DE2405930A1 - Semiconductor element with S-C chip on ductile plate - has centering posts locating in blind holes in electrode disc - Google Patents

Semiconductor element with S-C chip on ductile plate - has centering posts locating in blind holes in electrode disc

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DE2405930A1 DE19742405930 DE2405930A DE2405930A1 DE 2405930 A1 DE2405930 A1 DE 2405930A1 DE 19742405930 DE19742405930 DE 19742405930 DE 2405930 A DE2405930 A DE 2405930A DE 2405930 A1 DE2405930 A1 DE 2405930A1
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Abstract

The semiconductor element has its s-c chip held in a shallow ductile metal tray of, e.g. silver, sandwiched between two disc electrodes. The two electrodes are mounted at their edges on metal rings which are themselves fixed to a ceramic ring enclosing the whole structure. The shallow tray has centering posts on its underside to locate in blind holes in the top of the lower electrode disc and thereby to centre the s-c chip between the electrodes. The posts are formed in one piece with the shallow tray. The metal rings are made of a Ni-Co alloy and the electrode discs are of copper or silver.

Description

~1#albieiterbauelement " Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen lfalbleiterelement, das zwischen zwei Zuführungselektroden angeordnet ist und unter Druck an diesen anliegt, mit einer zwischen einer der Zuführungselektroden und dem Halbleiterelement liegenden duktilen Scheibe und mit Zentriermittelns die das Halbleiterelement relativ zu den Zuführungselektroden gegen Verschiebungen sichern.~ 1 # circuit component "The present invention relates to a semiconductor component with a semiconductor element enclosed in a housing, which is arranged between two feed electrodes and under pressure on them is applied, with one between one of the lead electrodes and the semiconductor element lying ductile disk and with centering means which the semiconductor element relative secure against displacement to the supply electrodes.

Ein solches Halbleiterbaueleirient ist beispielsweise in der DT-TS 1.188.209 beschrieben worden. Die Zentriermittel bestehen hier aus einer die Trägerplatte eines Halbleiterelements umfassenden Klammer, die mit dem Boden des Gehäuses des Halbleiterbauelements fest verbunden ist, Eine Zentrierung des Halbleiterelements wird dadurch erreicht, daß dieses über eine Silberschicht mit der Trägerplatte stoffschlüssig verbunden ist, Die erwähnte Klammer stellt jedoch. ein relativ aufwendiges Mittel zur Zentrierung dar. Darüber hinaus ist eine solche Klammer zOB. bei Halbleiterbauelementen mit scheibenförmigem Gehäuse nicht anwendbar.Such a semiconductor component is, for example, in the DT-TS 1,188,209 have been described. The centering means here consist of a carrier plate a clamp comprising a semiconductor element, which is connected to the bottom of the housing of the Semiconductor component is firmly connected, a centering of the semiconductor element is achieved in that this is firmly bonded to the carrier plate via a silver layer is connected, however, the aforementioned bracket represents. a relatively expensive means for centering. In addition, such a bracket is zOB. in semiconductor components not applicable with disc-shaped housing.

In der DD-ÅS 1.293.901 ist bereits ein scheibenförmiges Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem das Halbleiterelement durch dem Durchmesser des Halbleiterelements angepaßte Isolierringe zentriert wird. Diese Lösung erfordert für jede Größe des Halbleiterelements Isolierringe mit anderem InnendurchmesserO Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art so reiterzubilden, daß eine einfachere Zentrierung des Halbleiterelements unabhängig von der Art des Gehäuses möglich ist, Die Erfindung ist dadurch gekennze#chnet, daß die duktile Scheibe mit einer den Rand des Halbleiterelements umfassenden Wand versehen ist und daß die duktile Scheibe mit mindestens einem Vorsprung versehen ists der in eine in einer der Zufü#?hrungselektroden vorgesehene Öffnung hineingreift Der Vorsprung kann zweckmäßigerweise ein einziger in der Scheibe vorgesehener zentral angeordneter Durchzug sein.In DD-ÅS 1.293.901 there is already a disk-shaped semiconductor component described in which the semiconductor element by the diameter of the semiconductor element customized Isolation rings is centered. This solution requires for any size of the semiconductor element insulating rings with different inner diameter O Der The object of the present invention is to provide a semiconductor component of Form mentioned at the beginning so rider that a simpler centering of the semiconductor element is possible regardless of the type of housing, the invention is characterized by that the ductile disk with a wall surrounding the edge of the semiconductor element is provided and that the ductile disc is provided with at least one projection it is the one that reaches into an opening provided in one of the feed electrodes The projection can expediently be a single one provided centrally in the disk be arranged passage.

Der Vorsprung kann jedoch auch ein mit der duktilen Scheibe verbundener Stift sein. Die in einer der Zuführungselektroden vorgesehene Öffnung ist zweckmäßigerweise eine Sackbohrung.However, the projection can also be connected to the ductile disk Be pen. The opening provided in one of the feed electrodes is expedient a blind hole.

Die Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 1 und 2 näher erläutert.The invention is based on two exemplary embodiments in conjunction explained in more detail with FIGS. 1 and 2.

In Fig. 1 ist der Schnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung bezeige. Das Halbleiterbauelement weist ein Halbleiterelement 1 auf, das in einem Gehäuse eingeschlossen ist, Das Gehäuse besteht im wesentlichen aus zwei Zuführungselektroden 2und 3, die über Ringscheiben 4 mit einem Isolierring 5 verbunden sind, Die Zuführungselektroden 2 und 3 bestehen zweckmäßigerweise aus einem thermisch und elektrisch gut leitenden Material, z.BO Kupfer oder Silber. Die Ringscheiben 4 bestehen zweckmäßigerweise aus einem Metall, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient dem des beispielsweise aus Keramik bestehenden Isolierringes 5 entspricht. Solche Metalle sind beispielsweise Nickel-Ko#-'legierungen des Eises; die u.aO unter dem Namen Yacon oder Kovar bekannt geworden sind. Die Ringscheiben. 4 sind mit dem Isolierring 5 und den Zufüiirungselektroden 2 und 3 beispielsweise durch Hartlöten vakuumdicht verbunden.In Fig. 1 the section is through a first embodiment according to of the invention. The semiconductor component has a semiconductor element 1, which is enclosed in a housing, The housing consists essentially of two supply electrodes 2 and 3, which are connected via ring disks 4 with an insulating ring 5 are connected, the feed electrodes 2 and 3 expediently consist of a material with good thermal and electrical conductivity, e.g. copper or silver. The ring disks 4 are expediently made of a metal whose thermal Expansion coefficient that of, for example, made of ceramic Isolierringes 5 corresponds. Such metals are, for example, nickel-Ko # alloys of the ice; which among others have become known under the name Yacon or Kovar. the Washers. 4 are with the insulating ring 5 and the supply electrodes 2 and 3 connected vacuum-tight, for example by brazing.

Das Halbleiterelement 1 liegt auf einer beispielsweise aus Silber bestehenden duktilen Scheibe 6, die mit einer den Rand des Halbleiterelements 1 umgreifenden Wand 7 versehen ist. Die duktile Scheibe 6 weist einen Durchzug 8 auf, der in einer in der unteren Zuführungselektrode 2 angebrachten Öffnung 9 sitzt. Diese Öffnung 9 ist zweckmäßigerweise eine Sackbohruiig, die nur wenig größer als der Außendurchmesser des Durchzugs 8 ist, Der Durchzug 8 und die Öffnung 9 werden zweckmäßigerweise zur Erleichterung der Montage zentral in der unteren Zuführungselektrode 2 angeordnet. Durch Anordnung von mehreren Durchzügen ist das Halbleiterelement auch gegen Verdrehen gesicherte Dies kann zOB. bei Halbleiterelementen mit#außerhalb des Zentrums liegendem Steuerkontakt vorteilhaft sein.The semiconductor element 1 rests on one made of silver, for example existing ductile disk 6, which is connected to the edge of the semiconductor element 1 encompassing wall 7 is provided. The ductile disk 6 has a passage 8, which sits in an opening 9 made in the lower feed electrode 2. This opening 9 is expediently a Sackbohruiig that is only slightly larger than is the outer diameter of the passage 8, the passage 8 and the opening 9 become expediently to facilitate assembly centrally in the lower feed electrode 2 arranged. The semiconductor element is created by arranging several passages this can also be secured against twisting zOB. for semiconductor elements with # outside the control contact lying in the center can be advantageous.

Das Halbleiterelement ist somit gegen seitliches Verschieben bzw. Verdrehen bezüglich der Zuführungselektr6den 2 und 3 gesichert, Bei Verwendung von Halbleiterelementen mit anderen Durchmessern kann das gleiche Gehäuse verwendet werden; es sind lediglich andere duktile Scheiben zu verwenden, deren Durchmesser dem des Halbleiterelements angepaßt sind.The semiconductor element is thus against lateral displacement or Rotation with respect to lead electrodes 2 and 3 secured, when using Semiconductor elements with other diameters can use the same housing will; it is only necessary to use other ductile disks, the diameter of which are adapted to that of the semiconductor element.

Statt des in Fig0.1 gezeichneten Durchzugs kann, wie in Fig. 2 gezeigt, die duktile Scheibe mit einem oder mehreren Stiften 15, 14 versehen sein, die beispielsweise durch Verlöten mit der duktilen Scheibe 6 verbunden sind. Bei Verwendung nur eines einzigen Stiftes wird dieser zweckmäßigerweise wieder zentral angeordnet, Die obere Zuführungselektrode 3 ist mit einem Schlitz 11 versehen, in dem isoliert eine Steuerleitung 10 liegt0 Diese Steuerleitung 10 ist an einem Ende mit einer Schraubenfeder versehen, die unter Druck auf einer Steuerelektrode des Halbleit.relements 1 aufsitzt. Das andere Ende der Steuerleitung 10 sitzt in einer Durchführung 12, die gasdicht im Isolierring 5 angeordnet ist.Instead of the passage drawn in Fig0.1, as shown in Fig. 2, the ductile disc can be provided with one or more pins 15, 14, for example by soldering are connected to the ductile disk 6. Using only a single pin, this is expediently arranged again centrally, The upper lead electrode 3 is provided with a slot 11 in which insulated a control line 10 is 0 This control line 10 is at one end with a Helical spring provided, which is under pressure on a control electrode of the semiconductor element 1 sits on. The other end of the control line 10 sits in a bushing 12, which is arranged in a gastight manner in the insulating ring 5.

Die Erfindung kann natürlich auch bei ungesteuerten Halbleiterbaueleinenten Anwendung finden; der Schlitz 11, die Steuerleitung 10 und die Durchführung 12 sind dann entbehrlich. Der notwendige Kontaktdruck zur Kontaktierung des Halbleiterelements 1 wird durch Belastung der Zuführung#-elektroden 2 und 3, beispielsweise außerhalb des Gehäuses liegende Federn, erreicht.The invention can of course also be used with uncontrolled semiconductor components Find application; the slot 11, the control line 10 and the bushing 12 are then dispensable. The necessary contact pressure for contacting the semiconductor element 1 is caused by loading the lead # electrodes 2 and 3, for example outside of the housing lying springs achieved.

4 Patentansprüche 2 Figuren4 claims 2 figures

Claims (1)

Pat entansprüche Kalbleiterbauelement mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement, das zwischen zwei Zuführungselektroden angeordnet ist und unter Druck an diesen anliegt, mit einer zwischen einer der Zuführungselektroden und dem Halbleiterelement liegenden duktilen Scheibe und mit Zentriermitteln, die das Halbleiterelement relativ zu den Zufühnrngselektroden gegen Vers schieben sichern, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t, daß die duktile Scheibe (6) mit einer den Rand des -Halbleiterelements (1) umfassenden Wand (7) versehen ist und daß die duktile Scheibe (6) mit mindestens einem Vorsprung versehen ist, der in eine in einer der Zuführungselektroden (2, 3) vorgesehene Öffnung (9) hineingreift, 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der Vorsprung ein einziger in der Scheibe (6) vorgesehener zentral angeordneter Durchzug (8) ist, 3o Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e#t, daß der Vorsprung ein mit der duktilen Scheibe (6) verbundener Stift (13, -14) ist. Patent claims Kalbleiterbauelement with one in a housing enclosed semiconductor element, which is arranged between two lead electrodes and bears against it under pressure, with one between one of the lead electrodes and the ductile disk lying on the semiconductor element and with centering means which secure the semiconductor element against shifting relative to the supply electrodes, d a d u r c h e k e n n z e i c h -n e t that the ductile disc (6) with a the edge of the semiconductor element (1) comprehensive wall (7) is provided and that the ductile disc (6) is provided with at least one projection which is in an in an opening (9) provided for the supply electrodes (2, 3) reaches into it, 2nd semiconductor component according to claim 1, that the projection is a the only centrally arranged passage (8) provided in the disc (6) is, 3o semiconductor component according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n n z e i c h n e # t, that the projection is a pin (13, -14) connected to the ductile disk (6). 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Öffnung (9) eine Sackbohrung ist, L e e rs Leerseite Leerseite t e 4. A semiconductor component according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the opening (9) is a blind hole, L e e rs blank page blank page t e
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1883108A3 (en) * 2006-07-28 2008-07-02 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Assembly with a high performance semiconductor element and a contact device
WO2012152741A1 (en) 2011-05-10 2012-11-15 Bayer Intellectual Property Gmbh Bicyclic (thio)carbonylamidines

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