DE2253685A1 - DEVICE FOR ELECTRIC EXPOSURE CONTROL FOR A SINGLE-EYED MIRROR REFLEX CAMERA - Google Patents

DEVICE FOR ELECTRIC EXPOSURE CONTROL FOR A SINGLE-EYED MIRROR REFLEX CAMERA

Info

Publication number
DE2253685A1
DE2253685A1 DE2253685A DE2253685A DE2253685A1 DE 2253685 A1 DE2253685 A1 DE 2253685A1 DE 2253685 A DE2253685 A DE 2253685A DE 2253685 A DE2253685 A DE 2253685A DE 2253685 A1 DE2253685 A1 DE 2253685A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
transistor
voltage
resistor
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2253685A
Other languages
German (de)
Inventor
Yasuhiro Nanba
Masayoshi Sahara
Kotaro Yata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minolta Co Ltd filed Critical Minolta Co Ltd
Publication of DE2253685A1 publication Critical patent/DE2253685A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B7/00Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
    • G03B7/08Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
    • G03B7/081Analogue circuits
    • G03B7/083Analogue circuits for control of exposure time

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Control For Cameras (AREA)

Description

Minolta Camera Kabushiki KaishaMinolta Camera Kabushiki Kaisha

Toyota Building 18, 4-chome, ShiomachidoriToyota Building 18, 4-chome, Shiomachidori

Minami-ku* Osaka Ü Japan )Minami-ku * Osaka Ü Japan)

Vorrichtung zur elektrischen Belichtungssteuerung für eine einäugige SpiegelreflexkameraDevice for electrical exposure control for a single-lens reflex camera

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur elektrischen Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera und insbesondere auf eine Vorrichtung zur elektrischen Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera, bei der das durch das Objektiv einfallende Szenenlicht durch lichtempfangende Elemente aufgenommen wird, um einen Helligkeitswert eines zu photographierenden Objekts zu speichern und bei der die Belichtung entsprechend dem gespeicherten Helligkei.tswert und durch eine entsprechend den Werten der Helligkeit des zu photographierenden Objekts, der Filmgeschwindigkeit und der Blendenöffnung manuell eingestellte Verschlußgeschwindigkeit gesteuert wird.The invention relates to a device for electrical Exposure control for a single-lens reflex camera and in particular a device for electric exposure control for a one-eyed Single-lens reflex camera in which the scene light entering through the lens is transmitted through light-receiving elements is recorded to store a brightness value of an object to be photographed and at which the Exposure according to the stored brightness value and by one corresponding to the values of the brightness of the object to be photographed, the film speed and the shutter speed set manually is controlled by the aperture.

In der einäugigen Spiegelreflexkamera ist es grundsätzlichIn the single-lens reflex camera, it is basically

bekannt, daß, wenn die Belichtung durch Messen des durch das Objektiv einfallenden Lichts gesteuert wird, die Axiylösebetätigung bewirkt, daß die Kamera aus dem Sucherzustand in den Belichtungszustand gebracht wird und der Reflexspiegel aus der Sucherstellung in die Belichtungsstellung bewegt wird. Bevor man die Blendenöffnung eine vorgegebene Öffnung einnehmen läßt, wird die Helligkeit des zu photographierenden Objekts durch einen Ermittlungsstromkreis als eine Spannung ermittelt; die ermittelte Spannung wird in den Speichermitteln gespeichert. Der Zeitstromkreis (Zeitglied) wird durch die gespeicherte Spannung gleichzeitig mit Beginn der Belichtung betätigt, und wenn der Niveau-Ermittlungs-Stromkreis feststellt, daß das Niveau der Spannung des Zeitstromkreises einen vorbestimmten Wert erreicht hat, wird der Betätigungsstromkreis für die Beendigung der Belichtung betätigt.It is known that when the exposure is controlled by measuring the incident light through the lens, the axial release operation causes the camera to move from the viewfinder to the exposure condition and to move the reflex mirror from the viewfinder to the exposure position. Before you let the aperture take a predetermined opening, the brightness of the an object to be photographed is detected as a voltage by a detection circuit; which determined Voltage is stored in the storage means. The time circuit (timer) is saved by the Voltage actuated simultaneously with the beginning of the exposure, and when the level detection circuit determines that the level of the voltage of the timing circuit has reached a predetermined value, the actuation circuit is actuated to terminate the exposure.

Es ist ebenfalls bekannt, daß der Helligkeitswert des zu photographierenden Objekts, der durch den Ermittlungsstromkreis festgestellt wird, in einen logarithmischen Wert komprimiert bzw. gestaucht wird; die logarithmisch komprimierte Spannung wird in den Speichermitteln gespeichert und danach anti-logarithmisch in eine logarithmische Dehnung umgesetzt. Durch eine solche Anordnung kann die Kapazität des Kondensators der Speichermittel herabgesetzt und die Spannung der Energiequelle gesenkt werden.It is also known that the brightness value of the object to be photographed, which is detected by the detection circuit, is converted into a logarithmic Value is compressed or compressed; the logarithmically compressed tension is stored in the storage means and then converted anti-logarithmically into a logarithmic expansion. By such an arrangement can be the capacity of the capacitor of the storage means and the voltage of the power source can be lowered.

Es ist jedoch offensichtlich, daß durch diese Vorgänge vonHowever, it is evident that by these operations of

- 3 -309820/0673- 3 -309820/0673

der logarithmischen Kompression zur anti-logarithmischen Umsetzung in die logarithmische Dehnung schon ein kleiner in die logarithmisch komprimierte, gespeicherte Spannung eingeführter Fehler einen großen Fehler der Belichtungsdauer verursachen wurde, wenn sie logarithmisch gedehnt wird. Es ist ebenfalls ersichtlich, daß ein Fehler der zu steuernden Belichtungsdauer, der umgekehrt proportional der logarithmisch gedehnten Speieherspannung ist, groß wird, insbesondere wenn die Helligkeit des zu photographierenden Objekts groß ist, mit anderen Worten, wenn eine hohe Verschlußgeschwindigkeit eingestellt wird.the logarithmic compression for the anti-logarithmic conversion into the logarithmic expansion is already a small in the logarithmically compressed, stored voltage introduced a large error in exposure time caused when it is logarithmically stretched. It can also be seen that there is an error in the Exposure time, which is inversely proportional to the logarithmically expanded storage voltage, becomes long, especially when the brightness of the object to be photographed Object is large, in other words, when a high shutter speed is set.

Um den Fehler auf ein Minimum zu reduzieren, wurde als erstes in Auge gefaßt, Fehler, die auf Schwankungen der Spannung der Energiequellen beruhen, zu eliminieren. Zu diesem Zweck muß der logarithmische Verstärker durch den Ausgang des Stromkreises der Energiequelle betätigt werden.In order to keep the error to a minimum, the first thing was envisaged eliminating errors due to fluctuations in the voltage of the power sources. To this Purpose, the logarithmic amplifier must be operated by the output of the power source circuit.

Es werden viele P-N-Verbindungen wie Transistoren und Dioden im Generatorstromkreis für Konstantstrom, im logarithmischen Verstärker und im ZeitStromkreis verwendet. Die P-N-Verbindung hat bekanntermaßen eine Charakteristik, die sich mit der Temperatur ändert. Dementsprechend ist eine Überlegung zur Kompensation des durch Temperaturänderungen an den P-N-Verbindungen der jeweiligen Stromkreise verursachten Fehlers erforderlich·. Bei der tatsächlichen Anwendung der Belichtungssteuerung nach dem Speichersystem auf eine einäugige Spiegelreflexkamera werden außer einem.Helligkeite-There will be lots of P-N connections like transistors and diodes Used in the generator circuit for constant current, in the logarithmic amplifier and in the time circuit. The P-N connection is known to have a characteristic that changes with temperature. Accordingly, there is a consideration to compensate for the error caused by temperature changes at the P-N connections of the respective circuits necessary·. When actually applying the exposure control according to the storage system to a one-eyed SLR cameras are used except for one.

309820/06 7 3309820/06 7 3

wert des zu photographierenden Objekts Werte der Filmgeschwindigkeit und Blendenöffnung als Eingangsgrößen für den FhotographierYorgang benutzt. Wenn die Kamera sich im Sucherzustand befindet, wird die Blendenöffnung entsprechend der Helligkeit des Objektivs ganz offen gelassen, wie oben bereits gesagt wurde, und wird auf einen vorgegebenen Wert eingestellt, Dementsprechend ist der Wert der Blendenöffnung normalerweise ein vorgegebener Wert.value of the object to be photographed Values of the film speed and aperture as input variables for used the photography process. When the camera is in the viewfinder mode, the aperture will be adjusted accordingly the brightness of the lens is left completely open, as has already been said above, and is set to a predetermined value set, accordingly, the value of the diaphragm opening is usually a predetermined value.

Sowohl der Wert der Filmempfindlichkeit als auch der vorgegebene Wert der Blendenöffnung ändert sich digital in der Weise, daß der erstere ASA 25,50,100... und letzterer 1,4; 2; 2,8; 4 ist,und die Werte müssen als Eingangsgrößen dem logarithmischen Verstärker zugeführt werden.Both the value of the film speed and the specified value of the aperture change digitally in the Way that the former ASA 25,50,100 ... and the latter 1,4; 2; 2.8; 4 is, and the values must be used as input quantities are fed to the logarithmic amplifier.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine elektrische Belichtungseinstellvorrichtung für eine einäugige Spiegelreflexkamera zu schaffen, bei der in einem Speichersystem zur Steuerung der Belichtung, in dem ein ermittelter Helligkeitswert eines zu photographierenden Objekts logarithmisch komprimiert wird, dieser Wert vor der Belichtung in einem Speichermittel gespeichert wird und zum Zeitpunkt der Belichtung diese entsprechend dem gespeicherten Wert gesteuert wird und die Einführung eines Fehlers, der auf SpannungsSchwankungen der Energiequelle und einer Temperaturänderung beruht, verhindert wird.The object of the invention is to provide an electrical exposure adjustment device for a single-lens reflex camera to create, in the case of a memory system for controlling the exposure, in which a determined brightness value of a to be photographed object is logarithmically compressed, this value is stored in a memory means before the exposure and at the time of exposure this is controlled according to the stored value and the Introduction of a bug based on voltage fluctuations in the Energy source and a temperature change based, is prevented.

* wenn die Kamera in den Belichtungszustand gebracht wird.* when the camera is brought into exposure mode.

309820/0673309820/0673

Im Fall einer Kamera mit einem aus zwei Schirmen bestehenden Schlitzverschluß soll der Belichtungsfehler, der aus dem Überlappen der hinteren Kante des vörauslaufenden Schirms und der Führungskante des nachlaufenden Schirms, wenn der Verschluß gespannt ist, folgt', kompensiert werden.In the case of a camera with a focal plane shutter consisting of two screens, the exposure error that from the overlap of the rear edge of the leading screen and the leading edge of the trailing screen, when the shutter is cocked, follows', to be compensated.

In dem Belichtungssteuerstromkreis des Speichersystems soll ein Teil des Stromkreises aus einem monolithischen integrierten Stromkreis zwecks Miniaturisierung bestehen. Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die Ausgangsgröße der lichtempfindlichen Elemente durch einen logarithmischen Verstärker als eine dem Wert des Logarithmus der Helligkeit des Lichts proportionale Spannung feststellbar ist, dieses Potential in Speichermitteln speicherbar ist, der Zeitstromkreis zum Zeitpunkt der Belichtung durch den aus der gespeicherten Spannung anti-logarithmisch umgesetzten Strom betätigbar ist und ein Betätigungsstromkreis für die Beendigung der Belichtung vorhanden ist, daß zur Verhinderung von aus Spannungsschwankungen der Energiequelle herrührenden Stromschwankungen ein Generatorstromkreis für konstanten Strom vorgesehen ist, deren Spannung dem logarithmischen Verstärker .zugeführt wird, daß ein Stromkreis vorhanden ist, dem der im G-eneratorstromkreis für konstanten Strom erzeugte Strom zuführbar ist, in dem photoempfindliche Elemente und Widerstände enthalten sind und in dem eine Spannung proportional zu einem logarithmischen Wert der Beleuchtung der lichtempfindlichen FlächenIn the exposure control circuit of the storage system, part of the circuit is said to consist of a monolithic integrated circuit exist for the purpose of miniaturization. According to the invention, this is achieved in that the output variable of the photosensitive elements through a logarithmic amplifier as one of the value of the logarithm the voltage proportional to the brightness of the light can be determined, this potential can be stored in storage means is, the time circuit at the time of exposure by the anti-logarithmically converted from the stored voltage Current can be actuated and an actuation circuit for the termination of the exposure is provided that for Prevention of current fluctuations resulting from voltage fluctuations of the energy source a generator circuit for constant current is provided, the voltage of which is fed to the logarithmic amplifier that a circuit is available, to which the electricity generated in the G-enerator circuit for constant electricity can be fed, in which Photosensitive elements and resistors are included and in which a voltage is proportional to a logarithmic Value of the illumination of the light-sensitive areas

- 6 309820/0673 - 6 309820/0673

erzeugbar ist, daß ein zu dem an zweiter Stelle erwähnten Stromkreis in Reihe geschalteter logarithmischer Verstärker vorgesehen ist, der einen vom eingestellten Wert der Filmgeschwindigkeit und der Blendenöffnung abhängige Vorspannung erzeugenden Stromkreis enthält, daß durch den logarithm!sehen Verstärker die durch den Ausgangsstrom des Generatorstromkreises für konstanten Strom erzeugte Spannung beider Stromkreise auswertbar und eine einem logarithmischen Wert der Belichtungsdauer proportionale Spannung erzeugbar ist, daß Speichermittel zur Speicherung . der Ausgangsspannung des logarithinischen Verstärkers durch einen Schalter vor der Belichtung vorgesehen sind, daß ein Zeitstromkreis vorhanden ist zur Erzeugung eines aus der Speicherspannung der Speichermittel anti-logarithmisch umgesetzten Stromes gleichzeitig mit der Belichtung und daß ein zur Beendigung der Belichtung durch den Zeitstromkreis betätigbarer Betätigungsstromkreis vorgesehen ist.it is possible to produce a logarithmic amplifier connected in series with the circuit mentioned in the second place is provided, the bias voltage dependent on the set value of the film speed and the aperture opening The generating circuit contains that through the logarithm! see the amplifier through the output current of the generator circuit for constant current generated voltage of both circuits can be evaluated and one one logarithmic value of the exposure time proportional voltage can be generated that storage means for storage . the output voltage of the logarithinic amplifier are provided by a switch before exposure that a Timing circuit is present to generate an anti-logarithmically converted from the storage voltage of the storage means Current simultaneously with the exposure and that one to terminate the exposure by the time circuit operable actuating circuit is provided.

In der erfindungsgemäßen Belichtungseinstellvorrichtung sind vorgesehenIn the exposure adjusting device of the present invention, there are provided

(A) eine Trockenzellenbatterie(A) a dry cell battery

(B) ein Generatorstromkreis für konstanten Strom, der enthält(B) A constant current generator circuit that contains

(a) einen Festwiderstand, der aus einem ersten Widerstand, dessen einer Anschluß an den positiven Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist, und aus dem mit dem ersten Widerstand in Reihe geschalteten zweiten Widerstand besteht,(a) a fixed resistor consisting of a first resistor, one of which is connected to the positive pole of the dry cell battery is connected, and consists of the second resistor connected in series with the first resistor,

- 7 309820/067 3- 7 309820/067 3

(b) einen ersten NPN-Transistor, dessen Kollektor an den äußeren Anschluß des zweiten Widerstandes, dessen Emitter an" den negativen Pol der Trockenzellenbatterie und dessen Basis an den Verbindungspunkt zwischen dem ersten und dem zweiten Widerstand des Festwiderstandes angeschlossen ist,(b) a first NPN transistor whose collector is connected to the outer connection of the second resistor, whose emitter to "the negative pole of the dry cell battery and its Base is connected to the connection point between the first and the second resistor of the fixed resistor,

(e) einen zweiten NPN-Transis.tor, dessen Basis an den Kollektor des ersten IPN-Transistors und dessen Emitter für die Erzeugung des zur absoluten Temperatur proportionalen Kollektorstromes über einen dritten Festwiderstand an den negativen Pol der Energiequelle angeschlossen ist,(e) a second NPN transistor whose base is connected to the Collector of the first IPN transistor and its emitter for the generation of the collector current proportional to the absolute temperature via a third fixed resistor to the negative pole of the energy source is connected,

(d) einen ersten TransistorStromkreis, der aus einem PNP-Transistor, dessen Emitter über einen Widerstand an den positiven Pol der Energiequelle angeschlossen ist, und aus dem dritten NPN-Transistor, dessen Basis an den Kollektor dieses ΡϊΙΡ-Transistors, dessen Kollektor an den Emitter dieses PNP-Transistors und dessen Emitter an den Kollektor des zweiten liPN-Transistors angeschlossen ist, besteht,(d) a first transistor circuit consisting of a PNP transistor, the emitter of which is connected to the positive pole of the energy source via a resistor, and from the third NPN transistor whose base to the collector this ΡϊΙΡ transistor whose collector to the emitter this PNP transistor and its emitter is connected to the collector of the second liPN transistor,

(e) einen zweiten Transistorstromkreis, der äquivalent dem ersten Transistorstromkreis angeschlossen ist und aus einem PHP-Transistor, dessen Basis an die Basis des PNP-Tranoistors im ersten TransistorStromkreis und dessen Emitter durch einen Widerstand an den positiven Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist und aus. einem NPN-Transistor bestellt, (e) a second transistor circuit equivalent to the The first transistor circuit is connected and consists of a PHP transistor whose base is connected to the base of the PNP Tranoistor in the first transistor circuit and its emitter connected through a resistor to the positive terminal of the dry cell battery and off. ordered an NPN transistor,

wobei jeder Transistor sowie jeder Widerstand einem mono-where each transistor and each resistor has a mono-

309820/0673309820/0673

lithischen, integrierten Stromkreis angehört,is a lithic, integrated circuit,

(C) außerdem ist vorgesehen ein logarithniischer Verstärker mit einem Stromkreis, der ein an den Emitter des NPN-Transistors des zweiten Transistorstromkreises angeschlossenes Photoelement besitzt und eine dem logarithmischen Wert der Beleuchtungsstärke an der lichtempfindlichen Fläche des Photoelements proportionale Ausgangsspannung aufweist,(C) A logarithmic amplifier is also provided with a circuit connected to the emitter of the NPN transistor of the second transistor circuit has connected photo element and one of the logarithmic value of the illuminance has a proportional output voltage on the photosensitive surface of the photo element,

(D) ein Speichermittel zur Speicherung der Ausgangsspannung dieses logarithmischen Verstärkers sowie(D) a storage means for storing the output voltage this logarithmic amplifier as well

(E) ein Zeitstromkreis, der den integrierten vierten NPN-Transistor enhält, an dessen Basis bei der Belichtung die Speicherspannung des Speicherstromkreises angelegt ist.(E) a timing circuit that has the integrated fourth NPN transistor contains, at the base of which the storage voltage of the storage circuit is applied during exposure.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist außerdem einen dritten Transistorstromkreis auf, der im Generatorstromkreis für konstanten Strom mit dem ersten Transistorstromkreis äquivalent angeschlossen ist und aus einem PNP-Transistor, dessen Basis an die Basis des PNP-Transistors im ersten Transistorstromkreis und dessen Emitter über einen Widerstand an den positiven Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist, und aus einem NPN-Transistor besteht, außerdem einen mit dem vierten NPN-Transistor die gleiche Charakteristik besitzenden fünften integrierten NPN-Transistor, dessen Kollektor an den Stromkreis angeschlossen ist, der das PhotoeJenent aufweist und die dem logarithmischen Wert der Beleuchtungsstärke an der lichtempfindlichen FlächeThe device according to the invention also has a third transistor circuit which is used in the generator circuit for constant current is connected to the first transistor circuit equivalent and from a PNP transistor, its base to the base of the PNP transistor in the first Transistor circuit and its emitter connected to the positive pole of the dry cell battery via a resistor and consists of an NPN transistor, as well one with the fourth NPN transistor the same Characteristic of the fifth integrated NPN transistor, the collector of which is connected to the circuit, which has the PhotoeJenent and which the logarithmic Value of the illuminance on the light-sensitive surface

- 9 _
309820/0673
- 9 _
309820/0673

des Photoelementes proportionale Spannung erzeugt und ein veränderlicher Widerstand, dessen Widerstandswert gemäß einer bestimmten Blendenöffnung sowie einer bestimmten Filmgeschwindigkeit veränderbar ist, dessen einer Anschluß an den Emitter des fünften NPI-Transistors und zugleich an den Emitter des NPN-Transistors des dritten Transistorstromkreises des Generatorstromkreises für. konstanten Strom angeschlossen ist und dessen anderer Anschluß an den negativen Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist.of the photo element generated proportional voltage and a variable resistance, its resistance value according to a certain aperture as well as a certain Film speed is variable, one connection to the emitter of the fifth NPI transistor and at the same time to the emitter of the NPN transistor of the third Generator circuit transistor circuit for. constant current is connected and its other Terminal is connected to the negative terminal of the dry cell battery.

Der Zeitstromkreis besitzt den an den Kollektor des vierten NPN-Transistor und den ersten Kondensator parallel liegenden, an den zweiten veränderlichen durch einen Umschalter gemäß einer bestimmten Blendenöffnung und einer bestimmten Filmgeschwindigkeit veränderbaren Widerstand anschließbaren zweiten Kondensator. Es ist ein Umschalter vorgesehen zur wahlweisen Einstellung der automatischen und manuellen Steuerung der Belichtungszeit, außerdem ein Niveau-Ermittlungsstromkreis, der durch den Umschalter mit seinem einen Anschluß an einen Anschluß des ersten oder zweiten Kondensators anschließbar ist zur Feststellung der Ladespannung dieses Kondensators und zur Erzeugung eines Signals, wenn diese Spannung ein bestimmtes Niveau erreicht, und ein Elektromagnet, der für die Beendigung des Niveau-ErmittlungsStromkreises erregbar ist. 'The time circuit has the parallel to the collector of the fourth NPN transistor and the first capacitor, to the second variable by a switch according to a specific aperture and a specific one Film speed variable resistor connectable second capacitor. A changeover switch is provided for the optional setting of the automatic and manual control of the exposure time, as well as a level detection circuit, through the switch with its one terminal to one terminal of the first or second capacitor can be connected to determine the charging voltage of this capacitor and to generate a signal when this Voltage reaches a certain level, and an electromagnet that terminates the level-detecting circuit is excitable. '

- 10 -- 10 -

309820/0 6 73309820/0 6 73

mm j [^J mm mm j [^ J mm

Das Speichermittel weist einen Kondensator für die Speicherung der Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers und einen Festwiderstand auf, der zur Korrigierung des durch die leitung des Elektromagneten im Betätigungsstromkreis verursachten Spannungsabfalls der Trockenzellenbatterie an den Kondensator und den negativen Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist. Ein vierter Transistorstromkreis der integrierten Schaltung ist vorgesehen, der mit dem ersten Transistorstromkreis im Generatorstromkreis für konstanten Strom äquivalent angeschlossen ist und aus einem PNP-Transistor, dessen Basis an die Basis des PNP-Transistors im ersten Transistorstromkreis und dessen Emitter durch einen Widerstand an den positiven Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist, und aus einem NPN-Transistor besteht, sowie ein Meßstromkreis, dem der Emitterstrom des NPN-Transistors des vierten Transistorstromkreises und die Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers als Eingangsgrößen zuführbar sind.The storage means has a capacitor for storing the output voltage of the logarithmic amplifier and a fixed resistor, which is used to correct the through the line of the electromagnet in the actuation circuit caused a voltage drop of the dry cell battery to the capacitor and the negative pole of the dry cell battery connected. A fourth transistor circuit of the integrated circuit is provided which is connected to the first transistor circuit in the generator circuit for constant current is connected equivalent and off a PNP transistor whose base connects to the base of the PNP transistor in the first transistor circuit and its emitter through a resistor to the positive pole of the Dry cell battery is connected, and consists of an NPN transistor, and a measuring circuit to which the Emitter current of the NPN transistor of the fourth transistor circuit and the output voltage of the logarithmic amplifier can be supplied as input variables.

Es ist ein Verzögerungsstromkreis vorgesehen, der zwischen einer Ausgarigsklemme des Niveau-Ermittlungsstromkreises und einer Eingangsklemme des BetatigungsStromkreises angeschlossen ist zur zeitlichen Korrektur der Überlappung des hinteren Randes des vorauslaufenden Schirms mit dem vorderen Rand des nachlaufenden Schirms des Schlitzverschlusses in gespannter Stellung.A delay circuit is provided between an Ausgarigsklemme of the level detection circuit and an input terminal of the actuation circuit is for the temporal correction of the overlap of the rear edge of the leading screen with the front one Edge of the trailing screen of the focal plane shutter in the tensioned position.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der anhängenden Zeichnungen näher beschrieben:The invention is described below with reference to the accompanying drawings described in more detail:

- 11 309820/0673 - 11 309820/0673

Fig.1 ist ein Blockschaltbild, aas den Aufbau einer Aus-Fig. 1 is a block diagram showing the structure of an

ftihrungsform gemäß der vorliegenden Erfindung wiedergibt iGuide form according to the present invention reproduces i

Fig,2 ist ein Diagramm, das die TemperaturabhängigkeitFig. 2 is a graph showing the temperature dependency

des Ausgangsstroms in einem Generatorstromkreis für konstanten Strom, wie er im Blockschaltbild von Fig. 1 eingezeichnet ist, zeigt;of the output current in a generator circuit for shows constant current as drawn in the block diagram of FIG. 1;

Fig.3 ist ein Diagramm, das federn Logarithmus der Helligkeit eines zu photographieränden Objekts proportionale Ausgangsspannung in einem logarithmischen Verstärker nach Fig. 1 im Verhältnis zur jeweiligen eingestellten Filmgeschwindigkeit und Blendenöffnung zeigt;Fig.3 is a diagram showing the spring logarithm of the brightness of an object to be photographed proportional Output voltage in a logarithmic amplifier according to FIG. 1 in relation to the respective set Shows film speed and aperture;

Fig.4 zeigt in einem Diagramm das Verhältnis zwischen einer Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers, die entsprechend den Einstellwerten der Filmgesehwindigkeit und Blendenöffnung erzeugt wird und dem Logarithmus der Belichtungsdauer, die gesteuert werdenFig.4 shows in a diagram the relationship between a Output voltage of the logarithmic amplifier, which is generated according to the setting values of the film speed and aperture and the logarithm of the exposure time, which are controlled

Fig.5 zeigt ein Stromschaltbild einer Ausführungsform nach· der vorliegenden Erfindung; den einen Teil davon zeigt Fig. 5 (A), den anderen Teil zeigt Fig. 5 (B);5 shows a circuit diagram of an embodiment according to of the present invention; Fig. 5 (A) shows part of it, Fig. 5 (B) shows the other part;

Fig,6 (A) zeigt den Ausschnitt eines Stromschaltbildes, inFig. 6 (A) shows the detail of a circuit diagram in

dem eine andere Ausführungsform eines lichtempfangenden Elements des logarithmischen Verstärkers in der Ausftihrungsform nach Fig. 5 wiedergibt;which is another embodiment of a light receiving Element of the logarithmic amplifier in the embodiment of Fig. 5 reproduces;

- 12 -- 12 -

309 8 20/067 3309 8 20/067 3

Fig. 6 (B) zeigt in einem Diagramm das Verhältnis zwischenFig. 6 (B) is a diagram showing the relationship between

dem Logarithmus der Helligkeit einer lichtempfangenden Fläche des lichtempfindlichen Elements nach Fig. 6 (A) und dem Wert eines kombinierten Widerstandes;the logarithm of the brightness of a light-receiving surface of the photosensitive element according to Fig. 6 (A) and the value of a combined resistance;

Fig. 7 zeigt in einem Diagramm das Verhältnis zwischenFig. 7 is a diagram showing the relationship between

einer Klemmenspannung eines für das Einstellen der Werte von Filmgeschwindigkeit und Blendenöffnung veränderlichen Vorwiderstandes Rs und eingestellten Werten von Blendenöffnung und Filmempfindlichkeit im selben Ausführungsbeispiel nach Fig. 5;a terminal voltage of a series resistor Rs and set which is variable for setting the values of film speed and aperture Values of aperture and film speed in the same embodiment according to FIG. 5;

Fig. 8 zeigt in einem Diagramm bei verschiedener Temperatur ein Verhältnis zwischen einer Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers und einem Logarithmus der Helligkeit auf der lichtempfangenden Fläche des das Szenenlicht empfangenden Elements derselben Ausführungsform;8 shows a diagram at different temperatures a ratio between an output voltage of the logarithmic amplifier and a logarithm the brightness on the light receiving surface of the scene light receiving element of the same embodiment;

Fig. 9 zeigt in einem Diagramm ein Verhältnis zwischenFig. 9 is a diagram showing a relationship between

einer Basis-Emitterspannung eines Eingangstransistors eines Zeitgliedes derselben Ausführungsform, wenn -ihm eine Speieherspannung des Speichergliedes zugeführt wird, und einem Logarithmus des Kollektorstroms dieses Transistors;a base-emitter voltage of an input transistor of a timing element of the same embodiment when a storage voltage of the storage element is supplied to it, and a logarithm of the collector current this transistor;

Fig.10 gibt die Anzeige des Wertes einer BelichtungsdauerFig. 10 shows the value of an exposure time

durch ein Meßinstrument eines Meßstromkreises wieder, und ein zulässiger Bereich der automatischen Steuerung wird auch gezeigt; undby a measuring instrument of a measuring circuit again, and an allowable range of the automatic control is also shown; and

- 13 -- 13 -

309820/0673309820/0673

Fig, 11 zeigt in einem diagramm ein Verhältnis zwischen dem Verstärkungsfaktor eines NPN-Transistors und eines PHP-Transistors und der Umgebungstemperatur.Fig. 11 is a diagram showing a relationship between the gain of an NPN transistor and of a PHP transistor and the ambient temperature.

Fig. 1 zeigt in einem Blockschaltbild ein Aufbauprinzip der vorliegenden Erfindung· Ein GeneratorStromkreis (I) für konstanten Strom erzeugt, auch wenn Schwankungen in der Spannungsversorgung auftreten, einen stabilen Ausgangsstrong davon sich im Verhältnis zu einer absoluten Temperatur ändert. Die Kennlinie des Ausgangsstroms und der Temperatur ist in Fig. 2 gezeigt. Dieser Generatorstromkreis für Konstantstrom dient als Energiequelle für einen Meßstromkreis M und einen logarithmischen VeKtärker P.1 shows, in a block diagram, a structural principle of the present invention. for constant current generates a stable output current even if there are fluctuations in the voltage supply thereof in relation to an absolute temperature changes. The characteristic of the output current and the temperature is shown in FIG. This generator circuit for Constant current serves as an energy source for a measuring circuit M and a logarithmic amplifier P.

Der logarithmische Verstärker P ist ein Stromkreis zur Umsetzung einer quantitativen Änderung einfallenden Lichts in eine Spannungsänderung. Ganz allgemein ändern sich der Helligkeitswert eines zu photographierenden Objekts, Werte der Linsenöffnung und Fi&iempfindlichkeit, die alle als Eingangswerte benutzt werden, in digitaler Weise, also zum Beispiel 1 Lux,2,4.»...Lux beim Helligkeitswert des zu photographierenden Objekts,The logarithmic amplifier P is a circuit to convert a quantitative change in incident light into a voltage change. Change in general the brightness value of an object to be photographed, values of the lens opening and fi & i sensitivity, all of which are used as input values, digitally, for example 1 lux, 2.4. »... lux at Brightness value of the object to be photographed,

* während ein Ausgangsstrom* during an output current

- 14 -- 14 -

309820/0673309820/0673

1.4,2,2.8,4.... bei der Blendenöffnung und ASA 25,50,100 beim Wert der Filmempfindlichkeit. Wenn diese sich digital ändernden Werte, wie sie sind, als Ausgänge des gemessenen Lichts benutzt werden, ändern sich dementsprechend die Ausgänge des ge-1.4,2,2.8,4 .... for the aperture and ASA 25,50,100 for the value of the film speed. if these digitally changing values are used as they are as outputs of the measured light, change accordingly the outputs of the

messenen Lichts digital. Nimmt man zum Beispiel an, daß der Bereich der Belichtungsdauer beschränkt ist auf 1 bis 1/1000 Sekunde und die Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers P 0,1 Volt pro Sekunde ist, dann beträgt die Ausgangsspannung für 1/1000 Sekunde 100 Volt. Deöhalb wird die Leistuna der Energiequelle groß, so daß es unmöglich ist, miniaturisierte Energiequellen oder solche mit niedriger Spannung zu verwenden. Sollten die sich digital ändernden Ausgangsspannungen des gemessenen Lichts verwendet werden, wie sie sind, würde folglich, wie am obigen Beispiel gezeigt wurde, die praktische Brauchbarkeit des Stromkreises erheblich vermindert, und die Verwendung einer Energiequelle geringer Leistung würde die Genauigkeit herabsetzen. ,measured light digitally. For example, suppose that the range of exposure time is limited is 1 to 1/1000 of a second and the output voltage of the logarithmic amplifier P 0.1 volts per second, then the output voltage for 1/1000 of a second is 100 volts. Therefore the power of the source of energy becomes great, so that it is impossible is to use miniaturized or low voltage energy sources. Should be digitally changing output voltages of the measured light are used as they are, would consequently, as was shown in the example above, the practical utility of the circuit is greatly reduced, and the use of one energy source is reduced Performance would degrade accuracy. ,

In der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird, um die oben erwähnten Schwierigkeiten zu vermeiden, der logarithm!sehe Verstärker P verwendet, der so ausgelegt ist, daß man aus einer sich digital, ändernden Eingangsgröße eine sich gleichmäßigIn the device according to the present invention, in order to avoid the above-mentioned difficulties, the logarithmic amplifier P is used, which is designed in such a way that a digitally changing input variable can be transformed into one evenly

- I5 -- I5 -

309820/0673309820/0673

differential ändernde Ausgangsgröße des gemessenen Lichts erhält; die diesbezügliche Kennlinie ist in Fig. 3 wiedergegeben. receives differential changing output of measured light; the characteristic curve in this regard is shown in FIG. 3.

In Verbindung mit einem Speicherstromkreis Me gelangt bei der einäugigen Spiegelreflexkamera das Szenenlicht des zu photographierenden Objekts durch ein Aufnahme-Linsensystem, von wo es durch einen Reflexspiegel in das Suchersystem projiziert wird. Lichtempfangende Elemente sind hinter dem Reflexspiegel angeordnet, so daß sie die Lichtmessung durchführen. Zum Zeitpunkt der Aufnahme, wenn der Reflexspiegel gedreht wirä, um den Lichteinfall auf die lichtempfangenden Elemente abzusperren, schwanken die Werte der lichtempfangenden Elemente in soviel größerem Ausmaß, daß eine Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers P keinen genauen Wert wiedergibt. Deshalb kann in diesem Fall die Belichtungsdauer nicht durch den Ausgang des logarithmischen Verstärkers P gesteuert werden. Um solchen Einfluß aufgrund der Drehung des Reflexspiegels oder ähnlichem auszuschalten, ist der Speicherstromkreis Me vorgesehen, in dem die Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers P in einen Kondensator des Speicherstromkreises geladen wird. Dadurch wird die Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers P während einer zur Steuerung der Belichtungszeit erforderlichen Zeitdauer gehalten.In connection with a storage circuit Me arrives at the single-lens reflex camera the scene light of the object to be photographed through a recording lens system, from where it is projected into the viewfinder system through a reflex mirror. Are light receiving elements arranged behind the reflective mirror so that they carry out the light measurement. At the time of recording when the If the reflex mirror is rotated to block the incidence of light on the light-receiving elements, the values fluctuate of the light receiving elements to such an extent that an output voltage of the logarithmic amplifier P does not represent an exact value. Therefore, in this case, the exposure time can not go through the exit of the logarithmic amplifier P can be controlled. To such influence due to the rotation of the reflex mirror or the like, the storage circuit Me is provided, in which the output voltage of the logarithmic Amplifier P into a capacitor of the storage circuit is loaded. This makes the output voltage of the logarithmic amplifier P during a control the exposure time required.

- 16 -- 16 -

309820/0673309820/0673

Für den Fall, daß die automatische Steuerung gewählt wird, tritt ein Zeitstromkreis Tc in Tätigkeit, um die sich digital ändernde Belichtungsdauer unter Verwendung der sich gleichmäßig differential ändernden Speicherspannung der Speichermittel Me zum Beispiel mittels eines Transistors und Kondensatoren zu steuern, während, wenn der Wert der Belichtungsdauer von Hand eingestellt wird, ein Stromkreis betätigt wird, der aus einem Festwiderstand und Kondensatoren besteht.In the event that the automatic control is selected, a time circuit Tc comes into action around the digitally changing exposure time using the uniformly differentially changing storage voltage to control the storage means Me for example by means of a transistor and capacitors, while if the value the exposure time is set by hand, a circuit is operated, which consists of a fixed resistor and Capacitors.

Ein Niveau-EtmittlungsStromkreis D ist ein Stromkreis zur Ermittlung des Niveaus der Ausgangsgröße des Zeitstromkreises Tc und zur Erzeugung von Ausgangssignalen, wenn das Ausgangssignal des Zeitstromkreises Tc ein vorbestimmtes Niveau erreicht.A level detection circuit D is a circuit for Determining the level of the output variable of the timing circuit Tc and generating output signals, if the output of the timing circuit Tc reaches a predetermined level.

Ein Verzögerungstromkreis De kann entsprechend den Notwendigkeiten hinzugefügt werden. Dieser Verzögerungsstromkreis wird in dem Fall benötigt, daß ein Verschluß wie ein Schlitzverschluß verwendet wird, der einen vor- und einen nachlaufenden Schirm hat. Um bei der Verwendung des Verschlusses dieses Typs zum Zeitpunkt der Verschlußspannung das Durchdringen von Licht auszuschalten, wird dieser Verzögerungsstromkreis De betätigt, um eine Wertabweichung der Belichtungsdauer elektrisch einzustellen, die aus dem Unterschied zwischen den Ausgangsstellungen der hinteren Kante des vorauslaufenden Schirms und der Führungskante des nachlaufenden Schirms, die sich beide gegenseitig teilweiseA delay circuit De can be added according to the needs. This delay circuit is required in the event that a shutter how to use a focal plane shutter that has a leading and trailing screen. In order to use the shutter of this type at the time of shutter tensioning to switch off the penetration of light, this delay circuit De is actuated to a value deviation electrically adjust the exposure time, resulting from the difference between the starting positions of the rear Edge of the leading screen and the leading edge of the trailing screen, both of which are partially mutually exclusive

- 17 -309820/0673- 17 -309820/0673

überlappen, entsteht. Indem ein Verzögerungsstromkreis vorgesehen wird, wird die genaue Justierung der "beiden Schirme "beim Zusammenbauen vereinfacht.overlap, arises. By making a delay circuit is provided, the precise adjustment of the "two screens" during assembly is simplified.

Ein BetätigungsStromkreis A ist ein Abschnitt zur Verstärkung eines Ausgangssignals entweder des Niveau-Ermitt-i lungsstromkreises D oder des Verzögerungsstromkreises De und zur Steuerung der Magnetisierung eines Elektromagneten, um elektrische Signale in mechanische Signale umzusetzen. Schließlich wird ein Meßstromkreis M durch Ausgangssignale des logarithmischen Verstärkers P betätigt, die ihm als Eingangssignale zugeführt werden, um den Wert der Belichtungsdauer durch ein dafür geeignetes Meßinstrument anzuzeigen und dadurch eine Bedingung der Lichtmessung ( die Lichtbedingungen) zum Zeitpunkt der Aufnahme zu zeigen· Jeweilige Kennlinien der Speichermittel Me, des Zeitstromkreises Tc, des Niveau-ErmittlungsStromkreises D,' des Verzögerungsstromkreises De und des Betätigungsstromkreises A sind in Fig. 4 gezeigt. Die obigen Beziehungen unter den jeweiligen Stromkreisen werden durch die folgenden Formeln wiedergegeben.
Zunächst im Verstärker P:
An actuation circuit A is a section for amplifying an output signal of either the level detection circuit D or the delay circuit De and for controlling magnetization of an electromagnet to convert electrical signals into mechanical signals. Finally, a measuring circuit M is actuated by output signals of the logarithmic amplifier P, which are fed to it as input signals, in order to display the value of the exposure time by a suitable measuring instrument and thereby to show a condition of the light measurement (the light conditions) at the time of exposure the storage means Me, the timing circuit Tc, the level detection circuit D, the delay circuit De and the actuation circuit A are shown in FIG. The above relationships among the respective circuits are represented by the following formulas.
First in amplifier P:

Vp = K1 log L + K2Vp = K1 log L + K2

wobei L die Helligkeit des zu photographierenden Objekts, K1 eine Konstante, K2 ein abhängig von einer Kombination der Werte der Filmempfindlichkeit und Blendenöffnung bestimmter Ausdruck und Vp ein Ausgangssignal des logarithmischen Ver-where L is the brightness of the object to be photographed, K1 a constant, K2 a depending on a combination of the Values of the film speed and aperture value determined expression and Vp an output signal of the logarithmic ratio

-· 18 -- · 18 -

309820/0673309820/0673

stärkers P ist, welch letzteres dem Zeitstromkreis Tc als Eingangssignal zugeführt wird.stronger P is, which latter the time circuit Tc than Input signal is supplied.

Für den Zeitstromkreis Tc, den Niveau-Ermittlungsstromkreis D, den Verzögerungsstromkreis De und den BetatigungsStromkreis A lautet die Formel:·For the time circuit Tc, the level detection circuit D, the delay circuit De and the actuation circuit A is the formula:

Vp = K3 logVp = K 3 log

T + aT + a

worin K? eine Konstante, T die Belichtungszeit und a eine Verzögerungsdauer im Verzögerungsstromkreis De ist, welch letzterer ein fester durch die Kamera einstellbarer Wert ist. Wie aus der Formel 2 zu ersehen ist, erhält man, wenn die Werte von K1, K2 und K3 in geeigneter Weise festgelegt werden, den Ausdruck T 1 und damit automatisch einenwhere K? is a constant, T is the exposure time and a is a delay time in the delay circuit De, the latter being a fixed value that can be set by the camera. As can be seen from formula 2, if the values of K1, K2 and K3 are determined in a suitable manner, the expression T 1 and thus automatically one is obtained

T
Wert der Belichtungsdauer T in Beziehung zur Schwankung des Helligkeitswertes des zu photographierenden Objekts. Fig. 5 (A) und (B) sind Schaltbilder einer Ausführungsform der Erfindung, die um der Klarheit willen getrennt gezeichnet sind und deshalb beide in einem kompletten Schaltbild vereinigt sind. Unter Bezug auf die Zeichnungen enthält der Generatorstromkreis I für konstanten Strom in Fig. 1 Transistoren Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,QO,Q1O,Q11,Q2y, 030, Festwiderstände R1,R2,R3,R4.R5, halbfeste Widerstände R6,R12,R39 und Dioden 1)1,D2, in denen der Ausgangsstrom von den Emit Lürori der Transistoren Q,6,Q11tQ30 erhalten wird,
T
The value of the exposure time T in relation to the fluctuation in the brightness value of the object to be photographed. Figures 5 (A) and (B) are circuit diagrams of an embodiment of the invention drawn separately for the sake of clarity and therefore both combined in one complete circuit diagram. Referring to the drawings, the constant current generator circuit I in Fig. 1 includes transistors Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7, QO, Q10, Q11, Q2y, 030, fixed resistors R1, R2, R3, R4. R5, semi-fixed resistors R6, R12, R39 and diodes 1) 1, D2, in which the output current is obtained from the Emit Lürori of the transistors Q, 6, Q11 t Q30,

309820/0673309820/0673

Im einzelnen, der Emitterstrom des Transistors Q6 speist ■ konstanten Strom in die lichtempfindlichen Elemente Rcds1, Rcds2 und Widerstände E7»R8 des logarithmischen Verstärkers P·, der Emitterstrom des Transistors Q11 speist konstanten Strom .in einen Teränderlichen Vorspannwiderstand Rs, dessen Widerstand sich abhängig von einem eingestellten Wert der •Filmgeschwindigkeit und der Blendenöffnung des logaritbmischen Verstärkers P ändert, und'der Emitterstrom des Transistors Q30speist konstanten Strom in den Meßstromkreis M.In detail, the emitter current of the transistor Q6 feeds constant current in the photosensitive elements Rcds1, Rcds2 and resistors E7 »R8 of the logarithmic amplifier P ·, the emitter current of the transistor Q11 feeds constant Current .in a variable bias resistance Rs, the resistance of which depends on a set value of the • Film speed and the aperture of the logarithmic Amplifier P changes, and the emitter current of transistor Q30 feeds constant current into the measuring circuit M.

Es wird nun der Schaltungsaufbau des G-eneratorstromkreises des konstanten Stroms im einzelnen unter Bezug auf die Ausführungsform in Fig.5 (A) beschrieben. Zwei untereinander in Reihe geschaltete Widerstände R1 und R2 sind mit dem Kollektor eines ersten NPN-Transistors Q1 yerbunden, während ein äußerer Anschluß des Widerstandes R1 über einen Schalter S1 mit dem positiven Pol einer Energiequelle E und Emitter dieses ersten NPN-Transistors Q1 mit dem negativen Pol der Energiequelle E verbunden ist. Die Basis des Transistors 0,1 istmit dem Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen R1,R2 verbunden. Ein zweiter NPlI-Transistor Q2, dessen Basis mit dem Kollektor des ersten NPN-Transistor Q1 verbunden ist, ist geeignet, einen Kollektorstrom proportional zur absoluten Temperatur zu erzeugen; der Emitter dieses Transistors Q2 istIt is now the circuit structure of the G-enerator circuit of the constant current in detail with reference to the embodiment described in Fig. 5 (A). Two resistors R1 and R2 connected in series are connected to the The collector of a first NPN transistor Q1 connected, while an external connection of the resistor R1 via a switch S1 to the positive pole of an energy source E and emitter of this first NPN transistor Q1 with the negative pole of the energy source E is connected. The base of transistor 0.1 is with the connection point connected between the two resistors R1, R2. A second NPlI transistor Q2, its base to the collector of the first NPN transistor Q1 is suitable, generate a collector current proportional to the absolute temperature; the emitter of this transistor is Q2

- 20 - ,
309820/0673
- 20 -,
309820/0673

über einen Widerstand R3 mit dem negativen Pol der Energiequelle E und sein Kollektor ist mit dem Emitter eines dritten NPN-Transistors Q3 verbunden. Der Kollektor dieses dritten NPN-Transistors Q3 ist über einen Widerstand R4 und den Schalter S1 einerseits mit dem positiven Pol der Energiequelle E und andererseits mit dem Emitter eines PNP-Transistors Q4 verbunden. Der Kollektor dieses PNP-Transistors Q4 ist mit der Basis des dritten NPN-Transistors Q3 und mit der Basis eines anderen NPN-TansistorsVia a resistor R3 to the negative pole of the energy source E and its collector is one with the emitter third NPN transistor Q3 connected. The collector of this third NPN transistor Q3 is on the one hand with the positive pole of the via a resistor R4 and the switch S1 Power source E and, on the other hand, connected to the emitter of a PNP transistor Q4. The collector of this PNP transistor Q4 is connected to the base of the third NPN transistor Q3 and to the base of another NPN transistor

LA-q——3...i.y\./i Tin 1*1- r\ r%ί» Wο *i ο ο λι y> f\ ο ca yt/"j Qy η yi vA tJlVl *Pνι**_ι η ο *ι ο τ f\*y*o C] / "tr q"ν* LA-q —— 3 ... iy \ ./ i Tin 1 * 1- r \ r% ί » Wο * i ο ο λ ι y> f \ ο ca yt /" j Qy η yi vA tJlV l * Pνι ** _ ι η ο * ι ο τ f \ * y * o C] / "tr q" ν *

bunden. Der Kollektor dieses Transistors Q7 ist über den Schalter S1 mit dem positiven Pol der Energiequelle E und sein Emitter ist mit dem Kollektor eines Transistors QO verbudnen, dessen Basis mit der Basis des zv/eiten NPN-Transistors Q2 verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q8, der die äquivalente Stromcharakteristik des Transistors Q2 hat, ist über einen Widerstand R5 mit dem negativen Pol der Energiequelle E verbunden.bound. The collector of this transistor Q7 is across the Switch S1 to the positive pole of the energy source E and its emitter is to the collector of a transistor QO verbudnen whose base is connected to the base of the second NPN transistor Q2. The emitter of transistor Q8, which has the equivalent current characteristic of the transistor Q2 is connected to the negative pole via a resistor R5 the energy source E connected.

Der Emitter des Transistors Q7 ist auch über die miteinander in Reihe geschalteten Dioden D2 und D1 mit der Basis des PNP-Transistors 0,4 verbunden.The emitter of transistor Q7 is also grounded through series connected diodes D2 and D1 of the PNP transistor 0.4 connected.

Ein Stromkreis bestehend aus einem PNP-Transistor 03 und einem NPNTransistor Q6 ist über einen Widerstand R6 und den Schalter S1 mit dem positiven Pol der Energiequelle E verbunden; dieser Stromkreis hat eine gleichwertige VerbindungA circuit consisting of a PNP transistor 03 and an NPN transistor Q6 is connected to the positive pole of the energy source E via a resistor R6 and the switch S1; this circuit has an equivalent connection

3(T9812Ö/08733 (T98 1 2Ö / 0873

- 21 -- 21 -

zum Stromkreis, bestehend aus dem PNP-Transistor Q4 und dem dritten NPN-Transistor Q3, und der Emitter dieses NPN-Transistors ist mit einem Stromkreis verbunden, der eine Ausgangsspannung proportional zum Wert des Logarithmus der Helligkeit des zu photographierenden Objekts im logarithmischen Verstärker P 'erzeugt.. In gleicher Weise ist ein Stromkreis bestehend aus einem PNP-Transistor Q10 und einem NPN-Transistor Q11 über einen Widerstand Ii.12 und den Schalter S1 mit dem positiven Pol der Energiequelle E verbunden. Dieser Stromkreis hat eine gleichwertige Verbindung zum Stromkreis bestehend aus dem PHP-Transistor Q4 und. dem dritten NPN-Transistor Q3 und der Emitter dieses NPN- ' Transistors QH ist mit einem Stromkreis verbunden,· der abhängig vom eingestellten Wert der Filmgeschwindigkeit und der Blendenöffnung im logarithmischen Verstärker die logarithmisch gestauchte Vorspannung erzeugt. .to the circuit consisting of the PNP transistor Q4 and the third NPN transistor Q3, and the emitter of this NPN transistor is connected to a circuit which is a Output voltage proportional to the value of the logarithm of the brightness of the object to be photographed is generated in the logarithmic amplifier P '. In the same way, a Circuit consisting of a PNP transistor Q10 and an NPN transistor Q11 via a resistor Ii.12 and the Switch S1 connected to the positive pole of the energy source E. This circuit has an equivalent connection to the circuit consisting of the PHP transistor Q4 and. the third NPN transistor Q3 and the emitter of this NPN- ' Transistor QH is connected to a circuit which depending on the set value of the film speed and the aperture in the logarithmic amplifier logarithmically compressed prestress generated. .

Ähnlich ist ein Stromkreis bestehend aus einem ,PNP-Transistor Q29 und einem NPN-Troncistor Q30 über einen Widerstand R39 und den Schalter SI mit dem positiven Pol der Energiequelle E verbunden. Dieser Stromkreis hat eine gleichwertige Verbindung zum Stromkreis bestehend aus dem PNP-Transistar Q4 und dem dritten NPN-Transistor Q3und der Emitter des Transistors Q30 ist mit dem Meßstromkreis M verbunden. Die Basen dieser PNP-Tranniotoren Q5,Q1O,Q29 sind alle mit der Basis des PITP-Tr mis is tors Q4 verbunden. Dementsprechend sinkt der Betätigungsstrom des Transistors QI, wenn die Spannung der Energiequelle im Verhältnis zu den WiderständenSimilar is a circuit consisting of a PNP transistor Q29 and an NPN Troncistor Q30 via a resistor R39 and the switch SI connected to the positive pole of the energy source E. This circuit has an equivalent connection to the circuit consisting of the PNP transistor Q4 and the third NPN transistor Q3 and the emitter of the transistor Q30 is connected to the measuring circuit M. The bases of these PNP transistors Q5, Q10, Q29 are all with the Connected to the base of the PITP-Tr meter Q4. Accordingly, the actuation current of the transistor QI decreases when the Voltage of the energy source in relation to the resistors

309820/0673309820/0673

- 22 -- 22 -

R1, R2, R3 und den Transistoren Q1,Q2 sinkt, was eine Abnahme der Basis-Emitter-Spannung BE dieses Transistors Q1 zur Folge hat. Jedoch die Spannung zwischen den Anschlüssen des Widerstandes R2 sinkt auch, und deshalb wird das Kollektorpotential des Transistors Q2 gegen Schwankungen der Spannung der Energiequelle E stabil gehalten.R1, R2, R3 and the transistors Q1, Q2 go down, which is a decrease the base-emitter voltage BE of this transistor Q1 results. However, the voltage between the terminals of the resistor R2 also decreases, and therefore the collector potential of the transistor Q2 is against fluctuations the voltage of the energy source E is kept stable.

Dies ist weiter unten numerisch dargelegt. Angenommen, daß eine Temperatur der absoluten Temperatur Te entspricht, der Sättigungsstrom des Transistors QJ bei der Temperatur Te Is. ist, der Sättigungsstrom des Transistors Q2 Isp ist ( der Sättigungsstrom ist eine Konstante, die bestimmt ist durch einen Transistor und ändert sich abhängig von der Temperatur ), darm erhält man die folgende Formel:This is shown numerically below. Assuming that a temperature corresponds to the absolute temperature Te, is the saturation current of transistor QJ at temperature Te Is., The saturation current of the transistor Q2 is Isp (the saturation current is a constant that is determined by a transistor and changes depending on the temperature), then one obtains the following formula:

K - Te t Ij KTe I2 K - Te t Ij KT e I 2

1 : = R2X1 f in +RT0 1 : = R 2 X 1 f in + RT 0

worin, damit der Emitterstrom 12 des Transistors Q2 gegen Schwankungen des Emitterstroms 11 des Transistors Q] stabil. ist, der Wertwhere so that the emitter current I2 of the transistor Q2 against Fluctuations in the emitter current I1 of the transistor Q] are stable. is the value

ist und deshalbis and therefore

KT
R^I. = . (näherungsweise R,,Ii = 26mV
KT
R ^ I. =. (approximately R ,, Ii = 26mV

q wenn Te = 300°Κ)q if Te = 300 ° Κ)

und deshalb müssen die Widerstände R2, R3 so gewählt werden, daß sie die obige Formel erfüllen.and therefore the resistors R2, R3 must be chosen so that they satisfy the above formula.

309820/0673309820/0673

- 23 -- 23 -

Zwischen Basis und Emitter des Transistors QI und des Transistors Q2 wird eine Differenz in der Basis-Emitter-Spannung BE entweder durch eine Differenz zwischen den Emitterstrb'men L· und Io oder durch eine Differenz zwischen den Flächen dieser Emitterschichten erzeugt. Der Temperaturkoeffizient der Basis-Emitter-Spannung BE ist:Between the base and emitter of the transistor QI and the transistor Q2 becomes a difference in the base-emitter voltage BE either by a difference between the emitter currents L · and Io or by a difference between the Areas of these emitter layers generated. The temperature coefficient of the base-emitter voltage BE is:

1 ■ 1BI1 ■ 1 BI

darauf erhält man die folgende Formel:then you get the following formula:

dVBE dV BE VBE V BE KTeKT e VBE V BE dTdT 8181 dVBE dV BE << OO aTe aT e Te T e steigtincreases ee ■m■ m Dement sprechendCorrespondingly Beiat Anstieg desIncrease in WertesWorth

ändert sich die Differenz des BE - Wertes zwischen den Transistoren Q1 und Q2, wie sich die Temperatur ändert. Mit anderen Worten, der Emitterstrom Ip des Transistors Q2 wird dem Temperaturwechsel mitgeteilt. Gemäß der Torliegenden Erfindung ist dazwischen die Differenz von einigen 1OmV gegeben, so daß der Wert des Kollektorstroms des Transistors Q2 proportional zur absoluten Temperatur eingestellt wird. Wenn durch die Differenz zwischen den Emitterströmen L· und Ip der Transistoren Q1 und Q2 eine Differenzthe difference in the BE value between the transistors changes Q1 and Q2 how the temperature changes. In other words, the emitter current Ip of the transistor Q2 becomes communicated to the temperature change. According to the present invention, the difference therebetween is a few 10 mV given so that the value of the collector current of the transistor Q2 is set proportional to the absolute temperature will. If by the difference between the emitter currents L · and Ip of the transistors Q1 and Q2 there is a difference

- 24 τ
309820/0673
- 24 τ
309820/0673

im Spannungswert BE gegeben ist und wenn die Transistoren Q1 und Q2 Transistoren mit gleicher Charakteristik sind und ihr Verstärkungsgrad ausreichend groß ist, dann lauten die Formeln:is given in the voltage value BE and when the transistors Q1 and Q2 are transistors with the same characteristic and their degree of reinforcement is sufficiently large, then the formulas are:

a -a -

KTKT

hit," ' Γ P 2 hit, " 'Γ P 2

"I S " 4 3 ~ ~"q "" x £/i"s2"IS " 4 3 ~ ~ "q"" x £ / i " s2

= I= I.

dabei ist I'ρ ein Wert des Emitterstroms des Transistors Q2, wenn die Temperatur T2 beträgt.where I'ρ is a value of the emitter current of the transistor Q2, when the temperature is T2.

Angenommen, die obigen Formeln werden ersetzt durch die Formeln T , T' T' φ9 wobei T T Suppose the above formulas are replaced by the formulas T , T ' T ' φ9 where TT

1Sl fc is2 2 ~ ff" I2 si " is2 · 1 Sl fc i s2 2 ~ ff "I 2 si" i s2 ·

dann erhält man die Formelthen you get the formula

T2T2

XiI1 -XiI 1 -

rn-i mn Λ-i I J C- rn-i mn Λ-i I J C-

In den obigen Formeln sind. T1 und T^ bestimmt durch den geforderten Temperaturbereich, und der Emitterstrom I^ des Transistors Q2 ist bestimmt, da er ebenfalls ein geforderter otrom ist.In the above formulas are. T 1 and T ^ determined by the required temperature range, and the emitter current I ^ of the transistor Q2 is determined because it is also a required otrom.

309820/0673309820/0673

- 25 -- 25 -

Wenn dem Widerstand R3 ein Wert, wie er für einen stabilisierten Stromkreis anzunehmen ist, gegeben wird, dann erhält man den Wert des Emitterstroms.I^ des Transistors Q1,If the resistor R3 is given a value as it can be assumed for a stabilized circuit, then one obtains the value of the emitter current I ^ of the transistor Q1,

Im Zusammenhang mit den Transistoren Q3,Q4, den Transistoren Q5,Q6, den Transistoren Q10,- QH und den Transistoren Q 29, 0,30 ist zu sagen, daßf sollten sie zu einem integrierten Schaltkreis gehören, die Verstärkungsgrade von PIP-Transistoren erheblich herabgesetzt werden, und zwar in solch einem Ausmaß, daß es unmöglich ist, PHP-Transistoren allein zu verwenden; deshalb v/erden in der vorliegenden Erfindung PIIP-Trarisistoren und NPN-Transistoren kombiniert ange-' wendet, um dadurch den Verstärkungsgrad zu erhöhen. Wie es "aus Fig. 5 (A) erkenntlich ist, werden, die Werte oder Emitterströme der Transistoren 0,6,0,11 und Q30 näherungsweise durch die jeweilige folgende Formel erhalten:In connection with the transistors Q3, Q4, the transistors Q5, Q6, the transistors Q10, -QH and the transistors Q29, 0.30 it should be said that f should they belong to an integrated circuit, the gains of PIP transistors be significantly degraded to such an extent that it is impossible to use PHP transistors alone; therefore, in the present invention, PIIP transistors and NPN transistors are used in combination to thereby increase the gain. As can be seen from Fig. 5 (A), the values or emitter currents of the transistors 0, 6, 0, 11 and Q30 are approximated by the respective following formula:

6 = _JL ii=4 6 = _JL ii = 4

H6 2; 11 "XT"^.; ho H 6 2; 11 "XT" ^ .; ho

Das bedeutet, da der Emitterstrom Ip des Transistors Q2 gegen die SpannungsSchwankung der Energiequelle E stabil bleibt und da ein zur absoluten Temperatur proportionaler Wert erhalten wird, ist der Ausgangs strom. Ir»I-i-| oder I^qThis means that the emitter current Ip of the transistor Q2 against the voltage fluctuation of the energy source E stable remains and since a value proportional to the absolute temperature is obtained, the output current is. Ir »I-i- | or I ^ q

-26 --26 -

309820/0673309820/0673

gegen die Spannungsschwankimg der Energiequelle E stabil und v/eist einen zur absoluten Temperatur proportionalen Wert auf.stable against the voltage fluctuation of the energy source E and v / e is proportional to the absolute temperature Value on.

Ein Stromkreis bestehend aus den Transistoren Q7, 0,8, den Dioden D1, D2 und dem Widerstand Pi 5 dient dazu,den Basisstrom der kombinierten PNP-NPN Transistorstromkreise fließen zu lassen. Dieser Stromkreis ist so ausgelegt, daß der Basisstrom zu den Dioden D1, D2 fließt, während durch die Differenz zwischen dem Basisstrom und dem Strom des Transistors Q8, der eine konstante Stromcharakteristik gleichwertig der Stromcharakteristik des Transistors 0,2 aufweist, der Strom dem Transistor Q7 zugeführt wird; wenn die Verstärkungsgrade/PNP-Tränsistoren extrem niedrig sind, wirkt sich das nicht auf die Charakteristik des Emitterstroms Ig, L·. oder I™ aus, auch wenn der Basisstrom groß ist.A circuit consisting of transistors Q7, 0.8, den Diodes D1, D2 and the resistor Pi 5 serves to control the base current of the combined PNP-NPN transistor circuits to flow. This circuit is designed so that the Base current flows to the diodes D1, D2 while through the Difference between the base current and the current of transistor Q8, which is equivalent to a constant current characteristic the current characteristic of the transistor has 0.2, the current is supplied to the transistor Q7; when the gains / PNP transistors are extremely low, this does not affect the characteristics of the emitter current Ig, L ·. or I ™ off, even if the base current is high.

Im folgenden wird der logarithmische Verstärker P unter Bezug auf Fig. 5 (A) beschrieben.The logarithmic amplifier P will now be described with reference to Fig. 5 (A).

Wie im Vorangegangenen bereits gesagt, ist der logarithmische Verstärker P ein Stromkreis, der sich analog ändernde, photographische Eingangsdaten, wie Werte der Helligkeit des zu photographierenden Objekts, eine Blendenöffnung, Filmempfindlichkeit usw. umsetzt in eine sich arithmetisch ändernde Aufgangsspannung.As already said above, the logarithmic amplifier P is a circuit that changes analogously, photographic input data, such as values of the brightness of the object to be photographed, an aperture, film sensitivity etc. converts into an arithmetically changing emergence voltage.

Zwei Photoleiter RcdSI und RcdS2 bilden ein sogenanntesTwo photoconductors RcdSI and RcdS2 form what is known as one

- 27 309820/0673 - 27 309820/0673

photoleitendes
zusammengesetztes/Element. Jeder Leiter besteht, wie aus Fig. 6 (A) zu-ersehen,ist, aus einem photoleitenden Element CdS, hoher Empfindlichkeit und einem photoleitenden Element CdS-, niederer Empfindlichkeit, die. zueinander parallel geschaltet sind. Das hoch empfindliche photoleitende Element CdS-, ist mit einem L'iderstand r-i in Reihe "verbunden, und ein Widerstand r^ ist in Reihe zu dem parallelen Kreis geschaltet. Werte des Logarithmus des kombinierten Widerstandswertes dieser Widerstände haben einen linearen Verlauf, der den weiten Bereich in Bezug auf die Werte des Logarithmus des empfangenen Szenenlichts, bedeckt, wie es in Fig. 6 (B) verdeutlicht ist.
photoconductive
compound / element. As shown in Fig. 6 (A), each conductor is composed of a photoconductive element CdS, high sensitivity and a photoconductive element CdS, low sensitivity. are connected in parallel to each other. The highly sensitive photoconductive element CdS-, is connected to a resistor ri in series ", and a resistor r ^ is connected in series with the parallel circuit. Values of the logarithm of the combined resistance of these resistors have a linear course that corresponds to the width Area related to the values of the logarithm of the received scene light, as shown in Fig. 6 (B).

Zwei der in Fig. 6 (A) dargestellten photoleitenden Elemente sind in der Schaltung nach Fig. 5 (A) verwendet, wobei die photoleitenden Elemente auf der Seite hoher Empfindlichkeit (auf der Seite niederigen Widerstands) durch einen halbfesten Widerstand R9 miteinander verbunden sind; parallel dazu sind die photoleitenden Elemente auf der Seite niederer Empfindlichkeit (auf der Seite hohen Widerstands) direkt miteinander verbunden und ein halbfester Widerstand R91 ist zu diesen parallelen Kreisen in Reihe geschaltet. Diese zwei lichtempfindlichen Elemente sind an einem Sucher-Lichtpfadsystem angeordnet (zum Beispiel an einer vorderen Kante und einer hinteren Kante einer dachförmigen Reflexionsfläche eines pentagonalen Prismas). Beim Abglei-Two of the photoconductive elements shown in Fig. 6 (A) are used in the circuit of Fig. 5 (A), the photoconductive elements on the high sensitivity side (on the low resistance side) being interconnected by a semi-fixed resistor R9; in parallel, the photoconductive elements on the low sensitivity side (on the high resistance side) are directly connected to each other and a semi-fixed resistor R9 1 is connected in series with these parallel circuits. These two photosensitive elements are arranged on a finder light path system (for example, on a front edge and a rear edge of a roof-shaped reflection surface of a pentagonal prism). When derailing

309820/0673309820/0673

chen des Widerstandswertes zwischen diesen halbfesten Widerständen Uq und HJ1 um ihren Wert einzustellen, ändert sich die Ausgangsspannung arithmetisch im Verhältnis zum sich analog ändernden Wert der Helligkeit des zu photographierenden Objekts, was als CLC-Effekt bezeichnet wird und ein photographisch günstiges Ergdnis an dem halbfesten Widerstand Rq1 erzielen läßt. Dann sind diese Widerstände Rq und Rq1 mit dem Emitter des Transistors Q6 in dem Generatorstromkreis für konstanten Strom verbunden, wobei der Ausgangsstrom dem logarithmischen Verstärker als Eingangsgröße zugeführt wird.If the resistance value between these semi-fixed resistances Uq and HJ 1 is to be adjusted, the output voltage changes arithmetically in relation to the analogously changing value of the brightness of the object to be photographed, which is known as the CLC effect and a photographically favorable result of the semi-solid Resistance Rq 1 can be achieved. Then, these resistors Rq and Rq 1 are connected to the emitter of the transistor Q6 in the constant current generator circuit, and the output current is input to the logarithmic amplifier.

Parallel zum oben erwähnten Stromkreis ist ein aus den in Reihe geschalteten Widerständen ΠγιΗο bestehender Stromkreis vorgesehen. Beide Stromkreise sind mit dem Kollektor des Transistors Q9 verbunden, dessen Basis mit dem Verbindungspunkt dieser Widerstände Ry und Rn verbunden ist. Dieser Transistor Q9 bewirkt eine Temperaturkompensation für die Basis-Emitter-Spannung eines Transistors Q12, was später noch beschrieben wi/rd .A circuit consisting of the series-connected resistors ΠγιΗο is parallel to the above-mentioned circuit intended. Both circuits are connected to the collector of transistor Q9, the base of which is connected to the junction point this resistors Ry and Rn is connected. This transistor Q9 causes temperature compensation for the base-emitter voltage of a transistor Q12, what will be described later.

Ein Widerstand R10 und ein Thermistor R,, sind mit dem Emitter des Transistors Q9 verbunden. Da der Emitterstrom Ir des Transistors Q6, mit anderen Worten der Betätigungsstrom des Transistors Q9, sich proportional zur absoluten A resistor R10 and a thermistor R1 are connected to the emitter of the transistor Q9. Since the emitter current Ir of the transistor Q6, in other words the actuation current of the transistor Q9, is proportional to the absolute

29 -29 -

309820/0673309820/0673

Temperatur ändert, weist die Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q9 in Beziehung zur Temperatüränderung eine .Änderung auf, die sich vom Fall, in dem der Emitter strom Ir des Transistors Q6 konstant ist, unterscheidet. Im einzelnen wird die .Änderung der Basis-Em.itter-Sparinung, wenn bei Abfallen der Temperatur der Emitterstrom Ir abnimmt, geringer als in dem Fall, in dem der Emitterstrom Ig.konstant ist. Dieser Unterschied wird durch die Widerstände ILq und Pi,, kompensiert. Dies wird numerisch dargestellt durch die folgende Formel:When the temperature changes, the base-emitter voltage of the transistor Q9 has a change in relation to the temperature change which is different from the case where the emitter current Ir of the transistor Q6 is constant. Specifically, the change in the base-emitter saving, when the emitter current Ir decreases as the temperature drops, is less than in the case in which the emitter current Ig. is constant. This difference is compensated for by the resistors ILq and Pi ,,. This is represented numerically by the following formula:

TCT FTTCT FT

9 β 9 9 / T 9 β 9 9 / T

6 6 6 6

Q. cl T *Q. c l T *

wobei bei einer Änderung der Temperatur um 50 0G die Differenz, die kompensiert wird, näherungsweise 4 mV ist.with a change in temperature of 50 0 G, the difference that is compensated is approximately 4 mV.

Ein veränderlicher Widerstand R ist ein Widerstand -zur Einspeisung von Daten wie der Werte der Blendenöffnung und Filmempfindlichkeit, und die darin erzeugte Spannung ist 1G * Es = 1G x (nr)> wobei?die Zahl der Einstellschwellen und r ein T</iderstandswert pro 1^ ist. Bei der Einstellung von η entsprechend den Vierten der Blendenöffnung- und Filmempfindlichkeit zeigt die am Widerstand Π erzeugte Spannung die Änderung, wie es in Fig. 7 dargestellt ist. Die Summe der Ausgänge V des logarithmischen Verstärkern P (dieA variable resistor R is a resistor -for feeding data such as the values of the aperture and film sensitivity, and the voltage generated therein is 1 G * E s = 1 G x ( nr) > where? Is the number of setting thresholds and r is T < / is the resistance value per 1 ^. With the setting of η corresponding to the fourth of the aperture and film sensitivity, the voltage generated across the resistor Π shows the change as shown in FIG. The sum of the outputs V of the logarithmic amplifier P (the

- 30 -- 30 -

309820/0673309820/0673

Spannung zwischen der■positiven Seite des Widerstandes R91 und der negativen Seite der Energiequelle 10 wird mm wiedergegeben durch die Formel:Voltage between the ■ positive side of the resistor R9 1 and the negative side of the energy source 10 is given by the formula:

71 ρ t ρ ρ I U7. llO -Wi '1VfIo 71 ρ t ρ ρ I U 7. ll O -Wi ' 1 VfIo

V — \J 4- fT L n ' ) T fT> P O UiJ N τV - \ J 4- fT L n ' ) T f T> P O UiJ N τ

^T^G^cds^^ T ^ G ^ cds ^

wobei R1 ein aus den Widerständen Ii.,,,, R,, und R... kombinierter Widers tandsv/ert, Rcds ein aus den Widerständen Reels 1, Rcds2 und Rc< kombinierter Widers tandswert ist. Dies ist in Fig. ü durch ein typisches Beispiel dargestellt, inwhere R 1 is a resistance value combined from the resistances Ii. ,,,, R ,, and R ..., Rcds is a resistance value combined from the resistances Reels 1, Rcds2 and R c <. This is shown in Fig. Ü by a typical example, in

der.i R und R η , das heißt der Wert der Blendenöffnung, s cds u der.i R and R η , that is, the value of the aperture, s cds u

der Filmempfindlichkeit und der Helligkeit des zu'photographierenderi Objekts mit der Temperaturänderung gezeigt sind. Wie aus dieser Skizze zu ersehen ist, ist, soweit die Charakteristik der Ausgangsspannung betrachtet wird, da der limit terstrom I., . oder I,- in Bezug auf die Spannung der Energiequelle E stabil ist, diese Ausgangsspannung stabilisiert. Inzwischen wird diese Spannung in Bezug zur Temperatur parallel verschoben, weil die Llasis-Einittor- the film sensitivity and the brightness of the object to be photographed are shown with the change in temperature. As can be seen from this sketch, as far as the characteristic of the output voltage is considered, since the limit current I.,. or I, - is stable with respect to the voltage of the energy source E, this output voltage is stabilized. Meanwhile, this voltage is shifted in parallel with respect to temperature because the Llasis-Einit gate

die Basis-Emitter-Sparinung BEQ9 des Triuisistors QS1 ansteigt, so/wie die Umgebungstemperatur fäLlt, und, da die Emitterströme I., und Ir proportionaLziir absoluten Temperatur sind, wird der Gradient der Ausgangsspannung V kLcin.the base-emitter saving BEQ9 of the transistor QS 1 increases as the ambient temperature falls and, since the emitter currents I., and Ir are proportional to the absolute temperature, the gradient of the output voltage becomes V kLcin.

- 31 -- 31 -

309820/0673309820/0673

In Verbindung mit dem in den Figuren 5 (A) und (B) gezeigten Speichermittel Me wird das V der Ausgänge des logarithinischen Verstärkers P darin aufgeladen und die Ausgangsspannung V wird mit Hilfe eines Schalters S2 abgeschnitten, wenn der Spiegel gedreht wird und so der Wert der Ausgangsspannung V für eine zur Steuerung der Be-In conjunction with that shown in Figures 5 (A) and (B) Storage means Me, the V of the outputs of the logarithinic amplifier P is charged therein and the output voltage V is cut off with the help of a switch S2 when the mirror is rotated and so the value the output voltage V for a control of the loading

wird lichtungsdauer erforderliche Zeitspanne gehalten/, so daß sie dem folgenden Zeitstromkreis Tc als Eingangsgröße zugeführt v/erden kann und die Änderung der Ausgangsspannung V für die Zeit der Belichtungsdauer einen vernachlässigbaren Kapazitätswert einstellt.the required period of time is held / so that it can be fed to the following time circuit Tc as an input variable and the change in the output voltage V sets a negligible capacity value for the duration of the exposure.

Bei dieser Erfindung ist es unter der Bedingung von einigen F möglich,eine ausreichende Haltezeit aufrecht zujferhalten, die für einen Fehler der Belichtungsdauer vernachlässigbar ist.In this invention, under the condition of a few F, it is possible to maintain a sufficient holding time, which is negligible for an error in the exposure time.

Der Zeitstromkreis(Zeitglied) Tc besteht, wie in Fig. 5 (B) dargestellt, aus einem Stromkreis, in dem ein Transistor Q12 durch einen Schalter S4 gesteuert wird, der im Zusammenhang mit dem Auslösen des Verschlusses entsprechend einer Eingangsgröße der Speichernd ttel, die die Ausgangsgröße V des logarithmseben Verstärkers P speichern, geöffnot wird. Dieser Transistor Q12 und ein Kondensator C2 sind miteinander in lieihe geschaltet, um an einem Verbindung spunkt Eingangsgrößen zu erzeugen; wodurch die Be-. lichtungndauor automa!if3ch gesteuert wird, indem die Werte dor lüeridenöffnimp und Filmenipfindliclikeit eingestelltThe timing circuit (timer) Tc is as in FIG. 5 (B) from a circuit in which a transistor Q12 is controlled by a switch S4 which is set in the Connection with the triggering of the lock according to an input variable of the storage device, which is the output variable V of the logarithmic amplifier P store, opened will. This transistor Q12 and a capacitor C2 are connected in series to be connected to one another point to generate input variables; whereby the loading. lichtungndauor automa! if3ch is controlled by the values dor lüeridenöffnimp and Filmenipfindliclikeit discontinued

3
30 9 H 20/0673, -- .:
3
30 9 H 20/0673, -. :

BAD ORIQtNAL.BAD ORIQtNAL.

v/erden. Außerdem gehört zu dem Zeitstromkreis ein Stromkreis, in dem ein wahlweise verfügbarer, veränderlicher Widerstand Rm und ein Kondensator CU miteinander in Reihe geschaltet sind, um an ihrem Verbindungspunkt Ausgangsgrößen zu erzeugen, so daß eine gewünschte Belichtungsdauer durch Betätigung der darin eingeschlossenen Umschalter AM-. und AMp vonhand eingestellt werden kann.v / earth. In addition, the timing circuit includes a circuit in which an optionally available, variable resistor R m and a capacitor CU are connected in series with one another to produce output variables at their connection point, so that a desired exposure time by actuating the switch AM- included therein. and AMp can be set manually.

Angenommen, eine Bezugsspannung des Niveau-Ermittlungsstromkreises D, mit anderen Worten die Spannung zwischen der Basis des Transistors Q14 und dem positiven Pol der Energiequelle E ist durch Vq1 gegeben, dann erhält man die Belichtungsdauer T1 durch die folgende Formel. Im Fall der manuellen Einstellung lautet wie bekannt die Formel:Assuming that a reference voltage of the level detection circuit D, in other words the voltage between the base of the transistor Q14 and the positive pole of the power source E, is given by Vq 1 , the exposure time T 1 is obtained by the following formula. In the case of manual adjustment, as is well known, the formula is:

1
T' = C5RT,Cn C flp—)
1
T '= C 5 R T , Cn C flp—)

5T flp 5T flp

1- E 1 - E

Im Fall der automatischen Steuerung ist, wenn der Kollektor strom des Transistors 0,12 Iqq-io unc* wenn ^xr= 0 ist, da es der Fall einer Ladung mit konstantem Strom ist, die Belichtungsdauer T1:In the case of automatic control, if the collector current of the transistor is 0.12 Iqq-io unc * if ^ xr = 0, since it is the case of a constant current charge, the exposure time T 1 is :

1CQI2 1 CQI2

Die Belichtungsdauer T1 im Fall der manuellen Einstellung erhäl1/inan durch die vorangestellte Formel; Wie bekanntest sie stabil entweder für Änderungen der Spannung der Energiequelle E oder für Temperatüränderungen, und deshalb wirdThe exposure time T 1 in the case of manual setting is given by the preceding formula; As you know, it is stable either to changes in the voltage of the energy source E or to changes in temperature, and therefore becomes

- 33 309820/0673 - 33 309820/0673

eine weitere Beschreibung nicht gegeben, sondern nur der Fall der automatischen Steuerung wird in Bezug auf die Spannungsänderung der Energiequelle E und die .Änderung der Umgebungstemperatur beschrieben.no further description is given, only the Case of automatic control is related to the Change in voltage of the energy source E and the change the ambient temperature.

Zunächst in Bezug auf die SpannungsSchwankung der Energiequelle E ist im Hinblick auf Fig. 5 (B) in der vorgenannten Formel Vm gegeben durch die FormelFirst , with respect to the voltage fluctuation of the power source E, referring to Fig. 5 (B), in the aforementioned formula, Vm is given by the formula

. ' VB16+H13 -. 'V B 16 + H 13 -

und wennand if

6),- dann gilt 6 ), - then applies

+ R16 + R 16

Entsprechend unterliegt die Belichtungsdauer T1 b,ei Span- . nungsSchwankungen der Energiequelle E keiner änderung und es reicht aus, den. Wert von.Iqq.^ mit einer festen Ra-te zu ändern, das heißt es reicht aus, das Basispotential des , Transistors Ql2 zu ändern.The exposure time T 1 b, ei Span- is correspondingly subject. voltage fluctuations of the energy source E no change and it is sufficient that the. To change the value of.Iqq. ^ At a fixed rate, i.e. it is sufficient to change the base potential of the transistor Ql2.

Im Falle, daß der Widerstand E13 und der Kondensator G, für die Speicherung in-der in Figi 5 (B) darge'steilten Weise verbunden sind, ändert sich L.p.p' vonl·', auf I0, Wenn sieh1 die Spannung der Energiequelle E von EV auf E9 ändert;' defr Schwankimgsbetrag VgrjAVp der Basis-F.mitter-SpammngIn the event that the resistor E13 and the capacitor G, for storage are connected in the manner shown in Fig. 5 (B), Lpp 'changes from 1 ·' to I 0 , if 1 is the voltage of the power source E changes from EV to E 9 ; ' defr fluctuation amount VgrjAVp of the basic F.mitter-Spammng

- 34 309820/0673 - 34 309820/0673

des Transistors Q12 erhält man wie folgt aus der allgemeinen Transis torformel:of transistor Q12 is obtained from the general as follows Transistor formula:

1I KTe 1Z 1 I KT e 1 Z

O J.O J.

KTKT

η Iη I

f[ f [

1/ X21 / X 2

und angenommen, daß die Belichtungsdauer T1 konstant ist,and assuming that the exposure time T 1 is constant,

PP PPP P

G2 lli5 °2 R ,p- G 2 ll i5 ° 2 R, p-

T _ „ γ ft1 T _ ___«__ γ 1^. , L1 T _ "γ ft 1 T _ ___" __ γ 1 ^. , L 1

Φ · Px T? *- Φ · P ill ^ Φ · Px T? * - Φ · P ill ^

Dementsprechend lautet die oMge Forme] KT a Accordingly, the oMge form is] KT a

v/odurch, uenu^K = ß, - E0 i£;t, die folgende Formel erhaLten v/ird:v / odurch, uenu ^ K = ß, - E 0 i £; t, the following formula will be obtained:

KTKT

den I'etrag der i'pnnnimrs'iolu/anlviirji; de. > noL'gi.efjile Vi bodru.Lot und dor U'lcIol·:-: ti:tu!i:wüft don I- LJt ■.■'.:■ ί'κ .'!^;··the amount of the i'pnnnimrs'iolu / anlviirji; de. >noL'gi.efjile Vi bodru.Lot and dor U'lcIol ·: -: ti: tu! i: wüft don I- LJt ■. ■ '.: ■ ί'κ .'! ^; ··

309820/0673309820/0673

BAD ORfQW^iALBAD ORfQW ^ iAL

jL·, so festgelegt ist, daß er die obige Formel erfüllt. Wenn z.B. E = 6V und E = 2V ist, dann ist die spannung zwischen den Anschlüssen des Widerstandes R^7 näherungsweise 60 mV. . .jL · is determined to satisfy the above formula. If, for example, E = 6V and E = 2V, then the voltage between the terminals of the resistor R ^ 7 is approximately 60 mV. . .

Dadurch ist im wesentlichen die vollständige Spannung gegen diese SponnungsSchwankung der Energiequelle E, die statt- ν findet, wenn der Elektromagnet Mg, dessen Stromverbrauch hoch ist, leitend gemacht wird, kompensiert.This means that essentially all of the tension is against this voltage fluctuation of the energy source E, which instead of- ν found when the electromagnet Mg, whose power consumption is high, is made conductive, compensates.

Um im Falle der Temperaturänderung den Wert der Belichtungsdauer T1 frei, von Schwankungen zu halten, muß der Kollektarstrom I™-io ^es Transistors 0,12 stabil gehalten werden, sollten die Werte des Kondensators Cp und Vm konstant sein. Im allgemeinen wird ein Transistor dargestellt durchIn order to keep the value of the exposure time T 1 free from fluctuations in the case of a temperature change, the collector current I ™ -io ^ es transistor 0.12 must be kept stable, the values of the capacitor Cp and Vm should be constant. In general, a transistor is represented by

KT I
VBEQ12 φ —2- In ~^-2 und seine Charakteristik ist in
KT I
V BEQ12 φ -2- In ~ ^ - 2 and its characteristic is in

q Sq p

Fig. 9 wiedergegeben.Fig. 9 reproduced.

Wie aus der iJkizze ersichtlich ist, ist in der Charakteristik zu bemerken, daß eine Komponente eine Parallelverschiebung und eine Komponente eine Änderung in ihrem · Gradienten aufweist, wenn sich die Temperatur ändert. Der Grr-dient der betreffenden Komponente ändert sich proportional zur absoluten Temperatur, wie aus der vorgehendem FormelAs can be seen from the sketch, it is noted in the characteristic that a component has a parallel displacement and a component has a change in its gradient when the temperature changes. The Grr-serves of the component in question changes proportionally to the absolute temperature, as shown in the previous formula

3 0 9820/0 6 733 0 9820/0 6 73

Sov/eit die Belichtungsdauer T' betroffen ist, wird dementsprechend die Kompensation so vollzogen, so daß diese zwei Wirkungen der Basis-Emitter-Spannung Vr»™..ρ des Transistors Q12 ausgeglichen werden»So / eit the exposure time T 'is concerned, accordingly the compensation is carried out so that these two effects of the base-emitter voltage Vr »™ ..ρ of the transistor Q12 to be balanced »

Im Hinblick auf die Formel, die die Ausgangsspannung V des logarithmischen Verstärkers P darstellt, kompensiert die Änderung der Basis-Emitter-Spannung Vd-pao des Transistors Q9 die Änderung der Komponente, die eine Parallelverschiebung in der Basis-Emitter-Spannung Vn^n-io des Tran-Regarding the formula that the output voltage V of the logarithmic amplifier P compensates for the change in the base-emitter voltage Vd-pao of the transistor Q9 the change in the component causing a parallel shift in the base-emitter voltage Vn ^ n-io of the tran-

. , /Q12 auf we is.t«, wenn ein Transistor ,7 . ,., , . sistoivverwenaex wird, der aie gleiche Charakteristik hat wie die Transistoren Q9 und 0,12, während, was den Komponenten anbetrifft, dessen Gradient sich proportional zur absoluten Temperatur ändert, die Kompensation, da die Emitterströme 1.,.,,Ir proportional zur absoluten Temperatur sind, durch diese erreicht wird.. , / Q12 on we is.t «if a transistor, 7. ,.,,. sistoivverwenaex, which has the same characteristics like transistors Q9 and 0.12, while what the components concerned, the gradient of which changes proportionally to the absolute temperature, the compensation, since the emitter currents 1.,. ,, Ir are proportional to absolute temperature, by this is achieved.

Insbesondere im Fall einer kurzen Belichtungsdauer wird die zur Speicherung auf den Kondensator C1 aufgeladene Ladung leicht durch den Transistor Q12 und den Widerstand IL, entladen. Wenn der Basisstrom des Transistors Q12 ibQ-,ρ is^» wird das auf die Basis des Transistors Q12 gegebene Potential um den Betrag ibQ12 χ IL, gesenkt, und dadurch wird die Charakteristik der Belichtungsdauer gebildet, zu der ein im wesentlichen fester Wert durch einen dem Spannungsabfall entsprechenden Wert hinzugefügt wird; zum Beispiel 1,1mS für 1/1 000 C = 1mS, 2,1 mf; für 1/500 S = 2 mS, 4,1 mS für 1/25O:-3 = 4 mS.Particularly in the case of a short exposure time, the charge charged to the capacitor C 1 for storage is easily discharged through the transistor Q12 and the resistor IL. When the base current of the transistor Q12 ibQ-, ρ is ^ », the potential applied to the base of the transistor Q12 is lowered by the amount ibQ12 χ IL, and thereby the characteristic of the exposure time is formed, at which a substantially fixed value by a the value corresponding to the voltage drop is added; for example 1.1mS for 1/1000 C = 1mS, 2.1 mf; for 1/500 S = 2 mS, 4.1 mS for 1 / 25O: -3 = 4 mS.

- 37.-309820/0673 - 37. - 309820/0673

dies EU kompensieren^ wenn ein halbfester Widerstand E^c zwischen den Transistor 0,12 und den Kondensator C2 geschaltet ist„ wie dies in -Figo 5Compensate this EU ^ if a semi-fixed resistor E ^ c is connected between the transistor 0, 12 and the capacitor C 2 "as in -Figo 5

C 2^C 2 ^

in ; τ» =in ; τ »=

Aus der Formal ist ^u ersehen,, daß tin fester" Sekundenwert gleichwertig dem Verzögerungselement ^p%5 abgsi®itet werden kann. Wann §mn Beispiel 1„1· mS wunschgemäi gu 1 mS gemacht werden soll und. wenn C2 β 1 /iF iste so wird der Wert des Widerstandes IUr "auf I00 8 eingeitt]For the formalities ^ u is seen that ,, tin solid "seconds value of the delay element may be equivalent ^ p% 5 a bgsi®itet. When §mn Example 1" is to be made 1 × mS wunschgemäi gu 1 mS and, when C2 β 1 / iF is e so the value of the resistance IUr "is introduced to I00 8 ]

Der Ii?iin^feffllttlragiitromkr©ieS in Ii§0 5 (S) ist so aufgebaut» daß il@ duroh dia Widthstäadt R1Kpl*/-.. oder ©inen veränderliehen Widerstand !Lp g®"tsilt© Spanning einem Anschluß auf der Eingangsseite des Niveau<=Ermittlungs-Stromkreises D zugeführt wird ο so, daß diese, Spannung,rals sine Bezugs spannung;The Ii? Iin ^ feffllttlragiitromkr © ieS in Ii§ 0 5 (S) is constructed in such a way that il @ duroh the width city R 1 Kpl * / - .. or © inen changing resistance! Lp g® "tsilt © spanning a connection the input side of the level <= detection circuit D is supplied ο so that this, voltage, r as its reference voltage;

& 2. oben- erwannt^(?rofe^Y™ isxi, . & 2. above- mentioned ^ (? Rofe ^ Y ™ isxi,.

dient (welehas/wlhrend der andere Insciiluß auf der Eingangs-QQI T(S Wi- *f τ fißVi1 "\ΓΩ*ν»*Κ ΤΤΙΠΊΊΉίϊ1 ΠΩ© Alles ^VQVl Gf^Tiiil^inlrT ©© OfS)Q 7ai γο ΤΤ?ΠΤΠοαserves (welehas / while the other insciiluß on the input QQI T (S Wi- * f τ fißVi 1 "\ ΓΩ * ν» * Κ ΤΤΙΠΊΊΉίϊ 1 ΠΩ © Alles ^ VQVl Gf ^ Tiiil ^ inlrT © © OfS) Q 7ai γο ΤΤ? ΠΤΠοα

toi tV' *—1^ itoi tV '* - 1 ^ i

kreises-. Te Terbunden ist? die Lade Spannung äex Kondensatoren Cn. und Gx wird mit der Bezugsipaanung fergLichen und dadurch ■@au ermittelto." 'circular. Te Terbunden is? the charge voltage eex capacitors Cn. and G x is matched with the reference pairing and thus ■ @ auo determined. "'

In Figo 5 (Β), bilden die Transistoren 0,13 und 0,14" einen anIn Fig o 5 (Β), the transistors 0.13 and 0.14 "form one

309820/0673309820/0673

sich bekannten Differentialverstärker, bei dem ein Transistor Q16 als Versorgungsquelle mit konstantem Strom dient» Ein Stromkreis bestehend aus dem Transistor Q17 und den Widerständen R^ ,ILg stimmt im Aufbau überein mit dem Stromkreis, der aus dem Transistor Q1 und den Widerständen R-pRp in dem Generatorstromkreis I für konstanten Strom besteht. Da der Kollektor des Transistors Q1 in Bezug auf SpannungsSchwankungen der Energiequelle stabil ist, ist der Kollektorstrom des Transistors Q12 extrem stabil in Bezug auf SpannungsSchwankungen der Energiequelle» Was die Beziehung zn Temperaturänderungen anbetrifft, so folgt, sollte die Basis des Transistors Q16 direkt mit dem Kollektor des Transistors Q17 verbunden sein, daß der Kollektorstrom des Transistors Q16 Änderungen unterliegt, und deshalb ist eine Pufferschaltung, bestehend aus den Dioden -Dz9D. und den Widerständen R^q, Rp^vorgesehen, um den Kollektorstrom zu stabilisieren,, Durch Wirkung dieses Stromkreises werden die Transistoren Q13 und Q14 beständig betätigt ρ um am Kollektor des Transistors Q22, der ein Ausgangspunkt des Niveau-Ermittlungsstromkreises D ist, eine stabile Auagangngröße zu erzeugen.known differential amplifier, in which a transistor Q16 serves as a supply source with constant current »A circuit consisting of the transistor Q17 and the resistors R ^, ILg has the same structure as the circuit consisting of the transistor Q1 and the resistors R-pRp in the generator circuit I for constant current exists. Since the collector of the transistor is stable with respect to voltage fluctuations in the power source Q1, the collector current of the transistor Q12 is extremely stable "Concerning the relationship zn temperature changes, follows in terms of voltage fluctuations in the power source so should be the base of the transistor Q16 directly to the collector of the transistor Q17 must be connected so that the collector current of the transistor Q16 is subject to changes, and therefore a buffer circuit consisting of the diodes -Dz 9 D. and the resistors R ^ q, Rp ^ is provided to stabilize the collector current ,, by effect of this circuit, the transistors Q13 and Q14 are constantly operated ρ to generate a stable output at the collector of the transistor Q22, which is a starting point of the level detection circuit D.

Der Im Fi.go 5 (B) gezeigte Verzögerungsstromkreis wird in dem Fall verwendet, daß die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung bei einer Kamera mit Schlitzverschluß angewendet wird und daß in diesem Fall ein fester Sekundenwert dem vom Zeitstromkreis Tc eingestellten Wert der BelichtungsdauerThe In Fi.g o 5 (B) delay circuit shown is used in the case that the device of the present invention is applied to a camera with a focal plane shutter, and that in this case, a fixed second value to the set from the time circuit Tc value of the exposure period

_ 39 309820/0673 _ 39 309820/0673

hinzugefügt werden muß, wegen des Unterschiedes der Ausgangsstellung der Bewegung zwischen vorlaufendem und nachlaufendem Schirm, wie weiter oben bereits erwähnt wurde. In diesem VerzögerungsStromkreis De sind ein halbfester Widerstand ELo und ein Kondensator C, miteinander in Reihe geschaltet. Beide Anschlüsse dieses Kondensators C, sind mit "einem Transistor 0,23 verbunden , um diesen Transistor Q23 entsprechend dem Ausgangssignal des Niveau-Ermittlungs-Stromkreises D leitend oder nicht leitend zu machen, wobei dieser Kondensator G, in einen Kurzschlußzustand oder in einen offenen Zustand gebracht wird„ Mit Hilfe der Ladekennlinie des Kondensators C. und des halbfesten Widerstands Rpn wird eine feste Rate an Zeitverzögerung vorgesehen. In dem Stromkreis dient die Verbindung zwischen dem Widerstand Rpn und dem Kondensator C, als Ausgangspunktβ must be added because of the difference in the starting position of the movement between the leading and trailing screen, as already mentioned above. In this delay circuit De are a semi-fixed resistor ELo and a capacitor C connected in series with each other. Both terminals of this capacitor C are connected to a transistor 0.23 in order to make this transistor Q23 conductive or non-conductive in accordance with the output signal of the level detection circuit D, with this capacitor G in a short-circuit state or in an open state "With the help of the charging characteristic of the capacitor C. and the semi-fixed resistor Rpn, a fixed rate of time delay is provided. In the circuit, the connection between the resistor Rpn and the capacitor C serves as the starting point β."

Der Betätigungsstromkreis A ist in der Lage,die Spannungsänderung am Ausgangspunkt des Verzögerungsstromkreises De zu ermitteln und zu verstärken, um den Elektromagneten Mg zu betätigen.The actuation circuit A is able to control the voltage change at the starting point of the delay circuit De to detect and amplify to operate the electromagnet Mg.

In Figo 5 (B) wird die Spannung der Energiequelle E durch die Dioden D5, D6 und die Widerstände ^αι^ο geteilt, um am Verbindungspunkt der Widerstände R^R™ eine Bezugs™ spannung/und die iinderung der Ausgangs spannung am Ausgangspunkt des Verzögerungsstromkreises De werden verglichen, um In Figo 5 (B), the voltage of the energy source E is divided by the diodes D5, D6 and the resistors ^ αι ^ ο at the connection point of the resistors R ^ R ™ a reference ™ voltage / and the reduction of the output voltage at the starting point of the Delay circuit De are compared to

/"zu erzeugen. Die Bezugsspannung/ ". The reference voltage

- 40 -- 40 -

309820/0673309820/0673

durch den Transistor Q24 festgestellt zu werden und durch die Transistoren 0,25, Q26 und Q27 verstärkt zu werden.to be detected by transistor Q24 and through the transistors 0,25, Q26 and Q27 to be amplified.

In gleicher Weire werden in diesem Stromkreis die zwei in Reihe geschalteten Dioden D5 und D6 zur Kompensation im Falle der SpannungsSchwankung der Energiequelle E und Temperaturänderung gebraucht.In the same way, the two in Series-connected diodes D5 and D6 to compensate for the voltage fluctuation of the energy source E and Temperature change needed.

In diesem Fall folgt aus der FormelIn this case it follows from the formula

1 '" VBEQ24
W4 il29i"n30
1 '" V BEQ24
W 4 il 29 i " n 30

E.VBEQ24_ E .V BEQ24 _

R29+R30 R 29 + R 30

wonach.wenn VD5 = V^ = VBEQ24 und R = R after which. if V D5 = V ^ = V BEQ24 and R = R

2y2y

t = C4R20 In 2,t = C 4 R 20 In 2,

so daß/eine stabilisierte Rate einer zeitlichen Verzögerung erhält.so that / maintains a stabilized rate of time lag.

In der mit Schlitzverschluß ausgerüsteten Kamera betätigt der Elektromagnet Mg Anker, die mit der Befestigung desIn the camera equipped with a focal plane shutter, the electromagnet actuates the armature, which is connected to the fastening of the

- 41 309820/0673 - 41 309820/0673

nachlaufenden Schirms verbunden sind. Ein mit dem Elektromagneten Ma in Reihe geschalteter Widerstand R^-, dient dazu, den Stromfluß durch den Elektromagneten Md auf den geeigentsten Wert zu bringen. Dioden B7,D8 und B9 sind zu dem Zweck angeordnet, den Transistor Q27 gegen Beschädigung durch die gegenelektromotorische Kraft des Elektromagneten Mg zu schützen. Ein Kondensator C1- ist -mit dem Elektro-. · magneten Mg und einem Widerstand R^ parallel geschaltet und kompensiert die Änderung zwischen den AbIöseintervallen der Anker vom Elektromagneten Mg, und dies trägt zur Vergrößerung der Genauigkeit im Funktionieren des Stromkreises bei, insbesondere wenn eine kurze Belichtungsdauer eingesteHt ist. Sowohl der Widerstand R™ und ein Transistor Q32, dessen Kollektor mit einem Anschluß auf der Eingangsseite des Niveau Ermittlungs-Stromkreises D verbunden ist, sind vorgesehen, um Schwingungen im Stromkreis zu verhindern, die aus dem folgenden Grund verursacht werden:trailing shield are connected. A resistor R ^ - connected in series with the electromagnet Ma serves to bring the current flow through the electromagnet Md to the most suitable value. Diodes B7, D8 and B9 are arranged for the purpose of protecting the transistor Q27 from damage by the back electromotive force of the electromagnet Mg. A capacitor C 1 - is -with the electric-. Magnet Mg and a resistor R ^ connected in parallel and compensates for the change between the separation intervals of the armature from the electromagnet Mg, and this contributes to increasing the accuracy in the functioning of the circuit, especially when a short exposure time is established. Both the resistor R ™ and a transistor Q32, the collector of which is connected to a terminal on the input side of the level detection circuit D, are provided to prevent oscillation in the circuit caused by the following reason:

Man ist immer bemüht, eine Energiequelle, die in einer Kamera angewendet werden soll, in ihrer Größe zu reduzieren wegen der sie umgebenden Bedingungen .und der Ausmaße der Kamera;, deshalb müssen darin verwendete Trockenzellen extrem miniaturisiert sein. Wenn in diesem Fall eine große Strommenge (z.B. 30 mA) in den Elektromagneten Mg eingespeist werden sollten, würde dies zu einem Spannungsabfall in den Trockenzellen führen. Wenn andererseits der Elektromagnet nicht leitend gemacht wird, nimmt die Belastung derThere is always an effort to reduce the size of an energy source to be used in a camera because of the conditions surrounding it and the dimensions of the camera; therefore, dry cells used therein must be extremely miniaturized. In this case, if a large amount of current (for example 30 mA) were to be fed into the electromagnet Mg, this would lead to a voltage drop in the dry cells. On the other hand, if the electromagnet is made non-conductive, the load on the

- 42 -309820/0673- 42 -309820/0673

Trockenzellen drastisch ab und als Folge steigt die Spannung der Trockenzellen unmittelbar leicht an und kehrt danach zum Ausgangszustand zurück. Dementsprechend ändert sich im ZeitStromkreis Tc und im Niveau-Ermittlungs-Stromkreis D, angenommen der unmittelbare Spannungsanstieg in der Versorgungsquelle ist ΔΕ, die Basisspannung des Transistors Q14 des Niveau-Ermittlungs-StromkreisesDry cells decrease drastically and as a result the tension of the dry cells immediately increases slightly and reverses then return to the initial state. Accordingly, Tc changes in the time circuit and in the level detection circuit D, assuming the immediate voltage rise in the supply source is ΔΕ, the base voltage of the transistor Q14 of the level detection circuit

R15 R 15

auf A E χ , während die Basis des anderenon A E χ while the base of the other

Transistors Q13 des Differenzverstärkers nicht der Änderung der Spannung der Energiequelle E folgt, und zwar aufgrund der mit ihm verbundenen Kondensatoren C9 und C,. InfolgedessenThe transistor Q13 of the differential amplifier does not follow the change in the voltage of the energy source E due to the capacitors C 9 and C i connected to it. Consequently

ändert SiQh1 die Basisspannung ά ■> SiQh 1 changes the base voltage ά ■>

des Transistors Q13 um^E» Dadurch wird veranlaßt, daß der Stromkreis in seinen Ausgangszustand aus dem Zustand, der Beendigung der Steuerung zurückversetzt wird, und das wird wiederholt und verursacht das Schwingendes Stromkreises.of transistor Q13 by ^ E »This causes the Circuit is reset to its initial state from the state of termination of control, and that will repeats and causes the circuit to oscillate.

Der in Fig. 5 (A) dargestellte Meßstromkreis M betätigt durch Ausgangssignale des logarithmischen VerstärkersP, die ihm als Eingangssignale zugeführt werden, ein Meßinstrument Met. Dieses Meßinstrument zeigt, wie in Fig. 10 dargestellt, einen eingestellten V/ert der Belichtungsdauer an und ist in der Lage, ein Warnsignal abzugeben, wenn ein eingestellter V/ert der Belichtungsdauer, der aus einer Kombination der Werte der Blendenöffnung, der Filmempfind-The measuring circuit M shown in Fig. 5 (A) operated by output signals of the logarithmic amplifier P, which are fed to it as input signals, a measuring instrument Met. As shown in FIG. 10, this measuring instrument shows a set value of the exposure time and is able to emit a warning signal if a set value of the exposure time, which is derived from a combination of the values of the aperture, the film sensitivity

- 43 -309820/0673- 43 -309820/0673

lichkeit und der Helligkeit des zu photographierenden Objekts "bestimmt wurde, den zulässigen Bereich der Verriegelung überschreitet. Gemäß Fig. 5 (A) wird das Eingangssignal des Meßstromkreises M der Basis eines Transistors Q31 zugeführt, und wenn dieses Potential sich ändert, wird das Emitterpotential des Transistors Q31 durch die folgende Formel wiedergegeben:possibility and the brightness of what is to be photographed Object "was determined, the permissible range of the interlock exceeds. As shown in Fig. 5 (A), the input signal of the measuring circuit M becomes the base of a transistor Q31 is supplied, and when this potential changes, the emitter potential of the transistor Q31 becomes as follows Formula reproduced:

(Emitterpotential von Tr. Q30) = V +(Emitter potential of Tr. Q30) = V +

Demgemäß ändert sich das Emitterpotential in gleicher Weise wie das Ausgangspotential V des logarithmischen Verstärkers P. Ein Emitterpotential des Transistors Q34 wird durch die folgende Formel wiedergegeben:Accordingly, the emitter potential changes in the same way as the output potential V of the logarithmic Amplifier P. An emitter potential of the transistor Q34 is represented by the following formula:

+VBEQ31 + hohe ~ VBEQ33 " VBEQ34 + V BEQ31 + high ~ V BEQ33 " V BEQ34

Demgemäß ist die Änderung des Emitterpotentials des Tran- ■ sistors Q34 gleichwertig der der Ausgangsspannung V des logarithmischen Verstärkers P. Die Ausgangsspannung V dieses Stromkreises bleibt bei SpannungsSchwankungen der Energiequelle unverändert, und der Emitterstrom I™ des Transistors Q30, der ein Eingangsstrom ist, wird stabil gehalten, wodurch die Genauigkeit der Meßanzeige gesichert wird. Inzwischen wird in Bezug auf die Änderung der Umgebungstemperatur ein, Ausgleich-zur Temperaturänderung vollzogen zwischen den Summen der Temperaturänderung in der oumme der Basic-Emitterspanmmg ^-dpqo 3 es Transistors Q9Accordingly, the change in the emitter potential of the Tran- ■ sistor Q34 is equivalent to that of the output voltage V des logarithmic amplifier P. The output voltage V of this circuit remains with voltage fluctuations of the Energy source unchanged, and the emitter current I ™ of the transistor Q30, which is an input current, is kept stable, thereby ensuring the accuracy of the gauge. Meanwhile, in terms of the change in ambient temperature a, compensation-for temperature change accomplished between the sums of temperature change in the oumme the basic emitter spanmmg ^ -dpqo 3 es transistor Q9

3 0.9 820/06733 0.9 820/0673

- 44 - ' "■-.■·■- 44 - '"■ -. ■ · ■

und VpT1V-^.. des Transistors Q31 und der Temperaturänderung in der Summe der Basis-Emitter-Sponnung V^110-,., des Transistors Q33 und ^twq^a des Transistors Q34, und der Emitterstrom I,q des Transistors Q30 ändert sie]] proportional zur absoluten Temperatur. Der Temperaturkoeffizient ist dabei näherungsweine 33OOPPM/°C, wehrend der Temperaturkoeffizient des inneren Widers Landes des Meßinstrumentes Met näherungsv/eise 3000PPM/ Cict, da seine -.pulcm auc Kupferdraht gewickelt sind. Diese beiden gleichen sich also gegenseitig aus und gewährleisten so die stabile und genaue Anzeige des Meßinstruments Met. Außerdem findet ein halbfester Widerstand H-zjf der, in Reihe mit dem Meßinstrument· Met, mit dem Emitter des Transistors Q34 verbunden ist, Anwendung, um die Gradientenkennlinie des Meßinstruments Met abzugleichen.and VpT 1 V- ^ .. of the transistor Q31 and the temperature change in the sum of the base-emitter voltage V ^ 110 -,., of the transistor Q33 and ^ twq ^ a of the transistor Q34, and the emitter current I, q of the transistor Q30 changes it]] proportionally to the absolute temperature. The temperature coefficient is approximately 33OOPPM / ° C, while the temperature coefficient of the internal contradiction of the measuring instrument Met is approximately 3000PPM / Cict, since its -.pulcm is also wound with copper wire. These two compensate each other and thus ensure the stable and accurate display of the measuring instrument Met. In addition, a semi-fixed resistor H-zjf , which is connected in series with the measuring instrument Met, to the emitter of the transistor Q34, is used to reduce the Adjust the gradient characteristic of the measuring instrument Met.

Da der Emitterstrom I7Q des Transistors Q30, wie bereits gesagt, sich proportional zur absoluten Temperatur ändert, weist der Betätigungsstrom des Transistors Q31 auch eine äquivalente Änderung auf.Since the emitter current I 7 Q of the transistor Q30 changes in proportion to the absolute temperature, as already stated, the actuation current of the transistor Q31 also has an equivalent change.

Das heißt im.einzelnen, die Basis-Emitter-Gpannung VmYjz-i des Transistors Q31 ändert sich ind er gleichen Weise wie die Basis-Emitter-Spannung Vnpno des Transistors Q9 des logarithmischen Verstärkers Ijtind verursacht einen leichten Fehler am Meßinstrument Met. Obwohl dieser Fehler so klein ist, daß keine besondeif Überlegung zur Kompensation erforderlich ist, ist in der vorliegenden Erfindung zum "wockIn particular, this means the base-emitter voltage VmYjz-i of transistor Q31 changes in the same way as the base-emitter voltage Vnpno of transistor Q9 des logarithmic amplifier Ijtind causes a slight Error in the measuring instrument Met. Although this error is so small that no special consideration needs to be given to compensation is, is in the present invention to "wock

309820/0673309820/0673

der Kompensation ein Widerstand R7Q zwischen der Ausgangsseite des logarithmischen Verstärkers- P und dem Transistor Q51, dem die Eingänge zugeführt werden, eingeschaltet. Wenn ein Transistor einem integrierten Stromkreis angehört, nimmt allgemein der Verstärkungsgrad eines NPN-Tran~ sistpffs bei einer jeweiligen Temperaturabnahme um 500C um näherungsweise 30 $> ab, während der eines PNP-Transistors um näherungeweise 50 T abnimmt. Wenn demgemäß die im Meßstromkreis verwendeten Transistoren 031 und Q32 zu einem integrierten Stromkreis gehören, nimmt ihr Verstärkungsgrad um näherungsweise insgesamt 65 ab. Das heißt im einzelnen, der Basisstrom des Transistors Q31 steigt mit der Abnahme der Temperatur-an, und dann&adert sich die am Widerstand Ti-zQ abfallende Spannung mit der Tempera tür änderung.the compensation a resistor R 7 Q between the output side of the logarithmic amplifier P and the transistor Q51, to which the inputs are applied, switched on. When a transistor belonging to an integrated circuit, generally increases the gain of an NPN-Tran ~ sistpffs at a particular temperature decrease of 50 0 C to> approximately $ 30, while that of a PNP transistor decreases by approximations, 50 T. Accordingly, if the transistors 031 and Q32 used in the measuring circuit belong to an integrated circuit, their gain decreases by approximately a total of 65 1 ° . In detail, this means that the base current of the transistor Q31 increases with the decrease in temperature, and then the voltage drop across the resistor Ti-zQ corrodes with the change in temperature.

Wenn der Wert einer Spannungsänderung am Widerstand IUg auf ein der Änderung der Basis-Emitter-Spannung Y^,/ des Transistors Q31 gleichwertiges Maß gebracht wird, kann demgemäß der Fehler der Anzeige am Meßinstrument Met auf ein vernachlässigbares Maß verringert werden.If the value of a voltage change across the resistor IUg on one of the change in the base-emitter voltage Y ^, / of the transistor Q31 is brought to an equivalent level, the error of the display on the measuring instrument Met can accordingly can be reduced to a negligible extent.

Wenn die Transistoren Q31 und Q32 normale Transistoren sind, ist die Abnahme des Verstärkungsgrades entweder eines NPN- oder eines PNP-Transistor* näherungsweise 30 $> und deshalb muß der Widerstandswert des Widerstandes RZQ dementsprechend eingestellt werden.When transistors Q31 and Q32 are normal transistors, the decrease in gain of either an NPN or a PNP transistor * is approximately 30 $> and therefore the resistance of resistor R ZQ must be adjusted accordingly.

- 46 -- 46 -

309820/0673309820/0673

Elemente, die in der vorhergehenden Beschreibung der jeweiligen Stromkreise ausgelassen wurden, werden im folgenden beschrieben:Elements that are in the previous description of the respective Circuits that have been omitted are described below:

(i) Im Generatorstromkreis für konstanten Strom ist hinsichtlich des Widerstandes Rr, der mit der Basis bzw. dem Kollektor der beiden in Reihe geschalteten Transistoren Qc und Qir verbunden ist, ersichtlich, daß Änderungen des Widerstandswerts dieses Widerstands IL-eine Änderung des Emitterstroms L· des Transistors (L-verursachen. Denn im logarithmischen Verstärker P ist die Änderung der Charakteristiken der zwei zusammengesetzten, photoleitenden Elemente Rp^qi und Rpjqo durch die halbfesten Widerstände Rq und RA abgeglichen, wobei der Gradient, der die Änderung der eingestellten Werte der Helligkeit des zu photographierenden Objekts zeigt, der Charakteristik des Eingangstransistors CLp des Zeitstromkreises entsprechen muß. Mit anderen Worten, um den Kollektorstrom Ιπη-ι2 ^es Transistors Q^ um zwei Digitalwerte zu verändern, muß im Hinblick auf die allgemeine Transistorformel der Wert pro Stufe sein:(i) In the constant current generator circuit, with regard to the resistor Rr connected to the base or collector of the two series-connected transistors Qc and Qir , it can be seen that changes in the resistance of this resistor IL - a change in the emitter current L. of the transistor (L- cause. Because in the logarithmic amplifier P, the change in the characteristics of the two composite photoconductive elements Rp ^ qi and Rpjqo is balanced by the semi-fixed resistors Rq and RA, the gradient that the change in the set values of the brightness of the The object to be photographed shows the characteristics of the input transistor CLp of the time circuit. In other words, in order to change the collector current Ιπη-ι2 ^ es transistor Q ^ by two digital values, the value per step must be in view of the general transistor formula:

W - —f ln2 W - - f - ln2

Der Wert ist näherungsweise 17,8 mV bei 250C. Dement sprechend muß der Widerstaridswert des Widerstandes R so festgelegt werden, daß der Wert des Emitterstroms Ir des Transistors £L· entsprechend diesem Wert einge stellt wird.The value is approximately 17.8 mV at 25 ° C. Accordingly, the resistance value of the resistor R must be determined so that the value of the emitter current Ir of the transistor £ L · is set according to this value.

309820/0673309820/0673

- 47 -- 47 -

(ii) Betrachtet man den Widerstand R12 des Generatorstromkreises für konstanten Strom, so ist ebenfalls offensichtlich, daß mit der Änderung des Widerstandswertes des Widerstandes R12 der Emitterstrom L·., des Transistors 0,11 und der Emitterstrom Ir des Transistors (L- kombiniert dem veränderlichen Widerstand E zugeführt werden, durch(ii) Considering the resistor R12 of the constant current generator circuit, it is also evident that with the change in the resistance of the resistor R12, the emitter current L ·., the transistor 0.11 and the emitter current Ir of the transistor (L- combined the variable resistance E are supplied by

.welche Daten die Werte der Blendenöffnung und Filmempfindlichkeit eingestellt werden..what data the values of the aperture and film speed can be set.

Das Resistorband des Widerstandes R^, zum Einstellen der Werte der Blendenöffnung und Filmempfindlichkeit ist im allgemeinen nicht gleichförmig sondern unregelmäßig vom HerstellungsStandpunkt aus. Bei der vorliegenden Erfindung ist die Änderung bei der Komponente, die ihren Gradienten ändert, durch den Emitterstrom L·.. des Transistors 0,11 einstellbar. Im Falle, daß die Ausgangs spannung sich auf'- . grund einer Änderung des Widerstandswertes des Widerstandes R ändert, wirkt der Widerstand R so^ daß er die Komponente,The resistor band of the resistor R ^, for setting the The values of the aperture and the film speed are generally not uniform but rather irregular Manufacturing standpoint. In the present invention is the change in the component that changes its gradient due to the emitter current L · .. of transistor 0.11 adjustable. In the event that the output voltage increases. due to a change in the resistance value of the resistor R changes, the resistor R acts in such a way that it contains the component

8 S8 p

die ihren Gradienten ändert, entsprechend der 4«*· Charakteristik der Basis-Emitter-Spannung V-o-pn-io des Eingangstransistors des Zeitstromkreises Tc einstellt.which changes its gradient, according to the 4 «* · characteristic the base-emitter voltage V-o-pn-io of the input transistor of the time circuit Tc.

(iii) In Verbindung mit einem halbfesten Widerstand R^ verschiebt sich durch Verändern des Widerstandswertes dieses halbfesten Widerstandes R^ die Charakteristik der Ausgangsspannung V des logarithmischen Verstärkers P parallel (siehe Fig. 3).Dieser Widerstand R^ wird verwendet, um hauptsächlich die Änderung der Basis-Emitter-Spannung V-DW)Q des Transistors 0.9 und V-d-pq-io (^eG Transistors Q12 einzustellen; z.B. wer-(iii) In connection with a semi-fixed resistor R ^ shifts the characteristic of the output voltage V of the logarithmic amplifier P in parallel by changing the resistance value of this semi-fixed resistor R ^ (see Fig. 3). This resistor R ^ is used to mainly the change the base-emitter voltage V-DW) Q of the transistor 0.9 and Vd-pq-io ( ^ eG transistor Q12; e.g. be

309820/0673309820/0673

den die im Falle, daß diese Transistoren einem integrierten Stromkreis angehören, einberechnete Spannungsänderung von näherungsweise + 2mV und die Kapazitätsänderung des Kondensators C« durch diesen Widerstand genau eingestellt.the voltage change of approximately + 2mV calculated in the event that these transistors belong to an integrated circuit and the change in capacitance of the capacitor C «due to this resistance precisely adjusted.

(iv) Im Hinblick auf den Widerstand R59 ist offenbar, daß, wenn sich der Widerstandswert dieses Widerstands B,q ändert, sich der Emitterstrom des Transistors Q30 ändert, und die Änderung des Emitterstroms I,« verursacht eine Änderung des Emitterpdtentials des Transistors Q33 des Meßstromkreises, das bedeutet des Emitterpotentials des Transistors Q34. Ba dies eine Änderung des Stromflusses zum Meßinstrument Met bedeutet, ist der Nullpunkt des Meßinstrumentes Met durch Einstellen des Widerstandswertes des Widerstandes R39 einstellbar.(iv) With regard to the resistor R 59, it is apparent that when the resistance of this resistor B, q changes, the emitter current of the transistor Q30 changes, and the change in the emitter current I, «causes the emitter potential of the transistor Q33 to change of the measuring circuit, that is, the emitter potential of the transistor Q34. If this means a change in the current flow to the measuring instrument Met, the zero point of the measuring instrument Met can be set by adjusting the resistance value of the resistor R39.

(v) Der veränderliche Widerstand R22 des Niveau-Ermittlungs-Stromkreises D ist vorgesehen zum Einstellen der Bezugsspannung dieses Stromkreises D, was bei manueller Einstellung der Belichtungsdauer erforderlich ist. Durch Einstellen des Widerstandes R22 kann eine Änderung in den Verzögerungselementen des Kondensators C, und des Widerstandes RT kompensiert werden.(v) The variable resistor R22 of the level detection circuit D is provided for setting the reference voltage of this circuit D, which is necessary when the exposure time is set manually. By Adjusting the resistor R22 can cause a change in the delay elements of the capacitor C, and des Resistance RT can be compensated.

(vi) Ein Widerstand R14 im Zeitstromkreis Tc dient dazu, eine Entladung des Kondensators Cp oder C, herbeizuführen. Dieser Widerstand RI4 dient dazu, die Kondensatoren Cp oder C, frei von Hitzeschäden zu halten, die bei ihrer zu(vi) A resistor R14 in the timing circuit Tc is used to a discharge of the capacitor Cp or C to bring about. This resistor RI4 is used to the capacitors Cp or C, to keep free from heat damage caused by their too

- 49 -- 49 -

309820/0673309820/0673

plötzlichen Entladung entstehen, und es ist günstige normalerweise eine Betätigungsspannung von 3 && pro Volt daran anzulegen, um die Kondensatoren C^ und Cx zu stabilisieren.A sudden discharge occurs, and it is usually convenient to apply an actuation voltage of 3 && per volt to it in order to stabilize the capacitors C ^ and C x.

(Vii) In einem Schaltersystem dienen die Umschalter A-M(D, A-M(2) und A-M(3) dazu, den Stromkreis von der manuellen Steuerung, bei der die Belichtungsdauer manuell eingestellt wird, auf automatische Steuerung, bei der die Belichtungszeit automatisch gesteuert wird, umzuschalten und umgekehrt. Bei diesen Schaltern gilt die Stellung M für manuelle Steuerung und A für automatische Steuerung; beide werden im wesentlichen gleichzeitig betätigt, welcher Fall auch gewählt wird.(Vii) In a switch system, the changeover switches are used A-M (D, A-M (2) and A-M (3) to the circuit of the manual control, in which the exposure time is set manually, to automatic control, in which the exposure time is controlled automatically, to switch and vice versa. With these switches, position M applies to manual control and A to automatic control Steering; both are operated essentially simultaneously, whichever case is chosen.

(Viii) Es werden nun die anderen Sohalter S^t Sg» S,,(Viii) The other Sohalter S ^ t Sg »S ,, SA und Sr- beschrieben, 4 5 S A and Sr- described, 4 5

(a) Im Falle, daß der Stromkreis für die manuelle Einstellung der Belichtungsdauer benutzt wird, werden zunächst die jeweiligen Kontakte der Umschalter A-M auf die M-Seite umgelegt, siehe dazu Fig. 5(B). Der veränderliche Widerstand RT wird auf einen geforderten Widerstandswert eingestellt, und gleichzeitig mit dem Auslösen des Verschlusses wird der in der Aus-Stellung gelassene Schalter Sp- leitend gemacht, um dadurch den Zeitstromkreis Tc, den Mveau-Ermittlungsstromkreis D, den Verzögerungsstromkreis De und den Betätigungsstromkreis A in Fig. 5 zu betätigen. Dann wird der im(a) In the event that the circuit is for manual Setting the exposure time is used, the respective contacts of the changeover switch A-M folded over to the M side, see Fig. 5 (B). The variable resistance RT is required to be Resistance value is set, and at the same time the shutter is released, it is in the off position Switches left in place are rendered conductive in order to Time circuit Tc, the Mveau detection circuit D, to operate the delay circuit De and the actuation circuit A in FIG. Then the im

-50 -309820/0673-50 -309820/0673

leitenden Zustand befindliche Schalter S, angeschaltet, und wenn der Schalter S. gleichzeitig mit Beginn der Belichtung leitend gemacht wird, wird der Verzögerungskondensator C, über den veränderlichen Widerstand RT aufgeladen, bis eine Spannung gleich der durch den veränderlichen Widerstand R22 eingestellten Bezugsspannung wird, wodurch asr Niveau-Ermittlungsstromkreis D betätigt wird, um den Elektromagneten Mg durch den Verzögerungsstromkreis De und den BetatigungsStromkreis A nicht leitend zu machen und dadurch das Betätigungssignal für die Beendigung der Belichtung auf ein mechanisches System zu übertragen.conductive state switch S, switched on, and if the switch S. is made conductive at the same time as the start of the exposure, the delay capacitor C becomes through the variable resistor RT charged until a voltage becomes equal to the reference voltage set by the variable resistor R22, whereby asr level detection circuit D is operated to drive the solenoid Mg through the delay circuit De and the actuation circuit A to make non-conductive and thereby the actuation signal for the termination of the exposure to a mechanical one Transfer system.

(b) Im Falle daß die Belichtungsdauer automatisch gesteuert wird, werden in den Fig. 5 (A) und (B) die Kontakte der Umschalter A-M auf die Α-Seite gelegt, und ein gleitender Zwischenkontakt b wird auf einen Anachlußpunkt a bewegt, der an einem Anschluß der Widerstandszone des veränderlichen Widerstandes RT vorgesehen ist· Dann wird der veränderliche Widerstand Rn eingestellt, um einen Wert des Filmempfindlichkeit einzustellen, und der im nicht leitenden Zustand befindliche Schalter S. wird in den leitenden Zustand gedreht, um dadurch den Meßstromkreis M, den GeneratorStromkreis I für konstanten Strom, den logarithmischen Verstärker P und die Speichermittel Me zu betätigen. Ein Wert der Blendenöffnung wird mit Hilfe des veränderlichen Widerstandes R eingestellt, so daß das Meßinstrument Met einen gewünschten Wert der(b) In the event that the exposure time is automatically controlled, the contacts of the changeover switches AM are set to the Α side in FIGS. 5 (A) and (B), and a sliding intermediate contact b is moved to a connection point a, the is provided at one terminal of the resistance region of the variable resistor RT Then, the variable resistor R n is adjusted to adjust a value of the film sensitivity, and the switch S in the non-conductive state is turned to the conductive state to thereby switch the measuring circuit M to operate the constant current generator circuit I, the logarithmic amplifier P and the storage means Me. A value of the diaphragm opening is set with the aid of the variable resistor R so that the measuring instrument Met a desired value

- 51 -- 51 -

309820/0673309820/0673

Belichtungsdauer anzeigen kann. Zu diesem Zeitpunkt ist der Sehalter Sp leitend geworden, um das der Ausgangsspannung Vp des logarithmischen.Verstärkers P gleichwertige Potential zur Speicherung an den Kondensator Cj anzulegen, wodurch dieser Kondensator aufgeladen wird· Danach wird gleichzeitig mit dem Beginn des Auslösens des Verschlusses der Schalter Sp aus dem leitenden Zustand in den nicht leitenden Zustand gebracht, bevor der Wert der Beleuchtungsstärke des lichtempfangenden Oberflächen der lichtempfangenden Elemente Rn^c-if ^cdS2 aufgrund der Drehung des Spiegels einer Schwankung unterliegt, wodurch deren Daten enthaltende Spannung, wie die Werte der Blendenöffnung, der Firempfindlichkeit und der Helligkeit des zu photographierenden Objekts in dem Speicherkondensator (L gespeichert wirde ¥enn die Vorgänge weitergehen, wird der im nichtleitenden Zustand befindliche Schalter Sc leitend gemacht, um den Zeitstromkreis Tc, den Niveau-Ermittlungsstromkreis D, den Verzögerungsstroinkreis De und den ,Botätigungsstromkreis A zu betätigen, in kurzer Zeit wird der Elektromagnet Mg wirksam gemacht. Danach wird der im leitenden Zustand gehaltene Schalter S, ausgeschaltet, während der im nichtleitenden Zustand befindliche Schalter S4 gleichzeitig mit dem Beginn der Belichtung leitend gemacht wird, wodurch das Aufladen des Verzögerungskondenöators Cg durch den Transistor Q12 beginnt. Die geladene Spannung wird an die Basis des Transistors Q13 des Niveau-Ermittlungs-Stromkreises D angelegt. Wenn die Spannung gleich derCan display exposure time. At this point in time, the switch Sp has become conductive in order to apply the potential equivalent to the output voltage Vp of the logarithmic amplifier P for storage on the capacitor Cj, thereby charging this capacitor brought the conductive state to the non-conductive state before the value of the illuminance of the light-receiving surfaces of the light-receiving elements Rn ^ c-if ^ cdS2 fluctuates due to the rotation of the mirror, whereby their data-containing voltage, such as the values of the aperture, the The sensitivity and the brightness of the object to be photographed are stored in the storage capacitor (L is stored e ¥ ¥ If the processes continue, the switch Sc, which is in the non-conductive state, is made conductive in order to connect the time circuit Tc, the level detection circuit D, the delay circuit De and the, Message stream To operate circuit A, the electromagnet Mg is made effective in a short time. Thereafter, the conductive switch S 1 is turned off, while the non-conductive switch S 4 is made conductive simultaneously with the start of the exposure, whereby the charging of the delay capacitor Cg by the transistor Q12 starts. The charged voltage is applied to the base of the transistor Q13 of the level detection circuit D. When the voltage is equal to the

- 52 -309820/0673- 52 -309820/0673

Bezugsspannung wird, deren Wert durch die Widerstände R15, R16 und R13 eingestellt ist und die an die Basis des Transistors Q12 angelegt ist, wird der Niveau-ErmittlungsStromkreis D betätigt, um den Elektromagneten Mg durch den Verzögerungsstromkreis De und den Betätigungsstromkreis A leitend zu machen und dadurch das Betätigungssignal für die Beendigung der Belichtung auf das mechanische System zu übertragen. Obwohl in der vorangehenden Beschreibung der veränderliche Widerstand R22, die Festwiderstände R 15, R16 und die Kondensatoren Cp, C* durch zwei Umschalter A-M(D und A-M(2) betätigt werden, versteht es sich, daß auf einen der beiden, nämlich den Schalter A-M(D verzichtet werden kann, da die Kondensatoren Cp und C, durch einen einzigen Schalter betätigbar sind.Reference voltage is whose value is given by the resistors R15, R16 and R13 is set and attached to the base of the transistor Q12 is applied, the level detection circuit D is operated to operate the electromagnet To make Mg conductive through the delay circuit De and the actuation circuit A and thereby transmit the actuation signal for the termination of the exposure to the mechanical system. Although in the previous Description of the variable resistor R22, the fixed resistors R 15, R16 and the capacitors Cp, C * through two changeover switches A-M (D and A-M (2) are operated, it goes without saying that on one of the two, namely the Switch A-M (D can be dispensed with, since the capacitors Cp and C can be operated by a single switch.

Im Falle, daß die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung auf eine solche Kamera wie eine einäugige Spiegelreflexkamera angewendet wird, ist es erforderlich, um das Pentaprisma herum den MeßStromkreis M, den Generatorstromkreis I für konstanten Strom, den logarithmischen Verstärker P, die Speichermittel Me und den Zeitstromkreis Tc und im Kameragehäuse den Niveau-Ermittlungsstromkreis D, den Verzögerungsstromkreis De und den Betätigungsstromkreis A anzuordnen. Eine solche Anordnung der Stromkreise in der Kamera erlaubt das Wiedereinsetzen des Suchersystems auf verschiedene Weise, und das Vorsehen eines Schaltersystems A-M(D, A-M{2) und A-M(3) trägt dazu bei, die Verwirklichung zu erleichtern.In the event that the device according to the present invention is based on such a camera as a one-eyed SLR is used, it is necessary to the pentaprism around the MeßStromkreis M, the Generator circuit I for constant current, the logarithmic amplifier P, the storage means Me and the Time circuit Tc and in the camera housing the level detection circuit D, the delay circuit De and to arrange the actuating circuit A. Such an arrangement of the circuits in the camera allows this Reinstallation of the viewfinder system in various ways, and the provision of a switch system A-M (D, A-M {2) and A-M (3) help make the realization easier.

- 53 -309820/0673- 53 -309820/0673

Wie aus der vorangehenden Beschreibung zu ersehen ist, wird in hohem Maße Energieverbrauch gespart, und zwar durch das Vorsehen des Schalters Sc, durch den der Strom nur während der Belichtungsdauer dem Elektromagneten Mg, der im Stromkreis den hööhsten Stromverbrauch hat, zugeführt" wird. Da der herkömmliche, für einen solchen Gebrauch bestimmte Stromkreis nach dem Differen/prinzip arbeitet, traten zusätzlich solche Nachteile auf, daß viel Strom in das Meßinstrument eingespeist werden mußte und daß im Falle, daß jene Widerstandswerte abnehmen und daß die photoleitenden Elemente aus einem lichtempfangenden Element bestehen, das die Werte der Blendenöffnung und Filmempfindlichkeit einstellt, der Strom ansteigt. Wenn zum Beispiel der Helligkeitswert eines zu photographierenden Objekts hoch ist, muß abhängig von dem eingestellten Wert der Blendenöffnung ein Strom von einigen mA eingespeist werden. Dies war die Ursache für eine kurze Lebensdauer der in der Kamera verwendeten Energiequelle, deren Leistungsfähigkeit gering ist.As can be seen from the preceding description, energy consumption is saved to a great extent by the provision of the switch Sc by the the current only during the exposure time to the electromagnet Mg, which in the circuit consumes the highest current has "supplied". Since the conventional circuit intended for such use is after the Differen / principle works, there were additional ones Disadvantages that a lot of current had to be fed into the measuring instrument and that in the event that that Resistance values decrease and that the photoconductive elements consist of a light-receiving element, which adjusts the values of the aperture and film speed, the current increases. If for example the brightness value of an object to be photographed is high must depend on the set value a current of a few mA can be fed into the aperture. This was the reason for the short lifespan the power source used in the camera, which is poorly efficient.

Gemäß der vorliegenden Erfindung hingegen werden Größen wie die Werte des durch das Instrument Met fließenden Stroms, der Helligkeit des zu photographierenden Objekts, der Blendenöffnung und Filmempfindlichkeit durch den GeneratorStromkreis für konstanten Strom erhalten und, wie immer deren Kombination sein mag, der Stromverbrauch wird vermindert. Es ist vorteilhaft, daß mit dem Strom von einigen 10^A bis 100 M A, der Stromkreis praktischOn the other hand, according to the present invention, values such as the values of the current flowing through the instrument Met, the brightness of the object to be photographed, the aperture and film sensitivity are obtained by the constant current generator circuit, and whatever the combination thereof, the power consumption is reduced. It is advantageous that with the current of some 10 ^ A to 100 M A, the circuit is practical

- 54 309820/0673 - 54 309820/0673

mit dem StromTerbrauch betätigt wird, der dem des herkömmlichen Lichtstrahlenmessers, das aus photoleitenden Elementen, der Energiequelle und Widerständen besteht, gleichwertig ist.is operated with the electricity consumption corresponding to that of the conventional light beam meter, which consists of photoconductive elements, the energy source and resistors, is equivalent.

In den vorangegangenen Abschnitten ist beschrieben, daß Widerstände und entsprechende Transistoren des Generators tromkreises I für konstanten Strom, der Transistor Q9 des logarithmischen Verstärkers P, der Transistor Q12 des ZeitStromkreises jeweils einem monolithischen integrierten Stromkreis angehören. Es ist jedoch möglich, einen dem Stromkreis der vorliegenden Erfindung gleichwertigen Stromkreis aus den herkömmlichen gleichwertigen Einzelteilen oder gemischte integrierte Stromkreise zu bilden; in diesem Falle sind diese Transistoren durch Transistoren mit Gegenpolarität ersetzbar; zum Beispiel kann ein PHP-Transistor für einen NPN-Transistor und ein NPN-Transistor für einen FNP-Transistor eingesetzt werden·In the previous sections it is described that resistors and corresponding transistors of the generator tromkreises I for constant current, the transistor Q9 of the logarithmic amplifier P, the transistor Q12 of the time circuit each to a monolithic integrated circuit. However, it is possible to use one of the circuit of the present invention equivalent circuit from the conventional equivalent individual parts or mixed integrated To form circuits; in this case these transistors can be replaced by transistors with opposite polarity; for example a php transistor can work for one NPN transistor and one NPN transistor for one FNP transistor can be used

309820/0673309820/0673

Claims (1)

,-55-, -55- Patentansprtiche 2253685 Patent applications 2253685 Vorrichtung zur elektrischen Belichtungssteuerung für eine einäugige Spiegelreflexkamera, bei der das durch das Objektiv einfallende Szenenlicht durch lichtempfangende Elemente aufgenommen wird, um einen HelligkeUjwert eines zu photographierenden Objekts zu speichern und bei der die Belichtung entsprechend dem gespeicherten Helligkeitswert und durch eine entsprechend den Werten der Helligkeit des zu photographierenden Objekts, der Filmgeschwindigkeit und der Blendenöffnung manuell eingestellten VerschlußgesGhwindigkeit gesteuert wird,
dadurch gekennzeichnet,
Device for electrical exposure control for a single-lens reflex camera, in which the scene light incident through the lens is picked up by light-receiving elements in order to store a brightness value of an object to be photographed and in which the exposure corresponds to the stored brightness value and by a corresponding to the values of the brightness of the object to be photographed, the film speed and the aperture opening manually set shutter speed is controlled,
characterized,
daß die Ausgangsgröße der lichtempfangenden Elemente durch einen logarithmischen Verstärker (P) als eine dem Wert des Logari.thmus der Helligkeit des Lichts proportionale Spannung feststellbar ist, dieses Potemtial in Speichernd tte In (Me) speicherbar ist, der ZeitStromkreis (Tc) zum Zeitpunkt der Belichtung durch den aus der gespeicherten Spannung anti-logarithmisch umgesetzten Strom betätigbar ist und ein BetätigungsStromkreis (A) für die Beendigung der Belichtung vorhanden ist,that the output of the light receiving elements through a logarithmic amplifier (P) as one of the value of the Logari.thmus proportional to the brightness of the light Tension can be determined, this potential in memory tte In (Me) can be saved, the time circuit (Tc) for Time of exposure can be actuated by the current converted from the stored voltage in an anti-logarithmic manner and an actuation circuit (A) for termination the exposure is present, daß zur Verhinderung von aus SpannungsSchwankungen der Energiequelle (E) herrührenden Stromschwankungen ein Generatorstromkreis (I) für konstanten Strom vorgesehen ist, deren Spannung dem logarithmischen Verstärker (P) zuführbar ist, . -that to prevent voltage fluctuations from the Energy source (E) resulting from current fluctuations, a generator circuit (I) is provided for constant current whose voltage can be fed to the logarithmic amplifier (P),. - daß ein Stromkreis vorhanden ist, der dem im Generatorstromkreis (I) für konstanten Strom erzeugte Strom zuführbar ist, in dem photoleitende Elemente (Ελλο-ι 3that there is a circuit similar to that in the generator circuit (I) current generated for constant current can be supplied, in which photoconductive elements (Ελλο-ι 3 -56-309820/0673 -56-309820 / 0673 und Widerstände enthalten sind und in dem eine Spannung proportlnal zu einem logarithmischen Wert der Beleuchtung der lichtempfindlichen Flächen erzeugbar ist, daß ein zu dem an zweiter Stelle erwähnten Stromkreis in Reihe geschalteter logarithmischer Verstärker (P) vorgesehen ist, der einen eine vom eingestellten Wert der Filmgeschwindigkeit und der Blendenöffnung abhängige Vorspannung erzeugenden Stromkreis enthält, daß durch den logarithmischen Verstärker (P) die durch den Ausgangsstrom des Generatorstromkreises (I) für konstanten Strom erzeugte Spannung beider Stromkreise auswertbar und eine einem logarithmischen Wert der Belichtungsdauer proportionale Spannung erzeugbar ist,and resistors are included and in which a voltage is proportlnal to a logarithmic value of the illumination of the photosensitive surfaces can be generated that a circuit to the second mentioned circuit in Series connected logarithmic amplifier (P) is provided, one of the set value of the Film speed and the aperture dependent bias voltage generating circuit contains, that through the logarithmic amplifier (P) through the output current of the generator circuit (I) for constant current generated voltage of both circuits can be evaluated and a voltage proportional to a logarithmic value of the exposure time can be generated, daß Speichermittel (Me) zur Speicherung der Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers (P) durch einen Schalter (Sp) vor der Belichtung vorgesehen sind,that storage means (Me) for storing the output voltage of the logarithmic amplifier (P) by a Switches (Sp) are provided in front of the exposure, daß ein ZeitStromkreis (Tc) vorhanden ist zur Erzeugung eines aus der Speicherspannung der Speichermittel (Me) anti-logarithmisch umgesetzten Stroms gleichzeitig mit der Belichtungthat a time circuit (Tc) is available for generation a current converted from the storage voltage of the storage means (Me) anti-logarithmically at the same time as the exposure und daß ein zur Beendigung der Belichtung durch den Zeitstromkreis (Tc) betätigbarer Betätigungsstromkreis (A) vorgesehen ist.and that an actuating circuit (A) which can be actuated to terminate the exposure by the time circuit (Tc) is provided. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet2. Device according to claim 1, marked (A) durch eine Trockenzellenbatterie (E);(A) by a dry cell battery (E); (B) einen Generatorstromkreis (I) für konstanten Strom,(B) a generator circuit (I) for constant current, -57-309820/0673-57-309820 / 0673 der enthältwhich contains (a) einen Festwiderstand, der ans dem ersten Widerstand (R1)f dessen einer Anschluß an den positiven Pol der Troekenzellenbatterie (S) angeschlossen ist, und aus dem mit dem ersten Widerstand (R1) in Beine geschalteten zweiten Widerstand (R2) "besteht;(A) a fixed resistor which is connected to the first resistor (R1) f one terminal of which is connected to the positive pole of the Troekenzellbatterie (S), and consists of the second resistor (R2) "connected in legs with the first resistor (R1) ; (b) den ersten NPN-Transistör (QD > dessen Kollektor an den äußeren Anschluß des zweiten.Widerstands (R2), dessen Emitter an den negativen Pol der Trockenzellenbatterie (E) und dessen Basis an denVerbindungspunkt zwischen dem ersten Widerstand (RD und dem zweiten Widerstand (R2) des FestwiderStandes angeschlossen ist;(b) the first NPN transistor (QD> its collector to the external connection of the second resistor (R2), its emitter to the negative pole of the dry cell battery (E) and its base to the connection point between the first resistor (RD and the second resistor (R2) of the fixed resistor connected; (c) den zweiten NPN-Transistör (QZ)9 dessen Basis an den Kollektor des ersten KPN-Transistors (QD und dessen Emitter für die Erzeugung das zur absoluten Temperatur proportionalen Kollektorstroms über den dritten Festwiderstand (R3) an den negatiTen Pol der Energiequelle (E) angeschlossen ist;(c) the second NPN transistor (QZ) 9 its base to the collector of the first KPN transistor (QD and its emitter for generating the collector current proportional to the absolute temperature via the third fixed resistor (R3) to the negative pole of the energy source ( E) is connected; (d) den ersten Transistorstromkreis, der aus einem PNP-Transistor (Q4), dessen Emitter über einen Widerstand (R4) an den positiven Pol der Energiequelle (E) angeschlossen ist, und aus dem dritten NPU-Transistor (Q3), dessen Basis an den Kollektor dieses PNP-Transistors (Q4), dessen Kollektor an den Emitter dieses PNP-Transistors (Q4) und dessen Emitter an den Kollektor des zweiten NPN-Transistors ($2) angeschlossen ist, besteht?(d) the first transistor circuit, which consists of a PNP transistor (Q4), the emitter of which is connected to the positive pole of the energy source via a resistor (R4) (E) is connected, and from the third NPU transistor (Q3), whose base is connected to the collector this PNP transistor (Q4) whose collector is on the emitter of this PNP transistor (Q4) and its Emitter to the collector of the second NPN transistor ($ 2) is connected, is there? -58-309820/0673 -58-309820 / 0673 (e) den zweiten TransistorStromkreis, der äquivalent dem ersten Transistorstromkreis angeschlossen ist- und aus einem PNP-Transistor (Q5)f dessen Basis an die Basis des PNP-Transistors (Q4) im ersten Transistorstromkreis und dessen Emitter durch einen Widerstand (R6) an den positiven PqI der Trockenzellenbatterie (E) angeschlossen ist, und aus einem HHi-Transistor (Q6) besteht;(e) the second transistor circuit, which is equivalent to the first transistor circuit and consists of a PNP transistor (Q5) f whose base is connected to the base of the PNP transistor (Q4) in the first transistor circuit and its emitter through a resistor (R6) connected to the positive PqI of the dry cell battery (E) and composed of an HHi transistor (Q6); wobei jeder transistor sowie jeder Widerstand einem monolitlachen integrierten Stromkreis angehört;each transistor and each resistor belonging to a monolithic integrated circuit; (C) durch einen logarithmisehen Verstärker (P) mit eine« Stromkreis, der ein an den Emitter des KPN-Transistors (Q6) des zweiten Transistorstromkreises angeschlossenes Photoelement besitzt und eine dem logarithmisollen Wort der Beleuohtungsstfttke an der liehtempfangenden Fläche des Photoelements proportionale Ausgangsspannung aufweist,(C) through a logarithmic amplifier (P) with a « Circuit having one connected to the emitter of the KPN transistor (Q6) of the second transistor circuit Photo element and one of the logarithmic should word the lighting unit on the receiving surface of the photo element has proportional output voltage, (D) durch ein Speichermittel (Me) zur Speicherung der Ausgangsspannung dieses logarithmischen Verstärkers (P) sowie(D) by a storage means (Me) for storing the output voltage of this logarithmic amplifier (P) as (S) durch einen Zeitstromkreis (Tc), der ix den integrierten vierten NPN-Transistor (Q12) enthält, an dessen Basis(S) through a time circuit (Tc), the ix the integrated fourth NPN transistor (Q12) at its base bei der Belichtung die Speicherspannung des SpeieherStromkreises angelegt ist.the storage voltage of the storage circuit is applied during exposure. -59--59- 309820/0673309820/0673 2253685 3; Vorrichtung nach Anspruch 2,2253685 3; Device according to claim 2, gekennzeichnet,marked, durch den dritten Transistorstromkreis, der im Generatorstromkreis (I) für konstanten Strom mit dem ersten Transistorstromkreis äquivalent angeschlossen ist und aus einem PHP-Transistor (Q10), dessen Basis an die Basis des PNP-Transistors (Q4) im ersten Transistorstromkreis und dtssen Emitter über einen Widerstand (R12) an den positiven Pol der Troekenzellenbatterie angeschlossen ist, und aus einem HPH-TBansistor (Q11) besteht;through the third transistor circuit, which is connected in the generator circuit (I) for constant current equivalent to the first transistor circuit and from a PHP transistor (Q10), its base to the base of the PNP transistor (Q4) in the first transistor circuit and dtssen Emitter is connected to the positive pole of the dry cell battery via a resistor (R12), and from one HPH-T transistor (Q11) consists; durch den mit dem vierten NPN-Transistor (Q12) gleiche Charakteristik besitzenden fünften integrierten NPN-Transistor (Q9), dessen Kollektor an den Stromkreis angeschlossen ist, der das Photoelement aufweist und die dem logarithmischen Wert der Beleuchtungsstärke an der liekteapfangenden Fläche des Photoelements proportionale Spannung erzeugt? undby the same as with the fourth NPN transistor (Q12) A fifth integrated NPN transistor (Q9), the collector of which is connected to the circuit is, which has the photo element and which is the logarithmic value of the illuminance at the liekteapfangenden Voltage proportional to the area of the photo element generated? and durch einen veränderlichen Widerstand (R_), dessen Widerstandswert gemäß einer bestimmten Blendenöffnung sowie einer bestimmten Filmgeschwindigkeit veränderbar ist, dessen einer Anschluß an den Emitter des fünften NPN-Transistors (09) und zugleich an den Emitter des NFN-Tramsistors (QII) des dritten Transistorstromkreises des 4e# Generatorstromkreises (I) für konstanten Strom angeschlossen ist und dessen anderer Anschluß an den negativen Pol der Trockenzellenbatterie (E) angeschlossen ist.by a variable resistor (R_), its resistance value according to a certain aperture as well as a certain film speed can be changed, one terminal of which is connected to the emitter of the fifth NPN transistor (09) and at the same time to the emitter of the NFN tramsistor (QII) of the third transistor circuit of the 4e # generator circuit (I) is connected for constant current and the other terminal of which is connected to the negative terminal of the dry cell battery (E). -6p--6p- 309820/0673309820/0673 4. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
4. Apparatus according to claim 2,
characterized,
daß der Zeitstromkreis (Tc) den an den Kollektor des vierten NPN-Transistors (Q12) angeschlossenen ersten Kondensator (C2) und den zum vierten NPN-Transistor (Q12) und den ersten Kondensator (C2) parallel stehenden, an den zweiten veränderlichen, durch den Umschalter (A-M1, A-M2) gemäß einer bestimmten Blendenöffnung und einer bestimmten Filmgeschwindigkeit veränderbaren Widerstand (RT) anschließbaren zweiten Kondensator (C3) besitzt.that the time circuit (Tc) is connected to the collector of the fourth NPN transistor (Q12) connected first Capacitor (C2) and the one to the fourth NPN transistor (Q12) and the first capacitor (C2) standing parallel to the second variable, through the changeover switch (A-M1, A-M2) according to a certain aperture and a certain film speed variable resistance (RT) can be connected second capacitor (C3) has. 5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
gekennzeichnet
5. Apparatus according to claim 4,
marked
durcheinen Umschalter (A-M1, A-M2), zur wahlweisen Einstellung der automatischen Steuerung und manuellen Steuerung der Belichtungszeit, einen Niveau-Ermittlungsstromkreis (D), der durch den Umschalter (A-M1, A-M2) mit seinem einen Anschluß an einen Anschluß des ersten (C2) oder zweiten Kondensators (C3) anschließbar ist zur Feststellung der Ladespannung dieses Kondensators und zur Erzeugung eines Signals, wenn diese Spannung ein bestimmtes Niveau erreicht, und einen Elektromagneten (Mg), der für die Beendigung der Belichtung durch das Signal des Niveau-ErmittlungsStromkreises erregbar ist.by a switch (A-M1, A-M2), for the optional setting of the automatic control and manual Control of the exposure time, a level detection circuit (D), which is controlled by the switch (A-M1, A-M2) with its one terminal can be connected to one terminal of the first (C2) or second capacitor (C3) for the purpose of detection the charging voltage of this capacitor and for generating a signal when this voltage is a certain Level reached, and an electromagnet (Mg) that terminates the exposure by the signal from the level detection circuit is excitable. 6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
6. Apparatus according to claim 5,
characterized,
daß das Speichermittel (Me) einen Kondensator (CD für die Speicherung der Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers (P) und einen Festwiderstand (R13) aufweist,that the storage means (Me) has a capacitor (CD for storing the output voltage of the logarithmic Amplifier (P) and a fixed resistor (R13), -61--61- 3 0 9 8 2 0/06733 0 9 8 2 0/0673 der zur Korrigierung des durch die Leitung des Elektromagneten (Mg) im BetätigungsStromkreis (A) verursachten Spannungsabfalls der Trockenzellenbatterie an den Kondensator (C1) und den negativen Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist.the one to correct the caused by the conduction of the electromagnet (Mg) in the actuation circuit (A) Voltage drop of the dry cell battery across the capacitor (C1) and the negative pole of the dry cell battery connected. 7. Vorrichtung nach Anspruch 4,
gekennzeichnet,
7. Apparatus according to claim 4,
marked,
durch den vierten Transistorstromkreis der integrierten Schaltung, der mit dem ersten Transistorstromkreis im Generatorstromkreis (I) für konstanten Strom äquivalent angeschlossen ist und aus einem PNP-Transistor (029), dessen Basis an die Basis des PNP-Transistors (Q4) im ersten Transistorstromkreis und dessen Emitter durch einen Widersiand (R39) an den positiven Pol der Trockenzellenbatterie angeschlossen ist, und aus einem NPN-Transistor (Q30) besteht sowie durch einen MeßStromkreis (M), dem der Emitterstrom des NPN-Transistors (Q30) des vierten Transistorstromkreises und die Ausgangsspannung des logarithmischen Verstärkers (P) als Eingangsgrößen zuführbar sind.through the fourth transistor circuit of the integrated Circuit that starts with the first transistor circuit in the Generator circuit (I) equivalent for constant current is connected and consists of a PNP transistor (029), its base to the base of the PNP transistor (Q4) im first transistor circuit and its emitter through a resistor (R39) to the positive pole of the dry cell battery is connected, and consists of an NPN transistor (Q30) and a measuring circuit (M) to which the Emitter current of the NPN transistor (Q30) of the fourth transistor circuit and the output voltage of the logarithmic amplifier (P) can be supplied as input variables. 8, Vorrichtung nach Anspruch 6,
gekennzeichnet
8, device according to claim 6,
marked
durch einen VerzögerungsStromkreis (De), der zwischen einer Ausgangsklemme des Niveau-Ermittlungsstromkreises (D) und einer Eingangsklemme des BetätigungsStromkreises (A) angeschlossen ist zur zeitlichen Korrektur der Überlappung des hinteren Randes des vorauslaufenden Schirms mit dem vorderen Rand des nachlaufenden Schirm*des Schlitzverschlusses in gespannter Stellung.by a delay circuit (De) between a Output terminal of the level detection circuit (D) and an input terminal of the actuation circuit (A) is connected for the temporal correction of the overlap of the rear edge of the leading screen with the front edge of the trailing screen * of the focal plane shutter in a tense position. IfIItIIfIlItIIfIItIIfIlItI 309820/0673309820/0673
DE2253685A 1971-11-02 1972-11-02 DEVICE FOR ELECTRIC EXPOSURE CONTROL FOR A SINGLE-EYED MIRROR REFLEX CAMERA Pending DE2253685A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP46086739A JPS4853720A (en) 1971-11-02 1971-11-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2253685A1 true DE2253685A1 (en) 1973-05-17

Family

ID=13895168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2253685A Pending DE2253685A1 (en) 1971-11-02 1972-11-02 DEVICE FOR ELECTRIC EXPOSURE CONTROL FOR A SINGLE-EYED MIRROR REFLEX CAMERA

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3777638A (en)
JP (1) JPS4853720A (en)
DE (1) DE2253685A1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT335198B (en) * 1972-12-01 1977-02-25 Reichert Optische Werke Ag DEVICE FOR DETERMINING THE EXPOSURE TIME FOR A PHOTOGRAPHICAL RECORDING DEVICE
US4000498A (en) * 1974-04-18 1976-12-28 Canon Kabushiki Kaisha Temperature compensated exposure control apparatus for a camera
FR2317675A1 (en) * 1975-07-10 1977-02-04 Iodvalkis Vitautas Photographic camera exposure timers - has one input of timer block connected to photoresistor of RC integrated circuit
JPH07106869A (en) * 1993-09-30 1995-04-21 Nec Corp Constant current circuit
JP4288553B2 (en) * 2000-07-25 2009-07-01 富士フイルム株式会社 Camera strobe device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3641890A (en) * 1967-10-31 1972-02-15 Nippon Kogaku Kk Exposure-measuring device for cameras provided with electronic shutter
US3698302A (en) * 1969-11-14 1972-10-17 Copal Co Ltd Circuit for preventing false operation of an electronic camera shutter
JPS4817337B1 (en) * 1970-07-03 1973-05-29

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4853720A (en) 1973-07-28
US3777638A (en) 1973-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1809900C3 (en) Locking device with automatic exposure time control for single-lens reflex cameras with light measurement through the lens
DE2129935C3 (en) Circuit arrangement for the automatic control of camera shutters for single-lens reflex cameras
DE2525402C3 (en) Temperature compensation device for a semiconductor circuit
DE2031978B2 (en) PROGRAM LOCK FOR PHOTOGRAPHIC EQUIPMENT
DE2253685A1 (en) DEVICE FOR ELECTRIC EXPOSURE CONTROL FOR A SINGLE-EYED MIRROR REFLEX CAMERA
DE2147350C3 (en) Circuit for automatic control of the exposure time
DE1955688A1 (en) Exposure value control device
DE2520449C3 (en)
DE3048136A1 (en) CAMERA SYSTEM WITH TTL CONTROL OF THE FLASH LIGHT
DE2541958C3 (en) camera
DE2702955C2 (en) Device for displaying poor lighting conditions for a camera
DE2257776C3 (en) Exposure control for a single lens reflex camera
DE2728527A1 (en) EXPOSURE CONTROL DEVICE FOR A PHOTOGRAPHIC CAMERA
DE2656889C3 (en) Exposure control circuit for a camera
DE2250379A1 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR AUTOMATIC EXPOSURE TIME CONTROL, IN PARTICULAR FOR SINGLE-EYED MIRROR REFLEX CAMERAS
DE2029064C3 (en) Electronic circuit for a single-lens reflex camera with internal measurement
DE2062573C3 (en) Circuit arrangement for automatic exposure time control for photographic cameras, in particular for single-lens reflex cameras, with a photoresistor arranged in the image-side beam path of the lens for measuring the object brightness
DE3311017C2 (en) Exposure control circuit for a camera with TTL light metering and automatic TTL flash unit
DE2704544A1 (en) CONTROL DEVICE FOR PHOTOGRAPHING WITH ANY SHUTTERING TIMES (B-POSITION) FOR A CAMERA WITH ELECTRIC SHUTTER
DE2703617A1 (en) RECORDING MODE CHANGE-OVER SYSTEM FOR A PHOTOGRAPHIC DEVICE
DE2264690C3 (en) Exposure control for a single lens reflex camera
DE2053001C3 (en) Circuit arrangement for controlling a camera shutter
DE2103178C3 (en) Automatic exposure control circuit for a camera
DE1933890B2 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR AUTOMATIC EXPOSURE TIME CONTROL FOR SINGLE-EYED REFLECTIVE CAMERAS
DE2256499C2 (en) Sequence control circuit for generating a control pulse

Legal Events

Date Code Title Description
OHA Expiration of time for request for examination