DE2457912C3 - Electro-optical storage device - Google Patents

Electro-optical storage device

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DE2457912C3 DE19742457912 DE2457912A DE2457912C3 DE 2457912 C3 DE2457912 C3 DE 2457912C3 DE 19742457912 DE19742457912 DE 19742457912 DE 2457912 A DE2457912 A DE 2457912A DE 2457912 C3 DE2457912 C3 DE 2457912C3
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Description

Die Erfindung betrifft eine elektrooptische Speichervorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, wie sie beispielsweise aus der US-PS 37 40 734 bekanntgeworden ist. Bei dieser bekannten Speichervorrichtung wird das gespeicherte Bild dadurch gelöscht daß man an die Elektroden eine geeignete Spannung anlegt so daß die ferroelektrische Keramikplatte der Speichervorrichtung auf eine geeignete Löschtemperatur aufgeheizt wird. Dies erfordert eine erhebliche elektrische Leistungsaufnahme durch die Speichervorrichtung.The invention relates to an electro-optical storage device according to the preamble of claim 1, such as it has become known, for example, from US Pat. No. 3,740,734. In this known storage device the stored image is erased by applying a suitable voltage to the electrodes so that the ferroelectric ceramic plate of the memory device is heated to a suitable erasing temperature will. This requires a considerable electrical power consumption by the storage device.

Ferner ist aus der DE-OS 17 64 944 eine elektrooptische Speichervorrichtung mit einer ferroelektrischen keramischen Platte, einem Paar von Schreibelektroden, die jeweils einer Fläche der ferroelektrischen Platte zugewandt sind und mit Löschelektroden bekanntgeworden, wobei einmal eine parallel zur Plattenfläche und einmal eine senkrecht dazu orientierte dielektrische Polarisation erzeugt wird.Furthermore, from DE-OS 17 64 944 an electro-optical storage device with a ferroelectric ceramic plate, a pair of writing electrodes, each one face of the ferroelectric plate are facing and have become known with erase electrodes, once one parallel to the plate surface and once a dielectric polarization oriented perpendicular thereto is generated.

Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die bekannte Speichervorrichtung der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß das gespeicherte Bild bereits durch eine niedrige Spannung rasch gelöscht werden kann. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 herausgestellten Merkmale gelöstIn contrast, the invention is based on the object of the known memory device of the initially to improve said type in such a way that the stored image is already through a low voltage can be deleted quickly. According to the invention, the object is achieved by the features defined in the characterizing part of claim 1 highlighted features solved

Dabei wird das Zusammenspiel der Steuerung der Temperatur mit dem Widerstand der Elektroden ausgenützt Durch die Erfindung wird insbesondere eine energiesparende reversible Bildspeicherung ermöglicht.Thereby the interaction of the control of the temperature with the resistance of the electrodes exploited The invention enables, in particular, energy-saving reversible image storage.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in Unteransprüchen herausgestelltPreferred embodiments of the invention are set out in the subclaims

Anhand der Zeichnungen wird die Erfindung nunmehr näher erläutert, wobei die F i g. 1 bis 5 Bauarten bzw. Betriebsarten der elektrooptischen Speichervorrichtung wiedergeben.The invention will now be explained in more detail with reference to the drawings, FIG. 1 to 5 Reproduce types or modes of operation of the electro-optical storage device.

Wie aus F i g. 1 hervorgeht, weist die elektrooptische Speichervorrichtung IO eine ferroelektrische Platte 1, ein Paar Schreibelektroden 2 und 3, die jeweils den beiden Flächen 4 und 5 der ferroelektrischen Platte 1 zugewandt sind, und ein Paar Löschelektroden 6 und 7 auf, die an den beiden entsprechenden Rändern 8 und 9 der ferroelektrischen Platte gelagert sind.As shown in FIG. 1, the electro-optical storage device IO comprises a ferroelectric plate 1, a pair of writing electrodes 2 and 3 corresponding to the two surfaces 4 and 5 of the ferroelectric plate 1, respectively are facing, and a pair of erase electrodes 6 and 7 on the two corresponding edges 8 and 9 the ferroelectric plate are stored.

Die ferroelektrische Platte 1 ist aus einem geeigneten transparenten Material, z. B. einer warmgepreßten, PLZTmit Lanthan versetzten Bleizirkonat-Titanat-Keramik hergestellt Die Schreibelektroden sind aus einem temperaturabhängigen Widerstand aus einer transparenten Schicht, wie z. B. aus einer Vanadiumschicht, hergestellt. Die Löschelektroden können aus jedem leitenden Metall, wie z. B. aus Gold, Silber und Aluminium, hergestellt sein.The ferroelectric plate 1 is made of a suitable transparent material, e.g. B. a hot-pressed, PLZT mixed with lanthanum lead zirconate titanate ceramic made. B. made of a vanadium layer. The erase electrodes can be made of any conductive metal, such as. B. made of gold, silver and aluminum.

Bei der elektrooptischen Speichervorrichtung 10 ist die ferroelektrische Platte anfänglich in einer zu letzteren parallelen Richtung 11 durch Anlegen einer Spannung 12 an die Löschelektroden gepolt. Eine optische Durchlässigkeit der ferroelektrischen Platte kann durch Veränderung der Polachse 11 in eine Polachse 13 durch Anlegen einer Polspannung 14 an die Schreibelektroden mit einem großen Wirkleitwert gesteuert werden. Die Veränderungen der optischen Durchlässigkeit der ferroelektrischen Platte sind verwendbar für optisches Schalten, für eine Informationsspeicherung und für optische Informationsanzeigevorrichtungen. In the electro-optic memory device 10, the ferroelectric plate is initially in a closed position the latter parallel direction 11 is polarized by applying a voltage 12 to the erasing electrodes. One Optical transmittance of the ferroelectric plate can be changed by changing the polar axis 11 in a Pole axis 13 by applying a pole voltage 14 to the writing electrodes with a high conductance being controlled. The changes in the optical transmittance of the ferroelectric plate can be used for optical switching, for information storage and for optical information display devices.

Bei den Speichervorrichtungen sind die Schreibelektroden aus einem temperaturabhängigen Widerstand aus einer transparenten Schicht hergestellt, die z. B. einen positiven Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes aufweist. In F i g. 2 sind typische Temperatur-Widerstands-Kennlinien 20 durch die Kurven 21 und 22 wiedergegeben. Die Kurve 21 läßt ein allmähliches Ansteigen des Widerstandes beim Anstei-In the memory devices, the writing electrodes are made of a temperature-dependent resistor made of a transparent layer z. B. a positive temperature coefficient of the electrical Has resistance. In Fig. 2 are typical temperature-resistance characteristics 20 through the curves 21 and 22 reproduced. Curve 21 shows a gradual increase in the resistance as the

gen der Temperatur erkennen, und die Kurve 22 zeigt ein plötzliches Ansteigen des Widerstandes bei einer Schalttemperatur Ts. Letztere sollte niedriger als die Curie-Temperatur Teder ferroelektrisciien Platte sein. Die Schreibelektroden 2 und 3 bestehen aus einem temperaturabhängigen Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten, der einen hohen Widerstand bei einer hohen Temperatur, wie z. B. der Temperatur 7s aufweist, so daß die ferroelektrische Platte bei Anlegen einer Polspannung an die Löschelektroden 6 und 7 in '■■' eine Richtung 11 umgepolt werden kann, wenn die ferroelektrische Platte auf einer hohen Temperatur, wie z. B. der Temperatur Ts gehalten wird. Auf der anderen Seite bestehen die Schreibelektroden 2 und 3 aus einem temperaturabhängigen Widerstand mit einem positiven ι "> Temperaturkoeffizienten, der bei einer niedrigen Temperatur, wie z.B. der Temperatur RT, einen niedrigen Widerstand aufweist, so daß die ferroelektrische Platte durch Anlegen einer Polspamung an die Schreibelektroden 2 und3 in eine Richtung 13 umgepolt -'■* werden kann, wenn die ferroelektrische Platte auf einer niedrigen Temperatur, wie z.B. der Temperatur RT gehalten werden kann. Der temperaturabhängige Widerstand, der den positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstandes aufweist, kann aus geeigneten :■"■ anorganischen Materialien, wie z. B. Se, (Ba, Sr, Pb) TiO3, ZnO-TiO2-NiO, Pb(Fe1Z2Nb1Z2)O3 und CdO-Bi2O3 oder organischen Materialien, wie Paraffin, Polyäthylen und Graphit, hergestellt sein.can be recognized by the temperature, and curve 22 shows a sudden increase in resistance at a switching temperature Ts. The latter should be lower than the Curie temperature of the ferroelectric plate. The writing electrodes 2 and 3 consist of a temperature-dependent resistor with a positive temperature coefficient, which has a high resistance at a high temperature, such as. B. the temperature 7s, so that the ferroelectric plate when a pole voltage is applied to the erase electrodes 6 and 7 in '■■' a direction 11 can be reversed when the ferroelectric plate at a high temperature, such as. B. the temperature Ts is maintained. On the other hand, the writing electrodes 2 and 3 consist of a temperature-dependent resistor with a positive ι "> temperature coefficient, which has a low resistance at a low temperature, such as the temperature RT , so that the ferroelectric plate by applying a pole voltage to the can be '■ * when the ferroelectric plate on a low temperature, such as temperature RT can be kept the temperature-dependent resistor having a positive temperature coefficient of resistance, can be made of suitable - writing electrodes reversed in a direction 13, 2 and 3. ■ "■ inorganic materials, such as. B. Se, (Ba, Sr, Pb) TiO 3 , ZnO-TiO 2 -NiO, Pb (Fe 1 Z 2 Nb 1 Z 2 ) O 3 and CdO-Bi 2 O 3 or organic materials such as paraffin, polyethylene and Graphite.

Es hat sich gezeigt, daß auch Schreibelektroden, die "' einen temperaturabhängigen Widerstand aus einer transparenten Schicht aufweisen, der einen negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes besitzt, zur Herstellung einer elektrooptischen Speichervorrichtung mit einer reversiblen Betriebsweise verwendet '·"> werden können.It has been shown that even writing electrodes which "'have a temperature-dependent resistance of a transparent layer, which has a negative temperature coefficient of resistance, used to produce an electro-optical memory device comprising a reversible operating mode'·"> can be.

In F i g. 3 werden typische Temperatur-Widerstands-Kennlinien durch die Kurven 31 und 32 dargestellt. Die Kurve 31 IaBt ein allmähliches Abfallen des Widerstandes beim Ansteigen der Temperatur erkennen, und die i: Kurve 32 zeigt ein plötzliches Abfallen des Widerstandes bei der Schalttemperatur Ts. Letztere sollte niedriger als die Curie-Temperatur Tc der ferroelektrischen Platte liegen. Die Schreibelektroden 2 und 3, die aus einem temperaturabhängigen Widerstand mit '■ negativem Temperaturkoeffizienten des Widerstandes bestehen, weisen einen hohen Widerstand bei einer niedrigen Temperatur, wie z. B. der Temperatur /?Tauf, so daß die ferroelektrische Platte mittels Anlegen einer Polspannung an die Löschelektroden 6 und 7 in eine " Richtung 11 umgepolt werden kann, wenn die ferroelektrische Platte auf einer niedrigen Temperatur, wie z. B. der Temperatur RT gehalten wird. Auf der anderen Seite zeigen die Schreibelektroden 1 und 3, die aus einem Widerstand mit negativem Temperaturkoef- r> > fizienten des Widerstandes bestehen, einen niedrigen Widerstand bei einer hohen Temperatur, wie z. B. der Temperatur Ts auf, so daß die ferroelektrische Platte mittels Anlegen einer Polspannung an die Schreibelektroden 2 und 3 in eine Richtung umgepolt werden ·>" können, wenn die ferrcHcktrische Platte auf einer hohen Temperatur, wie z.B. der Temperatur Ts gehalten wird. Der temperaturabhängige Widerstand mit dem negativen Temperaturkoeffizienten kann ausIn Fig. 3 typical temperature-resistance characteristics are shown by curves 31 and 32. The curve 31 IABT see a gradual drop in the resistance when the temperature rises, and the i. Curve 32 shows a sudden drop of the resistance at the switching temperature Ts latter should be lower than the Curie temperature Tc are the ferroelectric plate. The writing electrodes 2 and 3, which consist of a temperature-dependent resistor with a negative temperature coefficient of resistance, have a high resistance at a low temperature, such as. The polarity of the ferroelectric plate can be reversed in a direction 11 by applying a pole voltage to the erasing electrodes 6 and 7 when the ferroelectric plate is kept at a low temperature, such as the temperature RT is. on the other hand show the writing electrodes 1 and 3, consisting of a resistor with a negative Temperaturkoef- r>> coefficient of resistance exist, a low resistance at a high temperature, such as. for example, the temperature Ts, so that the The polarity of the ferroelectric plate can be reversed in one direction by applying a pole voltage to the writing electrodes 2 and 3 if the ferroelectric plate is kept at a high temperature, such as the temperature Ts. The temperature-dependent resistance with the negative temperature coefficient can be derived from geeigneten anorganischen Materialien, wie z. B. Si, Ge, Ag2S, Ag2S-CuS, V2O, VO, VO2Ti2O3 oder organischen Materialien, wie lsoviolanthron hergestellt werden.suitable inorganic materials, such as. B. Si, Ge, Ag 2 S, Ag 2 S-CuS, V 2 O, VO, VO 2 Ti 2 O 3 or organic materials such as isoviolanthrone can be produced.

Aus obigen Darlegungen geht hervor, daß die elektrooptische Speichervorrichtung eine reversible Betriebsweise der Bildspeicherung und/oder Anzeige nur bei Veränderung der Temperatur der Platte aufweisen kann.From the above, it can be seen that the electro-optical storage device is a reversible Image storage and / or display mode of operation only when the temperature of the plate changes may have.

Wenn bei der elektrooptischen Speichervorrichtung die ferroelektrische Platte aus einer grobkörnigen Keramik hergestellt worden ist, stellt die Abhängigkeit der lichtstreuenden Eigenschaften von der Ausrichtung der Polarachse des Keramikkörpers relativ zur Fortpflanzungsrichtung des einfallenden Lichtes einen bedeutenden elektrooptischen Effekt dar. Wenn auf der anderen Seite die ferroelektrische Platte aus einer feinkörnigen Keramik hergestellt worden ist, weist die Keramikplatte eine elektrisch veränderbare Doppelbrechung auf. Die Speichervorrichtung ist somit zur Herstellung eines (Bild-)Informations-Speichers und/ oder einer optischen Anzeigevorrichtung geeignetIn the electro-optical memory device, when the ferroelectric plate is made of a coarse-grained Ceramic has been manufactured, represents the dependence of the light-scattering properties on the orientation the polar axis of the ceramic body relative to the direction of propagation of the incident light significant electro-optical effect. If, on the other hand, the ferroelectric plate consists of a Fine-grain ceramic has been produced, the ceramic plate has an electrically variable birefringence. The storage device is thus for Production of an (image) information memory and / or an optical display device

Eine weitere verbesserte Ausführungsform der elektrooptischen Speichervorrichtung ist in Fig.4 dargestellt Die elektrooptische Speichervorrichtung 40 (zur Speicherung einer Information oder zur optischen Anzeige) weist einen transparenten ferroelektrischen Keramikkörper 1, ein Paar transparenter Schreibelektroden 2 und 3, die jeweils an beiden Flächen der ferroelektrischen Platte angeordnet sind, eine fotoempfindliche Schicht 41 zwischen einer der Flächen der ferroelektrischen Platte und einer der transparenten Schreibelektroden, und ein Paar Löschelektroden 6 und 7 auf, die entsprechend an dem jeweiligen Rand der ferroelektrischen Platte gelagert sind.Another improved embodiment of the electro-optical storage device is shown in FIG The electro-optical storage device 40 (for storing information or for optical Display) has a transparent ferroelectric ceramic body 1, a pair of transparent writing electrodes 2 and 3, each on both surfaces of the ferroelectric plate are arranged, a photosensitive layer 41 between one of the surfaces of the ferroelectric plate and one of the transparent writing electrodes, and a pair of erasing electrodes 6 and 7, which are mounted correspondingly on the respective edge of the ferroelectric plate.

Wenn die fotoempfindliche Schicht aus einem fotoleitenden Material, wie z. B. aus CdS und CdSe, hergestellt ist und eine Polspannung 14 an die Schreibelektroden 2 und 3 unter Bestrahlung eines Lichtmusters 42 angelegt worden ist, wird ein Muster, das dem Lichtmuster entspricht, in der ferroelektrischen Platte in Form unterschiedlich polarisierter Zonen des transparenten ferroelektrischen Keramikkörpers gespeichert. Die in der ferroelektrischen Platte gespeicherten Muster können, wie zuvor dargelegt worden ist, zur Herstellung von Informationsspeichern oder optischen Anzeigevorrichtungen verwendet werden.When the photosensitive layer is made of a photoconductive material, such as. B. from CdS and CdSe, is established and a pole voltage 14 to the writing electrodes 2 and 3 under irradiation of a Light pattern 42 has been applied, a pattern corresponding to the light pattern becomes in the ferroelectric Plate stored in the form of differently polarized zones of the transparent ferroelectric ceramic body. The patterns stored in the ferroelectric plate can, as stated above, can be used to manufacture information stores or optical display devices.

Eine weitere verbesserte elektrooptische Speichervorrichtung für eine Informationsspeicherung oder für eine optische Anzeige ist in Fig.5 dargestellt. Die Vorrichtung 50 nach dieser Figur weist einen transparenten ferroelektrischen Keramikkörper 1, ein Paar transparenter Schreibelektroden 2 und 3, die jeweils an den Flächen der ferroelektrischen Platte angeordnet sind, ein Paar fotoempfindlicher Schichten 41 und 51, die jeweils zwischen den Flächen der ferroelektrischen Platte und jeder der transparenten Schreibelektroden 2 und 3 angeordnet sind, und ein Paar Löschelektroden 6 und 7 auf, die jeweils an den entsprechenden Rändern der ferroelektrischen Platte gelagert sind. Diese Speichervorrichtung liefert ein feineres Bild als die Vorrichtung 40 infolge des Vorhandenseins der zusätzlichen fotoempfindlichen Schicht 51.Another improved electro-optic storage device for information storage or for an optical display is shown in FIG. The device 50 of this figure comprises a transparent ferroelectric ceramic body 1, a pair transparent writing electrodes 2 and 3, each arranged on the surfaces of the ferroelectric plate are, a pair of photosensitive layers 41 and 51, each between the surfaces of the ferroelectric Plate and each of the transparent writing electrodes 2 and 3 are arranged, and a pair of erasing electrodes 6 and 7 each supported on the respective edges of the ferroelectric plate. These Storage device provides a finer image than device 40 due to the presence of the additional photosensitive layer 51.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (10)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Elektrooptische Speichervorrichtung mit einer ferroelektrischen Platte, mit einem Paar transparenter Schreibelektroden, die die Lichteintritts- und die '■ Lichtaustrittsfläche der ferroelektrischen Platte bedecken, mit zwei Löschelektroden an zwei sich gegenüberliegenden Rändern der ferroelektrischen Platte, und mit einer Einrichtung zur Veränderung der Temperatur der Platte, dadurch gekenn- i!' zeichnet, daß die Löschelektroden von den Schreibelektroden getrennt sind, und daß die Schreibelektroden eine derartige Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes besitzen und die Temperatur der Platte in der Weise steuerbar ist, daß der Widerstand der Schreibelektroden beim Schreibvorgang niedrig und beim Löschvorgang hoch ist1. Electro-optical storage device with a ferroelectric plate, with a pair of transparent writing electrodes that cover the light entry and the '■ light exit surface of the ferroelectric plate, with two erasing electrodes on two opposite edges of the ferroelectric plate, and with a device for changing the temperature of the Plate, marked by this i! 'Draws that the erasing electrodes are separated from the writing electrodes, and that the writing electrodes have such a temperature dependency of the electrical resistance and the temperature of the plate is controllable in such a way that the resistance of the writing electrodes is low during the writing process and high during the erasing process 2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ferroelektrische Platte '··' einen transparenten ferroelektrischen Keramikkörper aufweist2. Storage device according to claim 1, characterized in that the ferroelectric plate '··' has a transparent ferroelectric ceramic body 3. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der temperaturabhängige Widerstand einen positiven Temperaturkoeffizien- -'· ten des elektrischen Widerstandes aufweist3. Storage device according to claim 1, characterized in that the temperature-dependent Resistance has a positive temperature coefficient - 'th of the electrical resistance 4. Speichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß die Kennlinie des temperaturabhängigen Widerstandes einen Sprungpunkt bei einer Schalttemperatur Ts aufweist, und daß die '·" Schalttemperatur Ts niedriger als die Curie-Temperatur Tc der ferroelektrischen Platte ist4. Memory device according to claim 3, characterized in that the characteristic curve of the temperature-dependent resistance has a jump point at a switching temperature Ts , and that the '· " switching temperature Ts is lower than the Curie temperature Tc of the ferroelectric plate 5. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der temperaturabhängige Widerstand einen negativen Temperaturkoeffizien- · ten des elektrischen Widerstandes aufweist.5. Storage device according to claim 1, characterized in that the temperature-dependent Resistance has a negative temperature coefficient of electrical resistance. 6. Speichervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet daß die Kennlinie des temperaturabhängigen Widerstandes einen Sprungpunkt bei einer Schalttemperatur Ts aufweist, und daß die "; Schalttemperatur Ts niedriger als die Curie-Temperatur 7cder ferroelektrischen Platte ist.6. The memory device according to claim 5, characterized in that the characteristic of the temperature-dependent resistor has a jump point when a switching temperature Ts, and that the "; switching temperature Ts lower 7cder than the Curie temperature of the ferroelectric plate. 7. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche fotoempfindliche Schicht zwischen einer der Flächen der "''' ferroelektrischen Platte und einer der Schreibelektroden angeordnet ist.7. Storage device according to claim 1, characterized in that an additional photosensitive Layer between one of the faces of the "'"' ferroelectric plate and one of the writing electrodes is arranged. 8. Speichervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoempfindliche Schicht aus fotoleitendem Material besteht. ''8. Storage device according to claim 7, characterized in that the photosensitive layer made of photoconductive material. '' 9. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Paar zusätzlicher fotoempfindlicher Schichten derart angeordnet ist, daß jede der zusätzlichen fotoempfindlichen Schichten zwischen jeweils einer der Flächen der ferroelektri- ' sehen Platte und je einer der Schreibelektroden angeordnet ist9. Storage device according to claim 1, characterized in that a pair of additional photosensitive Layers is arranged such that each of the additional photosensitive layers between one of the surfaces of the ferroelectric 'see plate and one of the writing electrodes is arranged 10. Speichervorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoempfindlichen Schichten aus einem fotoleitenden Material bestehen. ''fl 10. Storage device according to claim 9, characterized in that the photosensitive layers consist of a photoconductive material. '' fl
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19819542A1 (en) * 1998-04-30 1999-11-11 Siemens Ag Circuit arrangement with a sensor element and a non-volatile memory

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69223183T2 (en) * 1991-06-10 1998-07-23 Sharp Kk Non-volatile memory device
US5361170A (en) * 1992-06-11 1994-11-01 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Polygonal mirror

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19819542A1 (en) * 1998-04-30 1999-11-11 Siemens Ag Circuit arrangement with a sensor element and a non-volatile memory
DE19819542C2 (en) * 1998-04-30 2002-10-24 Infineon Technologies Ag Circuit arrangement with a sensor element and a non-volatile memory

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