DE2348323A1 - Multi-component semiconductor integrated cct. - has metal terminal contacts on mesa edge of individual ccts. - Google Patents

Multi-component semiconductor integrated cct. - has metal terminal contacts on mesa edge of individual ccts.

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DE2348323A1 DE19732348323 DE2348323A DE2348323A1 DE 2348323 A1 DE2348323 A1 DE 2348323A1 DE 19732348323 DE19732348323 DE 19732348323 DE 2348323 A DE2348323 A DE 2348323A DE 2348323 A1 DE2348323 A1 DE 2348323A1
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Abstract

Semiconductor integrated circuit contains a number of construction elements in a common semiconductor body. It is provided with metallic connecting contacts on the semiconductor surface, suitable for wireless contacting. The edge of each individual circuit unit in the semiconductor body has a mesa-shaped soulder or chamfer, the latter covered with an insulating film. The shouldering or bevelling of the extreme edge of the semiconductor body in relation to the contacting semiconductor surface is so deep that the strip leads from the contacts cannot touch the edge of the semiconductor body. The height difference between the contacting semiconductor surface and the extreme edge of the semiconductor body may be 20-40 microns.

Description

Licentia Pa tent-Verwaltungs-GmbHLicentia Patent-Verwaltungs-GmbH

6 Frankfurt/Main, Theodor-Stern-Kai 16 Frankfurt / Main, Theodor-Stern-Kai 1

Ileilbronn, den 12. Sept. 1973 PT-Ma/sr - HN 73/32Ileilbronn, September 12, 1973 PT-Ma / sr - HN 73/32

Integrierte Festkörperschaltung mit einer Vielzahl von Bauelementen in einem gemeinsamen Halbleiterkört) erIntegrated solid-state circuit with a large number of components in a common semiconductor core) he

Die Ex-jfindung betrifft eine integrierte Festkörperschaltung mit einer Vielzahl von Bauelementen in einem gemeinsamen Hcilbleiterkürper und mit metallischen, für die drahtlose Kontaktierung vorgesehenen Anschlußkontakten an der Halbleiteroberfläche. The discovery relates to an integrated solid-state circuit with a large number of components in one common Semiconductor body and with metallic, for wireless Contacting provided connection contacts on the semiconductor surface.

Man geht mehr und mehr dazu über, llalbleiteranordnungen, insbesondere integrierte Schaltungen, drahtfrei zu kontaktieren. Dabei geht man von einem metallischen Kontaktierungsstreifen aus, der rahmenförmige Teile enthält. In das Innere der Kahmeη ragen vom Rahmen ausgehende, streifenförmige Kontaktierungsfinger, wobei jeweils ein Finger für den Anschluß an eine Jilektrode einer Halbleiteranordnung vorgesehen ist.There is more and more going on, semiconductor arrangements, in particular integrated circuits to contact without wires. This is based on a metallic contact strip which contains frame-shaped parts. In the interior of the Kahmeη protrude from the frame, strip-shaped contacting fingers, one finger in each case being provided for connection to an electrode of a semiconductor device.

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Die Halbleiteranordnung wird mit ihren über die Halbleiteroberfläche ragenden Metallanschlußkontakten so auf den Kontaktierungsstreifen aufgesetzt, daß die Kontakte auf der Halbleiteroberfläche mit je einem freien Ende eines zugeordneten Kontaktierungsfingers in Berührung gelangen. Danach werden in einem Arbeitsgang oder nacheinander alle Elektrodenanschlüsse mit den Kontaktierungsfingern durch Löten, Schweißen oder Thermokompression, elektrisch leitend verbunden. The semiconductor arrangement is with its over the semiconductor surface protruding metal connection contacts placed on the contacting strip that the contacts on the Semiconductor surface come into contact with one free end of an associated contacting finger. Thereafter are all electrode connections with the contact fingers by soldering in one operation or one after the other, Welding or thermocompression, electrically connected.

Bei dieser Art der Kontaktierung verlaufen die Kontaktierungsfinger zwangsläufig parallel zur Halbleiteroberfläche. Wenn die Halbleiteroberfläche nicht ausreichend mit einer Isolierschicht abgedeckt ist, bestellt daher die Gefahr; daß an diesen Stellen Kurzschlüsse zwischen der Halbleiterelementkante und den Kontaktierungsfingern auftreten.With this type of contact, the contact fingers run necessarily parallel to the semiconductor surface. If the semiconductor surface is insufficient with an insulating layer is covered, therefore ordered the danger; that at these points short circuits between the semiconductor element edge and the contacting fingers occur.

Bei den bisher üblichen Fertigungsmethoden konnten jedoch Kurzschlüsse nicht immer vermieden werden. Bei der* Herstellung der integrierten Schaltungen geht man von einer gemeinscimen Halbleiterscheibe aus, auf der sich in der Regel eine Vielzahl gleichartiger Halbleiterschaltungen befinden. Die Halbleiter-However, short circuits could not always be avoided with the production methods customary up to now. In the preparation of the integrated circuits are based on a common semiconductor wafer, on which there is usually a large number similar semiconductor circuits are located. The semiconductor

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scheibe muß daher in Einzelemcnte aufgeteilt werden. Bei einem neueren Verfahren werden die Halbleiterscheibeninit Hilfe eines gesteuerten' Laserstrahles zerteilt. Hierbei entstehen Kui-zschlußgefahrenstellen, wie sie zum besseren Verständnis in der Figur 1 dargestellt sind.disk must therefore be divided into individual parts. at In a more recent process, the semiconductor wafers are divided up with the aid of a controlled laser beam. Here arise Short-term danger points, as they are for a better understanding are shown in FIG.

In dieser Figur ist ein, nur einen Kontakt aufweisender, Teil eines Einzelelementes dargestellt. Die Halbleiterzone 1 ist über eine metallische Leitbahn 2, die sich über eine Oxydschicht 3 erstreckt mit einem Anschiußkontakt h verbuiiden. Dieser Anschlußkontakt h ist relativ dick und ragt über die die Halbleiteroberfläche bedeckenden Passivierungsschichten hinaus. Die Halbleiteroberfläche wird mit Ausnahme des Kontaktes k in der Kegel noch mit einer zusätzlichen Passivierungsschicht 5 bedeckt. Durch das Anritzen oder Zerteilen der Halbleiterscheibe in it Hilfe eines Laserstrahles entsteht am Rande des Einzelelementes ein Graben 6 mit einem aufgeworfenen Trenngrat 7· An der· äußeren übdr die Halbleiteroberfläche hochrangenden Spitze dieses Grates 7 ist die Halbleiteroberfläche frei zugänglich, da die Passivierungsschichten 3 und 5 nur bis zum Rand des Grates reichen. An dieser Stelle treten bevorzugt Kurzschlüsse zwischen dem Koutaktierungsfiiigcrn 8 und der Halbleitorzone 1 auf. Der Kontakticrungs·In this figure, a part of an individual element that has only one contact is shown. The semiconductor zone 1 is connected to a connection contact h via a metallic interconnect 2, which extends over an oxide layer 3. This connection contact h is relatively thick and protrudes beyond the passivation layers covering the semiconductor surface. With the exception of the contact k , the semiconductor surface is generally covered with an additional passivation layer 5. By scratching or dividing the semiconductor wafer with the help of a laser beam, a trench 6 with a raised separating burr 7 is created at the edge of the individual element only reach to the edge of the ridge. At this point, short circuits preferably occur between the contacting wire 8 and the semiconductor zone 1. The contact

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finger 8 .ist streifenförmig ausgebildet, mit dem Anschlußkontakt k verlötet oder angeschweißt und im allgemeinen ein Teil einer rahmenförmig ausgebildeteten Kontaktierungsspinne mit nach innen ragenden Kontaktierungsfingern, die wiederum auf einen für die Aufnahme des Halbleiterkö.rpers geeigneten Kortaktierungsstreifen befestigt iat.finger 8 .is strip-shaped, soldered or welded to the connection contact k and generally part of a frame-shaped contacting spider with inwardly protruding contacting fingers, which in turn are fastened to a contacting strip suitable for receiving the semiconductor body.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die Kurzschlußgefahr zwischen dem Kontaktierungsfinger und der Halbleiteranordnung zu beseitigen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Rand, jedes, eine Einzelschaltung enthaltenden Halbleiterkörpers mesaför/pig abgestuft bzw. abgeschrägt ist, und daß die Abstufung bzw. Abschrägung mit einer Isolierschicht bedeckt ist.The invention is based on the problem of eliminating the risk of short circuits to eliminate between the contacting finger and the semiconductor arrangement. This object is achieved according to the invention solved in that the edge of each, a single circuit containing semiconductor body mesaför / pig stepped or beveled and that the slope is covered with an insulating layer.

Durch diese Maßnahme wird der äußere Rand des die Schaltung enthaltenden Halbleiterkörpers gegenüber der die Kontakte aufweisenden Halbleiteroberfläche so weit abgestuft, daß die streifenförmigen Kontaktierungsfinger nicht mehr den Raid des Halbleiterkörpers berühren können. Dann wird auch der beim Laserritzen entstehende Grat an der Außenkante so weit abgesetzt, daß für die Kontaktierungszungen keine Kurzschlußgefahr mehr besteht.As a result of this measure, the outer edge of the semiconductor body containing the circuit is opposite that of the contacts having semiconductor surface so far that the strip-shaped contacting fingers no longer the raid of the Can touch semiconductor body. Then the burr created by laser scoring is set off on the outer edge to such an extent that that there is no risk of short circuits for the contacting tongues there is more.

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BAD Qf%5GINALBAD Qf% 5GINAL

Früher versuchte man einer Kurzschlußgefahr dadurch zu entgehen, daß die Anschlußkontakte 5 (Fig· l) möglichst dick ausgebildet wurden, um auf diese Weise einen möglichst großen Abstand zwischen den Kontaktierungszungen und der Halbleiteroberfläche zu gewinnen. Diese Maßnahme ist teuer, da es sich neist um Goldkontakte handelt, und außerdem zeitraubend. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung kommt man dagegen mit relativ dünnen Goldkontakten aus, da eine Kurzschlußgefahr nicht mehr besteht und nur noch gewährleistet sein muß, daß die Kontakte mit den Kontalctierungszinken sicher verlötet werden können.Previously an attempt was made to avoid the risk of a short circuit by making the connection contacts 5 (FIG. 1) as thick as possible were designed in this way as large a distance as possible between the contacting tongues and the semiconductor surface to win. This measure is expensive, since it is mostly gold contacts, and also time consuming. at the arrangement according to the invention, however, comes with relatively thin gold contacts, as there is no longer a risk of short circuits exists and only has to be ensured that the contacts can be safely soldered to the Kontalctierungszinken.

In der Figur 2 ist ein Ausschnitt einer Halbleiteranordnung dargestellt, bei der der äußere Rand mesaförmig abgestuft ist. Der Bereich der Stufe 9 ist mit einer die Kontakte abdeckenden Isolierschicht 5 passiviort, so daß im Bereich der Stufe kein Kurzschluß zwischen dem Kontaktierungsfinger 8 und der Ilalbleiterzone 1 auftreten kann. Die Isolierschicht besteht vorzugsweise aus pyrolytisch abgeschiedenem Silizium-FIG. 2 shows a section of a semiconductor arrangement shown, in which the outer edge is mesa-shaped stepped. The level 9 area is one of the contacts covering insulating layer 5 passiviort, so that in the area No short circuit between the contacting finger 8 and the semiconductor zone 1 can occur in the stage. The insulating layer consists preferably of pyrolytically deposited silicon

dioxyd oder aus Glas.dioxide or made of glass.

In der Figur 3 ist der Teil einer unzertrennten Halbleiterscheibe dargestellt, die jeweils nur einen Kontakt zweier benachbarter Schaltkreise und den dazwischenliegenden Trenngraben 10 umfasst. Vor oder nach der Herstellung der KontakteIn FIG. 3, the part of an unseparated semiconductor wafer is shown, which in each case comprises only one contact between two adjacent circuits and the separating trench 10 lying between them. Before or after making the contacts

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wird rait Hilfe der bekannten Fotolackmaslcierungs- und Ätztechnik, in die Halbleiterscheibe 10 ein Graben eingeätzt, der jeweils einen Bereich einer integrierten Festkö'rperschal-.tung umschließt. Dieser Graben weist bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel eine Tiefe von etwa kO ,um auf bei einer Breite von 8o ,um an der breitesten Stelle. Der zum Ritzen verwendete Laserstrahl hat eine Einflußbreite von etwa 40 ^um. Dieser Bereich ist in der Figur gestrichelt (ll) hervorgehoben. Der Trenngraben 10 wird vor dem Ritzen der Halbleiterscheibe mit dem Laserstrahl mit'einer Passivierungsschicht bedeckt, die sich beispielsweise bis zu den Anschlußkontakten k erstreckt. Zuvor wurde die Halbleiteroberfläche vorzugsweise mit den in den bereits vorangegangenen Figuren erwähnten Passivierungsschichten 3 und 5 versehen. Da nach dem Zerteilen der Halbleiterscheibe der abgeschrägte Randteil der Halbleiteranordnungen mit einer Jfeaüerschicht 12 passiviert ist, kann kein Kux'schluß mehr zwischen dem Kontakiierungsfinger und dem Halbleitermaterial 1 auftreten.With the aid of the known photoresist masking and etching technology, a trench is etched into the semiconductor wafer 10, which in each case encloses an area of an integrated solid-state circuit. In a preferred exemplary embodiment , this trench has a depth of approximately kΩ .mu.m and a width of 8o .mu.m at the widest point. The laser beam used for scribing has an influence width of about 40 μm. This area is highlighted in the figure with dashed lines (II). Before the semiconductor wafer is scratched with the laser beam, the separating trench 10 is covered with a passivation layer which extends, for example, as far as the connection contacts k . Previously, the semiconductor surface was preferably provided with the passivation layers 3 and 5 mentioned in the previous figures. Since the beveled edge part of the semiconductor arrangements is passivated with a junction layer 12 after the semiconductor wafer has been cut up, a connection between the contact finger and the semiconductor material 1 can no longer occur.

Die Höhendifferenz zwischen der die Kontakte aufweisenden Halbleiteroberfläche und dem äußersten Rand des Einzelelementes beträgt etwa 20 bis 40 «um. Durch die dadurch ermöglichte Reduzierung der Schichtdicke der Goldkontakte k erhält man Kontakte mit vergrößerter Haftfestigkeit, so daß auf diese Weise auch die Zahl der Ausfälle reduziert werden konnte·The difference in height between the semiconductor surface having the contacts and the outermost edge of the individual element is approximately 20 to 40 μm. As a result of the reduction in the layer thickness of the gold contacts k that is made possible, contacts with increased adhesive strength are obtained, so that the number of failures could also be reduced in this way.

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Claims (6)

PatentansprücheClaims l)ylntegrierte Festkörperschaltung mit einer Vielzahl von Bauelementen in einem gemeinsamen Halbleiterkörper und mit metallischen, für die drahtlose Kontaktierung vorgesehenen Anschlußkontakten an der Halbleiteroberfläche, dadurch ge-, kennzeichnet, daß der Rand jedes eine Einzelschaltung enthaltenden Halbleiterkörpers mesaförmig abgestuft bzw. abgeschrägt ist, und daß die Abstufung bzw· Abschrägung mit einer Isolierschicht bedeckt ist.l) Solid-state integrated circuit with a variety of Components in a common semiconductor body and with metallic ones intended for wireless contacting Connection contacts on the semiconductor surface, thereby indicates that the edge of each containing a single circuit Semiconductor body is mesa-shaped stepped or beveled, and that the gradation or · bevel with is covered by an insulating layer. 2) Integrierte Festkörperschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Abstufung bzw· Abschrägung der äußerste Rand des die Schaltung enthaltenden Halbleiterkörpers gegenüber der die Kontakte aufweisenden Halbleiteroberfläche so weit abgesenkt ist, daß die nach der Kontaktierung von den Kontakten ausgehenden streifenförmigen Zu-,.v leitungen nicht mehr* den Rand des Halbleiterkörpers berührungen können.2) Integrated solid-state circuit according to claim 1, characterized in that the stepping or chamfering of the outermost edge of the semiconductor body containing the circuit is lowered so far with respect to the semiconductor surface having the contacts that the strip-shaped adjoining, . v cables can no longer * touch the edge of the semiconductor body. 3) Integrierte Festkörperschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhendifferenz zwischen der3) Integrated solid-state circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the height difference between the 5098U/05595098U / 0559 -9--9- die Kontakte aufweisenden Halbleiteroberfläche und dem äußersten Rand des Halbleiterkörpers 20 bis '1LO /um beträgt. the contacts having the semiconductor surface and the outermost edge of the semiconductor body 20 to ' 1 LO / µm. 4) Verfahren zum Herstellen einer Festkörperschaltung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen jeweils zwei Schaltungen auf der unzerteilten, eine Vielzahl von Schaltungen enthaltenden Halbleiterscheibe ein Graben eingeätzt wird, daß der Graben mit einer die freiliegenden Bereiche der Halbleiteroberfläche bedeckenden Isolierschicht passiviert wird, und daß schließlich die Halbleiterscheibe im Bereich der Gräben in Einzelelemente mit abgeschrägten oder abgestuften Rändern zerteilt wird.4) Method for producing a solid-state circuit according to one of the preceding claims, characterized in that that between each two circuits on the undivided semiconductor wafer containing a large number of circuits a trench is etched in that the trench with a covering the exposed areas of the semiconductor surface The insulating layer is passivated, and finally the semiconductor wafer in the area of the trenches into individual elements is divided with beveled or stepped edges. 5) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe mit Hilfe eines Laser-Strahles zerteilt wird. 5) Method according to claim 4, characterized in that the semiconductor wafer is divided with the aid of a laser beam. 6) Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Halbleiteroberfläche im Bereich des Grabens eine Isolierschicht aus Siliziumdioxyd durch pyrolytische Abscheidung aufgebracht wird.6) Method according to one of the preceding claims, characterized in that on the semiconductor surface in the area An insulating layer of silicon dioxide is applied to the trench by pyrolytic deposition. 50 9 8 U/055950 9 8 U / 0559 LeLe e rs e ι tee rs e ι te
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2813968A1 (en) * 1977-04-01 1978-10-12 Nippon Electric Co SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH CONTACT TUB CONNECTIONS
DE3122740A1 (en) * 1980-06-10 1982-03-18 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa SEMICONDUCTOR COMPONENT
US5230823A (en) * 1989-05-22 1993-07-27 The Procter & Gamble Company Light-duty liquid or gel dishwashing detergent composition containing an alkyl ethoxy carboxylate surfactant
FR2799306A1 (en) * 1999-10-04 2001-04-06 Gemplus Card Int IC chip, especially having conductive side faces, is insulated by depositing a low viscosity insulating material on an active face surface portion between connection bumps
FR2800198A1 (en) * 1999-10-26 2001-04-27 Gemplus Card Int Protection procedure for Integrated circuit chip, uses vacuum suction to spread insulating material between supporting layers holding chips
WO2001086719A1 (en) * 2000-05-10 2001-11-15 Gemplus Thin layer chip insulation for conductive polymer connection

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2813968A1 (en) * 1977-04-01 1978-10-12 Nippon Electric Co SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH CONTACT TUB CONNECTIONS
US4188636A (en) * 1977-04-01 1980-02-12 Nippon Electric Co., Ltd. Semiconductor device having bump terminal electrodes
DE3122740A1 (en) * 1980-06-10 1982-03-18 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa SEMICONDUCTOR COMPONENT
US4539582A (en) * 1980-06-10 1985-09-03 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Anti-short bonding pad structure
US5230823A (en) * 1989-05-22 1993-07-27 The Procter & Gamble Company Light-duty liquid or gel dishwashing detergent composition containing an alkyl ethoxy carboxylate surfactant
FR2799306A1 (en) * 1999-10-04 2001-04-06 Gemplus Card Int IC chip, especially having conductive side faces, is insulated by depositing a low viscosity insulating material on an active face surface portion between connection bumps
WO2001026151A1 (en) * 1999-10-04 2001-04-12 Gemplus Method for insulating an integrated circuit chip by substance deposit on the active surface
FR2800198A1 (en) * 1999-10-26 2001-04-27 Gemplus Card Int Protection procedure for Integrated circuit chip, uses vacuum suction to spread insulating material between supporting layers holding chips
WO2001031702A1 (en) * 1999-10-26 2001-05-03 Gemplus Method for protecting integrated card chips by deposit of an electrically insulating layer by vacuum suction
WO2001086719A1 (en) * 2000-05-10 2001-11-15 Gemplus Thin layer chip insulation for conductive polymer connection
FR2808920A1 (en) * 2000-05-10 2001-11-16 Gemplus Card Int Method for protecting chips arranged on a wafer comprises cutting wafer to loosen chips, depositing electrically insulating layer on active surface and flanks of at least one chip, and clearing at least one opening in the insulating layer

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