DE2635817A1 - Silicon semiconductor with large surface area used in solar cells - is prepd. by vapour deposition on substrate at room temp. - Google Patents

Silicon semiconductor with large surface area used in solar cells - is prepd. by vapour deposition on substrate at room temp.

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DE2635817A1 DE19762635817 DE2635817A DE2635817A1 DE 2635817 A1 DE2635817 A1 DE 2635817A1 DE 19762635817 DE19762635817 DE 19762635817 DE 2635817 A DE2635817 A DE 2635817A DE 2635817 A1 DE2635817 A1 DE 2635817A1
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Abstract

In the prodn. of Si semiconductor of large surface area for making electrical structures, esp. solar cells, with or without doping, deposition from the vapour phase on suitable substrates is carried out by evapn. of Si from an opt. doped source onto a substrate at room temp. Pref. the dopant is Ga, B or Al for p-doping or P, As or Sb for n-doping. Massive Si is used as the Si source. The substrate can consist of a metal acting as contact, e.g., Mo or Al, or a disc of insulating material, e.g., glass, quartz or sapphire. The process is simple and avoids saving, lapping and polishing.

Description

Verfahren zum Herstellen von großflächigen, aus Silicium be-Process for the production of large-area, silicon-loaded

stehenden Halbleitermaterialkörpern.standing semiconductor material bodies.

Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von großflächigen, aus Silicium bestehenden, zur Fertigung von elektrischen Bauelementen, insbesondere von Solarzellen, weitersuverarbeitenden Halbleitermaterialkörpern mit und ohne Dotierung durch Abscheiden von Silicium aus der Dampfphase auf für die Weiterverarbeitung der Siliciumkörper geeigneten Substraten.The present patent application relates to a method of manufacturing of large-area, made of silicon, for the production of electrical components, in particular of solar cells, further processing semiconductor material bodies with and without doping by depositing silicon from the vapor phase on for the Further processing of the silicon body suitable substrates.

Zur Herstellung von großflächigen, aus Silicium bestehenden elektrischen Bauelementen wie Solarzellen läßt sich ein Siliciummaterial verwenden, an welches in Bezug auf seine Kristaliqualität und Reinheit keine so großen Anforderungen gestellt werden müssen wie bei der Verwendung für integrierte Schaltkreise. Da diese Bauelemente im Vergleich zu den integrierten Schaltkreisen sehr billig sind, soll auch die Herstellung der Siliciumkörper, welche als Ausgangsmaterial verwendet werden, möglichst einfach und-billig sein.For the production of large-area, silicon-made electrical Components such as solar cells can use a silicon material to which In terms of its crystal quality and purity, there are no great demands must be as with the use for integrated circuits. Because these components are very cheap compared to the integrated circuits, the production should also the silicon body, which is used as the starting material, is as simple as possible and be cheap.

Es ist bekannt, großflächige Siliciumscheiben entweder durch das Tiegelziehverfahren nach Czochralski herzustellen, wobei es möglich ist, Stäbe mit entsprechend großen Durchmessern (bis zu 125 mm) zu ziehen, oder aber Siliciumstäbe durch das tiegelfreie Zonenschmelzen zu fertigen, wobei zur Herstellung von relativ groBen Durchmessern ein erheblicher technischer Aufwand notwendig wird. Bei beiden Verfahrensweisen treten jedoch beim Zerschneiden des Stabes in Scheiben oder in sogenannte "Bretter" durch Sägeschnitte Materialverluste bis -zu 50 ffi auf.It is known to produce large-area silicon wafers either by the crucible pulling method according to Czochralski, whereby it is possible to produce rods with correspondingly large Diameters (up to 125 mm) to be drawn, or silicon rods through the crucible-free To manufacture zone melts, whereby for the manufacture of relatively large diameters a considerable technical effort is necessary. With both approaches but occur when cutting the rod into slices or in so-called "boards" Material losses of up to 50 ffi through saw cuts.

Aus der deutschen Patentschrift 1 081 -869 ist ein Verfahren zur Herstellung von scheibenförmigen Siliciumkörpern zu entnehmen, bei dem das Silicium aus der Gasphase, insbesondere durch thermische Zersetzung einer siliciumenthaltenden, gasförmigen Verbindung auf einem erhitzten, einkristallinen Körper aufgebracht und anschließend durch Erhitzen in den einkristallinen Zustand übergeführt wird.German Patent 1,081-869 describes a process for production of disk-shaped silicon bodies, in which the silicon from the Gas phase, in particular through thermal decomposition of a silicon-containing, gaseous one Compound applied to a heated, monocrystalline body and then is converted into the monocrystalline state by heating.

Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt, besteht ebenfalls in der Herstellung eines, auf einfache Weise, also ohne Zersägen, Läppen und Polieren herzustellenden Siliciumkörpers, wobei aber zugleich das für die Abscheidung vorgesehene Substrat für die Weiterverarbeitung des Siliciumkörpers zu einem Bauelement verwendet werden kann.The object on which the present invention is based exists also in the production of a, in a simple way, without sawing, lapping and polishing silicon body to be produced, but at the same time that for the deposition intended substrate for the further processing of the silicon body into a component can be used.

Eine weitere Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll, besteht darin, daß möglichst großflächige, auch Dotierungsstrukturen aufweisende Siliciumkörper auf einfache Weise hergestellt werden und daß die Verteilung des Dotierstoffes im Silicium reproduzierbar eingestellt werden kann.Another object to be achieved by the invention consists in that the largest possible area, including doping structures Silicon bodies can be produced in a simple manner and that the distribution of the Dopant in the silicon can be adjusted reproducibly.

Die gestellten Aufgaben werden durch das erfindungsgemäße Verfahren dadurch gelöst, daß das Silicium im amorphen Zustand allein oder mit Dotierstoff aus mindestens einer Silicium und ggf. den Dotierstoff enthaltenden Verdampferquelle verdampft und gleichzeitig mit dem evtl. vorhandenen Dotierstoff in entsprechender Konzentration auf den, auf Zimmertemperatur befindlichen Substraten niedergeschlagen wird.The tasks set are achieved by the method according to the invention solved in that the silicon in the amorphous state alone or with dopant of at least one silicon and optionally containing the dopant Evaporator source evaporates and at the same time with the possibly existing dopant in the appropriate concentration on the substrates at room temperature being knocked down.

Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß zur besseren Steuerung der Dotierstoffkonzentration der Dotierstoff in einer getrennten Verdampferquelle verdampft wird. Als Dotierstoff werden zur Erzielung einer p-Leitfähigkeit die Elemente Gallium,.Bor und Aluminium, zur Erzielung einer n-ieitfähigkeit des aufgedampften Siliciums die Elemente Phosphor, Arsen und Antimon verwendet.It is within the scope of the inventive concept that for better control the dopant concentration of the dopant in a separate evaporator source is evaporated. The elements are used as dopants to achieve p-conductivity Gallium, .Bor and aluminum, to achieve a conductivity of the vapor-deposited Silicon uses the elements phosphorus, arsenic and antimony.

In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, als Substrate für die Siliciumbedampfung als Kontaktanschluß dienende Metalle wie Molybdän-und Aluminium oder scheibenförmige Unterlagen aus isolierendem Material wie Glas, Quarz und Spinelle oder Saphire zu verwenden. Dabei kann das Metall auch in Form einer Folie vorliegen. Es ist aber ebenso möglich, das amorphe Silicium auf einem Substrat abzuscheiden, das in einem für Silicium unlöslichen Lösungsmittel löslich ist, z.B.In a development of the inventive concept it is provided as Substrates for silicon vapor deposition serving as contact connection metals such as molybdenum and Aluminum or disk-shaped pads made of insulating material such as glass, quartz and use spinels or sapphires. The metal can also be in the form of a Slide present. But it is also possible to have the amorphous silicon on a substrate which is soluble in a silicon insoluble solvent, e.g.

auf Steinsalz. Auf diese Weise kann auch ein amorpher Siliciumkörper ohne Substrat hergestellt werden.on rock salt. An amorphous silicon body can also be used in this way can be produced without a substrate.

Als Verdampfergefäße werden zweckmäßigerweise Tiegel mit Wasserkuhlung aus Kupfer oder Silber verwendet, wobei das Schmelzgtlt in Tiegel s.B. durch einen tokvssierten Elektronenstrahl oder Laserstrahl direkt aufgeschmolzen wird. Der Aufdampfprozeß wird im Vakuum durchgeführt.Crucibles with water cooling are expediently used as evaporator vessels made of copper or silver, whereby the melt in crucible see B. through a tokvssierten electron beam or laser beam is melted directly. The vapor deposition process is carried out in a vacuum.

Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird das Silicium aus einer Verdampferquelle verdampft, die aus einem massiven Siliciumkörper -besteht. Dabei erfolgt die Verdampfung auch mittels energiereicher Strahlung wie fokussierter Elektronenstrahlung oder Laserstrahlung.According to another embodiment according to the teaching of the invention the silicon is evaporated from an evaporator source, which consists of a solid silicon body -consists. The evaporation also takes place by means of high-energy radiation such as focused electron radiation or laser radiation.

Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß zur Herstellung von Strukturen auf dem zu bedampfenden Substrat in den Dampfstrahl Masken mit entsprechender Geometrie gebracht werden, so daß unter Umständen sowohl p- als auch n-dotierendes Material gleichzeitig aufgedampft werden kann.It is within the scope of the invention that for the production of structures on the substrate to be vaporized in the vapor jet masks with appropriate geometry are brought, so that under certain circumstances both p- and n-doping material can be vapor-deposited at the same time.

Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß das Substrat ggf. unter Verwendung von mehr als einer Verdampferquelle beidæeitig bedampft wird. Dadurch ergeben sich bezüglich der Strukturierung in den Schichten weitere Tariationsmöglichkeiten.Another advantage of the method according to the invention is that that the substrate is on both sides, if necessary using more than one evaporation source is steamed. This results in terms of the structuring in the layers further tariff options.

Bei Bedarf ist es auch möglich, die amorphe Siliciumschicht mit oder ohne Dotierung nachträglich durch Umschmelzen und Impfen mit einem Einkristallkeim in den einkristallinen Zustand zu überführen oder durch Tempern bei Temperaturen größer 11000C während einer Zeitdauer von mindest.ens 6O Minuten in den kristallinen Zustand zu bringen.If necessary, it is also possible to have the amorphous silicon layer with or without doping afterwards by remelting and seeding with a single crystal seed to convert into the monocrystalline state or by annealing at temperatures greater than 11000C for a period of at least 6O minutes in the crystalline Bring state.

Durch die Maßnahmen der Siliciumbedampfung von walten" Substraten wird erreicht, daß die Dotierung völlig homogen und reproduzierbar in die Siliciumschicht eingebracht wird. Es findet keine Reaktion mit dem Substratmaterial statt. Es können sehr dünne Schichten großflächig und mit beliebiger Dotierung reproduzierpar hergestellt werden. Durch die Verwendung-von Masken und/bder der beidseitigen Bedampfung des Substrates ergeben sich Möglichkeiten, welche die Technologien bei der Herstellung von diffundierten Halbleiterbauelementen, z.B.By the measures of silicon vapor deposition on walten "substrates it is achieved that the doping is completely homogeneous and reproducible in the silicon layer is introduced. There is no reaction with the substrate material. It can very thin layers produced over a large area and with any doping in a reproducible manner will. Through the use of masks and / or baths of steaming on both sides of the Substrates result in possibilities which the technologies in the production of diffused semiconductor devices, e.g.

die Planartechnik, ersetzen könnten.the planar technology, could replace.

Anhand von Ausführungsbeispielen und der Figuren 1 bis 4 soll das erfindungsgemäße Verfahren im folgenden noch näher erläutert werden. Die Durchführung einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens ist aus der in der Figur 1 schematisch abgebildeten Vorrichtung ersichtlich; Fig. 2 zeigt eine Verdampferanordnung bestehend aus drei wassergekühlten Tiegeln; Fig. 3 zeigt einen wassergekühlten Tiegel im Schnittbild und die Fig. 4 eigt eine Schichtenfolge wie sie beispielsweise an einem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Siliciumkörper auftriej;,,,,,,,,,, In Figur 1 ist in einem, aus Quarz oder Edelstahl bestehenden Rezipienten 2 in einer Halterung 3 der aus Molybdän bestehende Substratkörper 4 befestigt. Als Verdampferquelle wird ein, über eine Halterung 5 in den Rezipienten 2 vakuumdicht eingeführter, mit einer Kühlung 14 versehener Siliciu1mstab 6 als Podestverdampfer verwendet, dessen Kuppe 7 durch einen von einer Elektronenquelle 8 ausgesandten, fokussierten Blektronenstrahl 9 aufgeschmolzen und zum Verdampfen gebracht wird. Durch eine in den Siliciumdampfstrahl 10 gebrachte, mit einer Öffnung 11 versehene Blende 12 wird das Silicium in amorpher Form auf'das aus Molybdän bestehende Substrat 4 entsprechend der Blendenöffnung 11 aufgedampft. Im Rezipienten 2 wird während des Aufdampfens durch einen am Anschluß 13 angebrachten Pumpstand (nicht dargestellt) ein Druck von etwa 05 Torr eingestellt.Based on exemplary embodiments and FIGS. 1 to 4, this is intended Process according to the invention are explained in more detail below. The implementation a variant of the method according to the invention is shown schematically in FIG shown device visible; Fig. 2 shows an evaporator arrangement consisting from three water-cooled crucibles; 3 shows a water-cooled crucible in a sectional view and FIG. 4 shows a sequence of layers as it is, for example, on one after the other silicon bodies produced according to the invention applied, ,,,,,,,,,, In Figure 1 is in a, made of quartz or stainless steel recipient 2 in a Holder 3 of the substrate body 4 made of molybdenum is attached. As an evaporator source is a vacuum-tight introduced into the recipient 2 via a holder 5, with a cooling 14 provided Siliciu1mstab 6 used as a pedestal evaporator, its Tip 7 by a focused sheet metal electron beam emitted by an electron source 8 9 is melted and made to evaporate. Through one in the silicon vapor jet A diaphragm 12 provided with an opening 11, the silicon becomes more amorphous Shape on the substrate 4 made of molybdenum in accordance with the aperture 11 evaporated. In the recipient 2 is during the evaporation through a connection 13 attached pumping unit (not shown) set a pressure of about 05 Torr.

Zur Erzielung einer Schichtenfolge von p-dotiertem Silicium, reinem Silicium und n-dotiertem Silicium wird eine Verdampferanordnung gemäß Fig. 2 verwendet, wobei die Verdampferquellel6 aus einem wassergekühlten Silbertiegel 17 mit einem, durch den von der Elektronenkanone ausgesandten und umgelenkten Elektronerstrahl 19 autgesthmolzenen Schmelzgut aus reinem Silicium 18 besteht, während die Verdampferquelle 26 aus einem wassergekühlten Silbertiegel 27 mit Antimon 28 und die Verdampferquelle 36 aus einem wassergekühlten Silbertiegel 37 mit reinem Aluminium 38 besteht, das durch den Elektronenstrahl 39 aufgeschmolzen und zum Verdampfen gebracht wird.To achieve a layer sequence of p-doped silicon, pure Silicon and n-doped silicon, an evaporator arrangement according to FIG. 2 is used, wherein the evaporator source 6 consists of a water-cooled silver crucible 17 with a, by the electron beam sent and deflected by the electron gun 19 autgesthmolzenen melt material consists of pure silicon 18, while the evaporation source 26 from a water-cooled silver crucible 27 with antimony 28 and the evaporator source 36 consists of a water-cooled silver crucible 37 with pure aluminum 38, the is melted by the electron beam 39 and caused to evaporate.

ber jeder Verdampferquelle sind schwenkbare Blenden 40,41,42 (siehe Doppelpfeile) angebracht, wobei in Fig. 2 die Blende 42 die Verdampferquelle 26 abdeckt. Mit dem Bezugszeichen 10 sind die Dampfstrahlen, mit 4 der Substratkörper und mit 3 die ihn umgebende Halterung bezeichnet. Die Verdampferquelen werden nacheinander oder je nach Bedarf gleichzeitig in Betrieb gesetzt, wobei für das Aufdampfen von reinem Silicium (16) eine Temperatur von 16000C, für die Al-Quelle 36 eine Temperatur von 8000C und für die Antimonquelle 26 eine Temperatur von 6000C eingestellt wird.Swiveling panels 40, 41, 42 (see Double arrows), wherein in FIG. 2 the aperture 42 represents the evaporation source 26 covers. With the reference numeral 10 are the steam jets, with 4 the substrate body and 3 denotes the bracket surrounding it. The vaporizer sources are sequential or put into operation at the same time as required, whereby for the vapor deposition of pure silicon (16) a temperature of 16000C, for the Al source 36 a temperature of 8000C and for the antimony source 26 a temperature of 6000C is set.

Zur Erzielung einer Schichtenfolge gemäß Fig. 4 werden zuerst die Quellen 16 und 36 gleichzeitig in Betrieb genommen, dann die Quelle 16 allein und schließlich die Quellen 16 und 26 gleichzeitig eingeschaltet. Abschließend kann dann unter Verwendung einer Kammstrukturblende die Verdampferquelle 36 mit Temperaturen von > 150000 eingeschaltet werden und ein zweiter Kontaktanschluß an den Halbleiterkörper angebracht werden. Die Aufwachsrate für Silicium wird auf 0.1 bis 0.5 /um/min., für reines Aluminium auf rv1 /um/Min. eingestellt.To achieve a layer sequence according to FIG. 4, the first Sources 16 and 36 put into operation at the same time, then source 16 alone and finally the sources 16 and 26 switched on simultaneously. In conclusion, can then using a comb structure aperture the evaporator source 36 with temperatures of> 150000 are switched on and a second contact connection to the semiconductor body be attached. The growth rate for silicon is set to 0.1 to 0.5 / µm / min., for pure aluminum to rv1 / um / min. set.

Fig. 3 zeigt einen mit, aus reinem Silicium bestehenden Schmelzgut beschickten, wassergekühlten Tiegel im Schnitt. Es sind die gleichen Bezugszeichen verwendet wie in Fig. 2. Die Pfeile 23 und 24 zeigen den tühlwasserlauf an.3 shows a melt material consisting of pure silicon filled, water-cooled crucible in section. The reference numbers are the same used as in Fig. 2. The arrows 23 and 24 indicate the cooling water flow.

In Fig. 4 ist der durch das erfindungsgemäße Verfahren z.B.In Fig. 4 the process according to the invention is shown e.g.

hergestellte Siliciumkbrper mit der p-i-n-Struktur, wie er beispielsweise für die Herstellung einer Solarzelle weiterverarbeitet werden kann, im Schnittbild dargestellt. Dabei bedeutet das Bezugszeichen 4 den aus Molybdän bestehenden Substratkörper und die Bezugszeichen 20, 21 und 22 die Schichtenfolge bestehend aus p-dotierter amorpher Siliciumschicht (ca. 600 ), reiner Siliciumschicht (1 /um) (intrinsic) und n-dotierter amorpher Siliciumschicht (600@).Manufactured silicon bodies with the p-i-n structure, such as, for example can be further processed for the production of a solar cell, in the sectional view shown. The reference numeral 4 denotes the substrate body made of molybdenum and the reference numerals 20, 21 and 22 the layer sequence consisting of p-doped amorphous silicon layer (approx. 600), pure silicon layer (1 / µm) (intrinsic) and n-doped amorphous silicon layer (600 @).

Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist auch die Möglichkeit gegeben, die aufgebrachten dotierten amorphen Siliciumschichten als niffusj.onsquellen für einzudiffundierende Zonen zu verwenden.The method according to the invention also provides the possibility of the applied doped amorphous silicon layers as diffusion sources for to use zones to be diffused.

4 Figuren 14 Patentansprüche4 Figures 14 claims

Claims (14)

P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Verfahren zum Herstellen von großflächigen, aus Silicium bestehenden, zur Fertigung von elektrischen Bauelementen, insbesondere Solarzell en, weiterzuverarbeitenden Halbleitermaterialkörpern mit und ohne Dotierung durch Abscheiden von Silicium aus der Dampfphase auf für die Weiterverarbeitung der Siliciumkörper geeigneten Substraten, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Silicium im amorphen Zustand allein oder mit Dotierstoff aus mindestens einer Silicium und gegebenenfalls den Dotierstoff enthaltenden Verdampferquelle verdampft und gleichzeitig mit dem evtl. vorhandenen Dotierstoff in entsprechender Konzentration auf den auf Zimmertemperatur bPfindlichen Substraten niedergeschlagen wird. P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Process for producing large, made of silicon, for the production of electrical components, in particular Solar cells, semiconductor material bodies to be further processed, with and without doping by depositing silicon from the vapor phase for further processing substrates suitable for the silicon body, that is to say e t that the silicon in the amorphous state alone or with dopant from at least an evaporator source containing silicon and optionally the dopant evaporated and at the same time with the possibly existing dopant in corresponding Concentration on the substrates which are sensitive to room temperature will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , rdaß der Doti.erstoff in einer getrennten Verdampferquelle verdampft wird.2. The method according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, that the dopant is evaporated in a separate evaporator source. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, d a d u r c h g e -k e n-n z e i c h n e t , daß als Dotierstoffe p-dotierende Elemente wie Gallium Bor und Aluminium verwendet werden.3. The method according to claim 1 and 2, d a d u r c h g e -k e n-n z e i c h n e t that p-doping elements such as gallium boron and aluminum are used as dopants be used. 4. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß als Dotierstoffe n-dotierende Elemente wie Phosphor, Arsen und Antimon verwendet werden.4. The method according to claim 1 and 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that as dopants n-doping elements such as phosphorus, arsenic and Antimony can be used. 5. Verfahren nach Anspruch 1 - 4, d a d u r c h ge -k e n n z e i c h n e t , daß als Substrate als Kontaktanschluß dienende Metalle wie Molybdän und Aluminium oder scheibenförmige Unterlagen aus isolierendem Material wie Glas, Quarz und Spinelle oder Saphire verwendet werden.5. The method according to claim 1-4, d a d u r c h ge -k e n n z e i c h n e t that metals such as molybdenum serving as substrates as contact connection and aluminum or disk-shaped pads made of insulating material such as glass, Quartz and spinels or sapphires can be used. 6. Verfahren nach Anspruch 1- 5, d a d u r c h g e -k e qn z e i c h n e t , daß als Verdampfergefäße Tiegel mit Wasserkühlung aus Kupfer oder Silber verwendet werden und der Aufdampfprozeß im Vakuum mittels energiereicher Strahlung durchgeführt wird.6. The method according to claim 1- 5, d a d u r c h g e -k e qn z e i c Not that water-cooled crucibles made of copper or silver are used as evaporator vessels are used and the vapor deposition process in a vacuum by means of high-energy radiation is carried out. 7. Verfahren nach Anspruch 1 - 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t ,- daß als Verdampferquelle für Silicium ein massiver Siliciuwkörper verwendet wird und die Verdampfung aus der aufgeschmolzenen Kuppe erfolgt.7. The method according to claim 1-5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, - that a massive silicon body is used as an evaporator source for silicon and the evaporation from the melted dome takes place. 8. Verfahren nach Anspruch 1 - 7 , d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Verdanipfung mittels fokus si erter Elektronenstrahlung oder lfaserstrahlung bewirkt wird.8. The method according to claim 1-7, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that evaporation by means of focused electron beams or fiber radiation is effected. 9. Verfahren nach Anspruch 1 - 8, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung von Strukturen auf dem zu bedamDfenden Substrat in den Dsmpfntrahl Masken mit entsprechender Geometrie gebracht werden.9. The method according to claim 1-8, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that for the production of structures on the substrate to be required masks with appropriate geometry can be brought into the Dsmpfntrahl. 10. Verfahren nach Anspruch 9, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß sowohl p- als auch n-dotierendes Material gleichzeitig aufgedampft wird.10. The method according to claim 9, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t that both p- and n-doping material are vapor-deposited at the same time will. 11. Verfahren nach Anspruch 1 - 10 , d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß das Substrat gegebenenfalls unter Verwendung von mehr als einer Verdampferquelle beidseitig bedampft wird.11. The method according to claim 1 - 10, d a d u r c h g e -k e n n z Note that the substrate may be using more than one Evaporator source is vaporized on both sides. 12. Verfahren nach Anspruch 1 - 11, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die anorphe Siliciumschicht mit oder ohne Dotierung nachträglich durch Umschmelzen und Impfen in den einkristallinen Zustand übergeführt wird.12. The method according to claim 1-11, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that the anorphic silicon layer with or without doping afterwards is converted into the monocrystalline state by remelting and seeding. 13. Verfahren nach Anspruch 1 - 11, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die amorphe Siliciumschicht durch Tempern bei >110000 während einer Zeitdauer von mindestens 60 Minuten in den kristallinen Zustand übergeführt wird.13. The method according to claim 1-11, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that the amorphous silicon layer by annealing at> 110,000 during converted into the crystalline state over a period of at least 60 minutes will. 14. Siliciumhalbleiterkörper mit einer Schichtenfolge von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp, hergestellt nach einem Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 - 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Schichtenfolge aus aufgedampftem amorphem Silicium mit Dotieuszusätzen gebildet wird.14. Silicon semiconductor body with a layer sequence of alternating different line types, produced by a method according to at least one of claims 1 - 13, d u r c h g e n n n z e i c h n e t that the Layer sequence formed from vapor-deposited amorphous silicon with doping additives will.
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