DE2503717C3 - Damping device for disruptive vibration signals in the supply lines of circuits - Google Patents

Damping device for disruptive vibration signals in the supply lines of circuits

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DE2503717C3 DE19752503717 DE2503717A DE2503717C3 DE 2503717 C3 DE2503717 C3 DE 2503717C3 DE 19752503717 DE19752503717 DE 19752503717 DE 2503717 A DE2503717 A DE 2503717A DE 2503717 C3 DE2503717 C3 DE 2503717C3
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Description

miteinander verbunden. Die Versorgungsleitungen legen bestimmte Gleichspannungspegel zr\ die elektronischen Bauelemente in den Schaltkreisen, und sie leiten schaltbare Gleichströme verschiedener Stärke von wenigen Milliampere bis zu einigen Ampere. Bei manchen Schaltungskarten sind die verschiedenen Leitungsbahnen auf deren Oberflächen angeordnet. Um eine Entkoppelung zwischen den Versorgungs- und Signalleitungen zu erreichen, befinden sich die Versorgungsleitungen auf der einen und die Signalleitungen auf der anderen Oberfläcbenseite der Schaltungskarten.connected with each other. The supply lines apply certain DC voltage levels to the electronic components in the circuits, and they carry switchable DC currents of various strengths from a few milliamperes to a few amperes. In some circuit cards, the various conductor tracks are arranged on their surfaces. In order to achieve a decoupling between the supply and signal lines, the supply lines are located on one side and the signal lines on the other side of the surface of the circuit boards.

Durch das Bestreben, noch wirtschaftlichere, schnellere, kleinere und billigere Geräte zu produzieren, wurde die Packungsdichte der Chips und Moduln auf den Schaltungskarten erhöht, wodurch ebenfalls mehr Leitungen auf einer Schaltungskarte unterzubringen sind. Bei dieser kompakteren Bauweise werden die verschiedenen Leitungen außer auf den beiden Oberflächen einer aus mehreren Schichten gebildeten Schaltungskarte auch zwischen den Isolierschichten der Schaltungskarte untergebracht. Derartige mehrschichtige Schaltungskarten können auch elektrisch leitende Zwischenschichten enthalten, die zur Spannungsverteilung, als allgemeine Masse oder als Abschirmung dienen. Solche komplexe Schaltungsanordnungen sind jedoch wesentlich teurer als Schaltungskarten, bei denen die Leitungen nur auf deren Oberflächen angeordnet sind.By striving to produce even more economical, faster, To produce smaller and cheaper devices, the packing density of the chips and modules was increased increases the number of circuit boards, which also means that more lines can be accommodated on one circuit board are. With this more compact design, the various lines are except on the two surfaces a circuit board formed from several layers also between the insulating layers of the Circuit card housed. Such multilayer circuit cards can also be electrically conductive Contain intermediate layers that are used for stress distribution, as a general ground or as a shield serve. Such complex circuit arrangements are, however, much more expensive than circuit cards where the lines are only arranged on their surfaces.

Bei Mehrschicht-Schaltungskarten, die eine größere Packungsdichte ermöglichen, bestehen im Vergleich zu den einfachen Schaltungskarten noch die Unterschiede, daß die Kapazität zwischen den Signalleitern und Masse relativ größer ist, daß die Versorgungsleitungen einen relativ niederen Scheinwiderstand aufweisen, welcher auch als Impedanz bezeichnet wird, und daß die Leitungsdämpfung gering ist. So werden beispielsweise in Schaltungsanordnungen für Speicher die Halbleiterelemente enthalten, durch die Schaltvorgänge große allmählich abklingende Störungsströme hoher Frequenz erzeugt, wenn eine Anzahl von Schaltkreisen gleichzeitig geschaltet wird. Diese unerwünschten Störungsströme, weiche große Amplituden am Anfang aufweisen, verursachen in den Versorgungsleitungen der Schaltkreise Störsignale, die die Betriebsfunktion und somit die Sicherheit der Schaltkreise nachteilig beeinflussen. Die Versorgungsleitungen, welche meistens eine niedere Gleichspannung und relativ große Ströme führen, haben einen geringen Ohmschen Widerstand, um möglichst geringe Spannungsänderungen und kleine Energieverluste zu erhalten. Dadurch ergibt sich, daß diese Versorgungsleitungen, welche hochfrequente Resonanzsysteme in den Schaltungsanordnungen bilden, eine relativ hohe Kreisgüte, d.h. eine geringe Dämpfung, aufweisen. Bei einer derartigen Schaltungsanordnung ist die Entkopplung der Versorgungsleitungen schwierig, aufwendig und teuer. Insbesondere für die Schaltkreise, die mit Speicherelementen zusammenwirken. In the case of multilayer circuit cards, which allow a greater packing density, exist in comparison to the simple circuit cards still the differences that the capacitance between the signal conductors and ground is relatively greater that the supply lines have a relatively low impedance, which is also referred to as impedance, and that the line attenuation is low. For example in circuit arrangements for memory contain the semiconductor elements, due to the large switching operations gradually decaying high frequency noise currents generated when a number of circuits are operating simultaneously is switched. These unwanted interference currents, which have large amplitudes at the beginning, cause interference signals in the supply lines of the circuits, which affect the operational function and thus adversely affect the safety of the circuits. The supply lines, which are mostly a low one Direct voltage and relatively large currents have a low ohmic resistance to to obtain the lowest possible voltage changes and low energy losses. It follows that these supply lines, which form high-frequency resonance systems in the circuit arrangements, have a relatively high circular quality, i.e. a low damping. With such a circuit arrangement the decoupling of the supply lines is difficult, complex and expensive. Especially for the circuits that interact with storage elements.

Zur Reduzierung, der bei den Schaltvorgängen auftretenden Störschwingungen in den Schaltkreisen und zur Entkoppelung der Leitungen, ist es allgemein üblich, Entkoppelungskondensatoren in den Schaltkreisen anzuordnen. Jedoch ist diese Entkoppelungsmaßnahme nicht ideal oder voll zufriedenstellend, da die Kondensatoranschlüsse die Induktivität der Leitung erhöhen; außerdem ist es meistens nicht möglich, diese Entkoppelungskondensatoren an der günstigsten Stelle in der Schaltungsanordnung unterzubringen. Diese Entkoppelungskondensatoren verbessern auch die Kreisgüte des durch die Leitung gebildeten Resonanzsystems, und sie bewirken nur eine örtlich begrenzte Verminderung der Störsignale, da der Rest der Leitung noch einen hohen Blindwiderstand aufweist. Um eine zufriedenstellende Abschwächung der Störsignale zu erhalten, ist es erforderlich, eine größere Anzahl von Entkoppelungskondensatoren verteilt über die Länge der Leitungen bzw. in den Schaltkreisen an bestimmtenTo reduce the interfering vibrations that occur in the switching circuits and to decouple the lines, it is common practice to use decoupling capacitors in the circuits to arrange. However, this decoupling measure is not ideal or fully satisfactory since the Capacitor connections increase the inductance of the line; moreover, it is usually not possible to use this To accommodate decoupling capacitors in the most favorable place in the circuit arrangement. This Decoupling capacitors also improve the circular quality of the resonance system formed by the line, and they only bring about a localized reduction in the interference signals, as the rest of the line still has a high reactance. In order to achieve a satisfactory attenuation of the interfering signals it is necessary to have a larger number of decoupling capacitors distributed over the length of the lines or in the circuits at certain

ίο Stellen anzuordnen. Diese Entkoppelungsmaßnahme ist aufwendig, demzufolge auch teuer und erfordert relativ viel Raum.ίο to arrange places. This decoupling measure is complex, therefore also expensive, and requires a relatively large amount of space.

Eine andere Möglichkeit zur Leitungsentkoppelung bzw. zur Leitungsdämpfung und Störsignalverminderung ergibt sich durch das im US-Patent 3189 847 beschriebene »D. C. Power Distribution System«, welches jedoch nur eine Teillösung des vorliegenden Problems aufzeigt Gemäß dem im US-Patent beschriebenen Verteilungssystem liegen die Versorgungsleitungen auf einer ferromagnetischen Grundplatte; dadurch ist die Leitfähigkeit dieser Leiter umgekehrt proportional zur Frequenz. Durch ein verlustbehaftetes Dielektrikum sind diese Versorgungsleitungen von der ferromagnetischen Grundplatte getrennt Das Verhalten dieses Verteilungssystems ist analog zu dem eines Parallel-Resonanzkreises. Bei diesem bekannten Verteilungssystem werden durch das ferromagnetische Material die Induktivitäten der Leitungen erhöht, und durch das verlustbehaftete Dielektrikum wird dazu parallel ein Dämpfungs- bzw. Verlustmechanismus gebildet. Dieses bekannte Verteilungssystem hat demzufolge einen niederen Faktor der Kreisgüte, weil die Leitungsinduktivität groß ist und weil durch das verlustbehaftete Dielektrikum ein frequenzabhängiger Verlustwiderstand gebildet wurde. Mit diesem bekannten Verteilungssystem wird ein besseres Schwingungsverhalten erzielt, jedoch ergibt sich als nachteilig eine Unstabilität der Schaltkreise und ein schlechteres Zusammenwirken der Schaltkreise im Vergleich zu dem Original-Verteilungssystem. Außerdem erfordert die Versorgungsspannung engere Toleranzen, weil durch das bekannte Verteilungssystem die Immunität der Schaltkreise gegen äußere Störsignale vermindert ist. Die Anwendung dieses bekannten Verteilungssystems erfordert viel Sorgfalt und ist daher teuer.Another possibility for line decoupling or for line attenuation and interference signal reduction results from the »D. C. Power Distribution System «, which, however, shows only a partial solution to the present problem according to that described in the US patent Distribution system, the supply lines are on a ferromagnetic base plate; through this the conductivity of these conductors is inversely proportional to the frequency. Through a lossy dielectric these supply lines are separated from the ferromagnetic base plate The behavior of this Distribution system is analogous to that of a parallel resonance circuit. In this known distribution system, the ferromagnetic material The inductance of the lines increases, and due to the lossy dielectric, a Damping or loss mechanism formed. This known distribution system accordingly has one lower factor of the circular quality, because the line inductance is high and because of the lossy Dielectric a frequency-dependent loss resistance was formed. With this known distribution system a better vibration behavior is achieved, but there is a disadvantage of instability of the circuits and a poorer interaction of the circuits compared to the original distribution system. In addition, the supply voltage requires tighter tolerances because of the known Distribution system, the immunity of the circuits to external interference signals is reduced. The application this known distribution system requires great care and is therefore expensive.

Das US-Patent 35 41 473 betrifft eine Einrichtung zur Unterdrückung von elektromagnetischen Interferenzen in Versorgungsleitungen, welche zur Übertragung von elektrischer Energie bei einer Netzfrequenz von 60 Hz dienen. Bei diesen Versorgungsleitungen wird ein großer Scheinwiderstand angestrebt, um die hochfrequenten Störsignale auszufiltern. Bei diesem Leitungssystem sind die Leiter mit einer hochpermeablen Schicht umgeben, die zur Verhinderung einer magnetischen Sättigung mit wenigstens einem Spalt versehen ist. Dieses Leitungssystem dient vorwiegend zur Unterdrückung von Interferenzen, die durch die Rundfunkfrequenzen verursacht werden, und es beschränkt sich auf ein relativ diskretes Spektrum von wenigen 6c Rundfunkfrequenzen. Das Frequenzspektrum von Impulsen, wie sie in digitalen Schaltungssystemen gebraucht werden, ist im Vergleich hierzu viel breiter. Dieses auf dem US-Patent basierende Leitungssystem steht im Gegensatz zu den Anforderungen, die an die '15 Versorgungsleitungen in den integrierten Schaltkreisen gestellt werden, bei denen ein niedriger Anteil des Wirkwiderstandes vom Scheinwiderstand benötigt wird, um eine möglichst verlustarme Übertragung vonUS Pat. No. 3,541,473 relates to a device for suppressing electromagnetic interference in supply lines, which are used to transmit electrical energy at a mains frequency of 60 Hz serve. In these supply lines, a large impedance is sought to avoid the high-frequency To filter out interfering signals. In this line system, the conductors have a highly permeable layer surrounded, which is provided to prevent magnetic saturation with at least one gap. This line system is mainly used to suppress interference caused by the radio frequencies and it is limited to a relatively discrete range of a few 6c broadcast frequencies. The frequency spectrum of pulses, how they are used in digital circuit systems is much broader in comparison. This line system based on the US patent is in contrast to the requirements made of the 15 supply lines in the integrated circuits where a low proportion of the effective resistance is required from the impedance is to ensure the lowest possible loss of transmission of

Gleichstrom zu erhalten.Receive direct current.

Da die vorstehend diskutierten Techniken, Systeme und Maßnahmen zur Unterdrückung von Störsignalen und zur Entkoppelung von Versorgungsleitungen in integrierten Schaltkreisen zu aufwendig sind und den neuzeitigen Forderungen nicht voll genügen, ist die Aufgabe der Erfindung eine neue und bessere Dämpfungseinrichtung zur Unterdrückung von Störsignalen in den Versorgungsleitungen von integrierten Schaltkreisen zu schaffen, die wirtschaftlich in Massenproduktion herstellbar ist und die die Betriebssicherheit der Schaltkreise verbessert. Die neue Dämpfungseinrichtung soll so ausgelegt sein, daß der niedere Ohmsche Widerstand der Versorgungsleitungen für die Gleichstromübertragung erhalten bleibt und daß das Optimum der Störsignaldämpfung bzw. -unterdrückung vorzugsweise bei der Resonanzfrequenz der Versorgungsleitungen auftritt.As the techniques, systems and measures for suppressing interference signals discussed above and for decoupling supply lines in integrated circuits are too expensive and the do not fully meet modern demands, the object of the invention is a new and better one Damping device for suppressing interference signals in the supply lines of integrated To create circuits that can be mass-produced economically and that ensure operational reliability the circuits improved. The new damping device should be designed so that the lower ohmic Resistance of the supply lines for direct current transmission is maintained and that the optimum of the interference signal attenuation or suppression is preferred occurs at the resonance frequency of the supply lines.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß sehr nahe über oder unter den zu entstörenden Versorgungsleiterschleifen deckungsgleich zu diesen eine dünne elektrisch gut leitende, nichtferromagnetische Leitschicht angeordnet ist.This object is achieved according to the invention in that very closely above or below the interference suppression Supply conductor loops congruent with these a thin, electrically good conductive, non-ferromagnetic one Conductive layer is arranged.

Die vorliegende Erfindung präsentiert eine neue Technik zur Entkoppelung der Versorgungsleitungen besonders für integrierte Schaltkreisanordnungen auf Schaltungskarten, mittels der das Auftreten von Störschwingungen bzw. Störsignalen, welche durch Schaltvorgänge verursacht werden, weitestgehend unterdrückt bzw. gedämpft wird, ohne daß durch die neue Dämpfungseinrichtung die Übertragung von Gleichstromenergie beeinträchtigt wird. Die neue Dämpfungseinrichtung bewirkt, daß sich der gesamte Scheinwiderstand der Versorgungsleitungen vermindert, indem die Induktivität der Versorgungsleitungen etwas kleiner wird und sich deren Kapazität etwas erhöht.The present invention presents a new technique for decoupling the supply lines especially for integrated circuit arrangements on circuit cards, by means of which the occurrence of Interfering vibrations or interfering signals, which are caused by switching processes, as far as possible is suppressed or attenuated without the transmission of DC power is affected. The new damping device causes the entire The impedance of the supply lines is reduced by reducing the inductance of the supply lines becomes a little smaller and its capacity increases a little.

Diese Erfindung oder spezieller ausgedrückt, die neue üämpfungseinrichtung ist auf verschiedene Bauweisen zu realisieren. So kann beispielsweise die elektrische Leitschicht aus einer dünnen Metallscheibe bestimmter Dicke bestehen, die auf der Oberfläche eines Trägerplättchens, das eine Anzahl von integrierten Schaltkreisen enthalten kann, angeordnet wird. Derartige Trägerplättchen sind dem Fachmann auch unter der Bezeichnung »Chip« bekannt. Alternativ kann in einem Trägerplättchen die Leitschicht auch aus einer Halbleiterschicht bestehen, in der die Dämpfungsschleifen dadurch gebildet werden, daß die Halbleiterschicht, auf deren Oberfläche sich die schleifenförmig angeordneten Versorgungsleitungen befinden, unterhalb der zu dämpfenden Versorgungsleitungen eine hohe Dotierung enthält. Oder anstelle einer metallischen Leitschicht ist auch eine hoch dotierte Halbleiterschicht geeignet, um den gewünschten Dämpfungseffekt zu erzielen.This invention, or more specifically, the new damping device, is of various constructions to realize. For example, the electrically conductive layer made of a thin metal disc can be more specific Thickness exist on the surface of a carrier plate that has a number of integrated Circuits may contain, is arranged. Such carrier plates are also known to those skilled in the art The name "Chip" is known. Alternatively, the conductive layer in a carrier plate can also consist of a semiconductor layer exist, in which the damping loops are formed by the fact that the semiconductor layer on the surface of which are the supply lines arranged in a loop, below the to attenuating supply lines contains a high level of doping. Or instead of a metallic conductive layer a highly doped semiconductor layer is also suitable in order to achieve the desired damping effect achieve.

Bei den vorstehend kurz beschriebenen drei Ausführungsbeispielen ergibt sich in jedem Fall durch die Dämpfungseinrichtung eine Verminderung des Faktors der Kreisgüte für die einzelnen Schleifen der Versorgungsleitungen, welche Schwingungssysteme darstellen. Durch die neue Dämpfungseinrichtung werden die durch die Schaltvorgänge in den Versorgungsleitungen angeregten Störschwingungen in ihren Amplituden auf einen vernachlässigbaren Kleinstwert begrenzt, und ihre Schwingzeit wird erheblich verkürzt, so daß die restlichen Störsignale die richtige Funktion der Schaltkreise nicht mehr beeinträchtigen können. DieIn the case of the three exemplary embodiments described briefly above, in each case Damping device a reduction of the factor of the circular quality for the individual loops of the supply lines, which vibration systems represent. With the new damping device, the The amplitudes of parasitic oscillations induced by the switching processes in the supply lines limited a negligible minimum value, and their oscillation time is significantly shortened, so that the residual interfering signals can no longer impair the correct function of the circuits. the

.ίο.ίο

Dämpfungsschleifen in der Leitschicht bewirken bei den hochfrequenten Störschwingungen einen Energieentzug. Damping loops in the conductive layer cause energy to be withdrawn from the high-frequency interfering vibrations.

Die Theorie und die Wirkungsweise der neuen Dämpfungseinrichtung gemäß der Erfindung wird nachstehend an Ausführungsbeispielen anhand von Zeichnungen (Fig. 1 bis 7) näher erläutert. Von den Zeichnungen stellt darThe theory and mode of operation of the new damping device according to the invention is explained in more detail below using exemplary embodiments with reference to drawings (FIGS. 1 to 7). Of the Drawings represents

Fig. 1 eine vereinfachte Ansicht einer Schaltungsan-Ordnung, die die Dämpfungseinrichtung enthält, wobei auf der Oberseite einer isolierenden Grund- oder Trägerplatte die Versorgungsleitungen nebeneinanderliegend angeordnet sind, über denen getrennt durch eine dielektrische Schicht die metallische Leitschicht die Versorgungsleitungen überdeckend angeordnet ist,1 shows a simplified view of a circuit arrangement, which contains the damping device, wherein on the top of an insulating base or Support plate, the supply lines are arranged side by side, separated by a dielectric layer the metallic conductive layer is arranged so as to cover the supply lines,

F i g. 2 die Draufsicht auf eine vereinfachte Schaltungsanordnung welche eine Leitungsschleife enthält, mittels der Messungen über den Scheinwiderstand vorgenommen wurden, um die Theorie der Erfindung bestätigen zu können,F i g. 2 the plan view of a simplified circuit arrangement which contains a line loop, by means of the measurements made on the impedance, to support the theory of the invention to be able to confirm

F i g. 3 zeigt ein Diagramm, dessen beide Kurven den Wirkwiderstandswert in Ohm als Komponente des Scheinwiderstandes in Abhängigkeit der Frequenz angeben, welcher bei der Leiterschleife nach Fig. 2 gemessen wurde;F i g. 3 shows a diagram, the two curves of which show the effective resistance value in ohms as a component of the Specify the impedance as a function of the frequency, which in the conductor loop according to FIG was measured;

F i g. 4 zeigt ein Diagramm, dessen beide Kurven den induktiven Blindwiderstand in Ohm als Komponente des Scheinwiderstandes in Abhängigkeit der Frequenz angeben, welcher bei der Leiterschleife nach Fig. 2 gemessen wurde;F i g. 4 shows a diagram, the two curves of which have the inductive reactance in ohms as a component of the impedance as a function of the frequency, which in the conductor loop according to FIG was measured;

Fig. 5 ist die Draufsicht eines typischen Gleichspannungs- bzw. Stromverteilungssystems mit Versorgungsleitungen, wie es im Prinzip bei integrierten Schaltungsanordnungen verwendet wird; Fig. 5 is a top view of a typical DC voltage or power distribution system with supply lines, as it is used in principle in integrated circuit arrangements;

F i g. 6a, 6b und 6c sind graphische Illustrationen von Signalen, welche die in den Versorgungsleitungen der Testanordnung nach F i g. 5 mit und ohne Dämpfungseinrichtung erzeugten Störspannungssignale zeigen wenn gemäß Fig. 6a an der Lei'erschleife ein relativ langsamer Strom-Abschaltimpuls auftritt;F i g. 6a, 6b and 6c are graphic illustrations of signals which are present in the supply lines of FIG Test arrangement according to FIG. 5 show interference voltage signals generated with and without a damping device if, as shown in FIG. 6a, on the Lei'erschleife a relative slow current cut-off pulse occurs;

Fig. 7a, 7b, 7c und 7d sind graphische Illustrationen die die in den Versorgungsleitungen derTestanordnunj= nach F i g. 5 mit und ohne Dämpfungseinrichtung odei mit einer bekannten kapazitiven Entkoppelungseinrich tung erzeugten Stör-Spannungssignale zeigen, wenn ar der Leiterschleife ein relativ steiler Strom-Abschaltim puls gemäß der F i g. 7a auftritt.Figures 7a, 7b, 7c and 7d are graphic illustrations those in the supply lines of the test arrangementnunj = according to FIG. 5 with and without a damping device or with a known capacitive decoupling device interference voltage signals generated when the conductor loop shows a relatively steep current cut-off pulse according to FIG. 7a occurs.

Unter Hinweis auf die Fig. 1 wird bei diesen Ausführungsbeispiel angenommen, daß bei einer Schal tungskarte, die integrierte Schaltkreise trägt, di< Versorgungsleitungen durch die Dämpfungseinrichtuni zu entstören sind, wobei die Versorgungsleitungen siel alle auf einer Oberflächenseite der Schaltungskarl· befinden. Auch die Signalleitungen können auf diese Oberflächenseite liegen, falls dies zweckmäßig ist. Zu Erzielung des gewünschten Dämpfungseffektes ist al Leitschicht eine dünne Metallscheibe, welche beispiels weise aus Kupfer oder Aluminium bestehen kann, i sehr geringem Abstand über den Versorgungsleitunger diese überdeckend angeordnet. Diese auch al Dämpfungsscheibe bezeichnete Leitschicht ist nicht m Masse oder einem Spannungspotential verbunden.With reference to FIG. 1, it is assumed in this embodiment that in a scarf management card, which carries integrated circuits, di <supply lines through the attenuation device are to be suppressed, whereby the supply lines fell all on one surface side of the circuit board condition. The signal lines can also lie on this surface side, if this is expedient. to Achievement of the desired damping effect is al Leitschicht a thin metal disc, which example may consist of copper or aluminum, i a very small distance above the supply line these arranged overlapping. This conductive layer, also referred to as a damping disk, is not m Ground or connected to a voltage potential.

Diese Dämpfungsscheibe hat eine dreifache Funktio zu erfüllen: Erstens reduziert sie beträchtlich di Induktivitätswerte der über die Grund- oder Trägei platte verteilten Versorgungsleitungen.This damping washer has to fulfill a threefold function: First, it considerably reduces di Inductance values of the supply lines distributed over the base or inertia plate.

Zweitens erhöht sie für Wechselströme, insbesonder bei Hochfrequenz, den Wirkwiderstandswert deSecond, it increases the effective resistance de for alternating currents, especially at high frequencies

Versorgungsleitungen, indem sie die Schwingungsenergie aufnimmt, wobei diese Absorptionserscheinung bei Gleichstrom bzw. Gleichspannung nicht auftritt, so daß durch diese Dämpfungseinrichtung keine Verluste in der zu übertragenden Gleichstromenergie auftreten.Supply lines by taking the vibrational energy absorbs, this absorption phenomenon does not occur with direct current or direct voltage, so that no losses in the direct current energy to be transmitted occur due to this damping device.

Drittens bewirkt sie, daß an allen Punkten der Versorgungsleitungen sich eine gleichmäßige, etwas höhere Kapazität ergibt. Diese Kapazität erhöht sich um das Doppelte, wenn die Dämpfungsscheibe mit dem Massepotential der Gleichstrom-Versorgungsquelle verbunden ist.Thirdly, it has the effect that at all points of the supply lines there is a uniform, somewhat results in higher capacity. This capacity doubles when the damping disc is connected to the Ground potential of the direct current supply source is connected.

Diese Leitschicht, oder auch Dämpfungsscheibe genannt, ändert nicht die Induktivitätsweirte und Verluste von Anschlußleitungen, die zu den Schleifen der Versorgungsleitungen auf dem Trägerplättchen bzw. der Schaltungskarte führen, da der von diesen Anschlußleitungen ausgehende elektromagnetische Fluß nicht mit der Dämpfungsscheibe gekoppelt ist. Die metallische Dämpfungsscheibe kann zusammen mit den Versorgungsleitungen als Masseschicht für die Signale bzw. die Signalleiter dienen, wenn diese Signalleiter auf der entgegengesetzten Oberflächenseite der Schaltungskarte angeordnet sind. Die Dämpfungsscheibe für die Versorgungsleiter verursacht eine kaum merkliche und vernachlässigbare Dämpfung oder Änderung der Signale auf den Signalleitungen, und es erhöht sich praktisch nicht der Wirkwiderstand in diesen Signalleitungen, weil der Abstand der Dämpfungsscheibe zu den Signalleitungen durch die dazwischenliegende Isolierschicht der Schaltungskarte doch relativ sehr groß ist. Wenn die tragende Isolierschicht der Schaltungskarte ausreichend dick ist, kann die Kapazität der Signalleitungen auf einem ziemlich niederen Wert gehalten werden, was bei den Schaltungskarten, die als Speicher eine Anzahl Halbleiterelemente enthalten, wesentlich ist.This conductive layer, also called damping disk, does not change the inductance values and Loss of connection lines leading to the loops of the supply lines on the carrier plate or the circuit card, since the electromagnetic emanating from these connecting lines Flow is not coupled to the damping disc. The metallic damping disc can be used together with the Supply lines serve as a ground layer for the signals or the signal conductors when these signal conductors are on are arranged on the opposite surface side of the circuit board. The damping washer for the supply ladder causes a barely noticeable and negligible attenuation or change in the Signals on the signal lines, and there is practically no increase in the effective resistance in these signal lines, because the distance between the damping disk and the signal lines is due to the insulating layer in between the circuit card is relatively very large. When the supporting insulating layer of the circuit board is sufficiently thick, the capacitance of the signal lines can be kept at a fairly low value become, which is essential in the case of the circuit cards which contain a number of semiconductor elements as a memory is.

Um die Anwendungsmöglichkeit der Dämpfungseinrichtung zu erweitern, ist es nicht erforderlich, daß die Leitschicht bzw. Dämpfungsscheibe eine kontinuierliche Fläche bildet oder daß sie eine gleichmäßige Dicke hat; jedoch ist es wichtig, daß sie die Ausbildung von Dämpfungsschleifen ermöglicht und somit die Schleifen der zu entstörenden Versorgungsleitungen überdeckt.To expand the application of the damping device, it is not necessary that the Conductive layer or damping disk forms a continuous surface or that it has a uniform thickness; however, it is important that it allow dampening loops to form, and hence the loops the supply lines to be suppressed covered.

Nachstehend wird die Dämpfungseinrichtung durch eine theoretische Betrachtung erläutert, die dazu dient, die Dicke der Leitschicht bestimmen zu können. Bei einer einfachen geschlossenen Schleife einer Versorgungsleitung ergibt sich ein Scheinwiderstand bzw. eine ImpedanzIn the following, the damping device is explained by means of a theoretical consideration, which serves to to be able to determine the thickness of the conductive layer. With a simple closed loop of a utility line an apparent resistance or an impedance results

5050

Ist die Schleife der Versorgungsleitung mit der Dämpfungseinrichtung versehen, dann ergibt sich für diese Schleife eine ImpedanzIf the loop of the supply line is provided with the damping device, then results for this loop has an impedance

Z'= ΛZ '= Λ

5555

Die vorstehend erwähnten Beziehungen der Impedanzen Z und Z'gelten nur bei niederen Frequenzen, wo die Kapazitäten der Versorgungsleiter vernachlässigbar sind. Bei dieser Betrachtung wurde es als zweckdienlich ho erachtet, daß nur eine einzige Dämpfungsschleife in der Leitschicht angenommen wird, da das elektromagnetische Kopplungsfeld in der unmittelbaren Nachbarschaft zwischen der primären Leiterschleife und der sekundären Dämpfungsschleife am größten ist Diese vereinfachte Anordnung von einander gegenüberliegenden Leitungs- und Dämpfungsschleifen ist somit der wesentlichste Teil einer Dämpfungseinrichtung für Schaltkreise. Mit dieser Vereinfachung wird die Dämpfungseinrichtung in die Struktur eines Transformators gewandelt, und es ergibt sich dadurch für die Spannung bzw. den Strom folgende Beziehung:The above-mentioned relationships of the impedances Z and Z 'apply only at low frequencies, where the capacities of the supply managers are negligible. In this consideration, it was deemed expedient ho considers that only a single attenuation loop is assumed in the conductive layer, since the electromagnetic Coupling field in the immediate vicinity between the primary conductor loop and the secondary Attenuation loop at its greatest is this simplified arrangement of opposite one another Cable and damping loops are therefore the most essential part of a damping device for Circuits. With this simplification, the damping device becomes the structure of a transformer converted, and this results in the following relationship for the voltage or the current:

(R1 (R 1 + sLn)+ sL n ) .SL12 .SL 12 I2 I 2 sLsL 2 (R2 +2 (R 2 + sL22] sL 22] K> K > V2 V 2 Es bedeutet:It means:

V2 die Spannung, in der kurzgeschlossenenV 2 is the voltage in which the shorted

Dämpfungsschleife der Leitschicht,Damping loop of the conductive layer,

Li2 und L22 die Gegen- und die Selbstinduktivität der Dämpfungsschleife in der Leitschicht,Li2 and L22 the mutual and self-inductance of the Damping loop in the conductive layer,

/?2 den Ohmschen Widerstand der/? 2 is the ohmic resistance of the

Dämpfungsschleife in der Leitschicht,Damping loop in the conductive layer,

s die Abkürzung von j ω L.s is the abbreviation of j ω L.

Durch den Einfluß der Dämpfungsschleife in der Leitschicht ändert sich der Wirkwiderstand in der Schleife der Versorgungsleitung gemäß der folgenden aus der Formel 1 abgeleiteten Beziehung:The effective resistance in the changes due to the influence of the damping loop in the conductive layer Loop of the supply line according to the following relationship derived from Formula 1:

IR =IR =

Rl+(Rl + (

Durch den Einfluß der Dämpfungsschleife in der Leitschicht ergibt sich in der Schleife für die Versorgungsleitung somit ein Wirkwiderstand Ri' = Ri +AR. Die Breite der Dämpfungsschleife in der Leitschicht hat eine ungefähre Breite Wg— W+ 2d, wobei W die Breite der Schleife für die Versorgungsleitung ist und d den Abstand der Leiter zur Leitschicht darstellt. Für gute elektrische Leiter und bei einer ausreichend niederen Frequenz ergibt sich ein kleines R2, so daß die Erhöhung des Wirkwiderstandes in der Schleife der Versorgungsleitung sich nach der Beziehungberechnet: The influence of the damping loop in the conductive layer thus results in an effective resistance Ri '= Ri + AR in the loop for the supply line. The width of the attenuation loop in the conductive layer has an approximate width W g - W + 2d, where W is the width of the loop for the supply line and d is the distance between the conductors and the conductive layer. For good electrical conductors and at a sufficiently low frequency, the result is a small R 2 , so that the increase in the effective resistance in the loop of the supply line is calculated according to the relationship:

IR = R2#.IR = R 2 #.

Aus der Formel (2) ergibt sich durch Differenzierung nach R2, daß für /?2 = ωί22 der transformierte Wirkwiderstandswert für die Schleife der Versorgungsleitung bei der gegebenen Kreisfrequenz ω ein Maximunist. Bei diesen Zuständen berechnet sich der neue Wer des Wirkwiderstandes in Ohm für die Schleife de Versorgungsleitung nach der Beziehung: By differentiating according to R 2 , formula (2) shows that for /? 2 = ωί 22 the transformed resistance value for the loop of the supply line at the given angular frequency ω is a maximum. With these states, the new value of the effective resistance in ohms for the loop of the supply line is calculated according to the relationship:

j2j2

R' = R\ + R2 ^TT" > R '= R \ + R 2 ^ TT ">

/L22 / L 22

wenn man für (.1 setztif one sets for (.1

(3)(3)

(4)(4)

'22'22

Aus den vorstehenden Beziehungen ist zu erkenne daß die gewünschte Dämpfung bzw. Entstörung in dt Schleifen der Versorgungsleitungen durch zwei Vera derliche zu erhalten ist bzw. eingestellt werden kann:From the above relationships it can be seen that the desired attenuation or interference suppression in dt Loops of the supply lines can be maintained or adjusted by two different types:

Erstens, die Frequenz ί=ω/2π kann so gewä! werden, daß sie in der Nähe der Frequenz liegt, mit d die Störsignale in der Schleife der Versorgungsleit schwingen.First, the frequency ί = ω / 2π can be chosen so! be that it is close to the frequency with d oscillate the interfering signals in the loop of the supply line.

Zweitens, der Widerstandswert R2 der Dämpfungsschleife in der Leitschicht kann durch eine entsprechende Dicke der Leitschicht bzw. der Dämpfungsscheibe so gewählt werden, daß er den Bedingungen der Formel (4) genügt. Der Wirkwiderstand R2 ist durch die Dicke und den spezifischen Widerstandswert der Leitschicht bestimmt sowie durch die Schleifenabmessungen Wg, welche vorstehend definiert wurden. Bei den Experimenten zur Bestätigung der Theorie der neuen Dämpfungseinrichtung wurde als Leitschicht ein sehr ι dünnes Kupferblech verwendet.Second, the resistance value R 2 of the damping loop in the conductive layer can be selected by a corresponding thickness of the conductive layer or the damping disk so that it satisfies the conditions of formula (4). The effective resistance R 2 is determined by the thickness and the specific resistance value of the conductive layer and by the loop dimensions W g , which were defined above. In the experiments to confirm the theory of the new damping device, a very thin copper sheet was used as the conductive layer.

Wie bereits erwähnt wurde, bewirkt der in die Schleife einer Versorgungsleitung transformierte Widerstand AR keinen Verlust der zu übertragenden Gleichstromenergie. Dies ist auch aus der Gleichung (2) zu ersehen, wenn für ω = 0 (Gleichspannung) gesetzt wird, dann wird AR = O. Bei einem Gleichstrombetrieb wird in die Schleife einer Versorgungsleitung somit kein Wirkwiderstand zusätzlich transformiert, oder in anderen Worten: Es wird keine elektrische Energie durch die Dämpfungsschleife bei einem Gleichstrombetrieb der Versorgungsleitung entzogen. As already mentioned, the resistor AR transformed into the loop of a supply line does not cause any loss of the direct current energy to be transmitted. This can also be seen from equation (2), if ω = 0 (direct voltage) is set, then AR = O. With direct current operation, no resistance is additionally transformed into the loop of a supply line, or in other words: Es no electrical energy is withdrawn from the supply line by the damping loop in the case of direct current operation.

Auf ähnliche Weise wie der transformierte, zusätzliche Wirkwiderstand AR für die Schleife der Versorgungsleitung berechnet wurde, kann auch die Änderung der Leitungsinduktivität AL aus der Gleichung (1) berechnet werden:In a similar way to how the transformed, additional effective resistance AR was calculated for the loop of the supply line, the change in line inductance AL can also be calculated from equation (1):

IL =IL =

in2 Lrn L22 in 2 Lr n L 22

ΪΓ , ...2,2ΪΓ, ... 2.2

(5)(5)

Unter AL ist der imaginäre Anteil (Blindwiderstand) von der Eingangsimpedanz (Scheinwiderstand) einer Schleife der Versorgungsleitung zu verstehen, der durch die Dämpfungsschleife in der Leitschicht in die Schleife der Versorgungsleitung transformiert wird. Ist die Kreisfrequenz ω ausreichend groß oder ist R2<wL22, dann vereinfacht sich die Gleichung (5), und es ergibt sich die Beziehung für die transformierte Zusatzinduktivität: AL is the imaginary component (reactance) of the input impedance (apparent resistance) of a loop of the supply line, which is transformed into the loop of the supply line by the attenuation loop in the conductive layer. If the angular frequency ω is sufficiently large or if R 2 <wL 22 , then equation (5) is simplified and the relationship for the transformed additional inductance results:

Bei einer Versorgungsleitung, die mit einer Dämpfungseinrichtung versehen ist, ergibt sich somit für die Leiterschleife eine Gesamtinduktivität Ln' = Ln +AL, deren Wert beachtlich geringer ist als die Induktivität, welche die Leiterschleife ohne Dämpfungseinrichtung aufweist.In the case of a supply line which is provided with a damping device, a total inductance L n '= Ln + AL results for the conductor loop, the value of which is considerably lower than the inductance which the conductor loop has without a damping device.

Die Ermittlung der Impedanz (Scheinwiderstand) einer Leiterschleife nach Fig. 2 wurde auch durch Messungen vorgenommen; hierzu wurde ein Vektor-Impedanzmeßgerät benutzt. Wenn die Versorgungsleitung nicht mit einer Dämpfungseinrichtung versehen war, wurde für die Leiterschleife der Fig. 2 eine Induktivität von Lw-= 149 nH gemessen.The determination of the impedance (apparent resistance) of a conductor loop according to FIG. 2 was also carried out by measurements; a vector impedance meter was used for this. If the supply line was not provided with a damping device, an inductance of Lw = 149 nH was measured for the conductor loop of FIG.

Wurde die Versorgungsleitung mit der Dämpfung* einrichtung derart komplettiert, daß die als Leitschicht dienende Kupferscheibe sich isoliert in einem Abstand von 10 · ΙΟ-3 mm über den Versorgungsleitungen befand, wobei der Zwischenraum durch eine polyimide Isolation als Dielektrikum ausgefüllt war, und wurde außerdem die Induktivität L2i der Dämpfungsschleifc ebenfalls so gewählt, daß diese der Induktivität Ln der Versorgungsleitung entsprach, also L22 = Lu, dann wurde bei einer maximal zu dämpfenden Frequenz von 5 MIl/ für die Dämpfungsschleife ein Wirkwiderstand /?2 = 4,7Ohm berechnet. Beim Experimentiermuster, dessen Dämpfungsscheibe bzw. Leitschicht eine Dicke von 0,76 xlO"3 mm hatte, wurde für die Dämpfungsschleife der Leitschicht ein Wirkwiderstandswert K2 = 3,4 Ohm ermittelt. Die maximale Dämpfung wurde bei einer Frequenz /=3,7 MHz gefunden. Die Zunahme des Wirkwiderstandes AR=1,55 Ohm ist somit um den Faktor acht größer als der Wirkwiderstand R\ in der Schleife der Versorgungsleitung. Der Wirkwiderstand Ri der Leiterschleife ist ziemlich groß für eine Stromversorgungsleitung.If the supply line with the damping * means so complete that serves as a conductive copper disk mm is isolated in a distance of 10 · ΙΟ- 3 was on the supply lines, wherein the gap was filled in by a polyimide insulation as the dielectric, and also has the The inductance L 2 i of the damping loop was also chosen so that it corresponded to the inductance Ln of the supply line, i.e. L22 = Lu, then at a maximum frequency to be damped of 5 MIl / an effective resistance /? 2 = 4.7 ohms was calculated for the damping loop. In the experimental sample, whose damping disk or conductive layer had a thickness of 0.76 × 10 " 3 mm, an effective resistance value K 2 = 3.4 ohms was determined for the damping loop of the conductive layer. The maximum damping was at a frequency / = 3.7 MHz The increase in the effective resistance AR = 1.55 Ohm is thus greater by a factor of eight than the effective resistance R \ in the loop of the supply line. The effective resistance Ri of the conductor loop is quite large for a power supply line.

Der gesamte Kapazitätswert Cu zwischen der Leiterschleife und der Dämpfungsscheibe kann durch einfache Berechnung nach der Formel für parallele Platten oder durch Messung gefunden werden. Bei dem Experimentiermuster wurde eine Gesamtkapazität Cn = 0,74 nF ermittelt.The total capacitance value C u between the conductor loop and the damping disk can be found by simple calculation using the formula for parallel plates or by measurement. A total capacitance Cn = 0.74 nF was determined in the experimental sample.

Das Diagramm Fig.3 gibt auf der Ordinate die Werte des Wirkwiderstandes R\ in Ohm an für die ι Schleife einer Versorgungsleitung ohne und mit einer Dämpfungseinrichtung in Abhängigkeit der Frequenz. Dieser Wirkwiderstand der Leiterschleife erhöht sich im Frequenzbereich 100 MHz infolge des Hauteffektes, wodurch dieser zusätzliche Widerstand die Dämpfung der höherfrequenten Schwingungssignale unterstützt. Das Diagramm der F i g. 4 zeigt an zwei Vergleichskurven den Anteil des Blindwiderstandes am Scheinwiderstand in Abhängigkeit von der Frequenz. Die untere Kurve, welche einer Leiterschleife mit Dämpfungseino richtung zugeordnet ist, zeigt eindeutig, daß diese einen geringeren Blindwiderstand aufweist, was auf die Verminderung der Leitungsinduktivität zurückzuführen ist, welche durch die Dämpfungseinrichtung verursacht wurde.The diagram in FIG. 3 shows on the ordinate the values of the effective resistance R \ in ohms for the loop of a supply line with and without a damping device as a function of the frequency. This effective resistance of the conductor loop increases in the frequency range of 100 MHz as a result of the skin effect, whereby this additional resistance supports the damping of the higher-frequency vibration signals. The diagram of FIG. 4 shows the proportion of reactance in the impedance as a function of frequency on two comparison curves. The lower curve, which is assigned to a conductor loop with a damping device, clearly shows that this has a lower reactance, which is due to the reduction in the line inductance which was caused by the damping device.

is Mit dem Experimentiermuster der Dämpfungseinrichtung wurden weitere Messungen durchgeführt, um deren Einfluß auf die Dämpfungswirkung zu ermitteln, die sich ergibt, wenn die Leitschicht (im vorliegenden Beispiel eine Metallscheibe) im Zentrum mit einem Loch to versehen wird, das die Abmessungen 38,1 mm χ 31,75 mm hat. Unter diesem in der Dämpfungsscheibe bzw. Leitschicht befindlichen Loch sollen auf der Schaltungskarte bzw. dem Chip die Signalleitungen angeordnet werden, welche nicht von der Dämpfungseinrichtung beeinflußt werden sollen. Die Meßwerte erbrachten das Ergebnis, das der gleiche Dämpfungseffekt in der Schleife der Versorgungsleitung auftritt, unabhängig davon, ob die Leitschicht vollständig geschlossen oder mit dem zentralen Loch versehen ist. Es ist somit möglich, die Signalleitungen im Bereich des Loches anzuordnen, ohne daß eine Beeinträchtigung der Steuersignale zu befürchten ist.is with the experiment pattern of the damping device Further measurements were carried out to determine their influence on the damping effect, which results when the conductive layer (in the present example a metal disk) in the center with a hole to is provided, which has the dimensions 38.1 mm 31.75 mm. Under this in the Damping disk or conductive layer located hole should be on the circuit card or the chip Signal lines are arranged, which should not be influenced by the attenuation device. The measured values produced the result that the same damping effect in the loop of the supply line occurs regardless of whether the conductive layer is completely closed or with the central hole is provided. It is thus possible to arrange the signal lines in the area of the hole without a Impairment of the control signals is to be feared.

Bei diesem Ausführungsbeispiel weisen die Versorgungsleitungen, welche auch als Übertragungsleitunger 5S von Schaltsignalen der Gleichspannung- bzw. de; Gleichstromes dienen, einen Scheinwiderstand (Impedanz) von weniger als fünf Ohm auf.In this embodiment, the supply lines, which also act as transmission lines 5S of switching signals of the DC voltage or de; Serve direct current, an apparent resistance (impedance) less than five ohms.

Bei integrierten Schaltungsanordnungen ist auch dei Einfluß und das Verhalten der unerwünschten im f>o pulsförmigen Störspannungssignale außer von de: Größe ihrer Amplitude auch in Abhängigkeit von dei Zeit von besonderem Interesse, wobei diese impulsför migen Störsignale von verschiedenen Störsignalqueller erzeugt werden können. Für Testzwecke wBfde deshall <><> eine typische schleifenförmige Anordnung von Versor giingsleitungen untersucht, welche in Fig. 5 im Prinzi[ dargestellt ist. In dieser Schaltungsanordnung wurde zu Simulation der Belastung ein einziger Transistor an deWith integrated circuit arrangements is also dei Influence and behavior of the undesired in the f> o pulse-shaped interference voltage signals except for de: Size of their amplitude also depends on the time of particular interest, this being impulsför moderate interfering signals can be generated by various interfering signal sources. For test purposes we wBfde deshall <> <> a typical loop-shaped arrangement of Versor investigated, which in Fig. 5 in principle [ is shown. In this circuit arrangement, a single transistor was used to simulate the load

Abzweigung der Versorgungsleitungen, dem sogenannten Finger 3, angeordnet. Bei integrierten Schaltkreisen, deren Versorgungsleitungen nicht mit einer Dämpfungseinrichtung versehen sind, erzeugen die auf diesen Versorgungsleitungen induzierten Störspannungssignale, deren Charakteristik in den F i g. 6b und 7b aufgezeichnet ist, infolge ihrer großen Amplituden und deren zeitlicher Folge falsche Abschaltungen der Gleichstrom bzw. Gleichspannungsversorgung in diesen Schaltkreisen, welche, wie ersichtlich ist, eine ungenügende Dämpfung bzw. Entstörung aufweisen. Nachstehend wird das Verhalten von Versorgungsleitungen diskutiert, wenn diese Leitungen ohne und mit einer erfindungsgemäßen Dämpfungseinrichtung betrieben werden.Branch of the supply lines, the so-called finger 3, arranged. For integrated circuits, whose supply lines are not provided with a damping device, generate the These supply lines induced interference voltage signals, the characteristics of which are shown in FIGS. 6b and 7b is recorded, as a result of their large amplitudes and their chronological sequence, incorrect shutdowns of the DC current or DC voltage supply in these circuits, which, as can be seen, is insufficient Have attenuation or interference suppression. The behavior of utility lines is shown below discussed when these lines are operated with and without a damping device according to the invention will.

In den Diagrammen der Fig.6 und 7 sind in Abhängigkeit von der Flanken-Steilheit eines Abschaltstromes in einer dieser Versorgungsleitungen die verschiedenen Störspannungssignale dargestellt, welche in den Versorgungsleitungen der vorstehend erwähnten Testanordnung eines integrierten Schaltkreises auftreten, wenn dieser Schaltkreis ohne und mit einer Dämpfungseinrichtung versehen ist. Die F i g. 6a und 7a zeigen die Charakteristik der Abschaltung eines Gleichstromes in einer Versorgungsleitung, wobei die Abschaltflanken die Leitungen zur Erzeugung der in den F i g. 6b, 6c, 7b, 7c, 7d abgebildeten Störspannungssignale anstoßen. Die Kurve der F i g. 6b zeigt eine relativ langsame Stromabschaltung im Vergleich mit der Frequenz der in dieser Versorgungsleitung auftretenden Störschwingungssignale (F i g. 6b) eines Schaltkreises mit Feldeffekttransistoren. Die Kurve 7a zeigt eine steilere Flanke der Stromabschaltung, und die Kurve 7b zeigt die daraus resultierenden Störschwingungssignale in einer ungedämpften Versorgungsleitung eines bipolaren Schaltkreises.The diagrams of FIGS. 6 and 7 show the various interference voltage signals that occur in the supply lines of the aforementioned test arrangement of an integrated circuit when this circuit is provided with and without a damping device, depending on the slope of a cutoff current in one of these supply lines is. The F i g. 6a and 7a show the characteristics of the disconnection of a direct current in a supply line, the disconnection edges being the lines for generating the in FIGS. 6b, 6c, 7b, 7c, 7d trigger the interference voltage signals shown. The curve of FIG. 6b shows a relatively slow current cut-off in comparison with the frequency of the parasitic oscillation signals (FIG. 6b) of a circuit with field effect transistors occurring in this supply line. Curve 7a shows a steeper flank of the current cut-off, and curve 7b shows the resulting parasitic oscillation signals in an undamped supply line of a bipolar circuit.

Die in der Testschaltung nach F1 g. 5 beispielsweise am Abzweig 4 der Versorgungsleitung auftretenden Störschwingungen, welche in Fig.6b dargestellt sind, wurden mit einer Sonde ermittelt, wobei diese Sonde mit einer Kapazität von 160 pF versehen war. Aus den beiden Kurven der F i g. 6a und 6b ist zu ersehen, daß der abzuschaltende Gleichstrom noch nicht auf den Nullwert abgeklungen ist und daß innerhalb der mindesterforderlichen Abschaltzeit das hochfrequente Störsignal schon wieder einen hohen Spannungspegel aufweist, der den Transistor in den Leitzustand schalten kann. In der F i g. 6b bedeutet die gestrichelte Kurve den berechneten Verlauf einer Störschwingung in der Versorgungsleitung eines einfachen Schaltkreises nach F i g. 5, während die voll gezeichnete Kurve durch die Messung ermittelt wurde. Die Abweichung der beiden Störschwingungskurven voneinander in der Fig. 6b ist darauf zurückzuführen, daß der durch den Hauteffekt auftretende dämpfende Einfluß im Schaltkreis bei der Berechnung nicht berücksichtigt wurde.In the test circuit according to F1 g. 5 for example Interfering vibrations occurring at branch 4 of the supply line, which are shown in Fig. 6b, were determined with a probe, this probe being provided with a capacity of 160 pF. From the two curves in FIG. 6a and 6b can be seen that the direct current to be switched off has not yet reached the The zero value has decayed and that the high-frequency Interfering signal already has a high voltage level again, which switch the transistor into the conductive state can. In FIG. 6b, the dashed curve denotes the calculated course of an interfering oscillation in FIG Supply line of a simple circuit according to FIG. 5, while the fully drawn curve through the Measurement was determined. The deviation of the two parasitic oscillation curves from one another in FIG. 6b is due to the fact that the damping influence in the circuit caused by the skin effect in the Calculation was not taken into account.

Die F i g. 6c zeigt die beachtlich reduzierten und gedämpften Störschwingungen bzw. das Störspannungssignal Vj als Funktion der Zeit, wobei in der Testschaltung als Dämpfungseinrichtung eine 1,27 χ 10" i mm dicke Kupferscheibe verwendet wurde. Diese sehr dünne Kupferscheibe war dabei an einem Punkt mit dem auf Masse liegenden Potential eines Pols der Stromversorgungsquclle verbunden. Wie die F i g. 5 zeigt, war die Kupferscheibe an beiden Seiten mit eingeätzten Löchern versehen, in denen die elektronischen Bau- bzw. Bclastungsdemcnte unterzubringen sind. Die als Leitschicht dienende Kupferscheibe war von der Oberfläche der schleifenförmig angeordneten Versorgungsleitungen durch eine 10,1 χ 10-3 mm dicke dielektrische Schicht aus Polyimid getrennt. Durch diese Dämpfungseinrichtung wurde eine beachtenswerte Reduzierung des Störspannungssignals erreicht, denn die maximale Amplitude beträgt nur noch etwa ein Viertel des ursprünglichen Ampiitudenwertes, und die Schwingungen klingen praktisch innerhalb einer Periode aus.The F i g. 6c shows the considerably reduced and damped interference oscillations or the interference voltage signal Vj as a function of time, a 1.27 χ 10 " i mm thick copper disk being used as the damping device in the test circuit. This very thin copper disk was at one point with the As FIG. 5 shows, the copper disk was provided with etched holes on both sides in which the electronic components or load components are to be accommodated. The copper disk serving as a conductive layer was from the surface the loop-shaped arrangement of supply lines through a 10.1 χ 10- 3 mm thick dielectric layer of polyimide separately. by this damping device a remarkable reduction of the Störspannungssignals was achieved, because the maximum amplitude is only about a quarter of the original Ampiitudenwertes, and sound vibrations practically within b of a period.

ίο Die F i g. 7b zeigt das höherfrequente Störspannungssignal einer Versorgungsleitung ohne besondere Dämpfungseinrichtung. Störspannungsschwingungen dieser Leitung, deren Frequenz bei etwa 100 MHz liegt, sind durch den Hauteffekt, der sich zu dem Ohmschenίο The F i g. 7b shows the higher-frequency interference voltage signal a supply line without a special damping device. Interference voltage oscillations this line, whose frequency is around 100 MHz, are due to the skin effect, which leads to the ohmic

is Widerstand der Leitung addiert, relativ sehr stark gedämpft. Jedoch hat auch dieses Störschwingungssignal noch unzulässig große Anfangsamplituden, welche, wie das Störspannungssignal der Fig.7b zeigt, die Betriebssicherheit der integrierten Schaltkreise beeinträchtigen. Die F i g. 7c zeigt ein sehr stark reduziertes Störspannungssignal, welches sich ergibt, wenn diese Versorgungsleitung mit einer Dämpfungseinrichtung gemäß der Erfindung versehen ist.is resistance of the line added, relatively very strong muffled. However, this parasitic oscillation signal still has inadmissibly large initial amplitudes, which, as the interference voltage signal of FIG. 7b shows, impair the operational reliability of the integrated circuits. The F i g. 7c shows a very greatly reduced interference voltage signal which results when this Supply line is provided with a damping device according to the invention.

Eine weitere interessante Kurve eines Störspannungssignals auf der gleichen Versorgungsleitung des vorstehenden Ausführungsbeispiels, die mit einer kapazitiven Dämpfungseinrichtung versehen ist, ist in der F i g. 7d dargestellt. In der Testschaltung nach F i g. 5 wurde der fünfte Abzweig der schleifenförmigen Versorgungsleitungen mit einem Kondensator 0,1 μΡ bestückt, um die Spannung Vi abzublocken. Hierbei ergab sich der in Fig. 7d abgebildete Verlauf des Störspannungssignals. In dem nächsten Abzweig der Versorgungsleitung wurde jedoch ein Störspannungssignal ermittelt, dessen Spannungsamplitude Vj wieder groß ist, wie dies das in der Fig.7d abgebildete Störspannungssignal zeigt. Daraus ergibt sich, daß bei einer kapazitiven Dämpfungseinrichtung eine große Anzahl von Kondensatoren erforderlich ist, um die Störspannung zu unterdrücken bzw. um diese so weit zu dämpfen, um das gleiche gute Ergebnis (F i g. 7c) zu erhalten wie mit der Kupferscheibe als Dämpfungseinrichtung. Another interesting curve of an interference voltage signal on the same supply line of the previous embodiment, which is provided with a capacitive damping device, is shown in FIG. 7d. In the test circuit according to FIG. 5, the fifth branch of the loop-shaped supply lines was equipped with a 0.1 μΡ capacitor to block the voltage Vi. This resulted in the profile of the interference voltage signal shown in FIG. 7d. In the next branch of the supply line but a Störspannungssignal was determined, the voltage amplitude previous year is great again, as shown in the Störspannungssignal shown in Fig.7d. This means that a capacitive damping device requires a large number of capacitors to suppress the interference voltage or to dampen it to the extent that the same good result (FIG. 7c) is obtained as with the copper washer Damping device.

Dämpfungseinrichtungen gemäß der Erfindung sind außer in den vorstehend erwähnten Ausführungsbeispielen auch in anderen Anwendungsfällen sehr zweckmäßig verwendbar, und sie können je nach den vorliegenden Betriebserfordernissen oder Verhältnissen durch einfache, dem Fachmann geläufige Maßnahmen noch verbessert werden. Beispielsweise können verschieden große Wechselstromwiderstände in Reihe in die Leiterschleifen der Versorgungsleitungen eingesetzt werden, wenn diese verschieden große Spannungs werte aufweisen und die Frequenzen der StörspanDamping devices according to the invention are except in the above-mentioned embodiments can also be used very appropriately in other applications, and depending on the existing operating requirements or conditions by means of simple measures familiar to the skilled person still to be improved. For example, alternating current resistances of different sizes can be used in series be used in the conductor loops of the supply lines if they have different voltages values and the frequencies of the interference voltage

ss nungsschwingungen verschieden groß sind. Die Dämpfung der Störschwingungen kann natürlich aucr auf nur eine Versorgungsleitung einer integriertet Schaltungsanordnung beschränkt werden. Dämpfung einrichtungen gemäß der Erfindung sind auch vorteilss voltage vibrations are of different sizes. the Damping of the interfering vibrations can of course also be integrated on just one supply line Circuit arrangement are limited. Damping devices according to the invention are also advantageous

<>u haft anwendbar zur Entkoppelung von schleifenförmi] gestalteten Signalleitungen oder zur Dämpfung voi außerhalb der integrierten Schaltkreise angeordnete Versorgungsleitungen, die die Energie oder Gleichspan nung von der Stromversorgungsquelle zur Schaltung;<> u can be used to decouple loop-shaped designed signal lines or arranged for attenuation voi outside of the integrated circuits Supply lines that carry the energy or DC voltage from the power supply source to the circuit;

ds anordnung führen. Auch in der Meßtechnik und i Anordnungen für Testzwecke sind derartig Dämpfungsoinrichiungen von Vorteil, um unverfälscht Meßergebnisse zu erhalten. Um mit Liner solchelead the arrangement. Also in measurement technology and i Such damping devices are advantageous for test purposes in order to ensure that they are not adulterated To obtain measurement results. To with liner such

i.i.

Dämpfungseinrichtung den besten Effekt zu erhalten, sollten zweckmäßigerv,eise die folgenden Hinweise beachtet werden:Damping device to get the best effect should be advised to follow the instructions below get noticed:

Die Stromversorgungsquelle, welche die zu dämpfenden schleifenförmig angeordneten Leitungen speist, sollte möglichst einen niederen Scheinwiderstand (Impedanz) aufweisen. Diese Forderung wird von den meisten der derzeit gebräuchlichen Stromversorgungsquellen erfüllt. Außerdem sollte die Gesamtimpedanz des Schaltkreises niedrig sein, indem besonders Wert auf gute Dämpfung bzw. Entstörung gelegt wird.The power supply source, which feeds the lines to be damped, which are arranged in a loop, should have as low an impedance as possible. This requirement is met by the meets most of the power sources currently in use. Also, the total impedance should of the circuit, by placing particular emphasis on good attenuation or interference suppression.

An die integrierten Schaltkreise, welche an die Abzweigungen der schleifenförmig angeordneten Versorgungsleitungen nach F i g. 5 angeschlossen sind, werden besondere Anforderungen gestellt. Es ist zu beachten, daß in den Verzweigungen der Stromversorgungsleitungen Stromstärken bis zu zehn Ampere auftreten können, wenn mehrere Schaltkreise parallel geschaltet und aktiviert sind, wie dies im Fall von Haibleiterspeichern möglich ist. Es wird angenommen, daß künftig Schaltkreise, die Feldeffekttransistoren enthalten. Impulse erzeugen, deren Anstiegszeit im Bereich von etwa einer Nanosekunde liegt. Es kann sich hierbei um Logik- oder Speicherschaltkreise handeln, deren Versorgungsleitungen auch hochfrequente Schwingungssysteme sind, die entweder alle in einer Frequenz oder in verschiedenen Frequenzen schwingen. Bei der neuen Dämpfungseinrichtung ist auch zn beachten, daß die Grund- oder Trägerpiatte, auf der die schleifenförmigen Versorgungsleitungen angeordnet sind, nicht aus einem ferromagnetischen Material bestehen; Keramik oder andere Isoliermaterialien sind jedoch als Trageschicht gut geeignet.The integrated circuits which are connected to the branches of the supply lines arranged in a loop according to FIG. 5 are connected, there are special requirements. It should be noted that currents of up to ten amperes can occur in the branches of the power supply lines if several circuits are connected in parallel and activated, as is possible in the case of semiconductor memories. It is believed that in the future circuits containing field effect transistors. Generate pulses with a rise time in the range of about one nanosecond. These can be logic or memory circuits, the supply lines of which are also high-frequency oscillation systems that either all oscillate at one frequency or at different frequencies. In the case of the new damping device, care must also be taken to ensure that the base or carrier plate on which the loop-shaped supply lines are arranged are not made of a ferromagnetic material; However, ceramic or other insulating materials are well suited as a support layer.

Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings

Claims (9)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Dämpfungseinrichtung zur Unterdruck .ig der durch Schaltvorgänge verursachten hochfrequenten Störschwingungen in den schleifenförmig ausgebildeten Versorgungsleitungen zur Spannungs- oder Stromversorgung von Schaltelemente ei.thaltenden Schaltungsanordnungen, deren vorzugsweise gedruckte Versorgungsleitungen auf einer Ober- ι ο flächenseite eines Trägerplättchens angeordnet sind und die insbesondere integrierte Schaltungskreise in Modultechnik enthalten, dadurch gekennzeichnet, daß sehr nahe über oder unter den zu entstörenden Versorgungsleiterschleifen deckungsgleich zu diesen eine dünne elektrisch gut leitende nichtferromagnetische Leitschicht angeordnet ist.1. Damping device for negative pressure .ig the high-frequency caused by switching operations Interfering vibrations in the loop-shaped supply lines for voltage or Power supply of switching elements ei.thaltenden circuit arrangements, their preferably printed Supply lines are arranged on a surface side of a carrier plate and which in particular contain integrated circuits in module technology, characterized in that that very close above or below the supply conductor loops to be suppressed congruent a thin, electrically conductive, non-ferromagnetic conductive layer is arranged next to them. 2. Dämpfungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht eine die Versorgungsleiterschleifen auf dem Trägerplättchen überdeckende Dämpfungsscheibe ist, die getrennt durch ein Dielektrikum in einem bestimmten Abstand über den Versorgungsleitungen angeordnet ist.2. Damping device according to claim 1, characterized in that the conductive layer has a Supply conductor loops on the carrier plate overlapping damping disc is separated arranged by a dielectric at a certain distance above the supply lines is. 3. Dämpfungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht aus einer Metallfolie besteht, die durch eine zwischengefügte sehr dünne Isolierfolie als Dielektrikum auf den Versorgungsleitungen aufliegt.3. Damping device according to claim 1 or 2, characterized in that the conductive layer consists of consists of a metal foil, which is acted upon as a dielectric by a very thin insulating foil inserted in between rests on the supply lines. 4. Dämpfungseinrichtung nach einem der Ansprüehe 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht aus Kupfer oder Aluminium besteht.4. Damping device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the Conductive layer consists of copper or aluminum. 5. Dämpfungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß an den Orten, wo sich in der Schaltungsanordnung Signalleitungen oder Schaltelemente befinden, die scheibenförmige Leitschicht mit entsprechenden Löchern oder Ausschnitten versehen ist.5. Damping device according to one of claims 1 to 4, characterized in that the Places where there are signal lines or switching elements in the circuit arrangement, the disk-shaped Conductive layer is provided with corresponding holes or cutouts. 6. Dämpfungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht aus einem hochdotierten Halbleitermaterial besteht und in die Struktur des Trägerplättchens einbezogen ist, daß diese Leitschicht eine die Versorgungsleiterschleifen auf dem Trägerplättchen überdeckende Fläche aufweist und daß auf der Oberseite der Leitschicht die Schleifen der zu entstörenden Versorgungsleitungen als Leiterbahnen angeordnet sind.6. Damping device according to claim 1, characterized characterized in that the conductive layer consists of a highly doped semiconductor material and in the Structure of the carrier plate is included that this conductive layer one of the supply conductor loops has on the carrier plate covering surface and that on the top of the conductive layer the loops of the supply lines to be suppressed are arranged as conductor tracks. 7. Dämpfungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß in integrierten Schaltkreisen die Leitschicht zur BiI-dung von geschlossenen Däinpfungsschleifen nur an den Stellen vorhanden und deckungsgleich zu den entstörenden Versorgungsleitungsschleifen ist, die Gleichströme bzw. Gleichspannungen führen.7. Damping device according to one of claims 1 to 6, characterized in that in integrated circuits, the conductive layer for the formation of closed damping loops only the locations and is congruent with the interference-suppression supply line loops that Lead direct currents or direct voltages. 8. Dämpfungseinrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Halbleitermaterial bestehende Leitschicht in den Bereichen, wo sich Signalleitungen der integrierten Schaltkreise befinden, dementsprechend mit niedrig dotierten Flächen versehen ist. f»o8. Damping device according to claim 6 or 7, characterized in that the semiconductor material existing conductive layer in the areas where signal lines of the integrated circuits are located are located, is accordingly provided with lightly doped areas. f »o 9. Dämpfungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 oder 6 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zu entstörenden Versorgungsleiter der Schaltungsanordnung auf der einen Oberflächenseite der Trägerplättchen oder Schaltungskarten angeordnet <>5 sind und daß die Signalleitungen sich auf deren anderen Oberflächenseite befinden.9. Damping device according to one of claims 1 to 4 or 6 to 7, characterized in that the supply line to be suppressed of the circuit arrangement on one surface side of the Carrier plates or circuit cards arranged <> 5 and that the signal lines are on their other surface side. Diese Erfindung betrifft eine Dämpfungseinrichtung zur Unterdrückung der durch Schaltvorgänge verursachten hochfrequenten Störschwingungen in den schleifenförmig ausgebildeten Versorgungsleitungen zur Spannungs- oder Stromversorgung von Schaltelemente enthaltenden Schaitungsanordnungen, deren vorzugsweise gedruckte Versorgungsleitungen auf einer Oberflächenseite eines Trägerplättchens angeordnet sind und die insbesondere integrierte Schaltungskreise in Modultechnik enthalten, die außer den Schaltelementen, den Versorgungsleitungen und den Signalleitungen auch andere elektrische Bauelemente enthalten können.This invention relates to a damper to suppress the high-frequency interfering vibrations in the Loop-shaped supply lines for voltage or power supply of switching elements containing circuit arrangements, their preferably printed supply lines on a surface side of a carrier plate are arranged and in particular contain integrated circuits in modular technology, which in addition to the Switching elements, the supply lines and the signal lines and other electrical components may contain. Diese erfindungsgemäße Dämpfungseinrichtung bezweckt eine Verbesserung von Schaltkreisen hoher Schaltgeschwindigkeit dadurch, daß sie deren Betriebssicherheit wesentlich erhöht bzw. daß diese Schaltkreise noch steilere Impulsflanken verarbeiten können als bisher und daß somit ein Betrieb in höheren Frequenzbereichen möglich ist.This damping device according to the invention aims an improvement in high-speed circuits in that they improve their operational reliability significantly increased or that these circuits can process even steeper pulse edges than so far and that an operation in higher frequency ranges is possible. Bei der Abschaltung eines Gleichstromes in einer Versorgungsleitung eines integrierten Schaltkreises, welche im Nano-Sekundenbereich erfolgt, werden unerwünschte, die Betriebsfunktion störende und allmählich abklingende Schwingungssignale auf den Leitungen erzeugt. Diese Versorgungsleitungen, bei denen ein geringer Ohmscher Widerstand gefordert wird, weisen eine bestimmte Induktivität und Kapazität auf, und sie bilden dadurch Resonanzsysteme, die beispielsweise durch solch einen erwähnten Abschaltvorgang angestoßen werden und dadurch die unerwünschten Störschwingungen erzeugen, wobei die ersten Schwingungen unzulässig große Amplituden haben können, so daß beispielsweise Transistoren in den Schaltkreisen unerwünschte falsche Schaltungen ausführen.When switching off a direct current in a supply line of an integrated circuit, which takes place in the nanosecond range, become undesirable and disrupt the operational function gradually decaying vibration signals generated on the lines. These supply lines, at which a low ohmic resistance is required have a certain inductance and capacitance on, and they thereby form resonance systems, for example by such a shutdown process are triggered and thereby generate the undesired parasitic oscillations, the first oscillations can have unacceptably large amplitudes, so that, for example, transistors in the Circuits carry out undesired incorrect switching. Durch die erfindungsgemäße Dämpfungseinrichtung wird die Induktivität der Versorgungsleitungen verringert und deren Kapazität erhöht, so daß sich ein höherfrequentes Resonanzsystem ergibt, das bei seiner hohen Resonanzfrequenz einen besonders hohen Wirkwiderstand aufweist. Dieser Wirkwiderstand ist ein Ohmscher Widerstand, welcher auch als Verlustwiderstand bezeichnet werden kann. Durch diesen scheinbaren hohen Wirkwiderstand und durch die Dämpfungseinrichtung wird dem Leitungs-Resonanzsystem schnell die Energie entzogen, und die Erzeugung von relativ großen störenden Schwingungsamplituden wird dadurch verhindert.The damping device according to the invention reduces the inductance of the supply lines and their capacity is increased, so that a higher-frequency resonance system results, which in his high resonance frequency has a particularly high effective resistance. This effective resistance is a Ohmic resistance, which can also be referred to as loss resistance. Through this apparent high resistance and the damping device makes the line resonance system fast the energy is withdrawn, and the generation of relatively large disruptive oscillation amplitudes is thereby prevented. Schaltkreise mit schleifenförmig angeordneten Versorgungsleitungen, die eine derartige Dämpfungseinrichtung aufweisen, sind vorteilhaft in elektronischen Hochgeschwindigkeitsrechnern oder in Datenverarbeitungsgeräten in sehr großer Anzahl verwendbar. Auch in den Geräten für Fernmeldeanlagen und der Steuerungstechnik sind derartige mit einer Dämpfungseinrichtung versehene Schaltkreise zweckmäßig anwendbar. Circuits with supply lines arranged in a loop, which have such a damping device are advantageous in electronic Can be used in very large numbers in high-speed computers or in data processing equipment. Also In the devices for telecommunications systems and control technology, there are those with a damping device provided circuits expediently applicable. Elektronische Digitalrechner enthalten in ihrer Schaltungsanordnung eine sehr große Anzahl von Schaltkreisen, die in integrierter Bauweise in HaIbleiterplättchen, den sogenannten »Chips«, enthalten sind. Mehrere dieser Chips sind zu elektronischen Bausteinen, den sogenannten Moduln, zusammengefaßt, die auf einer Trägerplatte einer sogenannten Schaltungsplatte oder steckbaren Schaltungskarte befestigt sind. Diese Chips, Moduln und Schaltungskarten sind durch Versorgungsleitungen und durch SignalleitungenElectronic digital computers contain a very large number of in their circuit arrangement Circuits that are integrated in semiconductor wafers, the so-called "chips" are included. Several of these chips are electronic too Building blocks, the so-called modules, summarized on a carrier plate of a so-called circuit board or plug-in circuit card are attached. These are chips, modules and circuit cards through supply lines and through signal lines
DE19752503717 1974-02-01 1975-01-30 Damping device for disruptive vibration signals in the supply lines of circuits Expired DE2503717C3 (en)

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