DE2436255A1

DE2436255A1 - Electronic switch free from attenuation - is for SC switches points in space division multiplex switching panels in telephone exchanges

Info

Publication number: DE2436255A1
Application number: DE2436255A
Authority: DE
Inventors: Erich Dipl Phys Baechle; Friedrich Dipl Ing Laemmel
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1974-07-27
Filing date: 1974-07-27
Publication date: 1976-02-05
Also published as: DE2436255C3; DE2436255B2

Abstract

SC elements are inserted into the signal lines as switching components; they have sufficient gain in both transmission direction for at least elimination of their attenuation, and are controllable, stable in no-load condition negative resistors in series with a positive resistor, with the negative resistance absolute value at least equal to the positive resistance, as in 2156166. The above negative resistor consists of a combination of an n-p-n transistor (Ts1) and a p-n-p transistor (Ts2); one input of the negative resistor is the junction point between the n-p-n transistor emitter and a resistor (RC2), and the other is the junction point between a first resistor (RC1) and a second resistor (R3); the diode (D) polarity is such that it is blocked by a base voltage blocking the n-p-n transistor.

Description

"Dämpfungsfreier elektrenischer Schalter" Zusatz zu Patent . ... ... (Patentanmeldung P 21 56 166.0) Die Erfindung betrifft einen dämpfungsfreien elektronischen Schalter, insbesondere als Halbleiterkoppelpunkt in Raumvielfachkoppelfeldern der Fernsprechvermittlungstechnik, bei den als Durchschalteelemente in den Nachrichtenleitungen liegende Halbleiter vorgesehen sind, die gleichzeitig zu einer derartigen Entdämpfung der durchgeschalteten Signale in beiden Übertragungsrichtungen ausgenutzt werden, daß ihre Durchschaltdämpfung zumindest aufgehoben wird, bei dem die Durchschaltebalbleiter als steuerbarer, leerlaufstabiler Negativwiderstanc in Serie mit einem ohmschen Widerstand geschaltet sind und bei den der Absolutwert des Ne. gativwiderstandes mindecns denselben Wert wie der ohmsche Widerstand aufweist (nach Pat.Anm. P 21 56 166.0). "Attenuation-free electrical switch" addendum to patent. ... ... (Patent application P 21 56 166.0) The invention relates to a damping-free electronic switch, in particular as a semiconductor coupling point in space-division switching networks the telephone switching technology, in the case of switching elements in the communication lines lying semiconductors are provided, which simultaneously lead to such undamping the switched signals are used in both transmission directions, that their through-through attenuation is at least canceled at which the through-through semiconductor as a controllable, no-load stable negative resistance in series with are connected to an ohmic resistor and in which the absolute value of the Ne. negative resistance at least has the same value as the ohmic resistance (according to patient note P 21 56 166.0).

Aus der Patentanmeldung 21 56 166.0 ist ein dämpfungsfreier elektronischer Schalter bekannt, dessen leerlaufstabiler Negativwiderstand aus der Kombination eines NPN-Transistors Ts1 dessen und eines PNP-Transistors Ts2 besteht und / Kollektor- und Basisanschlüsse jeweils miteinander verbunden sind (Figur 1) Ein ohmscher Widerstand RE2 ist sn den Emitteranschluß des PNP-Transistors und ein ohmscher Widerstand RB an dessen Basis anschluß jeweils mit einem Ende angeschlossen, während die bei den anderen Enden miteinander verbunden sind. Ein weiterer ohmscher Widerstand R ist einerseits am Verbindungspunkt vom Basisanschluß des NPN-Transistors und Kollektoranschluß des PNP-Transistors, andererseits an gemeinsamen Verbindungapunkt der beiden anderen Widerstande angeschaltet.From the patent application 21 56 166.0 is a damping-free electronic Known switch, the negative resistance of which is stable when idling from the combination an NPN transistor Ts1 and a PNP transistor Ts2 and / collector and base connections are each connected to one another (Figure 1) An ohmic resistor RE2 is the emitter connection sn of the PNP transistor and an ohmic resistor RB connected to its base connection each with one end, while the other ends are connected to each other. Another ohmic resistor R is on the one hand at the connection point of the base connection of the NPN transistor and the collector connection of the PNP transistor, on the other hand at the common connection point of the other two Resistors switched on.

Bei dieser bekannten Schaltung ergibt sich der Gesamtwiderstand Z des Koppelpunktes zu Z # R1 + R ( 1/B1 - RB/RE2).In this known circuit, the total resistance Z results of the crosspoint to Z # R1 + R (1 / B1 - RB / RE2).

ist der mit den leerlaufstabilen Negativwiderstand in Serie geschaltete ohmsche Widerstand, dessen Widerstandswert gleich dem Betrag des Negativwiderstandswertes sein soll.is the negative resistance connected in series with the idling stable Ohmic resistance, the resistance value of which is equal to the amount of the negative resistance value should be.

ist der Stromverstärkungsfaktor des Uransistors Tsl in Emitterschaltung.is the current amplification factor of the U-transistor Tsl in the emitter circuit.

Dämpfungsfreiheit des Koppelpunktes besteht dann, wenn Z = 0 ist.The coupling point is not attenuated when Z = 0.

Ein Koppelbaustein mit derartigen dämpfungsfreien Halbleiterkoppelpunkten ist in der Regel nur in Hybridtechlik (Dickfilm-oder Dünnfilmtechnik) realisierbar. Eine monolithische Integration dieses dämpfungsfreien Koppelpunktes in Koppelbausteinen ist praktisch nicht möglich, weil die ß1-Toleranzen zu groß sind und sich in erheblichem Maße auf den Wert des Negativwiderstandes auswirken.A coupling module with such attenuation-free semiconductor coupling points can usually only be implemented in hybrid technology (thick-film or thin-film technology). A monolithic integration of this attenuation-free coupling point in coupling modules is practically not possible because the ß1 tolerances are too large and in considerable Dimensions affect the value of the negative resistance.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem dämpfengsfreien elektronischen Schalter der eingangs genannten Art die aufgezeigten Nachteile zu beseitigen. Insbesondere soll ei dämpfungsfreier elektronischer Schalter angegeben werden, der sich problemlos, also olme große Fertigungstoleranzen, monolithisch integrieren läßt.The invention is based on the object of a damping-free electronic switch of the type mentioned above, the disadvantages shown remove. In particular, an electronic switch that is free of attenuation should be specified that can be monolithic without problems, i.e. olme large manufacturing tolerances can be integrated.

Die Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 genannte Erfindung gelöst. Der negative. Widerstand des Schalters ist bei genügend hohen Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren Tsl und Ts2 praktisch nur noch von den Widerstandstoleranzen seiner Widerstände abhängig. Für einen Negativwiderstand von - 100Jl 1äBt sich beispielsweise ein Gesamtwiderstand Z = 0 mit einem maximalen Fehler von etwa + 1 # realisieren.The object is achieved by the invention mentioned in claim 1. The negative one. The resistance of the switch is at sufficiently high current amplification factors of the transistors Tsl and Ts2 practically only from the resistance tolerances of its Resistances dependent. For example, for a negative resistance of - 100Jl 1 Realize a total resistance Z = 0 with a maximum error of about + 1 #.

Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben. Der Schalter läßt sich in einfacher Weise über die Basis des NPN-Transistors steuern. Hierzu wird diese zweckmäßigerweise mit dem Kollektoranschluß eines Steuertransistors verbunden. Die Schaltung ist dann in vorteilhafter Weise als Koppelpunkt einsetzbar.Advantageous further developments and refinements of the invention are specified in the subclaims. The switch can be over in a simple manner control the base of the NPN transistor. For this purpose, this is expediently with the Collector terminal of a control transistor connected. The circuit is then more advantageous Way can be used as a coupling point.

Wird jedoch ein derartiger Koppelpunkt in einem Koppelbaustein verwendet, in welchem mehrere Koppelpunkte in integrierter Form zusammengefaßt sind, so ist nachteilig, daß eine zusätzliche Bedämpfung auftritt, wendein Koppelpunkt durch Sperren eines Steuertransistors eingeschaltet ist, während die anderen, an der gleichen Spalte des Koppelfeldes liegenden Koppelpunkte durch ihren leitenden und übersteuerten Steuertransistor gesperrt zweite sind. Der/Widerstand R3 des gesperrten Koppelpunktes liegt dann über den leitenden Steuertransistor praktisch an Masse und bedingt eine zusätzliche Querdämpfung des durchgeschalteten Leitungszugs. Daher wird in einer Weiterbildung der Erfindung vorgeschlagen, zwischen dem Basisanschluß des NPN-Transistors und dem zweiten Widerstand einen weiteren Transistor zu schalten, dessen Emitter mit der Basis des NPiS-Transistors und dessen Kollektor mit dem zweiten Widerstand verbunden ist und dessen Basis von einem zweiten Steuertransistor Ts 5 gesteuert ist.However, if such a coupling point is used in a coupling module, in which several crosspoints are combined in an integrated form, so is disadvantageous that an additional attenuation occurs, turning a coupling point through Locking one control transistor is on, while the other, on the same Column of the switching matrix lying crosspoints by their conductive and overdriven Control transistor locked second are. The / resistor R3 of the blocked crosspoint then lies Practically to ground via the conductive control transistor and requires additional transverse attenuation of the connected cable run. Therefore is proposed in a further development of the invention, between the base connection of the NPN transistor and the second resistor to switch another transistor, its emitter with the base of the NPiS transistor and its collector with the second Resistor is connected and the base of a second control transistor Ts 5 is controlled.

Die Weiterbildung nach Anspruch 4 gibt eine vorteilhafte Lösung zur Ansteuerung dieses weiteren Transistors.The development according to claim 4 is an advantageous solution Control of this further transistor.

Die Erfindung wird nun anhand von Zeich1ungen näher erläutert.The invention will now be explained in more detail with reference to drawings.

Es zeigen: Figur 2 Schaltung eines dämpfungsfreien Halbleiterkoppel-.The figures show: FIG. 2 circuit of an attenuation-free semiconductor coupling device.

punktes gemäß der Erfindung, Figur 3 Schaltung der Weiterbildung zur Verwendung des Halbleiterkoppelpunktes in einem Koppelbaustein Figur 4 Schaltung eines Koppelbausteins mit Koppelpunkten gemäß Figur 3. point according to the invention, Figure 3 circuit of the development for the use of the semiconductor coupling point in a coupling module Figure 4 circuit a coupling module with coupling points according to FIG. 3.

In Figur 2 ist die Schaltung eines dämpfungsfreien Halbleiterkoppelpunktes gemäß der Erfindung dargestellt. Als Durchschaltelemente sind in der Nachrichtenleitung 1, 2, liegende Halbleiter Tsi und Us2 vorgesehen, die gleichzeitig zu einer Entdänpfung der durchgeschalteten Signale in beiden flbertragungsrichtungen ausgenutzt werden, daß ihre Durchschaltdämpfung zumindest aufgehoben wird. Die Durchschaltehalbleiter sind als steuerbarer, leerlaufstabiler Negativwiderstand in Serie mit einem ohmschen Widerstand R1 geschaltet und der Absolutwert des Negativwiderstandes weist mindestens denselben Wert auf wie der ohmsche Widerstand R1.In Figure 2 is the circuit of an attenuation-free semiconductor coupling point shown according to the invention. As switching elements are in the message line 1, 2, lying semiconductors Tsi and Us2 are provided, which at the same time lead to a de-steaming the switched signals are used in both directions of transmission, that their attenuation is at least canceled. The switching semiconductors are as controllable, no-load stable negative resistance in series with an ohmic Resistor R1 switched and the absolute value of the negative resistance has at least the same value as the ohmic resistance R1.

Der leerlaufstabile Negativwderstand besteht aus der Kombination eines l'N-Transistors Ts1 und eines PNP-Transistors Ts2.The no-load stable negative resistance consists of the combination of one l'N transistor Ts1 and a PNP transistor Ts2.

Der Kollektor des NPN-Transisotrs ist mit der Basis des PNP-Transistors direkt verbunden und mit dem Emitter des PNP-Transistors über einen ersten Widerstand RC1. Außerdem ist die Basis des NPN-Transistors an den Emitter des PNP-Transistors über einen zweiten Widerstand R3 und an den Kollektor des PNP-Transistors über eine Reihenschaltung eines dritten Widerstandes R2 und einer Diode D angeschlossen. Ferner ist der Emitter des NPN-Transistors mit dem Kollektor des PNP-Transistors über einen vierten Widerstand RC2 verbunden.The collector of the NPN transistor is with the base of the PNP transistor connected directly and to the emitter of the PNP transistor via a first resistor RC1. In addition, the base of the NPN transistor is connected to the emitter of the PNP transistor via a second resistor R3 and to the collector of the PNP transistor via a Series connection of a third resistor R2 and a diode D connected. Further is the emitter of the NPN transistor with the collector of the PNP transistor via a fourth resistor RC2 connected.

Der eine Eingang des Negativwiderstandes, an dem im Ausführungsbeispiel der Figur 1 der ohmsche Widerstand R1 angeschlossen ist, ist der Verbindungspunkt des Emitters des NPN-Transistors mit dem vierten Widerstand Rö2. Als anderer Eingang des Negativwiderstandes dient der Verbindungspunkt des ersten Widerstandes RC1 mit dem zweiten Widerstand R3.The one input of the negative resistance on the one in the exemplary embodiment the figure 1 the ohmic resistor R1 is connected, is the connection point of the emitter of the NPN transistor with the fourth resistor Rö2. As another entrance the connection point of the first resistor RC1 is used for the negative resistance the second resistor R3.

Die Diode, welche in Reihe mit dem dritten Widerstand R2 geschaltet ist, ist derart gepolt, daß sie durch eine den SPN-Transistor Tsl sperrende Basisspannung ebenfalls gesperrt ist.The diode, which is connected in series with the third resistor R2 is, is polarized such that it is through a base voltage blocking the SPN transistor Tsl is also blocked.

Der Basisanschluß des NPN-Transistors Ts1 ist in an sich bekannter Weise mit dem Kollektor eines Steuertransistors Ts3 verbunden.The base connection of the NPN transistor Ts1 is known per se Way connected to the collector of a control transistor Ts3.

Der dämpfungsfreie Schalter ist zwischen den Sekundärwicklungen der Übertrager Ue1 und Ue2 geschaltet. Das eine Ende der Sekundärwicklung des Übertragers Ue1 liegt an Nasse und damit am negativen Pol der Betriebsspannungsquelle U0. Das andere Ende 1 der Sekundärwicklung ist über den zum dämpfungsfreien Schalter gehörenden ohmschen Widerstand R1 am Emitter des Transistors Ts1 des bereits beschriebenen Negativwiderstandes angeschlossen.The attenuation-free switch is between the secondary windings of the Transformer Ue1 and Ue2 switched. One end of the secondary winding of the transformer Ue1 is connected to Nasse and thus to the negative pole of the operating voltage source U0. That the other end 1 of the secondary winding is above the switch belonging to the attenuation-free switch Ohmic resistance R1 at the emitter of the transistor Ts1 of the already described Negative resistance connected.

Der andere Anschluß des Negativwiderstandes, also der Verbindungspunkt der Widerstände R3, R01 und des Emitters.des Transistors Ts2,führt zum Anschluß 2 der Sekundärwicklung des tbertragers Ue2. Das nicht am Schalter angeschlossene Ende der Sekundärwicklung des übertragers Ue2 liegt durch einen Kondensator für Wechselstrom auf Masse und ist durch den Widerstand R0 mit dem positiven Pol der Betriebsspannungsquelle Uo verbunden.The other connection of the negative resistance, i.e. the connection point the resistors R3, R01 and the emitter of the transistor Ts2 leads to the connection 2 of the secondary winding of the transformer Ue2. The one not connected to the switch The end of the secondary winding of the transformer Ue2 is through a capacitor for AC current to ground and is through the resistor R0 to the positive pole of the Operating voltage source Uo connected.

Der Negativwiderstand entspricht in diesem Falle einem zweistufigen,mitgekoppelten Gleichstromverstärker, der als Zweipol betrieben ist. Die Mitkopplung erfolgt vom Kollektor des Transistors Us2 auf die Basis des Transistors Us1 über den Widerstand R2 und die Diode.In this case, the negative resistance corresponds to a two-stage, co-coupled one DC amplifier that is operated as a two-pole. The coupling takes place from Collector of transistor Us2 to the base of transistor Us1 via the resistor R2 and the diode.

Die Kennlinie des Negativwiderstandes entspricht der in der DOS 2 156 166 angegebenen.The characteristic curve of the negative resistance corresponds to that in DOS 2 156 166 specified.

Die Wirkungsweise dieses dämpfungsfreien Schalters ist folgende: Wird der Steuertransistor Ts3 durch die Steuerspannung Ust an seiner Basis gesperrt, dann stellen sich die Transistoren Ts1 und Ts2 auf einen durch den Widerstand R0 und die Versorgungsspannung U0 bestimmten Strom ein und der Schalter nimmt einen definierten negativen Widerstandswert an, der durch den ohmschen Widerstand R1 kompensiert wird und so die Dämpfungsfreiheit des Schalters bewirkt.The mode of operation of this attenuation-free switch is as follows: Will the control transistor Ts3 blocked by the control voltage Ust at its base, then the transistors Ts1 and Ts2 turn to one through the resistor R0 and the supply voltage U0 a certain current and the switch takes a defined negative resistance value, which is compensated by the ohmic resistor R1 and thus the attenuation of the switch is effected.

Wird hingegen der Steuertransistor Ts3 durch die Steuerspanrnmg Ust leitend gesteuert und übersteuert, dann wird die Diode D durch die negative Emittervorspannung U1 des Transistors Ts3 in Sperrichtung vorgespannt. Die negative Kollektorspannung des Steuertransistors Ts3 bewirkt außerdem, daß die Transistoren Tsl und Ts2 gesperrt werden, da für den Transistor Ts1 die Basis negativ gegen seinen Emitter wird und der damit gesperrte Kollektorstrom an den Kollektorwiderstand RC1 keinen Spannungsabfall verursacht, so|daß auch an der Basis-Emitterstrecke des Transistors Ts2 keine Spannung liegt und damit der Transistor Ts2 ebenfalls gesperrt ist.If, however, the control transistor Ts3 is controlled by the control voltage Ust Conducted and overdriven, then the diode D is made by the negative emitter bias U1 of the transistor Ts3 biased in the reverse direction. The negative collector voltage of the control transistor Ts3 also causes the transistors Tsl and Ts2 to be blocked because the base of the transistor Ts1 becomes negative with respect to its emitter and the thus blocked collector current to the collector resistor RC1 no voltage drop so that there is also no voltage at the base-emitter path of the transistor Ts2 is and thus the transistor Ts2 is also blocked.

Der Gesamtwiderstand Z des Koppelpunktes ist gegeben durch die Gleichung Z # R1 - R3 # RC2/R2 In dieser Gleichung ist lediglich vorausgesetzt, daß die Emitter-Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren Ts1 und Ts2 genügend groß sind, daß sie beispielsweise > 80 sind. eines Bei der monolithischen Realisierung / Koppelbausteins mit diesen dämpfungsfreien Halbleiterkoppelpunkten hängt es also nur noch von.den monolithischen Koppelpunktwiderständen ab, wie groß die Abweichung von der Dämpfungsfreiheit (Z = 0) eines ist. Der Wert monolithischen Widerstandes Rn ist gegeben durch die Beziehung Rm = RFlm/bm In dieser Gleichung bedeuten: RF Flächenwiderstand lm Widerstandslänge bm Widerstandsbreite.The total resistance Z of the coupling point is given by the equation Z # R1 - R3 # RC2 / R2 In this equation it is only assumed that that the emitter current amplification factors of the transistors Ts1 and Ts2 are sufficient are large, for example> 80. one in the monolithic realization / Coupling module with these attenuation-free semiconductor crosspoints it depends only from the monolithic crosspoint resistors, how big the deviation of the freedom from damping (Z = 0) is one. The value of monolithic resistance Rn is given by the relationship Rm = RFlm / bm In this equation: RF Sheet resistance lm resistance length bm resistance width.

Der Flächenwiderstand RF ist auf einem Halbleiterchip zumindest bis zur Größe eines Koppelbausteins (maximal 5 #5 mm2) mit Sicherheit konstant. Die Widerstandslänge 1m und die Widerstandsbreite bm sind mit einem maximalen Fehler von 2/o behaftet, wobei die Bezugsgröße die kleinst-, mögliche Länge bzw. Breite des Widerstandes ist, die hier mit 15 /um zugrundegelegt wurde.The sheet resistance RF is at least up to on a semiconductor chip to the size of a coupling module (maximum 5 # 5 mm2) with certainty constant. the Resistance length 1m and resistance width bm have a maximum error affected by 2 / o, the reference value being the smallest possible length or width of the resistance, which was taken as a basis here with 15 / µm.

Zweckmäßigerweise werden sämtliche integrierten Widerstände mit konstanter Widerstandsbreite von beispielsweise 30 /um hergestellt. Es läßt sich dann ein monolithisch integrierter Koppelbaustein mit diesen entdämpften Halbleiterkoppelpunkten realisieren, der nur mit einem relativ geringen Fehler vom gewünschten Gesamtwiderstand Z = 0 abweicht. Für einen Negativwiderstand von -100JL ist beispielsweise eine Kompensation auf Z = 0 mit einem maximalen Fehler von etwa + 1J1'möglich.Expediently, all integrated resistances are constant Resistance width of, for example, 30 / .mu.m. It can then be monolithic Realize an integrated coupling module with these undamped semiconductor coupling points, the one with only a relatively small error of the desired total resistance Z = 0 deviates. For example, a negative resistance of -100JL is a compensation on Z = 0 with a maximum error of about + 1J1 'possible.

Bei Verwendung des erfindungsgemäßen dämpfungsfreien Schalters als Koppclpunkt in einem Koppelfeld ist jedoch von Nachteil, daß eine zusätzliche Bedämpfung auftritt, wenn ein Koppelpunkt durch Sperren eines Steuertransistors Ts3 eingeschaltet ist, während die anderen, an der gleichen Spalte liegenden Koppelpunkte durch ihren leitenden und iibersteuerten Transistor Ts3 gesperrt sind. Der Widerstand R3 des gesperrten Koppelpunktes liegt über dem leitenden Steuertransistor Us3praktisch an Nasse und bedingt eine zusätzliche Querdämpfung des durchgeschalteten Beitungszugs.When using the attenuation-free switch according to the invention as However, the coupling point in a switching network has the disadvantage that additional attenuation occurs when a crosspoint is turned on by blocking a control transistor Ts3 is, while the other, lying on the same column crosspoints through their conductive and overdriven transistor Ts3 are blocked. The resistor R3 of the The blocked coupling point is practically above the conductive control transistor Us3 in wet conditions and requires additional lateral damping of the activated support train.

In Figur 3 ist eine Weiterbildung der Erfindung gezeigt, bei der dieser genannte Nachteil vermieden wird. Hier ist zwischen dorn Basisanschluß des NPN-Transistors Ts1 und dem zweiten Widerstand R3 ein weiterer Transistor 1s4 geschaltet, dessen Emitter mit der Basis des NPN-Transistors und dessen Kollektor mit dem zweiten Widerstand verbunden ist und dessen Basis von einem zweiten Steuertransistor Ts5 gesteuert ist. Der Emitteranschluß des Transistors Ts2 ist praktisch mit der gleichen Spannung wie der Emitteranschluß des Transistors Ts3 negativ vorgespannt. Im Ausführungsbeispiel wurde eine gleiche Vorspannung -U1 gewählt. Die Basisanschlüsse der Transistoren Ts3 und Ts5 sind hier direkt miteinander verbunden. Der Kollektor des Transistors Ts5 ist über einen Kollektorwiderstand R4 an einer Spannungsquelle U2 angeschlossen.In Figure 3, a development of the invention is shown in which this mentioned disadvantage is avoided. Here is between mandrel base connection of the NPN transistor Ts1 and the second resistor R3 another transistor 1s4 connected, its emitter with the base of the NPN transistor and its collector is connected to the second resistor and the base of a second control transistor Ts5 is controlled. The emitter connection of the transistor Ts2 is practically with the the same voltage as the emitter terminal of the transistor Ts3 negatively biased. In the exemplary embodiment, the same bias voltage -U1 was selected. The basic connections the transistors Ts3 and Ts5 are directly connected to one another here. The collector of the transistor Ts5 is connected to a voltage source via a collector resistor R4 U2 connected.

Eine ähnliche Schaltung zur Abschaltung eines dampfenden Widerstandes in einem Koppelpunkt wurde bereits in der Anmel-(UL 74/71) dung . ... ... beschrieben, so daß hier auf eine nähere Beschreibund verzichtet werden kann.A similar circuit for switching off a steaming resistor in a coupling point was already in the application (UL 74/71). ... ... described, so that a more detailed description can be dispensed with here.

(UL 74/71) In der Anmeldung . ... ... ist in Figur 4 die Schaltung eines Koppelbausteins mit dämpfungsfreien elektronischen Koppelpunkten unter Verwendung jeweils zweier Steuertransistoren je Koppelpunkt angegeben. (UL 74/71) In the application. ... ... is the circuit in Figure 4 a coupling module with attenuation-free electronic coupling points using two control transistors per crosspoint specified.

Figur 4 der vorliegenden Anmeldung zeigt den entsprechenden Koppelbaustein init den erfindungsgemäßen Koppelpunkten genäs Figur 3. Ein derartiger Koppelbaustein enthält beispielsweise 5 . 4 Koppelpunkte.Figure 4 of the present application shows the corresponding coupling module With the coupling points according to the invention as shown in FIG. 3. Such a coupling module for example contains 5. 4 crosspoints.

Die Teilnehmer Tln i (i = 1...5) sind über Übertrager und hondensatoren C, welche dafür sorgen, daß die Übertrager in der Teilnchmerschaltung gleichstromfrei bleiben, mit den Eingängen E1...E5 des Koppelbausteins verbunden. An diesen Ein.-gängen sind hier jeweils 4, in der gleichen Zeile liegende Koppelpunkte angeschlossen. Zwei an den Baustein angeschlossene Teilnehmer Tln werden beispielsweise dann über eine Spaltenleitung Spk dämpfungsfrei miteinander verbunden, wenn die entsprechenden Steuertransistoren Ts3 über die dazugehörigen Steueranschlüsse Stik gesperrt werden (i = 1...5; k = 1...4).The participants Tln i (i = 1 ... 5) are via transformers and capacitors C, which ensure that the transformers in the subscriber circuit are free of direct current remain connected to the inputs E1 ... E5 of the coupling module. At these entrances 4 crosspoints in the same row are connected here. Two subscribers Tln connected to the module are then, for example, via a column line Spk connected to one another without attenuation if the corresponding Control transistors Ts3 are blocked via the associated control connections Stik (i = 1 ... 5; k = 1 ... 4).

Zur Arbeitspunkteinstellung der dämpfungsfreien Halbleiterkoppelpunkte sind dabei in die Zeilenspalten stromeinprägende bipolare Transistoren TEi (i = = 1 .5) bzw. TAk(h = 1.. .4) vorgesehen, die praktisch keinen Beitrag zur Einfügungsdämpfung liefern. Die Spaltenstromquellen TA1...TA4 können auch durch Speisedrosseln ersetzt werden.For setting the operating point of the attenuation-free semiconductor coupling points are bipolar transistors TEi (i = = 1 .5) or TAk (h = 1 .. .4) are provided, which practically do not contribute to the insertion loss deliver. The column current sources TA1 ... TA4 can also be replaced by feed chokes will.

Mit den erfindungsgemäßen Koppelpunkten gemäß Figur 3 mit R1 = 100# , R2 = 600# , R3 = 1 k# , RC2 = 60# und RC1 = 2 k und bei Betriebsspannungswerten Uo = 24 V, U1 = 2 V, U2 = UB = 12 V, UE = 4 V und einem Arbeitspunktgleichstrom von 8 mA, der mit den Stromquellen TEi und TAK für den durchgeschalteten dämpfungsfreien Halbleiterkoppelpunkt eingestellt wird, habe die einzelnen Koppelpunkte des vollständig monolithisch integrierten Koppel bausteins folgende Eigenschaften: Durchschaltwiderstand - 1# ...0...+ 1# Sperrdänpfung > gG dB bezogen auf 600# bei f = 3 kHz Klirrdämpfung für die 2. und 3. harmonische > 50 dBWith the coupling points according to the invention according to Figure 3 with R1 = 100 # , R2 = 600 #, R3 = 1 k #, RC2 = 60 # and RC1 = 2 k and for operating voltage values Uo = 24 V, U1 = 2 V, U2 = UB = 12 V, UE = 4 V and an operating point direct current of 8 mA, the one with the current sources TEi and TAK for the switched through attenuation-free Semiconductor crosspoint is set, the individual crosspoints of the completely monolithically integrated coupling module has the following properties: Through resistance - 1 # ... 0 ... + 1 # blocking attenuation> gG dB related to 600 # at f = 3 kHz distortion attenuation for the 2nd and 3rd harmonic> 50 dB

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Damping-free electronic switch, in particular as a semiconductor cross-point i @ Paumvielfachkoppelfeldern of the telephone exchange technology, at deri there is a half-gate in the communication lines as switching elements are provided, which at the same time to such a de-attenuation of the switched through Signals are used in both transmission directions that their throughput loss is at least canceled, in which the switching semiconductors are used as controllable, No-load stable negative resistance connected in series with an ohmic resistance and in which the absolute value of the negative resistance is at least the same value as the ohmic resistance has (according to Pat. Note P 21 56 166) characterized by that the no-load stable negative resistance from the combination of an NPN transistor (Ts1) and a PNP transistor (Ts2), the collector of the NPN transistor with the base of the PNP transistor directly and with the emitter of the PNP transistor the base of the NPN transistor to the emiter of the PNP transistor via a first resistor through a second resistor (R3) and to the collector of the PNP transistor a series connection of a third resistor (R2) and a diode (D) and the Emitter of the NPN transistor with the collector of the PNP transistor via a fourth Resistor (RC2) are connected that one input of the negative resistance of the Connection point of the emitter of the NPN transistor with the fourth 'o' resistor and the other input of the negative resistance is the connection point of the first resistance with the second resistor and that the diode is polarized in such a way that it is through a base voltage blocking the NTN transistor is also blocked.

2. Switch according to claim, characterized in that the base of the NPN transistor is connected to the collector of a first control transistor (Ts3) is.

3. Switch according to claim 2, characterized in that there; 3 between the base terminal of the NPN transistor and the second resistor a welterer transistor (Ts4) is connected, its emitter with the base of the NPN transistor and its Collector connected to the second resistor and its base from a second Control transistor (Ts5) is controlled.

4. Switch according to claim 3, characterized in that the base-emitter paths of the first and second control transistor gelelnscam are activated and the collector of the second control transistor with the base of the further transistor (Ts4) to its Controller is connected.

L e r s e i t e