DE2544434A1 - Rapid switching LSI circuitry - has clock pulses to consecutive FET stages mutually inverse for binary signal processing - Google Patents

Rapid switching LSI circuitry - has clock pulses to consecutive FET stages mutually inverse for binary signal processing

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DE2544434A1 DE19752544434 DE2544434A DE2544434A1 DE 2544434 A1 DE2544434 A1 DE 2544434A1 DE 19752544434 DE19752544434 DE 19752544434 DE 2544434 A DE2544434 A DE 2544434A DE 2544434 A1 DE2544434 A1 DE 2544434A1
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Abstract

Binary processing LSI circuitry consists of stages each of which has a load FET in series with connecting and active FETs and is controlled by a separate clock pulse. One main terminal of the load FET is connected to a capacitor, and is the stage output, connected to the input of at least one other stage. To speed signal processing the clock pulses to consecutive stages should be mutually inverse, consecutive stages (3, 4) have linking FET (T2, T3, T6, T7) of different conduction type from the load transistors (T4, T5). The wall transistors are connected alternately to the voltage source terminals.

Description

"Integrierte Schaltung in dynamischer CMOS#TechnikU"Integrated circuit in dynamic CMOS technologyU

Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit MOS-Transistoren zur Verarbeitung von binären Signalen mit mindestens zwei Stufen, von denen jede aus der Reihenschaltung eines Ladetransistors des einen Leitfähigkeitstyps sowie eines oder mehrerer, untereinander in Reihe und/oder parallel geschalteter Verknüpfungstransistoren und eines Aktivierungstransistors des anderen Leitfähigkeitstyps zwischen den Polen einer Spannungsquelle besteht, wobei der Steueranschluß des Ladetransistors und des Aktivierungstransistors mit derselben Taktleitung verbunden ist und der vom Pol abgewandte Uauptanschluß des Ladetransistors mit einer Kapazität verbunden ist und den Ausgang der Stufe darstellt und der Ausgang einer Stufe mit dem Eingang mindestens einer anderen Stufe verbunden ist und aufeinanderfolgende Stufen mit unterschiedlichen Taktleitungen verbunden ist.The invention relates to an integrated circuit with MOS transistors for processing binary signals with at least two stages, each of which from the series connection of a charging transistor of one conductivity type as well as one or more linking transistors connected in series and / or in parallel with one another and an activation transistor of the other conductivity type between the poles a voltage source, the control terminal of the charging transistor and of the activation transistor is connected to the same clock line and that of the Pole facing away from the main terminal of the charging transistor is connected to a capacitance and represents the output of the stage and the output of a stage with the input at least one other stage is connected and successive stages with different clock lines is connected.

Eine derartige Schaltung ist aus der DT-OS 2 316 619 bekannt, und dieser Aufbau wird als dynamische CMOS-Technik bezeichnet.Such a circuit is known from DT-OS 2 316 619, and this structure is called dynamic CMOS technology.

Bei dem einen Pegel des Taktsignals wird der Ladetransistor eingeschaltet, der die Kapazität dann bis nahezu auf die Spannung des Pols auflädt, an den der Ladetransistor angeschlossen ist.At one level of the clock signal, the charging transistor is switched on, which then charges the capacitance almost to the voltage of the pole to which the Charging transistor is connected.

Währenddessen ist der Aktivierungstransistor gesperrt. Bei dem anderen Pegel des Taktsignals ist der Ladetransistor gesperrt und der Aktivierungstransistor leitend, so daß nun die Verknüpfungstransistoren wirksam sind und, abhängig von den an die Verknüpfungstransistoren angelegten Signale, die Kapazität wieder entladen können.During this time, the activation transistor is blocked. With the other At the level of the clock signal, the charging transistor is blocked and the activation transistor conductive, so that now the link transistors are effective and, depending on the signals applied to the logic transistors discharge the capacitance again can.

Diese Technik vereinigt die Vorteile der dynamischen MOS-Technik, die einen einfachen und sehr platzsparenden Aufbau besitzt, mit den Vorteilen der komplementären Technik, die nur geringe Leistung verbraucht und hohe Schaltgeschwindigkeiten erreichen läßt. Beim Hintereinanderschalten mehrerer Stufen ist jedoch nachteilig, daß ein Eingangssignal nicht in dem Augenblick verarbeitet werden kann, in dem es von der vorhergehenden Stufe geliefert wird, sondern erst mit dem nächsten Taktsignal, so daß zwangsläufig eine erhebliche Verzögerung eines mehrere Stufen durchlaufenden Signals auftritt.This technology combines the advantages of dynamic MOS technology, which has a simple and very space-saving structure, with the advantages of complementary technology that only consumes low power and high switching speeds can achieve. When connecting several stages in series, however, it is disadvantageous that that an input signal cannot be processed at the moment it is is supplied by the previous stage, but only with the next clock signal, so that there is inevitably a considerable delay in running through several stages Signal occurs.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine integrierte Schaltung der eingangs genannten Art in CMOS-Technik anzugeben, die eine höhere Signalverarbeitungsgeschwindigkeit ermöglicht. Diese Aufgabe wird erfindungsgenäß durch die im Hauptanspruch angegebenen Merkmale gelöst. Bei einer derartigen Schaltung ist es möglich, daß ein Eingangssignal alle aufeinanderfolgenden Stufen in einer Taktphase durchläuft. Zweckmäßig sind dabei die den aufeinanderfolgenden Stufen zugeführten Taktsignale zueinander invers.The object of the invention is to provide an integrated circuit of the initially mentioned specified type in CMOS technology to indicate that a higher signal processing speed enables. This object is according to the invention by those specified in the main claim characteristics solved. With such a circuit it is possible that an input signal passes through all successive stages in a clock phase. The clock signals fed to the successive stages are useful here inversely to each other.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.Further refinements of the invention are set out in the subclaims marked.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnung erläutert. Es zeigen Figur 1 zwei aufeinanderfolgende Stufen mit Verknüpfungstransistoren unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps, Figur 2 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Funktion der Stufen nach Figur 1, Figur 3 aufeinanderfolgende Mehrfach-Stufen init nachgeschalteten Invertern als Zwischenspeicher, Figur 4 ein Diagramm zur Erläuterung der Funktion der Schaltung nach Figur 3, Figur 5 das Blockschaltbild einer programmierbaren logischen Anordnung, Figur 6 den genaueren Aufbau der Anordnung nach Figur 5, Figur 7 eine Anordnung zum Zählen und zum Erzeugen von Ansteuersignalen für eine Anzeige, Figur 8 die Anordnung einiger Transistoren der Schaltung nach Figur 3 bzw. 6 auf einer Halbleiterscheibe.Embodiments of the invention are described below with reference to the drawing explained. FIG. 1 shows two successive stages with logic transistors different conductivity types, Figure 2 is a timing diagram to explain the Function of the stages according to FIG. 1, FIG. 3 successive multiple stages init downstream inverters as a buffer, Figure 4 is a diagram for explanation the function of the circuit according to Figure 3, Figure 5 is the block diagram of a programmable logical arrangement, Figure 6 shows the more precise structure of the arrangement according to Figure 5, Figure 7 shows an arrangement for counting and for generating control signals for a display, figure 8 shows the arrangement of some transistors of the circuit according to FIG. 3 or 6 on one Semiconductor wafer.

In Figur 1 sind zwei miteinander verbundene Stufen 3 und 4 dargestellt, bei denen die Verknüpfungstransistoren von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp sind. Dabei ist der Substratanschluß von N-Kanal-Transistoren mit dem negativen Pol der Speisespannung und der Substratanschluß von P-Kanal-Transistoren mit dem positiven Pol der Speise spannung verbunden. Die Stufe 3 enthält einen Ladetransistor T4, der in diesem Beispiel ein N-Kanal-Transistor ist und dessen einer Hauptanschluß mit dem einen Pol 1 einer Spannungsquelle verbunden ist, dessen Spannung hier als OV bezeichnet ist. Der andere Hauptanschluß des Ladetransistors T4 ist mit einer Kapazität Cl, die üblicherweise durch eine parasitäre Kapazität gebildet wird, mit dem Ausgang D1 der Stufe 3 sowie mit einem Hauptanschluß eines ersten Verknüpfungstransistors T3 verbunden. Dieser ist ebenso wie der damit in Reihe geschaltete zweite Verknüpfungstransistor T2 sowie der Aktivierungstransistor T7 ein P-Kanal-Transistor. Der andere Hauptanschluß des Aktivierungstransistors T1 ist mit dem anderen Pol 2 der Spannungsquelle verbunden, dessen Spannung mit +U bezeichnet ist. Es wäre jedoch auch ohne Änderung der Funktion und des Aufbaues möglich, die Spannung dieses Pols 2 mit OV und die Spannung des Pols 1 mit -U zu bezeichnen. Ebenso ist es möglich, den Leitfähigkeits typ aller Transistoren umzukehren, wenn gleichfalls die Polarität der Spannungsquelle umgekehrt wird. Auch ist es möglich, gegenüber der in Figur 1 dargestellten Schaltung die Reihenfolge des Aktivierungstransistors T1 und der Verknüpfungstransistoren T2 und T3 zu vertauschen, ohne daß dadurch die Funktion der Schaltung geändert wird. Diese Möglichkeiten gelten alle auch für die nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele.In Figure 1, two interconnected stages 3 and 4 are shown, in which the link transistors are of different conductivity types. The substrate connection of N-channel transistors with the negative pole is the Supply voltage and the substrate connection of P-channel transistors with the positive Pole of the supply voltage connected. Stage 3 contains a charging transistor T4, which in this example is an N-channel transistor and its one main connection is connected to one pole 1 of a voltage source, the voltage of which is here as OV is designated. The other main terminal of the charging transistor T4 is connected to a Capacitance Cl, which is usually formed by a parasitic capacitance, with the output D1 of stage 3 and a main connection of a first logic transistor T3 connected. This is just like the second link transistor connected in series with it T2 and the activation transistor T7 a P-channel transistor. The other main line of the activation transistor T1 is connected to the other pole 2 of the voltage source, whose voltage is denoted by + U. However, it would also be without changing the function and the structure possible, the voltage of this pole 2 with OV and the voltage of the Designate pole 1 with -U. It is also possible to change the conductivity type of all Reverse transistors if likewise the polarity of the voltage source is reversed will. It is also possible, compared to the circuit shown in FIG Order of the activation transistor T1 and the link transistors T2 and T3 to be swapped without changing the function of the circuit. These possibilities all also apply to the exemplary embodiments described below.

Die Funktion der Stufe 3 in Figur 1 soll anhand des Zeitdiagramms in Figur 2 näher erläutert werden. Im Zeitabschnitt t1 hat das Taktsignal #l auf der mit dem selben Bezugszeichen bezeichnete Taktleitung, die mit den Steueranschlüssen der Transistoren T1 und T4 verbunden ist, ein hohes Potential, wie aus Figur 2 hervorgeht.The function of stage 3 in Figure 1 should be based on the timing diagram are explained in more detail in FIG. In the time segment t1, the clock signal #l has the clock line denoted by the same reference number, the one with the control connections of the transistors T1 and T4 is connected, a high potential, as can be seen from FIG.

Dadurch wird der Aktivierungstransistor T1 abgeschaltet und der Ladetransistor T4 gleichzeitig eingeschaltet. Der letztere lädt nun die Kapazität Cl auf OV auf,und diese Spannung liegt dann auch am Ausgang Di, wie in Figur 2 dargestellt ist. Dabei ist es glethgültig, welche Spannungen über die Steuereingänge Al und BI den Steueranschlüssen der Verknüpfungstransistoren T2 und T3 zugeführt werden, da der Aktivierungstransistor T1 ohnehin gesperrt ist und kein Stromfluß möglich ist. Für die weitere Beschreibung wird jedoch angenommen, daß am Steuereingang B1 eine niedrige Spannung und am Steuereingang Al der in Figur 2 dargestellte Spannungsverlauf anliegen.This switches off the activation transistor T1 and the charging transistor T4 switched on at the same time. The latter now charges the capacity Cl to OV, and this voltage is then also at the output Di, as shown in FIG. Included it does not matter which voltages are applied to the control connections via the control inputs Al and BI the linking transistors T2 and T3 are supplied as the activation transistor T1 is blocked anyway and no current flow is possible. For further description however, it is assumed that a low voltage at the control input B1 and a low voltage at the control input Al the voltage curve shown in Figure 2 are present.

Im Zeitabschnitt T2 ist das Taktsignal §1 negativ, wie aus Figur 2 hervorgeht, so daß nun der Ladetransistor T4 gesperrt und der Aktivierungstransistor Tl leitend ist. Die Kapazität C1 kann jedoch nicht entladen werden, da am Steuereingang Al noch ein positives Signal anliegt, das den Verknüpfungstransistor T2 sperrt.In the time segment T2, the clock signal §1 is negative, as shown in FIG. 2 emerges, so that now the charging transistor T4 is blocked and the activation transistor Tl is conductive. However, the capacitance C1 cannot be discharged because it is at the control input Al another positive Signal is present that the link transistor T2 locks.

Im Zeitabschnitt t) ist das Taktsignal #1 wieder positiv, so daß der Ladetransistor T4 erneut eingeschaltet wird. Da die Kapazität C1 zwischenzeitlich nicht umgeladen wurde, ändert sich nun auch nichts an der Ladung. Jedoch möge während dieses Zeitabschnittes das Signal am Steuereingang Al negativ werden, wie in Figur 2 dargestellt ist.In the time period t), the clock signal # 1 is positive again, so that the Charging transistor T4 is switched on again. Since the capacitance C1 in the meantime has not been reloaded, nothing changes to the cargo. However may during this time period, the signal at the control input Al will be negative, as in Figure 2 is shown.

Wenn nun im Zeitabschnitt t4 das Taktsignal #l wieder negativ wird, sind nun beide Verknüpfungstransistoren T2 und T3 sowie der Aktivierungstransistor Tl leitend, so daß nun die Kapazität Cl auf die Spannung +U des Pols 2 aufgeladen wird,#und der Ausgang D1 eine positive Spannung an@immt, wie in Figur 2 gezeigt ist. Im Zeitabschnitt t5 wird die Kapazität Cl durch den Ladetransistor T4 wieder auf OV umgeladen, wodurch sich die entsprechende Spannung am Ausgang D1 ergibt. Im Zeitabschnict t6 wiederholt sich der gleiche Vorgang wie im Zeitabschnitt t4. Im Zeitabschnitt t7 wird die Spannung am Steuereingang Al wieder hoch, so daß im folgenden die gleichen Zustände wie in den Zeitabschnitten t1 und t2 abwechselnd auftreten.If the clock signal #l becomes negative again in the time segment t4, are now both link transistors T2 and T3 and the activation transistor T1 conductive, so that the capacitance C1 is now charged to the voltage + U of pole 2 becomes, # and the output D1 has a positive voltage at @, as shown in FIG is. In the time segment t5, the capacitance Cl is again due to the charging transistor T4 Reloaded to OV, which results in the corresponding voltage at output D1. In the time segment t6, the same process is repeated as in the time segment t4. In the time segment t7, the voltage at the control input Al is again high, so that im following the same states as in the time segments t1 and t2 alternately appear.

Wenn nun am Ausgang D1 eine ebenso wie die Stufe 3 aufgebaute Stufe angeschlossen Wurde, die mit dem zeichen Taktsignal betrieben würde, ergibt sich folgendes Problem: Mit Beginn des Zeitabschnittes t4 ist die Spannung am Ausgang D1 zunächst noch negativ, da die Kapazität Cl von diesem Zeitabschnitt an erst über die Transistoren T1 bis T3 auf +U umgeladen wird. In einer nachfolgenden Stufe, die wie die Stufe 3 aufgebaut ist, tirde durch die anfängliche niedrige Spannung am Ausgang D1 der entsprechende Verknüpfungstransistor zunächst eingeschaltet und damit die am Ausgang dieser folgende Stufe angeschlossene Kapazität zunächst entladen, bis die Spannung am Ausgang D1 so weit gestiegen ist, daß der daran angeschlossene Verknüptungstransistor nicht mehr leitet. Die Kapazität in der folgenden Stufe wäre dann also zur.indest teilweise umgeladen, obwohl nach dem logischen Zustand am Ausgang D1 zum Ende der Zeitperiode t4 keine Umladung hätte stattfinden dürfen, so daß die folgende Stufe ein falsches logisches Signal abgeben würde. Daher werden bei der aus der DT-OS 2 316 619 bekannten Anordnung aufeinfolgende Stufen mit gegeneinander versetzten Taktsignalen gespeist, um diesen Fehler zu vermeiden, wodurch das logische Signal aber eine längere Zeit benötigt, um an den Ausgang der letzten Stufe zu gelangen.If now a level like level 3 is built up at output D1 Was connected, which would be operated with the character clock signal, results the following problem: At the beginning of the time segment t4, the voltage is at the output D1 initially still negative, since the capacity C1 from this time segment is only reloaded to + U via the transistors T1 to T3. In a subsequent Stage, which is structured like stage 3, is caused by the initial low voltage The corresponding logic transistor is initially switched on and at output D1 so that the capacity connected to the output of this next stage is initially discharged, until the voltage at output D1 has risen so far that the connected Linking transistor no longer conducts. The capacity in the following stage would be then at least partially reloaded, although according to the logical state at the exit D1 at the end of the time period t4 no transfer should have taken place, so that the the following stage would emit a false logical signal. Therefore, the from DT-OS 2 316 619 known arrangement successive stages with one another offset clock signals fed to avoid this error, thereby reducing the logical Signal needs a longer time to get to the output of the last stage.

Bei der in Figur 1 dargestellten Anordnung unterscheidet sich die an die Stufe 3 angeschlossene Stufe 4 dadurch, daß die Verknüpfungstransistoren T6 und T7 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind, wie die Verknüpfungstransistoren T2 und T3, Dadurch vertauschen jedoch auch die Transistoren T5 und T8 ihre Funktion, d. h. der Ladetransistor ist der P-Kanal-Transistor T5, dessen einer Hauptanschluß mit dem Pol 2 und dessen anderer Hauptanschluß mit dem Ausgang D2 und der Kapazität C2 sowie mit dem Hauptanschluß des einen Verknüpfungstransistors T6 verbunden ist. Der Aktivierungstransistor ist dagegen der N-Kanal-Transistor T8. Wenn nun der Ladetransistor T5 und der Aktivierungstransistor T8 mit einem Taktsignal Q2 gespeist werden, das invers zu dem der vorhergehenden Stufe 3 ist, wie in Figur 2 dargestellt ist, kann innerhalb eines Taktzeitabschnittes ein Eingangssignal am Steuereingang Al bis zum Ausgang D2 durchlaufen.In the arrangement shown in Figure 1, the differs Stage 4 connected to stage 3 in that the link transistors T6 and T7 are of the opposite conductivity type, as are the link transistors T2 and T3, but this also causes the transistors T5 and T8 to swap their function, d. H. the charging transistor is the P-channel transistor T5, one of which is the main connection with the pole 2 and its other main connection with the output D2 and the capacitance C2 and is connected to the main terminal of a logic transistor T6. The activation transistor, on the other hand, is the N-channel transistor T8. If now the charging transistor T5 and the activation transistor T8 are fed with a clock signal Q2 that is inverse to that of the previous stage 3, as shown in Figure 2, can an input signal at the control input Al to within a clock period Run through output D2.

Zunächst ist im Zeitabschnitt t1 das Taktsignal P2 niedrig, so daß der Aktivierungstransistor T8 der Stufe 4 gesperrt und der Ladetransistor T5 eingeschaltet ist und die Kapazität C2 auf die Spannung +U des Pols 2 auflädt, so daß der Ausgang D2 die entsprechende Spannung annimmt, wie in Figur 2 dargestellt ist. Der Zeitabschnitt t1 ist also ebenso wie die folgenden Zeitabschnitte t3, t5 ....... für beide Stufen 3 und 4 die Ladephase.First, the clock signal P2 is low in the time segment t1, so that the activation transistor T8 of stage 4 is blocked and the charging transistor T5 is switched on is and the capacitance C2 charges to the voltage + U of the pole 2, so that the output D2 assumes the corresponding voltage, as shown in FIG. The period of time So t1 is just like the following time segments t3, t5 ....... for both stages 3 and 4 the charging phase.

Im Zeitabschnitt t2 ist das Tastsignal H2 positiv, so daß der Aktivierungstransistor T8 leitend ist, und auch die Spannung am Steuereingang A2 ist positiv, so daß der Verknüpfungstransistor T6 leitend ist, jedoch ist noch der Ausgang D1 und der damit verbundene Steuereingang B2 negativ, so daß der Verknüpfungstransistor T7 gesperrt ist. Die Kapazität C2 wird also nicht umgeladen, die Spannung am Ausgang D2 bleibt unverändert, wie in Figur 2 gezeigt ist.In the time segment t2, the key signal H2 is positive, so that the activation transistor T8 is conductive, and the voltage at control input A2 is positive, so that the Linking transistor T6 is conductive, but the output D1 and the one with it connected control input B2 negative, so that the logic transistor T7 blocked is. The capacitance C2 is therefore not recharged, the voltage at the output D2 remains unchanged, as shown in FIG.

Während der nächsten Ladephase im Zeitabschnitt t3 ergibt sich somit keine Änderung am Ausgang. Erst im,folgenden Zeitabschnitt t4 wird nun auch die Spannung an Steuereingang B2 mit einer gewissen Verzögerung positiv, so daß mit einer entsprechenden Verzögerung der Verknüpfungstransistor T7 nun auch leitend wird und entsprechend die Kapazität C2 nach OV verzögert entlädt, so daß die Spannung am Ausgang D2 verzögert abfällt, wie in Figur 2 dargestellt ist. Das Signal am Steuereingang Al ist also innerhalb einer einzigen Taktphase innerhalb des Zeitabschnittes t4 bis zum Ausgang DZdurchgelaufen. Hierbei können keine Schwierigkeiten auftreten, denn die zunächst auf OV geladene Kapazität Cl sperrt den Verknüpfungstransistor T7 und macht die Stufe 4 also zunächst inaktiv, so daß die Kapazität C2 nicht fälschlicherweise umgeladen werden kann.During the next charging phase in time segment t3, this therefore results no change at the output. Only in the following time segment t4 will the Voltage at control input B2 positive with a certain delay, so that with a corresponding delay of the linking transistor T7 now also conductive and accordingly the capacitance C2 is discharged with a delay to OV, so that the voltage drops at output D2 with a delay, as shown in FIG. The signal at the control input Al is therefore within a single clock phase within the time segment t4 walked through to exit DZ. No difficulties can arise here, because the capacitance C1 initially charged to OV blocks the link transistor T7 and makes stage 4 inactive initially, so that capacitance C2 is not erroneously can be reloaded.

An den Ausgang D2 der Stufe 4 kann nun wieder der Eingang einer weiteren Stufe angeschlossen werden, die wie die Stufe 3 aufgebaut ist und durch das selbe Taktsignal angesteuert wird, und auf diese Weise kann eine ganze Kette von Stufen angeordnet werden, in denen die Leitfähigkeit der Verknüpfungstransistoren und die Funktion von Ladetransistor und Aktivierungstransistor von Stufe zu Stufe wechselt und die maximale Anzahl von hintereinander geschalteten Stufen wird nur durch die Summe der Verzögerungszeiten der einzelnen Stufen begrenzt.The input of another can now be connected to output D2 of stage 4 Stage can be connected, which is structured like stage 3 and through the same Clock signal is controlled, and in this way a whole chain of stages can be created be arranged in which the conductivity of the link transistors and the The function of the charging transistor and the activation transistor changes from stage to stage and the maximum number of stages connected in series is only determined by the Sum of the delay times of the individual stages is limited.

In Figur 2 ist noch ferner dargestellt, wie sich das Signal am Ausgang D2 in den nächsten Zeitabschnitten verhält. Im Zeitabschnitt t5 wird die Kapazität C2 durch den dann eingeschalteten Ladetransistor T5 wieder auf die Spannung +U aufgeladen und die Spannung am Steuereingang A2 sinkt auf OV ab. Im Zeitabschnitt t6 erhält nun zwar der Steuereingang B2 ein positives Signal, jedoch ist durch das niedrige Signal am Steuereingang A2 der Verknüpfungstransistor T6 gesperrt, so daß die Kapazität C2 nicht entladen werden kann und die Spannung am Ausgang D2 somit positiv bleibt.In Figure 2 is also shown how the signal on exit D2 behaves in the next time segments. In the time segment t5, the capacity C2 is charged again to the voltage + U by the charging transistor T5, which is then switched on and the voltage at control input A2 drops to OV. Received in time period t6 the control input B2 now has a positive signal, but the low Signal at the control input A2 of the logic transistor T6 blocked, so that the capacitance C2 cannot be discharged and the voltage at output D2 therefore remains positive.

In Figur 1 sind die Verknüpfungstransistoren beider Stufen 3 und 4 jeweils jn Reihe geschaltet. Statt dessen können auch in einer oder beiden Stufen die Verknüpfungstransistoren parallel geschaltet sein, d.h. alle ihre Hauptansohlüsse sind mit dem entsprechenden Hauptanschluß des Ladetransistors bzw. des Aktivierungstransistors verbunden, so daß sich bei gleicher Zuordnung der Eingangssignale die entsprechend andere Verknüpfungsfunktion ergibt. Ebenso ist es möglich, die logische Verkntipfung aus einer Kombination von Serien- und Parallelschaltung zu bilden. Ferner können auch jeweils mehrere gleichartig aufgebaute Stufen parallel angeordnet sein, wobei jede Stufe eine andere Kombination von Eingangssignalen verarbeitet. Eine derartige Anordnung ist in Figur 3 dargestellt. Darin sind die Elemente und Signale, die denen der Figur 1 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.In Figure 1, the logic transistors of both stages are 3 and 4 each connected in series. Instead, one or both stages can also be used the linking transistors must be connected in parallel, i.e. all of their main terminals are with the corresponding main connection of the charging transistor or the activation transistor connected so that with the same assignment of the input signals the corresponding other linking function results. It is also possible to use the logical connection from a combination of series and parallel connection. Furthermore can a plurality of similarly structured stages can also be arranged in parallel, with each stage processes a different combination of input signals. Such a one The arrangement is shown in FIG. In it are the elements and signals that give them correspond to Figure 1, denoted by the same reference numerals.

In der Stufe 5 bestehen die Verknüpfungstransistoren T2 und T3 aus P-Kanal-Transistoren, die wieder in Reihe geschaltet sind und deren Steueranschlüsse mit Eingangsleitern I1 und I2 verbunden sind. Der eine Hauptanschluß der Reihenschaltung der Verknüpfungstransistoren ist mit dem AktivierungstransXstor Tl verbunden, und andere Hauptanschluß ist ggf. über die Reihenschaltung weiterer, nicht dargestellter Verknüpfungstransistoren, die mit weiteren Eingangsleitern verbunden sind, mit dem Ladetransistor T4 verbunden. An den Verbindungspunkt der Reihenschaltung der Verknüpfungstransistoren mit dem Ladetransistor ist die Kapazität Cl sowie der Ausgang D1 angeschlossen. Weitere Reihenschaltungen von Verknüpfungstransistoren sind durch den Transistor T12 angedeutet, dessen einer Anschluß ebenfalls mit dem Aktivierungstransistor T1 verbunden ist, der also für alle Verknüpfungsstufen der Stufe 5 gemeinsam ist. Die anderen Enden der Reihenschaltungen fuhren auf jeweils einen eigenen Ladetransistor,von deneninFig.3bea##Isweise der Transistor T14 dargestellt ist, mit dem die weitere Kapazität C11 und der Ausgang D11 verbunden ist. Jede Reihenschaltung von Verknüpfungstransistoren, die mit unterschiedlichen Kombinationen von Eingangsleitern II, I2 usw. verbunden ist, ergibt also einen Ausgang. In gleicher Weise wie in Figur 1 ist der eine Hauptanschluß des Aktivierungstransistors T1 mit dem Pol 2 verbunden, und die Ladetransistoren T4 , T14 usw. sind mit dem Pol 1 einer Spannungsquelle verbunden, und die Steueranschlüsse dieser Transistoren erhalten das Taktsignal b1.In stage 5, the logic transistors T2 and T3 consist of P-channel transistors that are again connected in series and their control connections connected to input conductors I1 and I2. The one main connection of the series connection the link transistor is connected to the activation transXstor Tl, and other main connection is possibly via the series connection of further, not Linking transistors shown, which are connected to other input conductors are connected to the charging transistor T4. At the connection point of the series connection of the linking transistors with the charging transistor is the capacitance Cl as well as the Output D1 connected. Further series connections of linking transistors are indicated by the transistor T12, one terminal of which is also connected to the Activation transistor T1 is connected, so for all linkage levels of the Level 5 is common. The other ends of the series connections lead to each its own charging transistor, of which the transistor T14 is shown in Fig. 3bea ## is to which the further capacitance C11 and the output D11 are connected. Any series connection of linking transistors with different combinations of input conductors II, I2 etc. is connected, thus results in an output. In the same way as in figure 1 the one main connection of the activation transistor T1 is connected to the pole 2, and the charging transistors T4, T14 etc. are connected to pole 1 of a voltage source connected, and the control connections of these transistors receive the clock signal b1.

Die Ausgänge der Stufe 5 speisen einen Satz von Eingangsleitungen der Stufe 6, in der die Verknüpfungstransistoren aus N-Kanal-Transistoren bestehen und gruppenweise parallel geschaltet sind. Eine von diesen Gruppen ist durch die Transistoren T16 und T26 angedeutet, deren Steueranschlüsse mit verschiedenen Eingangsleitungen verbunden sind. Die einen Hauptanschlüsse dieser Verknüpfungstransistoren sowie aller anderen in dieser Stufe sind mit einem gemeinsamen Aktivlerungstransistor T8 verbunden, der an den Pol 1 angeschlossen ist und dessen Steueranschluß das Taktsignal P2 erhält.Stage 5 outputs feed a set of input lines of stage 6, in which the logic transistors consist of N-channel transistors and are connected in parallel in groups. One of these groups is through the Transistors T16 and T26 indicated, their control connections with different input lines are connected. The one main connections of these linking transistors as well all others in this stage share a common activation transistor T8 connected, which is connected to pole 1 and its control connection receives the clock signal P2.

Die anderen Hauptanschlüsse der Verknüpfungstransistoren T16 und T26, zu denen noch weitere, nicht dargestellte Transistoren parallel geschaltet sein können, sind gemeinsam mit einem Ladetransistor T15, einer Kapazität C12 sowie dem Ausgang Q1 verbunden. Auch die anderen Gruppen von Verknüpfungstransistoren, die durch den Transistor T36 angedeutet sein mögen, sind jeweils gemeinsam mit einem Ladetransistor, einer Kapazität und einem Ausgang verbunden, von denen hir nur beispielsweise der Transistor T25, die Kapazität C22 und der Ausgang Q2 dargestellt sind. Die Ladetransistoren T15, T25 usw.The other main connections of the linking transistors T16 and T26, to which further transistors, not shown, can be connected in parallel can, are together with a charging transistor T15, a capacitor C12 and the Output Q1 connected. Also the other groups of link transistors that may be indicated by the transistor T36, are each common with one Charging transistor, a capacitance and an output connected, of which hir is only for example the transistor T25, the capacitance C22 and the output Q2 are shown. The charging transistors T15, T25, etc.

sind wieder P-Kanal-Transistoren, die mit dem Pol 2 einer Spannung w lle verbunden sind. Die Signale an jedem der Ausgänge Ql, Q2 usw.are again P-channel transistors, which are connected to pole 2 of a voltage w ll be connected. The signals at each of the outputs Ql, Q2 etc.

entsprechen jeweils einer Funktion, die durch jeweils unterschiedliche UND-Verknüpfung und nachfolgende ODER-Verknüpfung der Signale auf den Eingangsleitern I1, I2 usw gegeben ist.each correspond to a function that is differentiated by each AND link and subsequent OR link of the signals on the input conductors I1, I2 etc. is given.

Bei komplexen Zusammenschaltungen von verschiedenen W4D- und ODER-Verknüpfungsstufen ist es oft notwendig, daß die Ausgangssignale in Zwischenspeichern aufgefangen werden, bevor sie weiterverarbeitet werden können. Ein derartiger Zwischenspeicher bzw. eine Folge von zwei Zwischenspeichern wird durch die in Figur 3 dargestellten Stufen 7 und 8 gebildet. Die Stufe 7 besteht aus der Reihenschaltung von zwei N-Kanal-Transistoren T41 und T42 und zwei P-Kanal-Transistoren T43 und T44. Die Steueranschlüsse der beiden mittleren Transis-t#ren T42 und T43 sind mit dem Ausgang Q2 der vorhergehenden Stufe verbunden, und der Verbindungspunkt dieser beiden Transistoren ist mit einer Kapazität C41 und dem Ausgang Q3 verbunden. Die Transistoren T41 und T44 erhalten zueinander gegenphasige Taktsignale Q1 und §2, wobei dies die gleichen Taktsignale wie bei den vorhergehenden Stufen 5 und 6 sind. Die Stufe 7 arbeitet somit als taktgesteuerter Inverter, wobei die Transistoren T42 und T43 die eigentlichen Invertertransistoren darstellen. Nur wenn das Taktsignal §1 niedrig und das Taktsignal §2 hoch ist, sind die Invertertransisteren wirksam und laden die Kapazität C41 auf eine Signalspannung entsprechend dem invertierten Eingangssignal auf,und dieses Signal erscheint dann am Ausgang Q3. Wenn die Taktsignale §1 und b2 die entgegengesetzten Werte annehmen, sind die Transistoren T41 und T44 gesperrt, und es kann keine Umladung der Kapazität C41 erfolgen, so daß das Signal am Ausgang Q3 erhalten bleibt.For complex interconnections of different W4D and OR link levels it is often necessary that the output signals are stored in buffers, before they can be further processed. Such a buffer or a sequence of two buffers is created by the stages shown in FIG 7 and 8 formed. Stage 7 consists of a series connection of two N-channel transistors T41 and T42 and two P-channel transistors T43 and T44. The control connections of the the two middle transistors T42 and T43 are connected to the output Q2 the connected to the previous stage, and the junction point of these two transistors is connected to a capacitance C41 and the output Q3. The transistors T41 and T44 receive clock signals Q1 and §2 in phase opposition to one another, which are the same Are clock signals as in the previous stages 5 and 6. Level 7 works thus as a clock-controlled inverter, the transistors T42 and T43 being the actual Represent inverter transistors. Only when the clock signal §1 is low and the clock signal §2 is high, the inverter transistors are effective and charge the capacitance C41 a signal voltage corresponding to the inverted input signal, and this The signal then appears at output Q3. When the clock signals §1 and b2 are opposite Assuming values, the transistors T41 and T44 are blocked and no charge reversal is possible of the capacitance C41, so that the signal at the output Q3 is retained.

An diesen Ausgang ist eine weitere Stufe 8 angeschlossen, die in gleicher Weise wie die Stufe 7 aufgebaut ist, wobei die taktgesteuerten Transistoren T45 und T48 jedoch von anderen Taktsignalen gesteuert werden, und zwar im dargestellten Beispiel von den entgegengesetzten Taktsignalen wie bei der Stufe 7. Die Funktion der Schaltung nach Figur 5 soll anhand der Figur 4 erläutert werden Darin ist zunächst wieder der zeitliche Verlauf des Taktsignals al dargestellt, und das Taktsignal #2 ist dazu invers. Im Zeitabschnitt t1, in dem das Taktsignal #l hoch ist, werden die Kapazitäten C1 und C11 durch die dann eingeschalteten Ladetransistoren T4 und T14 auf OV geladen, so daß unter anderem der Ausgang DA ein niedriges Signal führt. Im Zeitabschnitt t2 ist zwar der Aktivierungstransistor T1 durch das niedrige Taktsignal Q1 und der Verirnüpfungstransistor T2 durch das niedrige Signal auf der Eingangsleitung I1 leitend, jedoch ist das Signal auf der Eingangsleitung 12 noch hoch und sperrt den Verknüpfungstransistor T3, so daß die Kapazität CI nicht umgeladen werden kann und das Signal am Ausgang D1 niedrig bleibt. Im Zeitabschnitt t3 erfolgt daher keine Änderung der Ladung der Kapazität C1 bzw. der S;paleung am Ausgang D1. Erst im Zeitabschnitt t4 ist auch das Signal auf der Eingangsleitung 12 negativ (wobei evtl.Another stage 8 is connected to this output, the same Way as stage 7 is constructed, with the clock-controlled transistors T45 and T48, however, are controlled by other clock signals, namely in the illustrated Example of the opposite clock signals as in stage 7. The function the circuit according to FIG. 5 will be explained with reference to FIG again the timing of the clock signal al illustrated, and the clock signal # 2 is inverse to this. In the time segment t1 in which the clock signal #l is high, the capacitances C1 and C11 are then switched on by the charging transistors T4 and T14 are charged to OV, so that, among other things, output DA has a low signal leads. In the time segment t2, the activation transistor T1 is through the low Clock signal Q1 and the linking transistor T2 by the low signal on the Input line I1 conducting, but the signal on input line 12 is still high and blocks the linking transistor T3, so that the capacitance CI is not reloaded and the signal at output D1 remains low. Takes place in time segment t3 therefore no change in the charge of the capacitance C1 or the paleung at the output D1. The signal on input line 12 is also negative only in time segment t4 (where possibly

weitere in Reihe liegende Verknüpfungstransistoren als leitend angenommen werden), so daß nun die Kapazität Cl umgeladen wird und die Spannung am Ausgang D1 einen hohen Wert annimmt, wie in Figur 4 dargestellt ist. Der an diesen Ausgang angeschlossene Verknüpfungstransistor T36 in der folgenden Stufe 6 wird dadurch leitend, und da in diesem Zeitabschnitt t4 das Taktsignal 22 hoch ist, ist auch der Aktivierungstransistor T8 der Stufe 6 leitend, und die Kapazität C22, die mindestens in dem vorhergehenden Zeitabschnitt t3 durch den Ladetransistor T25 auf die Spannung sU aufgeladen worden war, wird nun auf OV umgeladen, so daß am Ausgang Q2 der in Figur 4 dargestellte Spannungsverlauf entsteht.further linking transistors lying in series are assumed to be conductive are), so that now the capacity Cl is reloaded and the voltage at the output D1 assumes a high value, as shown in FIG. The one at this exit connected link transistor T36 in the following stage 6 is thereby conductive, and since the clock signal 22 is high in this time segment t4, is also the activation transistor T8 of stage 6 conductive, and the capacitance C22, which is at least in the previous time segment t3 through the charging transistor T25 to the voltage sU was charged, it is now transferred to OV, so that the in The voltage curve shown in FIG. 4 arises.

In diesem Zeitabschnitt t4 sind aber auch in der Stufe 7 die Transistoren T41 und T44 durch die entsprechenden Taktsignale leitend gemacht, so daß das niedrige Signal am Ausgang Q2 nun durch Umladung der Kapazität C41 ein hohes Signal am Ausgang Q3 der Inverterstufe 7 erzeugt. Durch die Schraffur in der zeitlichen Darstellung des Signals am Ausgang Q3 in Figur 4 sind die Zeitabschnitte verdeutlicht, in denen die Inverterstufe 7 aktiv ist.In this time segment t4, however, the transistors are also in stage 7 T41 and T44 made conductive by the appropriate clock signals so that the low Signal at output Q2 now a high signal at the output due to the charge reversal of the capacitance C41 Q3 of the inverter stage 7 is generated. Through the hatching in the temporal representation of the signal at the output Q3 in Figure 4, the time segments are shown in which the inverter stage 7 is active.

Im Zeitabschnitt t4 ist andererseits die Inverterstufe 8 inaktiv, da die Transistoren T45 und T48 gesperrt sind, so daß die Spannung am Ausgang Q4 dieser Stufe sich nicht ändert.In the time segment t4, on the other hand, the inverter stage 8 is inactive, since the transistors T45 and T48 are blocked, so that the voltage at the output Q4 this stage does not change.

Im nächsten Zeitabschnitt t5 werden in den Stufen 5 und 6 alle Ladetransistoren wie unter anderem die Transistoren T4 und T25 eingeschaltet, so daß die entsprechenden Kapazitäten entladen werden und die Spannungen an den Ausgängen Dl und Q2 auf ihren vorherigen Wert zurückkehren, wie in Figur 4 dargestellt ist, jedoch werden in der Inverterstufe 7 die Transistoren T41 und T44 gesperrt, so daß die Kapazität C41 nicht umgeladen werden kann und die Spannung am Ausgang Q3 dieser Stufe konstant bleibt. Dagegen werden die Transistoren T45 und T48 der Inverterstufe 8 eingeschaltet, so daß nun das Signal am Ausgang Q3 invertiert nach Umladung der Kapazität C42 am Ausgang Q4 der Inverterstufe 8 erscheint.In the next time segment t5, all charging transistors in stages 5 and 6 are turned off such as, among other things, the transistors T4 and T25 switched on, so that the corresponding Capacities are discharged and the voltages at the outputs Dl and Q2 on their return to the previous value, as shown in Figure 4, but in the Inverter stage 7, the transistors T41 and T44 blocked, so that the capacitance C41 cannot be reloaded and the voltage at output Q3 of this stage is constant remain. In contrast, the transistors T45 and T48 of the inverter stage 8 are switched on, so that now the signal at output Q3 is inverted after the capacitor C42 has been recharged Output Q4 of inverter stage 8 appears.

Im Zeitabschnitt t6 erscheint wieder ein hohes Signal am Ausgang D1 und ein niedriges Signal an Ausgang Q2, das wiederum ein hohes Signal am Ausgang Q3 der Inverterstufe 7 erzeugt. Da die Kapazität C41 aber noch auf diese Signalspannung aufgeladen war, ergibt sich keine Änderung des Ausgangssignals, wie in Figur 4 dargestellt ist.In time segment t6, a high signal appears again at output D1 and a low signal on output Q2, which in turn is a high Signal at the output Q3 of the inverter stage 7 is generated. Since the capacity C41 is still was charged to this signal voltage, there is no change in the output signal, as shown in FIG.

Im Zeitabschnitt t7 ergeben sich die gleichen Abläufe wie im Zeitabschnitt t5, wobei außerdem das Signal am Eingang 11 wieder positiv wird, was sich jedoch noch nicht an einem der Ausgänge auswirkt. Erst im Zeitabschnitt t8 ist dadurch der Verknüpfungstransistor T2 in der Stufe gesperrt, so daß das Signal am Ausgang D1 niedrig bleibt, und damit behält das Signal am Ausgang Q2 wiederum seinen hohen Wert. Da in diesem Zeitabschnitt aber der Inverter 7 wieder aktiv wird, wird durch das hohe Signal am Ausgang Q2 die Kapazität C41 auf 0V entladen, und das Signal am Ausgang Q3 nimmt wieder einen niedrigen Wert an. Da die Inverter stufe 8 in diesem Zeitsohnitt aber inaktiv ist, bleibt das Signal an deren Ausgang Q4 aber niedrig. Erst im Zeitabschnitt t9 wird die Inverterstufe 8 wieder aktiv und übernimmt das Signal am Ausgang Q3 der vorhergehenden Inverterstufe, so daß nun der Ausgang Q4 wieder ein hohes Signal führt. Auf diese Weise ist also das Signal am Ausgang Q2 um zwei Taktphasen, d. h. um eine ganze Tal periode verzögert. Der Ausgang Q4 könnte also mit einem der Eingänge II ...... verbunden werden, um eine sequentielle Schaltung zu erzeugen, denn im Zeitabschnitt t8, in dem die Eingangssignale verarbeitet werden, ist das Signal an diesem Ausgang Q4 noch vorhandeln.In the time segment t7, the same processes result as in the time segment t5, the signal at input 11 also becoming positive again, which however does not yet affect one of the outputs. It is only in the time segment t8 the logic transistor T2 locked in the stage, so that the signal at the output D1 remains low, and so the signal at output Q2 again retains its high Value. However, since the inverter 7 becomes active again in this time period, through the high signal at output Q2 discharges the capacitance C41 to 0V, and the signal at output Q3 again assumes a low value. Since the inverter stage 8 in this Zeitsohnitt is inactive, however, the signal at its output Q4 remains low. The inverter stage 8 only becomes active again in the time segment t9 and takes over this Signal at output Q3 of the previous inverter stage, so that output Q4 has a high signal again. In this way, the signal is at output Q2 by two clock phases, d. H. delayed by an entire valley period. The output Q4 could thus connected to one of the inputs II ...... to create a sequential circuit to be generated, because in the time segment t8, in which the input signals are processed, the signal is still present at this output Q4.

Aus Figur 4 ist zu erkennen, daß in den ungeraden Zeitabschnitten t3, t5, t7 ,..... der Ausgang Q2 stets positiv ist, so daß der Invertertransistor T43 der Inverterstufe 7 dann immer gesperrt ist. Daher kann der Transistor T44, der in diesen Zeitabschnitten den Inverter sperren soll, weggelassen und der Transistor T43 direkt mit dem Pol 2 der Spannungsquelle verbunden werden. Der Transistor T44 ist also der den Ladetransistoren der unmittelbar vorhergehenden Stufe 6 entsprechende Transistor. Wenn die Inverterstufe 7 also an eine entsprechend der Stufe 5 aufgebauten Stufe angeschlossen asäre, könnte in einem solchen Falle also der Transistor T41 gespart werden. Bei der Inverterstufe 8 ist dies selbstverständlich nicht der Fall, hier sind alle 4 Transistoren T45 bis T48 notwendig.From Figure 4 it can be seen that in the odd time segments t3, t5, t7, ..... the output Q2 is always positive, so that the inverter transistor T43 of inverter stage 7 is then always blocked. Therefore, the transistor T44, which should block the inverter in these time periods, and the transistor T43 must be connected directly to pole 2 of the voltage source. The transistor T44 is therefore the one corresponding to the charging transistors of the immediately preceding stage 6 Transistor. So if the inverter stage 7 is built on a corresponding to the stage 5 Stage connected asare, in such a case the transistor T41 be saved. Of course, this is not the case with inverter stage 8, all 4 transistors T45 to T48 are necessary here.

Die Anordnung nach Figur 3 kann günstig für den Aufbau einer programmierbaren logischen Anordnung verwendet werden, die als Blockschaltbild in Figur 5 dargestellt ist. Die darin dargestellte prograinmierbare logische Anordnung PLA beruht auf dein bekannten Prinzip, insbesondere komplexe logische Verknüpfungen von vielen Eingangssignalen zu vielen Ausgangssignalen nicht dirokt mittels entsprechend aufgebauter Gatter, sondern im Sinne eines Festwertspeichers aufzubauen, bei dem die Kombinationen der Eingangssignale die Adressen darstellen und der Inhalt der adressierten Speicherzellen so gewählt wird, daß an den Ausgängen die den Eingangskombinationen entsprechenden Signale erscheinen. Solche Festwertspeicher können leicht integriert werden, da sie regelmäßige Strukturen enthalten. Bei der in Figur 5 dargestellten programniierbaren logischen Anordnung werden die Signalkombinationen auf den Eingängen Q51, Q52 und Q54, die beispielsweise für eine größere Anzahl von Eingängen dargestellt sind, in dem Decoder 5 decodiert, wobei nur die Signalkombinationen decodiert werden, die tatsächlich auftreten, um eine möglichst kleine Anzahl von Ausgängen D61, D62 usw. des Decoder erhalten, die die eigentliche Speichermatrix 6 ansteuern. Der Decoder ist dabei entsprechend der Stufe 5 in Figur 3 aufgebaut, und die Matrix entspricht der Stufe 6 in Figur 3. Die Ausgänge Q61, Q62 usw. der Matrix und dait der programmierbaren logischen Anordnung PLA führen auf einen Speicher 9, der aus einer Anzahl Inverterstufen entw rechend den Stufen 7 und 8 in Figur 3 aufgebaut sein kann. Von den Ausgängen Q51, Q53, Q53, die nur beispielsweise für eine größere Anzahl von ausgängen dargestellt sind, sind die ersteren mit den Eingängen der programmierbaren logischen Anordnung PLA, d. h. mit den Eingängen des Decoders verbunden. Je nach Anwendungsfall, d. h. je nach Anzahl der Eingänge und Ausgänge können auch alle Ausgänge mit den Eingängen verbunden sein. Ferner sind in Figur 5 weitere Eingänge des Decoders vorhanden, von denen der Eingang Q54 beispielsweise dargestellt ist, die nicht mit dem Speicher 9 verbunden sind, sondern von außen angesteuert werden. Durch Signale auf diesen Leitungen werden bei gleichen Signalkombinationen auf den Eingangsleitungen Q51 und Q52 verschiedene der Ausgänge D61, D62 usw. erregt und damit verschiedene Bereiche der Matrix ausgewählt.The arrangement according to Figure 3 can be beneficial for the construction of a programmable logical arrangement can be used, which is shown as a block diagram in FIG is. The programmable logical arrangement PLA shown therein is based on your known principle, in particular complex logic combinations of many input signals too many output signals not directly by means of appropriately constructed gates, but to build in the sense of a read-only memory in which the combinations of Input signals represent the addresses and the content of the addressed memory cells is chosen so that the outputs correspond to the input combinations Signals appear. Such read-only memories can be easily integrated because they contain regular structures. In the case of the one shown in FIG The signal combinations on the inputs are programmable logical arrangement Q51, Q52 and Q54, for example, are shown for a larger number of inputs are decoded in the decoder 5, whereby only the signal combinations are decoded, which actually occur to the smallest possible number of outputs D61, D62 etc. of the decoder that control the actual memory matrix 6. The decoder is constructed in accordance with stage 5 in FIG. 3, and the matrix corresponds of stage 6 in FIG. 3. The outputs Q61, Q62 etc. of the matrix and that of the programmable Logical arrangement PLA lead to a memory 9, which consists of a number of inverter stages can be constructed according to stages 7 and 8 in FIG. From the exits Q51, Q53, Q53, which are only shown as examples for a larger number of outputs are, the former are with the inputs of the programmable logic array PLA, d. H. connected to the inputs of the decoder. Depending on the application, i. H. depending on the number of inputs and outputs, all outputs can be connected to inputs be connected. Furthermore, there are further inputs of the decoder in Figure 5, of which the input Q54 is shown, for example, those not with the memory 9 are connected, but are controlled from the outside. By signals on this With the same signal combinations on the input lines Q51 and Q52 different ones of the outputs D61, D62 etc. are energized and thus different areas selected from the matrix.

Der genauere Aufbau der programmierbaren logischen Anordnung mit Rückkopplung ist in Figur 6 dargestellt. Der Decoder wird durch die Stufe 5 mit den als UND-Glieder wirkenden Reihenschaltungen von P#Kanal-Verknüpfungstransistoren T62, T63 ....The more precise structure of the programmable logic arrangement with feedback is shown in FIG. The decoder goes through stage 5 with the AND gates effective series connections of P # channel linking transistors T62, T63 ....

gebildet. In jeder dargestellten Reihenschaltung können noch weitere ~nicht dargestellte Verknüpfungstransistoren angeordnet sein, die von entsprechenden zusätzlichen Eingängen angesteuert werden. Das eine Ende aller Reihenschaltungen wird von dem gemeinsamen Aktivierungstransistor T1 angesteuert, und das andere Ende ist mit den Ladetransistoren T64 ...... und den Ausgängen D61, D62 ..... verbunden, wobei die Kapazitäten an den Ausgängen der Einfachheit halber nicht mehr dargestellt sind. Die von diesen Ausgä# angesteuerte Matrix besteht aus der Stufe 6 mit Gruppen von Parallelschaltungen von N-Kanal-Verknüpfungstransistoren T66, T67, T68 , wobei in jeder Gruppe noch weitere Verknüpfungstransistoren parallel geschaltet sein können, die von weiteren Ausgängen der Stufe 5 angesteuert werden können. Der eine Anschluß sämtlicher Gruppen ist mit dem Aktivierungstransistor T8 verbunden,während die anderen Anschlüsse mit Ladetransistoren T65 ....... und den Ausgängen Q6l, Q62 ..... verbunden sind. Auch hier sind die Kapazitäten an den Ausgängen nicht mehr dargestellt.educated. In each series connection shown, additional ones can be used ~ not shown linking transistors be arranged by corresponding additional inputs can be controlled. The one end of all series connections is driven by the common activation transistor T1, and the other end is connected to the charging transistors T64 ...... and the outputs D61, D62 ....., the capacities at the outputs are no longer shown for the sake of simplicity are. The matrix controlled by these outputs consists of level 6 with groups of parallel connections of N-channel combination transistors T66, T67, T68, where Further linking transistors can be connected in parallel in each group, which can be controlled by further outputs of level 5. The one connection all groups are connected to the activation transistor T8, while the others Connections with charging transistors T65 ....... and the outputs Q6l, Q62 ..... connected are. Here, too, the capacities at the outputs are no longer shown.

Die Ausgänge Q61, Q62 ..... sind mit einer ersten Inverterstufe 7 aus einer Anzahl taktgesteuerter Inverter aus der Reihenschaltung von jeweils zwei N-Kanal-Transistoren T41 und T42 und einem P-Kanal-Transistor T43 verbunden. Dieser Aufbau entspricht dem der Stufe 7 in Figur 3; wobei der Transistor T44 weggelassen ist.The outputs Q61, Q62 ..... have a first inverter stage 7 from a number of clock-controlled inverters from the series connection of two each N-channel transistors T41 and T42 and a P-channel transistor T43 connected. This Structure corresponds to that of Stage 7 in Figure 3; being the transistor T44 is omitted.

Auch der Aufbau der vorhergehenden Stufen 5 und 6 sowie der folgenden Stufe 8 sowie deren Ansteuerung mit Taktsignalen entspricht der Schaltung nach Figur 3. An den Ausgängen Q63, Q64.....Also the structure of the previous levels 5 and 6 as well as the following Stage 8 and its control with clock signals corresponds to the circuit according to FIG 3. At the outputs Q63, Q64 .....

ist die zweite Inverterstufe 8 aus einer Anzahl taktgesteuerter Inverter angeschlossen, die je aus den Transistoren T45 bis T48 bestehen. Die Ausgänge Q51 und Q52 dieser zweiten Inverterstufe sind mit den Eingängen der Decodierstufe 5 sowie mit dem Steuereingang jeweils einer ungetakteten Inverterstufe 10 verbunden, die aus der Reihenschaltung eines N-Kanal-Transistors-T49 und eines P-Kanal-Transistors 50 zwischen den Polen der Speisespannung bestehen und die das invertierte Signal über die Ausgänge Q51, Q52 ..... ebenfalls der Decodierstufe 5 zufuliren, um eine vollständige Decodierung zu ermöglichen.is the second inverter stage 8 from a number of clock-controlled inverters connected, each consisting of the transistors T45 to T48. The outputs Q51 and Q52 of this second inverter stage are connected to the inputs of the decoding stage 5 as well as connected to the control input of a non-clocked inverter stage 10, the series connection of an N-channel transistor T49 and a P-channel transistor 50 exist between the poles of the supply voltage and the inverted signal via the outputs Q51, Q52 ..... also to the decoding stage 5 to generate a allow full decoding.

In Figur 7 ist die Anwendung einer prograirimierbaren logischen Anordnung mit wickkopplung für einen Dezirialzähler mit gleichzeitiger Decodierung für die Ansteuerung einer 7-Segment-Anzeige in vereinfachter Weise dargestellt. Bei den Stufen 5 und 6 sind die Aktivierungstransistoren, die Ladetransistoren und die KaTrazitäten ganz weggelassen und die Verknüpfungstransistoren nur durch einen schrägen Strich an den Kreuzungspunkten von Eing2ngs-Zeilenleitungen und Ausgangs-Spaltenleitungen angedeutet, an denen ein Verknüpfungstransistor in Reihenschaltung in der Ausgangsleitung angeordnet ist und mit seinem Steueransch]#uß an die betreffende Eingangsleitung angeschlossen ist. In gleicher Weise ist in den Stufen 6 und 6' jeder Verknüpfungstransistor durch einen schrägen Strich am Kreuzungspunkt der Eingangs-Spaltenleitung, mit der der Steueranschluß dieses Verknüpfungstransistors verbunden ist, und der Zeilen-Ausgangsleitung, mit der die betreffenden Verknüpfungstransistoren parallel verbunden sind, angedeutet. Die Ausgänge der Stufe 6 führen auf einen Zwischenspeicher 9, dessen Ausgänge QW bis Qz den Ausgang des Dezimalzählers im Dualcode darstellen und die gleichzeitig mit den Eingängen der Stufe 5 sowie mit Invertern 10 verbunden sind, die die übrigen Eingänge ansteuern. In jeder Spalte der Stufe 5 wird die einer Dualzahl zugeordneten Dezimalzahl, die ganz unten an den Spaltenleitungen angegeben ist, decodiert, und die Stufe 6 erzeugt den Code für die nächstfolgende Dualzahl bzw.In Figure 7 is the use of a programmable logic arrangement with winding coupling for a decirial counter with simultaneous decoding for the Control of a 7-segment display shown in a simplified manner. Both Levels 5 and 6 are the activation transistors, the charging transistors and the KaTrazities completely omitted and the linking transistors only by an oblique line at the crossing points of input row lines and output column lines indicated on which a link transistor in series in the output line is arranged and with its control connection to the relevant input line connected. In the same way, in levels 6 and 6 ' each link transistor by an oblique line at the crossing point of the input column line, to which the control terminal of this link transistor is connected, and the Row output line with which the relevant logic transistors are connected in parallel are connected, indicated. The outputs of stage 6 lead to a buffer 9, whose outputs QW to Qz represent the output of the decimal counter in binary code and connected to the inputs of stage 5 and inverters 10 at the same time that control the other inputs. In each column of level 5 there is one Decimal number assigned to binary number, which is indicated at the very bottom on the column lines is, decoded, and stage 6 generates the code for the next following binary number respectively.

Dezimalzahl. Diese nächstfolgende Dualzahl wird durch den Zwischenspeicher 9 um eine Taktperiode verzögert wieder an den Eingang der Stufe 5 zurückgegeben und wieder decodiert, wodurch die Stufe 6 dann den Code für die darauffolgende Dualzahl erzeugt, usw..Decimal number. This next binary number is stored in the buffer 9 is returned to the input of stage 5 delayed by one clock period and decoded again, whereby the level 6 then the code for the following binary number generated, etc.

Die auf diese Weise ohnehin vorhandenen decodierten Dezimalzahlen werden in der Stufe 6' dazu verwendet, die Signale für die An-Steuerung einer 7-Segment-Ziffern-Anzeige zu erzeugen. Da der Zähler in dynamischer Technik arbeitet und somit jeden Zustand nur Bruchteile von Sekunden aufrecht erhalten kann, werden die Ausgangssignale der Stufe 6 durch ein Signal auf der Leitung St bei der anzuzeigenden Zählerstellung in ein statisches Register 11 übernommen, um eine stehende Anzeige zu erzeugen.The decimal numbers that are already present in this way are used in stage 6 'to control the signals for a 7-segment digit display to create. Because the counter works with dynamic technology and therefore every state can only be sustained for fractions of a second, the output signals of the Level 6 by a signal on the St. at the to be displayed Counter setting taken over in a static register 11 to a stationary display to create.

Auf diese Weise ist mittels einer rückgekoppelten programmierbaren logischen Anordnung ein Zehnerzähler mit Anzeigedecodierung mit minimalem Aufwand angegeben.In this way it is programmable by means of a feedback loop logical arrangement a ten counter with display decoding with minimal effort specified.

Die Figur 8 zeigt einen Ausschnitt der Halbleiterscheibe, in der die Schaltungsanordnung nach Figur 6 in einem üblichen Herstellungsverfahren für komplementäre NOS-Technik unter Verwendung von polykristallinem Silizium als Gateelektrode integriert ist. Die Eingänge Q51, Q51,... des Dekodierers werden als Aluminilsbahnen 20, 21 über die UND-Ebene entsprechend der Stufe 5 geführt. Senkrecht dazu verlaufen streifenförmige Diffusionsgebiete 22, 23 mit P-Dotierung, die bei der Herstellung durch eine entsprechende streifenförmige Diffusionsmaske erzeugt werden, nachdem die Gateelektroden 24, 25, 26 aus polykristallinem Silizium angebracht wurden, so daß die Diffusionsgebiete an den Stellen unterbrochen sind, an denen die Gateelektroden angebracht sind. Durch die Unterbrechung wird ein VerknUpfwlgstransistor gebildet, während die Diffusionsgebiete die Verbindungen der Verknüpfungstransistoren in Form einer Reihenschaltung bilden. Die Gateelektroden sind über Kontaktfenster 27, 28 mit den Aluminiumbahnen 20, 21 verbunden. Durch die Lage der Gateelektroden 24, 25, 26 wird die logische Struktur, d.h. die Verknüpfungsfunktion der UND-Ebene festgelegt.FIG. 8 shows a section of the semiconductor wafer in which the Circuit arrangement according to Figure 6 in a conventional manufacturing process for complementary Integrated NOS technology using polycrystalline silicon as the gate electrode is. The inputs Q51, Q51, ... of the decoder are used as aluminum tracks 20, 21 guided via the AND level according to level 5. Strip-shaped ones run perpendicular to it Diffusion regions 22, 23 with P-doping, which during production by a corresponding strip-shaped diffusion mask are generated after the gate electrodes 24, 25, 26 made of polycrystalline silicon were attached, so that the diffusion areas are interrupted at the points where the gate electrodes are attached. By the interruption is formed by a link transistor, while the diffusion regions form the connections of the linking transistors in the form of a series circuit. The gate electrodes are connected to the aluminum tracks 20, 21 via contact windows 27, 28 tied together. The position of the gate electrodes 24, 25, 26 creates the logical structure, i.e. the logic function of the AND level is defined.

Die Enden Doi, D62 der Diffusionsgebiete 22, 23 der UND-Ebene sind mit den Eingangsleitungen der ODER-Ebene entsprechend Stufe 6 in Figur 6 verbunden, die auf Bahnen 30, 31, 32 aus polykristallinem Silizium über diese Ebene geführt werden.The ends Doi, D62 of the diffusion regions 22, 23 of the AND plane are connected to the input lines of the OR level according to stage 6 in Figure 6, which are guided over this plane on tracks 30, 31, 32 made of polycrystalline silicon will.

Diese Bahnen bilden die Gateelektroden der Verknüpfungstransistoren dieser Ebene. Die Verknüpfungstransistoren können jeweils nur an der Stelle erzeugt werden, an der sich die Gateelektroden 30, 31, 32 und die Aluminiumbahnen 33, 34 kreuzen. Der eine Hauptanschluß der Verknüpfungstransistoren wird jeweils durch die Diffusionsgebiete 40 gebildet, die gemeinsam mit dem Aktivierungstransistor T8 in Figur 6 verbunden sind. Der andere Hauptanschluß der Verknüpfungstransistoren wird durch Diffusionsgebiete 37, 38, 39 gebildet, wenn dieses Diffusionsgebiet bis an die entsprechende Gateelektrode heranreicht. Andernfalls, wie es im dargestellten Beispiel bei dem Diffusionsgebiet 39 auf der rechten Seite der Fall ist, entsteht kein Verknüpfungstransistor. Durch die verbleibenden Verknüpfungstransistoren wird die logische Struktur, d.h. die Verknüpfungsfunktion dieser ODER-Ebene bestimmt. Die einzelnen Diffusionsgebiete 37, 38, 39 werden über Kontaktfenster 35, 36 mit den Aluminiuiabahnen 33, 34 verbunden, die so eine Parallelschaltung aller Verknüpfungstransistoren einer Zeile bewirken. Die Diffusionsgebiete 40 und 37, 38, 39 haben gleiche Dotierung und werden nach dem Anbringen der Gateelektroden 30, 31, 32 durch eine Diffusionsmaske erzeugt, deren Kontur 41 durch die gestricheltcn Linien und die diese verbindenden stark ausgezogenen Linien angedeutet ist.These tracks form the gate electrodes of the link transistors this level. The link transistors can only be generated at that point on which the gate electrodes 30, 31, 32 and the aluminum tracks 33, 34 cross. The one main connection of the linking transistors is each through the diffusion regions 40 formed, which are common to the activation transistor T8 in Figure 6 are connected. The other main connection of the link transistors is formed by diffusion regions 37, 38, 39 when this diffusion region is up to reaches up to the corresponding gate electrode. Otherwise, as shown in the Example is the case with the diffusion region 39 on the right side, arises no link transistor. Through the remaining link transistors will the logical structure, i.e. the logic function of this OR level determines. The individual diffusion regions 37, 38, 39 are connected via contact windows 35, 36 connected to the aluminum paths 33, 34, thus making a parallel connection of all logic transistors one line. The diffusion regions 40 and 37, 38, 39 have the same doping and after attaching the gate electrodes 30, 31, 32 through a diffusion mask generated whose contour 41 by the dashed lines and those connecting them strongly drawn lines is indicated.

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Claims (8)

Patentansprüche: 1. Integrierte Schaltung mit MOS-Transistoren zur Verarbeitung von binären Signalen mit mindestens zwei Stufen, von denen jede aus der Reihenschaltung eines Ladetransistors des einen Leitfähigkeitstyps sowie eines oder mehrerer, untereinander in Reihe und/oder parallel geschalteter Verknüp-fungstransistoren und eines Aktivierungstransistors des anderen Leitfähigkeitstyps zwischen den Polen einer Spannungsquelle besteht, wobei der Steueranschluß des Ladetransistors und des Aktivierungstransistors mit derselben Taktleitung verbunden ist und der von Pol abge#iandte Hauptanschluß des Ladetransistors mit einer Kapazität verbunden ist und den Ausgang der Stufe darstellt und der Ausgang einer Stufe mit dem Eingang mindestens einer anderen Stufe verbunden ist und aufeinanderfolgende Stufen mit unterschiedlichen Taktleitungen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß in aufeinanderfolgenden Stufen (3,4) die Verknüpfungstransistoren (T2 T3, T5, T7) von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp sind und der Ladetransistor (T4, T5) abwechselnd rit einem der beiden Pole (1,2) der Spannung quelle verbunden ist.Claims: 1. Integrated circuit with MOS transistors for Processing of binary signals with at least two stages, each of which consists of the series connection of a charging transistor of one conductivity type and one or several linking transistors connected in series and / or in parallel and an activation transistor of the other conductivity type between the poles a voltage source, the control terminal of the charging transistor and of the activation transistor is connected to the same clock line and that of Pole connected main terminal of the charging transistor connected to a capacitance and represents the output of the stage and the output of a stage with the input at least one other stage is connected and successive stages with different clock lines are connected, characterized in that in successive Stages (3,4) the linking transistors (T2, T3, T5, T7) of different Conductivity type and the charging transistor (T4, T5) alternately rit one of the both poles (1,2) of the voltage source is connected. 2.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Taktsignale der Taktleitungen (#i, 2 ) auch einanderfolgender VerknUpfungsstufen (3,4) zueinander invers sind.2.) Integrated circuit according to claim 1, characterized in that that the clock signals of the clock lines (#i, 2) also of successive linking stages (3,4) are inverse to one another. 3.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang (Q1, Q2) der letzten Stufe (6) einer Reihe von Stufen (5,6) mit dem Eingang einer Speicherschaltung (7,8) verbunden ist, die das Ausgangs signal der letzten Stufe spätestens mit dem Ende des Taktswgnal.s(ç2) übernimat,das den Ladetransistor (T15, T25) der letzten Stufe sperrt.3.) Integrated circuit according to claim 1 or 2, characterized in that that the output (Q1, Q2) of the last stage (6) of a series of stages (5,6) with the input of a memory circuit (7,8) is connected to the output signal of the last stage at the latest with the end of the clock signal (ç2) that takes over the Charging transistor (T15, T25) of the last stage blocks. 4.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher ein erster taktgesteuerter Inverter (7) ist, der die Reihenschaltung von jeweils zwei in Reihe geschalteten Transistoren (T41 bis T44) verschiedenen Leitf?higkeitstye zwischen den Polen (1,2) der Spannungsquelle enthalt, wobei die Steueranschlüsse der beiden mittleren Invertertransistoren (T42, T43) das Ausgangssignal der unmittelWar vorhergehenden Stufe (6) erhalten und der Verbind.1ngspulkt dieser beiden Invertertransistoren mit einer Kapazität#(C41) verbunden ist und den Ausgang (Q3) des Inverters darstellt, und die Steueranschlüsse der mit den Polen (1,2) der Spannungsquelle verbundenen Steuertransistoren (T41, T44) mit verschiedenen Taktleitungen (#1, #2) verbunden sind, die derartige Taktsignale führen, daß diese die Steuertransistoren sperren und den Inverter inaktiv machen, sobald der Ladetransistor (T15, T25) der unmittelbar vorhergehenden Stufe leitend wird.4.) Integrated circuit according to claim 3, characterized in that that the memory is a first clock-controlled inverter (7), which the series circuit each of two series-connected transistors (T41 to T44) different Conductivity stye between the poles (1,2) of the voltage source contains, the Control connections of the two middle inverter transistors (T42, T43) the output signal of the immediate previous stage (6) and the connection both inverter transistors with a capacitance # (C41) is connected and the output (Q3) of the inverter, and the control connections of the with the poles (1,2) of the Voltage source connected control transistors (T41, T44) with different clock lines (# 1, # 2) are connected, which carry such clock signals that they are the control transistors block and make the inverter inactive as soon as the charging transistor (T15, T25) of the immediately preceding stage becomes conductive. 5.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem ersten taktgesteuerten Inverter (7) ein zweiter;gleich aufgebauter Inverter (8) nachgeschaltet ist, und daß die beiden Inverter mit Taktleitungen (41, §2) verbunden sind, die derartige Taktsignale fUhren, daß die Inverter zu verschiedenen Zeiten aktiv sind.5.) Integrated circuit according to claim 4, characterized in that that the first clock-controlled inverter (7) a second; same structure Inverter (8) is connected downstream, and that the two inverters with clock lines (41, §2) are connected, which carry such clock signals that the inverters to different Times are active. 6.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der direkt an die letzte Stufe (6) angeschlossene Inverter (7) nur die beiden mittleren Transistoren (T42, T43) und den den Aktivierungstransistor (T8) dieser letzten Stufe entsprechenden Transistor (T41) enthält und der entsprechende der mittleren Transistoren (T43> direkt mit dem zugehörigen Pol (2) der Spelsespannung verbunden ist.6.) Integrated circuit according to claim 4 or 5, characterized in that that the directly connected to the last stage (6) inverter (7) only the two middle transistors (T42, T43) and the activation transistor (T8) of these last stage corresponding transistor (T41) and the corresponding the middle transistors (T43> directly with the corresponding pole (2) of the coil voltage connected is. 7.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 4 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Inverter (7) bzw. mit den Invertern (7,8) verbundenen Taktleitungen ~(#1, 2) die mit den vorhergehenden Verknüpfungsstufen (5,6) verbundenen Taktleitungen sind.7.) Integrated circuit according to claim 4 or one of the following, characterized in that the with the inverter (7) or with the inverters (7,8) connected clock lines ~ (# 1, 2) those with the previous linkage stages (5,6) are connected clock lines. 8.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere untereinander gleichartige Stufen (5,6) mit Verknüpfuiigstransistoren (T62, T63, T66, T 67) jeweils gleichen Leitfähigkeitstyps vorhanden sind und der AI#tiviefl#ngstransistor (T1, T8) für mindestens mehrere dieser Stufen gemeinsam ist.8.) Integrated circuit according to claim 1 or one of the following, characterized in that several mutually similar stages (5,6) with Linking transistors (T62, T63, T66, T 67) each have the same conductivity type are available and the AI # tiviefl # ngstransistor (T1, T8) for at least several these stages is common. 4 9.) Anordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung einer programmierbaren logischen Anordnung (PLA) eine Anzahl untere in ander gleichartiger erster Stufen (5) mit jeweils in Reihe geschalteten Verknüpfungstransistoren (T62, T63) gleichen Leitfähigkeitstyps vorhanden sind, deren Steueranschlüsse so mit einem gemeinsamen Satz von Eingangsleitern (Q51, Q52) verbunden sind, daß jeder Ausgang (DS?, D62) der ersten Stufen (5) nur bei jeweils einer bestimmten Kombination von Signalen auf den Eingangsleitern ein Ausgangssignal erzeugt, daß eine Anzahl untereinander gleichartiger zweiter Stufen (6) vorhanden ist, bei denen die Verknüpfungstransistoren (T66, T67) jeweils parallelgeschaltet sind und von entgegengesetztem Leitfähigkeit.styp wie bei den ersten Stufen sind, deren Steueranschlüsse mit den Ausgängen (d61, D62) verschiedener erster Stufen (5) verbunden sind, und daß die Ausgänge (Q61, QS2) er zweiten Stufen (6) die Ausgänge der programmierbaren logischen Anordnung (PLA) darstellen. 4 9.) Arrangement according to claim 1 or one of the following, characterized characterized that to form a programmable logic arrangement (PLA) a number of lower in other similar first stages (5), each in series Switched link transistors (T62, T63) of the same conductivity type are present whose control connections are connected to a common set of input conductors (Q51, Q52) are connected that each output (DS ?, D62) of the first stages (5) only at an output signal for a specific combination of signals on the input conductors produces that a number of mutually similar second stages (6) are present in which the logic transistors (T66, T67) are each connected in parallel and are of the opposite conductivity type as in the first stages, their control connections with the outputs (d61, D62) of various first stages (5) are connected, and that the outputs (Q61, QS2) of the second stage (6) are the outputs the programmable logic arrangement (PLA). 1O.) Integrierte Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgänge (Q61, Q62) der programmierbaren logischen Anordnung (PLA) über Zwischenspeicher (9) mit mindestens einem Teil der Eingangsleiter (Q51, Q52) verbunden sind.1O.) Integrated circuit according to claim 9, characterized in that that the outputs (Q61, Q62) of the programmable logic arrangement (PLA) over Intermediate storage (9) connected to at least part of the input conductors (Q51, Q52) are.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0081317A1 (en) * 1981-12-07 1983-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba AND-OR Logic circuit
EP0132071A2 (en) * 1983-07-15 1985-01-23 Northern Telecom Limited Programmable logic array
WO1985004539A1 (en) * 1984-03-26 1985-10-10 American Telephone & Telegraph Company A semiconductor logic circuit
US4569032A (en) * 1983-12-23 1986-02-04 At&T Bell Laboratories Dynamic CMOS logic circuits for implementing multiple AND-functions
US4613773A (en) * 1983-01-29 1986-09-23 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Racefree CMOS clocked logic circuit
US4636661A (en) * 1984-12-21 1987-01-13 Signetics Corporation Ratioless FET programmable logic array
FR2593652A1 (en) * 1985-10-21 1987-07-31 Western Digital Corp PROGRAMMABLE LOGIC NETWORK WITH DYNAMIC LOGIC WITH SINGLE CLOCK.
US4841174A (en) * 1985-10-21 1989-06-20 Western Digital Corporation CMOS circuit with racefree single clock dynamic logic

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0081317A1 (en) * 1981-12-07 1983-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba AND-OR Logic circuit
US4501977A (en) * 1981-12-07 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha AND-OR logic circuit including a feedback path
US4613773A (en) * 1983-01-29 1986-09-23 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Racefree CMOS clocked logic circuit
EP0132071A2 (en) * 1983-07-15 1985-01-23 Northern Telecom Limited Programmable logic array
EP0132071A3 (en) * 1983-07-15 1985-10-30 Northern Telecom Limited Programmable logic array
US4569032A (en) * 1983-12-23 1986-02-04 At&T Bell Laboratories Dynamic CMOS logic circuits for implementing multiple AND-functions
WO1985004539A1 (en) * 1984-03-26 1985-10-10 American Telephone & Telegraph Company A semiconductor logic circuit
US4668880A (en) * 1984-03-26 1987-05-26 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Chain logic scheme for programmed logic array
US4636661A (en) * 1984-12-21 1987-01-13 Signetics Corporation Ratioless FET programmable logic array
FR2593652A1 (en) * 1985-10-21 1987-07-31 Western Digital Corp PROGRAMMABLE LOGIC NETWORK WITH DYNAMIC LOGIC WITH SINGLE CLOCK.
US4841174A (en) * 1985-10-21 1989-06-20 Western Digital Corporation CMOS circuit with racefree single clock dynamic logic

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