DE2360670C3 - Device for simultaneous ignition of a number of controllable semiconductor valves in a converter for high voltages - Google Patents

Device for simultaneous ignition of a number of controllable semiconductor valves in a converter for high voltages

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DE2360670C3
DE2360670C3 DE19732360670 DE2360670A DE2360670C3 DE 2360670 C3 DE2360670 C3 DE 2360670C3 DE 19732360670 DE19732360670 DE 19732360670 DE 2360670 A DE2360670 A DE 2360670A DE 2360670 C3 DE2360670 C3 DE 2360670C3
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3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Impedanzglied (/1) von einem Kennfrequenz-Oszillator (Öl) gesteuert ist, dessen Ausgangssignal in Abhängigkeit vom Zustandssignal (ui) ein- bzw. ausgeschaltet ist, wobei der Rückmeldeempfänger (R) auf die Kennfrequenz des Kennfrequenz-Oszillators (Oi) abgestimmt ist.3. Device according to claim 2, characterized in that the impedance element (/ 1) is controlled by a characteristic frequency oscillator (oil), the output signal of which is switched on or off as a function of the status signal (ui) , the feedback receiver (R) is matched to the characteristic frequency of the characteristic frequency oscillator (Oi).

4. Einrichtung nach Anspruch 2. gekennzeichnet durch eine Kapazitätsdiode als Impedanzglied.4. Device according to claim 2, characterized by a capacitance diode as an impedance element.

5. Einrichtung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine PIN-Diode als Impedanzglied.5. Device according to claim 2, characterized by a PIN diode as an impedance element.

6. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung des Zustandssignals (u 1) über den stromsperrenden bzw. stromleitenden Zustand des Halbleiterventils (Vl) eine Spannungsüberwachungsschaltung (UX) an dessen Anoden-Kathoden-Strecke geschaltet ist.6. Device according to claim 1, characterized in that a voltage monitoring circuit (UX) is connected to its anode-cathode path to form the status signal (u 1) via the current-blocking or current-conducting state of the semiconductor valve (Vl).

7. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Zirkulator (Z) ah modulationsabhängige Signalweiche.7. Device according to claim 1, characterized by a circulator (Z) ah modulation-dependent signal switch.

8. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Rückmeldeempfänger (R) eine Auswerteschaltung (W) zur Erzeugung von Anzeigesignalen (al, al) und/oder Alarmsignalen (w) nachgeschaltet ist.8. Device according to claim 1, characterized in that the feedback receiver (R) is connected downstream of an evaluation circuit (W) for generating display signals (al, al) and / or alarm signals (w).

9. Einrichtung nach Anspruch 1 mit einem Hochfrequenzsender, der einen Frequenzgenerator zur Erzeugung einer Trägerfrequenz und einen bo weiteren Frequenzgenerator zur Erzeugung einer Unterträge;frequenz enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerfrequenz (f/q) einem Phasenmodulator (M) eingegeben ist, der die Trägerfrequenz in Abhängigkeit vom Ausgangssignal eines Modulu- <■<<, tors (Mi) frequenzmoduliert und einem Frequenzvervielfacher (F) zur Bildung des Sendesignals zuführt, wobei der Modulator (M 1) die Unterträgerfrequenz (/1) mit dem Steuersignal (s 1) amplitudenmoduliert (F i g. 2).9. A device according to claim 1 having a radio frequency transmitter comprising a frequency generator for generating a carrier frequency and a bo further frequency generator for generating a sub-carrier; characterized contains frequency such that the carrier frequency (f / q) a phase modulator (M) is entered, the the carrier frequency is frequency-modulated as a function of the output signal of a modulo <■ <<, tors (Mi) and fed to a frequency multiplier (F) to form the transmission signal, the modulator (M 1) setting the subcarrier frequency (/ 1) with the control signal (s 1 ) amplitude modulated (Fig. 2).

10. Einrichtung nach Anspruch 9 für eine Anzahl von steuerbaren Haibleiterveiitilen, dadurch gekennzeichnet, daß für jedes Halbleiterventil (Vl, V2) eine eigene Unterträgerfrequenz (/1, f2) vorgesehen ist, die jeweils über Modulatoren (AfI1 Af 2) mit den Steuersignalen (s 1, s 2) amplitudenmoduliert und einem Verknüpfungsglied (Q) zugeführt sind, dessen Summensignal im Phasenmodulator (M) die Trägerfrequenz (f/q) frequenzmoduliert.10. Device according to claim 9 for a number of controllable Haibleiterveiitilen, characterized in that a separate subcarrier frequency (/ 1, f2) is provided for each semiconductor valve (Vl, V2), each via modulators (AfI 1 Af 2) with the control signals (s 1, s 2) are amplitude-modulated and fed to a logic element (Q) whose sum signal in the phase modulator (M) frequency-modulates the carrier frequency (f / q).

11. Einrichtung nach Anspruch 3 für eine Anzahl von steuerbaren Halbleiterventilen, dadurch gekennzeichnet, daß für jedes Halbleiterventil (Vl, V2) ein eigener Hochfrequenzempfänger (£1, £2) mit einer Antenne (Bl, 52) und einem Impedanzglied (/1, /2) mit einem Kennfrequenz-Oszillator (01, O2) vorgesehen ist, wobei die Kennfrequenzen (n 1, π 2) voneinander verschieden sind und wobei der RückmeJdeempfänger (R)entweder eine Anzahl von auf die Kennfrequenzen abgestimmten Filtern (N 1, N2) oder ein nacheinander auf die verschiedenen Kennfrequenzen abstimmbares Filter enthält.11. Device according to claim 3 for a number of controllable semiconductor valves, characterized in that for each semiconductor valve (Vl, V2) its own high-frequency receiver (£ 1, £ 2) with an antenna (B1, 52) and an impedance element (/ 1, / 2) is provided with a characteristic frequency oscillator (0 1, O2) , the characteristic frequencies (n 1, π 2) being different from one another and the feedback receiver (R) either having a number of filters (N 1, N2) or a filter that can be sequentially tuned to the different characteristic frequencies.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur gleichzeitigen Zündung einer Anzahl von steuerbaren Halbleiterventilen in einem Stromrichter für hohe Spannungen, bei der ein Hochfrequenzsender ein mit den Steuersignalen moduliertes Sendesugnal erzeugt und über eine mit ihm verbundene Antenne abstrahlt und bei der den steuerbaren I lalbleiterveniilen zugeordnete Hochfrequenzempfänger das Sendesignal jeweils über eine vorgeschaltete Antenne empfangen, demodulieren und das demodulierte Steuersignal auf die Steuerstrecke des betreffenden Halbleiterventils geben.The invention relates to a device for the simultaneous ignition of a number of controllable Semiconductor valves in a converter for high voltages with a high-frequency transmitter the control signals modulated transmission signal is generated and emitted via an antenna connected to it and the one assigned to the controllable semiconductor valves High-frequency receivers receive and demodulate the transmission signal via an upstream antenna and apply the demodulated control signal to the control path of the relevant semiconductor valve.

Die Übertragung von Steuersignalen von einem Steuersignalgeber an die Steuerstrecke von steuerbaren Halbleiterventilen wird stets dann auf drahtlosem Wege, also mi! galvanischer Trennung, vorgenommen, wenn zwischen Steuersignalgeber und Halbleiterventilen ein besonders großer Potentiaiunterschied herrscht, wenn zwischen ihnen ein besonders großer Abstand besteht oder wenn beide nur schwer zugänglich sind.The transmission of control signals from a control signal generator to the control path of controllable Semiconductor valves will always be wireless, i.e. mi! galvanic isolation, made, if there is a particularly large difference in potential between the control signal transmitter and the semiconductor valves, if there is a particularly large distance between them or if both are difficult to access.

Bei der eingangs genannten, aus der CH-PS 4 13 993 bekannten Einrichtung wird zur Übertragung der Steuersignale eine Frequenz von etwa 1 MHz verwendet. Diese Hochfrequenz wird mit einer Mittelfrequenz moduliert, wobei die als Demodulatoren ausgebildeten Empfänger die Modulationsfrequenz als Steuerfrequenz an eine Schalteinrichtung weitergeben, die Zündimpulse für die gesteuerten Ventile erzeugt.In the case of the device known from CH-PS 4 13 993 mentioned at the outset, the Control signals used a frequency of about 1 MHz. This high frequency is associated with a center frequency modulated, the receiver designed as demodulators using the modulation frequency as the control frequency to a switching device that generates ignition pulses for the controlled valves.

Bei einer derartigen Einrichtung ist von Interesse, ob beim Betrieb eines steuerbaren Halbleiterventils ein Kurzschluß in dessen Anoden-Kathodeu-Strecke aufgetreten ist. Sind mehrere steuerbare Halbleiterventile in einem Stromrichter zusammengefaßt, so will man auch erfahren, wieviele und welche Halbleiterventile ausgefallen sind.In such a device it is of interest whether a controllable semiconductor valve is operated Short circuit has occurred in the anode-cathode path. Are there several controllable semiconductor valves in summarized in a converter, one also wants to find out how many and which semiconductor valves have failed are.

Bei einer bekannten Anordnung zur Erfassung der Slromlosigkeit eines Stromriehtervent.ls wird die Sperrspannung des Stromrichterventils ausgewertet (DT-OS 21 00 776). Ein parallel zum Stromrichterventil geschaltetes lichtemittierendes Element erfaßt die Sperrspannung des Stromrichterventils, formt diese in ein Lichtsignal um und überträgt dieses über eineIn a known arrangement for detecting the lack of power in a Stromriehtervent.ls the Reverse voltage of the converter valve evaluated (DT-OS 21 00 776). One in parallel with the converter valve switched light-emitting element detects the reverse voltage of the converter valve, converts it into converts a light signal and transmits it via a

Lichtstrecke auf einen fotoelektrischen Wandler, der an seinem Ausgang ein Signal bei Stromlosigkeit des Stromrichterventils abgibt Für die Übertragung des Zustandssignals ist somit eine eigne Übertragungsstrekke mit Sender und Empfänger erforderlich.Light path to a photoelectric converter that is on its output emits a signal when the converter valve is de-energized for the transmission of the Status signal, a separate transmission link with transmitter and receiver is required.

Bei einem bekannten Steuersatz zur Abgabe breitenbegrenzter Zündimpulse in einem Stromrichter mit einem oder mehreren steuerbaren Stromrichterventilen ist ein Schaltkreis zur Überwachung der an den Stromrichterventilen liegenden Spannung vorgesehen (DT-OS 23 02 227). Dieser Schaltkreis gibt ein Ausgangssignal ab, wenn an den Stromrichterventilen eine Blockierspannung liegt. Eine Schaltvorrichtung gibt einen breitenbegrenzten Zündimpuls an die steuerbaren Stromrichterventile ab, wenn gleichzeitig ein Ausgangssignal ansteht, das Blockierspannung anzeigt, und wenn ein Impuls eines Impulsgenerators ansteht. Eine Übertragung des Zustandssignals ist bei diesem bekannten Steuersatz nicht vorgesehen.In a known tax rate for the delivery of width-limited ignition pulses in a converter with one or more controllable converter valves is a circuit for monitoring the to the Converter valves provided voltage (DT-OS 23 02 227). This circuit gives an output signal when a blocking voltage is applied to the converter valves. A switching device there a width-limited ignition pulse to the controllable converter valves if there is an output signal at the same time pending, which indicates blocking voltage, and when a pulse from a pulse generator is pending. One Transmission of the status signal is not provided in this known tax rate.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art dafür zu sorgen, daß eine Rückmeldung über den Ausfall eines oder gegebenenfalls mehrerer Halbleiterventile mit geringem schaltungstechnischen Aufwand ermöglicht wird.The present invention is based on the object in a circuit arrangement of the initially mentioned type to ensure that a feedback about the failure of one or, if necessary, several Semiconductor valves with little circuitry effort is made possible.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeweils der Antenne des Hochfrequenzempfängers ein steuerbares reflektierendes Modulationsglied nachgeschaltet ist, das in Abhängigkeit von einem den stromsperrenden oder den stromleitenden Zustand des Halbleiterventils kennzeichnenden Zustandssignal einen Teil des empfangenen St-ndesignals neu modulien und als Rückmeldesignal über die Antenne reflektiert, und daß der Antenne des Hochfrequenzsenders eine modulationsabhängige Signalweiche nachgeschaltet ist, die das Rückmeldesignal einem Rückmeldeempfänger zuführt.This object is achieved according to the invention in that each antenna of the high-frequency receiver a controllable reflective modulation element is connected downstream, depending on one of the current-blocking or the current-conducting state of the semiconductor valve characterizing state signal part of the received St-ndesignals re-modulien and reflected as a feedback signal via the antenna, and that the antenna of the radio frequency transmitter a modulation-dependent signal switch is connected downstream, which the feedback signal to a feedback receiver feeds.

Bei der e.findungsgemäßen Einrichtung ist beim Hochfrequenzempfänger am Halbleiterventil ein steuerbares reflektierendes Modulationsglied vorgesehen, das in Abhängigkeit von einem Zustandssignal über den stromsperrenden bzw. stromleitenden Zustand des Ventils einen Teil der empfangenen Hochfrequenzenergie neu moduliert und als Rückmeldesignal reflektiert. Hierdurch wird ein eigener Sender zur Ausstrahlung des Rückmeldesignals und ein eigener Empfänger zu dessen Empfang eingespart. Das Rückmeldesignal wird vielmehr über die Antenne des Hochfrequenzempfängers abgestrahlt und von der Antenne des Hochfrequenzsenders aufgefangen. Eine derartige Doppelausnutzung von Antennen ist beispielsweise aus der FR-PS 13 58 780 bekannt. An die Antenne des Hochfrequenzsenders ist eine modulationsabhängige Signalweiche angeschlossen, die das Rückmeldesignal einem Rückmeldeempfänger zuführt.In the device according to the invention, the high-frequency receiver on the semiconductor valve has a controllable reflective modulation element is provided, depending on a status signal via the current-blocking or current-conducting state of the valve part of the received high-frequency energy newly modulated and reflected as a feedback signal. This creates its own transmitter to broadcast the Feedback signal and a separate receiver to receive it saved. The feedback signal is rather emitted via the antenna of the radio frequency receiver and from the antenna of the radio frequency transmitter caught. Such a double use of antennas is for example from the FR-PS 13 58 780 known. To the antenna of the radio frequency transmitter a modulation-dependent signal switch is connected, which sends the feedback signal to a feedback receiver feeds.

Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß als steuerbares reflektierendes Modulationsglied ein Impedarizglied verwendet ist, dessen Impedanz in Abhängigkeit vom Zustandssignal gesteuert ist. Hierbei wird die für die Ansteuerung verwendete, an der Empfangsantenne des Empfängers ankommende Hochfrequenzleistung am Impedanzglied teilweise reflektiert und zur drahtlosen Übertragung der Rückmeldung ausgenutzt. Als Impedanzglied kann eine Kapazitätsdiode oder eine PIN-Diode (Halbleiter-Datenbiu?h 1972/ 1973, Standard-Typen, Siemens Aktiengesellschaft, Seite 512) verwendet werden.A preferred development of the invention provides that an impedance element is used as the controllable reflective modulation element, its impedance is controlled as a function of the status signal. Here, the one used for the control is used on the Receiving antenna of the receiver partially reflects incoming high-frequency power on the impedance element and used for wireless transmission of the feedback. A capacitance diode can be used as the impedance element or a PIN diode (semiconductor data book 1972/1973, standard types, Siemens Aktiengesellschaft, Page 512) can be used.

Bei der erwähnten Weiterbildung der Erfindung kannIn the mentioned development of the invention can

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(„, das Impedanzglied von einem Kennfrequenz-Oszillator gesteuert sein, dessen Ausgangssignal in Abhängigkeit vom Zustandssignal ein- bzw. ausgeschaltet ist, wobei der Rückmeldeempfänger auf die Kennfrequenz des Kennfrequenz-Oszillators abgestimmt ist Hierbei wird vorausgesetzt daß aus Gründen der Störsicherheit eine Frequenzmodulation des Hochfrequenzsenders und eine Ampliiwden.steuerbarkeit des Kennfrequenz-Os/illators vorgesehen ist Der Kennfrequeaz-Oszillator steuert mit seiner Kennfrequenz das Impedanzglied bezüglich dessen Impedanz und ruft dadurch eine Amplitudenmodulation des reflektierten und als Rückmeldesignals ausgenutzten Teiles der empfangenen Hochfrequenzenergie hervor.(", The impedance term of a characteristic frequency oscillator be controlled, the output signal of which is switched on or off as a function of the status signal, wherein the feedback receiver is matched to the characteristic frequency of the characteristic frequency oscillator provided that, for reasons of interference immunity, a frequency modulation of the high-frequency transmitter and an amplification controllability of the characteristic frequency oscillator The characteristic frequency oscillator controls the impedance element with its characteristic frequency with regard to its impedance and thereby causes an amplitude modulation of the reflected and as feedback signal utilized part of the received high frequency energy.

Zur Bildung eines Zustandssignals über den stromsperrenden bzw. stromleitenden Zustand des Halbleiterventils kann eine Spannungsüberwachungsschaltung an dessen Anoden-Kathoden-Strecke geschaltet sein. Eine solche Spannungsüberwachungsschaltung kann beispielsweise von einem Prinzip Gebrauch machen, wie es in der bereits erwähnten DT-OS 21 00 7/6 oder der DT-OS 23 02 227 bekannt ist.To generate a status signal via the current blocking or the current-conducting state of the semiconductor valve can be connected to a voltage monitoring circuit whose anode-cathode path must be connected. Such a voltage monitoring circuit can, for example make use of a principle as it is in the already mentioned DT-OS 21 00 7/6 or the DT-OS 23 02 227 is known.

Als modulationsabhängige Signalweiche kann vorzugsweise ein Zirkulator verwendet werden. Ein Zirkulator ist ein Hohlleiter-Bauelement, das beispielsweise in Collin »Grundlagen der Mikrowellentechnik«, VEB Verlag Technik Berlin, 1973, Seite 334 beschrieben ist.A circulator can preferably be used as the modulation-dependent signal switch. A Circulator is a waveguide component, which is described, for example, in Collin »Fundamentals of Microwave Technology«, VEB Verlag Technik Berlin, 1973, page 334 is described.

Besonders wichtig ist es, im Sendeteil eine scharfe Trennung des durch die Sendeantenne abgegebenen Sendesignals von dem durch dieselbe Sendeantenne aufgefangenen Rückmeldesignals durchzuführen. Dies wird bevorzugt durch verschiedene Modulationsarten erreicht. Wenn das Sendesignal frequenzmoduliert ist, dann sollte das reflektierte Rückmeldesignal amplitudenmoduliert sein.It is particularly important to have a sharp separation in the transmitting part of the transmitted by the transmitting antenna To carry out the transmission signal from the feedback signal picked up by the same transmitting antenna. this is preferably achieved through different types of modulation. If the transmission signal is frequency modulated, then the reflected feedback signal should be amplitude modulated.

Ist eine Vielzahl von Halbleiterventilen vorhanden, so sollte die Übertragung der Steuersignale durch verschiedene Unterträgerfrequenzen erfolgen.If there is a large number of semiconductor valves, the control signals should be transmitted using different Subcarrier frequencies take place.

Ausführungsbeispiele der Erfindung und ihre in den Unteransprüchen näher gekennzeichneten vorteilhaften Ausgestaltungen werden im folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Für gleiche oder gleich wirkende Bauelemente werden dabei gleiche Bezugszeichen verwendet. Es zeigen:Embodiments of the invention and their advantageous characterized in the subclaims Refinements are explained in more detail below with reference to the figures. For same or equal Acting components are used the same reference numerals. Show it:

F i g. 1 eine Schaltungsanordnung zur drahtlosen Übertragung zweier Steuersignale mit drahtloser Übertragung von Rückmeldesignalen,F i g. 1 shows a circuit arrangement for the wireless transmission of two control signals with wireless Transmission of feedback signals,

Fi g. 2 eine Ausführungsform des dabei verwendeten Steuersenders,Fi g. 2 an embodiment of the control transmitter used for this,

F i g. 3 eine Ausführungsform des dabei verwendeten EmpfängersundF i g. 3 shows an embodiment of the receiver used therein and

Fi g. 4 eine Ausführungsform einer Kombination der dabei verwendeten Rückmeldecmpfänger- und Aujwerteschaltung. Fi g. 4 shows an embodiment of a combination of the feedback and feedback circuit used in this case.

Nach der schematischen Darstellung in Fig. 1 ist ein Steuersender S vorgesehen, dem über eine Eingangsklemme ein Steuersignal s i zur Zündung eines Halbleiterventils Vi, insbesondere eines Thyristors, vorgegeben wird. Anstelle dieses einen Halbleiterventils Vi können hier auch mehrere in Reihe oder parallel zueinander geschaltete Halbleiterventile vorgesehen sein, die gleichzeitig zu zünden sind. Dem Steuersender S ist über eine weitere Eingangsklemme ein weiteres Steuersignal s2 vorgegeben, das zur Zündung eines weiteren Halbleiterventils V2 oder einer Gruppe solcher Halbleiterventile herangezogen wird.According to the schematic representation in FIG. 1, a control transmitter S is provided, to which a control signal s i for igniting a semiconductor valve Vi, in particular a thyristor, is specified via an input terminal. Instead of this one semiconductor valve Vi , a plurality of semiconductor valves connected in series or parallel to one another, which are to be ignited at the same time, can also be provided here. A further control signal s2, which is used to ignite a further semiconductor valve V2 or a group of such semiconductor valves, is specified for the control transmitter S via a further input terminal.

In Fig. 1 sind abweichend vom normalen Fall nurIn Fig. 1 are different from the normal case only

zwei Halbleiterventile VI1 V 2 eingezeichnet. Es wird dabei angenommen, daß beide Halbleiterventile Vl1 V2 demselben Stromrichter für hohe Spannung, z. B. demselben Stromrichter für die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung, angehören, daß sie aber in verschiedenen Zweigen angeordnet sind und zu unterschiedlichen Zündzeitpunkten gezündet werden sollen.two semiconductor valves VI 1 V 2 are shown. It is assumed that both semiconductor valves Vl 1 V2 the same converter for high voltage, z. B. the same converter for high-voltage direct current transmission, but that they are arranged in different branches and should be ignited at different ignition times.

Der Steuersender Sgibt über einen Zirkulator Zein Sendesignal ρ an eine Sendeantenne A ab. Die Frequenz dieses Sendesignals ρ liegt beispielsweise im GHz-Bereich. Das Sendesignal ρ gelangt drahtlos zu einer Anzahl von Empfangsantennen B1, B2,..., von denen nur die beiden Empfangsantennen Bl, B2 dargestellt sind. Die drahtlose Übertragung des Sendesignals ρ ist durch die gewellten Pfeile in F i g. 1 angedeutet. Die Empfangsantennen B1, B 2 sind in einigem Abstand von der Sendeantenne A aufgestellt. Der minimale Abstand ist im allgemeinen durch den Sicherheitsabstand bestimmt, welcher bei der größten Spannung des Stromrichters von dessen Halbleiterventilen eingehalten werden muß. In Fig. 1 sind nur zwei Empfangsantennen B1 und B2 dargestellt. Im allgemeinen wird man jedem der vorhandenen Halbleiterventile Vl, V2 eine solche Empfangsaritenne B1, B 2 zuordnen.The control transmitter S emits a transmission signal ρ to a transmission antenna A via a circulator Zein. The frequency of this transmission signal ρ is, for example, in the GHz range. The transmission signal ρ reaches a number of receiving antennas B 1, B2, ..., of which only the two receiving antennas B1, B2 are shown. The wireless transmission of the transmission signal ρ is indicated by the wavy arrows in FIG. 1 indicated. The receiving antennas B 1, B 2 are set up at some distance from the transmitting antenna A. The minimum distance is generally determined by the safety distance which must be maintained by the semiconductor valves at the highest voltage of the converter. In Fig. 1 only two receiving antennas B 1 and B2 are shown. In general, such a receiving antenna B 1, B 2 will be assigned to each of the existing semiconductor valves V1, V2.

Jede Empfangsantenne Bi, B2 ist zusammen mit einem Empfänger Ei, E2, der jeweils einen Demodulator enthält, einem der Halbleiterventile Vl, V2 des Stromrichters zugeordnet. Die einzelnen Empfänger Ei, E2 sind weitgehend gleich aufgebaut. Sie haben die Eigenschaft, daß sie aus einer Vielzahl von angebotenen Steuersignalen das ihnen zugeordnete Steuersignal 51 bzw. s 2 selektieren und in Abhängigkeit dieses Steuersignals 51, s 2 ein Zündsignal an die Steuerstrecke des Halbleiterventils Vl bzw. V2 geben.Each receiving antenna Bi, B2 , together with a receiver Ei, E2, which each contains a demodulator, is assigned to one of the semiconductor valves V1, V2 of the converter. The individual receivers Ei, E2 have largely the same structure. They have the property that they select the control signal 51 or s 2 assigned to them from a large number of available control signals and, depending on this control signal 51, s 2 , send an ignition signal to the control path of the semiconductor valve V1 or V2.

Zwischen der Empfangsantenne Bl, B 2 und dem Empfänger Ei, E2 ist jeweils ein steuerbares Impedanzglied /1 bzw. /2 angeordnet. Als Impedanzglied Ii, 12 kann jeweils eine Kapazitätsdiode oder eine PIN-Diode vorgesehen sein. Dessen Impedanz kann jeweils von einem Kennfrequenz-Oszillator ΟΙ, Ο2mit einer Kennfrequenz π 1 bzw. η 2 gesteuert werden. Die von den Kennfrequenz-Oszillatoren Oi, O2 abgegebenen Kennfrequenzen nl, π 2 sind ein Kennzeichen für das betreffende Halbleiterventil Vl bzw. V2. Es ist also die Kennfrequenz π 1 dem Halbleiterventil V ί und die Kennfrequenz π 2 dem Halbleiterventii V2 zugeordnet. Die einzelnen Kennfrequenzen nl, η 2 sämtlicher Halbleiterventile Vl, V2, .. sind voneinander verschieden und können z. B. jeweils um 1 kHz auseinander liegen.A controllable impedance element / 1 or / 2 is arranged between the receiving antenna B1, B 2 and the receiver Ei, E2. A capacitance diode or a PIN diode can each be provided as the impedance element Ii, 12. Its impedance can each be controlled by a characteristic frequency oscillator ΟΙ, Ο2 with a characteristic frequency π 1 or η 2. The characteristic frequencies nl, π 2 emitted by the characteristic frequency oscillators Oi, O2 are a characteristic of the relevant semiconductor valve V1 and V2. The characteristic frequency π 1 is therefore assigned to the semiconductor valve V ί and the characteristic frequency π 2 is assigned to the semiconductor valve V2. The individual characteristic frequencies nl, η 2 of all semiconductor valves V1, V2, .. are different from one another and can, for. B. are each 1 kHz apart.

Das von der Empfangsantenne Bl, B 2 aufgenommene Sendesignal ρ gelangt über das Impedanzglied 11,12 in den Empfänger Et, E2 und wird hier demoduliert. Dabei wird festgestellt, ob das demodulierte Signal zur Zündung des betreffenden Ventils Vl bzw. V2 auch wirklich vorgesehen ist Falls dies zutrifft, wird das demodulierte Signal zur Zündung des Halbleiterventils Vl oder V 2 herangezogen.The transmitted signal ρ picked up by the receiving antenna Bl, B 2 reaches the receiver Et, E2 via the impedance element 11, 12 and is demodulated here. In this case, it is determined whether the demodulated signal for the ignition of the respective valve Vl and V2 is actually provided If so, the demodulated signal is used for firing the semiconductor valve Vl or V2.

Die Kennfrequenz-Oszillatoren Oi, O 2 sind zur Rückmeldung einer Information über den Zustand des betreffenden Halbleiterventils Vl bzw. V 2 vorgesehen. Zur Feststellung des Zustande der Halbleiterventile Vl, V2 sind insbesondere Spannungsüberwachungsschaltungen Ui, i/2 vorgesehen, die die Anoden-Kathoden-Spannungen, & h. die Spannungen an den Anoden-Kathoden-Strecken der Halbleiterventile Vl bzw. V2 messen. Falls die Anoden-Kathoden-Spannung Null ist falls also eine Störung voHiegt, gibt die Spannungsüberwachungsschaltung U1, LJ2 als Ausgangssignal u 1 bzw. u2 ein Sperrsignal an den Kennfrequenz-Oszillator 01 bzw. O 2 ab. Dieses Sperrsignal ul, u2 sperrt die Ausgangsspannung des Kennfrequenz-Oszillators Oi, O 2, d. h. macht diese Ausgangsspannung zu Null.The characteristic frequency oscillators Oi, O 2 are provided for reporting information about the state of the relevant semiconductor valve Vl or V 2. In order to determine the state of the semiconductor valves Vl, V2, voltage monitoring circuits Ui, i / 2 are provided in particular, which monitor the anode-cathode voltages, & h. Measure the voltages at the anode-cathode sections of the semiconductor valves Vl and V2. If the anode-cathode voltage is zero, if there is a fault, the voltage monitoring circuit U1, LJ2 emits a blocking signal to the characteristic frequency oscillator 01 or O 2 as output signal u 1 or u2. This blocking signal ul, u2 blocks the output voltage of the characteristic frequency oscillator Oi, O 2, ie makes this output voltage zero.

Im ungestörten Falle, wenn an den Halbleitervenfilen Vl, V2 eine Sperrspannung anliegt, gibt jede Spannungsüberwachungsschaltung U1, t/2 kein Sperrsignal ab. Die Kennfrequenz-Oszillatoren Oi, O2 In the undisturbed case, when a blocking voltage is applied to the semiconductor filaments Vl, V2, each voltage monitoring circuit U 1, t / 2 does not emit a blocking signal. The characteristic frequency oscillators Oi, O2

ίο verändern dann den Wert des zugeordneten Impedanzgliedes /1, /2 nach Maßgabe der Kennfrequenz η 1, η 2. Das ankommende Sendesignal ρ wird dadurch moduliert. Diese Modulation bewirkt, daß das Sendesignal ρ an der steuerbaren Impedanz 11,12 teilweise reflektiertίο then change the value of the associated impedance element / 1, / 2 in accordance with the characteristic frequency η 1, η 2. The incoming transmission signal ρ is thereby modulated. This modulation has the effect that the transmission signal ρ is partially reflected at the controllable impedance 11, 12

is und über die Empfangsantenne Bl, B2 als amplitudenmoduliertes Ruckmeldesignal r 1, r2 wieder abgestrahlt wird. Ein Teil der abgestrahlten Leistung gelangt über die Übertragungsstrecke zurück auf die Sendeantenne A. is and is emitted again via the receiving antenna B1, B2 as an amplitude-modulated feedback signal r 1, r2. Part of the radiated power is returned to the transmitting antenna A via the transmission path.

Das von der Sendeantenne A empfangene Gemisch von Rückmeldesignalen r 1, r 2 wird über den Zirkulator ZaIs Empfangssignal ein einen Rückmeldeempfänger R geleitet. Dieser Rückmeldeempfänger R selektiert die von sämtlichen Empfangsantennen Bl, B 2 modulierte reflektierten Rückmeldesignale rl, r2 nach ihren Kennfrequenzen π 1, η2 ... Ist eines der Halbleiterventile Vl, V2 gestört, so fehlt die entsprechende Kennfrequenz nl bzw. π2 im Empfangssignal e. Eine Auswerteschaltung W verarbeitet die vom Rückmeldeempfänger R abgegebenen Signale weiter, so daß man Aufschloß über Kennzahl, Ort und/oder Anzahl der fehlerhaften Halbleiterventile Vl, V2 erhält. Die Auswerteschaltung W gibt an ihren Ausgangsklemmen den Ventilen Vl, V2 zugeordnete Anzeigesignale al bzw. a 2 ab, die zum Betrieb von Kontrollampen herangezogen werden können. Die Auswerteschaltung W gibt ferner ein Summensignal w ab, das zur Auslösung eines Alarms benutzt werden kann.The mixture of feedback signals r 1, r 2 received by the transmitting antenna A is passed to a feedback receiver R via the circulator ZaIs received signal. This feedback receiver R selects the reflected feedback signals rl, r2 modulated by all receiving antennas Bl, B 2 according to their characteristic frequencies π 1, η2 ... If one of the semiconductor valves Vl, V2 is disturbed, the corresponding characteristic frequency nl or π2 is missing in the received signal e. An evaluation circuit W processes the signals emitted by the feedback receiver R , so that information about the code number, location and / or number of the faulty semiconductor valves V1, V2 is obtained. The evaluation circuit W emits display signals a1 and a 2 assigned to the valves V1, V2 at its output terminals, which signals can be used to operate control lamps. The evaluation circuit W also emits a sum signal w which can be used to trigger an alarm.

Damit das Sendesignal ρ und das Gemisch rückgestrahlter Rückmeldesignale r 1, r 2 sich nicht gegenseitig beeinflussen, müssen verschiedene Maßnahmen getroffen werden. Zunächst einmal sollten verschiedene Modulationsarten vorgesehen sein. Dabei kann beispielsweise das Sendesignal ρ im Takte der Steuersigna-Ie si, s2 frequenzmoduliert und das rückgemeldete Empfangssignal e — wie bereits erwähnt — amplitudenmoduliert sein. Man kann aber auch umgekehrt vorgehen: Das Sendesignal ρ kann amplitudenmoduliert und das Empfangssignal e kann frequenzmoduliert sein.Various measures must be taken so that the transmission signal ρ and the mixture of back-emitted feedback signals r 1, r 2 do not influence one another. First of all, different types of modulation should be provided. For example, the transmission signal ρ can be frequency-modulated in time with the control signals Ie si, s2 and the received signal e, as already mentioned, can be amplitude-modulated. However, one can also proceed in reverse: the transmission signal ρ can be amplitude-modulated and the reception signal e can be frequency-modulated.

Die erstgenannte Lösung ist jedoch die günstigere, weil ein frequenzmoduliertes Sendesignal ρ weniger anfällig gegen Störungen ist, die beispielsweise durch Glimmentladungen an dem Stromrichter hervorgerufen werden können. Ein frequenzmoduliertes Sendesignal ρ The first-mentioned solution is, however, the more favorable one, because a frequency-modulated transmission signal ρ is less susceptible to interference that can be caused, for example, by glow discharges on the converter. A frequency-modulated transmission signal ρ

ist auf der Ventilseite einfacher und störsicherer zu verarbeiten.is simpler and less susceptible to interference on the valve side process.

Als weitere Maßnahme ist die Trennung von Sendesignal ρ und Empfangssignal e mittels des Zirkulator Z zu nennen. Anstelle eines Zirkulator Z kann auch jede andere gebräuchliche Signalweiche verwendet werden. Und als dritte Maßnahme sollte darauf geachtet werden, daß verschiedene Frequenzen für die Kennfrequenzen ni, nl einerseits und — bei Frequenzmodulation des Sendesignals ρ — für dieThe separation of the transmitted signal ρ and the received signal e by means of the circulator Z should be mentioned as a further measure. Instead of a circulator Z, any other common signal splitter can be used. And as a third measure, care should be taken to ensure that different frequencies for the characteristic frequencies ni, nl on the one hand and - with frequency modulation of the transmission signal ρ - for the

Modulationsfrequenzen im Steuersender S benutzt werden.Modulation frequencies in the exciter S can be used.

In F i g. 2 ist ein Ausfühnmgsbeispiel des Steuersenders SdargestelltIn Fig. 2 is an exemplary embodiment of the control transmitter S shown

t>U ÖYUt> U OYU

Es wird davon ausgegangen, daß die zu zündenden Halbleiterventile in einem Stromrichter in Drehstrombrückenschaltung angeordnet sind. Ein nicht dargestellter Steuersignalgeber, der z. B. Bestandteil eines Regelkreises ist, gibt Steuersignale 51,5 2,..., s 6 ab, die zur Zündung der Halbleiterventile in den sechs Zweigen des Stromrichters verwendet werden sollen. DieIt is assumed that the semiconductor valves to be ignited are arranged in a converter in a three-phase bridge circuit. A control signal generator, not shown, which z. B. is part of a control loop, outputs control signals 51,5 2, ..., s 6, which are to be used to ignite the semiconductor valves in the six branches of the converter. the

Frequenz dieser Steuersignale si, s2 s6 beträgtThe frequency of these control signals is si, s2 s6

z. B. 50 Hz.z. B. 50 Hz.

Nach Fig. 2 enthält der Steuersender 5 einen ι ο Frequenzgenerator G 1, ζ. Β. einen Quarz-Oszillator, der ein Signal mit einer Frequenz f\ abgibt. Diese Frequenz ft ist konstant. Sie soll beispielsweise im Bereich von 6, 7 bis 11 MHz liegen. Diese Frequenz f\ wird im folgenden als Unterträgerfrequenz f\ bezeich- is net. Das vom Frequenzgenerator G1 abgegebene Signa] wird einem Modulator M1 zugeführt, der zur Amplitudenmodulation vorgesehen ist. Als Modulator AiI kann z.B. ein elektronischer Schalter, z.B. ein Schalttransistor, vorgesehen sein. Di m Modulationseingang M1, z. B. der Basis des Schalttransistors, wird das Steuersignal 51 zugeführt. Dieses Steuersignal s 1 ist für eine gleichzeitige Zündung aller Halbleiterventile Vl eines Zweiges des Stromrichters vorgesehen. Das vom Modulator Mi abgegebene Signal ist ein Signal der Unterträgerfrequenz ft, welches im Takte des Steuersignals s 1, also z. B. mit 50 Hz, amplitudenmoduliert ist.According to Fig. 2, the control transmitter 5 contains a ι ο frequency generator G 1, ζ. Β. a quartz oscillator that emits a signal with a frequency f \. This frequency ft is constant. For example, it should be in the range from 6.7 to 11 MHz. This frequency f \ is referred to as sub-carrier frequency f \ designated net is. The signal emitted by the frequency generator G 1 is fed to a modulator M 1, which is provided for amplitude modulation. For example, an electronic switch, for example a switching transistor, can be provided as the modulator AiI. Di m modulation input M1, e.g. B. the base of the switching transistor, the control signal 51 is supplied. This control signal s 1 is provided for simultaneous ignition of all semiconductor valves Vl of a branch of the converter. The signal emitted by the modulator Mi is a signal of the subcarrier frequency ft, which occurs in the cycle of the control signal s 1, ie z. B. with 50 Hz, is amplitude modulated.

Für die Zündung der Halbleiterventile in den fünf anderen Zweigen des Stromrichters sind die weiteren Steuersignale 5 2 bis s6 vorgesehen. Für jedes dieser Steuersignale ί 2 bis 5 6 ist eine Frequenzgenerator-Modulator-Kombination vorgesehen. Das Steuersignal s2 ist beispielweise in den Modulationseingang eines Modulators M 2 gegeben, der von einem Frequenzgenerator G 2 mit einem Signal der Unterträgerfrequenz /2 beaufschlagt ist. Die einzelnen Frequenzgeneratoren G\,G2 ... besitzen verschiedene Unterträgerfrequenzen ft, /"2, ... Die Ausgangsspannungen sämtlicher Modulatoren M1, M 2... werden zusammengefaßt, d. h. addiert. Dazu ist ein Verknüpfungsglied Q vorgesehen, das z. B. als Widerstand ausgebildet sein kann. Die im Verknüpfungsglied Q zusammengefaßten Ausgangsspannungen werden einem Phasenmodulator M zugeführt. The further control signals 5 2 to s6 are provided for the ignition of the semiconductor valves in the five other branches of the converter. A frequency generator-modulator combination is provided for each of these control signals ί 2 to 5 6. The control signal s2 is given, for example, to the modulation input of a modulator M 2 , to which a signal of the subcarrier frequency / 2 is applied by a frequency generator G 2. The individual frequency generators G \, G2 ... have different subcarrier frequencies ft, / '2, ... the output voltages of all the modulators M 1, M 2 ... are combined, ie added. For this, a logic element Q is provided for. B. can be designed as a resistor. The output voltages combined in logic element Q are fed to a phase modulator M.

Dem Phasenmodulator M ist ein Trägergenerator G vorgeschaltet, der als Quarz-Oszillator ausgebildet sein kann und beispielsweise ein Trägersignal mit einer konstanten Frequenz f/q von 51 MHz abgibt. Das von dem Trägergenerator G abgegebene Trägersignal wird im Phasenmodulator M durch das an dessen Modulationseingang liegende Summensignal des Verknüpfungsgliedes Q frequenzmoduliert. Das frequenzmodulierte Ausgangssignai des Phasenmodulators M wird einem Frequenz-Vervielfacher F zugeführt Dieser Frequenz-Vervielfacher F kann z. B. einen Vervielfachungsfaktor 9=48 besitzen. Die Frequenz des Trägergenerators f/q wird dadurch um den Faktor q auf den Frequenzwert / vergrößert Am Ausgang des Frequenz-Vervielfachers F erscheint somit ein Signal, welches beispielsweise eine Trägerfrequenz / von 2448MHz besitzt Dieses Signal wird durch einen Leistungsverstärker L auf die notwendige Ausgangsleistung verstärkt, die z.B. 2W betragen kann. Das Ausgangssignal des Leistungsverstärkers L ist bereits das Sendesignal p. Es wird gemäß Fig. 1 über den 6s Zirkulator Z an die Sendeantenne A geführt Das von der Sendeantenne A übertragene Sendesignal ρ besitzt somit eine Trägerfrequenz / von 2,448 GHz. Diese Trägerfrequenz /liegt im sogenannten internationaler Industrieband. Als Trägerfrequenz f kann abweichend davon jede andere Frequenz oberhalb von 300 MH2 verwendet werden.The phase modulator M is preceded by a carrier generator G , which can be designed as a quartz oscillator and, for example, emits a carrier signal with a constant frequency f / q of 51 MHz. The carrier signal emitted by the carrier generator G is frequency-modulated in the phase modulator M by the sum signal of the logic element Q applied to its modulation input. The frequency-modulated Ausgangssignai M of the phase modulator is a frequency multiplier F fed This frequency multiplier may F z. B. have a multiplication factor of 9 = 48. The frequency of the carrier generator f / q is increased by the factor q to the frequency value /. At the output of the frequency multiplier F , a signal appears that has a carrier frequency / of 2448MHz, for example.This signal is amplified by a power amplifier L to the required output power , which can be 2W, for example. The output signal of the power amplifier L is already the transmission signal p. According to FIG. 1, it is passed to the transmitting antenna A via the 6s circulator Z. The transmitted signal ρ transmitted by the transmitting antenna A thus has a carrier frequency / of 2.448 GHz. This carrier frequency / lies in the so-called international industrial band. Deviating from this, any other frequency above 300 MH2 can be used as the carrier frequency f.

Zum Steuersender 5 läßt sich zusammenfassend folgendes sagen: Man benutzt ein Trägersignal mit einei Trägerfrequenz f, auf das sechs Unterträgersignale durch Frequenzmodulation aufmoduliert sind. Im Frequenzdiagramm ergeben die Unterträgersignale jeweils sechs oberhalb und/oder unterhalb der Trägerfrequenz f liegende Unterträger. Diese Unterträgei können insbesondere jeweils voneinander gleicher Frequenzabstand besitzen. Es lassen sich die Unter trägerfrequenzen /1, /2 ... aus der Ausgangsfrequen? eines einzigen Frequenzgenerators, der anstelle dei einzelnen Frequenzgeneratoren G1, G 2,... verwende! wird, herleiten. Auf jedes der sechs Unterträgersignak ist wiederum eines der sechs Steuersignale, die eine niedere Frequenz von z. B. nur 50 Hz aufweisen, durch Amplitudenmodulation aufmoduliert.In summary, the following can be said about the control transmitter 5: A carrier signal with a carrier frequency f is used, onto which six subcarrier signals are modulated by frequency modulation. In the frequency diagram, the subcarrier signals each result in six subcarriers located above and / or below the carrier frequency f . These sub-subscriptions can in particular each have the same frequency spacing from one another. The sub-carrier frequencies / 1, / 2 ... can be derived from the output frequencies? a single frequency generator that uses G 1, G 2, ... instead of the individual frequency generators! will derive. On each of the six sub-carrier signals, in turn, one of the six control signals, which have a low frequency of e.g. B. have only 50 Hz, modulated by amplitude modulation.

Im folgenden wird eine Ausführungsform eines der ir Fig. 1 dargestellten Empfänger £1, E2 anhand vor Fig. 3 näher beschrieben. Diese Empfänger £1, El zeigen im wesentlichen alle denselben Aufbau, so daß es genügt, den Empfänger E1 näher zu betrachten.In the following, an embodiment of one of the receivers E1, E2 shown in FIG. 1 is described in more detail with reference to FIG. These receivers £ 1, El show substantially all of the same construction, so that it is sufficient to consider in more detail the receiver E1.

Nach Fig.3 gelangt das von der Empfangsantenne E1 aufgenommene Sendesignal ρ über das steuerbare Impedanzglied /1 in den Empfänger Et. Hier trifft es direkt auf einen Ratio-Detektor oder allgemein Detektor D1, der als Frequenzdemodulator wirkt. Er ist zur Demodulation der Trägerfrequenz / vorgesehen Das Ausgangssignal des Detektors D1 wird einem Filter H1 zugeführt, das auf die Unterträgerfrequenz /1 abgestimmt ist. Die Frequenz, auf die das Filter Ht abgestimmt ist, richtet sich also nach dem gewählter Zweig des Stromrichters. Das entsprechende Filter im Empfänger E 2 ist somit auf die Unterträgerfrequenz /2 abgestimmt. Das Filter Ht läßt somit nur dann eir Signal durch, wenn das entsprechende Steuersignal 51 ungleich Null ist und damit die Zündung des Halbleiterventils VI als gewünscht anzeigt.According to FIG. 3, the transmission signal ρ picked up by the receiving antenna E 1 reaches the receiver Et via the controllable impedance element / 1. Here it hits a ratio detector or generally detector D 1, which acts as a frequency demodulator. It is provided for demodulating the carrier frequency /. The output signal of the detector D 1 is fed to a filter H 1 which is tuned to the subcarrier frequency / 1. The frequency to which the filter Ht is tuned depends on the selected branch of the converter. The corresponding filter in the receiver E 2 is thus matched to the subcarrier frequency / 2. The filter Ht thus only lets through a signal when the corresponding control signal 51 is not equal to zero and thus indicates the ignition of the semiconductor valve VI as desired.

Dem Filter H1 ist ein Verstärker X t nachgeschaltet Sein Ausgangssignal, das noch im Takte des Steuersignals s 1 amplitudenmoduliert ist, wird auf einer Amplituden-Demodulator Pi gegeben. Diesem Amplituden-Demodulator Pt, der für eine Amplituden-Demodulation sorgt, ist eine Kippstufe K t, insbesondere ein Schmitt-Trigger, nachgeschaltet. Diese Kippstufe K1 sorgt für die Formung von rechteckigen Zündimpulsen für das Halbleiterventil Vl. Die Kippstufe Ki isi ausgangsseitig an der Steuerstrecke des Halbleiterventils Vl angeschlossen. Der zeitliche Verlauf der an da; Halbleiterventil Vl abgegebenen Zündimpulse entspricht dem Verlauf des Steuersignals s 1.The filter H 1 is followed by an amplifier X t. Its output signal, which is still amplitude-modulated at the rate of the control signal s 1, is sent to an amplitude demodulator Pi . This amplitude demodulator Pt, which provides amplitude demodulation, is followed by a flip-flop K t, in particular a Schmitt trigger. This flip-flop K 1 ensures the formation of rectangular ignition pulses for the semiconductor valve Vl. The output side of the flip-flop Ki is connected to the control path of the semiconductor valve Vl. The temporal course of the an da; The ignition pulses emitted by the semiconductor valve Vl corresponds to the profile of the control signal s 1.

Der Empfänger £2, der dem Halbleiterventil Vi zugeordnet ist, ist entsprechend ausgebildet Sein Filtei ist — wie bereits erwähnt — auf die Unterträgerfrequenz /°2 abgestimmt Die von ihm abgegebener Zündimpulse zur Zündung des Halbleiterventils Vi entsprechen somit in ihrem zeitlichen Verlauf den· Verlauf des Steuersignals s 2. The receiver £ 2, which is associated with the semiconductor valve Vi is, accordingly be formed Filtei is - as already mentioned - adapted to the subcarrier frequency / ° 2 emitted by him ignition pulses for firing the semiconductor valve Vi thus correspond in their time characteristic to · the course of the Control signal s 2.

In einem praktischen Ausführungsbeispiel, bei derr die von der Sendeantenne A abgestrahlte Ausgangsleistung etwa 2 W betrag, ergab sich an der Empfangsan tenne B1, die in einem Abstand von etwa 5 m aufgestelli worden war, eine Eingangsleistung von 2 mW. AU Sendeantenne A für die Trägerfrequenz vor /= 2,448 GHz war dabei ein parabolischer Reflektor milIn a practical embodiment, in which the output power radiated by the transmitting antenna A is about 2 W, an input power of 2 mW was obtained at the receiving antenna B 1, which was set up at a distance of about 5 m. AU transmitting antenna A for the carrier frequency before / = 2.448 GHz was a parabolic reflector mil

703 611/30703 611/30

M-·^ \j yj \j I \JM- · ^ \ j yj \ j I \ J

einem Durchmesser von 2 m verwendet worden. Da die empfangene Eingangsleistung relativ hoch war, war eine Eingangsverstärkung im Empfänger Ei nicht erforderlich. Als Filter Hi wurde ein Hochpaßfilter verwendet, wodurch niederfrequente Störungen wirksam ausgeschaltet werden konnten.a diameter of 2 m has been used. Since the received input power was relatively high, an input gain in the receiver Ei was not necessary. A high-pass filter was used as the filter Hi , so that low-frequency interference could be effectively eliminated.

In F i g. 4 ist eine Ausführungsform einer Kombination RWaus einem Rückmeldeempfänger R und einer Auswerteschaltung ^dargestellt.In Fig. 4 shows an embodiment of a combination RW of a feedback receiver R and an evaluation circuit ^.

Nach F i g. 4 wird das Empfangssignal e, das aus einer Mischung der beiden Rückmeldesignale rl und rl besteht, zunächst einem Amplituden-Demodulator P zugeführt. Bei Defekt eines der Halbleiterventile Vi und V2, z.B. des Halbleiterventils Vl, fehlt das zugeordnete Rückmeldesignal, z. B. das Rückmeldesignal rl. Nach der Amplituden-Demodulation im Amplituden-Demodulator P wird das Empfangssignal e zwei verschiedenen Filtern N1 und N 2 zugeführt. Jedes dieser beiden Filter Ni und N 2, die nur eine geringe Bandbreite besitzen können, ist auf eine der Kennfrequenzen η 1 bzw. η 2 abgestimmt. Es werden somit nur Kennsignale mit der betreffenden Kennfrequenz durchgelassen. Diese Signale werden getrennt Verstärkern Yi bzw. Y2 zugeführt, denen jeweils eine Kippstufe Ti bzw. 72, z. B. Schmitt-Trigger, nachgeschaltet ist. Diese Kippstufen Ti, T2 dienen zur Formung von Anzeigesignalen a 1, a 2, die zur Speisung von Kontrollampen verwendet werden können. Die beiden Anzeigesignale al und a2 werden auch einem ODER-Glied O zugeführt, dessen Ausgangssignai wzur Auslösung eines Alarms herangezogen werden kann. Mit diesem Ausgangssignal w können auch Schutzmaßnahmen für die Halbleiterventile Vl, V2, für den gestörten Zweig oder für den gesamten Stromrichter ausgelöst werden.According to FIG. 4, the received signal e, which consists of a mixture of the two feedback signals rl and rl , is initially fed to an amplitude demodulator P. If one of the semiconductor valves Vi and V2, for example the semiconductor valve Vl, is defective, the associated feedback signal is missing, e.g. B. the feedback signal rl. After the amplitude demodulation in the amplitude demodulator P , the received signal e is fed to two different filters N 1 and N 2. Each of these two filters Ni and N 2, which can only have a small bandwidth, is matched to one of the characteristic frequencies η 1 or η 2. This means that only identification signals with the relevant identification frequency are allowed through. These signals are fed separately to amplifiers Yi and Y2 , each of which has a trigger stage Ti or 72, e.g. B. Schmitt trigger, is connected downstream. These flip-flops Ti, T2 are used to form display signals a 1, a 2, which can be used to feed control lamps. The two display signals a1 and a2 are also fed to an OR element O , the output signal of which can be used to trigger an alarm. This output signal w can also be used to trigger protective measures for the semiconductor valves V1, V2, for the disturbed branch or for the entire converter.

Abweichend von der Darstellung in Fig. 1 kann der Stromrichter z. B. insgesamt 1000 Halbleiterventile enthalten. Somit können im Empfangssignal einsgesamt 1000 Rückmeldesignale rl, /2, ..., rHDOO mit den Kennfrequenzen η 1, η 2 η 1000 enthalten sein. FürNotwithstanding the representation in Fig. 1, the converter can, for. B. contain a total of 1000 semiconductor valves. Thus, a total of 1000 feedback signals rl, / 2,..., RHDOO with the characteristic frequencies η 1, η 2 η 1000 can be contained in the received signal. for

ίο diesen Fall sind insgesamt 1000 eingangsseitig parallel geschaltete Filter Nt, Λ/2, ... /VIOOO geringer Bandbreite vorzusehen. Diese sind dann jeweils auf eine der Kennfrequenzenni,n2,...,n 1000abgestimmt.Der Frequenzabstand dieser Filter Ni, N2 N1000 kann In this case, a total of 1000 filters Nt, Λ / 2, ... / VIOOO with a low bandwidth connected in parallel on the input side are to be provided. These are then each matched to one of the characteristic frequencies ni, n2, ..., n 1000. The frequency spacing of these filters Ni, N2 N 1000 can

is z. B. fortschreitend 100 Hz betragen, wobei als Kennfrequenz /1 z.B. die Frequenz 1,1 MHz vorgesehen sein kann. Der Rückmeldeempfänger R wirkt dann wegen der eingebauten Filter selektiv. Er kann insgesamt als eine Abfrageeinrichtung angesehen werden, die über den Zustand eines Halbleiterventils, das im allgemeinen nur schwer zugänglich ist, Auskunft gibt.is z. B. progressively be 100 Hz, with the frequency 1.1 MHz can be provided as the characteristic frequency / 1, for example. The feedback receiver R then acts selectively because of the built-in filter. Overall, it can be viewed as an interrogation device that provides information on the state of a semiconductor valve, which is generally difficult to access.

Man kann die Vielzahl der Filter Ni, N2, ... einsparen, wenn man ein einziges Filter verwendet und dessen Frequenz, z. B. ausgehend von der Frequenz 1,1 MHz, bei der Abfrage schrittweise, z. EJ. jeweils um 100 Hz, durchstimmt. Die Verwendung eines Filters mit schrittweise veränderlicher Frequenz ist bei Betrieb eines Stromrichters mit einer Vielzahl von Halbleiterventilen kostensparender als die parallele Anwendung einer Vielzahl von Filtern mit fester Frequenz.You can save the large number of filters Ni, N2, ... if you use a single filter and its frequency, z. B. starting from the frequency 1.1 MHz, when queried step by step, z. EJ. each tuned by 100 Hz. The use of a filter with a step-wise variable frequency is more cost-effective when operating a converter with a large number of semiconductor valves than the parallel use of a large number of filters with a fixed frequency.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (2)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Einrichtung zur gleichzeitigen Zündung einer Anzahl von steuerbaren Halbleiterventilen in einem s Stromrichter für hohe Spannungen, bei der ein Hochfrequenzsender ein mit den Steuersignalen moduliertes Sendesignal erzeugt und über eine mit ihm verbundene Antenne abstrahlt und bei der den steuerbaren Halbleiterventilen zugeordnete Hochfrequenzempfänger das Sendesignal jeweils über eine vorgeschaltete Antenne empfangen, demodulieren und das demodulierte Steuersignal auf die Steuerstrecke des betreffenden Halbleiterventils geben, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils der Antenne (B X) des Hochfrequenzempfängers (£"1) ein steuerbares reflektierendes Modulationsglied (/1) nachgeschaltet ist, das in Abhängigkeit von einem den stromsperrenden oder den stromleitenden Zustand des Halbleiterventils (Vl) kennzeichnenden Zustandssignal (u 1) einen Teil des empfangenen Sendesignals neu moduliert und als Rückmeldesignal (rl) über die Antenne (Bi) reflektiert, und daß der Antenne (A) des Hochfrequenzsenders (S)eine modulationsabhängige Signalweiche (/.) nachgeschaltet ist. die das RüVkmcldcsign.il (/· 1) einem Rückmelceempfanger (R) zuführt.1. Device for the simultaneous ignition of a number of controllable semiconductor valves in a converter for high voltages, in which a high-frequency transmitter generates a transmission signal modulated with the control signals and emits it via an antenna connected to it and in which the high-frequency receiver assigned to the controllable semiconductor valves transmits the transmission signal receive and demodulate an upstream antenna and transmit the demodulated control signal to the control path of the relevant semiconductor valve, characterized in that the antenna (BX) of the high-frequency receiver (£ "1) is followed by a controllable reflective modulation element (/ 1) which is dependent on a state signal (u 1) characterizing the current-blocking or current-conducting state of the semiconductor valve (Vl), a part of the received transmission signal is newly modulated and reflected as a feedback signal (rl) via the antenna (Bi) , and that the antenna (A) of the high frequency transmitter (S) is followed by a modulation-dependent signal switch (/.) . which sends the RüVkmcldcsign.il (/ · 1) to a feedback receiver (R) . 2. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Impedanzglied (/1) als steuerbares reflektierendes Modulationsglied, dessen Impedanz in Abhängigkeit vom Zustandssignal (u I) gesteuert2. Device according to claim 1, characterized by an impedance element (/ 1) as a controllable reflective modulation element, the impedance of which is controlled as a function of the state signal (u I)
DE19732360670 1973-12-05 1973-12-05 Device for simultaneous ignition of a number of controllable semiconductor valves in a converter for high voltages Expired DE2360670C3 (en)

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