DE2410721A1 - CONTROLLABLE SEMI-CONDUCTOR RECTIFIER ELEMENT - Google Patents
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Description
It 2802It 2802
SONY CORPORATION Tokyo / JapanSONY CORPORATION Tokyo / Japan
Steuerbares Halbleiter-GleichrichterelementControllable semiconductor rectifier element
Die Erfindung betrifft ein steuerbares Halbleiter-Gleichrichterelement wie einen steuerbaren Siliziumgleichrichter, eine Vierschichttriode bzw. einen Thyristor und dergleichen. The invention relates to a controllable semiconductor rectifier element such as a controllable silicon rectifier, a four-layer triode or a thyristor and the like.
Als steuerbares Halbleiter-Gleichrichterelement wurden bisher verschiedene Arten wie solche mit vertikaler Struktur, mit seitlicher Struktur wie in der US-PS 3 575 646 und dergleichen vorgeschlagen.As the controllable semiconductor rectifier element, various types such as those with a vertical structure, having a side structure as suggested in U.S. Patent 3,575,646 and the like.
Ein bekannter Thyristor mit seitlicher Struktur, der in Fig. 1 gezeigt ist, ist mit einer ersten Zone 1 vom N-Typ versehen. An einer Hauptfläche hiervon sind aufeinanderfolgend durch Diffusion eine zweite Zone 2 vom P-Typ und eine dritte Zone 3 vom N -Typ gebildet. Eine vierte Zone 4 vom P-Typ ist ebenfalls durch Diffusion an der gleichen Hauptfläche der ersten Zone 1 getrennt von der zweitenA known side structure thyristor shown in Fig. 1 is N-type with a first region 1 Mistake. On a main surface thereof are a second P-type and zone 2 successively by diffusion a third zone 3 of the N type is formed. A fourth P-type zone 4 is also diffused on the same Main area of the first zone 1 separate from the second
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Zone 2 gebildet. Eine Kathode K ist an der dritten Zone 3, eine Anode A an der vierten Zone 4 und eine Steuerelektrode G an der zweiten Zone 2 gebildet.Zone 2 formed. A cathode K is on the third zone 3, an anode A on the fourth zone 4 and a control electrode G formed on the second zone 2.
Ein solcher bekannter Thyristor wird, unter der Bedingung, daß eine Vorspannung an die Anode A und die Kathode K in Durchlaßrichtung angelegt wird, wenn ein positives Signal auf die Steuerelektrode G gegeben wird, eingeschaltet, jedoch ausgeschaltet, wenn ein negatives Signal an die Steuerelektrode G angelegt wird.Such a known thyristor is, on condition that a bias is applied to the anode A and the cathode K in Forward direction is applied when a positive signal is given to the control electrode G, switched on, but turned off when a negative signal is applied to the control electrode G.
Hierbei wird seine Aus- bzw. Abschaltverstärkung G __ durch die folgende Gleichung (1) ausgedrückt:Here, its switch-off or switch-off gain G __ through expressed the following equation (1):
°ff " 1G " «p + o<n- X ( } ° ff " 1 G" «p + o <n- X (}
in der I den Anodenstrom in Durchlaßrichtung darstellt, der durch einen Steuerstrom I_ abgeschaltet werden soll, o( den Stromverstarkungsfaktor des aus den Zonen 1, 2 und 3 bei großem Strom gebildeten NPN-Transistors, der durch den NPN-Transistor fließt, wenn er in Basisschaltung geschaltet wird, und o( den Stromverstärkungsfaktor des PNP-Transistors, der aus den Zonen 4, 1 und 2 unter der gleichen Bedingung gebildet wird.in which I represents the anode current in the forward direction, which is to be switched off by a control current I_, o (the current amplification factor of the zones 1, 2 and 3 NPN transistor formed in the case of a large current, through the NPN transistor flows when switched in common base becomes, and o (the current amplification factor of the PNP transistor, which is composed of zones 4, 1 and 2 under the same Condition is formed.
Die Ausschaltverstärkung GQff eines solchen bekannten Thyristors ist im allgemeinen niedrig. Um die Ausschaltspannung G cc zu erhöhen, ist es notwendig, den Faktor o( zu verringern oder den Faktor o( zu erhöhen, wie aus der obigen Gleichung (1) ersichtlich ist. Wenn der Faktor o( verringert wird, da o( = o( . y.ß (wobei o( eine Konstante, V der Emitterinjektionswirkungsgrad und p der Basisübertragungswirkungsgrad ist), kann in Betracht gezogen werden, die Konzentration in der vierten Zone 4 zu verringern, um den Faktor \/ klein zu machen, oder die Basisbreite W zwischen denThe turn-off gain G Qff of such a known thyristor is generally low. In order to increase the turn-off voltage G cc , it is necessary to decrease the factor o (or increase the factor o (as can be seen from the above equation (1). If the factor o (is decreased because o (= o (. y.ß (where o (a constant, V is the emitter injection efficiency, and p is the basic transfer efficiency)), it may be considered to decrease the concentration in the fourth zone 4 to make the factor \ / small, or the base width W between the
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Zonen 4 und 2 zu erhöhen, um den Faktor P klein zu machen. Wenn jedoch die jeweiligen Zonen, insbesondere die vierte Zone 4 durch Diffusion gebildet wird, ist o( ^ 0,1 im wesentlichen eine untere Grenze und es ist schwierig, den Faktor o( kleiner als 0,1 zu machen. Wenn der Faktor P durch Vergrößerung der Basisbreite W klein gemacht wird, wird die Thyristor-Pastille groß, was nicht erwünscht ist. Daher beträgt die Abschaltverstärkung G -.- des bekannten Thyristors etwa 30 bis 40.To increase zones 4 and 2 in order to make the factor P small. However, if the respective zones, in particular the fourth zone 4, is formed by diffusion, o (^ 0.1 im essentially has a lower limit and it is difficult to make the factor o (smaller than 0.1. If the factor P is made small by increasing the base width W, the thyristor pellet becomes large, which is not desirable. Therefore, the shutdown gain G is -.- of the known Thyristor about 30 to 40.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein gesteuertes Halbleiter-Gleichrichterelement mit einer großen Abschaltverstärkung zu schaffen, das als integrierte Schaltung hergestellt werden kann.The invention is therefore based on the object of providing a controlled semiconductor rectifier element with a large To create turn-off gain that can be manufactured as an integrated circuit.
Ein steuerbares Halbleiter-Gleichrichterelement gemäß der Erfindung besteht aus einem Halbleitersubstrat mit einer Hauptfläche, einer ersten Zone eines ersten Leitfähigkeitstyps, die der Hauptflache zugewandt ist, einer zweiten Zone eines zweiten LeitfaMgkeitsiyps,diederHauptfläche zugewandt und van der erstaiZaie umgebenist, einer dritten Zone , die der Hauptfläche zugewandt und von der zweiten Zone umgeben ist, einer Schottky-Sperrschicht, die in der ersten, der Hauptfläche zugewandten Zone gebildet ist, einer Hauptelektrode, die an der dritten Zone bzw. der Schottky-Sperrschicht gebildet ist, und einer Steuerelektrode, die an der zweiten Zone gebildet ist.A controllable semiconductor rectifier element according to FIG Invention consists of a semiconductor substrate with a main surface, a first zone of a first conductivity type, facing the main area, a second zone of a second type of guidance, which faces the main surface and vanes from the erstaiZaie, a third zone facing the main surface and surrounded by the second zone, a Schottky barrier layer formed in the first, major surface facing Zone is formed, a main electrode formed on the third zone or the Schottky barrier layer, and one Control electrode formed on the second zone.
Es ist allgemein bekannt, daß, wenn die Schottky-Sperrschicht in einem Halbleiter eines bestimmten Leitfähigkeitstyps gebildet und eine Durchlaßvorspannung an den Halbleiterkörper und das Schottky-Metall angelegt wird, Majoritatsträger in dem Halbleiterkörper zu dem Metall fließen, jedoch die Minoritätsträger, die aus dem Metall in den Halbleiterkörper fließen bzw. injiziert werden, sehr gering sind. Diese Tatsache bedeutet, daß,wenn die Schottky-Sperrschicht als eine Emitterübergangszone verwendet wird, der Stromverstärkungsfaktor o( eines Transistors sehr niedrig wird.It is well known that when the Schottky barrier layer is formed in a semiconductor of a certain conductivity type and a forward bias is applied to the semiconductor body and the Schottky metal, majority carriers in the semiconductor body to the metal, however, the minority carriers that flow from the metal into the semiconductor body flow or be injected are very low. This fact means that when the Schottky barrier layer is used as a an emitter junction is used, the current gain factor o (of a transistor becomes very low.
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Durch die Verwendung der Schottky-Sperrschicht als Emitter eines Transistors, der einen niedrigen Stromverstärkungsfaktor o( hat, wird bei der Erfindung die Abschaltspannung des Thyristors erhöht.By using the Schottky barrier layer as the emitter of a transistor, which has a low current gain factor o (, the switch-off voltage of the thyristor increased.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis 6 beispielsweise erläutert. Es zeigt:The invention is explained below with reference to FIGS. 1 to 6, for example. It shows:
Figur 1 einen Querschnitt eines bekannten Thyristors,Figure 1 shows a cross section of a known thyristor,
Figur 2 einen Querschnitt einer grundsätzlichen Ausführungsform eines steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements gemäß der Erfindung, undFIG. 2 shows a cross section of a basic embodiment of a controllable semiconductor rectifier element according to the invention, and
Figur 3 bis 6 Querschnitte weiterer Ausführungsformen der Erfindung.Figure 3 to 6 cross sections of further embodiments the invention.
Es wird nun eine steuerbares Halbleiter-Gleichrichterelement gemäß der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben.A controllable semiconductor rectifier element according to the invention will now be described with reference to the drawing.
Fig. 2 zeigt eine grundsätzliche Ausführungsform eines steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements gemäß der Erfindung. Wie Fig. 2 zeigt, wird eine erste Zone bzw. ein Halbleitersubstrat IO z.B. vom N-Typ hergestellt. Eine zweite Zone vom P-Typ wird in dem Substrat 10 von seiner Hauptfläche 10a her durch Diffusion gebildet, damit sie von dem Substrat umgeben und der Hauptfläche 10a zugewandt ist. Dann wird eine dritte Zone 12 vom N -Typ durch Diffusion in der zweiten Zone von der Hauptfläche 10a her gebildet, damit sie von der zweiten Zone 11 umgeben und der Hauptfläche 10a zugewandt ist. Ein Schottky-Metall 13 wird auf die Hauptfläche 10a des Substrats 10 in elektrischem Kontakt damit in einem bestimmten Abstand W , von der zweiten Zone 11Fig. 2 shows a basic embodiment of a controllable Semiconductor rectifier element according to the invention. As FIG. 2 shows, a first zone or a semiconductor substrate IO e.g. made of N-type. A second P-type region is defined in the substrate 10 from its major surface 10a formed by diffusion so that it is surrounded by the substrate and facing the main surface 10a. Then it will be a third N -type zone 12 is formed by diffusion in the second zone from the main surface 10a so as to be surrounded by the second zone 11 and facing the main surface 10a. A Schottky metal 13 is placed on the main surface 10a of the substrate 10 in electrical contact therewith at a certain distance W 1 from the second zone 11
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aufgebracht, um eine Schottky-Sperrschicht 14 zwischen dem Schottky-Metall 13 und der Hauptfläche 10a des Substrats 10 zu bilden. Eine Kathodenelektrode K wird an der dritten Zone 12 und eine Anodenelektrode A an dem Schottky-Metall 13 gebildet (wobei das Schottky-Metall 13 und die Anoden-applied to a Schottky barrier layer 14 between the Schottky metal 13 and the major surface 10a of the substrate 10 to form. A cathode electrode K is attached to the third Zone 12 and an anode electrode A is formed on the Schottky metal 13 (with the Schottky metal 13 and the anode
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elektrode A aus dem gleichen Metall hergestellt werden können), und eine Steuerelektrode G wird an der zweiten Zone 11 gebildet. electrode A can be made from the same metal), and a control electrode G is formed on the second region 11.
Hierbei können als Materialien z.B. für das Schottky-Metall 13 Aluminium, Platinsilizid, Wolfram, Gold oder dergleichen verwendet werden. Aluminium kann die Schottky-Sperrschicht für einen Halbleiter vom N-Typ mit einer Verunreinigungskonzentration von weniger als 10 Atomen/cm und einen Ohm1sehen Kontakt für einen Halbleiter vom N-Typ mit einerIn this case, aluminum, platinum silicide, tungsten, gold or the like can be used as materials for the Schottky metal 13, for example. Aluminum can see the Schottky barrier for an N-type semiconductor with an impurity concentration of less than 10 atoms / cm and an ohm 1 contact for an N-type semiconductor with a
19 Verunreinigungskonzentration von mehr als 10 Atomen/cm oder einen Halbleiter vom P-Typ mit mehr als 10 bis 10 Atomen/cm bilden, so daß, wenn Aluminium verwendet wird, das Schottky-Metall 13, die Kathodenelektrode K und die Steuerelektrode G gleichzeitig durch Verdampfung gebildet werden. In Fig. 2 ist mit 9 eine Isolierschicht bezeichnet, die z.B. eine SiO2-Schicht ist.19 form an impurity concentration of more than 10 atoms / cm or a P-type semiconductor of more than 10 to 10 atoms / cm, so that when aluminum is used, the Schottky metal 13, the cathode electrode K and the control electrode G pass through simultaneously Evaporation can be formed. In FIG. 2, 9 denotes an insulating layer which is, for example, an SiO 2 layer.
Bei dem wie oben erwähnten Aufbau der Erfindung wird die Schottky-Sperrschicht 14 entsprechend dem Basis-Emitterübergang des PNP-Transistors verwendet, der von der vierten, ersten und zweiten Zone 4, 1 und 2 des Beispiels der Fig. gebildet wird, so daß die Injektion von Minoritatsträgern bzw. von Löchern in der Schottky-Sperrschicht 14 sehr gering ist. Daher ist der Faktor/ in o{ = o( · γ· f> gering und damit ist der Stromverstärkungsfaktor o( des Teils, der dem PNP-Transistor der Fig. 1 entspricht,niedrig und die Ausschaltverstärkung G ff wird hoch.In the structure of the invention as mentioned above, the Schottky barrier layer 14 is used corresponding to the base-emitter junction of the PNP transistor formed by the fourth, first and second regions 4, 1 and 2 of the example of FIG Injection of minority carriers or of holes in the Schottky barrier layer 14 is very low. Therefore, the factor / in o {= o (· γ · f> small and thus the current amplification factor o (of the part corresponding to the PNP transistor of FIG. 1 is low and the turn-off gain G ff becomes high.
Experimente haben gezeigt, daß der Emitterinjektionswirkungsgrad )/ in dem PNP-Transistorteil des steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements der Erfindung etwa 0,01Experiments have shown that the emitter injection efficiency ) / in the PNP transistor part of the controllable Semiconductor rectifier element of the invention about 0.01
( / = 0,01), o( = 10~2 bis 10"3 und o( = 0,990 bis 0,998 ftp η(/ = 0.01), o (= 10 ~ 2 to 10 " 3 and o (= 0.990 to 0.998 ftp η
und damit die Ausschaltverstärkung G ^ 100 bis 3OO beträgt. and thus the switch-off gain G ^ 100 to 3OO.
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Außerdem kann bei der obigen Ausführungsform der Erfindung die Ausschaltzeitperiode im Vergleich zu derjenigen des bekannten Thyristors verringert werden. Dies bedeutet, daß durch die Verwendung der Schottky-Sperrschicht 14 als Übergangszone zwischen der Anodenelektrode und der "schwim-In addition, in the above embodiment of the invention the turn-off time period can be reduced as compared with that of the known thyristor. This means that by using the Schottky barrier layer 14 as a transition zone between the anode electrode and the "floating
IiIi
menden Basiselektrode der Injektionswirkungsgrad von Trägern aus der Schottky-Sperrschicht 4 gering ist und damit die Anzahl von positiven Löchern in der ersten Zone 10 vom N-Typ, die beim Ausschalten problematisch sind, inmenden base electrode the injection efficiency of carriers from the Schottky barrier layer 4 is low and thus the number of positive holes in the first zone 10 of the N-type, which are problematic when turning off, in
-4
der Größenordnung von 10 im Vergleich zu der Anzahl der aus der PN-übergangszone des Standes der Technik injizierten
positiven Löcher verringert wird. Daher wird die Ausschaltzeitperiode verringert und der Leistungsverlust des
steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements, z.B. eines Thyristors, unmittelbar nach seiner Abschaltung verringert
und damit wird auch seine Temperaturerhöhung verringert. Damit kann der Thyristor der Erfindung als Element zum
Ein- und Ausschalten eines großen Stroms verwendet werden.-4
on the order of 10 compared to the number of positive holes injected from the prior art PN junction. Therefore, the switch-off time period is reduced and the power loss of the controllable semiconductor rectifier element, for example a thyristor, is reduced immediately after it has been switched off, and thus its temperature increase is also reduced. Thus, the thyristor of the invention can be used as an element for turning a large current on and off.
Wenn ein Thyristor eine seitliche Struktur wie im Falle der Erfindung hat, kann der Abstand W , zwischen der Anode A und der Steuerelektrode G willkürlich gewählt werden. Durch Verkürzung des Abstandes W , kann die Ausschaltzeitperiode kurz gemacht werden.If a thyristor has a side structure as in the case of the invention, the distance W, between the anode A and the control electrode G can be selected arbitrarily. By shortening the distance W, the switch-off time period be made short.
Wie oben beschrieben wurde, werden durch Verwendung der Schottky-Sperrschicht und der seitlichen Struktur die Ein- und die Ausschaltzeitperioden verkürzt und die Schaltgeschwindigkeit kann im Vergleich zum Stand der Technik um eine Potenz erhöht werden.As described above, by using the Schottky barrier layer and the side structure, the and the switch-off time periods are shortened and the switching speed can be reduced compared to the prior art a potency can be increased.
Die obige Beschreibung erfolgte anhand einer grundsätzlichen Ausführungsform der Erfindung, jedoch sind hiervon verschiedene Abwandlungen möglich. Im folgenden werden daher einige Abwandlungen anhand der Fig. 3 bis 6 beschrieben, in denen gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 2 für dieThe above description has been made on the basis of a basic embodiment of the invention, but are different therefrom Modifications possible. In the following, some modifications are therefore described with reference to FIGS. 3 to 6, in which the same reference numerals as in Fig. 2 for the
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gleichen Elemente verwendet sind, die daher der Kürze halber nicht beschrieben werden.the same elements are used, which are therefore for the sake of brevity cannot be described.
Bei der in Fig. 3 gezeigten Ausführuncrsform ist eine weitere Zone 15 mit einer Leitfähigkeit, die von derjenigen der ersten Zone 10 verschieden ist, bzw. vom P-Typ durch Diffusion aus der Hauptfläche 10a der ersten Zone 10 vom N-Typ gebildet. Die Zone 15 berührt den Umfangsrand der Schottky-Sperrschicht bzw. des Schottky-Metalls 14 und ist der Hauptfläche 10a zugewandt.In the embodiment shown in FIG. 3, there is another Zone 15 with a conductivity different from that of the first zone 10 or of the P-type by diffusion formed from the main surface 10a of the first N-type zone 10. Zone 15 contacts the peripheral edge of the Schottky barrier layer or the Schottky metal 14 and is the Main surface facing 10a.
Bei der Ausführungsform der Fig. 3 wird ein Leckstrom in entgegengesetzter Richtung verringert und die Stehspannung der Schottky-Sperrschicht in engegengesetzter Richtung wird erhöht.In the embodiment of FIG. 3, a leakage current in in the opposite direction and the withstand voltage of the Schottky barrier layer in the opposite direction will be raised.
Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung mit einer zweiten Steuerelektrode. Hierzu ist eine Zone 16 vom N Typ mit hoher Verunreinigung an der Fläche der ersten Zone 10 gebildet, die ihrer Hauptfläche 10a bei der Ausführungsform der Fig. 3 gegenüberliegt, und die zweite Steuerelektrode 17 ist an der Zone 16 hoher Verunreinigungskonzentration gebildet.Fig. 4 shows an embodiment of the invention with a second control electrode. To this end, there is an N-type zone 16 with high contamination on the face of the first Zone 10 is formed, which is opposite its main surface 10a in the embodiment of FIG. 3, and the second Control electrode 17 is formed at zone 16 of high impurity concentration.
Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, die die Stehspannung über einer Übergangszone j verbessert, die zwischen der ersten Zone 10 und der zweiten Zone 11 gebildet wird, wenn eine Durchlaßvorspannung an die Anode A und die Kathode K angelegt wird. Bei der Ausführungsform der Fig. 5 sind zusätzlich zu der Zone 15 bei der Ausführungsform der Fig. 4 eine oder mehrere Zonen 18 koaxial zueinander durch Diffusion gebildet und haben die gleiche Leitfähigkeit, z.B. vom P-Typ wie die zweite Zone 11, umgeben die zweite Zone 11 und sind der Hauptfläche 10a der ersten Zone 10 zugewandt.Fig. 5 shows an embodiment of the invention, which the Withstand voltage improved over a transition zone j that is formed between the first zone 10 and the second zone 11 when a forward bias is applied to the anode A. and the cathode K is applied. In the embodiment 5, in addition to the zone 15 in the embodiment of FIG. 4, one or more zones 18 are coaxial each other formed by diffusion and have the same conductivity, e.g. of the P-type as the second zone 11, surrounded the second zone 11 and face the main surface 10a of the first zone 10.
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Bei dieser Ausführungsform reicht die Verarmungszone von der Übergangszone j bis zu der benachbarten Diffusionszone 18, bevor die Spannung an der Übergangszone j ihre Durchschlagsspannung erreicht, um die Stehspannung zu verbessern.In this embodiment, the depletion zone ranges from the transition zone j to the adjacent diffusion zone 18 before the voltage at the transition zone j reaches its breakdown voltage achieved to improve the withstand voltage.
Fig. 6 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, bei der das steuerbare Halbleiter-Gleichrichterelement der Erfindung, wie es oben erwähnt wurde, in einer integrierten Schaltung vorgesehen ist. In Fig. 6 ist 19 z.B. ein Halbleitersubstrat vom P-Typ, das durch Trennzonen 23 vom P -Typ in mehrere Inseln unterteilt ist. Eine der Inseln des steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements 20 der Erfindung ist durch eine versenkte Zone 22 vom P -Typ gebildet, während die andere Insel als NPN-Transistorelement 21 ausgebildet ist, das aus einer Kollektrorzone 21C vom N-Typ, einer Basiszone 21B vom P-Typ und einer Emitterzone 21E vom N -Typ besteht, um die integrierte Halbleiterschaltung zu bilden. Hierbei sind die zweite Zone 11, die Basiszone 2IB, die dritte Zone 12 und die Emitterzone 21E durch den gleichen DiffusionsVorgang gebildet.Fig. 6 shows an embodiment of the invention in which the controllable semiconductor rectifier element of the invention, as mentioned above, in an integrated Circuit is provided. For example, in Fig. 6, 19 is a P-type semiconductor substrate formed by separation regions 23 from P type is divided into several islands. One of the islands of the controllable semiconductor rectifier element 20 of Invention is formed by a recessed zone 22 of the P type, while the other island as an NPN transistor element 21 is formed, which is composed of an N-type collector region 21C, a P-type base region 21B and a N -type emitter region 21E exists to form the semiconductor integrated circuit. Here are the second Zone 11, the base zone 2IB, the third zone 12 and the emitter zone 21E by the same diffusion process educated.
Wenn außerdem bei der Ausführungsform der Fig. 6 eine hohe Zone vom N -Typ (nicht gezeigt) mit hoher Verunreinigungskonzentration vorgesehen wird, die die Sperrschicht 14 des steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements umgibt, kann die Bildung eines parsitären Transistors, der aus der Sperrschicht 14, der Basiszone IO und der Trennzone 23 bestehen kann, vermieden werden.If also in the embodiment of FIG high N -type zone (not shown) with high impurity concentration is provided which forms the barrier layer 14 of the controllable semiconductor rectifier element, the formation of a parsitarian transistor, which can consist of the barrier layer 14, the base zone IO and the separation zone 23 can be avoided.
Außerdem ist es bei der Ausführungsform der Fig. 6 der Erfindung möglich, daß ein steuerbares Halbleiter-Gleichrichter element und eine Dämfpungsdiode (nicht gezeigt) in dem gleichen Halbleitersubstrat gebildet werden. Hierbei sind die Anode und die Kathode des steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements elektrisch mit der KathodeIt is also in the embodiment of Fig. 6 of the invention possible that a controllable semiconductor rectifier element and a damping diode (not shown) can be formed in the same semiconductor substrate. Here the anode and the cathode of the controllable semiconductor rectifier element are electrically connected to the cathode
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bzw. der Anode der Dämpfungsdiode verbunden. Die Kathode der Dämpfungsdiode wird von der Zone vom N -Typ an der Zone 10 vom N-Typ durch Diffusion gebildet, und der Ohm'sche Kontakt mit der Kathode kann dadurch gebildet werden, daß die Kathodenelektrode 13 des steuerbaren Halbleiter-Gleichrichterelements verlängert wird. Die Anode der Elektrode der Dämpfungsdiode wird durch eine Zone vom P-Typ durch Diffusion an der Zone 10 zum N-Typ gebildet.or connected to the anode of the damping diode. The cathode the attenuator diode is from the N -type zone to the Zone 10 of the N-type formed by diffusion, and the ohmic contact with the cathode can be formed by that the cathode electrode 13 of the controllable semiconductor rectifier element is extended. The anode of the electrode the damping diode is passed through a P-type zone Diffusion formed at the zone 10 to the N-type.
Es ist nicht notwendig, daß die Erfindung nur auf die drei Schichten vom NPN-Typ zusammen mit dem Schottky-Metall beschränkt ist, sondern die Erfindung kann auch auf drei Schichten vom PNP-Typ mit einem Schottky-Metall geeigneter Funktion angewandt werden.It is not necessary that the invention be limited only to the three layers of the NPN type together with the Schottky metal but the invention can also be applied to three layers of PNP type with a Schottky metal more suitable Function can be applied.
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