DE2549920C3 - Device for processing an electrical signal using elastic surface waves - Google Patents

Device for processing an electrical signal using elastic surface waves

Info

Publication number
DE2549920C3
DE2549920C3 DE19752549920 DE2549920A DE2549920C3 DE 2549920 C3 DE2549920 C3 DE 2549920C3 DE 19752549920 DE19752549920 DE 19752549920 DE 2549920 A DE2549920 A DE 2549920A DE 2549920 C3 DE2549920 C3 DE 2549920C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
signal
elastic
substrate
wave
interaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19752549920
Other languages
German (de)
Other versions
DE2549920A1 (en
DE2549920B2 (en
Inventor
Charles Antibes Maerfeld
Pierre Cagnes-Sur-Mer Tournois
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of DE2549920A1 publication Critical patent/DE2549920A1/en
Publication of DE2549920B2 publication Critical patent/DE2549920B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2549920C3 publication Critical patent/DE2549920C3/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/005Arrangements for selecting an address in a digital store with travelling wave access
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06GANALOGUE COMPUTERS
    • G06G7/00Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
    • G06G7/12Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
    • G06G7/19Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals, correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions
    • G06G7/195Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals, correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions using electro- acoustic elements
    • GPHYSICS
    • G10MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
    • G10KSOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G10K11/00Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
    • G10K11/36Devices for manipulating acoustic surface waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

gekennzeichnet durch Leseeinrichtungen (2, 3; 5, 6; 7, 8), welche derart ausgebildet sind, daß sie zumindest eine elastische oder elektromagnetische Oberflächenwelle anregen, die ein drittes Signal darstellt und die mit den Bereichen in Wechselwirkung tritt, um eine resultierende elastische oder elektromagnetische Oberflächenwelle zu bilden, welche die Faltungs- oder Korrelationsfunktion des durch die Bereiche dargestellten Signals mit dem dritten Signa; darstellt.characterized by reading devices (2, 3; 5, 6; 7, 8) which are designed such that they excite at least one elastic or electromagnetic surface wave, which is a third signal represents and which interacts with the areas to produce a resulting elastic or surface electromagnetic wave, which is the convolution or correlation function of the signal represented by the areas with the third signa; represents.

2. Vorrichtung nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die dem dritten Signal entsprechende Welle eine elastische Oberflächenwelle ist, deren Kreisfrequenz gleich der Kreisfrequenz ist, die der räumlichen Periode der Bereiche entspricht, wobei die resultierende Welle eine elektromagnetische Oberflächenwelle ist, die mittels der Einrichtungen (2,3) zum Anregen einer elektromagnetischen Welle gewonnen wird.2. Apparatus according to claim I 1, characterized in that the wave corresponding to the third signal is an elastic surface wave whose angular frequency is equal to the angular frequency which corresponds to the spatial period of the regions, the resulting wave being an electromagnetic surface wave generated by means of the devices (2,3) is obtained for exciting an electromagnetic wave.

3. Vorrichtung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die dem dritten Signal entsprechende Welle eine elektromagnetische Oberflächenwelle ist, deren Kreisfrequenz gleich der Kreisfrequenz ist, die der räumlichen Periode der Bereiche entspricht, wobei die resultierende Welle eine elastische Oberflächenwelle ist, die entweder mittels des Anfangssignalsendewandlers (5, 6) oder mittels der Einrichtungen (2, 3) zum Anregen einer elektromagnetischen Welle gewonnen wird.3. Device according to claim I, characterized in that that the wave corresponding to the third signal is a surface electromagnetic wave, whose angular frequency is equal to the angular frequency that corresponds to the spatial period of the areas, wherein the resulting wave is an elastic surface wave generated either by means of the Initial signal transmitter (5, 6) or by means of the devices (2, 3) for exciting an electromagnetic Wave is won.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten und dritten Signale dieselbe Kreisfrequenz wie das Anfangssignal haben.4. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the second and third Signals have the same angular frequency as the initial signal.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Signal impulsförmigist.5. Device according to one of claims I to 4, characterized in that the third signal is pulsed.

6. Vorrichtung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Leseeinrichtungen (5, 6; 7, 8) zwei elastische Oberflächenwelle!! anregen, deren Kreisfrequenzen von der des Anfangssignals und des zweiten Signals verschieden sind, wobei die resultierende Oberflächenwelle eine von den sie bildenden Wellen verschiedenen Kreisfrequenz und eine Amplitude hat, welche das Integral über der Wechselwirkungszone des Produkts der Amplituden des durch die Bereiche dargestellten Signals und der durch die Leseeinrichtungen ausgesandten beiden6. Apparatus according to claim I, characterized in that the reading devices (5, 6; 7, 8) two elastic surface wave !! excite whose angular frequencies are different from that of the initial signal and the second signal are different, with the resulting surface wave being one of those forming them Waves have different angular frequencies and an amplitude, which is the integral over the Interaction zone of the product of the amplitudes of the signal represented by the areas and the both sent by the reading devices

Signale darstelltRepresents signals

7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten und dritten Signale konjugiert sind.7. Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the second and third Signals are conjugated.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Signal ein linear frequenzmoduliertes Signal ist und daß das durch die Bereiche dargestellte Signal die Fourier-Transformierte des Anfangssignals ist.8. Apparatus according to claim 7, characterized in that the second signal is a linearly frequency-modulated Signal and that the signal represented by the areas is the Fourier transform of the start signal.

9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Anregen einer elektromagnetischen Oberflächenwelle eine erste Elektrode (3), die in der Nähe der Oberfläche oder auf der Oberfläche des Substrats (1) ohne Berührung mit dem Wandler (5; 6) angebracht ist, und eine zweite Elektrode (2) enthalten, die auf einer Seite des Substrats (1) gegenüber der ersten Elektrode (3) angeordnet ist, wobei an diese Elektroden (2,3) das zweite Signal angelegt wird.9. Device according to one of claims 1 to 8, characterized in that the devices for Exciting a surface electromagnetic wave a first electrode (3), which is located in the vicinity of the Surface or on the surface of the substrate (1) attached without contact with the transducer (5; 6) is, and a second electrode (2) included on a side of the substrate (1) opposite the first Electrode (3) is arranged, the second signal being applied to these electrodes (2,3).

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Anregen einer elektromagnetischen Oberflächenwelle zwei interdigital angeordnete metallische Kämme (20,30) enthalten, die auf die Oberfläche des Substrats (1) aufgebracht sind und zwischen denen die elektromagnetische Oberflächenwelle durch Anlegen des zweiten Signals erzeugt wird.10. Device according to one of claims 1 to 9, characterized in that the devices for Excitation of an electromagnetic surface wave, two interdigitally arranged metallic Contain combs (20,30) which are applied to the surface of the substrate (1) and between them the surface electromagnetic wave is generated by applying the second signal.

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Art zur Verarbeitung eines elektrischen Signals unter Verwendung von elastischen Oberflächenwellen.The invention relates to a device of the type specified in the preamble of claim 1 for processing an electrical signal using elastic surface waves.

Es sind bereits verschiedene Vorrichtungen vorgeschlagen worden, bei welchen die Wechselwirkungen zwischen elastischen Wellen, d. ii. zwischen Druck- oder Scherschwingungsbewegungen unterschiedlicher Frequenzen zum Zwecke der Amplituden- und Frequenzanalyse von Bildern ohne Speichereffekt oder ferner Wechselwirkungen zwischen elastischen Wellen und elektromagnetischen Wellen zur Speicherung ausgenutzt werden. Als Beispiele können genannt werden:Various devices have been proposed in which the interactions between elastic waves, d. ii. between pressure or shear vibration movements of different frequencies for the purpose of amplitude and frequency analysis of images without memory effect or further Interactions between elastic waves and electromagnetic waves used for storage will. The following can be mentioned as examples:

- Vorrichtungen, bei welchen eine Reihe von Elementarzellen benutzt wird, die jeweils aus einem Kondensator und aus einer Festkörperdiode bestehen, welche in Reihe angeordnet sind und wobei der Isolator des Kondensators mit Piezoelektrizität ausgestattet ist; diese Vorrichtungen bilden beispielsweise den Gegenstand der deutschen Patentanmeldung P 24 59 671.2;
Vorrichtungen, in welchen die Verteilung des der Herkunft nach piezoelektrischen Potentials gespeichert wird, welches während der nicntlinearen Wechselwirkung zwischen elastischer Welle und elektromagnetischer Welle erscheint, wobei diese Speicherung entweder in dem piezoelektrischen Material selbst oder in zusätzlichen Schichten erfolgt, wie es beispielsweise in der deutschen Patentanmeldung P 25 49 848.0-53 vorgeschlagen ist.
Devices in which a series of unit cells is used, each consisting of a capacitor and a solid-state diode, which are arranged in series and the insulator of the capacitor is provided with piezoelectricity; these devices form, for example, the subject of German patent application P 24 59 671.2;
Devices in which the distribution of the originating piezoelectric potential is stored, which appears during the non-linear interaction between elastic wave and electromagnetic wave, this storage either in the piezoelectric material itself or in additional layers, as is, for example, in the German patent application P 25 49 848.0-53 is proposed.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Art· so auszubilden, daß sie verschiedene Verarbeitungen von ihr zugefUhrten elektrischen Signalen entsprechend deren Art, Dauer und Form gestattet.The object of the invention is to provide a device of the type specified in the preamble of claim 1 to train them to process various electrical signals supplied to them accordingly their type, duration and form are permitted.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöstThis object is achieved according to the invention by the features indicated in the characterizing part of claim 1 Features solved

Die Vorrichtung nach der Erfindung ermöglicht die Verarbeitung von elektrischen Signalen durch Korreiation oder Faltung. Diese Verarbeitung erfolgt mittels einer entsprechend einem beliebigen bekannten Verfahren ausgeführten vorhergehenden Speicherung eines Zwischensignals, das sich aus der nichtlinearen Wechselwirkung zwischen einem in eine elastische Oberflä- ι ο chenwelle umgewandelten Anfangssignal und einer elektromagnetischen oder elastischen Oberflächenwellelle ergibt Ein Ausgangssignal wird erzielt, indem eine zweite nichtlineare Wechselwirkung zwischen dem gespeicherten Zwischensignal und einer elektromagnetischen oder einer elastischen Oberflächenwelle erfolgt The device according to the invention enables electrical signals to be processed by correlation or convolution. This processing takes place by means of a previous storage of an intermediate signal, carried out according to any known method, which results from the nonlinear interaction between an initial signal converted into an elastic surface wave and an electromagnetic or elastic surface wave Interaction between the stored intermediate signal and an electromagnetic or an elastic surface wave takes place

Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigtSeveral embodiments of the invention are described below with reference to the drawings described in more detail. It shows

F i g. 1 eine Ausführungsfonn der Vorrichtung nach der Erfindung, dieF i g. 1 shows an embodiment of the device according to of the invention that

Fig.2, 3 und 5 Kurven, welche die Form von der Vorrichtung nach der Erfindung zugeführten elektrischen Signalen zeigen,Fig. 2, 3 and 5 curves showing the shape of the Device according to the invention show applied electrical signals,

Fig.4 eine Ausführungsform der Funktion der Speicherung von Informationen darstellenden »Bereichen«, 4 shows an embodiment of the function of storing information representing "areas",

Fig.6 schematisch eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung, und6 schematically shows a further embodiment the device according to the invention, and

F i g. 7 schematisch noch eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung von F i g. 1.F i g. 7 schematically shows yet another embodiment of the device from FIG. 1.

In diesen verschiedenen Figuren beziehen sich einerseits gleiche Bezugszeichen auf gleiche Teile und andererseits sind zur besseren Übersichtlichkeit der Zeichnungen die Vorrichtung und die Signale in einem willkürlichen und insgesamt vergrößerten Maßstab dargestellt worden. In these various figures , on the one hand, the same reference numerals relate to the same parts and, on the other hand, for better clarity of the drawings, the device and the signals have been shown on an arbitrary and overall enlarged scale.

In F i g. 1 sind dargestellt:In Fig. 1 are shown:

— ein piezoelektrisches Substrat 1, beispielsweise in Form eines Plättchens, das beispielsweise aus üthiumniobat LJNbO3 besteht und an dessen Oberfläche sich elastische Wellen ausbreiten können; A piezoelectric substrate 1, for example in the form of a plate, which consists for example of lithium niobate LJNbO3 and on the surface of which elastic waves can propagate;

— zwei elektromechanische Wandler 5 und 6, beispielsweise des Typs mit interdigital angeordneten Kämmen, die auf das Substrat 1 an den äußeren Enden des Plättchens aufgebracht sind und sich an der Oberfläche des Substrats ausbreitende elastische Wellen aussenden oder empfangen; Two electromechanical transducers 5 and 6, for example of the type with interdigitally arranged combs, applied to the substrate 1 at the outer ends of the wafer and emitting or receiving elastic waves propagating on the surface of the substrate;

— Signalspeichereinrichtungen, die in F i g. 1 symbo lisch durch eine Schicht 4 dargestellt sind, die auf das Substrat 1 zwischen den Wandlern S und 6 aufgebracht ist und eine doppelte Funktion hat: einerseits dient sie zur Isolierung und andererseits zum Festhalten der »Bereiche«, und von denen eine Ausführungsform weiter unten angegeben ist; - Signal storage devices which are shown in FIG. 1 are symbolically represented by a layer 4, which is applied to the substrate 1 between the transducers S and 6 and has a double function: on the one hand it serves to isolate and on the other hand to hold the "areas", and one embodiment of which is below is specified;

— Einrichtungen zum Aussenden und Empfangen einer elektromagnetischen Welle, die aus zwei Elektroden 2,3 bestehen, von denen die Elektrode 2 auf der von den Wandlern abgewandten Seite des Substrats 1 und die Elektrode 3 auf der Schicht 4 angeordnet ist Devices for transmitting and receiving an electromagnetic wave, which consist of two electrodes 2, 3, of which the electrode 2 is arranged on the side of the substrate 1 facing away from the transducers and the electrode 3 is arranged on the layer 4

Bezüglich der Betriebsweise der Vorrichtung unterscheidet man eine Phase der Speicherung (d h. des Einschreiben) und eine Phase des Ablesens der Signale.With regard to the mode of operation of the device, a distinction is made between a storage phase (i.e. the Writing) and a phase of reading the signals.

Die Speicherung erfolgt in dieser Struktur und als nicht als Einschränkung zu verstehendes Beispiel gemäßThe storage takes place in this structure and as an example that is not to be understood as a limitation

55 den Darlegungen in der oben genannten deutschen Patentanmeldung P 25 49 848.0-53. Es wird während dieser Speicherungsphase einer der auf dem Substrat 1 angeordneten Wandler, beispielsweise der Wandler 5, durch ein elektrisches Signal erregt und liefert eine elastische Oberflächenwelle folgender Form: 55 the statements in the above-mentioned German patent application P 25 49 848.0-53. During this storage phase, one of the transducers arranged on the substrate 1, for example the transducer 5, is excited by an electrical signal and delivers an elastic surface wave of the following form:

S = Au - j · cos (f»£ - kx), S = Au - j cos (f »£ - kx) ,

wobei A die Amplitude des Signals, ω seine Kreisfrequenz, Ar seine Wellenzahl, ν die Ausbreitungsgeschwindigkeit der elastischen Wellen an der Oberfläche des Substrats 1 und Ox die Ausbreitungsrichtung dieser Wellen ist und wobei der Ursprung ο in der Mitte der Wechselwirkungszone angenommen wird, die eine Länge L hat Ein Beispiel für ein solches Signal ist in F i g. 2 angegeben.where A is the amplitude of the signal, ω is its angular frequency, Ar is its wave number, ν is the speed of propagation of the elastic waves on the surface of the substrate 1 and Ox is the direction of propagation of these waves and where the origin ο is assumed to be in the center of the interaction zone, which is one length L hat An example of such a signal is shown in FIG. 2 specified.

Nachdem das gesamte Signal 5 in eine elastische Oberflächenwelle umgewandelt ν,-.-rden ist, wird ein Impuls T, der eine gegenüber der Dau..r des Signals 5 kurze Dauer und dieselbe Kreisfrequenz ω hat und in F i g. 3 dargestellt ist, an die Elektroden 2 und 3 angelegtAfter the entire signal 5 has been converted into an elastic surface wave ν, -.- rden, a pulse T, which compared to the duration of the signal 5 has a short duration and the same angular frequency ω and in Fig. 3 is applied to electrodes 2 and 3

Dieser Impuls erzeugt auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2, die unter der Elektrode 3 liegt, eine elektromagnetische Oberflächenwelle folgender Form:This pulse generated on the entire surface of the piezoelectric substrate 2, which is below the Electrode 3 is an electromagnetic surface wave of the following form:

T = B(I) · cos („t, T = B (I) · cos ("t,

die in nichtlinearer Weise mit dem Feld in Wechselwirkung tritt, das sich durch piezoelektrischen Effekt aus dem Raster von mechanischen Spannungen aufgrund der elastischen Oberflächenwelle Sergibt. Das Ergebnis dieser Augenblickswechselwirkung in einem Punkt χ ist proportional zu:which interacts in a non-linear manner with the field that is produced by the piezoelectric effect from the grid of mechanical stresses due to the elastic surface wave. The result of this momentary interaction at a point χ is proportional to:

AU- -λ ■ BU) ■ cos \_„,t ± („.t - kx)']. AU- -λ ■ BU) ■ cos \ _ ", t ± (" .t - kx) '].

Diese Wechselwirkung induziert im Prinzip elastische Oberflächenwellen, die durch die Wertepaare (Kreisfrequenz, Wellenvektor) gekennzeichnet sind, welche sich aus der Summe und der Differenz der Wertepaare ergeben, die die in Wechselwirkung tretenden Wellen kennzeichnen. Man betrachtet hier jedoch pur den Ausdruck des Phasengliedes, das der Differenz entspricht: das ist nämlich das einzige Glied, das sich zur Speicherung eignet, da es während der Dauer der Wechselwirkung von der Zeit t unabhängig und allein eine Funktion der Abszisse χ ist.In principle, this interaction induces elastic surface waves, which are characterized by the value pairs (angular frequency, wave vector) which result from the sum and the difference of the value pairs that characterize the interacting waves . Here, however, we consider the expression of the phase term in its purest form, which corresponds to the difference: that is the only term that is suitable for storage, since it is independent of the time t during the duration of the interaction and is solely a function of the abscissa χ .

Da die elektromagnetische Oberflächenwelle T im vorliegenden Fall nicht notwendigerweise von kurzer Dauer ist, ist die Wechselwirkung zwischen den beiden Weilen Sund Tnicht ganz kurz und, wenn das Substrat 1 mit einer derartigen Zeitkonstante anspricht, daß eine Integration der Augenblickswechselwirkungen erfolgt erhält man in einem Abszissenpunkt χ das Ergebnis des folgenden Integrals:Since the electromagnetic surface wave T is not necessarily of short duration in the present case, the interaction between the two waves Sund T is not very short and, if the substrate 1 responds with such a time constant that the momentary interactions are integrated, one obtains χ at an abscissa point the result of the following integral:

6060 ft (A) =ft (A) =

· df· Df

cos kx cos kx

wobei (-) die Gesamtwechselwirkungszeit ist, oder: where (-) is the total interaction time, or:

-V cos/ix-V cos / ix

wobei Cdie Korrelationsfunktion der Signale Sund und λ ein Proportionalitätsfaktor ist. where C is the correlation function of the signals Sund and λ is a proportionality factor .

Zur Vereinfachung des Schreibens wird dieser Faktor im folgenden gleich Eins gesetzt.To simplify writing, this factor is set equal to one in the following.

Es ist somit am Ende der nichtlinearen Wechselwirkung in einem Abszissenpunkt χ ein Potentialzustand vorhanden, der zu dem Wert der Korrelationsfunktion proportional ist. In der gesamten Wechselwirkungszone erhält man die Werte der Korrelationsfunktionen, die zwischen At the end of the non-linear interaction there is thus a potential state at an abscissa point χ which is proportional to the value of the correlation function. Throughout the zone of interaction gives the values of the correlation functions between

liegen und durch den Faktor cos kx räumlich moduliert sind.and are spatially modulated by the factor cos kx.

Dieser Potentialzustand, der die Korrelationsfunktion Cdarstellt, wird auf dem Substrat f durch die Schicht 4 gespeichert, von der oben gesagt worden ist, daß sie symbolisch alle bekannten Einrichtungen zum Fixirrrn des Oberflächenpotentialzustands des Substrats 1 darstellt. Diese Einrichtungen sind beispielsweise in den oben genannten deutschen Patentanmeldungen angegeben und können aus der Modifizierung entweder der Oberflächenladung oder der Anzahl von eingefangenen Elektronen eines homogenen Halbleiters oder der gespeicherten Ladungen in pn-Übergängen und zugeordneten Kondensatoren bestehen. Die Schicht 4 ist in Wirklichkeit entweder in das Substrat 1 integriert oder besteht aus zusätzlichen Schichten, die im allgemeinen von dem Substrat 1 durch eine dünne Luftschicht getrennt sind.This potential state, which represents the correlation function C, is stored on the substrate f by the layer 4, of which it has been said above that it symbolically represents all known devices for fixing the surface potential state of the substrate 1. These devices are specified, for example, in the above-mentioned German patent applications and can consist of modifying either the surface charge or the number of trapped electrons of a homogeneous semiconductor or the stored charges in pn junctions and associated capacitors. The layer 4 is in reality either integrated into the substrate 1 or consists of additional layers which are generally separated from the substrate 1 by a thin layer of air.

Als Beispiel zeigt F i g. 4 eine Ausführungsform der Schicht 4 zum Festhalten der Bereiche, welche die Information darstellen.As an example, FIG. FIG. 4 shows an embodiment of the layer 4 for retaining the areas which the Present information.

F i g. 4 zeigt wieder das Substrat 1, welches durch die Elektroden 2 und 3 bedeckt ist. wobei die Elektrode 3 von dem Substrat durch eine dünne Luftschicht 40 und eine in ihrer Gesamtheit mit der Bezugszahl 4 bezeichnete Anordnung von Schichten getrennt ist.F i g. 4 again shows the substrate 1, which is covered by the electrodes 2 and 3. where the electrode 3 from the substrate through a thin layer of air 40 and one with the reference number 4 in its entirety designated arrangement of layers is separated.

Das Substrat 1 besteht aus einem piezoelektrischen Material, wie beispielsweise Lithiumniobat LiNbOj oder Blei-Zirkonat-Titanat PZT. Der Zwischenraum 40 hat die Aufgabe, die Schichten 4 von dem Substrat 1 zu trennen, damit sich die elastischen Wellen an der Oberfläche des Substrats frei ausbreiten können.The substrate 1 consists of a piezoelectric material such as lithium niobate or LiNbOj Lead zirconate titanate PZT. The intermediate space 40 has the task of closing the layers 4 away from the substrate 1 separate so that the elastic waves can freely propagate on the surface of the substrate.

Die Schichtanordnung 4 bestellt nacheinander und nach außen hin aus: einer Siliciumoxidschicht 41; einer Schicht 42 aus Silicium oder aus einem amorphen Halbleiter; einer metallischen Elektrode 43, die über einen Anschluß 45 mit einem Vorspannungspotentia! (nicht dargestellt) vprbunden ist; und einer Isolierschicht 44. The layer arrangement 4 sequentially and outwardly consists of: a silicon oxide layer 41; a layer 42 of silicon or of an amorphous semiconductor; a metallic electrode 43, which via a connection 45 with a bias potential! (not shown) is connected; and an insulating layer 44.

Zum Speichern der Bereiche wird, wenn die Siliciumschicht 42 N-Ieitend ist. die Elektrode 43 auf ein positives Potential gebracht; es wird dann eine Verarmung an Majoritätsladungsträgern in der Siliciumschicht 42 erzeugt. Es existiert eine gewisse Schwellenpotentialdifferenz zwischen den beiden Seiten des Dielektrikums 41, oberhalb welcher Minoritätsladungsträger (in diesem Beispiel positive Viinoritätsladungsträger) in der Siliciumschicht 42 sich an der Grenzfläche 41—42 ansammeln. Diese Erscheinung wird zum Speichern der Bereiche ausgenutzt, indem die Elektrode 43 derart (positiv) vorgespannt wird, daß, wenn die Oberfläche des Substrats 1 auf einem gleichmäßigen Potential ist, sie gerade unter das Schwellenpotentiai gebracht wird. Wenn die Verteilung des Potentials an der Oberfläche des Substrats 1 ein positives Gebiet darstellt, bleibt die Potentialdifferenz zwischen den beiden Seiten der Schicht 41 unterhalb de: Schwellenwertes und es erfolgt keine Besetzungsände rung der Ladungsträger. Dagegen wird angesichts eine« negativen Gebietes die PotentiaJdifferenz zwischen der beiden Seiten der Schicht 41 größer als der Schwellen wert und es findet eine Ansammlung von (positiven] Minoritätsladungsträgern an der Grenzfläche 41-42 statt die das (negative) Potential des betreffender Gebietes und, allgemeiner, die Verteilung des Potential; ίο an der Oberfläche des Substrats 1 fixiert, das auf diese Weise nach der Beendigung der nichtlinearen Wechselwirkung, von der sie erzeugt worden ist, fortbesteht.When the silicon layer 42 is N-conductive, it is used to store the regions. the electrode 43 brought to a positive potential; majority carrier depletion is then created in silicon layer 42 . There is a certain threshold potential difference between the two sides of the dielectric 41, above which minority charge carriers (in this example positive majority charge carriers) in the silicon layer 42 collect at the interface 41-42 . This phenomenon is exploited to store the areas in that the electrode 43 is (positively) biased in such a way that when the surface of the substrate 1 is at a uniform potential, it is brought just below the threshold potential. If the distribution of the potential on the surface of the substrate 1 represents a positive region, the potential difference between the two sides of the layer 41 remains below the threshold value and there is no change in occupation of the charge carriers. In contrast, in the face of a negative area, the potential difference between the two sides of the layer 41 becomes greater than the threshold value and there is an accumulation of (positive) minority charge carriers at the interface 41-42 , the (negative) potential of the area concerned and, more generally , the distribution of the potential; ίο fixed on the surface of the substrate 1, which persists in this way after the termination of the non-linear interaction which produced it.

Entsprechend einer Abwandlung der Vorrichtung wobei immer noch die Speicherungsphase betrachtei wird, kann zur selben Zeit wie der Wandler 5 durch da? Signal S der Wandler 6 durch ein Signal U erregl werden, welches dann eine elastische Oberflächenwelle fnlcrpnripr Form erzeugt: According to a modification of the device, whereby the storage phase is still considered, can at the same time as the converter 5 through there? Signal S of the transducer 6 can be excited by a signal U , which then generates an elastic surface wave fnlcrpnripr form:

U = Dft+ *YcOS(m/ f kx). U = Dft + * YcOS (m / f kx).

Das gespeicherte Signal wird dann sein:The stored signal will then be:

■ cos 2 kx ,■ cos 2 kx ,

ι ο ι ο

das heißt die Korrelation
C
that is, the correlation
C.

der beiden Signale 5 und U, die zwar noch immer durch den Faktor cos 2 kx räumlich moduliert aber um einen Faktor 2 in bezug auf den vorhergehenden Fall η komprimiert sind. of the two signals 5 and U, which are still spatially modulated by the factor cos 2 kx but are compressed by a factor of 2 in relation to the previous case η.

In den beiden Fällen werden somit erzielt: In both cases the following is achieved:

— die Korrelation von zwei Signalen, beispielsweise von einem bekannten Signal (Toder U) mit einem unbekannten Signal S; 4" — die Speicherung nicht allein des Anfangssignals 5 The correlation of two signals, for example of a known signal (T or U) with an unknown signal S; 4 "- the storage not only of the start signal 5

beispielsweise die Fourier-Transformierte des Anfangssignals 5 sein kann, wenn das Signal Tein linear frequenzmoduliertes Signal ist wie etwa das in F i g. 5 dargestellte Signal: es handelt sich um ein Signal, dessen Frequenz linear von einem Minimum fm in einem Zeitpunkt 4> bis zu einem Maximum fa in einem Zeitpunkt fi ansteigt wobei die Amplitude durch das Signal B moduliert ist for example, the Fourier transform of the initial signal can be 5 if the signal T is a linear frequency modulated signal such as that in FIG. 5: it is a signal whose frequency increases linearly from a minimum f m at a point in time 4> to a maximum fa at a point in time fi, the amplitude being modulated by the signal B.

Für die Lesephase wird entweder eine elastische oder eine elektromagnetische Oberflächenwelle angeregt die mit dem gespeicherten Signal Q in Wechselwirkung tritt um eine andere elektromagnetische oder elastische For the reading phase, either an elastic or an electromagnetic surface wave is excited, which interacts with the stored signal Q to form another electromagnetic or elastic wave

ί 5 Oberflächenwelle zu bilden, die gelesen werden kann.ί Form 5 surface wave that can be read.

Gemäß einer ersten Variante wird mit Hilfe eines der Wandler 5 oder 6 eine elastische Oberflächenwelle erzeugt welche dieselbe Kreisfrequenz hat wie die, die der räumlichen Modulation des gespeicherten Signals According to a first variant, with the aid of one of the transducers 5 or 6, an elastic surface wave is generated which has the same angular frequency as that of the spatial modulation of the stored signal

bo entspricht Wenn das gespeicherte Signal das Signal Q ist hat die für das Lesen benutzte elastische Oberflächenwelle folgende Form: bo corresponds to If the stored signal is the signal Q , the elastic surface wave used for reading has the following form:

-K)-K)

1 · cos {mt ± kx) 1 · cos {mt ± kx)

und, je nach dem, ob das Signal dem Wandler 6 oder 5 zugeführt wird, erhält man das Vorzeichen Plus bzw. da« Vorzeichen Minus. and, depending on whether the signal is fed to converter 6 or 5 , the plus or minus sign is obtained.

Die nichtlineare Wechselwirkung der Signale /ι undThe non-linear interaction of the signals / ι and h H ergibt folgendes Signal L\: results in the following signal L \:

L2 = L 2 =

COS 2 rnt COS 2 rnt

i;i?«m für das Phasenglied dasjenige beibehalten wird, das, entsprechend dem Wandler zur Aussendung des Signals /, entweder der Differenz oder der Summe entspricht. i ; i? «m that is retained for the phase element which, according to the converter for emitting the signal /, corresponds to either the difference or the sum.

Das Signal /_.. das an den Klemmen der F.lektroclen 2 und 3 verfügbar ist, stellt — moduliert durch das Glied cos(/)f — entweder eine Korrelation oder eine Faltung der Signale C und R dar, gemäß dem Vorzeichen des Signals R. The signal / _ .. which is available at the terminals of the F.lektroclen 2 and 3 represents - modulated by the term cos (/) f - either a correlation or a convolution of the signals C and R , according to the sign of the signal R.

Wenn das gespeicherte Signal das SignalWhen the stored signal is the signal

ist. hat die für das Lesen benutzte elastische Oberflächenwelle folgende Form:is. the elastic surface wave used for reading has the following form:

• cos (2 ο/ i 2Aa) .• cos (2 ο / i 2Aa).

Die nichtlineare Wechselwirkung der Signale J2 und C: ergibt das folgende Signal L2: The non-linear interaction of the signals J 2 and C: results in the following signal L 2 :

L1 L 1

A" "Y"A "" Y "

COS eif COS eif

das dem Signal L\ analog ist, bis auf die Kompression um einen Faktor 2.which is analogous to the signal L \ , except for the compression by a factor of 2.

Gemäß einer zweiten Variante erzeugt man mittels der Elektroden 2 und 3 eine elektromagnetische Oberflächenwelle, welche die Kreisfrequenz hat, die der räumlichen Modulation des gespeicherten Signals Q entspricht. Man hat somit in analoger Weise eine elektromagnetische Oberflächenwelle ATi für das Lesen. Wenn das gespeicherte Signal das SignalAccording to a second variant, an electromagnetic surface wave which has the angular frequency that corresponds to the spatial modulation of the stored signal Q is generated by means of the electrodes 2 and 3. In an analogous manner, one thus has a surface electromagnetic wave ATi for reading. When the stored signal is the signal

O, =c(X\- cos Av
V ϊ J
O, = c ( X \ - cos Av
V ϊ J

ist. gilt:is. is applicable:

K\ = P(t) ■ coswf. K \ = P (t) ■ coswf.

Die Wechselwirkung dieser Signale ergibt ein Signal M\ in cos (ml ± kx), das an einem der Wandler 5 oder 6 verfügbar ist.The interaction of these signals results in a signal M \ in cos (ml ± kx), which is available at one of the transducers 5 or 6.

Wenn das gespeicherte Signal das Signal When the stored signal is the signal

Qi =Qi =

ist, erzeugt man für das Lesen eine elektromagnetische Oberflächenwellea surface electromagnetic wave is generated for reading

K2 = P(t) ■ cos2ü)f, K 2 = P (t) ■ cos2ü) f,

deren nichtlineare Wechselwirkung mit dem Signal Q2 ein Signal M2 in whose non-linear interaction with the signal Q 2 generates a signal M 2 in

cos (2 eof ± 2kx) cos (2 eof ± 2kx)

ergibt, das an einem der Wandler 6 oder 5 verfügbar und dem Signal M\ analog ist, bis auf den Kompressionsfaktor. results that is available at one of the transducers 6 or 5 and is analogous to the signal M \ , except for the compression factor.

Es ist zu bemerken, daß bei diesen beiden Varianten die für ein gegebenes gespeichertes Signal Q erhaltenen Signale L oder Midentisch sind.It should be noted that in these two variants the signals L or M obtained for a given stored signal Q are identical.

An den für das Ausgangssignal erhaltenen Ausdrükken sieht man, daß die Vorrichtung verschiedeneIt can be seen from the expressions obtained for the output signal that the device is different

Verarbeitungen entsprechend der Art, der Dauer und der Form der Signale 5, Γ oder U, und /erlaubt, die ihr zugeführt werden.Processing is allowed according to the type, duration and form of the signals 5, Γ or U, and / which are fed to it.

Insbesondere, wenn das Signal /ι (t) das konjugierte Signal des Signals 7"(± /,list, das heißt, wenn das Signal T die Impulsantwort des dem Signal /i angepaßten Filters ist, so daß geschrieben werden kann In particular if the signal / ι (t) is the conjugate signal of the signal 7 "(± /, list, that is, if the signal T is the impulse response of the filter matched to the signal / i, so that writing can be carried out

erreicht man die Wiederherstellung des Signals .9, und zwar mit einem guten Wirkungsgrad, denn bei der Verarbeitung wird eine Integration auf der gesamten Wechsclwirkiingszone ausgeführt. In dem zweiten Fall, wenn J2 (t)das konjugierte Signal des zeitlich um einen Faktor Zwei komprimierten Signals i/ist, das heißtthe restoration of the signal .9 is achieved with a high degree of efficiency, since the processing involves integrating the entire interaction zone. In the second case, when J 2 (t) is the conjugate signal of the signal i / time compressed by a factor of two, that is

J1(O= U(±2 0J 1 (O = U (± 2 0

ι_-·ι, _ t _ _i„_„_IU — — n —-j:~ ._ _ J:_ Mf 1..ι_- · ι, _ t _ _i "_" _ IU - - n —-j: ~ ._ _ J: _ Mf 1 ..

iinait man until ut-iist-itn,ii ut.uiii^uiigt.11 uit. TTii.ut_iherstellung des Signals S. Die Signale /, Tund t/können beispielsweise linear frequenzmodulierte Impulse sein. iinait man until ut-iist-itn, ii ut.uiii ^ uiigt.11 uit. TTii.ut_i production of the signal S. The signals /, T and t / can, for example, be linear frequency-modulated pulses.

Bei einer dritten Variante der Lesephase erzeugt man zwei Oberflächenwellen (elastische oder elektromagnetische), deren Kreisfrequenzen von der verschieden sind, die der räumlichen Modulation des gespeicherten Signals Q entspricht, was die Gewinnung eines Ausgangssignals erlaubt, dessen Trägerfrequenz von der der zum Schreiben benutzten Signale verschieden ist. Zu diesem Zweck benutzt man die in Fig. 6 dargestellte Struktur, die sich von der von F i g. 1 nur durch die Hinzufügung von zwei elektromechanischen Wandlern 7 und 8 an den äußeren Enden des Substrats I neben den Wandlern 5 bzw. 6 unterscheidet. Diese Wandler 7 und 8 haben somit eine Teilung, die von der der Wandler 5 und 6 verschieden ist.In a third variant of the reading phase, two surface waves (elastic or electromagnetic) are generated whose angular frequencies are different from that corresponding to the spatial modulation of the stored signal Q , which enables an output signal to be obtained whose carrier frequency is different from that of the signals used for writing is. For this purpose, the structure shown in FIG. 6 is used, which differs from that of FIG. 1 differs only by the addition of two electromechanical transducers 7 and 8 at the outer ends of the substrate I next to the transducers 5 and 6, respectively. These transducers 7 and 8 thus have a pitch which is different from that of the transducers 5 and 6.

Beispielsweise werden zwei elastische Oberflächenwellen für das Lesen entweder von den Wandlern 5 und 6 oder in derselben Richtung von den Wandlern 7 und 5 ausgesandt.For example, two elastic surface waves are used for reading either by the transducers 5 and 6 or sent in the same direction from the transducers 7 and 5.

Sie haben folgende Form:They have the following form:

N1 = D, (t - Λ V cos |e„ / - Α·, χ) N 1 = D, (t - Λ V cos | e "/ - Α ·, χ)

N2 = D2(t± X Y cosie^f ±A-2A). N 2 = D 2 (t ± X Y cosie ^ f ± A- 2 A).

Wenn die Kreisfrequenzen wi und ω2 die Gleichheit der Wellenzahlen erfüllen, das heißt:If the angular frequencies wi and ω 2 satisfy the equality of the wave numbers, that is:

A-i ± Ar2 = ± k oder ± 2 Ar, Ai ± Ar 2 = ± k or ± 2 Ar,

so liefert die Wechselwirkung ein Signal folgender Form: the interaction delivers a signal of the following form:

■ COS((«■ COS ((«

das an den Elektroden 2 und 3 abgenommen werden kann. Entsprechend der Art, der Dauer und der Form der Signale Ni und N2 erreicht man verschiedene Verarbeitungen. Insbesondere, wenn die Amplitude D\ konstant ist und wenn die Amplitude D2 ein kurzer Rechteckimpuls ist, so hat das Ausgangssignal als Amplitude die Korrelationsfunktionwhich can be removed from electrodes 2 and 3. Various processings are achieved according to the kind, duration and shape of the signals Ni and N 2. In particular, if the amplitude D \ is constant and if the amplitude D 2 is a short rectangular pulse, the output signal has the correlation function as amplitude

Wenn die beiden Signale Ni und N2 konstante Amplituden D\ und D2 haben, erhält man folgendesIf the two signals Ni and N 2 have constant amplitudes D \ and D 2 , the following is obtained

AusgangssignalOutput signal

zur Folge, der durchresult in the

d.v.d.v.

Schließlich, wenn die Amplitude Di konstant und die Amplitude Eh die konjugierte Amplitude der Amplitude ßdes Schreibsignals Γ ist, erhält man an dem Ausgang die Wiederherstellung der Amplitude A des Anfangssignals 5. ίοFinally, if the amplitude Di is constant and the amplitude Eh is the conjugate amplitude of the amplitude ß of the write signal Γ, the restoration of the amplitude A of the initial signal 5. ίο is obtained at the output

Fig. 7 veranschaulicht eine andere Ausführungsform der Elektroden 2 und 3 von Fig. I, die beispielsweise eine Änderung der Frequenz zwischen dem Eingangssignal .S'und dem Ausgangssignal oder einen Filiervorgangmöglichmacht, r,Fig. 7 illustrates another embodiment of electrodes 2 and 3 of Fig. I, for example, a change in frequency between the input signal .S 'and the output signal or enables a filtering process, r,

F i g. 7 zeigt wieder das Substrat I und die Wandler 5 und 6 an den Enden des Substrats. Die Funktion der Elektroden 2 und 3 von F i g. 1 wird hier durch zwei Kämme 2ö und 3ö realisiert, die interdigital angeordnet sind, eine Teilung ρ haben und in der Mitte des Substrats >n t parallel zu den Wandlern 5 und 6 angeordnet sind, wobei die Kämme 20 und 30 mit dem Generator 9 verbunden sind. Die Kämme 20 und 30 können bei dieser Ausführungsform direkt auf dem Substrat I angeordnet sein. >-,F i g. 7 again shows the substrate I and the transducers 5 and 6 at the ends of the substrate. The function of electrodes 2 and 3 of FIG. 1 is implemented here by two combs 2ö and 3ö, which are arranged interdigitally, have a pitch ρ and are arranged in the middle of the substrate> n t parallel to the transducers 5 and 6, the combs 20 and 30 being connected to the generator 9 are. The combs 20 and 30 can be arranged directly on the substrate I in this embodiment. > -,

Wie zuvor, sorgt man für die Wechselwirkung der beispielsweise von dem Wandler 5 ausgesandten und das Signal ^darstellenden elastischen Oberflächenwelle (ω, k) mit der elektromagnetischen Oberflächenwelle, die das an die Kämme 20 und 30 angelegte Signal T m darstellt und durch eine Wellenzahl gekennzeichnet ist, die gegenüber k nicht mehr vernachlässigbar ist. As before, the interaction of the elastic surface wave (ω, k), which is transmitted, for example, by the transducer 5 and represents the signal ^, with the electromagnetic surface wave, which represents the signal T m applied to the combs 20 and 30 and is characterized by a wave number which is no longer negligible compared to k.

sondern gleich "^ ist, wobei ρ die Teilung der Kämme 20but equal to "^, where ρ is the pitch of the ridges 20

und 30 bezeichnet. Die Wechselwirkung hat die η Erzeugung eines zeitunabhängigen Potentialbereichesand 30 denotes. The interaction has the η Generation of a time-independent potential area

gekennzeichnet ist und den man auf dem Substrat speichert,marked and stored on the substrate,

Man sorgt für eine zweite Wechselwirkung zwischen diesem Bereich und einer elastischen Oberflächenwelle (ίοι, k\) der Kreisfrequenz ωι und der Wellenzahl Ατι. wobei A second interaction is provided between this area and an elastic surface wave (ίοι, k \) of the angular frequency ωι and the wave number Ατι. whereby

gill und wobei ν die Ausbreitungsgeschwindigkeit der elastischen Wellen an der Oberfläche des Substrats ist. Diese zweite Wechselwirkung hat die Erzeugung einer elastischen Oberflächenwelle der Formgill and where ν is the speed of propagation of the elastic waves on the surface of the substrate. This second interaction has the creation of an elastic surface wave of the shape

zur Folge, die nur dann fortschreitend ist, wenn für die Wellenzahlresult, which is only progressive if for the wavenumber

K = kt Ik t 2"7 gilt: K = '"' .
P >'
K = k t Ik t 2 " 7 the following applies: K = '"'.
P>'

in welchem Fall man an einem der Wandler ein Signal erhält, dessen Kreisfrequenz modifiziert und gleich der Kreisfrequenz W1 der elastischen Lesewelle geworden ist.in which case a signal is obtained at one of the transducers, the angular frequency of which has been modified and has become equal to the angular frequency W 1 of the elastic read wave.

Die Vorrichtung nach der Erfindung kann insbesondere bei der Herstellung von Rechnern verwendet werden, in denen die Operationen durch Verarbeitung von elastischen Oberflächenwellen ausgeführt werden.The device according to the invention can be used in particular in the manufacture of computers in which the operations are carried out by processing surface elastic waves.

llicr/u 3 IShilt Zeichniiimenllicr / u 3 IShilt drawing

Claims (1)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Vorrichtung zur Verarbeitung eines elektrischen Signals (Anfangssignals) unter Verwendung von elastischen Oberflächenwellen, bestehend aus:1. Apparatus for processing an electrical signal (initial signal) using of elastic surface waves, consisting of: — einem piezoelektrischen Substrat;- a piezoelectric substrate; — zumindest einem elektromechanischen Wandler, der das Anfangssignal empfängt und längs des Substrats sich ausbreitende elastische Oberflächen wellen aussendet;- at least one electromechanical converter, which receives the initial signal and propagates along the substrate elastic Emits surface waves; — Einrichtungen zum Anregen elastischer oder elektromagnetischer Oberflächenwellen, die ein zweites Signal darstellen und die mit den erstgenannten elastischen Oberflächenwellen in Wechselwirkung treten, um räumlich unterschiedliche und periodische Bereiche zu bilden, weiche die Korrelationsfunktion des Anfongssignak jnd des zweiten Signals darstellen;- Means for exciting elastic or electromagnetic surface waves, which a represent the second signal and the elastic surface waves mentioned in Interact to form spatially different and periodic areas, which represent the correlation function of the initial signal and the second signal; — Einrichtungen zum Festhalten der Bereiche:- Devices for holding the areas:
DE19752549920 1974-11-08 1975-11-06 Device for processing an electrical signal using elastic surface waves Expired DE2549920C3 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7437079A FR2290787A1 (en) 1974-11-08 1974-11-08 ELECTRICAL SIGNAL PROCESSING SYSTEM, USING ELASTIC SURFACE WAVES

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2549920A1 DE2549920A1 (en) 1976-05-26
DE2549920B2 DE2549920B2 (en) 1979-10-18
DE2549920C3 true DE2549920C3 (en) 1980-07-10

Family

ID=9144794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752549920 Expired DE2549920C3 (en) 1974-11-08 1975-11-06 Device for processing an electrical signal using elastic surface waves

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5171036A (en)
DE (1) DE2549920C3 (en)
FR (1) FR2290787A1 (en)
GB (1) GB1527867A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0061033B1 (en) * 1981-03-06 1985-10-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrostatic voltage sensor
RU2745541C1 (en) * 2020-08-06 2021-03-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Electric field-controlled functional element of magnonics

Also Published As

Publication number Publication date
DE2549920A1 (en) 1976-05-26
FR2290787A1 (en) 1976-06-04
DE2549920B2 (en) 1979-10-18
JPS5171036A (en) 1976-06-19
FR2290787B1 (en) 1977-03-18
GB1527867A (en) 1978-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2142040A1 (en) Frequency-spreading delay circuit
DE2327925C2 (en)
DE2437928A1 (en) INTERDIGITAL CONVERTER FOR SURFACE WAVE DELAY CABLES AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING
DE1276834B (en) Electromechanical device for changing the amplitude of an acoustic signal
DE2711460A1 (en) ELECTROACOUSTIC SIGNAL PROCESSING DEVICE
DE1541018B2 (en) Device for retarding electrical oscillations
DE2010196A1 (en) Vibration converter for flexural vibrators
DE2549920C3 (en) Device for processing an electrical signal using elastic surface waves
DE2451590C2 (en) Device for reading a sound image
DE2234693C2 (en) Surface acoustic wave filter
DE2326064A1 (en) SEISMIC HOPE
DE2650475C2 (en) Method and arrangement for operating an image scanner by means of a solid-state image recorder
DE2719201C3 (en) Electroacoustic device for reading an optical image
DE2533572C3 (en) Arrangement for generating a center of gravity signal from a series of video signals
DE2513166C3 (en) System for converting an optical image into electrical signals
DE2139218C3 (en) Monolithic crystal filter
US4128615A (en) Method for processing an electric signal using elastic surface waves
DE2643053A1 (en) DEVICE FOR TWO-DIMENSIONAL READING OF OPTICAL IMAGES
DE2436728A1 (en) ELECTROACOUSTIC DELAY DEVICE
DE2658564C3 (en) Device for electroacoustic reading of a two-dimensional optical image
DE2549848C3 (en) Information storage device using elastic waves
DE1959514C3 (en) Circuit arrangement for filtering out an LF band
DE2459671C3 (en) Storage device for high frequency signals
DE2058447A1 (en) Method and device for the excitation of spin resonances
DE2657409A1 (en) DEVICE FOR TWO-DIMENSIONAL ELECTROACOUSTIC READING OF AN OPTICAL IMAGE

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee