DE2251403A1 - PROGRAMMABLE APPARATUS FOR ROUTE DISPLAY - Google Patents
PROGRAMMABLE APPARATUS FOR ROUTE DISPLAYInfo
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Description
DR. MÜLLER-BORG DIPL-PKYS. DU. MANITZ DiPu.-CHEM. DR. DEUFEL DIPL.-ING. FINSTERWALD DIPL.-ING. GRÄMKOWDR. MÜLLER-BORG DIPL-PKYS. YOU. MANITZ DiPu.-CHEM. DR. DEUFEL DIPL.-ING. FINSTERWALD DIPL.-ING. GRÄMKOW
PATENTANWÄLTE 2 2 5 1 A 0PATENT LAWYERS 2 2 5 1 A 0
t8. OKI. C 2628 t8. OKI. C 2628
COMPAGNIE INDUSTRIELLE DES TELECOMMUNICATIONSCOMPAGNIE INDUSTRIELLE DES TELECOMMUNICATIONS
CIT-ALCATELCIT-ALCATEL
12, Rue de la Baume12, rue de la Baume
Paris / FrankreichParis, France
Programmierbare Apparatur zur LeitweganzeigeProgrammable apparatus for route display
Die Erfindung betrifft eine programmierbare Apparatur zur Leitweganzeige, insbesondere für dasFernmeldewesen und in erster Linie für die selbsttätige Telephonie und Telegraphic bestimmt.The invention relates to a programmable apparatus for Route display, especially for telecommunications and primarily for automatic telephony and Telegraphic for sure.
Die Erfindung bezweckt die Vornahme einer Auswertung der Teilnehmernummern oder Leitungsnummern, die von einem Numerierungsempfänger aufgenommen werden8 und hat zum Ziel, in Abhängigkeit von den aufgenommenen Nummern die Leitungsbündel zu bezeichnen, die den Aufbau derThe aim of the invention is to carry out an evaluation of the subscriber numbers or line numbers that are recorded by a numbering receiver 8 and has the aim, depending on the recorded numbers, to designate the trunk group which is the structure of the
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Verbindungen ermöglicht.Connections enabled.
Es sind bereits Einrichtungen bekannt, die nach der Auswertung der Numerierung die Leitwege zu bezeichnen ermöglichen, deren sich der Fernmeldeverkehr zu bedienen hat. Derartige Einrichtungen, die in der Telephonie als "Umsetzer" und in der Telegraphie als "Leitweganzeiger11 bezeichnet werden, sind in den elektromechanischen Zentralen als Einrichtungen mit verdrahteten Programmen ausgeführt; diese Programme können nur durch Eingriffe in die innere Verdrahtung dieser Einrichtungen verändert werden, wozu ein eingehendes Studium der Schaltungen und langwieriges Ablöten und Neuverlöten an den Leitungen der Verdrahtung erforderlich sind, während welcher Zeit diese Einrichtungen für die Vermittlungstatigkeit nicht verwendbar sind.Devices are already known which, after evaluating the numbering, make it possible to designate the routes which telecommunications traffic has to use. Such devices, referred to in telephony as "converters" and in telegraphy as "routing indicators 11 , are implemented in the electromechanical centers as devices with wired programs an in-depth study of the circuits and tedious desoldering and re-soldering of the lines of the wiring are required, during which time these devices cannot be used for the switching activity.
Die Apparatur gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Matrix aus in zwei unterschiedlichen Ebenen angeordneten vertikalen bzw. horizontalen elektrischen Leitern vorgesehen ist, die an ihren Kreuzungsachsen durch steckbare Leiter- oder Halbleiterelemente so miteinander verbunden sein können, daß die Programmierung mit diesen Mitteln "auf Verlangen" sofort vorgenommen werden kann, ohne daß eine Änderung der Verdrahtung der inneren Bauelemente der Apparatur erforderlich ist.The apparatus according to the invention is characterized in that at least one matrix of two different Arranged levels vertical or horizontal electrical conductors is provided on their Crossing axes can be connected to one another by plug-in conductor or semiconductor elements so that the Programming with these means "on demand" can be done immediately without changing the wiring the internal components of the apparatus is required.
Die Erfindung kann ferner mindestens eines der folgenden Merkmale aufweisen:The invention can further include at least one of the following Have features:
Die Apparatur enthält einen Satz Matrizen zur Ziffernauswertung und eine Leitungsbündelbezeichnungsmatrix und die Matrizen sind mit durch "Diodenträger"-Stecker abnehm-The apparatus contains a set of matrices for digit evaluation and a trunk group identification matrix and the matrices can be removed with a "diode carrier" connector
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baren Dioden versehen, wobei die Auswertungsmatrizen durch UND-Glieder mit der Bezeichnungsmatrix verbunden sind·provided diodes, the evaluation matrices connected to the designation matrix by AND gates are·
Der elektronische Teil der Apparatur ist in zwei Gruppen verschiedener Elemente unterteilt, die in Verbindung mit den Matrizen stehen, wobei die eine Gruppe aus UND-Gliedern und die andere aus Transistorverstärkerschaltungen besteht.The electronic part of the apparatus is in two groups different elements, which are in connection with the matrices, one group consisting of AND gates and the other consists of transistor amplifier circuits.
Die Zahl der Auswertungsmatrizen ist mindestens gleich der Anzahl der in dem auszuwertenden Teil der Numerierung enthaltenen Ziffern, wobei jede dieser Matrizen an sich bekannter Art in einer gemeinsamen Ebene angeordnete vertikal verlaufende Leiter und in einer anderen Ebene angeordnete horizontal verlaufende Leiter aufweist und wobei jeder von zehn Leitern ein und derselben Auswertungsmatrix eine bestimmte Ziffer, aber von gleichem Stellengewicht, in der Dezimalschreibweise charakterisiert.The number of evaluation matrices is at least equal to the number in the part of the numbering to be evaluated contained digits, each of these matrices of a known type arranged vertically in a common plane having extending conductors and arranged in another plane horizontally extending conductors and wherein each of ten ladders of the same evaluation matrix has a certain number, but of the same weight, characterized in decimal notation.
Die horizontalen Leiter gleicher Wertstelle jeder Auswertungsmatrix sind mit dem zugeordneten Eingang eines dieser Wertstelle zugewiesenen UND-Gliedes verbunden, und der Ausgang dieses Gliedes ist mit einem horizontalen Leiter der Bestimmungsmatrix derart verbunden, wenn das Eintreffen einer Numerierung die vorübergehende Markierung eines vertikalen Leiters je Auswertungsmatrix verursacht, und wenn diese Markierungen auf die Eingänge des UND-Gliedes gelenkt werden, dieses letztere den genannten horizontalen Leiter der Bezeichnungsmatrix markieren kann, um die Bezeichnung des Bündels von Leitungen vorzubereiten, die zur Abwicklung der Verbindung geeignet sind. Jeder Auswertungsmatrix ist ein zusatz-The horizontal ladder of the same value point of each evaluation matrix are connected to the assigned input of an AND element assigned to this value point, and the output of this element is connected to a horizontal conductor of the determination matrix in such a way that if the arrival of a numbering the temporary marking of a vertical conductor per evaluation matrix caused, and if these markings are directed to the inputs of the AND gate, this latter can mark the said horizontal conductor of the designation matrix in order to identify the bundle of lines that are suitable for handling the connection. Each evaluation matrix is an additional
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licher vertikaler Leiter zugewiesen, an dem eine ständige Markierung derart vorgesehen ist, daß an den Eingängen der UND-Glieder die Markierungen der Ziffern mit für die Auswertung der Numerierung nicht benötigtem Stellengewicht ersetzt werden können.licher vertical ladder assigned to which a permanent Marking is provided in such a way that the markings of the digits with for at the inputs of the AND gates the evaluation of the numbering can be substituted for digit weight that is not required.
Die Leitungsbündelbestimmungsmatrix weist zwei analoge Gruppen vertikaler Leitungen auf, von denen die eine den normalen Leitwegbündeln und die andere den Umwegbündeln zugewiesen ist, wobei zwei vertikale Leiter gleicher Wertstelle dieser Gruppen durch einen Widerstand (RD) miteinander verbunden sind.The trunk group determination matrix has two analogs Groups of vertical lines, one of which bundles the normal route bundles and the other bundles the detour bundles is assigned, whereby two vertical conductors of the same value place of these groups through a resistor (RD) to each other are connected.
Jeder vertikale Leiter der Bestimmungsmatrix für Normalbündel ist an die Basis eines Transistors gleicher Wertstelle über einen Widerstand (RN) angeschlossen, während der Kollektor dieses Transistors mit einem Steuerkreis verbunden ist und die Emitter dieser Transistoren gemeinsam an einen Widerstand (RE) angeschlossen sind, dessen Ende an einer der Polarität der Markierung entgegengesetzten Polarität liegt, so daß die Markierung eines vertikalen Leiters der Bestimmungsmatrix für die Normalbündel die EntSperrung des Transistors von entsprechender Wertstelle herbeiführt, was die Bezeichnung eines Normalleitwegbündels genehmigt·Each vertical conductor of the normal bundle determination matrix is connected to the base of a transistor of the same value via a resistor (RN), while the collector of this transistor is connected to a control circuit and the emitters of these transistors are common are connected to a resistor (RE), the end of which is opposite to the polarity of the marking Polarity is so that the marking of a vertical conductor of the matrix determination for the normal bundle the unlocking of the transistor brings about the corresponding value point, which is the designation of a normal routing bundle approved·
Eine ebensolche, von einem UND-Glied herrührende Markierung kann gleichzeitig auf einen vertikalen Leiter jeder der beiden Gruppen der Bündelbestimmungsmatrix geleitet werden, wenn die genannten Leiter nicht von gleicher Wertstelle sind, indem, weil die Emitterkreise (RE) der Transistoren übereinstimmen, der Spannungswert ' in den Basiskreisen der Transistoren unterschiedlich ist, je nachdem man es mit einem Normalbündel oder einemA marking of the same kind originating from an AND element can be conducted simultaneously to a vertical conductor of each of the two groups of the bundle determination matrix if the conductors mentioned are not of the same value, in that, because the emitter circuits (RE) of the transistors match, the voltage value ' in the base circles of the transistors is different, depending on whether you are dealing with a normal bundle or a
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Umleitbündel zu tun hat, wobei nur die Markierung des
genannten Leiters der Gruppe "Normalleiter" die Freigabe des zugehörigen Transistors hervorruft.Diversion bundle has to do with only the marking of the
named conductor of the group "normal conductor" causes the release of the associated transistor.
Da die Belegung aller Leitungen eines Normalbündels durch
eine Sperrpolaritat verwirklicht wird, die an der Basis
des Transistors erscheint, dessen Wertstelle dem genannten Bündel entspricht, wird der der Wertstelle des
Umleübündels zugewiesene Transistor leitend und bezeichnet das genannte Bündel.Since the occupancy of all lines of a normal bundle is realized by a blocking polarity, which is at the base
of the transistor appears whose value point corresponds to the bundle mentioned, that of the value point of the
The transistor assigned to Umleübündels is conductive and designates the said bundle.
Ein zusätzlicher Transistor zur Überwachung der Sperrung
von Bündeln (TEF) ist den Transistoren zur Bezeichnung
der Normal- und Umleitbündel zugefügt und die Emitterbzw, Kollektoranschlüsse dieses Transistors sind mit dem
Emitterwiderstand (RE) bzw. einem Steuerkreis (AEF, RSE) angeschlossen wie die anderen Transistoren, wobei die
Basis des zusätzlichen Transistors an Spannung liegt
seit der Auswertung der Numerierung, so daß dieser Transistor nur leitend wird und die Sperre signalisiert,
wenn ein Sperrbefehl entweder den Bezeichnungstransistor eines Normalbündels, dem kein Umleitbündel beigegeben ist,
oder den Bezeichnungstransistor eines Normalbündels und
den Transistor des dem Normalbündel beigegebenen Umleitbündels beeinflußt.An additional transistor for monitoring the blocking of bundles (TEF) is called the transistors
the normal and diversion bundle added and the emitter or collector connections of this transistor are connected to the emitter resistor (RE) or a control circuit (AEF, RSE) like the other transistors, whereby the
The base of the additional transistor is connected to voltage
since the evaluation of the numbering, so that this transistor is only conductive and signals the lock,
if a blocking command either the designation transistor of a normal bundle to which no diversion bundle is attached, or the designation transistor of a normal bundle and
influences the transistor of the diversion bundle attached to the normal bundle.
Ein Vorteil der erfindungsgemässen Apparatur ist darin
zu sehen, daß sie zur Leitwegbezeichnung einen elektronischen Teil aufweist, durch den die Apparatur in kompak-■fer
Weise und mit verringertem Raumbedarf ausgeführt werden kann.One advantage of the apparatus of the invention is that
to see that it has an electronic part for route designation, by means of which the apparatus can be carried out in a compact manner and with a reduced space requirement.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden Einzelbeschreibung des AufbausFurther advantages and features of the invention result from the following detailed description of the structure
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und der Arbeitsweise einer Ausführungsform der Erfindung an Hand der Zeichnungen, die folgendes darstellen: and the operation of an embodiment of the invention on the basis of the drawings showing the following:
Fig. 1 das Schema einer Matrix zur Numerierungsauswertung, mit Diodenträger-Steckern versehen;1 shows the scheme of a matrix for numbering evaluation, provided with diode carrier connectors;
Fig. 2 die programmierte Front der in Fig. 1 schematisch dargestellten MatrixjFIG. 2 shows the programmed front of the matrix j shown schematically in FIG
Fig. 3 und 4 die erfindungsgemässe Apparatur;3 and 4 show the apparatus according to the invention;
Fig. 5 bzw. 6 ein Beispiel für Varianten für die Anwendung bei Auswertungsmatrizen bzw. Transistorsteuerschaltungen; 5 and 6 an example of variants for use in evaluation matrices or transistor control circuits;
Fig. 7 eine mögliche Ausführungsform der Programmierungsfront der erfindungsgemässen,Apparatur.7 shows a possible embodiment of the programming front of the apparatus according to the invention.
EineMatrize zur Numerierungsauswertung, etwa MAt (Matrize zur Auswertung der vierten Ziffer) gemäß Fig, I, weist vertikale Leiter 1, 2, 3 ... 0 und CI auf, die in einer bestimmten Ebene angeordnet sind und zunächst den Ziffern 1 bis 0 entsprechen, die in Dezimalschreibweise an den genannten Leitern markiert sind, sowie, bezüglich CI, einer indifferenten Zahl. Die Null ist an letzter Stelle der Ziffernfolge angeordnet, weil es bei der Numerierung im Fernmeldewesen so üblich ist, wo die Null zehn Impulsen entspricht. Die genannte Matrix weist ferner horizontal verlaufende Leiter Hl, H2, H3, ... Hn auf, die in einer von der ersten verschiedenen Ebene angeordnet sind.A die for numbering evaluation, e.g. MAt (Matrize to evaluate the fourth digit) according to Fig, I, has vertical conductors 1, 2, 3 ... 0 and CI, which in a are arranged on a certain level and initially correspond to the digits 1 to 0, which are attached to the in decimal notation named ladders are marked, as well as, with regard to CI, an indifferent number. The zero is in the last position Sequence of digits arranged because it is so common in numbering in telecommunications where the zero ten pulses is equivalent to. Said matrix also has horizontally extending conductors Hl, H2, H3, ... Hn, which in a are arranged from the first different level.
Die Verbindung zwischen einem vertikalen Leiter (z.B. 2)The connection between a vertical conductor (e.g. 2)
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und einem horizontalen Leiter (z.B. H3) kann durch Einsetzen eines "Diodenträger"-Steckers (fpd) bekannter Bauart erfolgen, dessen einer Teil den vertikalen und dessen anderer Teil den horizontalen Leiter berührt, wobei die Verbindung zwischen beiden Teilen durch eine an dem Stecker vorgesehene Diode D erfolgt.and a horizontal conductor (e.g. H3) can be made more known by inserting a "diode carrier" connector (fpd) One part of which touches the vertical conductor and the other part the horizontal conductor, the connection between the two parts being made by a diode D provided on the plug.
Man kann die Verbindung ein und desselben vertikalen Leiters (z.B. 7) mit mehreren horizontalen Leitern (z.B. Hl, H3) herstellen, indem man Diodenträger-Stecker (vgl. fpd in Fig. 2)"auf jeder in Betracht kommenden Kreuzungsachse (vgl. a und b in Fig. 1) anbringt. Die in die Matrize eingesetzten Diodenträger-Stecker (ausgefüllte Kreise in Fig. 2) stellen die Verbindung ihrer Diode mit den Leitern her (vgl. Fig. 1).One can connect one and the same vertical Create a conductor (e.g. 7) with several horizontal conductors (e.g. Hl, H3) by connecting diode carrier plugs (cf. fpd in Fig. 2) "attaches to each intersection axis in question (cf. a and b in Fig. 1). The diode carrier plugs inserted into the die (filled circles in FIG. 2) represent the Connection of their diode with the conductors (see. Fig. 1).
In entsprechender Weise ist es möglich, die Verbindung eines bestimmten horizontal verlaufenden Leiters (z.B. H3) mit mehreren vertikalen Leitern (2, 3, 4, 7) herzustellen, wie es in den Fig. 1 und 2 angedeutet ist.In a corresponding way it is possible to connect a certain horizontally running conductor (e.g. H3) with several vertical conductors (2, 3, 4, 7), as indicated in FIGS. 1 and 2.
Schließlich wird der vertikale Leiter CI (indifferente Ziffer) ständig mit einer Plus-Polarität verbunden. Dieser Leiter wird immer dann benutzt, wenn die Numerierung eine Ziffer enthält, deren Stellengewicht für die Auswertung nicht erforderlich ist.Finally, the vertical head becomes CI (indifferent Digit) always connected with a plus polarity. This Ladder is always used when the numbering contains a digit, the weight of which is used for the evaluation is not required.
Die erfindungsgemässe Apparatur weist so viele Auswertungselementarmatrizen auf, wie die Höchstzahl der Gruppen von Ziffern ist, die in einer gegebenen Numerierung auszuwerten ist.The apparatus according to the invention has so many evaluation element arrays on what is the maximum number of groups of digits that can be used in a given numbering is to be evaluated.
Der in Fig. 3 gezeichnete Teil der Apparatur ermöglicht die Auswertung von vier Gruppen von Ziffern durch die Ma-The part of the apparatus shown in Fig. 3 enables the evaluation of four groups of digits by the Ma-
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trizen MAl bis MAH, In dieser Figur sind die an den Diodenträger-fSteckern der Matrizen vorgesehenen Dioden durch Pfeile versinnbildlicht.trizen MAl to MAH, in this figure are those at the The diodes provided for the matrices are connected to the diode carrier plugs symbolized by arrows.
Die mit Dezimalziffern bezeichneten vertikalen Leiter sind mit einem Numerierungsempfänger ORN verbunden, der gestrichelt angedeutet ist, weil er nicht Beetandteil der Erfindung ist·The vertical conductors marked with decimal digits are connected to a numbering receiver ORN, which is indicated by dashed lines because it is not part of the component the invention is
Die Horizontalleiter Hl jeder der Auswertungsmatrizen MAl1 MA2, MA3» MAI sind an ihnen zugeordnete Eingänge IEA, IEB, IEC, IED eines ersten UND-Gliedes ETl geführt. Die horizontalen Leiter H2 jeder der Auewertungematrizen MAl bis MAU sind an ihnen zugeordnete Eingänge 2EA bis 2ED eines zweiten UND-Gliedes ET2 geführt. Die horizontalen Leiter Hn jeder der Analysenmatrizen MAl bis MAI sind an ihnen zugeordnete Eingänge nEA bis nED eines η-ten UND-Gliedes ETn geführt. Die Ausgänge Sl, S2, Sn der UND-Glieder ETl, ET2, ... ETn sind durch ihnen zugeordnete Leitungen Ll, L2, ... Ln mit den horizontalen Leitern Hl-F, H2-F, ... Hn-F der in Fig. t angegebenen Matrix MDF zur Bezeichnung der Bündel verbunden. Diese Matrix weist zwei Gruppen vertikaler Leiter Fl, F2, F3, ..· Fm auf, von denen jeder Leiter ein Leitungsbündel repräsentiert, wobei die erste Gruppe FN zu den Normalbündeln gehört und die zweite Gruppe FD zu den Umleitbündeln. The horizontal conductors Hl of each of the evaluation matrices MAl 1 MA2, MA3 »MAI are led to inputs IEA, IEB, IEC, IED of a first AND element ETl assigned to them. The horizontal conductors H2 of each of the evaluation matrices MA1 to MAU are led to inputs 2EA to 2ED of a second AND element ET2 assigned to them. The horizontal conductors Hn of each of the analysis matrices MAl to MAI are guided to inputs nEA to nED of an η-th AND element ETn assigned to them. The outputs Sl, S2, Sn of the AND elements ETl, ET2, ... ETn are associated with lines Ll, L2, ... Ln with the horizontal conductors Hl-F, H2-F, ... Hn-F connected to the matrix MDF given in Fig. t to denote the bundle. This matrix has two groups of vertical conductors F1, F2, F3, .. · Fm, of which each conductor represents a line bundle, the first group FN belonging to the normal bundles and the second group FD belonging to the diversion bundles.
Die Verbindung zwischen horizontalen und vertikalen Leitern erfolgt durch in die Diodenträger-Stecker eingesetzte Dioden, wie bereits für die Ziffernauswertungsmatrizen beschrieben.The connection between horizontal and vertical conductors is made by plugging in the diode carrier Diodes, as already for the digit evaluation matrices described.
Jedes Ende Nl, N2, N3, ... Nm der ersten Gruppe vertikalerEach end Nl, N2, N3, ... Nm of the first group more vertical
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Leiter ist über einen Widerstand RN mit der Basis eines zugeordneten Transistors Tl, T2, T3, ... Tm verbunden. Die Enden Nl-Dl, N2-D2, N3-D3, ... Nm-Dm sind untereinander jeweils durch Widerstände RD verbunden. Die Basis jedes Transistors Tl, T2, T3, ... Tm ist an einen zugeordneten Widerstand RBl, RB2, RB3, ... RBm angeschlossen, dessen Ende an Pluspolarität liegt. Der Kollektorkreis jedes Transistors enthält einen Verstärker, der ein Relais steuert. Somit ist der Kollektor des Transistors Tl an einen Verstärker Al geführt, der ein Relais RFl steuert, das die Bezeichnung eines Bündels erlaubt, indem es über seinen Kontakt efl eine Polarität auf einen Draht DFl gibt.The conductor is connected to the base of an assigned transistor Tl, T2, T3, ... Tm via a resistor RN. The ends Nl-Dl, N2-D2, N3-D3, ... Nm-Dm are each connected to one another by resistors RD. The base each transistor Tl, T2, T3, ... Tm is connected to an associated resistor RBl, RB2, RB3, ... RBm, whose end is due to positive polarity. The collector circuit each transistor contains an amplifier that controls a relay. Thus, the collector of the transistor Tl is on an amplifier Al out, which controls a relay RFl, which allows the designation of a bundle by assigning a polarity to a wire via its contact efl DFl there.
Der Emitter jedes Transistors Tl bis Tm ist mit einem gemeinsamen Schaltungspunkt P verbunden, der einerseits über einen Widerstand RE an Pluspolarität gelegt ist und andererseits mit dem Emitter eines Transistors TEF verbunden ist. Der Kollektorkreis des Transistors TEF enthält einen Verstärker AEF9 der ein Relais RSE steuert. Wird das Relais erregt, so gibt es über seinen Kontakt rse eine Polarität auf einen Draht DEF. Der Basiskreis des Transistors TEF wird von einem Spannungsteiler gebildet, der Widerstände RB und RK enthält, die mit einem gemeinsamen Punkt Q an der Basis des Transistors TEF liegen, während der Widerstand RB an Pluspolarität grenzt und der Widerstand RK an eine Minuspolarität über einen Kontakt ca eines in der Zeichnung nicht wiedergegebenen Speiserelais gelegt werden kann.The emitter of each transistor Tl to Tm is connected to a common circuit point P which, on the one hand, is connected to positive polarity via a resistor RE and, on the other hand, is connected to the emitter of a transistor TEF. The collector circuit of the transistor TEF contains an amplifier AEF 9 which controls a relay RSE. If the relay is energized, there is polarity on a DEF wire via its contact rse. The base circuit of the transistor TEF is formed by a voltage divider, which contains resistors RB and RK, which have a common point Q at the base of the transistor TEF, while the resistor RB borders on positive polarity and the resistor RK borders on negative polarity via a contact approx a feed relay not shown in the drawing can be connected.
Die Basen der Transistoren Tl, T2, T3, ... Tm sind ebenfalls jeweils mit einem Punkt OFl, 0F2, 0F3, ... OFm verbunden, der durch einen Leitungsbelegungsdetektor (DOF) - weil nicht zur Erfindung gehörig, nur gestricheltThe bases of the transistors Tl, T2, T3, ... Tm are also each connected to a point OFl, 0F2, 0F3, ... OFm, by a line occupancy detector (DOF) - because not part of the invention, only dashed
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angedeutet - Spannung erhält. Der Leitungsbelegungsdetektor DOF liefert eine Sperrspannung, sobald sämtliche Leitungsbündel des entsprechenden Ranges nicht mehr verfügbar sind.indicated - tension is maintained. The line seizure detector DOF supplies a reverse voltage as soon as all the trunk groups of the corresponding rank are no longer available are.
NUMERIERUNGSAUSWERTUNG (Fig. 3)NUMBERING EVALUATION (Fig. 3)
Bei dem Einrichtungsbeispiel befinden sich Diodenträger-Stecker auf der ersten Stufe (erster horizontaler Leiter) jeder Auswertungsmatrix, und die Stecker sind angebracht auf den Kreuzungen 4-Hl der Matrix MAl bzw. 8-Hl der Matrix MA2 bzw. 6-Hl der Matrix MA3 bzw. 7-Hl der Matrix MAH.In the setup example, there are diode carrier plugs on the first level (first horizontal conductor) of each evaluation matrix, and the plugs are attached to the intersections 4-Hl of the matrix MAl and 8-Hl of the Matrix MA2 or 6-Hl of the matrix MA3 or 7-Hl of the matrix MAH.
Das UND-Glied ETl wird aktiv und liefert eine negative Ausgangsspannung am Ausgang Sl, wenn seine vier Eingänge gleichzeitig mit ainer Pluspolarität markiert werden, d.h., wenn die empfangenen Ziffern lauten (in dieser Reihenfolge):The AND gate ETl becomes active and supplies a negative output voltage at the output Sl, if its four inputs are marked with a plus polarity at the same time, i.e., if the digits received are (in this order):
- erste Ziffer: H (Markierung des Leiters t der Matrix MAl durch den Numerierungsempfänger ORN);- first digit: H (marking the conductor t of the matrix MAl by the numbering recipient ORN);
- zweite Ziffer: 8 (Markierung des Leiters 8 der Matrix MA2);second digit: 8 (marking of conductor 8 of matrix MA2);
- dritte Ziffer: 6 (Markierung deν Leiters 6 der Matrix MA3);- third digit: 6 (marking of the conductor 6 of the matrix MA3);
- vierte Ziffer: 7 (Markierung des Leiters 7 der Matrix MAH).- fourth digit: 7 (marking of conductor 7 of the matrix MAH).
Nachdem auf diese Weise das als Beispiel angegebene Programm durch die Diodenträger-Stecker auf der ersten Stufe der Matrizen eingestellt ist, erfolgt die Freigabe des UND-Gliedes ETl durch die Auswertung der Zahl 4867.After in this way the program given as an example through the diode carrier connector on the first stage of the matrices is set, the AND element ET1 is released by evaluating the number 4867.
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In analoger Weise gibt das UND-Glied ET2 eine negative Spannung bei S2 ab, wenn die empfangene Numerierung einer zwischen 3270 und einschließlich 3279 liegenden Zahl entspricht. Die Tausenderziffern (3) bzw. Hunderterziffern (2) und Zehnerziffern (7) wurden nämlich durch Markierung des vertikalen Leiters 3 von MAl bzw. 2 von MA2 bzw. 7 von MA3 gegeben und diese Markierungen wurden auf die Eingänge 2EA bzw. 2EB bzw. 2EC des Schaltgliedes ET2 geleitet.In an analogous manner, the AND element ET2 is negative Voltage at S2 off when the received numbering one between 3270 and 3279 inclusive Number equals. The thousands digits (3) or hundreds digits (2) and tens digits (7) have been replaced by Marking of the vertical conductor 3 of MAl or 2 of MA2 or 7 of MA3 given and these markings were routed to the inputs 2EA or 2EB or 2EC of the switching element ET2.
Da zur Markierung des letzten Eingangs 2ED des Schaltgliedes ET2 der Leiter CI (indifferente Ziffer) der Matrix MAU herangezogen wurde, steht diese Markierung für eine beliebige Ziffer des MAU entsprechenden Stellengewichts.As for marking the last input 2ED of the switching element ET2, the conductor CI (indifferent digit) of the matrix MAU was used, this marking stands for any digit of the position weight corresponding to the MAU.
Das Schaltglied ETm schließlich gibt eine negative Spannung an Sn ab, wenn die empfangene Numerierung einer zwischen 5000 und 5999 einschließlich liegenden Zahl entspricht. Die erste Ziffer ist nämlich durch die Markierung des Leiters 5 in MAl gegeben und diese Markierung rührt von dem Numerierungsempfänger ORN her und erregt den Eingang nEA des Schaltgliedes ETn. Die Ziffern 0 bis 9 der zweiten bzw. dritten bzw. vierten Wertstelle sind durch Markierungen gegeben, die von dem Leiter CI yon MA2 (Eingang nEB erregt) bzw. dem Leiter CI von MA3 (Eingang nEC erregt) bzw. dem Leiter CI von MAU (Eingang nED erregt) herrühren.The switching element ETm finally outputs a negative voltage to Sn if the received numbering is between 5000 and 5999 including the lying number corresponds. The first digit is given by the marking of the conductor 5 in MAl and this marking comes from the numbering receiver ORN and energizes the input nEA of the switching element ETn. The digits 0 to 9 of the second, third and fourth value points are given by markings made by the head CI yon MA2 (Input nEB energized) or the conductor CI of MA3 (input nEC energized) or the conductor CI of MAU (input nED energized) originate.
Bei bestimmten Arten von Numerierung findet man eine reduzierte Numerierung, bei der eine Kennzahl (z.B. 8) mehrere Ziffern der üblichen Numerierung (z.B. die beiden ersten Ziffern) ersetzt. In diesem Fall sind die beiden ersten Matrizen MAl bzw. MA2, die der ersten bzw. der zweiten Ziffer zugewiesen sind, in der in Fig. 5 gezeig-With certain types of numbering one finds a reduced one Numbering in which a code number (e.g. 8) has several digits of the usual numbering (e.g. the two first digits). In this case, the first two matrices MA1 and MA2, those of the first and the assigned to the second digit, in the shown in Fig. 5-
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ten Weise geschaltet.switched way.
Der vertikale Leiter 8 der einen Matrix (z.B. MAl) ist symmetrisch zu den beiden Matrizen MAl und MA2 angeordnet, deren einander jeweils entsprechende horizontale Leiter durch Diodenpaare miteinander verbunden sind, die gegeneinander geschaltet und mit ihren Anoden zusammengeführt sind. Kurzschluß- oder Diodenträger-Stecker sind auf den Kreuzungspunkt des vertikalen Leiters 8 mit den genannten horizontalen Leitern derart gesetzt, so daß beim Anlegen von Spannung an den vertikalen Leiter 8 an den jeweils gleichstelligen Horizontalen Hl bis Hn der Matrizen MAl und MA2 dargestellt wird, Daher ist nur eine einzige Markierung für die Auewertung der beiden ersten Ziffern der Numerierung erforderlich· Bei diesem Auswertungssystem enthält die Numerierung eine Ziffer weniger, um eine überschiessende Markierung zu vermeiden«The vertical conductor 8 of one matrix (e.g. MAl) is arranged symmetrically to the two matrices MAl and MA2, whose corresponding horizontal conductors are connected to one another by pairs of diodes, which are connected to one another and brought together with their anodes. Short-circuit or diode carrier connector are at the point of intersection of the vertical conductor 8 with said horizontal conductors in such a way set, so that when voltage is applied to the vertical conductor 8 at the respective horizontal line Hl to Hn of the matrices MAl and MA2 is shown, therefore there is only a single marking for the evaluation of the first two digits of the numbering required · With this evaluation system, the numbering contains one digit less to mark an excessive mark to avoid"
BEZEICHNUNG EINES LEITUNGSBÜNDELS ODER SPERRKENNZEICHNUNGDESIGNATION OF A CABLE BUNDLE OR LOCKING MARKING
(Fig. 4)(Fig. 4)
A - KEINE MÖGLICHKEIT FÜR LEITWEGUMLEITUNGA - NO OPPORTUNITY FOR DIRECTORATE
Die durch die Auswertung der Numerierung vorgenommene Markierung führt durch eine Verbindung L der Bündelbezeichnungsmatrix MDF zu einem vertikalen Leiter der einzigen Gruppe normaler Bündel FN. Es hat sich gezeigt, daß die etwa auf der ersten Stufe jeder Auswertungsmatrix ausgeführten Markierungen die öffnung des UND-Gliedes ETl (Fig· 3) gestatten. Dadurch wird ein negatives Potential auf die Verbindung Ll der Matrix MDF gegeben. Nach dem inThe marking carried out by evaluating the numbering leads through a connection L of the bundle designation matrix MDF to a vertical conductor of the only group of normal bundles FN. It has been shown that the markings carried out approximately on the first stage of each evaluation matrix indicate the opening of the AND element ET1 (Fig. 3). This gives a negative potential to the connection Ll of the matrix MDF. After the in
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Fig. 4 gezeigten Beispiel lenkt der Diodenträger-Stecker, der auf den Kreuzungspunkt F3-L1 dieser Matrix gesteckt ist, dieses Potential auf den vertikalen Leiter F3 der einzigen Gruppe FN von normale Bündel darstellenden Leitern, d.h. der Bündel des direkten Leitweges,The example shown in Fig. 4 steers the diode carrier connector, which is plugged onto the crossing point F3-L1 of this matrix, this potential onto the vertical conductor F3 of the single group FN of conductors representing normal bundles, i.e. bundles of direct route,
-Mindestens ein Leiter ist in dem Normalbündel 3 verfügbar. —At least one conductor is available in the normal bundle 3. -
Der Absolutwert der Basisspannung uT3 des Transistors T3 ist, wenn U die Speisespannung des Systems ist:The absolute value of the base voltage uT3 of the transistor T3 is, if U is the supply voltage of the system:
3 . U x RB3
Ula RB3 + RN (1)3. U x RB3
Ula RB3 + RN (1)
Dieser Wert wird, vom Schwellwert der Spannung Emitter-' Basis von T3 abgesehen, an den Enden des Widerstands RE (Punkt P) bei leitendem Transistor T3 angetroffen.This value is, apart from the threshold value of the voltage emitter- 'base of T3, at the ends of the resistor RE (Point P) encountered with conductive transistor T3.
Bei Beginn der Analyse wird der Kontakt ca hergestellt und ermöglicht die Speisung des Basiskreises des Transistors TEF (Widerstände RB und RK des Spannungsteilers beispielsweise RB = RBl = RB2 ... = RBm und RK > RN + RD). Die Basisspannung von TEF (Punkt Q) ist daher:At the beginning of the analysis, the contact ca is made and enables the base circuit of the transistor to be fed TEF (resistors RB and RK of the voltage divider for example RB = RBl = RB2 ... = RBm and RK> RN + RD). The base stress of TEF (point Q) is therefore:
u TEF - H x RB u TEF - H x RB
RB + RK (2)RB + RK (2)
Vergleicht man die zu den Punkten P und Q gehörigen Spannungen (1) und (2), zeigt sichs daß nach dem absoluten Betrag u.TEF <uT3. Infolgedessen bleibt der Transistor TEF gesperrt.Comparing the corresponding to the points P and Q voltages (1) and (2) shows that after the absolute value s u.TEF <uT3. As a result, the transistor TEF remains blocked.
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- in -- in -
Lediglich der Transistor T3 ist leitend und steuert über den Verstärker A3 die Sperrung des Relais RF3. Dieses gibt durch seinen Kontakt rf3 eine Polarität auf den Draht DF3,kennzeichnet dadurch das Bündel 3 und setzt ein Wahlsystem in Betrieb (das nicht Gegenstand der Erfindung ist), um den einen der freien Leiter unter den Leitern des genannten Bündels zu bezeichnen·Only the transistor T3 is conductive and controls the blocking of the relay RF3 via the amplifier A3. This gives a polarity to wire DF3 through its contact rf3, thereby identifying bundle 3 and starting Elective system in operation (which is not the subject of the invention) to one of the free conductors among the ladders of the bundle mentioned
— Sperrung des Bündels 3 --- Blocking of bundle 3 -
Wenn kein Leiter in dem Bündel im Augenblick der Auswertung frei ist, zeigt der Leitungsbelegungsdetektor DOF bekannter Art (der nicht Gegenstand der Erfindung ist) eine positive Polarität an dem Punkt DF3 und hält auf diese Weise den Transistor T3 gesperrt. Da das Potential des Punkts P dem positiven Potential des Widerstands RE entspricht, wird der Transistor TEF leitend und bleibt in diesem Zustand. Das Sperrungsüberwachungsrelais RSE rastet ein und markiert durch seinen Kontakt rse den Draht DEF, wodurch angezeigt wird, daß der durch die registrierte Nummer gekennzeichnete Draht nicht frei ist und daß diese Numerierung nicht weitergegeben werden kann,If no conductor in the bundle is free at the moment of evaluation, the line seizure detector shows DOF of known type (which is not the subject of the invention) has a positive polarity at the point DF3 and holds it Way, the transistor T3 blocked. Since the potential of the point P corresponds to the positive potential of the resistor RE corresponds, the transistor TEF is conductive and remains in this state. The locking monitoring relay RSE engages and marks the wire DEF through its contact rse, indicating that the one registered by the Number marked wire is not free and that this numbering cannot be passed on,
B - MÖGLICHKEIT FOR LEITWEGUMLEITUNGB - POSSIBILITY FOR ROUTE DIRECTION
In diesem Fall weist die Auswertungsmarkierung, etwa über eine Leitung L2, der Bündelbezeichnungsmatrix einen Leiter, etwa Fl, der den Normalbündeln zugeordneten Gruppe FN und einen Leiter, etwa F3, der den Umleitbündeln zugeordneten Gruppe FD zu (Einsetzen von zwei Diodenträger-Steckern an den entsprechenden Kreuzungspunkten Fl - L2 von FN und F3-L2 von FD).In this case, the evaluation marker has, for example, over a line L2, the bundle designation matrix a conductor, such as Fl, the group FN assigned to the normal bundles and a conductor, for example F3, to the group FD assigned to the diversion bundles (insertion of two diode carrier plugs at the corresponding intersection points Fl - L2 of FN and F3-L2 from FD).
~ Mindestens ein Leiter ist in dem Normalbündel 1 verfügbar —~ At least one conductor is available in normal bundle 1 -
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Die Auswertungsmarkierung (negatives Potential auf der Leitung L2) erzeugt einen Strom, der sich auf die folgenden Wege verteilt;The evaluation mark (negative potential on line L2) generates a current that affects the following Paths distributed;
Leitung L2, Leiter Fl der Gruppe FN, Punkt Nl, Widerstand RN, Widerstand RBl und positiver Pol;Line L2, head Fl of group FN, point Nl, resistor RN, resistor RBl and positive pole;
Leitung L2, Leiter F3 der Gruppe FD, Punkt D3, Widerstand RD, Widerstand RN, Widerstand RB3 und positiver Pol.Line L2, line F3 of group FD, point D3, resistor RD, resistor RN, resistor RB3 and positive pole.
Der Absolutwert der Basisspannung uTl von Tl ist:The absolute value of the base voltage uTl of Tl is:
RBl + RN
Der Absolutwert der Basisspannung uT3 von T3 ist;RBl + RN
The absolute value of the base voltage uT3 of T3 is;
UT3 = UxRB3 UT3 = UxRB3
RB3 + RD + RNRB3 + RD + RN
Da RBl = RB3 ergibt sich RB3 + RD + RN > RBl / Rn und uTl >uT3.Since RBl = RB3 we get RB3 + RD + RN> RBl / Rn and uTl > uT3.
Da der Absolutwert der Basisspannung des Transistors T3 kleiner als der der Basisspannung des Transistors Il ist, bleibt der Transistor T3 gesperrt, während Tl leitend wird. Alle Emitter am gemeinsamen SchaLtpunkt erhalten das durch RE bestimmte Potential, das dem höchsten Potential entspricht, das an den Basen der Transistoren Tl, T2, .·· Tm (vom Schwellwert abgesehen) erscheinen kann. Das Relais RFl rastet ein und bezeichnet das Normalbündel 1.Since the absolute value of the base voltage of the transistor T3 is smaller than that of the base voltage of the transistor II, the transistor T3 remains blocked, while Tl becomes conductive. Get all emitters at the common switch point the potential determined by RE, which corresponds to the highest potential at the bases of the transistors Tl, T2,. ·· Tm (apart from the threshold value) can appear. The relay RFl engages and designates normal bundle 1.
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Die Spannung am Punkt P nimmt den Wert uTl an, vom Schwellwert der Spannung zwischen Emitter und Basis des Transistors Tl abgesehen· Infolgedessen bleibt der Transistor TEF wie im Falle al gesperrt.The voltage at point P assumes the value uTl, vom Apart from the threshold value of the voltage between the emitter and the base of the transistor Tl Transistor TEF blocked as in the case al.
— Das Normalbündel 1 ist gesperrt —- Normal bundle 1 is blocked -
Der Leitungsbelegungsdetektor (DOF) hat positive Polarität am Punkt OFl, wodurch der Transistor Tl gesperrt wird. Das Relais RFl bleibt in Ruhelage. Der Transistor T3, dessen Emitterpotential (Punkt P) höher ist als das Potential uT3 seiner Basis, wird leitend und speist das Relais F3, das die Umleitleitung 3 bezeichnet.The line occupancy detector (DOF) has positive polarity at point OFl, whereby the transistor Tl is blocked will. The relay RFl remains in the rest position. The transistor T3, whose emitter potential (point P) is higher than the potential uT3 of its base, becomes conductive and feeds the relay F3, which denotes the diversion line 3.
Die Basisspannung uT3 = wird» von der Schwellwertspannung Emitter-Basis an dem Transistor T3 abgesehen, an die Anschlüsse des Widerstands RE (Punkt P) übertragen.The base voltage uT3 = is transmitted to the connections of the resistor RE (point P) apart from the threshold voltage emitter-base at the transistor T3.
Man vergleiche die Spannungen an den Punkten P und Q:Compare the stresses at points P and Q:
u ρ , uT3 u ρ, uT3
RB3 + RD + RNRB3 + RD + RN
Es ist bekannt, daßIt is known that
RB = RB3 und RK < RD + RN Infolgedessen ist die Spannung am Punkt Q als AbsoltwertRB = RB3 and RK <RD + RN As a result, the voltage at point Q is an absolute value
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kleiner als die Spannung am Punkt P, und der Transistor TEF bleibt gesperrt.less than the voltage at point P, and the transistor TEF remains blocked.
— Die Umwegleitung 3 ist ebenfalls gesperrt —- Detour line 3 is also blocked -
Die Transistoren Tl bzw, T3 sind wegen der positiven Polaritäten an den Punkten OFl bzw. 0F3 gesperrt.The transistors Tl and T3 are blocked because of the positive polarities at the points OFl and 0F3.
Da der Punkt P positives Potential hat, wird der Transistor TEF leitend und speist das Relais RSE, das die Sperrung anzeigt.Since the point P has positive potential, the transistor becomes TEF conductive and feeds the relay RSE, which indicates the blocking.
C - MEHRERE ÜMLEITUNGSMÖGLIGHKEITENC - MULTIPLE TRANSFER OPTIONS
In diesem Fall sind die Transistoren, etwa Tl bis Tm aus Fig. H, bestückt wie der in Fig. 6 dargestellte Transistor T. Dieser Transistor weist eine bestimmte Anzahl in Reihe geschalteter Basiswiderstände auf: RN, RDl, RD2, RD3 beispielsweise· Der Widerstand RN liegt zwischen der Basis des Transistors T und dem Punkt N, der Widerstand RDl zwischen N und dem Punkt Dl, der Widerstand RD2 zwischen den Punkten Dl und D2, und der Widerstand RD3 zwischen den Punkten D2 und D3.In this case, the transistors, for example T1 to Tm from FIG. H, are equipped like the transistor shown in FIG T. This transistor has a certain number of series-connected base resistances: RN, RDl, RD2, RD3 for example · The resistor RN lies between the base of the transistor T and the point N, the resistor RDl between N and the point Dl, the resistor RD2 between the points Dl and D2, and the resistor RD3 between points D2 and D3.
Die Verbindung der vertikalen Leiter der Gruppe FN der Normalleitungen (Punkte Nl bis Nm) bleibt wie in Fig; t angegeben. Demgegenüber werden die vertikalen Leiter der Gruppe FD von Umwegleitungen entsprechend der Reihenfolge der betrachteten Umleitung an die Punkte Dl bis D3 geführt. The connection of the vertical conductors of the group FN of the normal lines (points Nl to Nm) remains as in Fig; t specified. In contrast, the vertical conductors of the group FD of detour lines according to the order the considered diversion led to the points Dl to D3.
Natürlich ist die Erfindung nicht auf die beschriebeneOf course, the invention is not limited to the one described
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und gezeichnete Ausbildung, die nur als Ausführungsbeispiel angegeben ist» beschränkt· Im Rahmen der Erfindung können Einzelheiten verändert, bestimmte Anordnungen vertauscht oder bestimmte Mittel durch gleichwertige ersetzt werden. Insbesondere können die Markierungspotentiale durch die entgegengesetzte Polarität ersetzt werden, sofern die Orientierung der Dioden umgekehrt wird und Transistoren vom entgegengesetzten Typ verwendet werden« Ausserdem werden die Numerierungsauswertungsmatrizen und die Leitungskennzeichnungsmatrix hintereinander angeordnet, um die Programmierung zu erleichtern: dann sind nämlich die horizontalen Leiter hintereinander angeordnet und vereinfachen dadurch die Bestimmung der Stufen für das Einsetzen der Aufsteckelemente in die genannten Matrizen« Die Programmierung wird durch die als AusfUhrungsbeispiel in Fig« 7 wiedergegebene Ausf ührung der Frontseite der Apparatur erleichtert. Die Zeilen Hl, H2, H3, ... Hm dieser Fläche entsprechen den Stufen und verlaufen horizontal zum Gestell. Ein Programmierungsbeispiel ist auf dieθer Fläche durch schwarze Kreisflächen wiedergegeben, die die aufgesetzten Aufsteckelemente darstellen.and drawn design, which is only given as an exemplary embodiment »limited · Within the scope of the invention, details can be changed, certain arrangements exchanged or certain means replaced by equivalent ones. In particular, the marking potentials be replaced by the opposite polarity, provided that the orientation of the diodes is reversed and transistors of the opposite type are used «In addition, the numbering evaluation matrices and the line identification matrix in tandem for programming make it easier: then the horizontal conductors are arranged one behind the other and thus simplify the determination of the steps for inserting the slip-on elements into the matrices mentioned «The programming is carried out through the design of the front of the apparatus shown as an exemplary embodiment in FIG. 7 facilitates. The lines Hl, H2, H3, ... Hm of this area correspond to the steps and run horizontally to the frame. A programming example is on the θer surface by black Circular areas shown, which represent the attached slip-on elements.
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