DE2509981A1 - GAIN CONTROL CIRCUIT IN A HIGH FREQUENCY CIRCUIT - Google Patents

GAIN CONTROL CIRCUIT IN A HIGH FREQUENCY CIRCUIT

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DE2509981A1
DE2509981A1 DE19752509981 DE2509981A DE2509981A1 DE 2509981 A1 DE2509981 A1 DE 2509981A1 DE 19752509981 DE19752509981 DE 19752509981 DE 2509981 A DE2509981 A DE 2509981A DE 2509981 A1 DE2509981 A1 DE 2509981A1
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DE19752509981
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Armando Campioni
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Indesit Industria Elettrodomestici Italiana SpA
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Indesit Industria Elettrodomestici Italiana SpA
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00Details of colour television systems
    • H04N9/64Circuits for processing colour signals
    • H04N9/68Circuits for processing colour signals for controlling the amplitude of colour signals, e.g. automatic chroma control circuits

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Description

Beschreibung zum PatentgesuchDescription of the patent application

der Firma Indesit Industria Elettrodomestici S.p.A., Rivaita (Torino/Italien), Strada Piossasco Km 17the company Indesit Industria Elettrodomestici S.p.A., Rivaita (Torino / Italy), Strada Piossasco Km 17

betreffend:concerning:

" Verstärkungssteuerschaltkreis in einer Hochfrequenzschaltung ""Gain Control Circuit in a High Frequency Circuit"

Die Erfindung bezieht sich auf einen VerstärkungsSteuer Schaltkreis in einer Hochfrequenzschaltung, die eine Übertragungsstufe für Hochfrequenzsignale enthält. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen Schaltkreis für die Steuerung der Verstärkung eines Farbunterträgerfrequenzsignals in einem Fernsehempfänger. Diese Verstärkungssteuerung kann «forderlich sein, um beispielsweise von Hand die Farbsättigung zu verändern oder im Falle einer automatischen Verstärkungsregelung, den Ausgangsfarbsignalpegel unabhängig von Änderungen der Eingangssignalamplitude zu halten, die auf Ausbreitungsänderungen oder Drift in den Kennwerten bestimmter Empfängerelemente beruhen. Zahlreiche Verstärkungssteuerschaltkreise sind bekannt; im Falle von HochfrequenzSignalen, beispielsweise von FarbunterträgerfrequenzSignalen in einem Farbfernsehempfänger, ist es üblich, Verstärker mit gedämpften Resonanz schaltkreisen zu verwenden. In diesem Falle werden beiThe invention relates to a gain control Circuit in a high frequency circuit that has a transmission stage for high frequency signals. In particular, the invention relates to a circuit for the Control of the gain of a color subcarrier frequency signal in a television receiver. This gain control can be necessary, for example to manually adjust the color saturation or, in the case of automatic gain control, the output color signal level independently of To keep changes in the input signal amplitude due to changes in propagation or drift in the characteristic values of certain Receiver elements are based. Numerous gain control circuits are known; in the case of high frequency signals, for example of color subcarrier frequency signals in a color television receiver, it is common to use amplifiers with damped resonance circuits. In this case, at

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bekannten Verstärkungssteuerschaltkreisen erhebliche Phasendrehungen in das verarbeitete Signal eingeführt. Diese bekannten Schaltkreise beruhen beispielsweise auf der Veränderung des Arbeitspunktes eines in Emitterbasisschaltung betriebenen TRansistors, um so seinen Basisstrom zu steuern und damit seinen Kollektorstrom derart, daß dieser vergrössert wird (direkte Vorwärtsregelung) oder zu reduzieren (Rückwärtsregelung) relativ zu dem Wert der maximaler Verstärkung entspricht. Bei Änderung des Arbeitspunktes jedoch ändern sich erheblich die Transkonduktanz und der Eingangswiderstand des Transistors und Phasendrehungen sind unvermeidlich. In einem typischen Schaltkreis kann die Drehung sogar 18o betragen.known gain control circuits introduced significant phase rotations into the processed signal. These known circuits are based, for example, on changing the operating point of an emitter-base circuit operated TRansistor in order to control its base current and thus its collector current in such a way that it is increased (direct forward control) or relatively reduced (reverse control) corresponds to the value of the maximum gain. However, when the operating point is changed, this changes considerably the transconductance and input resistance of the transistor and phase rotations are inevitable. In on a typical circuit, the rotation can be as much as 18o.

Es ist auch bekannt, einen Transistor in Kollektorbasisschaltung für den Verstärkungssteuerschaltkreis zu verwenden und dessen Arbeitspunkt,d.h. den Emitterstrom, zu ändern. Abgesehen von der Tatsache, daß man mit einem Schaltkreis dieses Typs keine Spannungsverstärkung erzielen kann, ändeit sich die Eingangsimpedanz erheblich in Funktion der Verstärkung. Demgemäß ist eine Phasendrehung unvermeidlich. It is also known to use a common collector transistor for the gain control circuit and its working point, i.e. the emitter current, to change. Apart from the fact that you are with one Circuit of this type cannot achieve a voltage gain, the input impedance changes considerably in function of reinforcement. Accordingly, phase rotation is inevitable.

Ein anderer bekannter Schaltkreis iäb in einer Veröffentlichung von R.C. Thieling und A.V. Korolenko in den I.E.E.E. Transactions beschrieben, wobei man von dem sog. Ebers-Moll Effekt Gebrauch macht. Dieser Schaltkreis, der gemäß den Ausführrungen in der genannten Veröffentlichung ausgesprochen für die automatische Verstärkungsregelung von Farbunterträgerfrequenzsignalen in einem Fernsehempfänger entwickelt wurde, verwendet einen Verstärkungstransistor in Emitterbasisschaltung mit einem negativen Rückkopplungswiderstand über den Emitter. Dieser Widerstand liegt parallel zu der Kollektoremitterstrecke eines zweiten Transistors, der an dem Emitter des ersten überAnother known circuit is in a publication by R.C. Thieling and A.V. Korolenko in the I.E.E.E. Transactions described using the so-called Ebers-Moll effect. This circuit, according to the explanations in the cited publication pronounced for the automatic gain control of color subcarrier frequency signals was developed in a television receiver, uses an amplifying transistor in emitter-base circuit with a negative feedback resistor across the emitter. This resistance is parallel to the collector-emitter path a second transistor connected to the emitter of the first via

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einen Kondensator angekoppelt ist. Durch Verändern des Basisstromes des zweiten Transistors erzielt man eine Impedanzänderung und demgemäß eine Verstärkungsänderung des ersten Transistors. Selbst in diesem Falle jedoch ergibt sich eine gewisse Phasenverschiebung, weil die Eingangsimpedanz des ersten Transistors beeinflusst wird von den Impedanzänderungen über dem Emitter. In der erwähnten Veröffentlichung wird das Problem der Phasendrehung nicht erörtert; es heisst dort wörtlich:a capacitor is coupled. By changing the base current of the second transistor one achieves one Change in impedance and accordingly a change in gain of the first transistor. Even in this case, however there is a certain phase shift because it affects the input impedance of the first transistor is affected by the impedance changes across the emitter. In the mentioned publication the problem of phase rotation is not discussed; it literally means:

11 In einigen früheren Versuchen für die Entwicklung einer gleichspannungsgesteuerten Verstärkung wurde ein Feldeffekttransistor verwendet. Dies war eineagemessene Auswahl/ da die Verwendung eines FET als variabler Widerstand ein bekannter Anwendungsfall ist. Diese Schaltung war im übrigen ähnlich der später Verwendeten. Sie arbeitete, doch war die Linearität schlecht und die SignalVerarbeitungskapazität war unbefriedigend. " 11 In some previous attempts to develop DC voltage controlled amplification, a field effect transistor was used. This was an a measured choice / since using an FET as a variable resistor is a well known use case. This circuit was otherwise similar to the one used later. It worked, but the linearity was poor and the signal processing capacity was unsatisfactory. "

Die Phasendrehung ist jedoch in einem Farbfernsehempfänger unerwünscht.·In zwei der Systeme, die für die übertragung von Farbfernsehsignalen verwendet werden, hängt die Farbsättigung merkbar ab von der Phase des Unterträgers ( NTSC und PAL System ).However, the phase shift is undesirable in a color television receiver. · In two of the systems that are used for transmission are used by color television signals, the color saturation depends noticeably on the phase of the subcarrier (NTSC and PAL system).

Normalerweise versucht man den nachteiligen Einfluß auf das Bild infolge Phasendrehung, hervorgerufen durch Verstärkungssteuerung, durch die folgenden Massnahmen zu vermeiden:Usually one tries the adverse influence on the image due to phase shift caused by gain control by the following measures avoid:

indem man die automatische Verstärkungsregelung auf das Chrominanzsignal einwirken lässt, das noch immer sowohl das Bezugssignal wie auch die Farbsignale enthält; dies ist ein Versuch, die relative Phasenverschiebung zwischen dem ersteren Signal und den letzteren Signalenby letting the automatic gain control act on the chrominance signal that is still both contains the reference signal as well as the color signals; this is an attempt at the relative phase shift between the former signal and the latter signals

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zu eliminieren, doch ist es offensichtlich, daß ein gewisser Differenzfehler unvermeidlich bleibt;to be eliminated, but it is evident that some difference error remains inevitable;

durch Vorsehen einer manuellen Sättigungssteuerung, die direkt das Signal dämpft ( mechanische Widerstandsdämpfungsglieder ); dies hat den Nachteil, daß die Farbsignale innerhalb des Gerätes einen langen Weg zurücklegen müssenund die kombinierte Sättigungsund Kontraststeuerung wird kompliziert und teuer;by providing manual saturation control, which attenuates the signal directly (mechanical resistance attenuators); this has the disadvantage that the color signals have to travel a long way within the device and the combined saturation and Contrast control becomes complicated and expensive;

durch Verwendung der Phasenfehlerkompensationseigenschaften bei einer PAL Schaltung, die eine Verzögerungsleitung aufweist; in diesem Falle jedoch ergibt sich neben den erheblich höheren Kosten für den Empfänger der Nachteil eines verbleibenden Sättigungsfehlers (Differenzverstärkungsgradfehler).by using the phase error compensation properties a PAL circuit having a delay line; in this case, however, it results in addition to the considerably higher costs for the recipient, the disadvantage of a remaining saturation error (Differential gain error).

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Schaltkreis zu schaffen, mit dem die Nachteile der bekannten Schaltkreise vermieden werden, um so eine Verstärkungsgradeinstellung zu erzielen, insbesondere für Farbunterträgerfrequenzsignale in Farbfernsehempfangsgeräten, welcher Schaltkreis einfach sein soll und insbesondere keine merkbare Phasendrehung einführen soll.The object of the present invention is to create a circuit with which the disadvantages of the known circuits be avoided in order to achieve a gain adjustment, especially for color subcarrier frequency signals in color television receivers, which circuit should be simple and in particular no noticeable phase shift should introduce.

Diese Aufgabe wird bei einem Verstärkungssteüerschaltkreis in einer Hochfrequenzschaltung mit einer übertragungsstufe für die Hochfrequenzsignale mit mindestens einem ersten Halbleiterelement mit mehr als zwei Elektroden, von denen mindestens eine eine Signaleingangselektrode ist, eine eine Signalausgangselektrode ist und eine eine gemeinsame Eingang und Ausgang zugeordnete Elektrode ist und mit mindestens einem zweiten Element, das sich im wesentlichen wie einThis task is performed in a gain control circuit in a high frequency circuit with a transmission stage for the high-frequency signals with at least one first semiconductor element with more than two electrodes, of which at least one is a signal input electrode, one is a signal output electrode, and one is a common input and output is associated electrode and having at least one second element which is substantially like a

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variabler Widerstand verhält gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß mindestens ein erster Widerstand und das zweite Element in Reihe zwischen die gemeinsame Elektrode des ersten Halbleiterelementes und ein Bezugspotential geschaltet ist, und daß die Verstärkung des ersten Halbleiterelementes gesteuert wird durch erhebliche Änderung des Äquivalenzwiderstandes des zweiten Elementes ohne wesentliche Verschiebung des Arbeitspunktes des ersten Elementes, um so sicherzustellen, daß die Verstärkungsänderung rieht von einer merkbaren Phasendrehung der Signale begleitet ist.variable resistance behaves according to the invention in that at least a first resistor and the second element connected in series between the common electrode of the first semiconductor element and a reference potential is, and that the gain of the first semiconductor element is controlled by significantly changing the Equivalence resistance of the second element without any significant shift in the working point of the first element, so as to ensure that the gain change is accompanied by a noticeable phase shift in the signals.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend un_- ter Bezugnahme auf die beigefügte Zeümung näher erläutert, die den Stromlaufplan eines ChrominanzsignalVerstärkers für Farbunterträgerfrequenzen mit automatischer Verstärkungsregelung für einen Farbfernsehempfänger darstellt, bei dem die Prinzipien der vorliegenden Erfindung verwirklicht sind.An exemplary embodiment of the invention is explained in more detail below with reference to the attached documentation, showing the circuit diagram of a chrominance signal amplifier for color subcarrier frequencies with automatic gain control for a color television receiver embodying the principles of the present invention.

Mit 1 ist ein vollständiges Chrominanzsignal mit Unterträgerfrequenz symbolisiert, das die Farbsignale und das,Bezugssignal ( Burst ) enthält; es wird angenommen, daß dieses Signal in bekannter Weise aus zusammengesetzten Videosignalen abgeleitet ist, das seinerseits aus dem empfangenen Fernsehsignal abgeleitet wurde. Das Bezugszeichen 2 symbolisiert eine Eingangsklemme eines Verstärkerschaltkreises mit automatischer Verstärkungsregelung, an den das Signal angelegt wird. Ein Kopplungskondensator 3 ist mit der Klemme 2 verbunden und liegt mit seinem anderen Ende an einem Kondensator 4, einem Widerstand 5 und einer Induktivität 6, deren andere Klemmen jeweils an Masse liegen und so einen gedämpften Parallelresonanzschaltkreis bilden, der auf die Unterträgerfrequenz abgestimmt ist. Das heisse Ende dieses gedämpften Parallelresonanzschaltkreises ist verbunden mit einer Klemme 7, an der mittels bekannter Schaltkreise ( nicht dargestellt) des Fernsehempfängers die Bezugssignale (Burst-Signale) abgegriffen werden. Ferner ist dieser Schaltungspunkt verbundenWith 1 is a complete chrominance signal with subcarrier frequency symbolizes that contains the color signals and the reference signal (burst); it is assumed that this signal is derived in a known manner from composite video signals, which in turn from the received television signal was derived. The reference number 2 symbolizes an input terminal of an amplifier circuit with automatic Gain control to which the signal is applied. A coupling capacitor 3 is connected to the terminal 2 and is located with its other end to a capacitor 4, a resistor 5 and an inductor 6, the other terminals of which, respectively are connected to ground and thus form a damped parallel resonance circuit that is tuned to the subcarrier frequency is. The hot end of this damped parallel resonance circuit is connected to a terminal 7, on which tapped the reference signals (burst signals) by means of known circuits (not shown) of the television receiver will. This node is also connected

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— ο —- ο -

mit einem Entkopplungswiderstand 8 in Reihe mit einem Kondensator 9, der zwar die Gleichstromkomponente abblockt, jedoch das Signal an den nachgeschalteten Verstärker ankoppelt und zwar an die Baäs eines NPN Transistors 22 in Emitterbasisschaltung, der das geregelte Verstärkungseiemet darstellt. Das Bezugszeichen Io symbolisiert ein Impulssignal mit Zeilenfrequenz, bei dem es sich einfach um den bekannten Zeilenrücklaufimpuls mit negativer Polarität handeln kann. Es liegt an der Klemme 11,die verbunden ist mit einem Kopplungskondensator 12 in Reihe mit· einem Widerstand 13, dessen anderes Ende an die Kathode einer Zenerdiode 14 angeschlossen ist, deren Anode an Masse liegt und deren Zenerspannung wesentlich kleiner ist als die Spitze-Spitze-Amplitude des Impulses Io ( mindestens um die Hälfte ) .with a decoupling resistor 8 in series with a capacitor 9, although the direct current component blocks, but couples the signal to the downstream amplifier, namely to the Baäs of an NPN transistor 22 in emitter-base circuit, which represents the regulated gain meter. The reference symbol Io symbolizes a pulse signal at line frequency, which is simply the familiar line retrace pulse with negative polarity can act. It is on the terminal 11, which is connected to a coupling capacitor 12 in series with a resistor 13, the other end of which is connected to the cathode of a Zener diode 14, whose The anode is connected to ground and its Zener voltage is much smaller than the peak-to-peak amplitude of the pulse Io (at least by half).

Die Kathode der Zenerdiode 14 ist verbunden mit einem Entkopplungswiderstand 15, dessen andere Klemme verbunden ist mit der Basis des Transistors 22» Mit Bezugszeichen 16 ist eine Stromversorgungsguelle markiert, an der eine positive Spannung + V dauernd anliegt, die wesentlich höher ist als die Zenerspannung der Diode 14. Diese Klemme 16 ist verbunden mit einem Ende eines Widerstandes 17, dessen anderes Ende an Masse liegt über einen Kondensator 18,mit dem zusammen er einen Entkopplungsfilter bildet,und dasselbe Ende des Widerstandesl7 ist ferner über einen Kondensator 19 parallel geschaltet zu einem Widerstand 2o und einer Induktivität 21 an den Kollektor des Transistors 22 angeschlossen. Kondensator 19, Widerstand 2o und Induktivität 21 bilden gemeinsam einen gedämpften Parallelresonanzkreis, der auf die Unterträgerfrequenz abgestimmt ist. Der Emitter des Transistors 22 ist verbunden mit einem Netzwerk, gebildet aus zwei Kondensatoren 23 und 24 und einem Widerstand 25 in Parallelschaltung. Das andere Ende dieses Netzwerks istThe cathode of the Zener diode 14 is connected to a decoupling resistor 15, the other terminal of which is connected to the base of the transistor 22 »with reference numeral 16 marks a power supply source to which a positive voltage + V is permanently applied, which is significantly higher than the Zener voltage of the diode 14. This terminal 16 is connected to one end of a resistor 17, the other End to ground is via a capacitor 18, with the together it forms a decoupling filter, and the same thing The end of the resistor 17 is also connected in parallel via a capacitor 19 to a resistor 2o and an inductance 21 connected to the collector of transistor 22. Capacitor 19, resistor 2o and inductance 21 together form a damped parallel resonance circuit that is tuned to the subcarrier frequency. The emitter The transistor 22 is connected to a network formed from two capacitors 23 and 24 and a resistor 25 in parallel connection. The other end of this network is

- 7- 7th

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verbunden mit einem Widerstand 26, der an die Drainelektrode eines Feldeffekttransistors vom N-Typ 27 angeschlossen ist, dermit seiner Source-Elektrode an Masse liegt und mit seiner Gate-Elektrode an einem Widerstand 28. Dieser Widerstand 28 ist verbunden mit dem Kollektor eines zweiten NPN-Transistors 29. Ein Widerstand 3o ist zwischen den Kollektor des Transistors 29 und Masse gelegt. connected to a resistor 26 which is connected to the drain electrode of an N-type field effect transistor 27 is grounded with its source electrode and connected to a resistor with its gate electrode 28. This resistor 28 is connected to the collector of a second NPN transistor 29. A resistor 3o is placed between the collector of transistor 29 and ground.

Der Emitter des Transistors 29 ist mit dem Verbindungspunkt eines Festwiderstandes 31 und eines variablen WiderstandesThe emitter of the transistor 29 is connected to the junction of a fixed resistor 31 and a variable resistor

32 verbunden, die als Spannungsteiler zwischen eine Klemme32 connected as a voltage divider between a terminal

33 und Masse gelegt sind. Eine dauernde negative Versorgungsspannung -V liegt an der Klemme 33. Ein Kondensator33 and ground are laid. A permanent negative supply voltage -V is connected to terminal 33. A capacitor

34 ist zwischen die Klemme 33 und die Basis des Transistors 29 gelegt; diese Basis ist ferner verbunden mit der Kathode einer Diode 35. Die Anoder der Diode 35 ist verbunden mit einem Widerstand 36, der mit seinem anderen Ende an der Klemme 33 liegt und mit einem Kondensator 37.34 is placed between terminal 33 and the base of transistor 29; this base is also connected to the cathode a diode 35. The Anoder of the diode 35 is connected to a resistor 36, the other end of which is connected to the Terminal 33 is connected to a capacitor 37.

Die Klemme 38 ist die Ausgangsklemme für das verstärkte Signal mit geregelter Verstärkung,und ein Kondensator 39 liegt zwischen dem Kdlektor des Transistors 22 und der Klemme 38. Ein Kondensator 4o und zwei Widerstände 41 und 42 liegen in Serie zwischen dem Kollektor des Transistors 22 und Masse. Der gemeinsame Punkt dieser beiden Widerstände ist vebunden mit der BasLs eines NPN Transistors 43. Ein Widerstand 44 liegt zwischen der Klemme 16 und der Basis des Transistors 43. Der Emitter des Transistors 43 liegt an Masse über einen Widerstand 45 in Reihe mit der Parallelschaltung eines Widerstandes 46 und eines Kondensators Der Kollektor des Transistors 43 ist verbunden mit diesem Kondensator 37 und ausserdem mit einem Ende eines dritten Parallelresonanzschaltkreises, der auf die Frequenz des Unterträgers abgestimmt ist und aus einem Kondensator 48, einemTerminal 38 is the output terminal for the amplified Gain controlled signal, and a capacitor 39 is between the Kdlektor of the transistor 22 and the terminal 38. A capacitor 4o and two resistors 41 and 42 are in series between the collector of transistor 22 and ground. The common point of these two resistances is connected to the BasLs of an NPN transistor 43. A resistor 44 is between the terminal 16 and the base of the Transistor 43. The emitter of transistor 43 is connected to ground via a resistor 45 in series with the parallel circuit a resistor 46 and a capacitor. The collector of the transistor 43 is connected to this Capacitor 37 and also with one end of a third parallel resonance circuit, which is tuned to the frequency of the subcarrier and consists of a capacitor 48, a

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Widerstand 49 und einer Induktivität 5o besteht. Das andere Ende dieses dritten Resonanzschaltkreises wird von der Klemme 16 gespeist über einen Entkopplungsfilter, bestehend aus einem Widerstand 51 in Reihe und einem Ableitkondensator 52> der mit Masse verbunden ist. Die Arbeitsweise dieses automatischen Verstärkungsregelschaltkreises ist die folgende:Resistor 49 and an inductance 5o. The other end of this third resonance circuit is from the Terminal 16 fed via a decoupling filter, consisting of a resistor 51 in series and a bypass capacitor 52> which is connected to ground. The way of working of this automatic gain control circuit is as follows:

Das vollständige Chrominanzsignal 1 gelangt an die Basis des Verstarkungstransistors 22 über den Kondensator 3 und den Widerstand 8 in Reihe mit dem Kondensator 9 und wird gefiltert durch den REsonanzschaltkreis, bestehend aus Kondensator 4, Widerstand 5 und Induktivität 6. Der Transistor 22 wird abwechselnd durchgeschaltet und blockiert durch die Impulse Io, die in Rechteckform gebracht werden und geklemmt werden durch die Zenerdiode 14. Genauer gesagt wird der Transistor 22 gesperrt während der Zeilenrücklaufzeit und wird durchgeschaltet während des verbleibenden Zeitabschnitts der Abtastperiode. Er arbeitet so, daß er die Bezugssignale (Burst) überträgt bzw. unterdrückt, während die Farbsignale (Informationssignale) durchgelassen werden. Das verstärkte Signal am Kollektor des TRansistors 22,gefiltert durch den Resonanzschaltkreis,bestehend aus Kondensator 19, Widerstand 2o und Induktivität 21, liegt an der Klemme 38 für die Speisung der Synchrondemodulatoren, liegt jedoch ausserdem an der Basis des TRansistors 43. Der Transistor 43 verstärkt das Chrominanzsignal weiter, das dann gefiltert wird durch den Schaltkreis, bestehend aus Kondensator 48, Widerstand 49 und Induktivität 5o, und das Signal liegt am Kollektor dieses Transistors 43. Von hier gelangt es über den Kondensator 37 an die Demodulationsdiode 35. Wenn die auf diese Weise gewonnene Gleichspannung, die eine Funktion der Amplitude des Chrominanzsignals ist, die Schwelle übersteigt, die fest gelegt ist durch den SpannungsteilerThe complete chrominance signal 1 arrives at the base of the Amplification transistor 22 through capacitor 3 and resistor 8 in series with capacitor 9 and is filtered through the resonance circuit, consisting of capacitor 4, resistor 5 and inductance 6. The transistor 22 is alternately switched through and blocked by the impulses Io, which are made into a rectangular shape and are clamped by the Zener diode 14. More precisely, the transistor 22 is blocked during the flyback time and is turned on for the remainder of the sampling period. It works so that it has the reference signals (Burst) transmits or suppresses while the color signals (information signals) are allowed through. The amplified signal at the collector of the transistor 22, filtered by the resonance circuit consisting of the capacitor 19, resistance 2o and inductance 21, is connected to terminal 38 for supplying the synchronous demodulators but also at the base of the transistor 43. The transistor 43 amplifies the chrominance signal further, which then is filtered by the circuit, consisting of capacitor 48, resistor 49 and inductance 5o, and the signal lies at the collector of this transistor 43. From here it reaches the demodulation diode 35 via the capacitor 37. When the DC voltage obtained in this way, which is a function of the amplitude of the chrominance signal, exceeds the threshold exceeds that is determined by the voltage divider

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aus den Widerständen 31 und 32, steuert sie die Leitfähigkeit des Transistors 29 und infolgedessen die Spannung über dem Kollektorwiderstand des Transistors 29. Diese Spannung wird eem Gatter des Feldeffekttransistors 27 zugeführt und ändert dessen Äquivalnzwiderstand. Da der Transistor 27 in der Emitterzuleitung des Transistors 22 liegt, verändert die Widerstandsänderung dieses Widerstandes den negativen Rückkopplungseffekt und damit die Verstärkung des Transistors 22. Gleichzeitig ändert sich der Emitterstrom des Transistors 22 ebenfalls um einen gewissen Betrag. Durch geeignete Auswahl der Werte der Widerstände 25 und 26 ist es jedoch möglich, daß diese Stromändcung innerhalb von Grenzen liegt, bei denen die Parameter des Transistors 22 nicht merkbar beeinflusst werden, insbesondere seine Eingangsimpedanz. Auf diese Weise wird eine unerwünschte Phasendrehung des verstärkten Farbsignals an der Klemme 38 vermieden. Der Emitterstrom des Transistors 22 ist diesbezüglich mit guter Nahrung gegeben durch die Gleichung:from the resistors 31 and 32, it controls the conductivity of the transistor 29 and consequently the voltage across the collector resistance of transistor 29. This voltage is eem gate of the field effect transistor 27 supplied and changes its equivalent resistance. There the transistor 27 is in the emitter lead of the transistor 22, changes the resistance change of this resistance the negative feedback effect and thus the gain of the transistor 22. At the same time changes the emitter current of transistor 22 also by a certain amount. By suitable selection of the values of the Resistors 25 and 26, however, it is possible that this Stromändcung is within limits at which the Parameters of the transistor 22 are not noticeably influenced, in particular its input impedance. To this In this way, an undesired phase shift of the amplified color signal at the terminal 38 is avoided. The emitter current of transistor 22 is given in this regard with good nutrition by the equation:

V-V
IE = Z VBE
VV
I E = Z V BE

R25+R26+R27R25 + R26 + R27

wobei V17 Spannung der Zenerdiode 14 ist, Vn- die Basisemitterdurchlaßspannung des Transistors 22, R25,R26 und R27 die Werte der Widerstände 25 und 26 und der Äquivalenzwiderstand des Transistors 27 sind. Die Emitterstromänderung ist gegeben durch die Gleichung:where V 17 is the voltage of the zener diode 14, V n - the base-emitter forward voltage of the transistor 22, R25, R26 and R27 are the values of the resistors 25 and 26 and the equivalent resistance of the transistor 27. The change in emitter current is given by the equation:

I„ = R25 + R26 + R27 max
R25 + R26 + R27 min
I "= R25 + R26 + R27 max
R25 + R26 + R27 min

worin R27 min der äquivalente Minimalwiderstand des Transistors ist und R27 max der äquivalente Maximalwiderstand desselben Transistors ist. Die Spannungsverstärkung des Transistors 22 ist gegeben bei hinreichend grosserwhere R27 min is the equivalent minimum resistance of the transistor and R27 max is the equivalent maximum resistance of the same transistor. The voltage gain of the Transistor 22 is given when it is sufficiently large

- Io -- Io -

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- Io -- Io -

Stromverstärkung ( h__) durch die angenäherte Gleichung:Current gain (h__) by the approximate equation:

t Eit egg

G = R2oG = R2o

R26 + R27R26 + R27

worin R2o der Äquivalen zwiderstand des ResonanzSchaltkreises in der Kollektorzuleitung ist, der etwa gleich ist dem Wert des Widerstandes 2o, wenn der Gütefaktor des Schaltkreises hinreichend hoch ist. Die Verstärkungsänderung ist infolgedessen gegeben durch die Gleichung: where R2o is the equivalent resistance of the resonance circuit in the collector lead, which is approximately equal to the value of the resistor 2o, if the quality factor of the circuit is sufficiently high. The gain change is therefore given by the equation:

r = R26 + R27 max
R26 + R27 min
r = R26 + R27 max
R26 + R27 min

Diese Gleichung kann in der Form geschrieben werden:This equation can be written in the form:

t??7 - R26 (G-I) + G
R27 - R27 min
t ?? 7 - R26 (GI) + G
R27 - R27 min

worin:wherein:

R27 maxR27 max

R27 =R27 =

R27 minR27 min

In ähnlicher Weise kann Gleichung 2 geschrieben werden, in der Form:Similarly, Equation 2 can be written, in the form:

- (825 + R26) ( 1E -1) + 1E R27 min- (825 + R26) ( 1 E -1) + 1 E R27 min

Durch Gleichsetzen von 5 und 7 erhält man die Gleichung: G (R26+R27 min) = I„ (R25+R26+R27 min) - R 25,By equating 5 and 7 one obtains the equation: G (R26 + R27 min) = I "(R25 + R26 + R27 min) - R 25,

£1£ 1

die die Verstärkungsänderung dear G und die Stromänderung I„ miteinander in Beziehung setzt.which is the change in gain dear G and the change in current I “relates to each other.

Man kann erkennen, daß es mit den beschriebenen Schaltkreisen innerhalb bestimmter Grenzen möglich ist, I„ klein zu machen gegenüber G. Wenn nämlich R25 groß ist relativ zu R26 +R27 min, kann man 8 schreiben:It can be seen that with the circuits described it is possible within certain limits, I "small to be made against G. If namely R25 is large relative to R26 + R27 min, one can write 8:

G = ( I- 1) R25 G = (I-1) R25

R26+R27 minR26 + R27 min

was bedeutet, daß wenn R25 groß ist relativ zu R26+R27 min, G groß ist relativ zu I„. Diese Möglichkeit R25 großwhich means that if R25 is large relative to R26 + R27 min, G is large relative to I ". This possibility R25 great

509837/0700509837/0700

- Ii -- Ii -

zu machen/ wird nur begrenzt durch die Spannung +V, die zur Verfügung steht, und die Kapazität des Transistors 22 einer hohen Spannung +V standzuhalten. Für eine Verstärkungsregelung von 34 dB jedoch entsprechend einem Verhältnis von 1 zu 5o erhält man mit R27in loo Ohm und R27 max = Io Kohm aus Gleichung 4:to make / is only limited by the voltage + V that is available and the capacity of transistor 22 to withstand a high voltage + V. For a gain control of 34 dB, however, corresponding to a ratio of 1 to 5o, with R27 in loo ohms and R27 max = Io Kohm from equation 4:

c _ R26 + loooo loooo c _ R26 + loooo loooo

bO "~ R26 + loo R 26 + loo bO "~ R26 + loo R 26 + loo

woraus man erhält:from which one obtains:

R26 = loo Ohm.R26 = loo ohms.

Durch Verwendung der gleichen Werte und durch Begrenzen der Stromänderung auf einen Wert von 2 erhält man aus Gleichung 9:By using the same values and limiting the change in current to a value of 2, one obtains from Equation 9:

R25 = 5ox2oo = Ιο,οοο Ohm.R25 = 5ox2oo = Ιο, οοο Ohm.

Falls ein Minimalstrom von 1 mA erforderlich ist, erhält man aus 1:If a minimum current of 1 mA is required, one obtains from 1:

V17 = l.lo"3 χ loooo + V^x, = lo.6 VoltV 17 = 1.lo " 3 χ loooo + V ^ x , = lo.6 volts

ΔΔ DiliDili

und mithin genügt eine Spannung +V in der Grössenordnung von 15-2o Volt, was absolut normal ist.and therefore a voltage + V in the order of magnitude of 15-2o volts is sufficient, which is absolutely normal.

Es ist offensichtlich, daß dann, wenn der Transistor .22 nicht gleichzeitig als Gatter arbeiten muß, es möglich ist, ihn mit einem im wesentlichen konstanten Basistrom zu speisen, um so sicherzustellen, daß der Emitterstrom vollständig unabhängig von der Verstärkung wird. In dem spezifischen Falle der beschriebenen Schaltung war es nicht erforderlich, ein so hohes Verstärkungsgradverhältnis zu erreichen und die verwendeten Werte, die hier nur als Beispiel angegeben werden, waren die folgenden:It is obvious that if transistor .22 does not have to work as a gate at the same time, it is possible to feed it with a substantially constant base current so as to ensure that the emitter current is complete becomes independent of the gain. In the specific case of the circuit described, it was not necessary to achieve such a high degree of reinforcement ratio and the values used, which are only given here as an example, were the following:

509837/0700 " 12 "509837/0700 " 12 "

33 Kondensatorcapacitor 27o pF27o pF 44th Kondensatorcapacitor 68o pF68o pF 55 Widerstandresistance 47o Ohm47o ohms 88th Widerstandresistance 1,8 Kohm1.8 Kohm 99 Kondensatorcapacitor 47o pF47o pF 12 =12 = Kondensatorcapacitor o.l ,uFo.l, uF 13 =13 = Widerstandresistance 3.3 Kohm3.3 Kohm 14 =14 = - Diode- diode ZW 3ZW 3 15 =15 = Widerstandresistance 1 Kohm1 Kohm 17 =17 = Widerstandresistance loo Ohmloo ohms 18 =18 = Kondensatorcapacitor loo ,uFloo, uF 19 =19 = Kondensatorcapacitor 68o pF68o pF 2ο =2ο = Widerstandresistance 33o Ohm33o ohms 22 =22 = Transistortransistor BF 196BF 196 23 =23 = Kondensatorcapacitor 22 nF22 nF 24 =24 = Kondensatorcapacitor 22 ,uF22, uF 25 =25 = Widerstandresistance 68o Ohm68o ohms 26 =26 = Widerstandresistance 12o Ohm12 ohms 27 =27 = Transistortransistor 2N 38222N 3822 28 =28 = Widerstandresistance 22o Kohm22o Kohm 29 =29 = Transistortransistor BC 148BC 148 3ο =3ο = Widerstandresistance 12 Kohm12 Kohm 31 =31 = Widerstandresistance 1 Kohm1 Kohm 32 =32 = PotentiometerPotentiometer loo Kohmloo Kohm 34 =34 = Kondensatorcapacitor 4,7 nF4.7 nF 35 =35 = Diodediode BA 129BA 129 36 =36 = Widerstandresistance 3.9 Kohm3.9 Kohm 41 =41 = Widerstandresistance 1 Kohm1 Kohm 42 =42 = Widerstandresistance 15 Kohm15 Kohm 43 =43 = Transistortransistor BF 197BF 197 44 =44 = Widerstandresistance 22 Kohm22 Kohm 45 =45 = Widerstandresistance Io OhmIo ohm 46 =46 = Widerstandresistance 47o Ohm47o ohms 47 =47 = Kondensatorcapacitor Io ,uFIo, uF 48 =48 = Kondensatorcapacitor 68o pF68o pF 49 =49 = Widerstandresistance 82o Ohm82o ohms 51 =51 = i&nieSSii-iri & nieSSii-ir loo Ohmloo ohms 52 =52 = Kondensatorcapacitor 22 ,uF22, uF

- 13 -- 13 -

509837/0700509837/0700

37 = Kondensator 1 nF37 = capacitor 1 nF

39 = Kondensator Io nF + V = 12 Volt39 = capacitor Io nF + V = 12 volts

40 = Kondensator 1 nF - V = 12 Volt40 = capacitor 1 nF - V = 12 volts

Wie erwähnt, handelt es sich bei der beschriebenen Schaltung um einen Verstärker für Chrominanzsignale bei Farbunterträgerfrequenz und mit automatisch geregelter Verstärkung zur Anwendung in einem Farbfernsehempfänger vom Typ PAL einfach, um die Amplitude des Chrominanzsignals konstant zu halten bei sich ändernder Sättigung und bei sich ändernder Art der übertragenen Szene. Es ist offensichtlich, daß für diesen Anwendungsfall bedeutungsvoll ist, daß die geregelte Stufe keine Drehung in die Phase des Chrominanzsignals einführt, da eine solche Drehung in einem Empfänger dieses Typs zu einer Farbdichteänderung zwischen gradzahligen und ungradzahligen Zeilen führt. Die beschriebene Schaltung ist in der Lage, eine Verstärkungsregelung von mehr als 2o dB ohne Einführung einer merkbaren Phasendrehung zu bewirken. Schaltungen entsprechend früheren Techniken für ein solches Verstärkungsgradverhältnis führten eine Drehung in der' Grössenordnung von 3o-4o Grad ein, weil dies jedoch ganz unannehmbar ist in einem Empfänger vom Typ PAL einfach, die jedoch zweckrcässigerweise vermieden wird selbst in einem Empfänger vom Typ PAL de luxe mit einer Verzögerungsleitung (der, wie erwähnt, Phasenfehler in Sättigungsfehler transformiert, entsprechend dem Kosinus des Phasenverschiebungswinkels) und der bei Drehungen der erwähnten Grössenordnung eine Endsättigung in einer Grössenordnung von 5 - 15 % hervorruft.As mentioned, the circuit described is an amplifier for chrominance signals at color subcarrier frequency and with automatically regulated gain for use in a color television receiver of the PAL type, to keep the amplitude of the chrominance signal constant with changing saturation and with changing type of the transmitted scene. It is obvious that for this Use case is significant that the regulated level introduces no rotation in the phase of the chrominance signal, since such rotation in a receiver of this type results in a color density change between even and odd numbers Lines leads. The circuit described is capable of a gain control of more than 2o dB without To bring about the introduction of a noticeable phase shift. Circuits according to prior techniques for such a gain ratio introduced a rotation of the order of 3o-4o degrees, but because this is quite unacceptable is simple in a receiver of the PAL type, which, however, is expediently avoided even in a receiver of the PAL de luxe type with a delay line (which, as mentioned, transforms phase errors into saturation errors, accordingly the cosine of the phase shift angle) and the final saturation for rotations of the order of magnitude mentioned in an order of magnitude of 5-15%.

Zusätzlich zu seiner Anwendung in der automatischen Verstärkungsregelung für Chrominanzsignale des beschriebenen Typs kann der Verstärkungsschaltkreis mit variabler Verstärkung faeL von Phasendrehung gemäß der Erfindung mit Vorteil auch verwendet werden in automatischen VerstärkungsregelschaltkreisenIn addition to its application in automatic gain control for chrominance signals of the type described, the variable gain gain circuit may fail of phase rotation according to the invention can also be used to advantage in automatic gain control circuits

- 14 -- 14 -

509837/0700509837/0700

für vollständige Chrominanzsignale (Farbsignale mit Bezugssignalen ) oder in Schaltungen für manuelle Sättigungseinstellung; gegenwärtig besteht die Tendenz, diese Einstellung mehr und mehr durch Anwendung von Gleichspannungen zu bewirken, damit man sie kombinieren kann mit der Kontrasteinstellung und damit man den Betätigungsknopf in einer Position weit entfernt von der eigentlichen Schaltung unterbringen kann ohne das Risiko gefährlicher Kopplungen. Dies bezieht sich sowohl auf PAL Empfänger mit Verzögerungsleitung als auch in noch grösserem Maße auf einfache PAL oder NTSC Empfänger. Die Vorteile der variablen Verstärkungsschaltkreise ohne Phasendrehung gemäß der Erfindung ergeben sich offensichtlich aus den obigen Erläuterungen. Man erkennt auch, daß zahlreiche Modifikationen möglich sind ohne von dem Grundprinzip der Erfindung abzuweichen.for complete chrominance signals (color signals with reference signals) or in circuits for manual Saturation adjustment; at present there is a tendency to use this setting more and more To effect DC voltages so that you can combine them with the contrast setting and so you can use the control button Can accommodate in a position far away from the actual circuit without the risk dangerous couplings. This applies to both PAL receivers with a delay line as well as in still larger dimensions on simple PAL or NTSC receivers. The benefits of variable gain circuits without Phase rotation according to the invention is evident from the above explanations. You can also see that numerous modifications are possible without departing from the basic principle of the invention.

(Patentansprüche)(Patent claims)

509837/0700509837/0700

Claims (19)

PatentansprücheClaims Verstarkungssteuerschaltkreis in einer Hochfrequenzschaltung mit einer übertragungsstufe für hochfrequente Signale mit mindestens einem Halbleiterelement mit mehr als zwei Elektroden, von denen mindestens eine Signaleingangselektrode ist, eine zweite eine Signalausgangselektrode und eine gemeinsame Elektrode Eingang und Ausgang zugeordnet ist und mit mindestens einem zweiten Element, das sich im wesentlichen als variabler Widerstand verhält, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein erster Widerstand und das zweite Element in REihe geschaltet sind zwischen die gemeinsame Elektrode des ersten Halbleiterelements und ein Bezugspotential und daß die Verstärkung des ersten Halbleiterelements gesteuert wird durch erhebliche Veränderung des Äquivalenzwiderstandes des zweiten Elementes ohne wesentliche Verschiebung des Arbeitspunktes des ersten Elementes, um so sicherzustellen, daß die Verstärkungsgradänderung nicht von einer merkbaren Phasendrehung der Signale begleitet ist.Gain control circuit in a high frequency circuit with a transmission stage for high-frequency signals with at least one Semiconductor element with more than two electrodes, of which at least one signal input electrode a second is a signal output electrode and a common input electrode and output is associated with and having at least one second element that is substantially behaves as a variable resistor, characterized in that at least one first resistor and the second element are connected in series between the common electrode of the first Semiconductor element and a reference potential and that the gain of the first semiconductor element is controlled by significantly changing the Equivalence resistance of the second element without any significant shift in the operating point of the first element, so as to ensure that the gain change does not change from a noticeable Phase rotation of the signals is accompanied. 2. Verstarkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an die Ausgangselektrode des ersten Halbleiterelementes ein gedämpfter REsonanzkreis angeschlossen ist.2. amplification control circuit according to claim 1, characterized in that that a damped resonance circuit is connected to the output electrode of the first semiconductor element is. 3. Verstarkungssteuerschaltkreis nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an die Eingangselektrode des ersten Halbleiterelementes ein gedämpfter Resonanzschaltkreis angeschlossen ist.3. Gain control circuit according to any one of the preceding Claims, characterized in that the input electrode of the first semiconductor element a damped resonance circuit is connected. 509837/0700509837/0700 - 16 -- 16 - 4. Verstärkungssteuerschaltkreis nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalübertragungsstufe Teil einer automatischen Verstärkungsregelschleife ist.4. Gain control circuit according to one of the preceding claims, characterized in that that the signal transmission stage is part of an automatic gain control loop is. 5. Verstärkungssteuerschaltkreis nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterelement ein Transistor ist.5. Gain control circuit according to one or more of the preceding claims, characterized characterized in that the first semiconductor element is a transistor. 6. Verstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Signaleingangselektrode des Transistors dessen Basisanschluß ist, die Signalausgangselektrode der Kollektor und die gemeinsame Elektrode der Emitter.6. gain control circuit according to claim 5, characterized in that the signal input electrode of the transistor whose base terminal is, the signal output electrode is the collector and the common electrode of the emitter. 7. Verstärkungsteuerschaltkreis nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Element ein Halbleiterelement mit mehr als zwei Elektroden ist, von denen mindestens eine eine Steuerelektrode ist, eine eine Ausgangselektrode und eine eine gemeinsame Elektrode, die Eingang und Ausgang zugeordnet ist, und daß das zweite Halbleiterelement mit seiner Ausgangs-bzw, gemeinsamen Elektrode an den ersten Widerstand bzw. das Bezugspotential angeschlossen ist.7. gain control circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the second element is a semiconductor element with more than two electrodes, of which at least one is a control electrode, one is an output electrode and one is a common electrode, the Input and output is assigned, and that the second semiconductor element with its output or common electrode is connected to the first resistor or the reference potential. 8. Verstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterelement ein Feldeffekttransistor ist.8. gain control circuit according to claim 7, characterized in that the second semiconductor element is a field effect transistor. 9. Verstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des zweiten Halbleiterelementes die Gate-Elektrode ist, die Ausgangselektrode die Drain-Elektrode und die9. gain control circuit according to claim 8, characterized in that the control electrode of the second semiconductor element is the gate electrode, the output electrode is the drain electrode and the 509837/0700509837/0700 - 17 -- 17 - gemeinsame Elektrode die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors.common electrode the source electrode of the field effect transistor. 10. Verstärkungssteuerschaltkreis nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem ersten Widerstand oder zumindest einem Teil des ersten Widerstandes mindestens ein Kondensator parallel geschaltet ist.10. Gain control circuit according to an or several of the preceding claims, characterized in that the first resistor or at least one capacitor connected in parallel to at least one part of the first resistor is. 11. Verstärkungssteuerschaltkreis nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche/ dadurch gekennzeichnet, daß der erste Widerstand einen erheblich grösseren Ohmschen Widerstand aufweist als der Äquivalenzminimaiwiderstand des zweiten Elementes.11. Gain control circuit according to one or more of the preceding claims / characterized characterized in that the first resistor has a considerably greater ohmic resistance as the equivalent minimum resistance of the second element. 12. VErstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet/daß der erste Widerstand einen etwa loo Mal grösseren Ohmschen Widerstand besitzt als der Äquivalenzminimalwiderstand des zweiten Widerstandes beträgt.12. Amplification control circuit according to claim 11, characterized in / that the first resistor has an ohmic resistance about 100 times greater than the equivalent minimum resistance of the second resistance. 13. Verstarkungssteuerschaltkreis nach einem oder mehreren der Ansprüche von 4-12, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil des Signals vom Ausgang der übertragungsstufe einem Amplitudendetektor zugeführt ist.13. gain control circuit according to one or more of claims 4-12, characterized in that that at least part of the signal from the output of the transmission stage to an amplitude detector is fed. 14. Verstarkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Detektor ein Schwellendetektor ist.14. gain control circuit according to claim 13, characterized in that the detector is a threshold detector is. 15. Verstarkungssteuerschaltkreis nach Ansprüchen 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß eine Dauerspannung am Ausgang des Detektors verwendet wird für die15. gain control circuit according to claims 13 or 14, characterized in that a continuous voltage at the output of the detector is used for the 509837/0700509837/0700 • /if.• / if. Steuerung des Widerstandes des zweiten Elementes.Control of the resistance of the second element. 16. Verstärkungsstemerschaltkreis nach oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung Teil eines Fernsehempfängers ist.16. Gain star circuit after one or more of the preceding claims, characterized in that the circuit is part of a television receiver. 17. . Verstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfreguenzsignale Signale mit Farbuntertragerfrequenz sind.17.. A gain control circuit as claimed in claim 16, characterized characterized in that the high frequency signals are signals with color subcarrier frequency. 18. Verstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalübertragungsstufe zugleich als Gatterschaltkreis arbeitet.18. gain control circuit according to claim 17, characterized in that the signal transmission stage at the same time works as a gate circuit. 19. Verstärkungssteuerschaltkreis nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalübertragungsstufe für die manuelle Einstellung der Farbsättigung verwendbar ist.19. Gain control circuit according to claim 17, characterized in that the signal transmission stage can be used for manual adjustment of color saturation. 509837/0700509837/0700
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