DE2402606A1 - Liq. cooling device for semiconductor discs - has heat sink surface, facing semiconductor disc, with wafer-like recesses as cooling channels - Google Patents
Liq. cooling device for semiconductor discs - has heat sink surface, facing semiconductor disc, with wafer-like recesses as cooling channelsInfo
- Publication number
- DE2402606A1 DE2402606A1 DE2402606A DE2402606A DE2402606A1 DE 2402606 A1 DE2402606 A1 DE 2402606A1 DE 2402606 A DE2402606 A DE 2402606A DE 2402606 A DE2402606 A DE 2402606A DE 2402606 A1 DE2402606 A1 DE 2402606A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- heat sink
- cooling
- cooling channels
- semiconductor
- channels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
Description
FlüssigkeitskiUlieinrichtu-ng für scheibenförmige Halbleiterelemente .Liquid ski device for disk-shaped semiconductor elements .
Die Erfindung betrifft eine Flüssigkeitskullleinrich-tung für scheibenförmige Halbleiterelemente. Solche Einrichtungen sind z.B. aus der CH-PS 414 871 sowie der DT-OS 2 228 900 bekannt.The invention relates to a liquid bowl device for disk-shaped Semiconductor elements. Such facilities are e.g. from CH-PS 414 871 as well as from DT-OS 2 228 900 known.
Die zulässige Verlustleistung einer lIalbleiteranordnum.g im Dauerbetrieb ist direkt proportional der Übertemperatur und umgekehrt proportional dem Wärmewiderstand. Der Wärmewiderstand ist die Summe aus Halbleiter-, Fgühlkörper- und Übergangswiderstand zwischen beiden Elementen. Die Übertemperatur ist die Differenz aus der zulässign Temperatur des Halbleiterkristalls, die typenabhängig ist, und der des Kühlmediums. Die Verlustleistung setzt sich zusammen aus Durchlaßverlusten, Sperr- und Blockierverlusten, Schaltverlusten und beim Thyristor noch aus den Steuerverlusten. Sie alle stehen in Bezug zum Durchlaßstrom.The permissible power loss of a semiconductor arrangement in continuous operation is directly proportional to the overtemperature and inversely proportional to the thermal resistance. The thermal resistance is the sum of the semiconductor, sensing element and contact resistance between the two elements. The overtemperature is the difference between the permissible Temperature of the semiconductor crystal, which depends on the type, and that of the cooling medium. The power loss is made up of forward losses, blocking and blocking losses, Switching losses and, in the case of the thyristor, from the control losses. They all stand in relation to the forward current.
Die Belastbarkeit (Durchlaßstrom) eines Halbleiters ist damit abhängig von der Größe des Wärmewiderstandes und der übertemperatur. Da die Übertemperatur bei gegebenem Halbleitertyp nur noch von der Temperatur des Kühlmediums abhängig ist, diese jedoch stark von den Umweltbedingungen geprägt wird, ist ein Ansatz zu einer spürbaren teistungsvergrößerung (Durchlaßstrom) im wesentlichen durch eine Verringerung des Gesamtwärmewiderstandes realisierbar.The load capacity (forward current) of a semiconductor is thus dependent on the size of the thermal resistance and the excess temperature. Because the overtemperature for a given semiconductor type only depends on the temperature of the cooling medium is, however, this is strongly influenced by the environmental conditions, is an approach to a noticeable increase in power output (forward flow) essentially through a Reduction of the total thermal resistance possible.
Wird der Wärmewiderstand des Halbleiterelementes als gegeben angenommen, sind nur noch der Wärmewiderstand des ICühlRörpers und der des Überganges zwischen ihm und dem Ilalbleitenlement beeinflußbar.If the thermal resistance of the semiconductor element is assumed to be given, are only the thermal resistance of the I-cooling body and that of the transition between him and the Ilalbleitenlement can be influenced.
Der Wärmewiderstand des Kühlkörpers setzt sich zusammen aus dem der Wärmeleitung und dem des Wärmeüberganges vom Kühlkörper zum Kühlmedium. Der Widerstand des Wärmeüberganges ist umgekehrt proportional der Wärmeübergangsfläche und dem Wärmeübergangswert.The thermal resistance of the heat sink is made up of that of the Heat conduction and that of the heat transfer from the heat sink to the cooling medium. The resistance the heat transfer is inversely proportional to the heat transfer area and the Heat transfer value.
Großflächige Kühler sind deshalb die folge kleiner Ubergangswerte. Der W4rmeübergangswert, in den vorliegenden Fällen nur bezogen auf Konvektion, ist von verschiedenen Faktoren abhängig.Large-area coolers are therefore the result of small transition values. The heat transfer value, in the present cases only related to convection, is depends on various factors.
So von der kinematischen Zähigkeit und dem Ströniungszustand in der Grenzschicht des Kühlmediums. Daraus resultiert die Überlegenheit der Flüssigkeitslvihlung gegenüber einer Gasidihlung.So of the kinematic toughness and the state of Ströniung in the Boundary layer of the cooling medium. This results in the superiority of the liquid insulation compared to a gas supply.
Großflächige Kühler bilden deshalb auch das Charakteristikum der Luftkühlung. Daraus ergibt sich dann wieder eine Vergrößerung des Widerstandes durch Wärmeleitung, denn er ist direkt proportional einem mittleren Wärmestrompfad, und umgekehrt proportional einer mittleren Wäru.eleitfläche und der Wärmeleitfähigkeit, resultierend aus der Konfiguration und dem Material des FLühlkörpers.Large-area coolers therefore also form the characteristic of air cooling. This then results in an increase in the resistance due to heat conduction, because it is directly proportional to an average heat flow path, and inversely proportional an average thermal conductivity and the thermal conductivity, resulting from the Configuration and material of the heat sink.
Bei den bekannten, oben erwähnten Kühlanordnungen erfolgt bei dem einen ein Einbau des gesamten Halbleiterbauelementes einschließlich Kühlkörper in einen mit einer Flüssigkeit, z.B. Öl, gefüllten Behälter (DT-OS 2 228 900). Eine maßgebende Herabsetzung des Wärmewiderstandes ist bei dieser bekannten Anordnung jedoch nicht möglich. Nachteilig ist hierbei weiterhin die schlechte Zugänglichkeit der Halbleiterbauelemente, die die Wartung und Auswechselung defekter Elemente erschwert.In the known, above-mentioned cooling arrangements takes place in the an installation of the entire semiconductor component including heat sink in a container filled with a liquid, e.g. oil (DT-OS 2 228 900). One decisive reduction of the thermal resistance is in this known arrangement but not possible. Another disadvantage here is the poor accessibility of semiconductor components, which makes it difficult to maintain and replace defective elements.
Bei der weiterhin erwähnten bekannten Anordnung (CH-PS 414 871) sind die Halbleiterbauelemente auf isolierenden Platten angeordnet, die die eine Seite eines leitenden, mit der Fühlflüssigkeit gefüllten Behälters bilden. Bei dieser bekannten Anordnung ist zwar eine Zugänglichkeit der Halbleiterbauelemente sichergestellt, jedoch erfolgt auch bei dieser keine ausreichende Verminderung des Wärmewiderstandes zwischen Halblei-terelemewt und Kühlmittel.In the known arrangement also mentioned (CH-PS 414 871) are The semiconductor components are arranged on insulating plates, one side a conductive container filled with the sensing fluid. At this known arrangement, although accessibility of the semiconductor components is ensured, however, even with this there is no sufficient reduction in the thermal resistance between semicon-terelemewt and coolant.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen Kühlkörper zu schaffen, bei dem sowohl der eigene Wärmewiderstand als auch der des Überganges zu dem Halbleiterelement herabgesetzt wird, so daß eine bessere Ausnutzung, also eine höhere Strombelastung des Halbleiterelementes zugelassen werden kann.It is the object of the invention to create a heat sink in both its own thermal resistance and that of the transition to the semiconductor element is reduced, so that a better utilization, so a higher current load of the semiconductor element can be approved.
Die Lösung der gestellten Aufgabe besteht bei der eingangs erwähnten Anordnung erfindungsgemäß darin, daß die der Scheibenzelle zugewandte Kontaktfläche des Kühlkörpers waffelartig velaufende Ausnehmungen aufweist, welche Kühlkanäle für die K2llflüssigkeit bilden, und daß diese Kühlkanäle in mindestens einen Sammelkanal einmünden, der mit mindestens einem Flüssigkeitsanschluß für die Ruhlmittelzufuhr oder -Abfuhr in Verbindung steht und daß mindestens ein weiterer Kühlmittelanschluß im Mittelteil des der Halbleiterscheibe zugewandten Bereiches des Kühlkörpers vorgesehen ist. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung wird der größte Teil der Verlustleistung von der Kühlflüssigkeit direkt an der Oberfläche des Halbleiterelementes erfaßt und der Rest muß nur kurze Wärmeleitwege im Kühlkörper bis zum Übertritt in die Kühlflü.ssigkeit zurücklegen, womit der Wärmewiderstand der Kühleinrichtung sehr klein und die elektrische Strombelastbarkeft des Halbleiterelementes sehr groß wird.The solution to the problem posed is the one mentioned at the beginning Arrangement according to the invention in that the contact surface facing the disc cell of the heat sink has waffle-like velaufende recesses, which cooling channels for the coolant form, and that these cooling channels in at least one collecting channel open out with at least one fluid connection for the Ruhlmittelzufuhr or discharge is in connection and that at least one further coolant connection provided in the central part of the region of the heat sink facing the semiconductor wafer is. In the arrangement according to the invention, most of the power loss is detected by the cooling liquid directly on the surface of the semiconductor element and the rest only has to have short heat conduction paths in the heat sink until it crosses into the Put back cooling liquid, which increases the thermal resistance of the cooling device small and the electrical current load capacity of the semiconductor element is very large.
Die Erfindung geht von der Eerkenntnis aus, daß absolut ebene und parallele Flachen praktisch nicht herstellbar sind. Bei einer Flächenberührung stellt sich nur eine Pullktberlihrung an einigen Stellen ein, deren Anzahl und Größe abhängig sind von der Gestalt und der Güte der Oberflächen, der Anpreßkraft und der Druckfestigkeit der zu paarenden Materialien. Auch bei ebenen Flächen erfolgt also der Übergang des Wärmestrories nur über einige parallelc Pfade kleinen Querscimittes. Da weiter die spezifische Pressung bei flächenhaften Kontakten sich nur mit etwa der Hälfte von 9 02 Grenze des weicheren Materials einstellt, reicht dieser Druck nicht aus rein metallische Beruhrung herzustellen. Die immer vorhandenen wremdschichten, wie Oxyde, werden damit nicht, oder nur selten durchbrochen. Sogenannte Warmeleitpaste verbessert zwar die Verhaltnisse etwas, stellt jedoch nicht die Werte ein, die bei rein metallischer, großflächiger Berührung möglich wären.The invention is based on the knowledge that absolutely flat and parallel surfaces are practically impossible to produce. When it comes into contact with the surface There is only one pull-through connection in a few places, the number and size of which depend on depend on the shape and quality of the surfaces, the contact pressure and the compressive strength of the materials to be paired. The transition takes place even with flat surfaces of the heat flow only over a few parallel paths of small cross-centers. There further the specific pressure in the case of extensive contacts is only about half that of 9 02 limit of the softer material, this pressure is not sufficient to produce purely metallic contact. The thermal layers that are always present, such as Oxides are not broken through, or only rarely. So-called thermal paste improves the situation a little, but does not set the values that at purely metallic, large-area contact would be possible.
Die erfindungsgemaße Anordnung besitzt kurze Wrineleitwege, gute Leitfähigkeit und ist relativ großflächig.Außerdem ermöglicht sie, daß das Kiiiffmedium zumindest einen Teil der äußeren Fläche der Abdeckbleche des Halbleiterelementes direkt berührt, so daß sich bedingt durch den sehr kleinen Wärmewiderstand eine optimale Kühlwirkung ergibt.The arrangement according to the invention has short wrinkle conduction paths and good conductivity and is relatively large. In addition, it enables the cooling medium at least touches part of the outer surface of the cover plates of the semiconductor element directly, so that, due to the very low thermal resistance, there is an optimal cooling effect results.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Tiefe der Kühlkanäle im äußeren Bereich des Fühlkörpers kleiner ist als im inneren Bereich und daß die Tiefe der Kühlkanäle sich in einer solchen Weise ändert, daß die miteinander verbundenen oberen Flächen derselben eine konkave Fläche bilden würden.In a further development of the invention it is provided that the depth the cooling channels in the outer area of the sensor body is smaller than in the inner area and that the depth of the cooling channels changes in such a way that the one another connected upper surfaces thereof would form a concave surface.
Bei einer weiteren nusführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß der Kühlkörper eine zentrisch zu seiner Mittelachse verlaufende, mit dem weiteren Kühlmittelanschluß in Verbindung stehende Bohrung aufweist, von der weitere axiale Bohrungen kleineren Durchmessers in die Kühlkanäle münden. Die Kühlflüssigkeit gelangt dabei z.B. über den einen Flüssigkeitsanschluß in die zentrisch zur Mittelachse des Kühlkörpers verlaufende Bohrung und von dort durch die axialen Bohrungen kleineren Durchmessers in die Kühlkanäle. Durch den konkaven Verlauf der Begrenzung der Kühlkanäle ist eine gleichmäßige Verteilung der Kühlflüssigkeit über die Flache der Halbleiterscheibe sicherg-estellt. Die Kühlflüssigkeit gelangt anschließend durch die Kühlkan1e in den im Kühlkörper angeordneten konzentrisch zur Kühlkörperlängsachse verlaufenden ringförmigen Sammelkanal urd von dort in den Flüssigkeitsanschluß für die Kühlmittelabfuhr.In a further nusführungform of the invention it is provided that the heat sink one running centrally to its central axis, with the other Has coolant connection in communication bore, of the further axial Smaller diameter holes open into the cooling channels. The coolant arrives e.g. via the one fluid connection into the centric to the central axis of the heat sink and from there through the axial bore Smaller diameter holes in the cooling channels. The concave shape of the Limiting the cooling channels is an even distribution of the cooling liquid over the surface of the semiconductor wafer is secured. The coolant then arrives through the cooling ducts into the one arranged in the cooling body concentric to the longitudinal axis of the cooling body extending annular collecting channel urd from there into the liquid connection for the coolant discharge.
Weitere Einselheiten und vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus dem im folgenden beschriebenen und in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel. Es zeigen: Die Fig. 1 einen Teilschnitt durch eine Scheibenzelle mit beidseitig angeordneten Kk1'lkörpern und die Fig. 2 eine Ansicht auf die Kontaktierungsfläche des Eühlkörpers.Further details and advantageous developments of the invention result from what is described below and shown in the drawing Embodiment. They show: FIG. 1 a partial section through a disk cell with Kk1'lbodies arranged on both sides and FIG. 2 shows a view of the contacting surface of the heat sink.
Die Halbleiterscheibenzelle 1 besteht aus einem Oxydkeramikgehäuse 2 und den topfförmigen Abschlußblechen 3 und wird beidseitig mit Kühlkörpern 5 und 10 bestückt. Die zum Aufbringen des Kontaktdruckes erforderliche elastische Verspanneinrichtung ist nicht dargestellt.The semiconductor wafer cell 1 consists of an oxide ceramic housing 2 and the cup-shaped cover plates 3 and is on both sides with heat sinks 5 and 10 equipped. The elastic tensioning device required to apply the contact pressure is not shown.
Der Kühlkörper 10 besteht aus einem Metall guter Wärmeleitfähigkeit, z.B. Kupfer, und ist ein um seine längsachse rotationssymmetrischer Körper. Seine der Scheibenzelle zugewandte Kontaktfläche 11 weist ein waffelartiges Muster auf. Das Waffelmuster wird gebildet durch sich kreuzende Ausnehmungen 13, so daß prismatische Körper 12 stehen bleiben, die im Ausführungsbeispiel jeweils einen quadratischen Querschnitt mit einer Kantenetwa länge von/2,5 mm haben. Der Abstand zwischen zwei prismatischen Körpern 12 beträgt etwa 1 mm, so daß sich als Diagonale 14 zwischen den Ecken von zwei in verschiedenen Ebenen liegenden prismatischen Körpern 12 ca. 1,5 mm ergeben. Die länge der prismatischen Körper 12 nimmt von der Mittelachse nach außen ab, entsprechend einer zur Halbleiterfläche konvexen Verschneidungsfläche 15. Diese Formgebung ist unter Berücksichtigung eines möglichst gleichbleibenden Strömungswiderstandes gewählt. Die Fläche 15 ist so gelegt, daß sie sich mit der Innenwandung 17, jedoch nicht mit der Außennzandung 18 eines Ringkanales 16 schneidet. Vom Ringkanal 16 fuhr-t mindestens eine Bohrung 19 nach außen. An der ein FLüElrlittelflüssIgkeitsanschluß 23 angebracht ist.The heat sink 10 consists of a metal with good thermal conductivity, e.g. copper, and is a body that is rotationally symmetrical about its longitudinal axis. His the contact surface 11 facing the disk cell has a waffle-like pattern. The waffle pattern is formed by intersecting recesses 13, so that prismatic Body 12 remain, each of which is a square in the exemplary embodiment Cross-section with an edge about have a length of / 2.5 mm. The distance between two prismatic bodies 12 is about 1 mm, so that as a diagonal 14 between the corners of two prismatic bodies lying in different planes 12 result in approx. 1.5 mm. The length of the prismatic body 12 decreases from the central axis outwards, corresponding to an intersection surface that is convex to the semiconductor surface 15. This shape is to be kept as consistent as possible Flow resistance selected. The surface 15 is placed so that it is with the Inner wall 17, but not with the outer wall 18 of an annular channel 16 intersects. At least one bore 19 extends from the annular channel 16 to the outside. At which a fuel-fluid connection 23 is attached.
Von der oberen Fläche 20 des Kühlkörpers 10 ist zentrisch zur Mittelachse eine Bohrung 21 eingebracht, deren Tiefe geringer ist als der kleinste Abstand der gekrümmten Verschneidungsfläche 15 von der ebenen Fläche 20. Im Bereich der Projektion der Bohrung 21 verbinden an den Enden der Diagonalen 14 Bohrungen 22 die Bohrung 21 mit den Kühlkanälen 13.The upper surface 20 of the heat sink 10 is central to the central axis introduced a hole 21, the depth of which is less than the smallest distance curved intersection surface 15 from the flat surface 20. In the area of the projection the bore 21 at the ends of the diagonals 14 bores 22 connect the bore 21 with the cooling channels 13.
Die Kühlflüssigkeit tritt von dem Kühlmittelanschlu%* über die Bohrungen 22 in die Kühlkanäle 13, umspült die prismatischen Körper 12, benetzt die von diesen nicht abgedeckte Fläche der Scheibenzelle 1 und des Abschlußbleches 3, tritt in den Ringkanal 16 und fließt von dort über die Bohrung 19 aus dem Kühlkörper 10 aus. Die Strömung kann natürlich auch in ungekehrter Richtung verlaufen.The coolant flows from the coolant connection% * through the holes 22 in the cooling channels 13, the prismatic body 12 washes around, wets those of these uncovered area of the disk cell 1 and the end plate 3, occurs in the annular channel 16 and flows from there through the bore 19 out of the heat sink 10. The current can of course also run in the opposite direction.
Im Ausführungsbeispiel ist die Bohrung 21 mit einem Stopfen 28 verschlossen und die Kühlflüssigkeit tritt über mindestens eine radial verlaufende Bohrung 23 in die Bohrung 22 ein.In the exemplary embodiment, the bore 21 is closed with a plug 28 and the cooling liquid passes through at least one radially extending bore 23 into the bore 22.
* in die Bohrung 21 ein und fließt Der Durchmesser des Kühlkörpers 10 ist im unteren Bereich 24 zwischen den Bohrungen 19 und 23 auf einen kleineren Durchmesser im Bereich 25 abgesetzt. An der dadurch entstehenden Ringfläche 26 greift die nicht dargestellte Spamlvorrichtung an. Der untere Kühlkörper 5 ist in gleicher Weise wie der YLiElkörper 10 aufgebaut.* enters the bore 21 and flows The diameter of the heat sink 10 is in the lower region 24 between the bores 19 and 23 a smaller diameter in the area 25. The resulting Ring surface 26 attacks the spam device, not shown. The lower heat sink 5 is constructed in the same way as the YLiElkörper 10.
Weiter sind von der Fläche 20 aus Gewindebohrungen 27 in den Kühlkörper 10 eingebracht, die mittels Schrauben den Anschliiß elektrischer Zuleitungen an den Kühlkörper ermöglichen.Further from the surface 20 from threaded holes 27 in the heat sink 10 introduced, which by means of screws the connection of electrical leads enable the heat sink.
Schließlich ist eine im Ausführungsbeispiel nicht dargestellte Dichtung vorgesehen, die verhindert, daß Kühlflüssigkeit aus dem Verbaut von Kühlkörper und Halbleiterelement austritt.Finally, there is a seal not shown in the exemplary embodiment provided, which prevents coolant from the built-in heat sink and Semiconductor element leaks.
Hierzu dient z.B. ein O-Ring, der in eine nach innen verlaufende Nut im unteren Bereich 24 hineinragt und zum hochgezogenen Kragen 4 des Abschlußbleches 3 die Dichtung herstellt. Die Abdich-tung läßt sich grundsätzlich auch durch den äußeren Aufbau des Gehäuses realisieren.For this purpose, e.g. an O-ring is used, which is inserted into an inwardly running groove protrudes in the lower area 24 and to the raised collar 4 of the end plate 3 establishes the seal. In principle, the seal can also be carried out by the Realize the outer structure of the housing.
5 bzw. 5 resp.
Der Kühlkörper/10 kann sowohl durch ein spanabhebendes Arbeitsverfahren als auch im Feingußverfahren (z.B. mittels verlorener Form) hergestellt werden, auch kann er als gesinttesTeil hergestellt werden.The heat sink / 10 can both by a machining process as well as in the investment casting process (e.g. by means of lost mold), it can also be made as a sintered part.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19742402606 DE2402606C2 (en) | 1974-01-21 | 1974-01-21 | Liquid cooling device for disk-shaped semiconductor elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19742402606 DE2402606C2 (en) | 1974-01-21 | 1974-01-21 | Liquid cooling device for disk-shaped semiconductor elements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2402606A1 true DE2402606A1 (en) | 1975-07-24 |
| DE2402606C2 DE2402606C2 (en) | 1982-08-19 |
Family
ID=5905223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19742402606 Expired DE2402606C2 (en) | 1974-01-21 | 1974-01-21 | Liquid cooling device for disk-shaped semiconductor elements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2402606C2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3221423A1 (en) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., 5401 Baden, Aargau | Heat sink for liquid-cooling power semiconductor devices |
| DE4217289A1 (en) * | 1992-05-25 | 1993-12-16 | Mannesmann Ag | Fluid-cooled power transistor device, e.g. IGBT, MOSFET or BIMOS for controlling machine |
| DE4327895A1 (en) * | 1993-08-19 | 1995-02-23 | Abb Management Ag | Power converter module |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10334354B4 (en) * | 2002-07-25 | 2016-12-22 | Gva Leistungselektronik Gmbh | Arrangement comprising a liquid cooler and a power semiconductor element |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2815473A (en) * | 1956-03-29 | 1957-12-03 | Gen Electric Co Ltd | Semiconductor devices |
| US3400543A (en) * | 1966-10-31 | 1968-09-10 | Peter G. Ross | Semi-conductor cooling means |
| DE2160001B1 (en) * | 1971-12-03 | 1973-06-14 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT, IN PARTICULAR THYRISTOR ASSEMBLY |
| DE2209993A1 (en) * | 1972-03-02 | 1973-09-13 | Siemens Ag | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT |
-
1974
- 1974-01-21 DE DE19742402606 patent/DE2402606C2/en not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2815473A (en) * | 1956-03-29 | 1957-12-03 | Gen Electric Co Ltd | Semiconductor devices |
| US3400543A (en) * | 1966-10-31 | 1968-09-10 | Peter G. Ross | Semi-conductor cooling means |
| DE2160001B1 (en) * | 1971-12-03 | 1973-06-14 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT, IN PARTICULAR THYRISTOR ASSEMBLY |
| DE2209993A1 (en) * | 1972-03-02 | 1973-09-13 | Siemens Ag | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3221423A1 (en) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., 5401 Baden, Aargau | Heat sink for liquid-cooling power semiconductor devices |
| DE4217289A1 (en) * | 1992-05-25 | 1993-12-16 | Mannesmann Ag | Fluid-cooled power transistor device, e.g. IGBT, MOSFET or BIMOS for controlling machine |
| DE4327895A1 (en) * | 1993-08-19 | 1995-02-23 | Abb Management Ag | Power converter module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2402606C2 (en) | 1982-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3402003A1 (en) | PERFORMANCE SEMICONDUCTOR MODULE | |
| DE102017217537A1 (en) | Power module with integrated cooling device | |
| EP2844051A2 (en) | Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device | |
| CH652533A5 (en) | SEMICONDUCTOR BLOCK. | |
| DE2702623A1 (en) | PRINTING PLATE FOR A RECORD PRESS, DEVICE FOR THE MANUFACTURING OF RECORDS AND RECORD PRESS WITH A PRINTING PLATE | |
| DE2711776A1 (en) | POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT | |
| AT408299B (en) | HEATING DEVICE FOR ELECTRIC HEATING PLATES, IGNITION DEVICES, TEMPERATURE SENSORS OD. DGL. | |
| DE2402606A1 (en) | Liq. cooling device for semiconductor discs - has heat sink surface, facing semiconductor disc, with wafer-like recesses as cooling channels | |
| DE1564665C3 (en) | Semiconductor component and method for its manufacture | |
| DE2938096A1 (en) | Liquid cooled semiconductor device - uses electrical connections as resilient supports, also compensating for differential expansion due to heat | |
| DE1194503B (en) | Semiconductor diode and process for its manufacture | |
| EP0006241B1 (en) | Cooling device for electrical components | |
| WO1980000116A1 (en) | Mounting semi-conductor elements with insulating envelope | |
| DE1951128C3 (en) | Semiconductor device | |
| DE2936816A1 (en) | High current silicon semiconductor cooling system - has wires soldered to metallised islands on surface of silicon disc, extending outwards | |
| DE1539111B2 (en) | Semiconductor component | |
| EP0287770B1 (en) | Semiconductor component having a control electrode | |
| DE1439132C3 (en) | Semiconductor component | |
| CH629337A5 (en) | Semiconductor arrangement with improved cooling capacity | |
| DE1946106A1 (en) | Semiconductor component | |
| DE4324732C2 (en) | Process water insulating cooling box | |
| DE10330901B4 (en) | Electrostatic fixing element and method for its production | |
| DE2729074A1 (en) | ENCAPSULATED ELECTRONIC COMPONENT WITH HEAT DRAINAGE AND PROCESS FOR THEIR PRODUCTION | |
| DE1514393C (en) | Semiconductor component | |
| DE2055551C (en) | Electrothermal heat pump |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |