DE2323712C3 - Phase shift plate and process for its manufacture - Google Patents

Phase shift plate and process for its manufacture

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DE2323712C3 DE19732323712 DE2323712A DE2323712C3 DE 2323712 C3 DE2323712 C3 DE 2323712C3 DE 19732323712 DE19732323712 DE 19732323712 DE 2323712 A DE2323712 A DE 2323712A DE 2323712 C3 DE2323712 C3 DE 2323712C3
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Description

d, = — ■ [ m r 1. d, = - ■ [m r 1.

1 An \ H-I/ 1 An \ HI /

2020th

worinwherein

25 ώ, d - die Stärke des ersten bzw. zweiten dünnen 25 ώ, d - the strength of the first and second thin, respectively

transparenten Films (17 bzw. 18),
/I= Brechungsindex derselben,
λ = Wellenlänge des auftreffenden Lichts und
m = positive ganze Zahl.
transparent film (17 or 18),
/ I = refractive index of the same,
λ = wavelength of the incident light and
m = positive integer.

2. Phasenschieberplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der erste und der zweite transparente Film (17,18) die gleiche Stärke haben.2. phase shifter plate according to claim 1, characterized in that the first and the second transparent film (17,18) have the same thickness.

3. Phasenschieberplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß die dünnen transparenten Filme (17,18) aus ZnS bestehen und m = 5 ist3. Phase shifter plate according to claim 1, characterized in that the thin transparent films (17, 18) consist of ZnS and m = 5

4. Phasenschieberplatte nach Anspruch 1,-dadurch gekennzeichnet daß die dünnen transparenten Filme aus CeF bestehen und m = 7 ist4. phase shifter plate according to claim 1, characterized in that the thin transparent films are made of CeF and m = 7

5. Verfahren zur Herstellung einer optischen Phasenschieberplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß auf einer transparenten Basis ein erster dünner transparenter Film mit gleichmäßiger Stärke ausgebildet wird, daß über dem ersten dünnen transparenten Film ein zweiter dünner transparenter Film aufgebracht wird und daß der zweite dünne transparente Film durch eine Maske mit einem vorher bestimmten Muster hindurchgeätzt wird.5. A method for manufacturing an optical phase shift plate according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a first thin transparent one on a transparent base Film of uniform thickness is formed over the first thin transparent film second thin transparent film is applied and that the second thin transparent film through a mask with a predetermined pattern is etched through.

5555

Die Erfindung bezieht sich auf eine Phasenschieberatte der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 :schriebenen Art und auf ein Verfahren zu deren Erstellung, zur Ausbildung vom holographischen nalog-Musterinformationenj wie ausgerichtete Lochformationen, Muster, Anordnungen, 2teichen usw.
In der Holographie bedeuten bessere Qualitäten eines Dlogramms, daß das rekonstruierte Bild weniger drangen enthalten muß. Der Beugungswirkungsgrad [iß hoch sein, und die Abweichung der Information uß möglichst gering gehalten werden.
The invention relates to a phase shifting rat of the type described in the preamble of claim 1: and to a method for its creation, for the formation of holographic analog pattern information such as aligned hole formations, patterns, arrangements, 2pits, etc.
In holography, better quality of a dlogram means that the reconstructed image must contain less penetration. The diffraction efficiency must be high and the deviation of the information must be kept as small as possible.

Eines der am weitesten verbreiteten holographischen Verfahren zur Aufzeichnung von Informationen ist die Holographie der Fourier-Transformation, d,e durch eine Linse durchgeführt wird.One of the most widely used holographic methods of recording information is Fourier transform holography, d, e is performed through a lens.

Wie in Fig 1 der Zeichnung dargestellt ist wird ein durch eine Linse 1 bindurchtreiender kohärenter oder Laser-Lichtstrahl 2 auf ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmedium 4 fokussiert, und zwar durch ein die Infonnation tragendes oder vermittelndes Element 3. Er interferiert mit einem Bezugslichistrahl 5, der von einer anderen Lichtquelle auf das Aufzeichnungsmedium 4 fokussiert wird, so daß die Information auf dem Aufzeichnungsmedium 4 in Form eines Interferenzmusters 6 aufgezeichnet wird.As shown in Fig. 1 of the drawing, a coherent or laser light beam 2 passing through a lens 1 onto a photosensitive recording medium 4 focused, through an element that carries or mediates the information 3. He interferes with a reference light beam 5 incident on the recording medium 4 from another light source is focused, so that the information on the recording medium 4 in the form of an interference pattern 6 is recorded.

Die größte Schwierigkeit bei dem Holographieverfahren der beschriebenen Art besteht in der Intensitätsverteiluag des Lichts über das Aufzeichnungsmedium 4. Wie in Fig.2 dargestellt nimmt die Lichtintensität mit dem Abstand von der optischen Achse ab, was zur Verschlechterung eines fokussierten Bildes führt Zur Oberwindung dieser Schwierigkeit wird bisher ein Defokussierverfahren angewendet bei dem das Auszeichnungsmedium 4 aus der Brennebene der Linse 1 verschoben wird. Dieses Verfahren hat jedoch den Mangel daß der Radius des Hologramms vergrößert wird, was zu einer merklichen Abnahme der Aufzeichnungs- oder Informationsdichte führtThe greatest difficulty with the holographic process of the type described consists in the intensity distribution of the light through the recording medium 4. As shown in Fig. 2, the light intensity increases the distance from the optical axis, which leads to the deterioration of a focused image To overcome this problem, a defocusing method has hitherto been used in which the recording medium is used 4 is shifted out of the focal plane of lens 1. However, this method has the Lack that the radius of the hologram is increased, resulting in a noticeable decrease in the recording or information density leads

Bei der Fourier-Transformationsholographie wird zur Lösung der obigen Schwierigkeit gemäß F i g. 3 der Zeichnung eine Phasenschieberplatte 7 mit einem ein- oder zweidimensional«!, nichtgleichförmigen Muster in engen Kontakt mit dem Informationsträgerelement 3 gebracht so daß die Phase des hindurchtretenden Lichts willkürlich geändert werden kann. Beispiele für die Phasenschieberplatte 7 sind im Querschnitt in den Fig.4a und 4b dargestellt Die Phasenschieberplatte 7 gemäß F i g. 4a wird hergestellt indem durch Vakuumabscheidung durch eine Maske hindurch auf einer Basis 8 ein gewünschtes zweidimensionales Muster aus transparenten Substanzen 9 aufgebracht wird. Alternativ kann ein dünner transparenter Film auf der Basis 8 ausgebildet und durch eine Maske auf herkömmliche Weise geätzt werden. Die Phasenschieberplatte 7 der in Fig.4b gezeigten Art wird hergestellt, indem durch Dampfabscheidung Substanzen 11 durch eine Maske hindurch aufgebracht werden, die in einem sehr geringen Abstand von der Basis 10 derart angeordnet ist daß die Ablagerung auf der unteren Oberfläche der Basis 10 verhindert werden kann. Wie in Fig.4b zu sehen, hat der abgelagerte Teil 11 eine flache Oberfläche 11' und geneigte Seiten 11". Bei Verwendung der beschriebenen Phasenschieberplatten 7 kann die Phase des durch die die Information tragenden Elemente 3 hindurchtretenden Lichts willkürlich geändert und die unerwünschte Konzentration des Lichts auf dem Aufzeichnungsmedium 4 verhindert werden. Demzufolge kann auch die Konzentration des Lichts auf dem Aufzeichnungsmedium 4 vermieden werden, so daß die Qualität des Hologramms im Vergleich mit einem Hologramm wesentlich verbessert werden kann, das nach einem ohne Phasenschieberplatte arbeitenden Verfahren hergestellt wurde.In Fourier transform holography, to solve the above problem according to FIG. 3 of the drawing, a phase shifter plate 7 with a single or two-dimensional «! non-uniform pattern in close contact with the information carrier element 3 brought so that the phase of the light passing through can be changed arbitrarily. Examples of the Phase shifter plate 7 are shown in cross section in FIGS. 4a and 4b according to FIG. 4a is made by vacuum deposition through a mask on a base 8 a desired two-dimensional pattern of transparent substances 9 is applied. Alternatively A thin transparent film can be formed on the base 8 and through a mask to conventional Way to be etched. The phase shifter plate 7 of the type shown in Fig.4b is produced by Vapor deposition substances 11 are applied through a mask, which in a very small distance from the base 10 is arranged so that the deposit on the lower surface of the Base 10 can be prevented. As in Fig.4b too see, the deposited part 11 has a flat surface 11 'and sloping sides 11 ". In use of the phase shifting plates 7 described, the phase of the information carrying Elements 3 passing light arbitrarily changed and the undesirable concentration of light on the recording medium 4 can be prevented. As a result, the concentration of light can also increase the recording medium 4 can be avoided, so that the quality of the hologram compared with a Hologram can be significantly improved after one working without a phase shift plate Process was established.

Das Holographieverfahren, das mit einer der oben beschriebenen Phasenschieberplatten arbeitet hat jedoch einen Mangel, der an Hand Fig.4 erläutert werden soll. Die diskreten dünnen Filme 9 oder 11 werden direkt auf der Basis 8 oder 10 ausgebildet, so daß das durch den dünnen Filmbereich hindurchtretendeHowever, the holographic process that works with one of the phase shifting plates described above has a defect, which is to be explained with reference to Fig.4. The discrete thin films 9 or 11 are formed directly on the base 8 or 10 so that that penetrates through the thin film area

ydjt infolge der darin auftretenden mehrfachen Brechungen einen Brechungsverlust erleidet Es unteryJK&tet sich in der Intensität von dem durch den nicht fljtdem dünnen RIm beschichteten Teil hindurchtreten-φη ydit. infolgedessen wird das zweidimensional jjgnneFümniuster auf der Phasenschieberplatte in Form ^Sifferenzen in der Lichtintensität in einem Reflexionsvermögen ausydjt due to the multiple occurring therein Refractions suffer a refraction loss under yJK & tet differs in intensity from the part that is not coated with the thin RIm-φη ydit. as a result, it becomes two-dimensional jjgnneFümniuster on the phase shifter plate in the form ^ Differences in light intensity in one Reflectivity off

y^i in der Lichtintensität in einemy ^ i in the light intensity in one

tefcoestruierten Bild wiedergegeben, wodurch die Qualität des rekonstruierten Bildes verschlechtert wird. ßiese Erscheinung tritt besonders stark in Erscheinung, «enn em Hologramm mit vielen niederfrequenten Komponenten rekonstruiert wird.tefcoestructured image reproduced, whereby the Quality of the reconstructed image is deteriorated. This phenomenon is particularly pronounced, “Hen a hologram with lots of low-frequency ones Components is reconstructed.

Der Erfindung Hegt die Aufgabe zugrunde, eine optische Phasenschieberplaite zu schaffen, durch die die Intensität des hindurchtretenden Lichts gleichmäßig verteilt werden kann.The invention is based on the object of creating an optical phase shifter plate through which the Intensity of the light passing through can be evenly distributed.

Ferner soll eine optische Phasenschieberplatte zur Verwendung in einem Holographiegerät geschaffen werden, durch die das hindurchtretende Licht willkürliche Phasen haben und die Intensität des hindurchtretenden Lichts gleichmäßig verteilt werden kann.Furthermore, an optical phase shift plate for use in a holographic device is to be created through which the light passing through has arbitrary phases and the intensity of the light passing through Light can be evenly distributed.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Patentanspruch 1 beschriebene Phasenschieberplatte gelöst Das Reflexionsvermögen an den verschiedenen Stellen der Phasenschieberplatte kann bei dieser Anordnung wesentlich vergleichmäßigt werden, so daß die Intensität des hindurchtretenden Lichts gleichmäßig verteilt wird.This object is achieved according to the invention by the phase shifting plate described in claim 1 solved The reflectivity at the different points of the phase shifting plate can with this Arrangement are substantially evened out, so that the intensity of the light passing through is uniform is distributed.

Bevorzugte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Phasenschieberplatte sowie das Verfahren zu ihrer Herstellung und dessen Ausgestaltungen sind Gegenstand der Patentansprüche 2 bis 5.Preferred developments and configurations of the phase shifting plate according to the invention and that A method for their production and its refinements are the subject matter of claims 2 to 5.

An Hand des in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert Es zeigt (die bereits erwähnten Figuren werden der Vollständigkeit halber nochmals mit aufgeführt)On the basis of the preferred embodiment shown in the drawing, the invention explained in more detail It shows (the figures already mentioned are shown again for the sake of completeness listed)

F i g. 1 eine schematische Ansicht zur Erläuterung des Fourier-Transformationshologramms,F i g. 1 is a schematic view for explaining the Fourier transform hologram;

F i g. 2 in einem Diagramm die Intensitätsverteilung des Lichts auf einem fotoempfindlichen Aufzeichnungsmedium, wie sie sich bei der herkömmlichen Herstellung eines Fourier-Transformationshologramms ergibtF i g. 2 is a diagram showing the intensity distribution of light on a photosensitive recording medium, as it results in the conventional production of a Fourier transform hologram

Fig.3 eine Ansicht zur Erläuterung des Fourier-Transformationshologramms bei Verwendung einer Phasenschieberplatte,Fig. 3 is a view for explaining the Fourier transform hologram when using a phase shift plate,

F i g. 4a und 4b Querschnitte bekannter Phasenschieberplatten, F i g. 4a and 4b cross sections of known phase shifting plates,

Fig.5 einen Teilschnitt in vergrößertem Maßstab einer Phasenschieberplatte mit einer transparenten Basis und einem darauf durch Dampfabsch-;idung abgelagerten dünnen Film, die bei Auftreten von Mehrfach-Reflexionsverlusten angewendet wird,5 shows a partial section on an enlarged scale a phase shift plate with a transparent base and one on top by vapor deposition deposited thin film, which is applied when multiple reflection losses occur,

F i g. 6 ein Diagramm zur Erläuterung der Abhängigkeit zwischen dem Reflexionsvermögen und der Stärke eines durch Dampfabscheidung gebildeten dünnen Films undF i g. 6 is a diagram for explaining the relationship between reflectivity and strength a thin film formed by vapor deposition and

Fig.7 den Querschnitt einer erf-ndungsgemäßen Phasenschieberplatte.7 shows the cross section of an inventive Phase shifting plate.

An Hand Fig.5 sei zunächst das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip erläutert. Die in F i g. 5 im Teilschnitt gezeigte Phasenschieberplatte enthält einen ersten dünnen Film 12 mit einem Brechungsindex m, einen zweiten dünnen Film 13 mit der Stärke ώ und dem Brechungsindex πι und eine Luftschicht 14 mit dem Brechungsindex no. Fällt ein Laser-Lichtstrahl 15 mit der Wellenlänge λ unter einem rechten Winkel auf den Hunnen Film 12, so berechnet sich dasThe principle on which the invention is based will first be explained with reference to FIG. The in F i g. 5 phase shift plate shown in partial section contains a first thin film 12 with a refractive index m, a second thin film 13 with the thickness ώ and the refractive index πι and an air layer 14 with the refractive index no. If a laser light beam 15 with the wavelength λ falls below a right angle to the Hun film 12, that's how it is calculated

2525th

3030th

3535

4040

4545 An0- n] ■ n2 An 0 - n] ■ n 2

("i + "o)2 - ("I - «5.) («δ - "ΐ) «η2 (" i + "o) 2 - (" I - «5.) (« δ - "ΐ)« η 2 ~ γ

worinwherein

Bei konstanter Wellenlänge und konstanten Brechungsindizes entspricht die Abhängigkeit zwischen δ und Ißl2 dem Diagramm der Fig.6. Aus Fig.6 ist ersichtlich, daß für ein gegebenes Reflexionsvermögen R2 mehrere Werte für ό erhalten werden, so daß das Reflexionsvermögen konstant gemacht werden kann, obwohl die Stärke des dünnen Films unterschiedlich ist Wenn daher ein dünner transparenter Film mit gleichmäßiger Stärke auf eine Basis aufgebracht und ein weiterer dünner Film mit dem gewünschten Muster auf dem ersten dünnen Film aufgebracht wird, so kann das Reflexionsvermögen an allen Punkten der Phasenschieberplatte einander gleich gemacht werden.With constant wavelength and constant refractive indices, the relationship between δ and Ißl 2 corresponds to the diagram in FIG. 6. It can be seen from Fig. 6 that, for a given reflectivity R 2, multiple values of ό are obtained so that the reflectivity can be made constant although the thickness of the thin film is different when, therefore, a thin transparent film of uniform thickness on a basis is applied and another thin film having the desired pattern is applied on the first thin film, the reflectivities at all points of the phase shift plate can be made equal to each other.

Die erfindungsgemäße Phasenschieberplatte gemäß Fig.7 enthält eine transparente Basis 16 mit dem Brechungsindex /n, einen ersten dünnen transparenten Film 17 mit dem Brechungsindex m und der gleichmäßigen Stärke en, einen zweiten dünnen transparenten Film 18 mit dem gewünschten Muster mit dem Brechungsindex m und der Stärke d und eine Luftschicht mit dem Brechungsindex no.7 contains a transparent base 16 with the refractive index / n, a first thin transparent film 17 with the refractive index m and the uniform thickness en, a second thin transparent film 18 with the desired pattern with the refractive index m and the Thickness d and an air layer with the refractive index no.

Die Stärke e/des zweiten dünnen Films 18 ergibt sich aus folgender Gleichung, so daß die Phasendifferenz zwischen dem durch die dünnen Filme 17 und 18 und dem nur durch den dünnen Film 17 fallenden Lichtstrahl gleich π radians, also gleich einer halben Wellenlänge ist (λ = Wellenlänge des auf die Phasenschieberplatte fallenden Laserlichts 19):The thickness e / of the second thin film 18 results from the following equation, so that the phase difference between the light beam falling through the thin films 17 and 18 and the light beam falling only through the thin film 17 is equal to π radians, i.e. equal to half a wavelength (λ = Wavelength of the laser light falling on the phase shift plate 19):

d= λ/2: (ro- 1). d = λ / 2: (ro-1).

Wenn der erste und zweite Film 17 bzw. 18 den gleichen Brechungsindex, nämlich m = η aufweisen, so ergibt sich aus Gleichung (1) für das Reflexionsvermögen eines dünnen Films mit der Stärke ώ ~ d\ + d aus Gleichung (1)If the first and second films 17 and 18 have the same refractive index, namely m = η , then from equation (1) for the reflectivity of a thin film with the thickness ώ ~ d \ + d results from equation (1)

\R\2 = I -5 ° \ R \ 2 = I -

- n\) (nl- n2) sin2 ^-- n \) (nl- n 2 ) sin 2 ^ -

55 worin 55 in which

4.-TH1J2 4.-TH 1 J 2

6060

65 In gleicher Weise ergibt sich das Reflexionsvermögen im dünnen Film 17 mit der Stärke ώ zu 65 In the same way, the reflectivity in the thin film 17 with the strength ώ results

+ ,I0)2 - (n2 - H2Mn2, -+ , I 0 ) 2 - (n 2 - H 2 Mn 2 , -

4 rr H1 rf,4 rr H 1 rf,

"1"1 ΛΛ 2.-72nd-7th (4)(4) WennWhen Ir1P=Ia2 Ir 1 P = Ia 2 I2, dann muß gelten:I 2 , then the following must apply: "i -"i - sin2(sin 2 ( A1N . 2/<W A 1 N. 2 / <W undand -1-1 ,, 4 ,, 4 π ii, d2 π ii, d 2 "! (A I d\ h -I" ! (A I d \ h -I (5)(5) /./.

Ersetzt man in Gleichung (5) d2 = d, + rf undIf one replaces in equation (5) d 2 = d, + rf and

rf =rf =

dann ergibt sich durch Einsetzen in Gleichung (4) sin2 ^- = sin2 (^- + ~^j\ ■ (6)then by substituting it in equation (4) we get sin 2 ^ - = sin 2 (^ - + ~ ^ j \ ■ (6)

Damit gilt:The following applies:

(7)(7)

sin ^-sin ^ -

IOIO

2020th

Für die Gleichheit von |rJ2 und |R2|2 gilt also folgende Bedingung:For the equality of | rJ 2 and | R 2 | 2 the following condition applies:

4040

i =-L(m - -OkJ)1 m = 1,2,... i = -L ( m - -OkJ) 1 m = 1.2, ...

1 4«, \ n, -iy 1 4 «, \ n, -iy

(8)(8th)

4545

Wenn also ein dünner Film mit einer gleichmäßigen Stärke ώ auf der gesamten Oberfläche einer Basis ausgebildet und darauf ein zweiter dünner Film mit einem gewünschten Muster mit einer Stärke d aufgebracht wird, so kann das Reflexionsvermögen an jeder Stelle auf der Phasenschieberplatte gleichgemacht werden.Thus, if a thin film having a uniform thickness ώ is formed on the entire surface of a base and a second thin film having a desired pattern is formed thereon with a thickness d , the reflectivity can be made the same at every point on the phase shift plate.

Bei der Phasenschieberplatte 7 der in Fig.4b gezeigten Art ist das Reflexionsvermögen des durch die geneigte Seitenfläche ti" hindurchtretende Lichts nicht gleich dem durch andere Teile hindurchtretenden, weil sich die Stärke der geneigten Seitenfläche 11" kontinuierlich ändert. Die Fläche der flachen Teile 11' ist wesentlich größer als die der geneigten Oberflächen 11", so daß die Intensität des durch die Phasenschieberplatte hindurchtretenden Lichts im wesentlichen gleichmäßig gemacht werden kann.In the phase shifter plate 7 of the type shown in Figure 4b, the reflectivity of the through the inclined side surface ti "of the light passing through is not the same as that passing through other parts because the thickness of the inclined side surface 11 "changes continuously. The area of the flat parts 11 'is substantially larger than that of the inclined surfaces 11 "so that the intensity of the light passing through the phase shifting plate is substantially uniform can be done.

Vorzugsweise wird um die Vakuumablagerung zu erleichtern der Wert m so gewählt, daß d\ = d Als Optimalwert kann m zu 5 gewählt werden, wenn Zinksulfid (ZnS) mit einem Brechungsindex m = 2,3 gewählt wird, oder zu 7, wenn Ceriumfluorid (CeF) mit dem Brechungsindes m = 1,67 verwendet wird.Preferably, the value is to facilitate the vacuum deposition m chosen so that d \ = d can be an ideal value of m be selected to 5 when zinc sulfide (ZnS) is selected with a refractive index m = 2.3, or 7 when Ceriumfluorid ( CeF) with the refractive index m = 1.67 is used.

Erfindungsgemäß wird zunächst ein dünner transparenter Film auf eine transparente Basis aufgebracht. Darauf wird ein zweiter dünner transparenter Film mit einem gewünschten Muster mittels einer Maske auf dem ersten dünnen transparenten Film aufgebracht, wie es in Fi g. 4a oder 4b dargestellt ist Wie erwähnt, kann das Reflexionsvermögen an jedem Punkt der Phasenschieberplatte gleichgemacht werden, indem die Stärke des ersten und zweiten Films, die auf der transparenten Basis aufgebracht werden, so gewählt wird, daß die Intensität des durch die Phasenschieberplatte hindurchtretenden Lichts gleichmäßig verteilt werden kann. Hierdurch kann die Änderung der Lichtintensität eines rekonstruierten Bildes eliminiert und die Qualität desselben verbessert werden. Die erfindungsgemäße Phasenschieberplatte ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn sie in einem Holographiegerät zur Aufzeichnung analoger Informationen verwendet wird. Ferner dient die erfindungsgemäße Phasenschieberplatte zur Unterdrückung der Sprenkelstörungen (speckle noise) des Laser-Lichts infolge seiner Kohärenz. Das neißt, wenn eine herkömmliche Phasenschieberplatte mit unregelmäßigem Muster in Kontakt mit einem transparenten zweidimensionalen Informationsübertragungsglied gebracht wird, wird die Intensität des durch dasselbe hindurchtretenden Lichts nicht gleichmäßig verteilt Auch diese Schwierigkeit kann mit der erfindungsgemäßen Phasenschieberplatte überwunden werden.According to the invention, a thin transparent film is first applied to a transparent base. A second thin transparent film with a desired pattern is then applied using a mask first thin transparent film applied, as shown in Fi g. 4a or 4b is shown As mentioned, this can Reflectivities at any point on the phase shifting plate can be made equal by the strength of the first and second films deposited on the transparent base is selected so that the Intensity of the light passing through the phase shift plate can be evenly distributed. This allows the change in light intensity of a reconstructed image to be eliminated and its quality the same to be improved. The phase shifting plate according to the invention is particularly advantageous when when used in a holographic device to record analog information. Also serves the phase shifting plate according to the invention for suppressing the speckle noise of the Laser light due to its coherence. That doesn't matter if a conventional phase shift plate with an irregular pattern in contact with a transparent one two-dimensional information transmission link is brought about, the intensity of the through the same light passing through not evenly distributed. This difficulty can also be overcome with the inventive Phase shift plate are overcome.

Die Erfindung ist nicht auf eine Phasenschieberplatte mit unregelmäßigen Mustern beschränkt, die zur Verwendung bei Holographiegeräten vorgesehen ist Vielmehr kann die erfindungsgemäße Phasenschieberplatte auch mit verschiedenen anderen optischen Einrichtungen und Geräten verwendet werden, wenn eine gleichmäßige Verteilung der Intensität des hindurchtretenden Lichts erwünscht istThe invention is not limited to a phase shifting plate with irregular patterns that are used for Use in holographic devices is provided. Rather, the phase shifting plate according to the invention can also be used with various other optical devices Facilities and equipment used when an even distribution of the intensity of the light passing through is desirable

Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings

Claims (1)

Patentansprüche:Patent claims: / 1. Phasenschieberplatte mit einer transparenten Basis und einem auf der Basis ausgebildeten transparenten Film, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem mit gleichmäßiger Stärke ausgebildeten ersten FHm (17) ein zweiter transparenter FUm (18) mit einem ein- oder zwekümensionalen, unregelmäßig verteilten Muster aufgebracht ist, daß die beiden Frime den gleichen Brechungsindex haben und daß die Stärken des ersten und zweiten Films (17,18) so bestimmt sind, daß sie die folgenden Beziehungen erfüllen:/ 1. Phase shifting plate with one transparent base and one formed on the base transparent film, characterized in that on the with uniform thickness formed first FHm (17) a second transparent FUm (18) with a one- or two-dimensional, irregularly distributed pattern is applied, that the two frames have the same refractive index and that the strengths of the first and second film (17:18) are so determined that they satisfy the following relationships: 1515th
DE19732323712 1972-05-15 1973-05-10 Phase shift plate and process for its manufacture Expired DE2323712C3 (en)

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DE2323712A1 DE2323712A1 (en) 1973-12-06
DE2323712B2 DE2323712B2 (en) 1976-06-16
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