DE2528216A1 - Electronic thin film solid state circuits prodn. - by high frequency sputtering from cathodes onto dielectric or semiconductor substrate - Google Patents

Electronic thin film solid state circuits prodn. - by high frequency sputtering from cathodes onto dielectric or semiconductor substrate

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Abstract

In the prodn. of electronic thin film solid state circuits, a film of a substance is deposited on a dielectric or semi-conductor substrate by high frequency sputtering from a number of cathodes. The constituents of this substance are present in predetermined concn. ratios and different ratios are obtd. by changing the electric parameters of networks between the high frequency generator and the individual cathodes. The use of the process for depositing a film of PbxSn1 -xSe, HgxCd1-xTe or In1-xAsxSb is also claimed. The temp. needed for the prodn. of an epitaxial structure is much lower than usual, allowing its use with substances (e.g. Ge and some binary and ternary semiconductors) which cannot be used at the higher temps. The substance is kept at a temp. within a range preventing selective re-vapourisation of individual components with a relatively high vapour pressure. In an example epitaxial films of PbxSn1-xTe, e.g. on Ge were produced by sputtering with pure Ar at 5 x 10-4 to 5 x 10-3 torr with a 1000 V discharge, substrate temp. of 200-400, pref. 280-350 degrees C and a deposition rate of under 1 mu m/h.

Description

II Verfahren zur Herstellung von elektronischen Dunnfilm-Festkörper-Schaltkreisen 1I Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektronischen Dünnfilm-Festkörper-Schaltkreisen. II Process for the manufacture of thin film solid state electronic circuits 1I The invention relates to a method of manufacturing thin film solid state electronic circuits.

Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren, bei dem zur Auftragung der Dünnfilme Hochfrequenzzerstäubungsverfahren angewendet werden.In particular, the invention relates to a method in which for application the thin films applied high frequency sputtering processes will.

Integrierte Schaltkreise werden bisher durch Aufdampfen herkömmlicherweise im Vakuum hergestellt Dieses Verfahren ist für die Herstellung von einfachen und von integrierten Schaltkreisen, beispielsweise aus Silizium, erprobt. Die Vakuumbedampfung wird ferner für die Ablagerung von Schichten nichtfeuerfester Metalle in den gewünschten Mustern verwendet und ist dann relativ einfach. Man trifft jedoch auf große Schwierigkeiten bei der Ablagerung im Vakuum aus der Dampfphase, wenn die Ablagerung von Werkstoffen erwünscht ist, die nicht im elementaren Zustand, sondern als chemische Verbindung, selbst einfacher Art, vorliegen, weil bei den Temperaturen, die benötigt werden, um eine vernünftige Ablagerungsgeschwindigkeit zu erreichen, eine thermische Zersetzung der abzulagernden Verbindung auftritt und häufig die Substanz, die die haltende Lage bildet, dann stöchiometrisch nicht mehr der Ausgangssubstanz entspricht.Integrated circuits have heretofore become conventional by vapor deposition Manufactured in vacuum This process is for the manufacture of simple and of integrated circuits, for example made of silicon, tested. The vacuum evaporation is also used for the deposition of layers of non-refractory metals in the desired Uses patterns and is then relatively simple. However, great difficulties are encountered when depositing in vacuum from the vapor phase when depositing materials is desired, which is not in its elemental state, but as a chemical compound, even of a simple nature, because at the temperatures that are required, to achieve a reasonable rate of deposition, thermal decomposition the compound to be deposited occurs and often the substance that holds the compound Forms position, then stoichiometrically no longer corresponds to the starting substance.

Die Ablagerung aus der Dampfphase wird außerdem verwendet (nicht unter Hochvakuum), um ein epitaxiales, monokristallines oder polykristallines Wachstum auf Substanzen durch Pyrolyse des Dampfes eines Produktes zu erzielen, das das abzulagernde Material enthält. Diese Verfahren erfordern einmal die Erwärmung der Substanzen auf hohe Temperaturen und eignen sich außerdem nicht für die Ablagerung von Verbindungen aus zwei oder mehr Elementen.The vapor deposition is also used (not under High vacuum) to achieve epitaxial, monocrystalline or polycrystalline growth to obtain substances by pyrolysis of the vapor of a product that is to be deposited Contains material. These procedures require heating once the Substances to high temperatures and are also unsuitable for deposition of connections from two or more elements.

Das vorstehend beschriebene Verfahren bringt also folgende Schwierigkeiten mit sich: a) Verdampfung der Halbleiterverbindung ohne Verunreinigung aus den Tiegeln; b) Konstanz der stöchiometrischen Zusammensetzung aufgedampfter Verbindungen; c) Möglichkeit der Reproduktion der Ergebnisse im industriellen Naß stab; d) in vielen Fällen die Notwendigkeit, die Substanz auf relativ hohe Temperaturen zu erhitzen, so daß solche Substanzen, die keine hohen Temperaturen vertragen, ausgeschlossen sind.The above-described method thus has the following difficulties with it: a) evaporation of the semiconductor compound without contamination from the crucibles; b) constancy of the stoichiometric composition of vapor-deposited compounds; c) Possibility of reproducing the results in the industrial wet rod; d) in many Cases the need to heat the substance to relatively high temperatures, so that substances that cannot tolerate high temperatures are excluded are.

Ein anderes Verfahren, das in der Physik seit langem bekannt ist, um dünne Schichten auf einer Unterlage abzulagern, besteht in feiner kathodischen Zerstäubung.Another method that has long been known in physics, to deposit thin layers on a substrate, consists in fine cathodic Atomization.

Hierbei wird von einer elektrischen Entladung in einem verdünnten Gas Gebrauch gemacht, dessen positive Ionen auf eine Kathode auftreffen, von der molekulare Partikel ausgeworfen werde; die sich auf einer Unterlage ablagern, die in bekannter Weise in einer bestimmten geometrischen Beziehung zur aktiven Kathode angeordnet ist.This is done by an electrical discharge in a dilute Gas made use of its positive ions on a Hit the cathode, from which molecular particles are ejected; which are deposited on a base, which in a known manner in a certain geometrical relationship to the active cathode is arranged.

Bei der Zerstäubungsablagerung sind andere Erscheinungen als bei der Vakuumaufdampfung oder der Ablagerung durch Pyrolyse in der Dampfphase maßgebend, so daß auch Metalle und feuerfeste Elemente und Verbindungen abgelagert werden können.In the case of the atomization deposition there are different phenomena than in the case of the Vacuum evaporation or deposition by pyrolysis in the vapor phase is decisive, so that metals and refractories and compounds can also be deposited.

Das Verfahren gemäß der Erfindung basiert auf der Ausnutzung des Verfahrens der Hochfrequenzzerstäubungsablagerung im Vakuum mit zwei oder mehr Kathoden.The method according to the invention is based on the utilization of the method high frequency sputter deposition in vacuum with two or more cathodes.

Auf die Kathoden werden die Substanzen,einfachbder zusammengesetzt, aufgebracht, die den Dünnfilm, bestehend aus einem Halbleiter, bilden sollen. Im speziellen Fall eines Halbleiters, der in der Lage ist, infrarotes Licht im mittleren oder Langwellenbereich festzustellen, besteht der abgelagerte Film aus einer Halbleiterverbindung der Bruttoformel PbxSn1 xTe.The substances are simply put together on the cathodes, applied to form the thin film consisting of a semiconductor. in the special case of a semiconductor that is able to emit infrared light in the middle or long wave region, the deposited film consists of a semiconductor compound the gross formula PbxSn1 xTe.

Wenn gemäß der Erfindung die Substanzen, einfach oder zusammengesetzt auf die einzeln Kathoden aufgebracht werden, ist es möglich, die prozentuale Zusammensetzung der einzelnen Elemente im Film vorzubestimmen, indem die einzelnen Ablagerungsgeschwindigkeiten geändert werden, und zwar lediglich durch Einstellung der Hochfrequenzspannungen, die an die Kathoden angelegt werden, auf die die genannten Substanzen aufgebracht sind.If according to the invention the substances, simple or compound to which cathodes are applied individually, it is possible to determine the percentage composition of the individual elements to be determined in the film by the individual Deposition rates can be changed simply by adjustment the high frequency voltages applied to the cathodes to which the said Substances are applied.

Erfindungsgemäß wird die Substanz bzw. werden die Substanzen bei relativ niedrigen Temperaturen erhitzt, wenn der abgelagerte Film eine epitaxiale Struktur haben soll, d.h. bei Temperaturen, die viel niedriger als jene sind, die für die Herstellung epitaxialer Lagen mit den herkömmlichen Verfahren erforderlich wären.According to the invention, the substance or substances are at relative heated low temperatures when the deposited film has an epitaxial structure should have, i.e. at temperatures that are much lower than those required for the Making epitaxial layers using the conventional methods would be required.

Die herkömmlichen Verfahren zur Herstellung epitaxialer Lagen erfordern derart hohe Temveraturen, daß die die Verwendung verschiedener Substanzen (beispielsweise Germanium und einiger binärer und ternärer Halbleiter) ausgeschlossen ist, weil diese Temperaturen entweder die möglichen vorherrschendenDiffusionen zerstören oder eine Dissoziation der Halbleiterverbindung selbst bewirken wurden.The conventional methods of making epitaxial layers require such high temperatures that the use of different substances (for example Germanium and some binary and ternary semiconductors) is excluded because these temperatures either destroy the possible prevailing diffusions or cause dissociation of the semiconductor compound itself.

Das Verfahren gemäß der Erfindung wird nachstehend für ein besonderes Ausführungsbeispiel beschrieben, nämlich zur Herstellung linearer Folgen von Fotodetektoren aus PbxSn1 xTe, die für das mittlere Infrarot brauchbar sind und die auf Siliziumunterlagen abgeschieden sind. In Hen dazugehörigen Zeichnungen sind: Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Anlage zur Ablagerung durch Zerstäuben gemäß der Erfindung; Fig. 2 ein Schaubild einer Platte mit elektrischen Kontakten in einer Ausführung, wie sie mit bekannten Verfahren entsteht, und Fig. 3 ein Schaubild einer Platte mit zwei gestaffelten linearen Folgen von Detektoren, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurden.The method according to the invention is described below for a particular one Embodiment described, namely for the production of linear sequences of photodetectors made of PbxSn1 xTe, which can be used for the mid-infrared and which are on silicon substrates are deposited. In Hen related drawings are: Fig. 1 a schematic representation of a plant for deposition by sputtering according to the invention; Figure 2 is a diagram of a plate with electrical contacts in a Execution, as it arises with known methods, and FIG. 3 is a diagram of a Plate with two staggered linear sequences of detectors made with the inventive Procedures were established.

Gemäß Fig. 1 besteht die Anlage aus einer Vakuumkammer 1, die durch ein Rohr 2 mit einer Ublichen Turbomolekularpumpe 3 verbunden ist, die in bekannter Weise mit einem System von nicht dargestellten Hochvakuumpumpen verbunden ist. Im Zuge des Rohres 2 befindet sich ein Hochvakuumventil 4.According to Fig. 1, the system consists of a vacuum chamber 1, which by a pipe 2 is connected to a conventional turbo-molecular pump 3, which is known in Way is connected to a system of high vacuum pumps, not shown. in the A high vacuum valve 4 is located along the pipe 2.

Innerhalb der Vakuumkammer 1 befindet sich eine drehbare Objekthalterschale 5, die mit Ausnehmungen 6 für die zu behandelnden Substanzen versehen ist. Der Obäekthalterschale 5 ist in bekannter Weise eine Blende zugeordnet. Unter der Obäekthalterschale 5 befinden sich elektrische Widerstandsheizer 8. Die Objekthalterschale 5 kann von einem Motor 9 über ein Getriebe 10 gedreht werden. Im Oberteil der Vakuumkammer 1 befinden sich drei Kathoden A, B und C, die gegebenenfalls wassergekühlt sind.Inside the vacuum chamber 1 there is a rotatable specimen holder dish 5, which is provided with recesses 6 for the substances to be treated. The object holder shell 5 is assigned a diaphragm in a known manner. Under the object holder tray 5 there are electrical resistance heaters 8. The object holder tray 5 can be from a motor 9 can be rotated via a transmission 10. In the upper part of the vacuum chamber 1 there are three cathodes A, B and C, which may be water-cooled.

und die abzulagernde Substanz tragen.and carry the substance to be deposited.

Die Kathoden A, B und C sind elektrisch mit Netzwerken Al, 31 und Cl verbunden, die sowohl eine Anpassung der elektrischen Last an den Generator als auch eine Änderung der Spannungen ermöglichen, die an die einzelnen Kathoden angelegt werden, um so die gevünechten Zerstäubungsgeschwindigkeiten für die auf den einzelnen Kathoden befindlichen Substanzen einstellen zu können. Die Netzwerke Al, 31 und Cl sind ihrerseits mit einem allgemeinen Netzwerk RA verbunden, das an einen Hochfrequenzgenerator RFG angeschlossen ist.The cathodes A, B and C are electrical with networks Al, 31 and Cl connected, which both an adaptation of the electrical load to the generator as also allow a change in the voltages applied to the individual cathodes so as to determine the atomizing speeds for the individual To be able to adjust substances located in the cathode. The networks Al, 31 and Cl are in turn connected to a general network RA, which is connected to a high-frequency generator RFG is connected.

Die Vakuumkammer ist ferner über ein nicht dargestelltes Durchflußregelventil mit einem Behälter verbunden, der ein das ionisierende Medium bildendes inertes Gas, beispielsweise hochreines Argon, enthält.The vacuum chamber is also via a flow control valve, not shown connected to a container, the ionizing medium forming an inert Gas, such as high purity argon, contains.

Fig. 2 zeigt eine Platte, die als Träger eine gestaffelte Folge von Fotodetektorelementen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens aufweist.Fig. 2 shows a plate which as a carrier a staggered sequence of Having photodetector elements for performing the method according to the invention.

Die dünne Trägerplatte 10 besteht aus Silizium, Germanium, Aluminiumoxid oder einem anderen Werkstoff und trägt Metallelektroden 11 und eine gemeinsame Elektrode 12. Diese Elektroden sind mit Hilfe des bekannten fotolithografischen Verfahrens gebildet, das für die Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet wird.The thin carrier plate 10 consists of silicon, germanium, aluminum oxide or another material and carries metal electrodes 11 and a common electrode 12. These electrodes are made using the well-known photolithographic process educated, which is used for the manufacture of integrated circuits.

Figur 3, in der die gleichen Teile mit gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 2 bezeichnet werden, zeigt eine geformte Schicht 13 zwischen der gemeinsamen Elektrode 12 und den Elektroden 11, die die genannte gestaffelte lineare Folge von Fotodetektoren bildet.Figure 3, in which the same parts with the same reference numerals as in Fig. 2, shows a shaped layer 13 between the common Electrode 12 and the electrodes 11, the said staggered linear sequence of Photo detectors forms.

Es folgt nun eine detaillierte Beschreibung des Verfahrens gemäß der Erfindung zur Erzeugung epitaxialer Filme durch Hochfrequenzzerstäubung.There now follows a detailed description of the method according to FIG Invention for producing epitaxial films by high frequency sputtering.

Die Erzeugung epitaxialer Filme bei niedrigen Temperaturen der Substanz hängt davon ab, daß ein hohes Vakuum in der verwendeten Ablagerungsvorrichtung beispielsweise gemäß Fig. 1, erzielt wird.The creation of epitaxial films at low temperatures of the substance depends on there being a high vacuum in the deposition device used, for example according to Fig. 1, is achieved.

Die in der Vorrichtung in Fig. 1 dargestellte Turbomolekularpumpe 3 wurde ausgesucht, um sowohl ein hohes Endvakuum (10 7 - 10 8 Torr) innerhalb der Vorrichtung zu erhalten, als auch um eine Verunreinigung des Raums durch Zurückströmen des Öls zu vermeiden, das in Diffusionspumpen verwendet wird.The turbo molecular pump shown in the device in FIG 3 was selected to provide both a high ultimate vacuum (10 7-10 8 Torr) within the Device to obtain, as well as a contamination of the room by backflow of the oil used in diffusion pumps.

Nachdem das genannte Endvakuum erreicht worden ist, wird die Anlage bei Temperaturen entgast, die höher als jene sind, die während der Ablagerungsphase verwendet werden.After the final vacuum has been reached, the system degassed at temperatures higher than those that while the deposition phase.

Bei der Ablagerung durch Hochfrequenzzerstäubung wird ein ionisierbares Gas, und zwar hyperreines Argon (99,999% Reinheitsgrad), verwendet.When deposited by high frequency atomization, it becomes ionizable Gas, hyperpure argon (99.999% purity), is used.

Es wurde festgestellt, daß der optimale Zerstäubungsdruck zwischen 5 x 10 -4 und 5 x 10 -3 Torr bei einer Entladungsspannung von etwa 1000 Volt liegt.It has been found that the optimum atomization pressure is between 5 x 10 -4 and 5 x 10 -3 Torr at a discharge voltage of about 1000 volts.

Um epitaxiale Filme von PbxSn1-xTe zu erhalten, liegt die Temperatur des Trägers zwischen 200 0C und 400°C, vorzugsweise zwischen 280 0C und 350°C Das ist wichtig, weil man ein epitaxiales Wachstum auf Trägern wie Germanium nur bei mäßigen Temperaturen erhält. Die genannten relativ niedrigen Temperaturen ermöglichen es außerdem, eine selektive (nicht stöchiometriche) Rückverdampfung der abgelagerten Substanz, die aus zwei oder mehr Elementen besteht zu verhindern bzw. zu verringern und damit eine Aufrechterhaltung der gewünschten chemischen Zusammensetzung des Films zu erzielen.To obtain epitaxial films of PbxSn1-xTe, the temperature is of the carrier between 200 ° C. and 400 ° C., preferably between 280 ° C. and 350 ° C. Das is important because epitaxial growth is only possible on supports such as germanium moderate temperatures. Allow the mentioned relatively low temperatures there is also a selective (non-stoichiometric) re-evaporation of the deposited To prevent or reduce substance that consists of two or more elements and thus maintaining the desired chemical composition of the To achieve film.

Um optimale Ergebnisse zu erzielen, ist es ratsam; Ablagerungsgeschwindigkeiten von weniger als ein Mikron pro Stunde ei-um stellen.For best results it is advisable; Deposition Rates at less than a micron per hour.

Das Entladungsverfahren in inertem Gas (Argon) geht etwa 30 Minuten vor der eigentlichen Ablagerung vonstatten, um die ersten leicht oxidierten Lagen von den Kathoden zu entfernen, die der Atmosphäre ausgesetzt waren, als die Anlage geöffnet war.The discharge process in inert gas (argon) lasts about 30 minutes before the actual deposition take place, around the first slightly oxidized layers from the cathodes that were exposed to the atmosphere when the plant was open.

Die erhaltene Zusammensetzung des Films kann innerhalb weiter Grenzen geändert werden, indem die Netzwerke Al, A2 und A3, die an die einzelnen Kathoden angelegten Spannungen und/oder die Abmessungen der aktiven Flächen der Kathoden selbst geändert werden.The composition of the film obtained can be varied within wide limits can be changed by adding the networks Al, A2 and A3 connected to the individual cathodes applied voltages and / or the dimensions of the active areas of the cathodes be changed by yourself.

Durch die gleiche Technik ist es auch möglich, dotierte Ablagerungen zu erhalten, wobei sowohl die Wirkung verschiedener prozentualer Anteile der Komponenten des Films als auch verschiedener Kathoden ausgenutzt wird, die in einem bestimmten Zeitpunkt eingeschaltet werden, um massierte Dotierungen oder solche mit verschiedenen Polaritäten und dadurch die Möglichkeit zu erhalten, Verbindungsbrücken herzustellen.Using the same technique it is also possible to create doped deposits to obtain, both the effect of different percentages of the components of the film as well as various cathodes that are used in a particular Time to be switched to massed dopings or those with different Polarities and thereby the possibility of making connecting bridges.

Es ist zu beachten, daß durch das erfindungsgemäße Verfahren die Kontakte mit dem abgelagerten Film unter dem Film selbst liegen. Das ist für den Fall von besonders empfindlichen Filmen, beispielsweise von PbxSn1 xTe-Filmen, von Vorteil.It should be noted that the contacts lie with the deposited film under the film itself. That is in the case of particularly sensitive films, for example PbxSn1 xTe films, are advantageous.

Nach der Filmablagerung werden die Träger zweckmäßig langsam unter Vakuum abgekühlt (mindestens 12 Stunden lang), damit sich die eventuell ausgetretenen mechanischen Spannungen ausgleichen können und eine unnötige Oxidation in der Atmosphäre verhindert wird.After the film has been deposited, the supports are expediently slowly buried Vacuum cooled (at least 12 hours) to allow any leaked Can compensate for mechanical stresses and unnecessary oxidation in the atmosphere is prevented.

In der vorstehenden Beschreibung wurde auf PbxSn1 xTe-Filme auf einen iialbleiterträger Bezug genommen. Es liegt auf der Hand, daß das beschriebene Verfahren auch zur Herstellung anderer Strukturen eingesetzt werden kann. Ferner können die abzulagernden Substanzen verschiedenartig sein, und zwar entweder einfache Elemente oder chemische Verbindungen sein. Hierzu sind z.B. Halbleiterlegierungen, wie PbxSn1~xse, HgxCd1-xTe und In1-xAsxSb zu erwähnen, die im allgemeinen mit herkömmlichen Verfahren kaum verarbeitet werden können.In the above description, PbxSn1 xTe films have been referred to as a iialbleiterträger referred to. It is obvious that the procedure described can also be used to produce other structures. Furthermore, the substances to be deposited may be of various kinds, either simple elements or chemical compounds. Semiconductor alloys such as PbxSn1 ~ xse, Mention HgxCd1-xTe and In1-xAsxSb, generally using conventional methods can hardly be processed.

Claims (6)

PatentansprücheClaims 1. Verfahren zur Herstellung von elektronischen Dünnfilm-Festkörper-Schaltkreisen, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß auf einen Träger aus einem dielektrischen oder Halbleitermaterial mittels Hochfrequenzzerstäubung von einer Vielzahl von Kathoden eine Schicht einer Substanz abgelagert wird, deren Bestandteile in vorbestimmten Konzentrationen vorliegen, wobei die Einstellung der unterschiedlichen Konzentrationsverhältnisse in bekannter Weise durch Änderung der elektrischen Parameter von Anpassungsnetzwerken erfolgt, die zwischen einen Hochfrequenzleistungsgenerator und die einzelnen Kathoden, die die durch Zerstäubung abzulagernde Ausgangssubstanz tragen, eingeschaltet sind.1. Process for the production of thin-film solid-state electronic circuits, d u r c h e k e n nz e i c h n e t that on a carrier made of a dielectric or semiconductor material using radio frequency sputtering from a plurality of cathodes a layer of a substance is deposited, the constituents of which are in predetermined Concentrations are present, the setting of the different concentration ratios in a known manner by changing the electrical parameters of matching networks takes place between a high-frequency power generator and the individual cathodes, which carry the starting substance to be deposited by atomization are switched on. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Substanz auf einer vorbestimmten Temperatur innerhalb gewisser Grenzen gehalten wird, die so gewählt sind, daß eine selektive Rückverdampfung einzelner Komponenten mit einm relativ hohen Dampfdruck und damit eine Störung der quantitativen bzw. stöchiometrischen Verhältnisse der Ausgangssubstanzen verhindert wird. 2. The method according to claim 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t that the substance is at a predetermined temperature within certain limits is held, which are chosen so that a selective re-evaporation of individual Components with a relatively high vapor pressure and thus a disturbance of the quantitative or stoichiometric ratios of the starting substances is prevented. 3. Verfahren nach Anspruch 2, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß mindestens eine der Kathoden Dotierungssubstanzen für die abgelagerte Verbindung trägt.3. The method according to claim 2, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t that at least one of the cathode dopants for the deposited compound wearing. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß der Träger mit Verbindungsbrücken und/oder Kontaktanschlüssen versehen wird, die in bekannter Weise vor Ablagerung der Schicht durch Zerstäubung aufgelegt werden.4. The method according to claim 1 to 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that the carrier is provided with connecting bridges and / or contact terminals is applied in a known manner prior to deposition of the layer by sputtering will. 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h g e -k e n n z ei c h n e t, daß zur Erzeugung eines hochgradig homogenen und gegebenenfalls epitaxialen Dünnfilms die Temperatur der zerstäubenden Substanz eingestellt wird, daß ein optimales epitaxiales Wachstum erzielt wird.5. The method according to claim 1 to 4, d a d u r c h g e -k e n n z ei c h n e t that to produce a highly homogeneous and possibly epitaxial Thin film the temperature of the atomizing substance is adjusted to that optimum epitaxial growth is achieved. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß die durch Zerstäubung abgelagerte Schicht aus PbxSn xSe, oder HgXCd1 xTe oder aus In1-xASxsb besteht.6. The method according to claim 1 to 5, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t that the sputter deposited layer of PbxSn xSe, or HgXCd1 xTe or In1-xASxsb. LeerseiteBlank page
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4424101A (en) 1980-11-06 1984-01-03 The Perkin-Elmer Corp. Method of depositing doped refractory metal silicides using DC magnetron/RF diode mode co-sputtering techniques

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