DE2346924A1 - Abschlusswiderstand fuer eine microstripleitung - Google Patents

Abschlusswiderstand fuer eine microstripleitung

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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, den 1 & SER 197 i
Berlin und München Wittelsbacherplatz 2
VPA 73/6682
Abschlußwiderstand für eine Microstripleitung
Die Erfindung bezieht sich auf einen Abschlußwiderstand für eine Microstripleitung aus einem einseitig metallisierten Substrat, auf dessen der Metallisierung gegenüberliegender Fläche Leiterbahnen aufgebracht sind.
In Mikrowellenschaltungen werden häufig Leitungsabschluß« widerstände benötigt, die in einem größeren Frequenzbereich den reflexionsfreien Abschluß einer Leitung ermöglichen. Speziell in integrierten Mikrowellenschaltungen, die beispielsweise in Dünnschicht-Technologie hergestellt werden, ist die Herstellung breitbandiger Abschlußwiderstände schwierig, da die Widerstandsschichten nicht mit sehr engen Toleranzen herstellbar sind.
Ein im NF-Bereich üblicher Abgleich des Widerstandes durch mäanderförmiges Auftrennen der Widerstandsschicht ist bei hohen Frequenzen nicht brauchbar, da ein mäanderförmiger Widerstand bei hohen Frequenzen eine zu große induktive Komponente besitzt.
Für den Bereich hoher Frequenzen ist die Verwendung von Dämpfungskeilen bekannt. Hierbei ist auf einem mit Leitungsbahnen versehenen Substrat ein Dämpfungskeil auf einem Teil einer Leitungsbahn aufgebracht, insbesondere aufgedampft. Bei geeigneter Bemessung stellt der Dämpfungskeil einen Wellensumpf dar, in dem sich die ankommenden elektrischen Wellen totlaufen. Diese Wirkung tritt jedoch nur dann ausreichend ein, wenn die elektrische Länge des Dämpfungskeiles
VPA 9/641/2011 Klu/Shy. - 2 -
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-Z-
mindestens das Dreifache einer halben Wellenlänge beträgt, was bei relativ tiefen Frequenzen kaum erfüllbar ist. Ist die elektrische Länge des Dämpfungskeils zu kurz, so treten störende Reflexionen auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Schwierigkeiten in einfacher Weise zu begegnen und einen Abschlußwiderstand möglichst kleiner geometrischer Abmessungen zu schaffen, der in einem größeren Frequenzbereich den reflexionsfreien Abschluß einer Leitung gewährleistet.
Diese Aufgabe wird bei einem Abschlußwiderstand für eine Microstripleitung aus einem einseitig metallisierten Substrat, an dessen der Metallisierung gegenüberliegender Fläche Leiterbahnen aufgebracht sind, in der V/eise gelöst, daß in eine an das Ende der Leiterbahn angrenzende Bohrung des Substrats ein ohmscher Widerstand mit einem dem Wellenwiderstand der Leitung entsprechenden Widerstandswert eingesetzt ist, dessen einer Anschluß über einen isolierten dünnen Draht mit der Leiterbahn kontaktiert ist und dessen anderer Anschluß mit der Metallisierung auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats kontaktierend verbunden ist, wobei der Draht in vorteilhafter Weise unmittelbar über der Leiterbahn geführt ist und seine Länge klein gewählt ist gegen die effektive Wellenlänge auf der Leitung.
In vorteilhafter Ausgestaltung des Erfindungsgegenstandes ist der Widerstand zylindrisch ausgebildet und weist eine etwa der Dicke des Substrats entsprechende Länge und einen etwa der Breite der Leiterbahn entsprechenden Durchmesser auf.
Kachstehend wird die Erfindung an Hand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
VPA 9/641/2011 - 3 -
■509813/0942
Die MierοStripleitung besteht aus einem Substrat 1, auf dessen einer Seite die Leiterbahn 2 aufgebracht ist und dessen gegenüberliegende, in der Figur unten befindliche Seite ganzflächig mit einem metallischen Belag 3 versehen ist. An das Ende der Leitung 2 angrenzend ist im Substrat 1 eine sich über die Gesamtdicke' des.Substrats erstreckende Bohrung 8 vorgesehen. In diese Bohrung ist ein ohmscher Widerstand von zylindrischer Form eingesetzt, dessen Länge etwa gleich der Dicke des Substrats 1 und dessen Durchmesser etwa gleich der- Breite der Leiterbahn 2 gewählt ist. Der Widerstand 4 ist an seinen beiden Enden mit Lötkappen 5 versehen. Die als Anschluß dienende obere Lötkappe des Widerstandes 4 ist über einen isolierten dünnen Draht 6 mit der Leiterbahn 2 verbunden, wobei die abisolierten Enden des Drahtes mit der Leiterbahn 2 bzw. der Lötkappe 5 des Widerstandes 4 verlötet sind; in entsprechender Weise ist die andere Lötkappe des Widerstandes 4 mit der Metallisierung auf der Unterseite des Substrats 1 durch Lötung elektrisch leitend verbunden. Der eine Induktivität bildende dünne Draht 6 kompensiert die kapazitive Belastung des Abschlusses, die bei einem in einem entsprechenden Loch zwischen die Leiterbahn und die metallisierte Grundfläche einer Microstripleitung eingesetzten zylindrischen Widerstand auftritt. Eine Frequenzabhängigkeit bei dieser Art der Kompensation kann dadurch wesentlich verkleinert werden, daß die Induktivität eine sehr starke Kopplung zu der Kapazität erhält, mit der die Leitung zusätzlich belastet wird. Diese starke Kopplung wird dadurch erreicht, daß die Leiterbahn der Microstripleitung bis dicht an die Bohrung, in die der Widerstand eingesetzt werden soll, herangezogen wird und der zur Bildung der Induktivität zwischen Leiterbahn
VPA 9/641/2011 - 4 -
5098 13/0942
und Widerstand angeordnete isolierte dünne Draht 6 unmittelbar über der Leiterbahn 2 geführt wird. Die Länge des Drahtes ist dabei so gewählt, daß sie klein ist gegen die effektive Wellenlänge auf der Leitung.
4 Patentansprüche
1 Figur
VPA 9/641/2011 - 5 -
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Claims (4)

Patentansprüche
1., Abschlußwiderstand für eine Microstripleitung aus einem einseitig metallisierten Draht, auf dessen der Metallisierung gegenüberliegender Fläche Leiterbahnen aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß in eine an das Ende der Leiterbahn angrenzende Bohrung des Substrats ein ohmscher Widerstand mit einem dem Wellenwiderstand der Leitung entsprechenden Widerstandswert eingesetzt ist, dessen einer Anschluß über einen isolierten dünnen Draht mit der Leiterbahn kontaktiert ist und dessen anderer Anschluß mit der Metallisierung auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats kontaktierend verbunden ist.
2. Abschlußwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht unmittelbar über der Leiterbahn geführt ist.
3. Abschlußwiderstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des Drahtes klein ist gegen die effektive Wellenlänge auf der Leitung.
4. Abschlußwiderstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand eine zylindrische Form aufweist mit einer etwa der Dicke des Substrats entsprechenden Länge und einem etwa der Breite der Leiterbahn entsprechenden Durchmesser.
VPA 9/641/2011
509813/0942
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4751482A (en) * 1983-12-23 1988-06-14 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device having a multi-layered wiring board for ultra high speed connection
WO1992003901A1 (de) * 1990-08-18 1992-03-05 Peter Hiller Leiterplatte mit elektrischen bauelementen, insbesondere in smd-ausführung

Cited By (3)

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US4751482A (en) * 1983-12-23 1988-06-14 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device having a multi-layered wiring board for ultra high speed connection
WO1992003901A1 (de) * 1990-08-18 1992-03-05 Peter Hiller Leiterplatte mit elektrischen bauelementen, insbesondere in smd-ausführung
US5420755A (en) * 1990-08-18 1995-05-30 Hiller; Peter Circuit board with electrical components, in particular surface-mounted devices

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