DE2322490A1 - INTEGRATED CIRCUIT WITH AT LEAST ONE SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A CONTROL ELECTRODE - Google Patents

INTEGRATED CIRCUIT WITH AT LEAST ONE SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A CONTROL ELECTRODE

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DE2322490A1 DE19732322490 DE2322490A DE2322490A1 DE 2322490 A1 DE2322490 A1 DE 2322490A1 DE 19732322490 DE19732322490 DE 19732322490 DE 2322490 A DE2322490 A DE 2322490A DE 2322490 A1 DE2322490 A1 DE 2322490A1
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Description

Signetics Corporation, Sunnyvale, Kalif. (V.St.A.).Signetics Corporation, Sunnyvale, Calif. (V.St.A.).

Integrierter Schaltkreis mit mindestens einer mit einer Steuerelektrode versehenen Halbleiteranordnung.Integrated circuit with at least one semiconductor arrangement provided with a control electrode.

Für diese Anmeldung wird die Priorität aus der amerikanischen Anmeldung Ser.No. 251,Io5 vom 8. Mai 1972 in Anspruch genommen .For this application the priority is taken from the American application Ser.No. 251, Io5 of May 8, 1972 .

Die Erfindung bezieht sich auf einen integrierten Schaltkreis mit mindestens einer mit einer Steuerelektrode versehenen Halbleiteranordnung, die auf eine an die Steuerelektrode gelegte elektrische Ladung mit einer Änderung ihres Leitfähigkeitszustands anspricht.The invention relates to an integrated circuit having at least one with a control electrode provided semiconductor device, the electrical charge applied to the control electrode with a change their conductivity state.

Moderne Bauarten integrierter Schaltkreise weisen häufig Strukturen auf, bei denen viele einzelne Vorrichtungen auf einem einzigen Plättchen aus Halbleitermaterial angeordnet sind. Dabei wäre es vorteilhaft, ein Schema für das Zu- und Abschalten ganzer Unterabschnitte von Vorrichtungen eines solchen integrierten Schaltkreises verfügbar zu haben. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit zum Schalten der Halbleiteranordnung von einer oder mehreren entfernt gelegenen Stellen aus oder auch beispielsweise zum Zu- oder Abschalten ganzer Unterabschnitte eines integrierten Schaltkreises zu schaffen.Modern types of integrated circuits often have structures in which many individual devices are arranged on a single plate made of semiconductor material. It would be beneficial to have a scheme for the connection and disconnection of entire subsections of devices of such an integrated circuit is available to have. The invention is based on the object of providing a possibility for switching the semiconductor arrangement from one or more remote locations or, for example, to switch entire subsections on or off of an integrated circuit.

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Es ist bereits ein Schema zum Zu- und Abschalten einer einzigen MOS-Vorrichtung durch Trägerinjektion bekannt. Dabei hat die MOS-Vorrichtung je eine Abfluss-, Quell- und Torelektrode, und die Abflusselektrode wird genügend stark im umgekehrten Sinne vorgespannt, um einen lawinenartigen Durchbruch des PN-Überganges zu verursachen. Dabei ergibt sich eine Trägerinjektion durch eine Oxydschicht an der Oberfläche des Halbleiterplättchens, wodurch ein schwimmendes Tor genügend aufgeladen wird, um die MOS-Vorrichtung einzuschalten. Allerdings ist dabei was auch immer für eine Schaltung mit der Abflusselektrode gekoppelt sein mag - ein hoher Spannungsimpuls von etwa 20 bis 50 Volt erforderlich, um den Lawinendurchbruch zu verursachen. Dieser könnte sich nachteilig für die übrige Schaltung auswirken, die an die Anschlusselektrode angeschlossen ist. Solche nachteiligen Auswirkungen sollen durch die Erfindung vermieden werden.A scheme for switching a single MOS device on and off by carrier injection is already known. The MOS device has a drain, source and gate electrode, and the drain electrode is sufficiently biased in the opposite sense to make one to cause avalanche-like breakthrough of the PN junction. This results in a carrier injection through an oxide layer on the surface of the die, thereby charging a floating gate enough to turn on the MOS device. However, there is whatever circuit with the drainage electrode may be coupled - a high voltage pulse of around 20 to 50 volts is required to break the avalanche to cause. This could have a detrimental effect on the rest of the circuit that is attached to the connection electrode connected. Such adverse effects are intended to be avoided by the invention.

Dieses Ziel wird erfindungsgemäss dadurch erreicht, dass in dem integrierten Schaltkreis eine Diode mit PN-Übergang an einer von der Halbleiteranordnung entfernt gelegenen Stelle gebildet ist, deren Steuerelektrode sich von der Halbleiteranordnung aus bis in die Nachbarschaft der Diode mit dem PN-Übergang erstreckt, aber von ihr durch eine Schicht aus Isoliermaterial getrennt ist, und dass eine Einrichtung zum Anlegen einer umgekehrten Vorspannung an die Diode mit dem PN-Übergang vorgesehen ist, so dass durch einen Lawinendurchbruch an der Diode eine Träger-Injektion durch die Isolierschicht hindurch und damitAccording to the invention, this goal is achieved by that in the integrated circuit a diode with PN junction removed from one of the semiconductor device located point is formed whose control electrode extends from the semiconductor device into the neighborhood the diode extends with the PN junction, but is separated from it by a layer of insulating material, and that means for applying a reverse bias to the diode with the PN junction is provided so that an avalanche breakdown at the diode causes a carrier injection through the insulating layer and thus

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die Anlegung der elektrischen Ladung an die Steuerelektrode bewirkt wird.the application of the electrical charge to the control electrode is effected.

In entsprechender Weise lassen sich- auch integrierte Schaltkreise mit mehreren Halbleiteranordnungen und einer ihnen gemeinsam zugeordneten Steuerelektrode ausbilden.In a corresponding way, they can also be integrated Form circuits with a plurality of semiconductor arrangements and a common control electrode assigned to them.

Zur Herstellung integrierter Schaltkreise der zur Rede stehenden Art kann erfindungsgemäss so vorgegangen werden, dass auf einem integrierten Schaltkreis mit mindestens einer Halbleiteranordnung mit einer Stuerelektrode, der auf eine elektrische Ladung an der Steuerelektrode mit einer Änderung seines Leitfähigkeitszustands anspricht, zunächst eine Diode mit einem PN-Übergang an einer von der Halbleiteranordnung entfernt gelegenen Stelle gebildet wird, derart, dass sich die Steuerelektrode der Halbleiteranordnung bis in die Nachbarschaft der Diode mit dem PN-Übergang erstreckt, und dass darauf eine Einrichtung, die eine umgekehrte Vorspannung an die Diode mit dem PN-Übergang anlegt, angeordnet wird, um einen Lawinendurehbruch zustande zu bringen, der eine Trägerinjektion verursacht, um elektrische Ladungen an die Steuerelektrode zu bringen.To produce integrated circuits of the type in question, this can be done according to the invention that on an integrated circuit with at least one semiconductor arrangement with a control electrode, which responds to an electrical charge on the control electrode with a change in its conductivity state, initially a diode with a PN junction is formed at a location remote from the semiconductor device is in such a way that the control electrode of the semiconductor arrangement extends into the vicinity of the diode with the PN junction extends, and that thereon a device that applies a reverse bias to the diode with the PN junction applies, is arranged to cause an avalanche breakout bring about a carrier injection caused to bring electrical charges to the control electrode.

Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert. Es zeigenThe invention is explained in more detail below with reference to the drawing, for example. Show it

Fig. 1 eine perspektivische Darstellung mit schräger Querschnittsansicht eines Teils eines integrierten Schaltkreises, der mehrere MOS-Halbleiteranordnungen mit einer gemeinsamen schwimmenden Vorelektrode aufweist, die sich1 shows a perspective illustration with an oblique cross-sectional view of part of an integrated Circuit comprising several MOS semiconductor devices with a common has floating pre-electrode, which is

bis in der Nachbarschaft einer entfernt 309847/0833 up in the neighborhood of a distant 309847/0833

erstrecken sich bis in die Nachbarschaft der den PN-Übergang aufweisenden Diode 14 und endigen in ringförmigen Zonen 23a und 24b, welche den PN-Übergang überlagern, der zwischen der P+ Zone 26 und dem Körper aus Halbleitermaterial vom N Leitfähigkeitstyp 18 gebildet ist. Eine Diodenelektrode 27 erstreckt sich nach unten durch die Ringzonen 23a und 24b, um den Kontakt zu der P+ Zoneextend into the vicinity of the PN junction having diode 14 and end in ring-shaped Zones 23a and 24b, which overlap the PN junction between the P + zone 26 and the body of semiconductor material of the N conductivity type 18 is formed. A diode electrode 27 extends down through the ring zones 23a and 24b to make contact with the P + zone

26 herzustellen.26 to manufacture.

Im Betriebe wird eine Spannung an die DiodenelektrodeIn operation, a voltage is applied to the diode electrode

27 angelegt, um die Vorspannung der den PN-Übergang aufweisenden Diode 14 umzukehren. Es wird eine Entleerungszone 28, wie sie mit gestrichelten Linien in Pig. I angegeben ist, gebildet. Wenn die an die Diodenelektrode angelegte Spannung eine genügende Höhe hat, üblicherweise in der Grössenordnung von 2o bis 5o Volt, kommt es zu einem lawinenartigen Durchbruch der den PN-Übergang aufweisenden Diode 14. Dieser lawinenartige Durchbruch ergibt eine Trägerinjektion aus der Entleerungszone 28 durch die Oxydschicht 23a in die Steuer- oder Torelektrode 24a. Dadurch wird eine Ladung auf die Steuer- oder Torelektrode 24a gebracht, welche das Schalten der Vorrichtungen vom MOS-Typ 12 und 13 bewirkt. Die Verwendung einer Trägerinjektion aus einer getrennten, einen PN-Übergang aufweisenden Diode zum Laden der Steuer- oder Torelektrode 24 führt zu keinerlei schädlichen Auswirkungen auf irgendwelche Schaltungsbestandteile, die an die Quell- oder Abflusselektrode 21 bzw. 22 der Vorrichtungen vom MOS-Typ angekoppelt sein mögen.27 is applied to reverse the bias of the PN junction diode 14. It becomes an emptying zone 28 as shown in dashed lines in Pig. I stated is formed. If the voltage applied to the diode electrode is sufficiently high, usually in the order of magnitude of 20 to 50 volts, an avalanche-like breakdown of the diode 14 having the PN junction occurs. This avalanche-like breakdown results in a carrier injection from the emptying zone 28 through the oxide layer 23a in the control or gate electrode 24a. Thereby, a charge is applied to the control or gate electrode 24a, which causes the switching of the MOS-type devices 12 and 13. The use of carrier injection from a separate PN junction diode to charge the control or gate electrode 24 has no detrimental effect on any circuitry coupled to the source or drain electrode 21 or 22 of the MOS-type devices to like.

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Durch die Erfindung wird es somit möglich, dass eine mehrere Halbleitervorrichtungen mit einer Steuerelektrode, die die Fähigkeit haben, ihren Leitfähigkeitszustand in Abhängigkeit von einer Ladung oder einer Spannung einer Steuerelektrode zu ändern, von einer entfernten Stelle aus durch Trägerinjektion geschaltet werden, um eine Ladung auf die Steuerelektrode zu bringen. Wenn es gewünscht wird, mehr als eine Halbleitervorrichtung gleichzeitig zu schalten, kann eine gemeinsame Steuer« elektrode für mehrere vorhandene Halbleiteranordnungen vorgesehen werden, wobei die Tragerinjektion in. die gemeinsame Elektrode die Schaltung aller Halbleiteranordnungen bewirkt.The invention thus makes it possible that a plurality of semiconductor devices with a control electrode, which have the ability to change their conductivity state as a function of a charge or a voltage a control electrode can be switched from a remote location by carrier injection, to put a charge on the control electrode. More than one semiconductor device if desired A common control electrode for several existing semiconductor arrangements can be used to switch at the same time be provided, the carrier injection in. the common Electrode the circuit of all semiconductor arrangements causes.

Wenngleich hier eine besondere Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme auf den lawinenartigen Durchbruch einer entfernt gelegenen, einen PN-Übergang aufweisenden Diode zum Laden eines schwimmenden Tors mehrerer Vorrichtungen vom MOS-Typ beschrieben wurde, so ist es für einen Sachkundigen doch ohne weiteres ersichtlich, dass kleinere Abwandlungen an der hier beschriebenen Ausführungsform vorgenommen werden können, ohne dass damit von der grundsätzlichen Lehre der Erfindung abgewichen wird. So können z.B., wenngleich die hier beschriebene Ausführungsform mit ferngeschaltenen Anordnungen vom P Kanaltyp in Verbindung steht, die Prinzipien der Erfindung in gleicher Weise auch auf Vorrichtungen von N Kanaltyp angewendet werden.Although here a particular embodiment of the invention with reference to the avalanche-like Breakdown of a remote PN junction diode used to charge a floating gate several MOS-type devices have been described, it is readily apparent to a person skilled in the art that that minor modifications can be made to the embodiment described here, without deviating from the basic teaching of the invention. For example, albeit the embodiment described here is in connection with remotely switched arrangements of the P channel type, the principles of the invention are equally applied to N channel type devices.

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angeordneten Diode mit PN-Übergang erstreckt. Fig. 2 zeigt eine Querschnittsdarstellung des integrierten Schaltkreises von Pig. I mit Blickrichtung auf die in Fig. 1 mit 2-2 angedeutete Schalt· ebene, lässt den Aufbau einer MOS-Halbleiteranordnung erkennen und veranschaulicht zugleich die Beziehung der schwimmenden Torelektrode zu dem übrigen Teil der Gesamtanordnung.arranged diode with PN junction extends. Fig. 2 shows a cross-sectional view of the integrated Pig circuit. I looking in the direction of the switching indicated in Fig. 1 with 2-2 plane, leaves the structure of a MOS semiconductor device recognize and illustrate at the same time the relationship between the floating gate electrode to the remaining part of the overall arrangement.

Bei einer solchen Anordr ng ist mindestens eine Halbleiteranordnung an einem integrierten Schaltkreis von einer entfernt gelegenen Stelle aus durch lawinenartige Injektion von Ladungen auf einer schwimmenden Steuerelektrode schaltbar. Das Prinzip der Erfindung ist inbesondere anwendbar auf einen integrierten Schaltkreis mit mehren MOS-HaIbleiteranordnungen. Die Figuren der Zeichnungen zeigen einen Teil eines integrierten Schaltkreises 11 mit zwei MOS-Halbleiteranordnungen 12 und 13 und einer entfernt angeordneten Diode 14 mit einem PN-Übergang. Wie Fig. 2 zeigt, enthält jede der MOS-Halbleiteranordnungen 12 und 13 eine Quellzone 16 und eine Abflusszone 17, die beispielsweise als Zonen vom P+ Leitfähigkeitstyp in einem Körper aus Halbleitermaterial 18 ausgebildet sein können, der beispielsweise aus Silizium vom N Leitfähigkeitstyp bestehen mag. In an sich bekannter Weise ist eine die Oberfläche passivierende Schicht aus Isoliermaterial 19, beispielsweise aus Siliziumdioxyd, auf dem freiliegenden Teil der Oberfläche des HalbleiterkörpersIn such an arrangement there is at least one semiconductor arrangement on an integrated circuit from a remote location by avalanche injection switchable by charges on a floating control electrode. The principle of the invention is particularly applicable on an integrated circuit with several MOS semiconductor arrangements. The figures of the drawings show part of an integrated circuit 11 with two MOS semiconductor devices 12 and 13 and one removed arranged diode 14 with a PN junction. As FIG. 2 shows, each of the MOS semiconductor devices includes 12 and 13, a swelling zone 16 and a drainage zone 17, which, for example, are designated as zones of the P + conductivity type in a body of semiconductor material 18 can be formed, for example of silicon of the N conductivity type may exist. In a manner known per se, a surface passivating layer is made of insulating material 19, for example made of silicon dioxide, on the exposed part of the surface of the semiconductor body

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vorgesehen. In ebenfalls an sich bekannter Weise dient eine Metallisierung zur Bildung von Quell- und Abflusselektroden 21 und 22, die sich durch die Isoliermaterialschicht 19 hindurch'erstrecken, um mit der Quellzone und der Abflusszone 16 bzw. 17 in Kontakt zu kommen. Auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 18 ist eine Tor-Oxydschicht 23 zwischen der Quell- und Abflusszone 16 bzw. 17 gebildet. In dieser Tor-Oxydschicht 23 ist eine Steueroder Torelektrode 24 angeordnet. Die Tor-Oxydschicht zwischen der Torelektrode 24 und der Oberfläche des Halbleiterkörpers 18 kann eine Dicke von beispielsweise etwa 500 bis 1000 Angströmeinheiten haben, wobei eine Isolierschicht von vielleicht 5000 Angströmeinheiten aus Isoliermaterial oder Oxyd auf der Oberseite der Torelektrode gebildet ist.intended. In a manner also known per se, metallization is used to form source and drain electrodes 21 and 22, which extend through the insulating material layer 19 in order to communicate with the swelling zone and the discharge zone 16 or 17 to come into contact. On the surface of the semiconductor body 18 is a gate oxide layer 23 formed between the source and drainage zones 16 and 17, respectively. In this gate oxide layer 23 is a control or Gate electrode 24 arranged. The gate oxide layer between the gate electrode 24 and the surface of the semiconductor body 18 may have a thickness of, for example, about 500 to 1000 Angstrom units with an insulating layer of perhaps 5000 angstrom units of insulating material or oxide on top of the gate electrode is formed.

Wie aus Fig. 1 zu ersehen, erstreckt sich sowohl die Torelektrode 24 als auch die Tor-Oxydschicht 23 über eine Hehrzahl von Vorrichtungen vom MOS-Typ, d.h. die Vorrichtungen vom MOS-Typ 12 und 13, und beide endigen in der Nachbarschaft der einen PN-Übergang aufweisenden Diode Das bedeutet, die steuernde Torelektrode 24 oder Feldplattenelektrode ist für eine Mehrheit von Halbleiteranordnungen gemeinsam vorgesehen.As can be seen from Fig. 1, extends both Gate electrode 24 and gate oxide layer 23 over a plurality of MOS type devices, i.e., the devices of MOS type 12 and 13, and both terminate in the vicinity of the PN junction diode That is, the controlling gate electrode 24 or field plate electrode is for a majority of semiconductor devices jointly provided.

Die den PN-Übergang aufweisender Diode 14 ist in einer bei integrierten Schaltkreisen üblichen Art und Weise hergestellt. Beispielsweise wird in dem Halbleiterkörper 18 aus Material vom N-Typ eine P+ Zone 26 hergestellt. Die Tor-Oxydschicht 23 und die Torelektrode 24The diode 14 having the PN junction is of a type customary in integrated circuits Way made. For example, a P + zone 26 is produced in the semiconductor body 18 from material of the N-type. The gate oxide layer 23 and the gate electrode 24

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Claims (9)

PatentansprücheClaims Integrierter Schaltkreis mit mindestens einer mit einer Steuerelektrode versehenen Halbleiteranordnung, die auf eine an die Steuerelektrode gelegte elektrische Ladung mit einer Änderung ihres Leitfähigkeitszustandes anspricht, dadurch gekennzeichnet, dass in dem integrierten Schaltkreis eine Diode mit PN-Übergang an einer von der Halbleiteranordnung entfernt gelegenen Stelle gebildet ist, deren Steuerelektrode sich von der Halbleiteranordnung aus bis in die Nachbarschaft der Diode mit dem PN-Übergang erstreckt, aber von ihr durch eine Schicht aus Isoliermaterial getrennt ist, und dass eine Einrichtung zum Anlegen einer umgekehrten Vorspannung an die Diode mit dem PN-Übergang vorgesehen ist, so dass ein Lawinendurchbruch der Diode eine Trägerinjektion durch die Isolierschicht hindurch zur Anlegung der elektrischen Ladung an die Steuerelektrode bewirkt.Integrated circuit with at least one semiconductor arrangement provided with a control electrode, the electrical charge applied to the control electrode with a change in its conductivity state responds, characterized in that in the integrated circuit a diode with PN junction on one of the Semiconductor device remote location is formed, the control electrode of the semiconductor device extends out to the vicinity of the diode with the PN junction, but from it through a layer of insulating material is separated, and that means for applying a reverse bias to the diode with the PN junction is provided so that an avalanche breakdown of the diode causes a carrier injection through the insulating layer caused through for the application of the electrical charge to the control electrode. 2. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er mehrere Halbleiteranordnungen mit einer gemeinsamen Steuerelektrode aufweist, die sich bis in die Nachbarschaft der entfernt gelegenen Diode erstreckt .2. Integrated circuit according to claim 1, characterized in that it has a plurality of semiconductor devices has a common control electrode which extends into the vicinity of the remote diode . 3. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus Isoliermaterial eine Oxydschicht ist.3. Integrated circuit according to claim 1, characterized in that the layer of insulating material is a Oxide layer is. 309847/0833309847/0833 4. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, 2 oder 3 auf einem Halbleiterplättchen mit mindestens einer darauf gebildeten MOS-Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass die MOS-Vorrichtung eine Quellzone und eine Abflusszone aufweist, die durch einen Kanal mit einer daneben gelegenen Oxydschicht und einer neben dieser gelegenen Torelektrode getrennt sind, und dass eine einen PN-Übergang aufweisende Diode in dem Halblelterplättchen an einer von der MOS-Vorrichtung bzw. den MOS-Vorrichtungen entfernt gelegenen Stelle gebildet ist, derart, dass die Oxydschicht und die Torelektrode der MOS-Vorrichtung(en) sich bis in die Nachbarschaft der Diode mit dem PN-Übergang erstrecken und Mittel zum Anlegen einer umgekehrten Vorspannung an die den PN-Übergang aufweisenden Diode vorgesehen sind, so dass ein lawinenartiger Durchbruch dieser eine Trägerinjektion in das Oxyd oder sonstige Isoliermaterial bewirkt, um eine Ladung auf die Torelektrode zu bringen.4. Integrated circuit according to claim 1, 2 or 3 on a semiconductor die with at least one MOS device formed thereon, characterized in that the MOS device has a source zone and a drain zone, which is passed through a channel with an adjacent located oxide layer and a gate electrode located next to it are separated, and that a diode having a PN junction in the half-lamellar plate on a is formed from the MOS device or the MOS devices remote location, such that the Oxide layer and the gate electrode of the MOS device (s) extend into the vicinity of the diode with the PN junction and means for applying a reverse Bias voltage to the diode having the PN junction are provided, so that an avalanche-like breakdown this causes a carrier injection into the oxide or other insulating material in order to apply a charge to the gate electrode. 5. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1 mit mehreren MOS-Vorrichtungen mit gemeinsamer Torelektrode, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydschicht sich von jewei/c .einer MOS-Vorrichtung zu der oder den anderen MOS-Vorrichtungen sowie bis in die Nachbarschaft der entfernt gelegenen Diode mit dem PN-Übergang erstreckt.5. Integrated circuit according to claim 1 with a plurality of MOS devices with a common gate electrode, characterized in that the oxide layer is removed from each MOS device to the other MOS device or devices and into the vicinity of the located diode extends to the PN junction. 6. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit ferngehaltbarer Halbleiteranordnung6. Process for the production of an integrated circuit with a remotely removable semiconductor device 309847/0833309847/0833 nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst an einer Stelle auf einem Halbleiterplättchen die Halbleitervorrichtung mit einer Steuerelektrode hergestellt wird, derart, dass die Vorrichtung auf eine an die Steuerelektrode anzulegende elektrische Ladung mit einer Änderung ihres Ladungszustandes anspricht, dass darauf an einer anderen, von der erstgenannten entfernt gelegenen Stelle auf dem Halbleiterplättchen eine einen PN-Übergang aufweisende Diode gebildet wird, und dass schliesslich die Steuerelektrode mit der entfernt gelegenen Stelle in der Nachbarschaft der den PN-Übergang aufweisenden Diode elektrisch verbunden wird, so dass, wenn die den PN-Übergang aufweisende Diode umgekehrt vorgespannt wird, ein lawinenartiger Durchbruch stattfindet, der die Trägerinjektion zum Anlegen einer elektrischen Ladung an die Steuerelektrode zustande bringt.according to one of claims 1 to 5, characterized in that initially at one point on a semiconductor wafer the semiconductor device is manufactured with a control electrode, such that the device is based on a the electrical charge to be applied to the control electrode responds with a change in its state of charge, that on it at a different location on the semiconductor wafer, remote from the former a diode having a PN junction is formed, and that finally the control electrode with the remote location in the vicinity of the PN junction having diode is electrically connected, so that when the PN junction having Diode is reverse biased, an avalanche breakdown takes place, causing the carrier to be injected Bringing an electrical charge to the control electrode. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass statt einer mehrere Halbleitervorrichtungen auf dem Halbleiterplättchen hergestellt werden und7. The method according to claim 6, characterized in that instead of one a plurality of semiconductor devices are made on the semiconductor die and die Steuerelektroden dieser miteinander und mit der Nachbarschaft der entfernt angeordneten Diode elektrisch verbunden werden.the control electrodes of these with each other and with the vicinity of the remotely located diode electrically get connected. 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oxydschicht auf einem Teil des Halbleiterplättchens einschllesslich der entfernt gelegenen Stelle gebildet und die Steuerelektrode über die Oxydschicht8. The method according to claim 6, characterized in that an oxide layer is formed on a portion of the semiconductor die including the remote location and the control electrode is formed over the oxide layer 309847/0833309847/0833 bis zu einem Punkt auf dieser an dem entfernt gelegenen Teil des Plättchens geführt wird, so dass zur Ladung der Steuerelektrode die Trägerinjektion in die Oxydschicht stattfinden kann.is guided to a point on this on the distant part of the plate, so that to charge the control electrode, the carrier injection can take place in the oxide layer. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6-8, dadurch gekennzeichnet, dass als Halbleitervorrichtung eine solche vom MOS-Typ mit einer Tor-Oxydschicht und einer Tor-Steuerelektrode derart hergestellt wird, dass die Tor-Oxydschicht und die Tor-Steuerelektrode bis in die Nachbarschaft des PN-übergangs geführt werden.9. The method according to any one of claims 6-8, characterized in that as a semiconductor device one of the MOS type with a gate oxide layer and a gate control electrode is produced in this way that the gate oxide layer and the gate control electrode are led into the vicinity of the PN junction. 309847/0833309847/0833 LeerseiteBlank page
DE19732322490 1972-05-08 1973-05-04 Integrated semiconductor circuit with at least one semiconductor component provided with an insulated control electrode Expired DE2322490C3 (en)

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