DE2250799A1

DE2250799A1 - INTERMEDIATE RESISTANCE IN END-MARKED COUPLING FIELDS

Info

Publication number: DE2250799A1
Application number: DE19722250799
Authority: DE
Inventors: Erich Dipl Phys Baechle
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1972-10-17
Filing date: 1972-10-17
Publication date: 1974-04-25

Description

"Zwischenleitungswiderstand in endmarkierten Koppelfeldern" Die Erfindung betrifft den Zwischenleitungswiderstand in endmarkierten Koppelfeldern. "Link resistance in end-marked switching fields" The invention concerns the link resistance in end-marked switching matrices.

Tn Fernsprechvermittlngssystemen werden die Verbindungen von den Teilnehmerschaltungen zu den Verbindungseinrichtungen und von diesen zu den Teilnehmern bei einem im Raumvielfach aufgebauten Sprechwegenetz über Koppelfelder hergestellt. Anstelle mechanischer Schalter werden dabei in den jetzt konzipierten modernen Versuchsvermittlungssystemen durchweg Halbleiterbauelemente verwendet, die alle zur tierstellung einer Verbindung erforderlichen Schaltvorgänze auf elektronischem Wege durchführen.In telephone switching systems, the connections are made by the subscriber circuits to the connection devices and from these to the participants in one in the room multiple established speech path network via switching fields. Instead of mechanical Switches are used in the modern test switching systems that have now been designed consistently used semiconductor components, all of which are used to establish a connection carry out the necessary switching operations electronically.

Zum Zwecke der Ersparnis von Koppelpukten werden die Koppelfelder bei größeren Teilnehmerzahlen vorteilhaft als Zwischenleitungskoppelfelder ausgebildet.For the purpose of saving coupling points, the coupling fields in the case of larger numbers of subscribers, it is advantageously designed as a link switching matrices.

Dabei ist das gesamte Koppelfeld in den einzelnen Stufen aus wirtschaltlichen Garenden mit gleichartigen Funktionseinheiten, den Koppelpunktbaugruppen bzw. Koppelvielfachen aufgebaut.The entire switching network in the individual stages is made up of economic Cooking ends with similar functional units, the crosspoint assemblies or coupling multiples built up.

Die einzelnen Stufen des Koppelieldes werden dann Über die sogenannten Zwischenleitungen miteinander verknüpft, wobei sool die Durchschaltelemente der Koppelpunkte als auch die Steurschaltungen miteinander verbunden werden.The individual stages of the Koppelieldes are then via the so-called Intermediate lines linked together, sool the switching elements of the Crosspoints as well as the control circuits are connected to one another.

Aus Nebensprechgründen im Koppelfeld erweist es sich als notwendet, daß die durch die Zwlschenleitungen miteinander verbundenen Durchschaltelemente der Koppelpunkte durch eine geeignete Sperrspannung, die über einen Zwischenleitungswiderstand an die Zwischenleitung gelangt, in den Sperrzustand gebracht werden.For reasons of cross-talk in the switching network, it turns out to be necessary that the switching elements connected to one another by the intermediate lines the crosspoints by means of a suitable reverse voltage, which is generated via an intermediate line resistance reaches the intermediate line, are brought into the blocking state.

Bedingung für diesen Zwischenleitungswiderstand ist, daß die stark temperaturabhängigen Sperrströme (Kollektor- und Emitterrestströme bei Transistoren) diese Sperrspannung an den Spalten- und Zeilentransistoren der einzelnen Stufen des Soppelfeldes, die die Zwischenleitung miteinander verbindet, nicht so weit verringern, daß die entsprechenden Transistoren eine zu geringe Sperrspannung aufweisen, eventuell sogar die entsprechenden Transistordioden in den Durchlaßzustand gelangen.The condition for this link resistance is that it is strong temperature-dependent reverse currents (collector and emitter residual currents in transistors) this reverse voltage at the column and row transistors of the individual stages of the switching field, which connects the intermediate line, do not decrease so much that the corresponding transistors have a reverse voltage that is too low, possibly even the corresponding transistor diodes go into the on state.

Andererseits sollte sein Wechselstromwiderstand dann, wenn ein Verbindungsweg über diese Zwischenleitung hergestellt wird, so gro£ sein, daß die durch ihn verursachte zusätzliche Dämpfung so gering ist, daß sie in der Praxis nicht berücksichtigt zu werden braucht.On the other hand, it should be AC resistance when a connection path is produced by this intermediate line, so great that the caused by it additional Attenuation is so small that in practice it is not needs to be taken into account.

Ist der an die Zwischenleitlung angeschlossene Zwischenleitungswiderstand ein ohmscher Widerstand, dpnn ist wegen der Sperratröme der Transistoren in den Koppepunkten seine GröBe von vornherein begrenzt Der Spannungsbfall, den diese Sperrströme an ihm verursachen, darf wie zuvor schon erwähnt, nicht so groß werden, daß die Sperrspannung der Durchshaltelemente des Halbleiterkoppelpunktes wesentlich beeinflußt wird. Bei Transistoren steigen die Sperrströme exponentiell mit der Umgebungstemperatur an und verdoppeln sich alle 7 bis 10°C. Wenn sich beispielsweise die bei einer Temperatur von 25° C an der Zwischenleitung anstehende Sperrspannung in eirem festgelegten Betriebstemperaturbereich praktisch nicht ändern soll, dann muß der Wert dieses ohmschen Widerstandes relativ klein gehalten werden. Dies führt andererseits dazu, daß für die Sprechwechselströme, die über die Durchschaltelementidurchgeschaltet und über die Zwischenleitungen geleitet werden, ein beträchtlicher Nebenschluß entstehen kann, der die Dämpfung des-Systems erheblich vergrößert und unter Umständen untragbar ist. Ein konstanter ohmscher Widerstand ist als Zwischenleitungswiderstand also zu ungünstig.Is the intermediate line resistance connected to the intermediate line an ohmic resistor, dpnn is due to the blocking currents of the transistors in the Coupling points limits its size from the outset The voltage drop caused by these reverse currents cause on him, as already mentioned, must not be so great that the Reverse voltage of the hold-through elements of the semiconductor crosspoint significantly influenced will. With transistors, the reverse currents increase exponentially with the ambient temperature and double every 7 to 10 ° C. For example, if the at a temperature of 25 ° C on the intermediate line in a specified reverse voltage If the operating temperature range is practically not to change, then the value must change this Ohmic resistance can be kept relatively small. On the other hand, this leads to that for the alternating speech currents that are switched through via the switching element and are routed across the intermediate lines, a significant shunt is created can, which increases the damping of the system considerably and may be unacceptable is. A constant ohmic resistance is therefore used as an intermediate line resistance too inconvenient.

Günstige verhältnisse liegen dann vor, wenn im aus ? -Zustand der Durchschaltelemente der an die Zwischenleitung angeschlossene Zwischenleitungswiderstand relativ klein ist (d.h. so klein, daß die über ihn fließenden Transistorsperrströme an ihm einen Spannungsbfall <0,5 Volt verursachen in gesamten Umgebungstemperaturbereich, de das Koppelfeld ausgesetzt ist), und wenn im 11ein- Zustand eines der an die Zwischenleitung angeschlossenen Durchshaltelemente der Wechselstromwiderstand des Zwischenleitungswiderstandes so groß ist, daß die allein durch inn verursachte Dämpfung praktisch zu vernachlässigen ft (d.h. Dämpfung durch seinen Wechselstromwiderstand <1 mN für 5 = 6C0 ehm). Ein in " "aus"- Zustand der Durchschaltelemente kleiner Zwischenleitungswiderstand (<1 K#) bewirkt außerdem eine optimale Nebensprechdämpfung.Are there favorable conditions when im out? -Condition of Switching elements of the intermediate line resistance connected to the intermediate line is relatively small (i.e. so small that the transistor reverse currents flowing through it cause a voltage drop <0.5 volts on it in the entire ambient temperature range, de the switching network is suspended), and if in the 11on state one of the to the intermediate line connected hold-through elements of the alternating current resistance of the intermediate line resistance is so great that the damping caused by inn alone is practically negligible ft (i.e. damping due to its alternating current resistance <1 mN for 5 = 6C0 ehm). A low intermediate line resistance in the "" off "state of the switching elements (<1 K #) also causes optimal crosstalk attenuation.

Aufgabe der Erfindung ist es einen Zwischenleitulngswiderstand anzugeben, der in einem endmarkierten Raumvielfach-Koppelfeld im "ein"- Zustand eines angeschlossenen Durchschaltelenentes einen derartig hohen Widerstand aufweist, daß die durch ihn verursachte Dampfung zu vernachlässigen ist und der in "aus"- Zustand eines angeschlossenen Durchschaltelementes einen derart geringen Widerstand aufweist, daß über ihn fließende Sperrströme nur einen vernachlässigbaren Spannungsabfall hervorrufen.The object of the invention is to specify an intermediate line resistor, that in an end-marked space division switching matrix in the "on" state of a connected Durchschaltelenentes has such a high resistance that the through him caused damping is negligible and the "off" state of a connected Switching element has such a low resistance that flowing through it Reverse currents only cause a negligible voltage drop.

Dieses Problem-wird dadu-rch gelöst, daß der Zwischenleitungswiderstand einen Feldeffekttransistor vor Depletion-(Verarmungs-) Typ enthält.This problem is solved by the fact that the intermediate line resistance includes a field effect transistor of the pre-depletion type.

Heitere Ausgestaltungen -der- Erfindung sind in den. Unteransprüchen beschrieben.Further refinements of the invention are in the. Subclaims described.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestenen insbesondere darin, daß bei Durchshalten eines Verbindungsweges über die Zwischenleitung der einen Feldeffektttransistor enthaltende Zwischenleitungswiderstand einen derart hohen Widerstand aufweist, daß die durch ihn verursachte zusätzliche Dämpfung vernachlässigbar klein ist, und daß andererseits bei Nichtbestehen eines Verbindungsweges über die Zwischenleitung der Zwlschenleitungswiderstand einen derart geringen Widerstand hat, daß durch über ihn fließende Sperrströme nur ein vernachlässigbarer Spannungsabfall entsteht.The advantages achieved with the invention are in particular: that when maintaining a connection path over the intermediate line of a field effect transistor containing intermediate line resistance has such a high resistance that the additional attenuation caused by it is negligibly small, and that on the other hand, if there is no connection via the intermediate line of the Intermediate line resistance has such a low resistance that through over Reverse currents flowing through it result in a negligible voltage drop.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert.Embodiments of the invention are explained in more detail with reference to the drawing explained.

Es zeigt: Figur 1: ein als dreistufiges Zwischenleitungssystem ausgebildetes Raumvielfach - Koppelfeld.It shows: FIG. 1: a three-stage intermediate line system Room multiple - coupling field.

Figur 2: einen Koppelpunkt des endmarkierten Koppelfeldes.Figure 2: a cross point of the end-marked switching matrix.

Figur 3: eine Koppelpunktbaugruppe bzw. ein Koppelvielfach des Koppelfeldes.Figure 3: a crosspoint assembly or a switching matrix of the switching matrix.

Figur 4: zwei Stufen des Koppelfeldes mit der sie verbindenden Zwischenleitung und den Zwischenleitungswiderstand.Figure 4: two stages of the switching network with the intermediate line connecting them and the link resistance.

Figur 5: einen N-Kanal, PN-Feldeffekttransistor als Zwischenleitungswiderstand.Figure 5: an N-channel, PN field effect transistor as an intermediate line resistance.

Figur 6: einen N-Kanal Depletion MOS-Feldeffekttransistor als Zwischenleitungswiderstand.FIG. 6: an N-channel depletion MOS field effect transistor as an intermediate line resistance.

Ein dreistufiges Zwischenleitungs-Raumvielfach-Koppel feld ist z.B. in Figur 1 dargestellt.A three-stage inter-line space division switch is e.g. shown in FIG.

An die 100 Eingänge können 90 Fernsprechteilnehmer (Tln) und 10 Amtsübertragungen (Aue) angeschlossen werden. Die 27 Ausgänge dienen dem Anschluß von Innenverbindungssätzen (IVS) zur Verbindung der direkt an das System angeschlossenen Teilnehmer untereinander und dem Anschluß von Wahlempfängern (WE), die Wählinformation aufnehmen können.The 100 inputs can accommodate 90 subscribers (subscribers) and 10 trunk transmissions (Aue) can be connected. The 27 outputs are used to connect internal connection sets (IVS) to connect the participants directly connected to the system with one another and the connection of dialing receivers (WE) that can receive dialing information.

Merkmal dieses Raumvielfach-Koppelfeldes ist, daß es in den einzelnen Stufen aus gleichartigen Funktionseinheiten, Koppelpunktbaugruppen bzw. Koppelvielfache genannt, aufgebaut ist: gemäß Fig. 1 aus identischen Koppelpunktbaugruppen mit je 10 x 3 = 30 Koppelpunkten. Aus 41 solcher LoFpelpunktaugruppen ist das Koppelfeld zusammengesetzt.The feature of this space division switching network is that it is in the individual Levels of similar functional units, crosspoint modules or switching matrices called, is constructed: according to FIG. 1 from identical crosspoint assemblies with each 10 x 3 = 30 crosspoints. The switching matrix is made up of 41 such LoFpel point assemblies composed.

Die A-Stufe (1.Stufe) dieses Zwischenleitungssystems (Fig.1) hat 100 Eingangsleitungen (in den Zeilen) und enthält 10 x (10 x 6) = 600 Koppelpunkte. Sie ist von 60 Ausgängen (in den Spalten) über 60 Zwischenleitungen (Zwl) mit den 60 Eingangsleitungen der B-Stufe (2. Stufe) verbunden, die ihrerseits 6 x (10 x t) = 3O0 Loppelpunkte aufweist und mit ihren aõ Ausgangsleitungen (in den Spalten) über 18 Zwischenleitungen an 18 C-Stufen-Eingangszeilen angeschlossen ist. Diese C-Stufen (3.Stufe) besitzt 3 x (10 x 9) = 270 Koppelpunkte und führt über 3 x 9 = 27 Ausgangsleitungen auf die Augänge, in denen auch eine Mischung stattfindet. Die restlichen 13 Ausgangsleitungen der B-Stufe (2.Stufe) sind Ausgangsleitungen des Koppelfeldes, die auf geeignete Weise über Unnenverbindungssätze (IVS) mit den Ausgängen der C-Stufe (3.Stufe) verbunden werden und so die Verbindung zweier direkt an das Koppelfeld angeschlossener Teilnehmer bewirken. Die Gesamtzahl der Koppelpunkte der Raumvielfach-Versuchsvermittlung beläuft sich damit auf 1230 Stück (12,3 Koppelpunkte pro Eingangsleitung bzw. pro Teilnehmer).The A stage (1st stage) of this link system (Fig. 1) has 100 Input lines (in rows) and contains 10 x (10 x 6) = 600 crosspoints. It is of 60 outputs (in the columns) via 60 intermediate lines (Zwl) with the 60 input lines of the B-stage (2nd stage) connected, which in turn 6th x (10 x t) = 3O0 coupling points and with their aõ output lines (in the Columns) is connected to 18 C-stage input rows via 18 intermediate lines. This C-level (3rd level) has 3 x (10 x 9) = 270 crosspoints and leads over 3 x 9 = 27 output lines to the outputs, in which a mixture also takes place. The remaining 13 output lines of the B stage (2nd stage) are output lines of the switching matrix, which in a suitable manner via non-connection sets (IVS) with the Outputs of the C-stage (3rd stage) are connected and thus the connection of two directly cause participants connected to the switching network. The total number of crosspoints the multiple room experiment placement thus amounts to 1230 pieces (12.3 crosspoints per input line or per participant).

In diesem Koppelfeld findet ein Halbleiterkoppelpunkt Verwendung, der sich ideal für Endmarkierzwecke mittels einer einfachen Schaltung, die große Toleranzen in ihren Einzelbestandteilen zuläßt, eignet. Dabei bedeutet die Eignung für Endmarkierzwecke in erster Linie, daß Zeile und Spalte bei seiner Belegurg gekennzeichnet sind, und daß eine Doppelbelegung der Zeile und der Spalte, in der sich der eingeschaltete Koppelpunkt befindet, auf jeden Fall verbindert wird.A semiconductor crosspoint is used in this switching network, which is ideal for end marking purposes by means of a simple circuit that is great Tolerances in their individual components is suitable. It means suitability for end marking purposes primarily that row and column are marked in its document are, and that a double assignment of the line and the column in which the switched on Crosspoint is located, is connected in any case.

Der Koppelpunkt (Fig. 2) besteht aus einer Steuerschaltung St und den daran angeschlossenen Durchschaltelementen für die Sprechwechselströme K1 und K2 Die Steuerschaltung ist mit einer Thyristortetrode mit einem äußeren Gateanoden-Widerstand RB1, einer äußeren Gatekathoden-Kombination mit Widerstand RB2-und zwei parallel liegenden Si--Dioden und einem äußeren Kathoden-Widerstand RS (lediglich ein einzig-er derartiger Widerstand pro Spalte einer Koppelpunktbaugruppe) versehen. Die Durchshaltelemente Ki für die Sprechwechselströme sind PNP-Si-Transistoren mit äußeren Easiswiderständen R33, R Ist die Steuerschaltung St ausgeschaltet, der Thyristor also gesperrt, dann sind auch die beiden Durchschaltelemente K1 und K2 gesperrt, denn an ihren Emitteranschlüssen ist eine Sperrspanng UV angelegt, Ist die Steuerschaltung St eingeschaltet, die Thyristortetrode also leitend, dann sind auch die beiden Durchschaltelemente im leitenden Zustand, wenn am Anodengate eine gegen UV große negative Spannung vorhanden ist.The coupling point (Fig. 2) consists of a control circuit St and the switching elements connected to it for the alternating speech currents K1 and K2 The control circuit is a thyristor tetrode with an external gate anode resistor RB1, an outer gate-cathode combination with resistor RB2- and two in parallel lying Si diodes and an external cathode resistor RS (only a single one such resistance per column of a crosspoint assembly). The perseverance elements Ki for the alternating speech currents are PNP-Si transistors with external base resistances R33, R If the control circuit St is switched off, i.e. the thyristor is blocked, then the two switching elements K1 and K2 are also blocked, because at their emitter connections A blocking voltage UV is applied, the control circuit St is switched on, the Thyristor tetrode is conductive, then the two switching elements are in the Conductive state if there is a negative voltage against UV at the anode gate is.

Zum Verständnis der Wirkungsweise des Koppelpunktes im endmarkierten Koppelfeld sei eine Koppelpunktbaugruppe betrachtet (Fig. 3), die aus 10 Eingängen (1...10) und 3 Ausgänge (1...3) besteht, also 30 Koppelpunkte enthält Die 10 Eingänge (Zeilen) bilden die Sprechadern Ai, Bi und die Steueradern Ci (i = 1...10). Die drei Ausgänge (Spalten) bestehen ebenso aus den Sprechadern Al, Bi und den Steueradern C'i (i = 1...3).To understand how the crosspoint works in the end-marked Switching matrix consider a crosspoint module (Fig. 3), which consists of 10 inputs (1 ... 10) and 3 outputs (1 ... 3), i.e. contains 30 crosspoints the 10 inputs (lines) form the speech cores Ai, Bi and the control cores Ci (i = 1 ... 10). The three outputs (columns) also consist of the speech wires Al, Bi and the control wires C'i (i = 1 ... 3).

Legt man nun z.B. an den Steueraderausgang C'1 die Betriebsspannung (z.B. Uo = -24 Volt) an und gibt auf die Eingangssteuerader C einen positiven Impuls geeigneter Spanngshöhe (mindestenz + 1V)1 dann schaltet die Steuerschaltung des Koppelpunktes KP11 1 ein und damit auch die beiden Durchschaltelemente. Am Zeilenbelastungswiderstand R entsteht ein Spannungsbfall, der entsprechend der Größe der Betriebsspannung alle anderen Steuerschaltungen der gleichen Zeile praktisch mit dieser Betriebsspannug abzüglich der schon vorhandenen Sperrspannung in Sperrichtung vorspannt (im Beispielfall nit etwa 18 Volt). Das aber bedeutet, daß mit einem Einschaltimpuls gleicher Amplitude kein anderer Koppelpunkt der gleichen Zeile eingeschaltet werden kann ( = ockout" der Zeile) Mit der Zündung der Steuerschaltung des Koppelpunktes KP11 entsteht aber auch am gemeinsamen Spaltenwiderstand RS der Spalte 1 ein Spannungsabfall, der alle Kathoden-Dioden der Tetroden dieser Spalte ensprechend der Größe des Kathodenstroms ebenfalls in Sperrrichtung so vorspannt, daß kein anderer Koppelpunkt der gleichen Spalte eingeschaltet werden kann ("Lockout" der Spalte). Die grundsätzliche Eignung des Koppelpunktes für die Endmarkierung des Koppelfeldes ist damit gegeben.If you now apply the operating voltage to control wire output C'1, for example (e.g. Uo = -24 volts) and sends a positive pulse to input control wire C. suitable clamping height (at least + 1V) 1 then the control circuit of the Coupling point KP11 1 and thus also the two switching elements. At the line load resistor R creates a voltage drop that corresponds to the size of the operating voltage other control circuits of the same row practically with this operating voltage minus the already existing reverse voltage in the reverse direction (in the example nit about 18 volts). But this means that with a switch-on pulse the same amplitude no other crosspoint in the same line can be switched on (= ockout " of the line) With the ignition of the control circuit of the coupling point KP11 arises also at the common column resistance RS of column 1 a voltage drop, which all Cathode diodes of the tetrodes of this column according to the size of the cathode current also in the blocking direction so biased that no other crosspoint the same column can be switched on ("lockout" of the column). The basic one Suitability of the coupling point for the end marking of the coupling matrix is thus given.

Im Zwischenleitungskoppelfeld erden nun die einzelnen Stufen über Zwischenleitungen miteinander verbunden, derart, daß die Spalte i der (n-1). Stufe über eine Zwischenleitung an die Zeile i der folgenden n. Stufe angeschlossen wird, also etwa z.B. die 1. Spalte der A-Stufe mit den Koppelpunkten 11; 12;... 10,1 an die 1. Zeile der B-Stufe nit den Koppelpunkten 11, 12, 13 (Fig. 4). Dabei werden über die Zwischenleitu,ngen sowohl die Durchschaltelemente Ki der Kokppelpunkte als auch die Steuerschaltungen St miteinander verbunden (Fig. 4). Der Einfachheit halber ist für die Durchschaltelemente in dieser Figur der symmetrische Anschluß an die Steuerschaltungen nur angedeutet.In the intermediate line switching network, the individual stages are now grounded Intermediate lines interconnected in such a way that the column i of the (n-1). step is connected via an intermediate line to row i of the following nth level, For example, the 1st column of the A stage with the crosspoints 11; 12; ... 10.1 at the 1st line of the B stage with the crosspoints 11, 12, 13 (Fig. 4). Be there Via the intermediate line, both the switching elements Ki of the cocppel points and the control circuits St are connected to one another (FIG. 4). Of simplicity for the sake of the switching elements in this figure is the symmetrical connection only hinted at the control circuits.

Die Zwischenleitung, an die die Steuerschaltungen-St für die Durchschaltelemente angeschlossen sind, kann dabei ihre Vorspannung für die Steuerschaltungen über einen ohmschen Widerstand beziehen. Hier besteht lediglich die Forderung, daß der durch diesen Steuerschaltungs-Zwischenleitungs-Widerstand verursachte Einschaltstromverlust nicht zu groß wird. Ein ohmscher Widerstand R # 100 kOhm erfüllt im Umgebungstemperaturbereich 0...60°C alle Forderungen für ein endmarkiertes dreistufiges Koppelfeld gemäß Fig. 1.The intermediate line to which the control circuits-St for the switching elements are connected, their bias for the control circuits via a refer to ohmic resistance. The only requirement here is that the this control circuit interline resistance caused inrush current loss not too big will. An ohmic resistance R # 100 kOhm is met In the ambient temperature range of 0 ... 60 ° C, all requirements for an end-marked three-stage Switching matrix according to FIG. 1.

Der Zwischenleitungswiderstand, an dem die Durchschaltelemente der Koppelpunkte liegen, besteht hier aus einer PN-FET-Diode, N-Kanal, und den Si-Dioden D3, D4 und Widerstand R1. Ist über die Zwischenleitung der Sprechweg nicht durchgeschaltet, sind also alle Spaltenkoppelpunkte (11, 21,... 10,1) der A-Stufe und alle Zeilenkoppelpunkte der B-Stufe (11, 12, 13) ausgeschaltet und wird R1 = 100 kChn gewählt, dann zeigt die FET-Diode eine Drain-Source-Spannung UDS # OVolt und wird im Trioden Bereich (ohmscher Bereich) betrieben. Die Durchschaltelemente K. werden mit einer Sperrspannung von etwa 4,5 Volt gesperrt, die ihm Punkt a auftritt. Der Wechselstromwiderstand der BET-Diode ist klein ( im allgemeinen <5 kOhm). Er entspricht praktisch dem Gleichstromwiderstand der FET-Diode. Das bedeutet, daß ein Gesamtreststrom der an die Zwischenleitung angeschlossenen Durchschalttransistoren von 100µ A daran einen Spannungsabfall< 0,5 V verursachen würde. Ein so grosser Reststrom tritt aber im ungünstigsten Fall bei etwa 100 Si-Transistor-Durchschaltelementen für UT < 600 C auf.The intermediate line resistance at which the switching elements of the Crosspoints are, here consists of a PN-FET diode, N-channel, and the Si diodes D3, D4 and resistor R1. If the speech path is not switched through via the intermediate line, are therefore all column crosspoints (11, 21, ... 10.1) of the A-stage and all row crosspoints of the B stage (11, 12, 13) is switched off and if R1 = 100 kChn is selected, then shows the FET diode has a drain-source voltage UDS # OVolt and is in the triode range (ohmic area) operated. The switching elements K. are with a reverse voltage blocked by about 4.5 volts, which occurs to him at point a. The alternating current resistance the BET diode is small (generally <5 kOhm). It practically corresponds to that DC resistance of the FET diode. This means that a total residual flow of the the intermediate line connected through transistors of 100µ A to it Voltage drop <0.5 V. However, such a large residual current occurs in the worst case with about 100 Si transistor switching elements for UT < 600 C.

Wird in der durch die Zwischenleitung Zwl (Ts) miteinander verbunden Spalte der A-Stufe und Zeile der B-Stufe jeweils ein Koppelpunkt durchgeschaltet, dann entsteht an der dieser Zwischenleitung zugehörigen Steuerschaltungs-Zwischen leitung Zwl (St) im Punkte t die Betriebsspannung U0, die praktisch als Drain-Source-Spannung UDS der Pn-FET-Diode auftritt und diese in den Abshnürbereich überführt.Is connected to one another by the intermediate line Zwl (Ts) Column of the A stage and row of the B stage each have a crosspoint connected, then there is an intermediate control circuit associated with this intermediate line line Zwl (St) at point t the operating voltage U0, which is practically the drain-source voltage UDS of the Pn-FET diode occurs and this is transferred to the cut-off area.

Hier besitzt sie einen großen Wechselstromwiderstand (> 1 MOhm) und verursacht eine geringe zusätzliche Einfügungsdämpfung (<1 mN f. R - 600 Ohm).Here it has a large AC resistance (> 1 MOhm) and causes a slight additional insertion loss (<1 mN for R - 600 Ohm).

a Figur 5 zeigt einen PN-FET, N-Kanal, als Zwischenleitungswiderstand, in Verbindung mit Widerstand Rg und Si-Diode -D5. Für den Fall der nicht belegten Zwischenleitung ergeben sich gegenüber dem zuvor für die FET-Diode beschriebenen keine Veränderungen. Jedoch langt im Fall der belegten Zwischenleitung (durch Einschalten eines Koppelpunktes in der Spalte der Stufe und in der Zeile der B-Stufe) der PN-FET in den Sperrzusatand, wo er einen Wechselstromwiderstand > 50 MOhm aufweist. Damit wird die Einfügungsdämpfung, die durch den Zwischenleitungswiderstand verursacht wird, unmeßbar klein. a Figure 5 shows a PN-FET, N-channel, as an intermediate line resistance, in connection with resistor Rg and Si diode -D5. In the event of the unoccupied Intermediate line result compared to that previously described for the FET diode no changes. However, if the intermediate line is busy (by switching on a crosspoint in the column of the stage and in the row of the B stage) of the PN-FET into the blocked state, where it has an alternating current resistance> 50 MOhm. This will reduce the insertion loss caused by the link resistance becomes, immeasurably small.

In Figur 6 ist der PN-FET durch einen MOS-FET, N-Kanal, Dopletion-Type, ersetzt. Er zeigt die gleiche Wirkung wie der PN-FET mit Diode und Widerstand nach Figur 5.In Figure 6, the PN-FET is through a MOS-FET, N-channel, Dopletion-Type, replaced. It shows the same effect as the PN-FET with diode and resistor Figure 5.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e

1. Intermediate line resistance in an end-marked space division switching network, that in the "on" state of a connected through-switching element has such a high level Resistance shows that the damping caused by it is negligible and the one in the "off" state of a connected switching element has a low resistance that only a negligible reverse current flowing through it Cause voltage drop, characterized in that the intermediate line resistance includes a depletion type field effect transistor.

2. intermediate line resistor according to claim 1, characterized in that that the link resistance of the link to which the gating transistors (K1, K2) are connected, at one end as an active element a field effect transistor (FET) of the depletion (depletion E) type, which with its drain terminal (a) is connected to the intermediate line for the gating transistors, while the link resistance with its other end (b) with the associated control circuit intermediate line is connected.

3. Intermediate line resistance according to claims 1 and 2, characterized in that that it consists of the combination of PN-FET-N-channel diode, 2 Si diodes (D3) and (D4) resistor (21) consists, the source connection of the field effect transistor over at the same time the resistor (R1) to ground via the forward-connected Si diode (D4) with point (b) of the control circuit intermediate line and with the anode of the Si diode (D3) is connected, which in turn. with their cathode at a negative voltage is, and wherein the gate terminal of the field effect transistor directly to the Source terminal is connected.

4. intermediate line resistor according to claim 1 and 2, characterized in that that it consists of the combination of P-FET-N-channel, resistor (R3) and Si diode (D5), wherein the gate connection of the field effect transistor on the one hand via a forward direction polarized diode (D5) with point (b) of the control circuit intermediate line (Zwl (St) ) and on the other hand via a resistor (R3) to the source connection of the field effect transistor is connected, which in turn is at a negative voltage lies.

5. intermediate line resistor according to claim 1 and 2, characterized in that that it is a NOS-FET, N-channel, depletion type.

L e r s e i t e