DE2402042C3 - Electron beam deflection circuit for television receivers - Google Patents
Electron beam deflection circuit for television receiversInfo
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Description
Siigivahnlomi. d;is ss in limn mi! ,lei VVi uk.ilperiodi- isl, wird L'iiH-ni AUS)-Mh)JS1InMIiIiIl! 2 /H)Ji-IuIiIi, der an ili-n IJiIM1Ii di-r I rair.isloicn (J1 und (,)■ ungesehen ist, inn !)i:iili- I ranskiorcn /11 schallen. Siniiii wml ,n bekannter Weise iiluT I'm Ahk-iik μIi h /.,., das nher einen K.oikIuis.nor ( '. .111 emeu Voihiiulinit>sj-.tidkt I, /wist lu.-ii ilii· Linillcr dor I r.insisloriMi (J; uiul (J, angeschlossen isl, ein SH)JiY.ihnlonnijL'iT Siroin erzeugt.Siigivahnlomi. d; is ss in limn mi! , lei VVi uk.ilperiodi- isl, becomes L'iiH-ni AUS) -Mh) JS 1 InMIiIiIl! 2 / H) Ji-IuIiIi, which resounds at ili-n IJiIM 1 Ii di-r I rair.isloicn (J 1 and (,) ■ unseen, inn!) I: iili- I ranskiorcn / 11. Siniiii wml, n known way iiluT I'm Ahk-iik μIi h /.,., Which closer to a K.oikIuis.nor ('. .111 emeu Voihiiulini t > sj-.tidkt I, / wist lu.-ii ilii Linillcr dor I r.insisloriMi (J; uiul (J, attached isl, a SH) JiY.ihnlonnijL'iT Siroin produces.
Wenn hei solch i-ineni hekaiiiiieii V.-rlikalahlenkkreis die l.uiillcrspan:mng an dem Verbiiulimgspuukl Ii beirachicl wird, isl sie wahrend der Kiicklaiilpenodc Ir ein Impuls, h.it jedoch einen Verlaiii, der wahrend einer I linlauipei iode /s linear abnimmt, wie dureh S. in I" ig. 2Λ ge/eigi isl; dieser Spannungsverlauf wird hei jedem i lalbbikliiilerv.ill erhallen. Hierbei isl die maximale Signalaiisgangsspannung /:', die an dem !■!miller des Transistors (,.>, erhallen wird, infolge des Schaltiingsaulbau1.. der Saiiigungsspannung des transistors (J\ usw. el was niederiger als die Energiequcllcnspannung In isl, die auf einen Anschluß 5 gegeben wird, der mit dem Kollektor des I ransistors Q1 verbunden ist. Da außerdem das sagezahnlörmige I reibersignal S'i, das in Cig. 2C gezeigt isl, auf die Basis des Transistors Q1 gegeben wird, wird tier Transistor (J) wahrend όν\- Zeilperiode /wischen den Zeitpunkten /1 und /1 geöffnet. Wenn daher die in dem Transistor (J1 verbrauchte elektrische Leistung bei ücksichiigt wird, ist ihre Spannungskompoiiente tier in T' i g. 2Λ schraffierte irape/förmige Bereich.If such hot i-Ineni hekaiiiiieii V. rlikalahlenkkreis the l.uiillcrspan: mng to the Verbiiulimgspuukl Ii is beirachicl, it isl during the Kiicklaiilpenodc Ir a pulse but a h.it Verlaiii, which decreases during an I linlauipei iode / s linear , as by S. in I "ig. 2Λ ge / eigi isl; this voltage curve is obtained with every i lalbbikliiilerv.ill. is echoed, due to the circuit construction 1 .. the Saiiigungs voltage of the transistor (J \ etc. el which is lower than the Energiequcllcnspannung In isl, which is given to a terminal 5, which is connected to the collector of the transistor Q 1 The sagittal I friction signal S'i, shown in Fig. 2C , is applied to the base of the transistor Q 1 , the transistor (J) is opened during the όν \ line period / between the times / 1 and / 1 in the transistor (J 1 consumed electr If the power is disregarded, its voltage component is tier in T 'i g. 2Λ hatched irape / shaped area.
Der durch den Transistor (J1 zu dieser Zeit fließende Strom ist das /i-lache des Treibersignals .S'i, wobei /i tier Stromverslärkungsfaktor des Transistors Q1 isl, so daIi die Stromkomponente der in dem Transistor (J\ verbrauchten Leistung ein Strom .Vj ist, der dem Treibersignal S\ im Verlauf nahe/u gleich ist, wie schraffiert in Cig. 213 gezeigt ist. Daher ist der Leistimgsverbrauch /-"im Transistor Qi das Produkt der Spannungskoiiiponenie. die schraffiert in F-'i g. 2A gezeigt isl, und der .Stromkomponente, die schraffiert in Cig. 213 gezeigt ist.The current flowing through the transistor (J 1 at this time is the / i-part of the drive signal .S'i, where / i is the current amplification factor of the transistor Q 1 , so that the current component of the power consumed in the transistor (J \ Current .Vj, which is close to the drive signal S \ in the course / u, as shown hatched in Cig. 213. Therefore, the power consumption / - "in transistor Qi is the product of the voltage coefficient. Hatched in F-'i g 2A, and the current component shown hatched in Cig.
Vom Betriebsstandpunkl. aus wird nun der Transistor Q] zwischen den Zeitpunkten i| und Z1 geöffnet, wie die I-" i g. 2A bis 2C" zeigen, jedoch tritt tier Spannungsanteil, tier in C i g. 2A dureh eine gestrichelte Linie umgeben ist. an den !-!miner des Transistors Qi nicht auf, sondern wird auf die Hmitier-Kollektor-Slrecke des Transistors Q\ gegeben, ti. h., tier obige .Spannungsanteil ist eine nutzlose Spannung. Der Leistungsverbrauch infolge dieser nutzlosen Spannung in dem Transistor (Ji isl somit ein nutzloser Leistungsverbrauch und damit wird der Ausgangswirkungsgrad des bekannten Vertikalablenkkreises verringert.From the company stand The transistor Q] now turns off between the times i | and Z 1 open, as I- "i g. 2A to 2C" show, but there is a stress component, tier in C i g. 2A is surrounded by a dashed line. to the! -! miner of the transistor Qi is not given, but is given to the Hmitier-collector-Slrecke of the transistor Q \ , ti. That is, the above stress fraction is a useless stress. The power consumption due to this useless voltage in the transistor (Ji i sl thus a useless power consumption and thus the output efficiency of the known vertical deflection circuit is reduced.
Anhand der Fig. 3 wird nun eine Ausführungsl'orm ties Vertikalablenkkreises gemäß der Erfindung besehrieben. An embodiment is now based on FIG ties vertical deflection circle according to the invention.
Bei der Ausführungsform der F:ig. J besteht ein Gegentaktverstärker mit F.intaktausgang, der eine Ausgangsstufe 31 bildet, aus zwei Transistoren (Jw und Q\>. Da die Transistoren Qw und C*i-' bei dieser Ausführungsform komplementär sind, ist ein gemeinsamer Eirigangsanschluß 32 an den Basen der Transistoren Cn und Q\2 vorgesehen. Ein sägezahnlörniiges Treibersignal .S'i wird auf den Eingangsanschluß 32 gegeben, um die Transistoren Qi 1 und Qu abwechselnd zu öffnen und zu sperren. An einem Vcrbindungspunkt In zwischen den Emittern der beiden Transistoren Qw und Q\: ist eine Reihenschaltung eines Ablenkjochs L und eines Kondensators C angeschlossen. Dadurch fließt einIn the embodiment of F: ig. J consists of a push-pull amplifier with F.intact output, which forms an output stage 31, from two transistors (Jw and Q \>. Since the transistors Qw and C * i- 'are complementary in this embodiment, a common input terminal 32 is at the bases of the Transistors Cn and Q \ 2 are provided. A sawtooth-shaped drive signal .S'i is applied to the input terminal 32 in order to alternately open and block the transistors Qi 1 and Qu . At a connection point In between the emitters of the two transistors Qw and Q \ : A series circuit of a deflection yoke L and a capacitor C is connected
sägc/ahiilorniiger Ableiiksli oin dureil das Ablenkjoch /., das im wesentlichen das gleiche wie beim Sland der lechnik ist. An einen Spanniingsquellenanschliiß 33 isl über eine Streike m eine Schaltvorrichtung Il wie ein Transistor, ein '! hyristor, eine Viel schichtlriodc oder dergleichen in Reihe angeschlossen, um der Ausgangs sliile 3! inlernuilierend emc Spannung l'u dv\' Span nungs(|uelle zuzuführen. Die Sleuerelekti'ode tier Schaltvorrichtung Il isl an den Verbindtingspunkt Im nötigenfalls über einen Dilferenzierkreis 12 angeschlossen, um nut einem Spannungsimpuls, tier an dem Ablenkjoch /. erzeugt wird, verorgi und damit von tier Impiilsspanniing in den l.eitfähigkeilsziisland gesteueri zu werden. Bei dcv gezeigten Ausfühiuiigslorm isl eine Vierschichttriode als Schall vorrichtung 11 verwendel.Sägc / ahiilorniiger Ableiiksli oin dureil the deflection yoke /., which is essentially the same as in the Sland der Lechnik. A switching device II such as a transistor is connected to a voltage source connection 33 via a strike m. hyristor, a multi-layer diode or the like connected in series to the output sliile 3! Inlernuilierend emc voltage l'u dv \ ' voltage source. The sleuerelecti'ode tier switching device II is connected to the connection point If necessary via a dilferencing circuit 12 in order to provide only a voltage pulse that is generated at the deflection yoke / and thus to be controlled from animal impulse spanning into the conductive wedge region. In the embodiment shown, a four-layer triode is used as the sound device 11.
Zwischen die Vierschichnriotle Il und den Kollektor des Transistors Qn isl eine Speichereinrichtung 13 geschähet, um die Betriebsspannung für die Ausgangs stufe 31 des (iegeniakiversiärkers mit Einlaktausgang wühlend tier I linlaulperiode I's zu bestimmen. Die Speichereinrichtung 13 dient dazu, eine SpannungBetween the four-layer number II and the collector of the transistor Q n isl a storage device 13 geschähet in order to determine the operating voltage for the output stage 31 of the (iegeniakiversiärkers with input output rummaging tier I linlaul period I's . The storage device 13 is used to determine a voltage
(wobei /; eine positive ganze Zahl isl) aus der Spannung l'u der Spannlingsquelle zu erzeugen. Hierzu hat die Speichereinrichtung 13 mehrere Kondensatoren 14.7.(where /; a positive integer isl) from the voltage l'u of the clamping element source. For this purpose, the storage device 13 has several capacitors 14.7.
146 die in Reihe oder parallel zueinander geschallet146 which are sounded in series or parallel to each other
werden. Bei der gezeigten Ausführungsform wird die Betriebsspannung zuwill. In the embodiment shown, the operating voltage is too
U,U,
gewählt, so daß nur zwei Kondensatoren 14.7 und 146 verwendet werden. In der Einrichtung 13 sind Dioden 15.7 und 156 zum Sperren des Rückstroms verwendet und eine Diode 15c, die an ein Ende des Kondensators 14.7 angeschlossen ist, und eine Leitung L\. die parallel zu der Serienschaltung des Kondensators 14,7 und der Dioden 15.7 und 156 geschaltet ist, bilden einen Eniladcweg für den Kondensator 14,7.chosen so that only two capacitors 14.7 and 146 are used. In the device 13 diodes 15.7 and 156 are used to block the reverse current and a diode 15c, which is connected to one end of the capacitor 14.7, and a line L \. which is connected in parallel to the series circuit of the capacitor 14.7 and the diodes 15.7 and 156, form an Eniladcweg for the capacitor 14.7.
Einem Anschluß 17, der von der Kathode der Diode 156 über eine Diode 16 herausgeführt ist, wird eine Treiberspannung & zugeführt. Die Treiberspannung Fs ist niedriger als die Spannung En gewählt, um die Diotle 16 während des Betriebs des Vertikalablenkkreises zu sperren, so daß der Anschluß 17 von der Ausgangsstufe 31 getrennt wird und die Einrichtung 13 keinen Einfluß auf den Ablenkvorgang hat. Eine Spule 18, die an die Anode der Vierschichttriode 11 angeschlossen ist. wird verwendet, um die Ladezeitkonstante der Kondensatoren 14,7 und 146 während des offenen Zustands der Vierschichttriode 11 lang zu machen. In F i g. 3 bezeichnen 20,7 und 206 Anschlüsse des Kreises 1.3.A drive voltage & is fed to a terminal 17, which is led out from the cathode of the diode 156 via a diode 16. The drive voltage Fs is selected to be lower than the voltage En in order to block the diotle 16 during the operation of the vertical deflection circuit, so that the connection 17 is separated from the output stage 31 and the device 13 has no influence on the deflection process. A coil 18 which is connected to the anode of the four-layer triode 11. is used to make the charging time constant of the capacitors 14, 7 and 146 during the open state of the four layer triode 11 long. In Fig. 3 designate 20,7 and 206 connections of the circuit 1.3.
F!s wird nun anhand der F-i g. 4A bis 4F die Arbeitsweise des in Fig. 3 gezeigten Kreises beschrieben. F! S is now based on the F-i g. 4A to 4F die Operation of the circuit shown in Fig. 3 is described.
Wenn ein Treibersignal Si, das in F i g. 4A gezeigt ist, auf den Anschluß 32 gegeben wird, wird der Transistor Cn während des positiven Intervalls des Treibersignals Si geöffnet und der Transistor Q\2 wird während des negativen Intervalls des Treibersignals S\ geöffnet. Im Steuerzustand des Ablenk kreises ist die Vierschichttriode 11 gesperrt. Wenn /.. B. die Steuerspannung Evan den Anschluß 17 zum Zeitpunkt /n angelegt wird, fließt, da der Transistor Qw offen ist, ein Strom S1 in Übereinstimmung mit dem Treibersignal Si, wie F i g. 4B zeigt, durchWhen a drive signal Si shown in FIG. 4A is applied to the terminal 32, the transistor Cn is opened during the positive interval of the drive signal Si and the transistor Q \ 2 is opened during the negative interval of the drive signal S \ . In the control state of the deflection circle, the four-layer triode 11 is blocked. When / .. B. the control voltage Evan is applied to the terminal 17 at the time / n , since the transistor Qw is open, a current S 1 flows in accordance with the drive signal Si as shown in FIG. 4B shows by
den Kreis aus dem Transistor Cn. dem Ablenkjoch /. und dem Kondensator ("und der Kondensator Γ wird durch diesen Strom entladen. Wenn dasTreibersignal .Si zum Zeitpunkt ίο negativ wird, wird der Transistor Qw gesperrt, jedoch der Transistor Qn geöffnet. Daher wird die in dem Kondensator C gespeicherte Ladung über den Kreis des Transistors Q\> entladen und damit fließt ein Strom S.\, wie Fig. 4C zeigt, durch den Transistor Ci? und ein Strom, der in der Polarität umgekehrt wie derjenige ist, der fließt, wenn der Transistor Q]] offen ist (unter Bezugnahme auf den Pfeil b in F i g. 3) fließt durch das Ablenkjoch L. Dieser Strom nimmt mit der Zeit zu.the circuit made up of the transistor Cn. the deflection yoke /. and the capacitor ("and the capacitor Γ is discharged by this current. If the drive signal .Si becomes negative at the time ίο, the transistor Qw is blocked, but the transistor Qn is opened. Therefore, the charge stored in the capacitor C is via the circuit of the Transistor Q \> discharges and thus a current S. \, as shown in Fig. 4C, flows through the transistor Ci? And a current which is opposite in polarity to that which flows when the transistor Q]] is open ( with reference to arrow b in Fig. 3) flows through deflection yoke L. This current increases with time.
Zum Zeitpunkt /ι wird der Transistor Q]2 durch das Treibersignal .S'i gesperrt, der Transistor Q]\ wild jedoch wiederum von dem Trcibcrsignal S] geöffnet und der Fmitterstrom versticht, durch diesen Transistor /ti fließen. Zu diesem Zeitpunkt fließt jedoch der Rückstrom (.lurch das Ablenkjoch /.. so daß der Transistor Cn gesperrt wird. Der durch das Ablenkjoch /. fließende Strom ladt daher einen Slreukondensator f"', der parallel zu dem Ablenkjoch /. vorhanden ist, wie durch eine gestrichelte Linie in F ig. 3 gezeigt ist, und fließt auch durch den Transistoi' Q] 1 in umgekehrter Richtung. Dadurch nimmt die Fmitterspannung des Transistors Qw abrupt zu und erzeugt einen Spannungsimpuls, der ein Rücklauf impuls ist. Die Impulsbreite des Rücklaufimpulscs wird von einem Resonanzkreis bestimmt, der aus dem Ablenkjoch /. und dem Kondensator gebildet wird, der dazu parallel geschallet ist und den Streukoiideiisator (''umfaßt. Dadurch wird die Rücklaufpenode 7/zwischen den Zeitpunkten /1 und h bestimmt. Da die Impiilsspannung höher als die Kollektorspannung des Transistors Qw ist, wird die Impulsspannung über den DilTeren/ierkeis 12 an die Steuerelektrode der Vierschichttriode Il angelegt, um diese zu öffnen. Somit wird die Spannung l.\, der Spanmiugsquellc auf den Kollektor des Transistors Cn gegeben, um seine Kolleklorspannung /11 Hn zu machen, wie durch .Si, in I i g. 4L gezeigt ist. und die Kondensatoren I4w und 14/' sind über die Vierschichttriode Il au den Anschluß 5 5 in Reihe angeschlossen und daher w ird jeder der Kondensatoren 14,7 und 14/' aiii eine Spannung aulgeladcn, die die in I ig, 3 gezeigte Polarität hat. Die Riicklauliinpulsspaiuuing steigt aul die Spannung /:ii au. il. h. die Spannung an dem Vcibin duiigspiinkt In wird /:ii, wie durch .S'/ in I i g. 41 'gezeigt ist. Nachdem die Kondensatoren 14./ und 14/' geladen sind, wie oben erwähnt wurde, wird die Sieuerspaiinuiig /'s infolge der Inbetrii'bnahnie der Diode lh von dem Kreis abgeschaltet.At the time / ι the transistor Q] 2 is blocked by the driver signal .S'i, the transistor Q] \ wild, however, is again opened by the Trcibcrsignal S] and the transmitter current flows through this transistor / ti. At this point in time, however, the reverse current flows (.l through the deflection yoke / .. so that the transistor Cn is blocked. The current flowing through the deflection yoke /. Therefore charges a leakage capacitor f "'which is present in parallel with the deflection yoke / 3, and also flows in the reverse direction through the transistor Q] 1. As a result, the transmitter voltage of the transistor Qw increases abruptly and generates a voltage pulse which is a flyback pulse is determined by a resonance circuit, which is formed from the deflection yoke /. and the capacitor, which is sounded parallel to it and comprises the scattering generator (". This determines the return penode 7 / between the times / 1 and h . Since the pulse voltage is higher When the collector voltage of the transistor Qw is, the pulse voltage is applied via the DilTeren / ierkeis 12 to the control electrode of the four-layer triode II in order to open it it the voltage l. \, the voltage source m is applied to the collector of the transistor Cn to make its collector voltage / 11 Hn , as indicated by .Si, in I i g. 4L is shown. and the capacitors I4w and 14 / 'are connected in series via the four-layer triode II to the terminal 5 5 and therefore each of the capacitors 14, 7 and 14 /' will be charged with a voltage which has the polarity shown in FIG . The backlash pulse spaiuuing increases as the tension /: ii au. il. H. the voltage at the Vcibin duiigspiinkt In becomes /: ii, as indicated by .S '/ in I i g. 41 'is shown. After the capacitors 14./ and 14 / 'are charged, as mentioned above, the Sieuerspaiinuiig /' s is disconnected from the circuit as a result of the operation of the diode 1h.
Das Zeitintervall, während dem die Vierschichttriode 11 ollen ist, tritt zwischen ilen Zeitpunkten /1 und i.· auf, während die Rüeklauliiiipulsspaiinuii): erzeugt wird Nach dem Zeitpunkt /.>, zu dem die !!mittelspannung des I ransisiors Qw verringert wird, wird die Liiiillerspaii niing des I ransisiors Qw niedriger als seine Kollektor spannung und die Steiiei clcktrodcnspaniuiug der Vierschichttriode Il wird niedriger als ihre Kathoden spannung, so daß die Vierschichttriode gesperrt wird und damil die Zufuhr der Spannung /:» unterbrochen wird, Das Signal S, in i ig.4D zeigt den Strom, der durch die Vierschichttriode Il fließt. Da der Transistor Qw während lies Zeitinleivalls zwischen den ZeilpiiiikThe time interval during which the Vierschichttriode is ollen 11, occurs between ilen times / 1 and i *, while the Rüeklauliiiipulsspaiinuii). Is produced, after time /> to the !! center voltage of the I ransisiors Qw is reduced. The Liiiillerspaii niing des I ransisiors Qw is lower than its collector voltage and the Steiiei clcktrodcnspaniuiug the four-layer triode II is lower than its cathode voltage, so that the four-layer triode is blocked and the supply of the voltage /: »is interrupted, the signal S, in i ig.4D shows the current that flows through the four-layer triode II. Since the transistor Qw was left in time between the Zeilpiiiik
ten I.· und l\ offen ist, werden dir Spannungen , Ik die inth I. · and l \ open, you will voltages Ik in
den Kondensatoren 14./IvW. Ι4/>gespeichert sind, über den Kreis uns dem Kondensat or 14,7, den Ί ransisloi Qw, dem Ablenkjoch /.. dem Kondensator (', der Diode IV und eiern Kondensator 14,7 bzw. den Kreis aus den Kondensator 14/). der Diode 15b. dem Transistor Cn eiern Ablenkjoch /.. dem Kondensator C und den Kondensator 14/) entladen. Hierbei sind die Fntladuii gen der Kondensatoren 14,7 und 14b parallele Entladungen, so daß ehe dem Kollektor des Transistor! Cn zugeführte Spannung nicht die Spannung ft sondern die Fadenspannung der Kondensatoren 14,7 linethe capacitors 14./IvW. Ι4 /> are stored via the circuit and the condensate or 14.7, the Ί ransisloi Qw, the deflection yoke / .. the capacitor (', the diode IV and a capacitor 14.7 or the circuit from the capacitor 14 / ). the diode 15b. the transistor Cn eiern deflection yoke / .. the capacitor C and the capacitor 14 /) discharged. Here, the discharges of the capacitors 14, 7 and 14b are parallel discharges, so that before the collector of the transistor! Cn supplied voltage is not the voltage ft but the thread tension of the capacitors 14.7 line
|o 14b. nämlich -, /;;, ist. Somit hat die Kollektorspannuni des Transistors Cn elen in Fig. 41·! gezeigten Verlauf Während des Zeitintervalls von dem Zeitpunkt i, bis z.i dem Zeitpunkt i.„ zu dem der Transistor Cn wicdet geöffnet wird, ist der Transistor Q1, offen und die is obenerwähnten Fntladungskrcise werden nicht gebildet, so daß elie Kollektorspannung eles Transistors Cn auf einem nahezu konstanten Wert gehalten werden der etwas niedriger als \ /:„ist. | o 14b. namely -, / ; ;, is. Thus, the collector voltage of the transistor Cn elen in Fig. 41 ·! During the time interval from the time i to zi the time i. "at which the transistor Cn is opened again, the transistor Q 1 is open and the above-mentioned discharge crises are not formed, so that the collector voltage of the transistor Cn a nearly constant value that is slightly lower than \ /: ".
2(.< Selbst wenn die Vierschichttriode Il gesperrt wird und ehe Zufuhr der Spannung /:'„ der Spanmmgsquellc unterbrochen wird, wie oben beschrieben wurde, erhält der Gegentaktverstärker mil Finiaktausgang eier Ausgangsstufe H das Betriebsspannungssignal von 2 (. < Even if the four-layer triode II is blocked and before the supply of the voltage /: '"the Spanmmgsquellc is interrupted, as described above, the push-pull amplifier with a finiact output eier output stage H receives the operating voltage signal from
nahezu , /■',, unel damil nimmt die Spannung .S',- an demalmost, / ■ ',, unel damil takes the tension .S', - on the
!!miller des I ransisiors Cn. el. h. an dem Verbindung*· Punkt In. wie F ig. 41" zeig), infolge des Spannungsab-IaIIs allmählich ab. der von dem Stromfluß durch diele Widerslanelskomponentc des Ablenk Jochs /. oder dem Strom .S',durch den'Iiansisior Cn hervorgerufen wird.!! miller des I ransisiors Cn. el. h. at the connection * point I n . like fig. 41 "show), gradually decreases as a result of the voltage drop which is caused by the current flow through the contradiction component of the deflection yoke /.
Wenn hierbei der l.eisiungsv erbiaiich /' in eiernIf the l.eisiungsv erbiaiich / 'in eiern
Iransisior Cn berücksichtigt wird, isi seine Spannungs-Iransisior Cn is taken into account, isi its voltage
komponente im wesentlichen der in I i l·. 41·" schraffiertcomponent essentially that in I i l ·. 41 · "hatched
is gezeigte dreieckige "I eil. Diese .Spannungskomponente entspricht dem dreieckigen Teil der schraffierten Spannungskompoiicnie der Fig. 2A.elie von dem Signalis shown triangular "I part. This" stress component corresponds to the triangular part of the hatched voltage component of FIG. 2A.elie of the signal
\· unel der Spannung /·,/ zwischen den Zeilpunkien />\ · Unel the tension / ·, / between the Zeilpunkien />
und ί, umgeben ist. die bei dem m F ι ». I gezeigtenand ί, is surrounded. those at the m F ι ». I shown
.!(.Stand der leehnik aiilireien. Ls isi \lahcr leicht verstanelhch. daß der I .eistiingsverbraiich /' in dem I i-ansisioi Cn beider FrI inelung. eier als das Produkt eier oben eiw ahmen verbrauchten Spannungskomponcnic.! (. State of the leehnik aiilireien. It's easy understandable. that the I .eistiingsverbraiich / 'in the I i-ansisioi Cn both fri inelation. eggs than the product eggs Above you can see the stress components used
und dv\- verbrauchten Siromkonipoiienie in I 'ig. 41!and dv \ - consumed Siromkonipoiienie in I 'ig. 41!
■is schrallieri gezeigt isi (entsprechend dem schrallierlen I eil der I ι j·. 21!) im Vergleich zum Staiul dci Technik sunk verminelen ist. Dies bedeuiei, daß durch die Fi'linelung die nutzlose Spannungskomponenie. elie■ is schrallieri shown isi (corresponding to the schrallierlen I eil der I ι j ·. 21!) Compared to the Staiul dci technique sunk is to minify. This means that through the Fi'linelung the useless tension component. elie
durch die gestrichelte Schiaffm in Fig..Il gezeigt isi.is shown by the dashed Schiaffm in Fig..Il.
so ehe der nutzlosen Spannuiigskoniponenlc cnispnVhl, elieso before the useless Spannuiigskoniponenlc cnispnVhl, elie
durch den gestrichelten Uloek in I ijv.'A des Slanelesby the dashed Uloek in I ijv.'A des Slaneles
( er I echnik gezeigt ist. beseitigt wird. Dahei kanu durch ehe Film,lung der (icsauiileisiungsv crbi auch ν cn iugcri unel «.liitiiii eier Aiisgaiigsvv irkungsgrael verbessert(he I echnik is shown . is eliminated. Dahei canu improved by before film, lung the (icsauiileisiungsv crbi also ν cn iugcri unel «.liitiiii eier Aiisgaiigsvv irkungsgrael
ss vv erden.ss vv ground.
Bei der in F i g. J gezeigten Ausliilii uiigslonn lsi elie Belnebsspaiiniiiig liir den (icgcniakiv ei siäikcr SI mil l-iMlaklausgani.! durch elie Verwendung der beiden Kondensaioicn 14.7 und 14b in dem Helriebsspaiiuiings erzeugungskreis Π während der Rücklaulperiode ' /.„■In the case of the in FIG. J shown Ausliilii uiigslonn lsi elie Belnebsspaiiniiiig liir the (icgcniakiv ei siäikcr SI mil l-iMlaklausgani.! By the use of the two condensers 14.7 and 14b in the helriebsspaiiuiings generating circuit Π during the return period '/
Die Frlindung ist jedoch nicht aul ehe Auslühningslorm der I ι,·, i beschiänki. sondern es können z.B. /) Konelensalorcii veiweiidei vvcielcn, um eine BclriebsThe birth, however, is not too early the I ι, ·, i beschiänki. but it can e.g. /) Konelensalorcii veiweiidei vvcielcn, to a Bclriebs
obenerwähnten Weise zuabove-mentioned way
erzeugen. Aiißerelem ist es zweckmäßig, zur Verringe-Hing der Rucklaulncnode '/';■ ohne Vnnm.ei iiiu- desproduce. It is advisable to use outer elements to reduce the the return node '/'; ■ without Vnnm.ei iiiu- des
spannung von (i /„ mvoltage from (i / "m
Ausgangswirkungsgrads die Betriebsspannung im Vergleich zu der Spannung Eo der Spannungsquelle klein zu machen.Output efficiency, the operating voltage is small compared to the voltage Eo of the voltage source do.
Fig.5 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Speichereinrichtung 13 mit drei Kondensatoren 14a, 146 und 14c.5 shows a circuit diagram of a further embodiment the storage device 13 with three capacitors 14a, 146 and 14c.
Bei der Ausführungsform der Fig. 5 dienen Dioden 156, 15c, 15e und 15/dazu, die Entladestrecke für die Kondensatoren zu bilden und Dioden 15a und 15d dienen dazu, den Rückstrom zu sperren. Hierbei wirdIn the embodiment of FIG. 5, diodes 156, 15c, 15e and 15 / serve to reduce the discharge path for the To form capacitors and diodes 15a and 15d are used to block the reverse current. Here is
die Spannung y E0 in jedem Kondensator 14a bis 14c gespeichert. Eine detaillierte Beschreibung des Aufbaus und der Arbeitsweise dieser Ausführungsform unterbleibt, da sie für den Fachmann offensichtlich sind.the voltage y E 0 is stored in each capacitor 14a to 14c. A detailed description of the structure and the mode of operation of this embodiment is omitted since it is obvious to a person skilled in the art.
Fig.6 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform des Vertikalablenkkreises gemäß der Erfindung, in dem die gleichen Bezugsziffern und -Symbole wie in F i g. 3 die gleichen Elemente bezeichnen.6 shows a circuit diagram of a further embodiment of the vertical deflection circle according to the invention, in which the same reference numerals and symbols as in Fig. 3 denote the same elements.
Bei der Ausführungsform der F i g. 6 ist die Speichereinrichtung 13, die dem die Ausgangsstufe 31 bildenden Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang die Betriebsspannung zuführt, in der folgenden Weise aufgebaut: Eine Serienschaltung aus einem Kondensator 21a, einer Diode 22a und einem Kondensator 21 b ist parallel zu den Transistoren Qn und Qn geschaltet, die einen Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang bilden. Eine Diode 22ύ ist parallel zu der Serienschaltung der Diode 22a und des Kondensators 216 geschaltet, und eine Diode 22c ist parallel zu der Serienschaltung des Kondensators 21 α und der Diode 22a geschaltet. Die obigen Schaltungen sind mit der Vierschichttriode 11 und dem Kollektor des Transistors Qw über die Anschlüsse 20a bzw. 20b verbunden.In the embodiment of FIG. 6, the storage device 13, the output stage 31 forming push-pull amplifier feeds the single ended the operating voltage, constructed in the following manner: a series circuit of a capacitor 21, a diode 22 and a capacitor 21 b is connected in parallel to the transistors Qn and Qn, which form a push-pull amplifier with a single-ended output. A diode 22ύ is connected in parallel to the series circuit of the diode 22a and the capacitor 216, and a diode 22c is connected in parallel to the series circuit of the capacitor 21α and the diode 22a. The above circuits are connected to the four layer triode 11 and the collector of the transistor Qw through terminals 20a and 20b , respectively.
Bei dieser Ausführungsform dient die Diode 22a dazu, die Ladcstreckc für die Kondensatoren 21a und 2ib zu bilden, während die Dioden 22b und 22cdazu dienen, die Entladestrecken für Ladungen zu bilden, die in den Kondensatoren 21a bzw. 21 b gespeichert sind.In this embodiment, the diode 22a serves to form the Ladcstreckc for the capacitors 21a and 2ib, while the diodes 22b and 22cdazu serve to form the discharge paths for charges stored in the capacitors 21 b and 21 respectively.
F.s wird nun die Arbeitsweise der in F i g. 6 gezeigten Ausführungsform beschrieben. Bei dieser Ausführungsform wird ein Rücklaufinipuls an dem Vcrbindungspimkt 111 erzeugt und die Vierschichttriode wird entsprechend dem Rücklaufimpuls geöffnet und gesperrt, wie im Falle der Ausführungsform in IMg. 3. Während der Rücklaul'periode Tr bzw. während des /eitinlervalls, in dem die Vierschichttriode Il offen ist, erhält der Anschluß 20;; die Spannung E0 der Spaniuingsquelle von dem Anschluß 33 und damit erhält die Ausgangsstufe 31 die Spannung /:i> über den Anschluß 20/j und die Kondensatoren 21a und 21/) werden mit der in Fi μ. b gezeiglen l'olariläl geladenFs now the operation of the in F i g. 6 described embodiment shown. In this embodiment, a return pulse is generated at connection point 111 and the four-layer triode is opened and blocked in accordance with the return pulse, as in the case of the embodiment in IMg. 3. During the return period Tr or during the / eitinlervalls in which the four-layer triode II is open, the terminal 20 receives ;; the voltage E 0 of the voltage source from the terminal 33 and thus the output stage 31 receives the voltage /: i> via the terminal 20 / j and the capacitors 21a and 21 /) are μ with the in Fi. b shown l'olariläl loaded
und ihre Anschliißspiiumingcii werden -, En. Währendand their connection spiiumingcii are -, En. During
der I liiilaul'pcriodc 7!s bzw. des /eitinlervalls, in dem die ss Vierschichttriode Il gesperrt ist, wird die Spannung /:'u dem Anschluß 20a nicht zugeführt, jedoch wird diethe I liiilaul'pcriodc 7! s or the / eitinlervalls in which the ss Four-layer triode Il is blocked, the voltage /: 'u the terminal 20a is not supplied, but the
Spannung Ί /:ii, die in den Kondensatoren 21a iintl 2l/>Voltage Ί /: ii, which is in capacitors 21a iintl 2l />
i'.espeieherl ist, der Ausgangsstufe .11 /.!!geführt. Dies (n> bedeutet, du 1.1 die Ladung, die in dein Kondensator 21a gespeichert ist, über die geschlossene Strecke aus dem Kondensator 21a, dem Transistor Qw, dem Ablenkjoch /., dem Kondensator C, der Diode 22/) und dem Kondensator 21a entladen wird und die in dem Kondensator 216 gespeicherte Ladung über die geschlossene Strecke aus dem Kondensator 21 b, der Diode 22c dem Transistor Qn, dem Ablenkjoch L, dem Kondensator C und dem Kondensator 216 gespeicherti'.espeieherl, the output stage .11 /.!! This (n> means you 1.1 the charge that is stored in your capacitor 21a, via the closed path from the capacitor 21a, the transistor Qw, the deflection yoke /., The capacitor C, the diode 22 /) and the capacitor 21a is discharged and stored in the capacitor 216 charge via the closed path from the capacitor 21b, diode 22c, the transistor Qn, the deflection yoke L, capacitor C and the capacitor 216 stored
wird, um die Spannung -y Eo dem Kollektor desis used to bring the voltage -y Eo to the collector of the
Transistors Qw über den Anschluß 206 zuzuführen. Es ist daher leicht verständlich, daß die Ausführungsform der Fig.6 wie diejenige der Fig.3 den Ablenkvorgang erreicht und den Ausgangswirkungsgrad verbessert. Hierbei ist es selbstverständlich möglich, daß η Kondensatoren in Reihe geschaltet in dem Kreis 13 Supply transistor Qw via terminal 206. It can therefore be easily understood that the embodiment of Fig. 6, like that of Fig. 3, achieves the deflection operation and improves the output efficiency. It is of course possible here for η capacitors to be connected in series in circuit 13
verwendet werden, um die Betriebsspannung — Eo in derused to set the operating voltage - Eo in the
Hinlaufperiode zu erzeugen.Generate trace period.
Fig. 7 zeigt ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die die Spannung—Eo (bei der7 shows a circuit diagram of a further embodiment of the invention, which the tension — Eo (at the
gezeigten Ausführungsform yEo) als Betriebsspannungembodiment shown yEo) as the operating voltage
während der Hinlaufperiode Ts verwendet und die Betriebsspannung während der Rücklaufperiode Tr größer als die Spannung Eo macht.is used during the trace period Ts and makes the operating voltage greater than the voltage Eo during the flyback period Tr.
In Fig. 7 stellen 25a und 256 weitere Dioden zum Sperren des Rückstroms und auch 25c eine Diode zum Sperren des Rückstroms dar. Ein Kondensator 24 ist parallel zu der Serienschaltung der Dioden 25a und 256 geschaltet, um die in dem Kondensator 24 gespeicherte Spannung der Spannung E0 der Spannungsquelle während der Rücklaufperiode Tr zu überlagern. DiesIn FIG. 7, 25a and 256 represent further diodes for blocking the reverse current and also 25c represent a diode for blocking the reverse current E 0 to superimpose the voltage source during the flyback period Tr. this
bedeutet, daß die Spannungen -γ Eo, auf die in denmeans that the stresses -γ Eo to which in the
Kondensatoren 21a und 2li> während der Rücklaufperiode Tr geladen werden, über den Transistor Qw während der Rücklaufperiodc 7s und auch über die Serienschaltung des Kondensators 24 und eines Widerstands 23 abgegeben wird, so daß der Kondensator 24 auf 5 /:'o geladen wird. Die in dem Kondensator 24Capacitors 21a and 2li> are charged during the flyback period Tr , through the transistor Qw during the flyback period 7s and also through the series connection of the capacitor 24 and a resistor 23, so that the capacitor 24 is charged to 5 /: 'o. Those in the capacitor 24
gespeicherte Ladung wird über den Transistor Qu während der Rücklaufperiode Tr entladen, so daß die Betriebsspannung, die dem Kollektor des Transistors Qn während der Rücklaufperiode Tr zugeführt wird, nahezu die Spannung E0 der Spannungsqucllc plus diestored charge is discharged through the transistor Qu during the flyback period Tr , so that the operating voltage which is supplied to the collector of the transistor Qn during the flyback period Tr , almost the voltage E 0 of the voltage qucllc plus the
geladene Spannung , En in dem Kondensator 24charged voltage, En in capacitor 24
wird. Der Spauiuiiigsvcrlauf an dem Verbindungspunkt I μ ist in I·" i y. 8 ge/.eigt. Die Ausl'ührungsl'orm tier F i g. 7 kann daher den Ausgangswirkungsgrad verbessern.will. The flow of water at the junction I μ is inclined in I · "i y. 8. The embodiment standard of FIG. 7 can therefore improve the output efficiency.
Außerdem erhält bei der Aiisfüliruiigsform der F i g. 7 die Steuerelektrode oi'f Vierschichttriode Il die Steuerspaiuiung über einen Transformator 2b; dies ist ein Uiiloi schied /wischen den Ausl'ühruiigsforinen der Fig. b und 7. Der Transformator 26 hat eine Primärwicklung 2da und eine Sekundärwicklung 2b/>. Die Primärwicklung 26a ist parallel zum Ablenkjoch /. geschulte!, während die Sekundärwicklung 2ft/> zwischen die Steuerelektrode und die Kathode der Vierschichttriode Ii geschähet ist.In addition, in the case of the Aiisfüliruiigsform the Fig. 7 the control electrode oi'f four-layer triode II the control voltage via a transformer 2b; This is a Uiiloi difference between the Ausl'ühruiigsforinen of Fig. b and 7. The transformer 26 has a primary winding 2da and a secondary winding 2b />. The primary winding 26a is parallel to the deflection yoke /. trained !, while the secondary winding 2ft /> is made between the control electrode and the cathode of the four-layer triode Ii.
I lieivii I ISLiII /eichnunj'.en VOU MO/3011 I lieivii I ISLiII /eichnunj'.en VOU MO / 3011
Claims (6)
Applications Claiming Priority (2)
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JP881773 | 1973-01-19 |
Publications (3)
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DE2402042A1 DE2402042A1 (en) | 1974-07-25 |
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