DE2428489B2 - GAMMA CORRECTION - Google Patents

GAMMA CORRECTION

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DE2428489B2 DE19742428489 DE2428489A DE2428489B2 DE 2428489 B2 DE2428489 B2 DE 2428489B2 DE 19742428489 DE19742428489 DE 19742428489 DE 2428489 A DE2428489 A DE 2428489A DE 2428489 B2 DE2428489 B2 DE 2428489B2
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Description

4040

Die Erfindung betrifft eine Gamma-Korrekturschaltung mit einem Bildsignalverstärker, an dessen Ausgangsklemme eine Halbleiterschaltung mit nichtlinearer Charakteristik angeschlossen ist, die mindestens eine steuerbare Diodenschaltung enthält, deren Anode mit der Ausgangsklemme des Verstärkers verbunden ist.The invention relates to a gamma correction circuit with an image signal amplifier at its output terminal a semiconductor circuit with non-linear characteristics is connected to the at least contains a controllable diode circuit, the anode of which is connected to the output terminal of the amplifier is.

Eine Gamma-Korrekturschaltung wird ebenfalls als Gradations-Entzerrungsschaltung bezeichnet. Eine solche Schaltung wird beispielsweise bei einer Farbfernsehkamera verwandt, damit diese Gamma-Charakteristiken, nämlich nichtlineare Eingangs-Ausgangs-Charakteristiken, zeigt. Wenn bei einer Farbbildröhre die Helligkeit bzw. die Leuchtdichte direkt proportional einem Signal sein könnte, das dem Gitter geliefert wird, dann hätte die Farbbildröhre lineare Eingangs-Ausgangs-Charakteristiken und würde ein ideales Bild reproduzieren. Tatsächlich ist die Helligkeit jedoch proportional etwa der 2,2ten Potenz des Gittereingangssignals, was zu nicht linearen Eingangs-Ausgangs-Cha- fo rakteristiken der Farbbildröhre führt. Wenn daher von einer Farbfernsehkamera ein Ausgangssignal, ■ das einem Gegenstand im Vordergrund der Kamera entspricht, unverändert einer Farbfernsehröhre geliefert wird, dann werden sich nicht nur die Helligkeit, sondern auch die Farbabstufung und die Farbart auf dem Schirm der Farbbildröhre stark von dem unterscheiden, was direkt von dem Gegenstand im Vordergrund der Kamera aufgenommen worden ist Die obengenannten beträchtlichen, nicht-linearen Eingangs-Ausgangs-Charakteristiken der Farbbildröhre werden daher durch das Entgegenwirken der nicht-linearen Eingangs-Ausgangs-Charakteristiken einer Gamma-Korrekturschaltung ausgeglichen, deren Eingangsamplitude nahezu proportional einer Potenz des Reziprokwertes von etwa 2,2 der Amplitude des Eingangssignals ist Damit wird die Helligkeit einer Farbbildröhre nahezu direkt proportional zu einem Eingangssignal einer Farbfernsehkamera, wodurch eine lineare Beziehung dazwischen erzielt wird und eine genaue Wiedergabe des Bildes eines Gegenstandes im Vordergrund der Kamera auf dem Schirm einer Bildröhre möglich wird.A gamma correction circuit is also referred to as a gradation equalization circuit. Such Circuitry is used, for example, in a color television camera related so that these gamma characteristics, namely non-linear input-output characteristics, shows. If in a color picture tube the brightness or the luminance is directly proportional could be a signal supplied to the grating, then the color picture tube would have linear input-output characteristics and would reproduce an ideal image. In fact, however, the brightness is proportional roughly the 2.2th power of the grid input signal, resulting in non-linear input-output chafo characteristics of the color picture tube leads. Therefore, when an output signal from a color television camera, the corresponds to an object in the foreground of the camera, delivered unchanged to a color television tube then not only the brightness, but also the color gradation and the hue on the The screen of the color picture tube is very different from what is directly from the object in the foreground Camera has the above significant, non-linear input-output characteristics of the color picture tube are therefore made by counteracting the non-linear input-output characteristics a gamma correction circuit, the input amplitude of which is almost This is proportional to a power of the reciprocal of about 2.2 of the amplitude of the input signal the brightness of a color picture tube is almost directly proportional to an input signal of a color television camera, thereby achieving a linear relationship therebetween and an accurate representation of the image of an object in the foreground of the camera on the screen of a picture tube becomes possible.

Die eingangs genannte aus »Einführung in die Fernsehtechnik«, Band 2 von W. D i 11 e η b u r g e r bekannte Gamma-Korrekturschaltung weist einen Bildsignalverstärker und eine erste und zweite Diode auf. deren Anoden parallel zur Ausgangsklemme des Verstärkers über entsprechende Widerstände geschaltet sind und deren Kathoden Steuersignale geliefert werden. Wenn die Ausgangsspannung vom Verstärker ansteigt um die Dioden leitend zu machen, liefern die Widerstände, die zwischen den Verstärker und die Dioden geschaltet sind, einen zum Verstärker parallelen Widerstand.The one mentioned at the beginning, known from "Introduction to Television Technology", Volume 2 by W. D i 11 e η b u r g e r Gamma correction circuit has an image signal amplifier and first and second diodes. their anodes are connected in parallel to the output terminal of the amplifier via appropriate resistors and whose cathode control signals are supplied. When the output voltage from the amplifier increases to make the diodes conductive, provide the resistors between the amplifier and the diodes are connected, a resistor parallel to the amplifier.

Wenn die Steuerspannung, die der Kathode der zweiten Diode geliefert wird, so gewählt ist, daß ihr Pegel über dem der Steuerspannung liegt, die der ersten Kathode geliefert wird, dann werden die erste und die zweite Diode nacheinander mit dem Anstieg der Ausgangsspannung vom Verstärker leitend gemacht, wodurch der Ausgangsklemme des Verstärkers ein ansteigender Widerstand gegeben, und der Verstärkungsgrad des Verstärkers verändert wird. Daher werden die Eingangsi-Ausgangs-Charakteristiken des Verstärkers verändert, wenn die erste und die zweite Diode leitend werden. Da die Einschaltspannung der Dioden der Steuerspannung ihrer Kathoden entspricht, ergeben die Eingangs-Ausgangs-Charakteristiken der bekannten Gamma-Korrekturschaltung eine polygonale Kurve, bei der die Punkte, an denen sich die Charakteristik ändert, den Einschaltspannungen der Dioden entsprechen. Eine herkömmliche Gamma-Korrekturschaltung. die so aufgebaut ist, wie es oben beschrieben wurde liefert damit eine polygonale Gamma-Charakteristik. die einer entgegenwirkenden, nicht linearen Eingangs-Ausgangs-Charakteristik nahekommt, die die wesentliche, nicht-lineare Eingangs-Ausgangs-Charakteristik der Bildröhre ausgleicht.If the control voltage supplied to the cathode of the second diode is chosen so that you Level is above that of the control voltage that is supplied to the first cathode, then the first and the second diode is made conductive one after the other with the increase in the output voltage from the amplifier, whereby the output terminal of the amplifier is given an increasing resistance and the gain of the amplifier is changed. Hence the Input / output characteristics of the amplifier changed when the first and second diodes are conductive will. Since the switch-on voltage of the diodes corresponds to the control voltage of their cathodes, the result Input-output characteristics of the known gamma correction circuit a polygonal curve, at which the points at which the characteristic changes correspond to the switch-on voltages of the diodes. A conventional gamma correction circuit. which is structured as described above thus provides a polygonal gamma characteristic. that of a counteracting, non-linear input-output characteristic that compensates for the essential, non-linear input-output characteristic of the picture tube.

Die bekannte Gamma-Korrekturschaltung hat jedoch den Nachteil, daß sie durch eine Änderung der Umgebungstemperatur beträchtlich beeinflußt wird Die Sperrschaltung in Durchlaßrichtung fällt mit ansteigender Umgebungstemperatur und steigt mit der Abnahme der Umgebungstemperatur an. Damit ändert sich auch die Einschaltspannung der Diode mit def Umgebungstemperatur. Wenn infolge einer steigender Temperatur die Einschaltspannung kleiner wird, fälli der Widerstand im Ausgangskreis des Verstärkers, was zu einer Abnahme der Ausgangsspannung der Gamma-Korrekturschaltung führt. Mit ansteigender Umgebungstemperatur werden daher die Punkte der polygo nalen Gamma-Charakteristik, an denen sich die Cha rakteristik ändert, zu kleineren Ausgangsspannunger der Gamma-Korrekturschaltung verschoben, was zi einer Änderung der Gamma-Charakteristik führt.However, the known gamma correction circuit has the disadvantage that by changing the Ambient temperature is influenced considerably. The blocking circuit in the forward direction falls with increasing Ambient temperature and increases as the ambient temperature decreases. That changes the switch-on voltage of the diode with the ambient temperature. If the switch-on voltage becomes smaller as a result of a rising temperature, it falls the resistance in the output circuit of the amplifier, which leads to a decrease in the output voltage of the gamma correction circuit leads. As the ambient temperature rises, the points of the polygo nal gamma characteristics, at which the characteristic changes, to lower output voltages shifted the gamma correction circuit, which leads to a change in the gamma characteristic.

Die Änderung der Gamma-Charakteristik beeinflußiThe change in the gamma characteristic influences

;in Bild auf dem Schirm einer Bildröhre, so daß eine genaue Wiedergabe des Bildes eines Gegenstands im Vordergrund unmöglich wird. Um diese Schwierigkeiten zu Oberwinden, ist einmal versucht werden., die Diode in einem Thermostaten zu halten, und zum anderen die Amplitude des Verstärkers zu erhöhen, um das Videosignal zu vergrößern und dadurch die Änderung dt r Sperrspannung in Durchlaßrichtung der Diode relativ herabzusetzen.; in picture on the screen of a picture tube, so that an accurate reproduction of the picture of an object in the Foreground becomes impossible. In order to overcome these difficulties, one should try once, the diode keep in a thermostat, and secondly to increase the amplitude of the amplifier to the video signal to increase and thereby the change dt r reverse voltage in the forward direction of the diode relative to belittle.

Bei dem ersten Verfahren ist jedoch Zeit erforderlieh, bis die Gamma-Korrekturschaltup.g ihren normalen Betrieb aufnimmt, und zum anderen wird die Schaltung infolge ihres zusätzlichen Energiebedarfs zum Aufrechterhalten einer konstanten Temperatur sehr umfangreich, so daß ihre praktische Verwendung fehigeschlagen ist Das zweite Verfahren wird von dem Nachteil einer maximalen Energieaufnahme beghitet und liefert Schwierigkeiten beim Integrieren der Gamma-Korrekturschaltung. Ein weiterer Nachteil der herkömmlichen Gamma-Korrekturschaltung liegt darin, daß sie eine polygonale Charakteristik verwendet, die einer nicht-linearen Gamma-Charakteristik nahekommt, die die wesentliche, nicht-lineare Eingangs-Ausgangs-Charakteristik der Bildröhre ausgleicht. Aus der DT-OS 15 49 620 ist eine Korrekturschaltung mit nicht-linearer Charakteristik bekannt, die mehrere zu einem Lastwiderstand parallel geschaltete Dioden und mehrere zugehörige Emitterfolgertransistoren aufweht und Änderungen der Umgebungstemperatur geringfügig kompensiert.The first method, however, requires time until the gamma correction circuit starts its normal operation, and on the other hand the circuit very extensive due to their additional energy requirement to maintain a constant temperature, so that their practical use is defeated. The second method suffers from the disadvantage a maximum power consumption and provides difficulties in integrating the gamma correction circuit. Another disadvantage of the conventional gamma correction circuit is that that it uses a polygonal characteristic that approximates a non-linear gamma characteristic, which compensates for the essential, non-linear input-output characteristics of the picture tube. the end the DT-OS 15 49 620 is a correction circuit with non-linear characteristics known that several to a load resistor blows up diodes connected in parallel and several associated emitter follower transistors and changes in ambient temperature are slightly compensated.

Es ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, eine Gamma-Korrekturschaltung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß sich bei einem einfachen Aufbau eine gegenüber jeder Änderung der Umgebungstemperatur stabile Gamma-Charakteristik ergibt.It is the object of the invention to provide a gamma correction circuit of the type mentioned at the beginning Kind to train in such a way that with a simple structure there is a change in the ambient temperature stable gamma characteristic results.

Zur Lösung dieser Aufgabe besteht die Halbleiterschaltung bei der erfindungsgemäßen Gamma-Korrekturschaltung aus einer Anzahi von in Reihe geschalteten Dioden, und steht die Ausgangsklerr.me der Halbleiterschaltung mit der Ausgangsklemme eine Emitterfolgertransistorschaltung mit mehreren in Kaskade geschalteten Emittertransistoren in Verbindung, deren Eingangsklemme das Steuersignal zugeführt wird.The semiconductor circuit in the gamma correction circuit according to the invention is used to achieve this object from a number of diodes connected in series, and the output terminal of the semiconductor circuit is available with the output terminal an emitter follower transistor circuit with several in cascade Emitter transistors in connection, the input terminal of which the control signal is fed to.

Eine in dieser Weise ausgebildete Schaltung zeigi einen stetigen Verlauf der Gamma-Charakteristik und ist leicht integrierbar.A circuit designed in this way shows a steady course of the gamma characteristic and is easy to integrate.

Im folgenden wird an Hand der Zeichnung ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung näher erläutert. In the following a preferred one is based on the drawing Embodiment of the invention explained in more detail.

F i g. 1 zeigt das Schaltbild einer Gamma-Korrekiur- w schaltung;F i g. 1 shows the circuit diagram of a gamma Korrekiur- w circuit;

F i g. 2 zeigt die Gamma-Charakterisiik der in F 1 g. 1 dargestellten Schaltung;F i g. 2 shows the gamma characteristics of the in FIG. 1 g. 1 circuit shown;

F i g. 3 zeigt die Stromspannungscharaktenstik einer Diode nach Maßgabe der Temperatur,F i g. 3 shows the voltage characteristics of a Diode according to the temperature,

Fig.4 zeigt die Charakteristik der Basis-Emitter-Spannung eines NPN-Transistors nach Maßgabe der Temperatur;Fig. 4 shows the characteristics of the base-emitter voltage an NPN transistor according to the temperature;

F i g. 5 zeigt das Schaltbild der Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gamma-Korrekturschaltung;F i g. Fig. 5 shows the circuit diagram of the embodiment of the gamma correction circuit according to the invention;

F i g. 6A und 6B geben Vergleiche des zeitlichen Verlaufs der Spannung eines Eingangssignal und der Spannung eines Ausgangssignals der in F i g. 5 dargestellten Ausführungsform;F i g. 6A and 6B give comparisons of the time course of the voltage of an input signal and the Voltage of an output signal of the in FIG. 5 illustrated embodiment;

F i g. 7 zeigt die Eingangs-Ausgangs-Charakteristik einer Diode zur Erläuterung der in F i g. 5 dargestellten Ausführungsform.F i g. 7 shows the input-output characteristic of a diode for explaining the functions in FIG. 5 shown Embodiment.

In Fi g. 1 ist eine in der aus der DT-OS 15 49 620 bekannten Weise ausgebildete Gamma-Korrekturschaltung dargestellt Ein Eingangsbiidsignal wird in ein Eingangssignal £";mit Hilfe einer Schwarzwert-Wiedergabe in einer nicht dargestellten Klemmschaltung umgewandelt. Das Eingangssignal £ wird durch einen Verstärker mit einem NPN-Transistor 1 verstärkt. Die Ausgangsklemme des Verstärkers oder der Kollektor des Transistors 1 steht über einen Belastungswiderstand 2 mit einer positiven Spannungsquelle Eb und über die entsprechenden Widerstände 3 und 4 mit den Anoden der Dioden 5 und 6 in Verbindung.In Fi g. 1 shows a gamma correction circuit formed in the manner known from DT-OS 15 49 620. An input image signal is converted into an input signal £ "with the aid of a black level display in a clamping circuit (not shown) an NPN transistor 1. The output terminal of the amplifier or the collector of the transistor 1 is connected to a positive voltage source Eb via a load resistor 2 and to the anodes of the diodes 5 and 6 via the corresponding resistors 3 and 4.

Die Kathoden der Dioden 5 und 6 stehen jeweils mit den Emitter-Ausgangsklemmen der Transistoren 7 und 8 in Verbindung, von denen jeder eine Emitterfolgerschaltung bildet. Die Emitter der Transistoren 7 und 8 sind jeweils über die Widerstände 9 und 10 geerdet, und die Kollektoren der Transistoren 7 und 8 stehen gemeinsam mit der positiven Quelle Eb in Verbindung. Steuersignale £1 und £2 werden jeweils den Basen der Transistoren 7 und 8 geliefert. Das Kollektorausgangssignal des Transistors 1 bildet das Ausgangssignal Eo der Gamma-Korrekturschaltung.The cathodes of the diodes 5 and 6 are connected to the emitter output terminals of the transistors 7 and 8, each of which forms an emitter follower circuit. The emitters of the transistors 7 and 8 are grounded through the resistors 9 and 10, respectively, and the collectors of the transistors 7 and 8 are commonly connected to the positive source Eb . Control signals £ 1 and £ 2 are supplied to the bases of transistors 7 and 8, respectively. The collector output signal of the transistor 1 forms the output signal Eo of the gamma correction circuit.

Im folgenden wird an Hand der F i g. 2 bis 4 die Arbeitsweise der oben beschriebenen Gamma-Korrekturschaltung näher erläutert.In the following, on the basis of FIG. 2 to 4 the mode of operation the above-described gamma correction circuit explained in more detail.

Wenn das Steuersignal £1 einen höheren Spannungspegel als das Steuersignal Ei hat, zeigt die Gamma-Charakteristik eine gerade Linie O-£i in F i g. 2, bevor die Anodenspannung der Diode 5 einen Wert gleich der Summe der Emitterspanrung des Transistors 7 und der Sperrspannung in Durchlaßrichtung der Diode 5 erreicht. Wenn die Anodenspannung diese Summe übersteigt, wird die Diode 5 leitend, und der Widerstand 3 parallel zum Transistor 1 geschaltet, wodurch der Verstärkungsgrad des Transistors 1 herabgesetzt wird. Dann verläuft die Gamma-Charakteristik längs einer Linie £i-£2 in Fig. 2. Wenn die Ausgangsspannung des Transistors 1 weiter ansteigt und die Anodenspannung der Diode 6 einen Wert gleich der Summe der Sperrspannung in Durchlaßrichtung der Diode 6 und der Emitterspannung des Transistors 8 übersteigt, wird die Diode 6 leitend. Zu diesem Zeitpunkt wird der Widerstand 4 ebenfalls parallel zum Transistor 1 geschaltet, was eine weitere Herabsetzung des Verstärkungsgrades bewirkt. Dann verläuft die Gamma-Charakteristik längs einer Linie Ei-P in F i g. 2. Die Ausgangsspannung Eo an dem Punkt, an dem sich die Gamma-Charakteristik ändert, ist eine Funktion der Steuersignale £1 und £2, die den Basen der jeweiligen Transistoren 7 und 8 geliefert werden. Daher sind die Punkte, an denen sich die Charakteristik ändert, in F 1 g. 2 mit h und Ei bezeichnet. Die in F i g. 1 dargestellte Gamma-korrekturschaitung zeigt eine polygonale Charakteristik, wie sie in F i g. 2 dargestellt ist, und diese polygonale Charakteristik kommt der gewünschten Gamma-Charakteristik nahe. Eine bestimmte Gamma-Charakteristik kann dadurch erreicht werden, daß die Stev'irspannungen £1. £2 oder der Widerstandswer der Widerstände 3 und 4 geeignet gewählt werden.When the control signal £ 1 has a higher voltage level than the control signal Ei , the gamma characteristic shows a straight line O- £ i in FIG. 2, before the anode voltage of the diode 5 reaches a value equal to the sum of the emitter voltage of the transistor 7 and the reverse voltage in the forward direction of the diode 5. If the anode voltage exceeds this sum, the diode 5 becomes conductive and the resistor 3 is connected in parallel to the transistor 1, whereby the gain of the transistor 1 is reduced. Then the gamma characteristic runs along a line £ i- £ 2 in Fig. 2. When the output voltage of the transistor 1 increases further and the anode voltage of the diode 6 has a value equal to the sum of the reverse voltage in the forward direction of the diode 6 and the emitter voltage of the transistor 8 exceeds, the diode 6 is conductive. At this point in time, the resistor 4 is also connected in parallel with the transistor 1, which brings about a further reduction in the gain. Then the gamma characteristic is along a line Ei-P in FIG. 2. The output voltage Eo at the point where the gamma characteristic changes is a function of the control signals £ 1 and £ 2 supplied to the bases of the transistors 7 and 8, respectively. Therefore, the points at which the characteristic changes are in F 1 g. 2 marked with h and egg . The in F i g. The gamma correction circuit shown in FIG. 1 shows a polygonal characteristic as shown in FIG. 2, and this polygonal characteristic approximates the desired gamma characteristic. A certain gamma characteristic can be achieved in that the Stevir stresses £ 1. £ 2 or the resistance value of resistors 3 and 4 can be selected appropriately.

Die Temperaturkompensation bei der Gamma-Kor rekturschaltung von F 1 g. 1 erfolgt auf die folgende Weise.The temperature compensation in the gamma correction circuit of F 1 g. 1 follows on from the following Way.

Entsprechend der Stromspannungscharakteristik de Dioden 5 und 6 fällt die Sperrspannung in Durchlaß richtung progressiv mit dem Anstieg der Umgebungs temperaturen 71, Ti und Ti in der genannten Reihen folge ab. Wie es in F i g. 4 dargestellt ist, fällt auch dii Basis-Emitterspannung Vbe der Transistoren 7 und IAccording to the voltage characteristics of the diodes 5 and 6, the reverse voltage drops in the forward direction progressively with the increase in ambient temperatures 71, Ti and Ti in the order mentioned. As shown in FIG. 4, the base-emitter voltage Vbe of transistors 7 and I also falls

mit ansteigender Umgebungstemperatur ab, da die Spannung Vteder Transistoren 7 und 8 der Sperrspannung in Durchlaßrichtung der Dioden 5, 6 entspricht. Wenn daher die Steuerspannungen £i und Ei konstant gehalten werden, steigt die Emiuerspannung an und kommt der Basisspannung mit ansteigender Tempera tür näher. Mit fallender Temperatur fällt ebenfalls die Emitterspannung, so daß sie sich mehr von der Basisspannung unterscheidet.with increasing ambient temperature, since the voltage Vt of the transistors 7 and 8 corresponds to the reverse voltage in the forward direction of the diodes 5, 6. If, therefore, the control voltages £ i and Ei are kept constant, the emission voltage rises and approaches the base voltage as the temperature rises. As the temperature falls, the emitter voltage also falls, so that it differs more from the base voltage.

Bei der Gamma-Korrekturschaltung werden die Ausgangsspannungen der Emitterfolgertransistoren 7. 8 den Kathoden der Dioden 5,6 jeweils geliefert, wie es oben besschrieben wurde. Während eine ansteigende Umgebungstemperatur ein Abfallen der Sperrspannung der Dioden 5 und 6 in Durchlaßrichtung verursacht und damit deren Einschaltspannung herabsetzt, bewirkt die ansteigende Temperatur einen Abfall der Basis-Emitterspannung Vbe der Transistoren 7 und 8 und einen Anstieg ihrer Emitterspannung und der Kathodenspannung der Dioden 5 und 6, wodurch die Einschaltspannung der Dioden ebenfalls ansteigt. Dem Absinken der Eirschaltspannung infolge der Verringerung der Sperrspannung in Durchlaßrichtung der Dioden 5 und 6 wirkt daher der Anstieg ihrer Kathodenspannung entgegen. jsIn the gamma correction circuit, the output voltages of the emitter follower transistors 7, 8 are supplied to the cathodes of the diodes 5, 6, as described above. While a rising ambient temperature causes the reverse voltage of the diodes 5 and 6 to drop in the forward direction and thus reduces their switch-on voltage, the rising temperature causes the base-emitter voltage Vbe of the transistors 7 and 8 to drop and their emitter voltage and the cathode voltage of the diodes 5 and to rise 6, whereby the switch-on voltage of the diodes also increases. The decrease in the switching voltage as a result of the reduction in the reverse voltage in the forward direction of the diodes 5 and 6 is therefore counteracted by the increase in their cathode voltage. js

Wenn die Umgebungstemperatur abfällt, arbeitet die Gamma-Korrekturschaltung in umgekehrter Weise und wirkt der resultierende Effekt den Dioden entgegen. When the ambient temperature drops, the Gamma correction circuit works in reverse and the resulting effect counteracts the diodes.

Die Einschaltspannung der Dioden 5 und 6 wird unabhängig von einer sich ändernden Umgebungstemperatur konstant gehalten, indem Änderungen in der Sperrspannung in Durchlaßrichtung der Dioden 5 und 6 durch Änderungen in der Basis-Emitterspannung der Transistoren 7, 8 ausgeglichen werden. Seblst wenn sich die Umgebungstemperatur ändert, werden daher die Punkte E\ und Ei der in F i g. 2 dargestellten polygonalen Charakteristik, an denen sich diese ändert. nicht verschoben, so daß die Gamma-Charakteristik der in F i g. 1 dargestellten Gamma-Korrekiurschaltung stabil bleibt. Die Verwendung einer Emitterfolger-Schaltung mit einer sehr geringen Ausgangsimpedanz beeinträchtigt nicht die gewünschte Gamma-Charakteristik. The switch-on voltage of the diodes 5 and 6 is kept constant regardless of a changing ambient temperature, in that changes in the reverse voltage in the forward direction of the diodes 5 and 6 are compensated for by changes in the base-emitter voltage of the transistors 7, 8. Therefore, even when the ambient temperature changes, the points E \ and Ei become the one in FIG. 2 shown polygonal characteristics, at which this changes. not shifted, so that the gamma characteristic of FIG. 1 shown gamma correction circuit remains stable. The use of an emitter follower circuit with a very low output impedance does not affect the desired gamma characteristic.

Bei der in F i g. 1 dargestellten Schaltung sind zwei Dioden parallel zu dem Belastungswiderstand geschaltet, wodurch die Annäherung an die gewünschte Gamma-Charakteristik durch das Auftragen von zwei Punkten £1, £2. an denen sich die Charakteristik ändert, erfolgt. Es ist offensichtlich, daß die Anzahl der Dioden nicht auf zwei beschränkt ist und wenigstens eine Diode parallel zum Verstärker geschaltet sein kann. Eine größere Anzahl von parallel geschalteten Dioden führt zu einer größeren Anzahl von aufzutragenden Punkten. an denen sich die Charakteristik ändert. An Stelle der 5S Dioden 5 und 6 können Transistoren in Diodenschaltung verwandt werden.In the case of the in FIG. 1 are two circuits Diodes are connected in parallel to the load resistor, thereby approximating the desired gamma characteristic by adding two points £ 1, £ 2. at which the characteristic changes takes place. It is obvious that the number of diodes is not limited to two and at least one diode can be connected in parallel to the amplifier. A larger number of diodes connected in parallel leads to a larger number of points to be applied. at which the characteristic changes. Instead of the 5S Diodes 5 and 6 can be used as transistors in a diode circuit.

F i g. 5 zeigt eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltung, bei der ein Bildsignal mit positiver Polarität von einer Klemme 11 über einen Kondensator 12 der Basis eines N PN-Transistors 13 geliefert wird. Ein positiver Klemmschaltungsimpuls wird von der Klemme 14 über den Kondensator 15 der Basis des Transistors 16 geliefert. Dieser Transistor 16 ist ein Schalttransistor zur Pegelhaltung und wird nur dann leitend gemacht, wenn er mit einem Klemmschaltungsimpuls versorgt wird, so daß die Basisspannung des Transistors 13 auf einen vorgeschriebenen Wert festgelegt ist. Der Transistor 16 schaltet im allgemeinen einmal während der Austastlücke des Videosignals. Durch dieses Schalten wird ein Eingangsvideosignal einer Schwarzwertwiedergabe unterworfen. Ein so in Form eines Gleichstroms wiedergegeb"nes Eingangssignal £ wird durch einen Differentialverstärker mit NPN-Transistoren 13,17 verstärkt. Die Emitter dieser NPN-Transistoren 13, 17 sind über eine Konstantstromquelle 18 geerdet. Die positive Spannungsquelle £e ist mit dem Kollektor des Transistors 17 über den Belastungswiderstand 19 gekoppelt. Die Basis des Transistors 17 wird mit einer Vorspannung mit bestimmtem Pegel versorgt. Die positive Spannungsquelle Eb steht ebenfalls mit dem Kollektor des Transistors 13 in Verbindung.F i g. 5 shows an embodiment of the circuit according to the invention, in which an image signal with positive polarity is supplied from a terminal 11 via a capacitor 12 to the base of an N PN transistor 13. A positive clamp circuit pulse is provided from terminal 14 through capacitor 15 to the base of transistor 16. This transistor 16 is a switching transistor for level holding and is made conductive only when it is supplied with a clamping circuit pulse, so that the base voltage of the transistor 13 is fixed at a prescribed value. Transistor 16 generally switches once during the blanking interval of the video signal. By this switching, an input video signal is subjected to black level reproduction. An input signal E, which is reproduced in this way in the form of a direct current, is amplified by a differential amplifier with NPN transistors 13, 17. The emitters of these NPN transistors 13, 17 are grounded via a constant current source 18. The positive voltage source E is connected to the collector of the transistor coupled across the load resistor 19 17. the base of transistor 17 is supplied with a bias voltage having a certain level. the positive voltage source Eb is also connected to the collector of the transistor 13 in conjunction.

Eine nicht-lineare Halbleiterschaltung umfaßt eine Reihenschaltung von drei NPN-Transistoren 21 bis 23 in Diodenschaltung, bei der der Kollektor und die Basis jedes Transistors miteinander verbunden sind, damit der Transistor als Diode arbeitet. Der Kollektor des Transistors 21 ist über einen Widerstand 20 mit d<*m Ausgang des Differentialverstärkers. d. h. mit dem Kollektor des Transistors 17. verbunden. Die Emitterfolgerschaltung umfaßt drei NPN-Emitterfolgertransistoren 24 bis 26. die in Kaskade geschaltet sind und den drei Transistoren 21 bis 23 der Diodenschaltung entsprechen. Ihre Emitter sind über die entsprechenden Widerstände 27 bis 29 geerdet. Der Emitter des Transistors 24. der die Ausgangsklemme der Emitterfolgerschaltung bildet, steht mit dem Emitter des Transistors 23 der Reihenschaltung in Verbindung, und die Basis des Transistors 26 der Emiuerfolgerschaltung wird mit dem Steuersignal Ei versorgt. Die Kollektoren der Transistoren 24 bis 26 stehen gemeinsam mit der positiven Spannungsquelle Eb in Verbindung.A non-linear semiconductor circuit comprises a series connection of three NPN transistors 21 to 23 in diode connection, in which the collector and the base of each transistor are connected to one another so that the transistor operates as a diode. The collector of the transistor 21 is via a resistor 20 with d <* m output of the differential amplifier. ie connected to the collector of transistor 17. The emitter follower circuit comprises three NPN emitter follower transistors 24 to 26 which are connected in cascade and which correspond to the three transistors 21 to 23 of the diode circuit. Their emitters are grounded via the corresponding resistors 27 to 29. The emitter of transistor 24, which forms the output terminal of the emitter follower circuit, is connected to the emitter of transistor 23 of the series circuit, and the base of transistor 26 of the emitter follower circuit is supplied with the control signal Ei. The collectors of the transistors 24 to 26 are jointly connected to the positive voltage source Eb.

Wie es in den F i g. 6a und 6B dargestellt ist, steigt das Ausganpssignai Ev der in F i g. 5 dargestellten Gamma-Korreklurschaltung in nicht linearer Form an. wenn das Eingangssignal E, linear abnimmt. Wenn die in F i g. 5 dargestellte Gamma-Korrekturschaltung mit einer steigenden Eingangsspannung £ beaufschlagt wird, werden die Transistoren 21 bis 23 leitend. Dann werden der Widerstand 20 und eine Belastungsreihenschaltung, die die Widerstandskomponenten der Transistoren 21 bis 23 in Diodenschaltung umfaßt, parallel zum Differentialverstärker geschaltet, wodurch eine Abnahme des Verstärkungsgrades entsprechend der Änderung des Widerstandswertes der Belastungsreihenschaltung verursacht wird.As shown in Figs. 6a and 6B, the output signal Ev increases in that of FIG. 5 in a non-linear form. when the input signal E, decreases linearly. If the in F i g. 5, the gamma correction circuit shown is applied with an increasing input voltage £, the transistors 21 to 23 become conductive. Then, the resistor 20 and a load series circuit comprising the resistor components of the transistors 21 to 23 in diode connection are connected in parallel to the differential amplifier, thereby causing the gain to decrease in accordance with the change in the resistance value of the load series circuit.

Die Gamma-Charakteristik der in F i g. 5 dargestellten Gamma-Korrekturschaltung wird später erläutert. In F i g. 7 ist die Stromspannupgscharakteristik einei Diode mit 1 bezeichnet. Die mit II bezeichnete Strorr.-spannungscharakteristik dreier Dioden zeigt einen vergrößerten nicht-linearen Bereich bezüglich einer vorgeschriebenen Spannungsamplitude des Eingangssignals. Im nicht-linearen Bereich der Stromspannungscharakteristik der Diode nimmt nicht-linear die Widerstandskomponente der Diode umso mehr ab, je höher die Spannung eines Eingangssignals wird. Bei der in F i g. 5 dargestellten Gamma-Korreklurschaltung führt die steigende Spannung eines Eingangssignal zu einer nicht-linearen Abnahme des Belastungswiderstandes, der den Gesamtwiderstand der Widerstandskomponenten der in Reihe geschalteten drei Transistoren 21 bis 23 enthält, wodurch eine nicht-lineare Änderung des Ausgangssginals Eo der Gamma-Korrekturschaltung in Abhängigkeit von der Änderung des Belastungswiderstands hervorgerufen wird, wie es in F i g. 6A und 6BThe gamma characteristic of the in FIG. 5 will be explained later. In Fig. 7 the Stromspannupgscharakteristik a diode with 1 is designated. The current-voltage characteristic of three diodes, labeled II, shows an enlarged non-linear range with respect to a prescribed voltage amplitude of the input signal. In the non-linear range of the voltage characteristic of the diode, the non-linear resistance component of the diode decreases the higher the voltage of an input signal. In the case of the in FIG. 5, the increasing voltage of an input signal leads to a non-linear decrease in the load resistance, which contains the total resistance of the resistance components of the series-connected three transistors 21 to 23, whereby a non-linear change in the output signal Eo of the gamma correction circuit in Depending on the change in load resistance, as shown in FIG. 6A and 6B

ge Τι dc he ra tu Scge Τι dc he ra tu Sc

ru diiru dii

be be D(be be D (

scl 21scl 21

ka au wi Tr ge c.n eh· cir stc Tr, ab; dc au; bei Enka au wi Tr ge c .n eh · cir stc Tr, ab; dc au; at En

dargestellt ist. Die Gamma-Charakteristik der Gamma-Korrekturschaltung von Fi g. 5 leitet sich aus der Impedanzcharakteristik der Widerstandskomponenten der Transistoren 21 bis 23 in Diodenschaltung mit steigender Spannung des Eingangssignals Eo bei leitenden Transistoren 21 bis 23 ab. Die Gamma-Charakteristik der Gamma-Korrekturschaltung von F i g. 5 zeigt daher einen stetigeren Verlauf als die polygonale Charakteristik der in F i g. 1 dargestellten Gamm-Korrekturschaltung. Daher liefert die in F i g. 5 dargestelle Schaltung eine Gamma-Charakteristik, die die Eingangs-Ausgangs-Charakteristik einer Farbbildröhre noch wirkungsvoller korrigiert.is shown. The gamma characteristic of the gamma correction circuit of Fig. 5 is derived from the impedance characteristic of the resistance components of the transistors 21 to 23 in diode connection with increasing voltage of the input signal Eo when the transistors 21 to 23 are conducting. The gamma characteristic of the gamma correction circuit of FIG. 5 therefore shows a more continuous course than the polygonal characteristic of that in FIG. 1 gamma correction circuit shown. Therefore, in FIG. 5 shows a gamma characteristic which corrects the input-output characteristic of a color picture tube even more effectively.

Wenn die Gamma-Charakteristik geändert werden soll, ist es empfehlenswert, den Widerstandswert des Widerstands 20 oder die Steuerspannung Ej zu ändern, wodurch die Arbeitsspannung der Transistoren 21 bis 23 verändert wird. Die F i g. 6A und 6B zeigen Änderungen in der Kurve der Gamma-Charakteristik, wenn die Steuerspannung Ei verschiedene Werte aufweist. Die F i g. 6A und 6B zeigen jeweils die Charakteristik bei einer Steuerspannung Ei von 5,8 V oder 5,6 V. Dabei ergibt sich ein Gamma-Wert T' = 0,7 oder 0,45. Der Gamma-Wert bezeichnet den Exponenten, in der die Gamma-Kurve darstellenden Funktion.When the gamma characteristic is to be changed, it is recommended to change the resistance value of the resistor 20 or the control voltage Ej, thereby changing the operating voltage of the transistors 21-23. The F i g. 6A and 6B show changes in the curve of the gamma characteristic when the control voltage Ei has different values. The F i g. 6A and 6B each show the characteristic for a control voltage Ei of 5.8 V or 5.6 V. This results in a gamma value T '= 0.7 or 0.45. The gamma value is the exponent in the function that represents the gamma curve.

Bei der in Fig.5 dargestellten Gamma-Korrekturschaltung, bei der die Reihenschaltung der Transistoren 21 bis 23 in Diodenschaltung und der Kreis der in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren 24 bis 26 aus der gleichen Anzahl von Transistoren gebildet sind, wird eine Änderung in der Basis-Emitterspannung der Transistoren 21 bis 23 infolge einer Änderung der Umgebungstemperatur durch eine Änderung der Basis-Emitterspannung der Transistoren 24 bis 26 ausgeglichen. Eine steigende Umgebungstemperatur führt zu einer abnehmenden Basis-Emitterspannung der Transistoren 21 bis 23. wodurch die Einschaltspannung der Transistoren 21 bis 23 auf einen geringeren Pegel herabgesetzt wird. Da jedoch die Basis-Emitterspannung der Transistoren 24 bis 26 ansteigt, steigt die Emitter ausgangsspannung des Transistors 24 bezüglich derselben Steuerspannung Ei an. wodurch ein Anstieg der Emitterklemmenspannung des Transistors 23 verursacht wird. Als Folge davon wird die Einschaltspannung der Transistoren 21 bis 23 auf einen höheren Pegel angehoben. Unabhängig von einer Änderung der Umgebungstemperatur ändern sich daher weder die Kollektorklenimenspannung des Transistors 21 noch folglich die Ausgangsspannung Eoder Gamma-Korrekturschaltung. Die Gamma-Charakteristik der in F i g. 5 dargestellten Gamma-Korrekturschaltung wird daher durch die Umgebungstemperatur nicht beeinflußt. Da die Emitter der Transistoren 25, 26 über die Widerstände 28, 29 geerdet sind, ist der Kollektor-Emitter-Strom der Transistoren relativ hoch. Demzufolge sind die Eingangsimpedanz des Transistors 24 und daher seine Emitterimpedanz und Emitterspannung gering. Änderungen der Emitterspannung des Transistors 24 haben somit nur einen geringen Einfluß auf das Ausgangssignal Eo, so daß die Gamma-Korrekturschaltung stabil arbeitet.In the gamma correction circuit shown in FIG. 5, in which the series connection of the transistors 21 to 23 in diode connection and the circuit of the cascaded emitter follower transistors 24 to 26 are formed from the same number of transistors, there is a change in the base-emitter voltage of the transistors 21 to 23 due to a change in the ambient temperature by a change in the base-emitter voltage of the transistors 24 to 26 compensated. A rising ambient temperature leads to a decreasing base-emitter voltage of the transistors 21 to 23, whereby the switch-on voltage of the transistors 21 to 23 is reduced to a lower level. However, since the base-emitter voltage of the transistors 24 to 26 increases, the emitter output voltage of the transistor 24 increases with respect to the same control voltage Ei . thereby causing the emitter terminal voltage of the transistor 23 to rise. As a result, the turn-on voltage of the transistors 21 to 23 is raised to a higher level. Regardless of a change in the ambient temperature, therefore, neither the collector core voltage of the transistor 21 nor, consequently, the output voltage E or the gamma correction circuit change. The gamma characteristic of the in FIG. The gamma correction circuit shown in FIG. 5 is therefore not influenced by the ambient temperature. Since the emitters of the transistors 25, 26 are grounded via the resistors 28, 29, the collector-emitter current of the transistors is relatively high. As a result, the input impedance of transistor 24, and therefore its emitter impedance and emitter voltage, are low. Changes in the emitter voltage of the transistor 24 thus have only a slight influence on the output signal Eo, so that the gamma correction circuit operates stably.

Wenn die in F i g. 5 dargestellte Schaltung in i.itegrierter Form ausgeführt wird, können die Charaktcristika der Transistoren 21 bis 23 die gleichen wie die der Transistoren 24 bis 26 sein. Damit ist die in F i g. 5 dargestellte Schaltung wie die in F i g. 1 dargestellte Schaltung integrierbar.If the in F i g. 5 shown circuit in integrated Form is carried out, the characteristics of the transistors 21 to 23 can be the same as those of the Transistors 24-26. This is the in F i g. 5 shown circuit like that in F i g. 1 circuit shown integrable.

Bei der in F i g. 5 dargestellten Ausführungsform können die drei Transistoren 21 bis 23 in Diodenschaltung durch drei Dioden ersetzt werden.In the case of the in FIG. In the embodiment shown in FIG. 5, the three transistors 21 to 23 can be connected in a diode circuit be replaced by three diodes.

Die Anzahl der Transistoren, die für den Schaltkreis der in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren verwandt werden, ist nicht auf drei begrenzt. Die erfindungsgemäße Gamma-Korrekturschaltung kann ebenfalls einen Schaltkreis mit in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistorcn enthalten, die aus irgendeiner anderen Anzahl von Transistoren gebildet sind. Es ist ebenfalls möglich, eine Anzahl von Stufen parallel zum, Verstärker zu schalten, von denen jede eine Reihenschaltung von Transistoren und einen Schaltkreis von in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren enthält. The number of transistors that make up the cascaded emitter follower transistor circuit used is not limited to three. The gamma correction circuit according to the invention can also contain a circuit with cascaded emitter follower transistors consisting of any other number of transistors are formed. It is also possible to have a number of stages parallel to the, To switch amplifiers, each of which is a series connection of transistors and a circuit of Contains emitter follower transistors connected in cascade.

Bei den beschriebenen Ausführungsformcn wurden NPN-Transistoren verwandt. Erfindungsgemäß können mit dem gleichen Effekt auch PNP-Trar.si^toren Verwendung finden.In the embodiments described, NPN transistors were used. According to the invention can with the same effect also PNP- Trar.si ^ toren use Find.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Gamma-Korrekturschaltung mit einem Bildsignalverstärker, an dessen Ausgangsklemme eine Halbleiterschaltung mit nichtlinearer Charakteristik angeschlossen ist, die mindestens eine steuerbare Diodenschaltung enthält, deren Anode mit der Ausgangsklemme des Verstärkers verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschaltung aus einer Anzahl von in Reihe geschalteten Dioden (21, 22, 23) besteht und die Ausgangsklemme der Halbleiterschaltung mit der Ausgangsklemme einer Emitterfolgertransistorschaltung mit mehreren in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren (24, 25, 26) verbunden ist, deren Eingsngsklemme das Steuersignal (Ei)zugeführt wird.1. Gamma correction circuit with an image signal amplifier, at the output terminal of which a semiconductor circuit with non-linear characteristics is connected, which contains at least one controllable diode circuit, the anode of which is connected to the output terminal of the amplifier, characterized in that the semiconductor circuit is made up of a number of series-connected Diodes (21, 22, 23) and the output terminal of the semiconductor circuit is connected to the output terminal of an emitter follower transistor circuit with several emitter follower transistors (24, 25, 26) connected in cascade, the input terminal of which is supplied with the control signal (Ei). 2. Gamma-Korrekturschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Dioden (21, 22, 23) ein Transistor ist, dessen Basis und Kollektorelektroden miteinander verbunden sind.2. Gamma correction circuit according to claim 1, characterized in that at least one of the Diodes (21, 22, 23) is a transistor whose base and collector electrodes are connected to one another are. 3. Gamma-Korrekturschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Dioden (21, 22, 23) gleich der Anzahl der in Kaskade geschalteten Emitterfolgertransistoren (24, 25, 26) ist.3. Gamma correction circuit according to claim 2, characterized in that the number of diodes (21, 22, 23) is equal to the number of those in cascade switched emitter follower transistors (24, 25, 26). 4. Gamma-Korrekturschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker eine Klemmschaltung (15, 16), deren Eingangsklemme das Bildsignal zugeführt wird und deren Ausgangsklemme ein Gleichstromausgangssignal liefert, und einen Differentialverstärker (13,17) umfaßt, der mit der Ausgangsklemme der Klemmschaltung (15, 16) verbunden ist und die Gleichstromausgangssignale von der Klemmschaltung (15,16) verstärkt.4. Gamma correction circuit according to claim 1, characterized in that the amplifier has a Clamping circuit (15, 16) whose input terminal is supplied with the image signal and whose output terminal provides a direct current output signal, and a differential amplifier (13,17), which with the output terminal of the clamp circuit (15, 16) and the direct current output signals amplified by the clamping circuit (15,16).
DE19742428489 1973-06-12 1974-06-12 Gamma correction circuit Expired DE2428489C3 (en)

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DE2428489A1 DE2428489A1 (en) 1975-01-09
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3016242A1 (en) * 1980-04-26 1981-10-29 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart CIRCUIT ARRANGEMENT WITH NON-LINEAR TRANSMISSION CHARACTERISTICS

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NL161022C (en) 1979-12-17
CA1026453A (en) 1978-02-14
DE2428489A1 (en) 1975-01-09
JPS5017124A (en) 1975-02-22
GB1475609A (en) 1977-06-01
JPS5843947B2 (en) 1983-09-30
NL161022B (en) 1979-07-16
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