitersystems 30 und der Oberfläche des Amboß 14 ein kapillarfeiner Hohlraum, den das flüssige Lot des Lotflecks 45 mittels Kapillarwirkung von der Mitte her ausfüllt und wobei die im Hohlraum befindliche Luft gleichzeitig nach außen gedrängt wird, so daß L entstehende Lotschicht sehr lunkerarn ist. Anschließend erfolgt eine automatische Bestückung der Kontaktstifte 15 mit Lotringen 46 (abgebildet in Fig. 7) z. B. mittels einer zentrifugenähnlichen Maschine (nicht abgebildet). Bei einer solchen zentrifugenähnlichen Maschine werden die Lotringe 46 in einen rotierenden Behälter eingebracht, der mit einer Öffnung und einer Gleitschiene versehen ist, die eine gewisse Neigung gegen die liorizontarne aufweist. Am unteren Ende dieser Schiene werden die Lotringe 46 von den Kontaktstiften 15 und 16 abgestreift. Anschließend erfolgt die endgültige Verlötung aller Lötstellen in einem elektrischen Durchlaufofen oder mittels induktiver Erwärmung, und zwar jeweils in Schutzgasatmosphäre. Eine anschließende optische Kontrolle kann automatisch durch Betrachtung der Bauelemente mittels geeigneter Hilfsmittel erfolgen. Anschließend wird eine automatische Behandlung der Halbleiteroberflächen sowie eine automatische Messung der elektrischen Parameter und eine automatische Auslese als Funktion der Messung vorgenommen. Schließlizh werden die Halbleiterbauelemente mit einer Verschlußkappe versehen.The semiconductor systems mechanically firmly connected with retaining plates 31 30 are indicated in Fig. 1 by means of appropriate lifting tools, through the Device 35, placed on the contact pins 15, 16, of the base plate 10 after the contact pins 15, 16 previously automatically erected and in a suitable manner deformed, e.g. B. were squeezed. With the squeezing of the contact pins 15, 16 can Avoid contact of the retaining plates 31 with the base plate 10. It is coming as a result, only the desired contact of the hemispherical solder spot 45 on the semiconductor system 30 with the base plate 10 or with the anvil 14. When melting the solder spot 45 is created between the back of the semiconductor system 30 and the surface of the Anvil 14 a capillary-fine cavity, which the liquid solder of the solder spot 45 by means Capillary action fills in from the middle and the one located in the cavity Air is pushed outwards at the same time, so that L arising The solder layer is very void. Automatic assembly then takes place the contact pins 15 with solder rings 46 (shown in Fig. 7) z. B. by means of a centrifuge-like machine (not shown). With such a centrifuge-like Machine, the solder rings 46 are placed in a rotating container, which is with an opening and a slide rail is provided, which has a certain inclination against which has liorizontarne. The solder rings 46 are at the lower end of this rail stripped from the contact pins 15 and 16. Then the final one takes place Soldering of all soldering points in an electric continuous furnace or by means of inductive Heating, in each case in a protective gas atmosphere. A subsequent optical Control can be done automatically by looking at the components using appropriate Aids. This is followed by an automatic treatment of the semiconductor surfaces as well as an automatic measurement of the electrical parameters and an automatic one Readout made as a function of the measurement. The semiconductor components are closing provided with a cap.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist für alle Halbleiterbauelemente und IC's anwendbar auch für solche mit sehr feinen Kontaktstrukturen und offenen pn-Übergängen an der Oberfläche. Insbesondere lassen sich hiermit Halbleiterbauelemente aus Germanium oder Silicium sowie Leistungshalbleiterbauelemente und Leistungs-IC's fertigen.The method according to the invention is applicable to all semiconductor components and ICs can also be used for those with very fine contact structures and open ones pn junctions on the surface. In particular, this allows semiconductor components made of germanium or silicon as well as power semiconductor components and power ICs manufacture.

7 Figuren 4 Patentansprüche Leersei te7 figures 4 claims Blank page

Claims (6)

Patentarls srüche 1. Verfahren zur teilautomatisierten Kontaktierung von Halbleitersystemen mit Bodenplatten, bei dem Haltebleche zur Kontaktierung benutzt werden und bei dem auf getrennten Förderbändern zwei verschiedene Arten von Horden laufen, wobei die Horden der einen Art mit den Bodenplatten bestückt werden, während in die Horden der anderen Art, die so gestaltet sind, daß sie mit an die Toleranzen der Haibleitersysteme und Haltebleche angepaßten Vertiefungen und Aufnahmestiften versehen sind, so daß sich ein Justieren der Haltebleche gegen die Halbleitersysteme erübrigt, die Halbleitersysteme und danach mindestens ein Halteblech so eingelegt werden, daß das Halteblech an den vorgesehenen Kontaktflächen mindestens ein Halbleitersystem berührt, daß anschließend zwischen Halbleitersystem an den Kontaktflächen und Halteblech mechanisch feste Verbindungen geschaffen werden und danach die Kombination aus Halbleitersystem und Halteblech auf die Bodenplatte aufgesetzt wird, wobei gegebenenfalls eine Verbindung zwischen Halteblech und Bodenplatte hergestellt wird, daß alle Lötstellen zwischen Halbleitersystem, Halteblech und Bodenplatte, welche nicht von vornherein mit Lot versehen sind, mit Lot bestückt werden, daß anschließend alle Lötstellen zwischen Halbleitersystem, Halteblech und Bodenplatte in einem Lötofen hergestellt werden, und daß schließlich das Halteblech in eine der Anzahl der Anschlüsse eines fertigen Halbleiterbauelementes entsprechende Zahl von Teilblechen durchtrennt wird, nach Patent (?at.Anm.P 25 41 114.7), d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Haltebleche und/oder großflächige Kontakte der Halbleitersysteme flußmittelfrei vorbelotet, d. h. vor Beginn des Kontaktierverfahrens ohne Verwendung eines Flußmittels mit Lot versehen werden.Patentarls claims 1. Process for partially automated contacting of semiconductor systems with base plates, where retaining plates are used for contacting and with two different types of trays on separate conveyor belts run, with the hordes of one kind being equipped with the floor panels while into the hordes of the other kind, which are designed in such a way that they comply with the tolerances the semiconductor systems and retaining plates adapted recesses and locating pins are provided so that an adjustment of the retaining plates against the semiconductor systems there is no need to insert the semiconductor systems and then at least one retaining plate be that the holding plate on the intended contact surfaces at least one semiconductor system touches that then between the semiconductor system on the contact surfaces and holding plate mechanically strong connections are created and then the combination of semiconductor system and holding plate is placed on the base plate, where appropriate a connection between holding plate and base plate is made that all soldering points between Semiconductor system, retaining plate and base plate, which are not soldered from the outset are provided, are equipped with solder that then all solder points between Semiconductor system, retaining plate and base plate are manufactured in a soldering furnace, and that finally the retaining plate in one of the number of connections of a finished Semiconductor component corresponding number of partial sheets is severed, according to Patent (? At.Anm.P 25 41 114.7), d u r c h e k e n n n z e i c h n e t that the retaining plates and / or large-area contacts of the semiconductor systems are flux-free pre-soldered, d. H. before starting the contacting process without using a flux be provided with solder. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß das Lot aus Weichlot insbesondere aus Blei, Zinn, Indium oder aus Legierungen dieser Metalle möglicherweise mit weiteren Metallzusätzen z. B. Silber bestehen.2. The method according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h Not that the solder is made from soft solder, in particular from lead, tin, indium or from alloys these metals possibly with further metal additives, e.g. B. consist of silver. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein Vorbeloten auf die Weise erfolgt, daß Lotteile von einer bestimmten geometrischen Gestalt und die vorzubelotenden Haltebleche und/oder Halbleitersysteme so in entsprechend geformte Behälter eingebracht werden, daß die Lotteile einerseits und die Haltebleche bzw. die Halbleitersysteme andererseits sich an den zu belotenden Kontaktflächen berühren, daß die Lotteile danach durch Wärmeeinwirkung geschmolzen, die Haltebleche bzw. die Halbleitersysteme an den zu belotenden Stellen mit Lot bedeckt werden.3. The method according to any one of claims 1 or 2, d a d u r c h g e it is not indicated that pre-soldering takes place in such a way that solder parts of a certain geometric shape and those to be pre-soldered Retaining plates and / or semiconductor systems are thus introduced into appropriately shaped containers that the solder parts on the one hand and the retaining plates or the semiconductor systems on the other hand touch on the contact surfaces to be soldered that the solder parts then melted by the action of heat, the retaining plates or the semiconductor systems are covered with solder at the places to be soldered. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Lotteile als Kugeln und/oder Zylinder und/oder Quader und/oder Würfel und/oder Streifen ausgebildet sind.4. The method according to any one of claims 1 to 3, d a d u r c h g e -k It is noted that the solder parts as spheres and / or cylinders and / or cuboids and / or cubes and / or strips are formed. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß ein Schmelzen der Lotteile durch eine Wasserstoff-Flamme und/oder einen elektrischen Durchlaufofen und/oder durch induktive Erwärmung jeweils in Schutzgasatmosphäre bewirkt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, d a d u r c h g e -k It is noted that the solder parts are melted by a hydrogen flame and / or an electric continuous furnace and / or by inductive heating, respectively is effected in a protective gas atmosphere. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Vorbeloten des Halteblechs durch Lotabscheidung aus einem galvanischen Bad oder durch Aufwalzen einer Lotschicht auf das Halteblech erfolgt.6. The method according to any one of claims 1 or 2, d a d u r c h g e it is not indicated that the pre-soldering of the holding plate by solder deposition from an electroplating bath or by rolling a layer of solder onto the holding plate he follows.
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