DE2318431A1 - MODULAR STATIC WORKING MEMORY - Google Patents
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Description
Modular aufgebauter statischer Arbeitsspeicher Ein statischer Arbeitsspeicher dient der Aufbewahrung großer Datenmengen, von denen Teilmengen (Speicherworte) auf Anforderung zu einem beliebigen Zeitpunkt mit jeweils gleicher Zugriffszeit an die Verarbeitungseinheiten eines Datenverarbeitungssystems abgegeben werden. Dabei lassen sich die in der modernen Speichertechnik gestellten Forderungen auf folgende technische Zielsetzungen festlegen: a) hohe Arbeitsgeschwindigkeit (kurze Zugriffszeit, kurze Zykluszeit) b) große Kapazität (große Zahl von gespeicherten Worten) c) Kompatibilität mit integrierten Schaltkreisen d) niedriger Preis. Modular static work memory A static work memory is used to store large amounts of data, of which subsets (memory words) on request at any time with the same access time are delivered to the processing units of a data processing system. The demands made in modern storage technology can be found here set the following technical objectives: a) high working speed (short Access time, short cycle time) b) large capacity (large number of stored Words) c) Compatibility with integrated circuits d) Low price.
Ein wesentliches Kriterium für die Beurteilung eines Speichers sind neben seiner Organisationsform, die von der Kapazität und der Länge der Speicherwotte abhängt, die zur Ansteuerung der Speicherelemente erforderlichen Leitungen, insbesondere deren geometrische Längen. Diese sollten möglichst kurz und konstant, also unabhängig von der geometrischen Lage der einzelnen Speicherelemente sein, Während im allgemeinen bei der Speicherentwicklung das nahezu ausschließliche Augenmerk auf die durch Manipulation der reinen schaltungstechnischen, also .elektrischen Komponenten erreichbaren Verbesserungen gerichtet ist, betrifft die vorliegende Erfindung einen Speicher, der durch seine Aufbautechnik den eingangs genannten Zielsetzüngen in hervorragender Weise gerecht wird.An essential criterion for the assessment of a memory are in addition to its organizational form, that of the capacity and length of the storage pool depends on the lines required to control the memory elements, in particular whose geometric lengths. These should be as short and constant as possible, i.e. independent be on the geometric position of the individual storage elements, while in general In memory development, the almost exclusive focus on those caused by manipulation the purely circuit-related, i.e. electrical components, achievable improvements is directed, the present invention relates to a memory that by its Construction technology does justice to the objectives mentioned above in an excellent way will.
Der erfindungsgemäß aufgebaute Speicher ist dadurch gekennzeichnet, daß ein mindestens aus einer Trägerplatte und zwei die Speicherelemente enthaltende, identisch aufgebauten Speicherebenen bestehender Speicherblock vorgesehen ist, und daß mit den Speicherebenen jeweils in symmetrischer Reihenfolge paarweise identische einzelne Schaltungsplatten und/oder aus mehreren Schaltungsplatten zusammengefügte Baugruppen fest oder lösbar verbunden sind, so daß der Speicherblock bezüglich der von der Trägerplatte repräsentierten Symmetrieebene digonale Symmetrie aufweist.The memory constructed according to the invention is characterized in that that at least one of a carrier plate and two containing the storage elements, Identically structured memory levels existing memory block is provided, and that identical pairs with the storage levels in symmetrical order individual circuit boards and / or assembled from several circuit boards Assemblies are permanently or detachably connected, so that the memory block with respect to the the plane of symmetry represented by the support plate has digonal symmetry.
Die weiteren Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.The further features of the invention emerge from the subclaims.
Der solchermaßen in Sandwich-Bauweise aufgebaute Speicher hat gegenüber den in bekannter Einschub- oder Magazintechnik ausgeführten Speicheranordnungen den Vorteil, daß infolge der mehrseitigen Verbindbarkeit der einzelnen Schaltungsplatten mit den Speicherebenen und untereinander optimal kurze Leitungswege realisierbar sind.The accumulator built in this way in sandwich construction has on the other hand the memory arrangements made in the known slide-in or magazine technology the advantage that due to the multi-sided connectivity of the individual circuit boards Optimally short cable paths can be implemented with the storage levels and among each other are.
Des weiteren bietet der in erfindungsgemäßer Weise aufgebaute Speicher die Möglichkeit, ein evtl. defektes Speicherelement in einfacher und sicherer Weise zu identifizieren.Furthermore, the memory constructed in the manner according to the invention offers the possibility of a possibly defective storage element in a simple and safe way to identify.
Der symmetrische Aufbau aus jeweils paarweise identischen Einheiten erlaubt in Gemeinsamkeit mit der speziellen Aufbautechnik einen bezüglich der Raumachse um 180 Grad gedrehten Einsatz des zentralen Speicherblocks (digonale Symmetrie), wobei aus der Wanderung eines gegebenenfalls vorhandenen Defekts dessen Lage zu ermitteln ist. Andererseits kann aus einem bei Drehung nicht mitwandernden Fehler der Schluß gezogen werden, daß ein Defekt in der Ansteuerelektronik vorliegt.The symmetrical structure of units that are identical in pairs In common with the special construction technology, it allows one with regard to the spatial axis insert of the central memory block rotated by 180 degrees (digital symmetry), where from the migration of a possibly existing defect its location determine is. On the other hand, an error that does not move with rotation can result the conclusion can be drawn that there is a defect in the control electronics.
Die Erfindung wird im folgenden unter Zugrundelegung der Zeichnungen näher erläutert.The invention is described below on the basis of the drawings explained in more detail.
Fig. 1 zeigt die-Aufbauübersicht eines in 2 1/2 D Organisationsform gemäß der Erfindung aufgebauten Kernspeichers; Fig. 2 zeigt schematisch Frontansicht, Draufsicht und Schnitt eines in einen Rahmen einzusetzenden Speichereinsatzes mit den zugehörigen Verdrahtungs einheiten. Fig. 1 shows the structure overview of a 2 1/2 D organizational form core memory constructed according to the invention; Fig. 2 shows schematically Front view, top view and section of a storage insert to be inserted into a frame with the associated wiring units.
In Fig. 1 ist die Explosionszeichnung eines in erfindungs.gemäßer Aufbautechnik zusammenzufügenden 2 1/2 D-Kernspeichers dargestellt Die Symmetrieebene bzw. der zentrale Mittelpunkt ist eine trägerplatte 1, die vörzugsweise als Metallplatte ausgeführt ist und so gestaltet werden kann, daß sie durch Wahl entsprechender Plattenstärke und entsprechend vieler Befestigungspunkte den Speicher gegen Erschütterungen weitgehend unempfindlich macht.In Fig. 1 is the exploded view of a in erfindungs.gemer Structure of the 2 1/2 D core memory to be joined is shown The plane of symmetry or the central point is a carrier plate 1, which is preferably made as a metal plate is designed and can be designed so that it can be selected by choosing the appropriate plate thickness and correspondingly many fastening points largely protect the memory against vibrations makes insensitive.
Der in Fig. i dargestellte Speicher habe eine Speicher kapazität von beispielsweise 16 k Worten zu je 36 Bits.The memory shown in Fig. I have a storage capacity of for example 16 k words of 36 bits each.
Entsprechend der speziellen Aüfbautechnik ist jeweils ein flalbwort von 18 Bit Länge auf einer der zu beiden Seiten mit der Trägerplatte verbundenen Speicherebenen 21, 22 abgespeichert. Diese Speicherebenen sind identisch aufgebaut und enthalten die matrixförmig angeordneten Ringkerne* In den in Fig 1 dårgestelltén Speicherebenen 21; 22 sind die in vertikaler Richtung verlaufenden Worttreiberleitungen W und die in horizontaler Richtung verlaufenden Bit schleifen B angedeutet.According to the special construction technique, there is a catchphrase in each case 18-bit long on one of the sides connected to the carrier plate Storage levels 21, 22 stored. These storage levels are structured identically and contain the toroidal cores arranged in the form of a matrix * In the shown in FIG Memory levels 21; 22 are the word driver lines running in the vertical direction W and the bit loop B running in the horizontal direction are indicated.
Entsprechend der Kapazität des als Beispiel gewählten Speichers weist jede Speicherebene 18 aus jeweils 16 Bitschleifen B bestehende Bitfelder auf, die zur Hälfte nach rechts und zur andern Hälfte nach links offen sind und jeweils von da angesteuert werden. Jede Bitschleife B durchsetzt insgesamt 1024 Ringkerne. Entsprechend dieser Anordnung wird bei Ansteuerung jeweils einer Bitschleife B in jedem und Bitfeld/gleichzeitiger Ansteuerung einer Worttreiberleitung W ein Speicherhalbwort je Speicherebene adressiert.According to the capacity of the memory chosen as an example each memory level 18 of 16 bit loops B each consisting of bit fields, the half to the right and the other half to the left are open and each from there are controlled. Each bit loop B passes through a total of 1024 toroidal cores. Corresponding With this arrangement, a bit loop B is activated in each and bit field / simultaneous Control of a word driver line W addresses one memory half-word per memory plane.
Während die Bit schleifen B jeweils spezifisch für eine Speicherebene 21, 22 sind, sind die Worttreiberleitungen W beiden Speicherebenen 21, 22 gemeinsam. Somit wird jeweils bei Ansteuerung einer Worttreiberleitung W ein aus den beiden lIalbworten der Speicherebenen 21, 22 zusammengesetztes Ganzwort ausgelesen.While the bit loops B each specific for a memory level 21, 22, the word driver lines W are common to both memory planes 21, 22. Thus, each time a word driver line W is driven, one of the two becomes one Ialwords of the memory levels 21, 22 composed whole word read out.
Der symmetrische Aufbau bzw. der Zusammenbau der Speicherebenen 21, 22 mit der Trägerplatte 1 ist so, daß die Speicherebenen exakt identisch sind und mit der Trägerplatte so verbunden sind, daß der aus dieser und den Speicherplatten zusammengesetzte Block bezüglich einer senkrecht zur Unterkante der Trägerplatte 1 in deren Ebene liegenden Drehachse (Raumachse) digonale Symmetrie aufweist. Der Speicherblock ist also jeweils um 180 Grad gedreht im Rahmen des Gesamtaufbaus einsetzbar.The symmetrical structure or the assembly of the storage levels 21, 22 with the carrier plate 1 is such that the storage levels are exactly identical and are connected to the carrier plate that the from this and the storage disks composite block with respect to a perpendicular to the lower edge of the carrier plate 1 in the plane of rotation axis (spatial axis) has digonal symmetry. Of the The memory block can therefore be used rotated by 180 degrees as part of the overall structure.
Die Worttreiberleitungen W werden jeweils über Auswahldioden D angesteuert. Diese sind dem mätrixförmigen Aufbau der Speicherebenen 21, 22 entsprechend auf Diodenschaltungs platten 31, 32 angeordnet. Dabei ist der eine Anschluß einer Worttreiberleitung W mit dem Anodenanschluß einer ersten Diode (z.B. D1) und dem Kathodenanschluß einer zweiten Diode (z.B. D2) verbunden. Dadurch ist entweder - je nachdem, ob es sich um das Einschreiben oder das Auslesen einer Information handelt - die eine oder andere Diode leitend. Die anderen Enden der Worttreiberleitungen sind zu Gruppen von jeweils acht zusammengefaßt. Die Diodenschaltungsplatten 1, 32 sind ebenfalls identisch aufgebaut bzw. in bevorzugter Ausführungsform als identische integrierte Schaltungsplatten ausgeführt. Somit ergibt sich durch Verbinden der Diodenschaltungsplatten 31, 32 mit den Speicherebenen 21, 22 und damit mit der Trägerplatte 1 eine im weiteren als zentraler Speicherblock bezeichnete Einheit, für die infolge der Identität der Diodenschaltungsplatten 31, 32 ebenfalls digonale Symmetrie besteht.The word driver lines W are controlled via selection diodes D in each case. These are based on the matrix-shaped structure of the storage levels 21, 22 Diode circuit plates 31, 32 arranged. One connection is a word driver line W with the anode connection of a first diode (e.g. D1) and the cathode connection of a second diode (e.g. D2) connected. This is either - depending on whether it is it is about writing in or reading out information - one or the other other diode conducting. The other ends of the word driver lines are in groups summarized by eight each. The diode circuit boards 1, 32 are also constructed identically or, in a preferred embodiment, as identical integrated ones Circuit boards executed. Thus, by connecting the diode circuit boards 31, 32 with the storage levels 21, 22 and thus with the carrier plate 1 one below unit designated as the central memory block for which, as a result of the identity of the Diode circuit boards 31, 32 also have digital symmetry.
Zwecks Realisierung kurzer Leitungswege weisen die Diodenschaltungsplatten 31, 32 jeweils mittig angeordnete, von der Trägerplatte 1 weg gerichtete Verbindungsstecker 33, 34 auf, über die die Verbindungen zwischen den entsprechend der Decodierung zu Gruppen zusamrnengefaßteii Worttreiberleittlnen W bzw. Diodenanschlüssen und der Ansteuerelektronik herstelL bar sind.The diode circuit boards 31, 32 each centrally arranged connector facing away from the carrier plate 1 33, 34 over which the connections between the corresponding to the decoding Word driver lines W or diode connections and the control electronics are manufacturable.
Durch diese, durch die erfindungsgemäße Aufbautechnik ermöglichte zentral angeordnete Steckverbindung läßt sich eine wesentliche Leitungsverkürzung erreichen. Die Verbindung zwischen den Diodenschaltungsplatten und Worttreiberschaltungsplatten muß nicht, wie bei der Magazintechnik üblich, über die Außenkanten der Schaltungsplatten vollzogen werden, sondern ist durch zur Mitte der Schaltungsplatten hin gerichtete Leitungsführung über die Verbindungsstecker 33, 34 vollziehbar.This made possible by the construction technology according to the invention Centrally arranged plug connection can be a significant shortening of the line reach. The connection between the diode circuit boards and word driver circuit boards does not have to go over the outer edges of the circuit boards, as is usual with magazine technology but is directed towards the center of the circuit boards Line routing via the connecting plugs 33, 34 can be carried out.
Entsprechend der erfindungsgemäßen Aufbautechnik sind die mit dem zentralen Speicherblock in Sandwichbauweise zu verbindenden Schaltungsplatten sämtlich zu beiden Seiten des zentralen Speicherblocks in symmetrischer Reihenfolge vorgesehen. Gemäß der Darstellung in Fig. 1 ist die den Diodenschaltungsplatten 31, 32 benachbarte Schaltungsplatte je eine Worttreiberschaltungsplatte 41, 42.According to the construction technology according to the invention are those with the central memory block in sandwich construction to be connected circuit boards all provided on both sides of the central memory block in symmetrical order. As shown in Fig. 1, the diode circuit boards 31,32 are adjacent Circuit board one word driver circuit board 41, 42 each.
Diese Worttreiberschaltungsplatten weisen die den Verbindungs steckern 33, 34 der Diodenschaltungsplatten 31, 32 entsprechenden Gegenstecker 43, 44 auf und sind für die Auswahl der anzusteuernden Worttreiberleitungen W verantwortlich Die Worttreiberschaltungsplatten 41, 42 sind identisch und können somit wahlweise mit der einen oder der anderen Diodenschaltungsplatte 31, 32 über den Verbindungsstecker 33, 34 zu einer Einheit zusammengefügt werden. Für diese um die Worttreiberschaltungsplatten 41, 42 erweiterte Einheit gilt ebenfalls die digonale Symmetrie.These word driver circuit boards have the connector plugs 33, 34 of the diode circuit boards 31, 32 have corresponding mating connectors 43, 44 and are responsible for the selection of the word driver lines W to be controlled The word driver circuit boards 41, 42 are identical and thus can be optionally with one or the other diode circuit board 31, 32 via the connector 33, 34 can be joined together to form a unit. For those around the Word driver circuit boards 41, 42 expanded unit also applies the digital Symmetry.
Den Worttreiberschaltungsplatten 41, 42 benachbart sind jeweils zwei Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62 angeordnet, die sowohl die Ansteuerleitungen für die Bitschleifen B der Speicherebenen 21, 22,als auch die beim Auslesen von Informationen notwendigen Leseverstärker aufweisen.Adjacent to the word driver circuit boards 41, 42 are each two Bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62 are arranged, both of the drive lines for the bit loops B of the memory levels 21, 22, as well as when reading out Have information necessary sense amplifier.
Die Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62 sind ebenfalls identisch, so daß jederzeit von der einen Seite zur anderen Seite gewechselt werden kann.The bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62 are also identical, so that you can switch from one side to the other at any time.
Bezüglich eines aus den erwähnten Schaltungsplatten nach Sandwichart zusammengesetzten Speichereinsatzes gilt infolge der wechselseitigen Verbindung der Schaltungsplatten die digonale Symmetrie, jedoch nur bis einschließlich der Worttreiberschaltungsplatten.Regarding one of the aforementioned sandwich type circuit boards Combined storage use applies as a result of the mutual connection of the circuit boards the digital symmetry, but only up to and including the Word driver circuit boards.
Dadurch, daß der komplette Speichereinsatz in einen Rahmen einzusetzen ist und die Schaltungsplatten zugänglich sein sollen, hat sich eine Dreiteilung eines kompletten Speichereinsatzes als vorteilhaft erwiesen. Der zentrale Teil entspricht dem aus Trägerplatte 1, Speicherebenen 21, 22 und Diodenschaltungsplatten 31, 32 zusammengesetzten zentralen Speicherblock. Der zweite und dritte Teil sind aus Worttreiberschaltungsplatten 41, 42 und Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62 zusammengefügte Baugruppen.The fact that the entire memory insert can be used in a frame is and the circuit boards should be accessible, has been divided into three a complete use of the storage tank has proven to be advantageous. The central part corresponds that of carrier plate 1, storage levels 21, 22 and diode circuit boards 31, 32 composite central Memory block. The second and third Part are made up of word driver circuit boards 41, 42 and bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62 assembled assemblies.
Diese Baugruppen sind als Montageeinheiten zu betrachten, die über jeweils nur eine speziell ausgebildete Schraube und spezielle Führungselemente mit dem zentralen Speicherblock verbunden sind. Damit läßt sich der komplette Speichereinsatz jederzeit durch Lösen der Schraube in seine drei Einheiten zerlegen.These assemblies are to be regarded as assembly units that have each with only one specially designed screw and special guide elements are connected to the central storage block. This means that the entire memory can be used disassemble into its three units at any time by loosening the screw.
Zum Zwecke von Funktionsprüfungen ist es notwendig, möglichst ohne Betriebsunterbrechung Zugang zu den einzelnen Schaltungsplatten zu haben. Dieser Forderung wird dadurch Rechnung getragen, daß die Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62 untereinander und von der jeweiligen Worttreiberschaltungs platte 41, 42 durch Lösen von Verriegelungselementen abtrennbar sind. Entsprechend der speziellen Ausführungsform sind die Bittreiberschaltungen 51, 52, 61, 62 um je eine Kante jeweils gegensinnig ausschwenkbar.For the purpose of functional tests it is necessary, if possible without To have access to the individual circuit boards during business interruption. This Requirement is taken into account that the bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62 among each other and from the respective word driver circuit board 41, 42 can be separated by releasing locking elements. According to the special Embodiment are the bit driver circuits 51, 52, 61, 62 each around one edge can be swiveled out in opposite directions.
Die Realisierung der beidseitigen Schwenkmöglichkeit der jeweils zwei Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62 wird dadurch ermöglicht, daß die elektrischen Verbindungen über flexible Verdrahtungseinheiten (71, 72 in Fig. 2) vollzogen werden, die den Leitungsausgängen der Schaltungsplatten und den notwendigen Verbindungen zwischen den Schaltungsplatten entsprechend mit Verbindungssteckern und den entsprechenden Anschlüssen versehen sind.The realization of the two-sided pivoting possibility of the two Bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62 are made possible by the fact that the electrical Connections are made via flexible wiring units (71, 72 in Fig. 2), the line outlets of the circuit boards and the necessary connections between the circuit boards accordingly with connecting plugs and the corresponding connections are provided.
Zu diesem Zweck weisen auch die Schaltungsplatten jeweils seitlich die notwendigen Verbindungsstecker St auf. Ist ein kompletter Speichereinsatz im entsprechenden Rahmen eingesetzt, so befinden sich auf jeweils einer Seite Verdrahtungsein heiten (71 bzw. 72 in Fig. 2), die durch Bewegung zur Mitte hin den Speichereinsatz zum funktionsfähigen Speicher komplettieren.For this purpose, the circuit boards each point laterally the necessary connecting plug St. Is a complete memory insert in the If the corresponding frame is used, there are wiring connections on each side units (71 or 72 in Fig. 2), which by moving towards the center, the storage insert complete to a functional memory.
Die Bittreiberschaltungsplatten sind bezüglich des beidseitigen Aufbaus ~des Speichereinsatzes spiegelsymmetrisch angebracht.The bit driver circuit boards are in terms of double-sided construction ~ of the storage insert mounted mirror-symmetrically.
Infolge dieses Übergangs von digonaler auf Spiegelsymmetrie sind die beidseitigen Verdrahtungseinheiten (71, 72) mechanisch nicht identisch; elektrisch sind sie jedoch identisch.As a result of this transition from digital to mirror symmetry, the Wiring units (71, 72) on both sides are not mechanically identical; electric however, they are identical.
Zur Realisierung der Ausschwenkbarkeit der Bittreiberschaltungen (51, 52, 61, 62) sind die Verbindungen zwischen den Steckern der Bittreiberschaltungen und denen der Speicherplatten mittels flexibler gedruckter Schaltungen ausgeführt.To realize that the bit driver circuits (51, 52, 61, 62) are the connections between the plugs of the bit driver circuits and those of the storage disks carried out by means of flexible printed circuits.
Denkt man sich die in Fig. 1 dargestellten einzelnen Schaltungsplatten zu einem kompletten Speichereinsatz verschraubt und und verriegelt, so befinden sich die Verdrahtungseinheiten jeweils gegenüber den die Verbindungsstecker tragenden Längskanten der Schaltungsplatten. Die Verdrahtungseinheiten sind relativ zu den Schaltungsplatten so gelagert, daß alle Steckverbindungen durch eine einzige Querbewegung herstellbar sind.If one thinks of the individual circuit boards shown in FIG screwed to a complete storage insert and and locked, the wiring units are each located opposite the connector supporting longitudinal edges of the circuit boards. The wiring units are relative to the circuit boards stored so that all connectors through a single Transverse movement can be produced.
Über die Verdrahtungseinheiten (71, 72 in Fig. 2) werden auch die externen Versorgungs- und Ansteuerleitungen an den Speicher gelegt.The wiring units (71, 72 in FIG. 2) are also used for the external supply and control lines to the memory.
Um ein für alle Versorgungs-und Arbeitspotentiale gemeinsames Bezugspotential zu haben, ist die zentrale Trägerplatte 1 mit Massepotential M verbunden. Die speziell ausgebildeten Verbindungsschrauben sind sämtlich so ausgeführt, daß sie bis zur Trägerplatte 1 reichen und die Schaltungsplatten mit dem Massepotential M verbinden. Auf diese Weise ist gewährleistet, daß alle Schaltungsplatten exakt mit dem gleichen Massepotential verbunden sind.A common reference potential for all supply and work potentials to have, the central support plate 1 is connected to ground potential M. The special trained connecting screws are all designed so that they are up to Reach carrier plate 1 and connect the circuit boards to the ground potential M. This ensures that all circuit boards are exactly the same Ground potential are connected.
In Fig. 2 ist in Vorderansicht, Aufsicht und Schnittdarstellung schematisch ein kompletter Speichereinsatz mit den zugehörigen Verdrahtungseinheiten 71, 72 dargestellt.In Fig. 2 is a front view, plan view and sectional view schematically a complete memory insert with the associated wiring units 71, 72 shown.
Die auf dem Zeichnungsblatt oben dargestellte Vorderansicht soll die Zuordnung der Verdrahtungseinheiten 71, 72 und des Speicherblocks anschaulich machen. Der mittig in der Vorderansicht dargestellte Speicherblock sei in einem Rahmen eingebaut. Zu beiden Seiten ist je eine Verdrahtungseinheit 71, 72 dargestellt,. die,wie durch die Pfeilrichtung angedeutet, zum Speicherblock hin beweglich sind. Auf diese Weise kann in einem-Bewegungsvorgang die komplette interne und externe Verdrahtung des erfindungsgemäß aufgebauten Speichers gesteckt werden.The front view shown on the drawing sheet above is intended to reflect the Make the assignment of the wiring units 71, 72 and the memory block clear. The one in the middle of the Memory block shown in the front view built into a frame. On each side there is a wiring unit 71, 72 shown. which, as indicated by the direction of the arrow, towards the memory block are movable. In this way, the complete internal and external wiring of the memory constructed according to the invention can be plugged in.
In der Aufsicht und in der Schnittzeichnung ist der sandwichartig aufgebaute Speicher dargestellt. Die Mitte besteht aus der Trägerplatte i, die die Symmetrieebene des Speichers darstellt.In the top view and in the sectional drawing, it is sandwich-like built-up memory is shown. The middle consists of the carrier plate i, which the Represents the plane of symmetry of the memory.
Durch die an der Schnittzeichnung angebrachten geschweiften Klammern sind die gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel zu Baugruppen a, b, c (Montageeinheiten) zusammengefügten Speicherebenen bzw. Schaltungsplatten angedeutet.Through the curly brackets attached to the sectional drawing are the according to the preferred embodiment for assemblies a, b, c (assembly units) Merged memory levels or circuit boards indicated.
Aufgrund der bezüglich der Trägerplatte 1 geltenden digonalen Symmetrie kann die Montageeinheit a jeweils um 180 Grad gedreht relativ zu den Montageeinheiten b und c eingesetzt werden. Zu diesem Zweck weist die Montageeinheit a Je eine seitlich angebrachte Führungsschiene-auf, die dieses Umsetzen bzw. Auswechseln in einfacher Weise erlaubt.Due to the digonal symmetry that applies to the carrier plate 1 the mounting unit a can be rotated by 180 degrees relative to the mounting units b and c are used. For this purpose, the assembly unit a has one on each side attached guide rail-on, which this relocating or replacing in easier Way allowed.
Die Montageeinheiten b und c bestehen jeweils aus den über die mittig angeordneten Stecker 33, 34, 43, 44 mit dem zentralen Speicherblock verbundenen Worttreiberschaltungsplatten 41, 42 und den über die Verdrahtungseinheiten 71, 72 mittels flexibler Schaltungen 81, 82 mit den Speicherebenen 21, 22 verbundenen Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62. Die flexiblen Schaltungen 81, 82 sind nur schematisch dargestellt. Es lassen sich jedoch in einfacher Weise die bezüglich der Trägerplatte 1 als Symmetrieebene geltenden Symmetrieverhältnisse erkennen. Bedingt durch einen möglichst zentrischen Aufbau der Verdrahtungsfelder sind die Bittreiberschaltungsplatten spiegelsymmetrisch zur Trägerplatte 1 angeordnet. Durch gestrichelte Linien ist jeweils angedeutet, in welcher Richtung die Bittreiberschaltungsplatten 51, 52, 61, 62 aus dem Rahmen schwenkbar sind.The assembly units b and c each consist of the over the center arranged connector 33, 34, 43, 44 with the central memory block connected word driver circuit boards 41, 42 and those through the wiring units 71, 72 connected to the memory planes 21, 22 by means of flexible circuits 81, 82 Bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62. The flexible circuits 81, 82 are only shown schematically. However, it can be in a simple manner with respect to recognize the carrier plate 1 as a plane of symmetry applicable symmetry relationships. Due to the centric structure of the wiring fields, the Bit driver circuit boards arranged mirror-symmetrically to the carrier plate 1. By Dashed lines indicate in which direction the bit driver circuit boards 51, 52, 61, 62 can be pivoted out of the frame.
Aus der Führung der flexiblen Schaltungen 8t, 82 läßt sich ebenfalls leicht ersehen, inwiefern mittels der erfindungsgemäßen Aufbautechnik Leitungswege eingespart werden. Dadurch, daß beide Kanten der Speicherebenen direkt mit den Bittreiberschaltungsplatten verbunden sind, erspart man sich eine der Schaltungsplattenbreite entsprechende, bei der Magazinaufbau technik notwendige Leitungslänge, wodurch letztlich höhere Arbeitsgeschwindigkeiten möglich sind.From the leadership of the flexible circuits 8t, 82 can also It is easy to see to what extent conduction paths are made by means of the construction technology according to the invention can be saved. By having both edges of the memory tiers directly connected to the bit driver circuit boards are connected, one saves one of the board width corresponding, The cable length required for the magazine assembly technology, which ultimately results in a higher cable length Working speeds are possible.
Zusammenfassend läßt sich sagen, daß die erfindungsgemäße Aufbautechnik optimale Eigenschaften hinsichtlich der Leitungslängen und der Zugänglichkeit im Falle von notwendigen Prüf- und Wartungsarbeiten ermöglicht. Ein wesentlicher Vorzug gegenüber in Magazintechnik aufgebauten Speichern besteht darin, daß durch einen um 180 Grad gedrehten Einsatz des zentralen Speicherblocks eine einfache Möglichkeit gegeben ist, eventuell defekte Speicherelemente und Fehler in der Ansteuerung zu lokalisieren.In summary it can be said that the construction technique according to the invention optimal properties in terms of Cable lengths and the Enables accessibility in the event of necessary testing and maintenance work. A A major advantage over memories constructed using magazine technology is that that by a 180 degree rotated insert of the central memory block a simple possibility is given, possibly defective memory elements and errors to be localized in the control.
Dabei spielt es keine Rolle, in welcher Organisationsform und mit welcher Art von Speicherelementen der entsprechende Speicher aufgebaut ist.It does not matter in which form of organization and with which type of storage elements the corresponding storage facility is constructed.
Claims (10)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19732318431 DE2318431C3 (en) | 1973-04-12 | 1973-04-12 | Electronic device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2318431A1 true DE2318431A1 (en) | 1974-10-31 |
| DE2318431B2 DE2318431B2 (en) | 1978-08-24 |
| DE2318431C3 DE2318431C3 (en) | 1979-04-19 |
Family
ID=5877841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732318431 Expired DE2318431C3 (en) | 1973-04-12 | 1973-04-12 | Electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2318431C3 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3717691A1 (en) * | 1987-05-26 | 1988-12-08 | Helmut Pfletschinger | Wiring system for electrical and/or electronic controllers |
-
1973
- 1973-04-12 DE DE19732318431 patent/DE2318431C3/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2318431C3 (en) | 1979-04-19 |
| DE2318431B2 (en) | 1978-08-24 |
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Legal Events
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| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |