DE2513913C3

DE2513913C3 - Operating method for an electron beam oscillograph with a screen storage tube and circuit arrangement for carrying out the method

Info

Publication number: DE2513913C3
Application number: DE19752513913
Authority: DE
Inventors: Karl 7500 Karlsruhe Schellenberger
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Filing date: 1975-03-27
Publication date: 1977-10-27

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Betriebsverfahren für einen Elektronenstrahloszillographen mit einer Schirmspeicherröhre mit intermittierender Zuführung von in einem zusätzlichen System erzeugten Flutelektronen zu einer Speieherschicht, für die eine Sekundäremissionsverhältniskurve einen instabilen Punkt zwischen einem unteren und einem oberen stabilen Punkt aufweist, zur Verlängerung der Speicherzeit sowie auf eine Schaltungsanordnung zur Ausübung des Verfahrens. The invention relates to an operating method for an electron beam oscilloscope with a screen storage tube with intermittent feed from flood electrons generated in an additional system to a storage layer, for which a secondary emission ratio curve has an unstable point between a lower and an upper stable point to extend the storage time as well as a circuit arrangement for performing the method.

Eine Schirmspeicherröhre enthält eine Speicherschicht, auf der ein gebündelter Elektronenstrahl den aufzuzeichnenden Vorgang aufzeichnet. Mittels sogenannter Flutelektronen, die durch ein besonderes System erzeugt werden, wird das gespeicherte Bild über die Dauer der Belichtung durch den primären Elektronenstrahl hinaus sichtbar gemacht. Das latente Bild bleibt auch bei Abschalten der Flutelektronen in unsichtbarem Zustand für einige Zeit erhalten und wird durch wiedereingeschaltete Flutelektronen erneut sichtbar. Die Speicherschicht besteht aus einer Vielzahl einzelner Targets, deren ursprünglicher Ladungszu- f>o stand vom aufzeichnenden Elektronenstrahl in einen anderen Ladungszustand gebracht wird. Bei der Umladung der Targets der Speicherschicht spielen nicht nur die primärer· Elektronen, sondern auch die von ihnen ausgelösten Sekundärelektronen eine Rolle. Dem f>5 jeweiligen Ladungszustand der einzelnen Targtts entspricht ein bestimmtes Sekundäremissionsverhältnis. worunter das Verhältnis der Anzahl der aus den Targets austretenden Sekundärclektronen zu den sie auslösenden Primärelektronen verstanden wird. Dieses Sekundäremissionsverhältrjs läßt sich als Kurve über dem jeweiligen Potential des Targets gegenüber einem Grundpotential auftragen. Wesentlich für das Verhalten der Speicherschicht sind zwei Punkte auf der Sekundärcmissionsverhältniskurve, »n denen das Sekundäremissionsverhältnis einen stabilen Zustand gegenüber der weiteren Zufuhr von Elektronen aufweist. Zwischen den beiden stabilen Punkten liegt ein instabiler Punkt. Haben die Targets einen Zustand, der dem instabilen Punkt entspricht, so hat eine weitere Zufuhr von niederenergetischen Elektronen eine Verschiebung des Sekundäremissionsverhältnisses, abhängig von der jeweiligen Energie des einzelnen Elektrons, nach dem oberen bzw. nach dem unteren stabilen Punkt zur Folge. Der obere stabile Punkt entspricht dem Speicherzustand eines Targets, der untere stabile Punkt entspricht dem Ausgangszustand vor der Beaufschlagung mit dem aufzeichnenden Elektronenstrahl. Überstreicht der aufzeichnende Elektronenstrahl mit seinen Elektronen hoher kinetischer Energie bei einem Aufzeichnungsvorgang ein Target, so wird es vom Ausgangszustand über den Zustand des instabilen Punktes auf der Sekuntläremissionsverhähniskurve hinweggehuben und entweder vom aufzeichnenden Elektronenstrahl selbst oder von den Flutelektronen bis zum Zustand des oberen stabilen Punktes umgeladen. Das Target ist damit in den Speicherzustand versetzt. In diesem Zustand leuchtet auch ein Target in der Speicherschicht, die bei einem Röhrentyp gleichzeitig Phosphorschicht sein kann, oder es werden bei einem anderen Röhrentyp, der ein besonderes Speichergitter aufweist, die Flutelektronen durch das Gitter an den aufgeladenen Targets in Richtung einer zusätzlichen Leuchtschicht durchgelassen. Die niederenergetischen Flutelektronen bewirken bei den nicht vom aufzeichnenden Elektronenstrahl beaufschlagten Targets, daß sie auf dem Ausgangszustand gehalten werden.A screen storage tube contains a storage layer on which a collimated electron beam is the process to be recorded. By means of so-called flood electrons, which are caused by a special System generated, the stored image will be over the duration of the exposure by the primary Electron beam made visible out. The latent image remains in even when the tide electrons are switched off For some time it remains invisible and becomes visible again when the flood electrons are switched on again. The storage layer consists of a large number of individual targets whose original charge supply f> o stand is brought into a different state of charge by the recording electron beam. In the Charge reversal of the targets of the storage layer is not only played by the primary electrons, but also by those of secondary electrons released by them play a role. The f> 5 The respective state of charge of the individual targets corresponds to a certain secondary emission ratio. including the ratio of the number of secondary electrons emerging from the targets to the number of them triggering primary electrons is understood. This secondary emission ratio can be used as a curve the respective potential of the target against a base potential. Essential for behavior of the storage layer are two points on the secondary emission ratio curve, »In which the secondary emission ratio has a stable state compared to the Has further supply of electrons. There is an unstable point between the two stable points. If the targets have a state that corresponds to the unstable point, another supply of low-energy electrons a shift in the secondary emission ratio, depending on the respective energy of the individual electron, after the upper or after the lower stable point. The upper stable point corresponds to the storage status of a target, the lower stable point corresponds to the initial state before exposure to the recording electron beam. The recording electron beam with its electrons of high kinetic energy during a recording process a target, it will be from the initial state via the state of the unstable point on the secondary emission ratio curve lifted off and either from the recording electron beam itself or from the tide electrons to the state of the upper stable Point reloaded. The target is now in the storage state. In this state it lights up also a target in the storage layer, which in the case of a tube type can also be a phosphor layer, or In another type of tube, which has a special storage grid, the flood electrons are generated transmitted through the grid on the charged target in the direction of an additional luminous layer. The low-energy flood electrons do not cause the electron beam to be recorded applied targets that they are kept at the initial state.

Die Bildspeicherröhren geben bei eingeschalteten Flutelektronen ein gespeichertes Bild sichtbar wieder. Eine längere Leuchtzeit der Aufzeichnung verändert jedoch die Leuchtschicht derart, daß eine Art Einbrennen des Schriebes stattfindet, das die Wiedergabe nachfolgender Oszillogramme beeinträchtigt. Die auch mögliche Dunkelspeicherung ohne Flutelektronen ist zeitlich ebenfalls erheblich begrenzt, weil die negative Ladung der nicht belichteten Targets über den inneren Widerstand der Speicherschicht auf eine elektrisch positivere Trägerschicht abwandert. Der Zustand der Targets verläßt damit den unteren der stabilen Punkte auf der Sekundäremissionsverhältniskurve und kann bis über den instabilen Punkt auf dieser Kurve gelangen. Danach treiben wiedereingeschaltete Flutelektronen diese Targets in den oberen stabilen Zustand, sie beginnen dann zu leuchten, ohne daß sie vorher vom Primärelektronenstrahl getroffen wurden.When the flood electrons are switched on, the image storage tubes visibly reproduce a stored image. However, a longer lighting time of the recording changes the luminescent layer in such a way that a kind of burn-in of the writing takes place, which affects the reproduction of subsequent oscillograms. That too possible dark storage without flood electrons is also considerably limited in time because the negative Charging of the unexposed targets via the internal resistance of the storage layer to an electrical more positive carrier layer migrates. The state of the target leaves the lower of the stable points on the secondary emission ratio curve and can go beyond the unstable point on this curve. After that, reactivated flood electrons drive these targets into the upper stable state, they then begin to glow without being hit by the primary electron beam beforehand.

Aus der britischen Patentschrift 10 04518 ist ein Stromkreis für eine Speicherröhre bekannt, mit Hilfe dessen eine Ausdehnung der Sichtzeit durch pulsierende Zuführung von Flutelektronen erreicht werden soll. Diese Maßnahme wird ergriffen, um die sichtzeitverkürzende Einwirkung von Elektronen auf restliche Gasmoleküle im Röhreninnern zu verringern. Demgegenüber soll mit der Erfindung das Verhalten der Ladung einer Targetschicht innerhalb der Röhre beeinflußt werden und im Endeffekt die Dunkelspeicherzeit und nicht die Sichtzeit verlängert werden.From British patent specification 10 04518 is a Circuit known for a storage tube, with the help of which an extension of the viewing time by pulsating Supply of flood electrons is to be achieved. This measure is taken to reduce the viewing time To reduce the effect of electrons on remaining gas molecules inside the tube. In contrast With the invention, the behavior of the charge of a target layer within the tube is intended are influenced and in the end the dark storage time and not the viewing time are extended.

In der deutschen Offcnlcgungsschrift 20 07 731 ist ne Elektronenstrahlröhre mit einer zweiten Elektro^el nkanone zum Erzeugen von Flutelektronen beschrieben bei der zum Zwecke des Nachleuchtens Flutelekonen mit wechselnder Intensität auf den Leuchtschirm strahlt _werden. Während der Nachleuchtzeit wird die fntensität der Flutelektronen zwar geändert, licht jedoch vollkommen abgeschaltet.
In der US-Patentschrift 33 25 673 ist eine ladungsinterierende, bistabile Speicherröhre besch;ieben, die ein besonderes System für die Erzeugung von Fluteiektroenthält. Beim Beuieb werden die Flutelektronen "ährend des »Schreibens« des Ladungsbildes abge-•haltet Diese Maßnahme soll bezwecken, die effektive, ^SL't der Elektronenstrahlröhre erzielbare Schreibgeschwindigkeit zu erhöhen, um auch Hochgeschwindigkeitsvorgänge speichern zu können.In the German Offcnlcgungsschrift 20 07 731 ne cathode ray tube with a second electric ^el is nkanone for generating electron flood described in the purpose of the afterglow Flutelekonen with varying intensity radiated onto the fluorescent screen _who the. During the afterglow period, the intensity of the flood electrons is changed, but the light is completely switched off.
US Pat. No. 3,325,673 describes a charge-intermitting, bistable storage tube which contains a special system for generating flute electricity. When Beuieb the flood electrons "are uring the" letter "of the charge image off • keep This measure is intended, the effective, ^SL 't to increase recoverable writing speed of the CRT to be able to store and high-speed operations.

Der Erfindung lag demgegenüber üie Aufgabe zugrunde, die Dunkelspeicherzeit der eingangs näher bezeichneten Bildspeicherröhre zu verlängern. Dies wird gemäß der Erfindung erreicht durch eine derart ntermittierende Zuführung von Flutelektronen während der Dunkelspeicherzcit zur Speichersehiehl, daß das Sekundäremissionsverhältnis der nicht vom aufzeichnenden Elektronenstrahl getroffenen Targets der Schicht unterhalb des instabilen Punktes auf der Sekundäremissionsverhältniskurve bleibt.In contrast, the invention was based on the object of defining the dark storage time in greater detail designated image storage tube to extend. This is achieved according to the invention by such a Intermittent supply of flood electrons during the dark storage period to the storage means that the secondary emission ratio of the targets not hit by the recording electron beam Layer remains below the unstable point on the secondary emission ratio curve.

Auf diese Weise wird erreicht, daß die von den nicht getroffenen Targets auf eine Trägerelektrode der Speicherschicht abgewanderten Elektronen ersetzt werden, so daß sich diese Targets nicht aufladen können. Der Zufluß der Elektronen bleibt jedoch unterhalb eines Weru:s, der ein Leuchten der vom aufzeichnenden Strahl beaufschlagten Targets hervorrufen könnte. Die Dunkelspeicher ieit bleibt damit praktisch unbegrenzt.In this way it is achieved that the targets not hit on a carrier electrode of the Electrons migrated from the storage layer are replaced, so that these targets cannot be charged. The inflow of electrons, however, remains below a Weru: s, the glow of the recording Target exposed to the beam. The dark memory thus remains practically unlimited.

Zweckmäßig wird die intermittierende Zuführung von Elektronen zur Speicherschicht mittels Tastung der Flutelektronen vorgenommen. Dazu ist eine Anode oder eine andere zur Sperrung geeignete Elektrode des Flutelektronensystems an den Ausgang einer von einem astabilen Multivibrator angesteuerten Austaststufe angeschlossen.The intermittent supply of electrons to the storage layer by means of keying of the is expedient Flood electrons made. For this purpose, an anode or another electrode suitable for blocking is required Flood electron system to the output of a blanking stage controlled by an astable multivibrator connected.

Dem Multivibrator ist zweckmäßig ein von einem Aufhellimpuls gesteuerten Flip-Flop bzw. einem Handschalter ansteuerbarer Sperrtransistor vorgeschaltet.The multivibrator is expediently a flip-flop controlled by a light pulse or a manual switch controllable blocking transistor connected upstream.

Bei einer anderen Schaltungsanordnung zur Ausübung des Verfahrens sind Mittel zum intermittierenden Anschluß einer Trägerelektrode der Speicherschicht an ein negatives Potential vorgesehen. Diese Mittel bestehen zweckmäßig ebenfalls aus einer von einem Multivibrator gesteuerten Schaltstufe.Another circuit arrangement for performing the method includes means for intermittent Connection of a carrier electrode of the storage layer to a negative potential is provided. This means expediently also consist of a switching stage controlled by a multivibrator.

Das Betriebsverfahren nach der Erfindung kann auch bei einer sogenannten Transferspeicherröhre angewendet werden, die in sich eine monosubile mit einer bistabilen Speichereinrichtung vereinigt.The operating method according to the invention can also be applied to a so-called transfer storage tube which combines a monosubile with a bistable memory device.

Die Erfindung wird anhand einer Zeichnung mit zwei Figuren erläutert.The invention is explained with reference to a drawing with two figures.

Die Fig. 1 ist eine diagrammatische Darstellung des Sekundäremissionsverhältnisses;Fig. 1 is a diagrammatic representation of the Secondary emission ratio;

in F i g. 2 ist eine Schaltungsanordnung zur Ausübung des Betriebsverfahrens dargestellt.in Fig. 2 shows a circuit arrangement for carrying out the operating method.

Auf der Abszisse der F i g. 1 ist das Targetpotential P_T gegenüber einem Grundpctential, in der Ordinatenrichtung ist das Sekundäremissionsverhältnis ό aufgetragen. Eine gestrichelte waagerechte Linie gibt das Sekundäremissionsverhältnis ό= 1 wieder. Unterhalb dieser Linie ist das Sekundäremissionsverhältnis kleiner als 1, oberhalb der Linie größer. Ein Verhältnis <5< 1 hat eine Verschiebung des Potentials des Targets infolge Elektronenüberschusses nach negativen Werten zufolge. Ein Verhältnis ό > 1 hat die umgekehrte Auswirkung. Die eingezeichnete Kurve schneidet die gestrichelte Waagerechte in drei Punkten. Der Punkt, der einem niederen Potential entspricht, ist mit Λ bezeichnet, der zweite Schnittpunkt mit / und der dritte Schnittpunkt mit Sp. A und Sp stellen stabile Punkte dar, d. h., daß eine Zuführung niederenergetischer Elektronen an Targets, die sich auf einem Potential links vom Punkt /befinden, den Zustand dieser Targets auf den Punkt A anhebt. Elektronen, die Targets eines Zustandes rechts vom Punkt / treffen, treiben diese Targets in einen Zustand, der dem Punkt Sp entspricht. Diese Verhältnisse sind durch Pfeile längs der Kurve ό veranschaulicht. Elektronen mit der kinetischen Energie des aufzeichnenden Elektronenstrahls können Targets vom Ausgangszustand ,4 über den instabilen Punkt / hinweg in den Zustand des Punktes Sp treiben. Ein Abfluß von Elektronen aus Targets, die den Ausgangszustand des Punktes A aufweisen, können diese Targets in ihrem Zustand so verändern, daß sie auch in einen Zustand, der auf der Kurve δ rechts vom Punkt / liegt, geraten. Dann sind niederenergetische Flutelektronen imstande, auch ; vom aufzeichnenden Elektronenstrahl »nichtbelichtete« Targets zum Leuchten zu bringen.Dieser Fall würde bei einer längeren Dunkelspeicherung eintreten. Er wird durch die Erfindung umgangen.On the abscissa of FIG. 1 is the target potential P _T compared to a basic potential, the secondary emission ratio ό is plotted in the ordinate direction. A dashed horizontal line shows the secondary emission ratio ό = 1. Below this line the secondary emission ratio is less than 1, above the line it is greater. A ratio <5 <1 results in a shift in the potential of the target due to an excess of electrons to negative values. A ratio ό> 1 has the opposite effect. The curve drawn intersects the dashed horizontal in three points. The point that corresponds to a lower potential is denoted by Λ, the second intersection with / and the third intersection with Sp. A and Sp represent stable points, that is, a supply of low-energy electrons to targets that are left at a potential from point /, raises the state of these targets to point A. Electrons that hit targets in a state to the right of point / drive these targets into a state that corresponds to point Sp. These relationships are illustrated by arrows along the curve ό. Electrons with the kinetic energy of the recording electron beam can drive targets from the initial state, 4 over the unstable point / into the state of point Sp. An outflow of electrons from targets which have the initial state of point A can change the state of these targets in such a way that they also get into a state which lies on the curve δ to the right of point /. Then low-energy tide electrons are able, too; to make "unexposed" targets glow by the recording electron beam. This would occur with longer storage in the dark. It is circumvented by the invention.

Im Schaltbild der Fig. 2 ist links unten ein aus zwei 3 NAND-Gattern Nl und /V2 bestehendes Flip-Flop dargestellt. Ein Eingang des NAND-Gatters Nl kann über einen Schalter S3 mit Massepotential belegt werden. Ein zweiler Eingang des NAND-Gatters Nl kann über einen Schalter S 2 und einen Schalter Sl 5 ebenfalls an Massepotential angeschlossen werden. In einer zweiten Stellung des Schalters Sl ist ein zweiter Eingang des NAND-Gatters N2 mit Massepotential verbunden. In der für Flip-Flop-Schaltungen üblichen Weise ist der Ausgang des NAND-Gatters Nl mit ρ einem ersten Eingang des NAND-Gatters N2 und der Ausgang dieses Gatters mit einem dritten Eingang des NAND-Gatters N1 verbunden. Ein dritter Eingang des NAND-Gatters N2 steht über einen Kondensator mit einem Eingang in Verbindung, der mit einem Aufhellimpuls des Oszillographen belegbar ist.In the circuit diagram of FIG. 2, one of two is at the bottom left 3 NAND gates Nl and / V2 existing flip-flop shown. An input of the NAND gate Nl can be assigned to ground potential via a switch S3. A two-way input of the NAND gate Nl can also be connected to ground potential via a switch S 2 and a switch Sl 5. In a second position of the switch Sl is a second input of the NAND gate N2 with ground potential connected. In the usual way for flip-flop circuits, the output of the NAND gate is Nl with ρ a first input of the NAND gate N2 and the The output of this gate is connected to a third input of the NAND gate N1. A third entrance to the NAND gate N2 is connected via a capacitor to an input which is connected to a lighting pulse of the oscilloscope is verifiable.

Eine weitere Einheit der Schaltungsanordnung bilden drei Transistoren 72, 73 und 74. In der dargestellten Zusammenschaltung bilden diese drei Transistoren einen astabilen Multivibrator. Am Ausgang des NAND-Gatters N1 liegt über eine Diode D1 und über einen Widerstand Kl die Basis eines Transistors Der Kollektor dieses Transistors ist mit der Basiselektrode des Transistors 72 verbunden. Der Transistor dient als Sperrtransistor für den aus den Transistoren 72, 73 und 74 bestehenden Multivibrator. Außer vom Ausgang des Flip-Flops kann der Sperrtransistor auch von einem Schalter S 4 über seine Basis gesteuert werden. Vom Ausgang des astabilen Multivibrators, der jm Kollektor des Transistors 74 liegt, wird über einen aus drei Widerständen R 2, R 3 und /?4 bestehenden Spannungsteiler die Basiselektrode eines Transistors 75 angesteuert. Dieser Transistor stellt eine Austaststufe dar. Sein Kollektor ist mit den Anoden der Flutelektronensysteme einer bistabilen Schirmspeicherröhre Rö verbunden.Another unit of the circuit arrangement is formed by three transistors 72, 73 and 74. In the interconnection shown, these three transistors form an astable multivibrator. The base of a transistor is connected to the output of the NAND gate N1 via a diode D 1 and a resistor Kl. The collector of this transistor is connected to the base electrode of the transistor 72. The transistor serves as a blocking transistor for the multivibrator consisting of transistors 72, 73 and 74. In addition to the output of the flip-flop, the blocking transistor can also be controlled by a switch S 4 via its base. The base electrode of a transistor 75 is driven from the output of the astable multivibrator, which is located in the collector of the transistor 74, via a voltage divider consisting of three resistors R 2, R 3 and /? 4. This transistor represents a blanking stage. Its collector is connected to the anodes of the flood electron systems of a bistable screen storage tube Rö .

Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung wird im folgenden beschrieben. Die Schalter Sl, S3 und S4 sind jeweils mit der Einfachheit halber nicht dargestell-The mode of operation of the circuit arrangement is described below. The switches Sl, S3 and S4 are not shown for the sake of simplicity

ten Betriebsartenschaltcrn »Schreiben«, »Löschen« und »Betrachten« gekoppelt. Mit Hilfe des Schalters 52 kann die automalische Austastung vorbereitet werden. Bei der in F i g. 2 dargestellten Stellung der Schalter ist die Austastung des Flutelektroncnstromes abgeschaltet, Über die Schalter 51 und 52 liegt der betreffende Eingang des Gatters /Vl an OV. Am Ausgang des Gatters steht also eine positive Spannung, die über die Diode D 1 und den Widerstand R 1 den Transistor Ti in den leitenden Zustand überführt. Damit geht die Kollektorspannung des Transistors 7Ί nach OV. Dies führt zur Blockierung des aus den Transistoren T2, T3 und 7" 4 bestehenden Multivibrators. Die Transistoren 7~3 und T4 befinden sich dabei im leitenden Zustand, ihre gemeinsame Kollcktorspannung liegt bei 0 V. Deshalb ist die Basis des Transistors T5 negativ gegenüber seinem Emitter. Der Transistor ist so durchgeschaltet. An seinem Kollektor steht also die an seinem Emitter anliegende Spannung von +75V, die der Anode des Fluteleklronensystcms zugeführt wird.The »Write«, »Erase« and »View« mode switches are linked. The automatic blanking can be prepared with the aid of the switch 52. In the case of the in FIG. 2, the gating of the flood electron current is switched off. The relevant input of the gate / V1 is connected to OV via switches 51 and 52. At the output of the gate there is therefore a positive voltage which converts the transistor Ti into the conductive state via the diode D 1 and the resistor R 1. So that the collector voltage of the transistor 7Ί goes to OV. This leads to the blocking of the multivibrator consisting of the transistors T2, T3 and 7 "4. The transistors 7-3 and T4 are in the conductive state, their common collector voltage is 0 V. Therefore, the base of the transistor T5 is negative compared to its Emitter: The transistor is switched through, so its collector has the + 75V voltage applied to its emitter, which is fed to the anode of the flood electronic system.

Eingeschaltet wird die intermittierende Austastung der Fluteleklronen durch den Schalter 51. Wird dieser von einer Stellung a auf eine Stellung b gelegt, so liegt ein Eingang des NAND-Gattcrs /V 2 auf 0 V, damit wird der Ausgang des Gatters N 1 ebenfalls zu Null. Der Transistor T\ ist dadurch gesperrt, und der Multivibrator aus den Transistoren Tl bis T 4 wird freigegeben. Die vom Multivibrator erzeugten Impulse gelangen an den Transistor 7"5 der Austaststufe, der abwechselnd gesperrt und durchgeschaltet wird. Die Spannungsändcrung am Kollektor des Transistors 7"5 erfolgt zwischen + 75V und —175 V. Bei dem negativen Wert ist der Fluleleklroncnstrom ausgeschaltet, beim positiven Wert ist er eingeschaltet. Die Ausschalt/cit betragt jeweils etwa 0.3 see, die Einschalt/.cil jeweils etwa i msec. Zur Sichtbarmachung des gespeicherten Vor-The intermittent blanking of the flood telecons is switched on by the switch 51. If this is switched from a position a to a position b , one input of the NAND gate / V 2 is at 0 V, so that the output of the gate N 1 also becomes zero . The transistor T \ is blocked, and the multivibrator from the transistors Tl to T 4 is released. The pulses generated by the multivibrator reach transistor 7 "5 of the blanking stage, which is alternately blocked and switched through positive value it is switched on. The OFF / cit amounts each lake about 0.3, / msec .cil the turn each about i. To make the stored pre-

s ganges wird die Austastung durch Zurückschalten des Schalters S 1 von seiner Stellung b nach der Stellung ,·/ aufgehoben.In the beginning, the blanking is canceled by switching back the switch S 1 from its position b to the position, · /.

Die automatische Auslösung der Flutelcktroncnaustastung wird durch Umschalten des Sehalters 52 vonThe automatic triggering of the Flutelcktroncnaustastung is by switching the switch 52 from

ίο einer Stellung c nach einer Stellung d vorbereitet. Dabei bleibt der Schalter 5 1 in der Stellung <·(. Die Austastung wird dann erst durch die Rückflanke eines Aufhcllimpulses ausgelöst, der an den dafür vorgesehenen drillen Eingang des NAND-Gattcrs /V2 gelangt. Die K^kflan-ίο prepared from a position c after a position d . The switch 5 1 remains in the position <· (. The blanking is then only triggered by the trailing edge of a Aufhcllimpulses, which arrives at the intended three input of the NAND gate / V2.

ij ke setzt dabei das aus den Gattern /Vl und /V2 gebildete Flip-Flop so. daß am Ausgang des Gatters N 1 OV liegen. Das führt zur Freigabe des Multivibrators und damit zum Start der Austastung der Flutelektronen. Zur Sichtbarmachung des gespeicherten Signals wirdij ke sets the flip-flop formed from gates / Vl and / V2 like this. that at the output of the gate N are 1 OV. This leads to the release of the multivibrator and thus to the start of the blanking of the flood electrons. To make the stored signal visible,

»ο der Schalter 54 von einer Stellung c auf eine Stellung / gebracht. Damit wird der Transistor Ti leitend. Dies führt zur Blockierung des Multivibrators und damit zum Aussetzen der Austastung. Mit dem Zurückschalten des Schalters 54 kann die Austastung erneut gestartet werden, weil die Lage des Flip-Flops durch die Betätigung des Schalters 54 nicht beeinflußt wurde. Eine Rücksetzung des Flip-Flops und damit eine bleibende Aufhebung der Austastung ist mit Hilfe der mit einer nicht dargestellten Drucktaste »Löschen«»Ο the switch 54 moved from a position c to a position /. This makes the transistor Ti conductive. This leads to the multivibrator being blocked and blanking to be suspended. When the switch 54 is switched back, the blanking can be started again because the position of the flip-flop was not influenced by the actuation of the switch 54. A reset of the flip-flop and thus a permanent cancellation of the blanking is possible with the help of a pushbutton (not shown) »Delete«

}o gekoppelten Taste 53 oder durch Zurückschalten des Schalters 52 auf seine Stellung ermöglich.} o linked key 53 or by switching back the Switch 52 to its position enables.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

I. Operating procedure for an electron beam oscillograph with a screen storage tube with .s intermittent supply of in an additional System generated flood electrons to a storage layer for which a secondary emission ratio curve has an unstable point between a lower and an upper stable point, / ur extension of the storage time, characterized by such an intermittent Supply of flood electrons to the storage layer during the dark storage time, thereby reducing the secondary emission ratio the targets of the layer not hit by the recording electron beam below the unstable point on the secondary emission ratio curve remains.

2. Circuit arrangement for carrying out the method according to claim 1, characterized in that an anode or another electrode of the flood electron system suitable for blocking is connected to the output of a blanking stage (TS) controlled by an astable multivibrator (T2, 73, Γ 4) and that the multivibrator (T2, Γ3, Γ4) is preceded by a flip-flop (N I, Λ / 2) controlled by a light pulse or by a manual switch (S4) controllable blocking transistor (Ti) .

3. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the Storage layer a negative potential via one controlled by an astable multivibrator Switching transistor can be connected.

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