DE2241778A1

DE2241778A1 - EXPOSURE METER

Info

Publication number: DE2241778A1
Application number: DE2241778A
Authority: DE
Inventors: Osamu Maida
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1971-09-02
Filing date: 1972-08-25
Publication date: 1973-03-08
Also published as: DE2241778B2

Description

Belichtungsmesser Die Erfindung. bezieht sich auf einen Belichtungsmesser mit einer die richtige Belichtung anzeigenden Einrichtung und insbesondere auf einen Belichtungsmesser mit einer Einrichtung zur Verhinderung von auf einen Versorgungsspannungs-Abfall zurückgehenden Fehlmessungen Eine Belichtungsmessung, die bei eine unter den Minimalspannungspegel abgesunkenen Versorgungsspannung für die Belichtungsmesserschaltung vorgenommen wird,*führt zu fehlerhaften Messungen. Zur Verhinderung derartiger Fehler verwendete man eine Einrichtung zum Prüfen der Versoraungs-bzw. Batteriespannung. Diese Einrichtung bestand nach bekannten Ausführungen aus einer zusätzlich zur Belichtungs-. Light meter The invention. refers to a light meter with a device indicating the correct exposure and in particular on one Light meter with a device for preventing a drop in supply voltage declining incorrect measurements An exposure measurement that occurs at one below the minimum voltage level Lowered supply voltage for the light meter circuit made * leads to incorrect measurements. Used to prevent such errors one a device for checking the Versoraungs or. Battery voltage. This facility consisted according to known designs of an in addition to the exposure.

messerschaltung verwendeten Versorgungsspannungstung, mit der die Versorgungsspannung durch ein Signal 1 z.B. ein Lichtsignal, geprüft werden konnte, oder einem für den Prüfzweck besonders vorgesehenen Meßgerat. Es ist außerdem benannt, zum Prüfen der Versorgungs- bzw. Speisespannung das Signal licht f.ir die Belichtungsanzeige in einem Belichtungsmesser auf eine Versorgungsspannungsprüfschltung umzuschalten, so daß das Signallicht als Mittel zum prüfen der Versorgungspannung verwendet werden kann. Bei diesen bekannten Ausführungen wird die Versorgungsspannungs-Prüfschaltung generell geöffnet und zum Prüfen der Versorgungsspannung mit Hilfe eines Schalters geschlossen, der ausschließlich für den Zweck der Prüfung der Versorgungsspannung verwendet wird.Messer circuit used supply voltage with which the Supply voltage could be checked by a signal 1 e.g. a light signal, or a measuring device specially designed for the test purpose. It is also named To check the supply or feed voltage, the signal light for the exposure display to switch to a supply voltage test circuit in a light meter, so that the signal light can be used as a means of checking the supply voltage can. In these known designs, the supply voltage test circuit is general opened and closed to check the supply voltage with the help of a switch, which is used exclusively for the purpose of checking the supply voltage.

Bei bekannten Einrichtungen zum Prüfen der Versorgungsspannung war es stets notwendig, die Versorgungsspannungs-Prüfschaltung zu öffnen und zu schließen oder umzuschalten, um die Versorgungsspannung für sich oder unabhängig von der Belichtungsanzeige durch den Belichtungsmesser zu prüfen. Während der Verwendung des Belichtungsmessers weiß man folglich nicht, ob die Versorgungsspannung unter dem minimalen Spannungspegel abgefallen ist, und daher ist es sehr umständlich und praktisch unmöglich, die Versorgungsspannung jederzeit zu prüfen. Darüberhinaus wird häufig das Prüfen der Versorgungsspannung vor der Verwendung des Belichtungsmessers übersehen.In known devices for checking the supply voltage was it is always necessary to open and close the supply voltage test circuit or to switch to the supply voltage by itself or independently of the exposure display to be checked by the light meter. While using the exposure meter consequently one does not know whether the supply voltage is below the minimum voltage level has dropped, and therefore it is very cumbersome and practically impossible to switch off the supply voltage to check at any time. In addition, checking the supply voltage is often used overlooked before using the light meter.

Aus diesen Gründen besteht ein wesentlicher Nachteil herkömmlicher Belichtungsmesser der vorstehend angegebenen Art darin, daß die Aufnahme bei unrichtiger Belichtung, d.h. bei unterhalb des Minimalspannungspegels abgefallener Versorgung sspannurq gewacht: wird, ohne dan der Spannungsabfall überhaupt benerkt wird, Es ist daher angabe der Erfindung, eine fechlerhafte Belichtungsniessung aufgrund eines Abfalls der Versorgungs-Spannung zu vermeiden und einen Belichtungsmesser zur Verfügung zu steilen, der die Belichtung dann nicht zur Anzeige bringen kann, wenn die Versorgungsspannung unter den minimalen Spannungspegel abgesunken ist, oder den Belichtungsmesser so auszugestalten, daß bei einem Absinken der Versorgungsspannung unter den'minimalen Spannungspegel das Vorhandensien eines Belichtungsmeßfehlers zur Anzeige gebracht wird.For these reasons, there is a significant disadvantage with conventional ones Exposure meter of the type specified above in that the recording is incorrect Exposure, i.e. when the supply has dropped below the minimum voltage level sspannurq: is monitored without the voltage drop being noticed at all, Es is therefore the specification of the invention, a fechler-like exposure measurement because of to avoid a drop in supply voltage and use a light meter available to steep, which can then not bring the exposure to the display, when the supply voltage has dropped below the minimum voltage level, or to design the exposure meter so that when the supply voltage drops below the minimum voltage level, the presence of an exposure metering error is brought to the display.

Der erfindungsgemäße Belichtungsmesser weist ebenso wie bekannte Belichtungsmesser eine elektrische Spannungsquelle unci eine mit dieser verbundene Belichtuns-Meßeinrichtung auf. Zu der Belichtungs-Meßeinrichtung gehört eine Photozelle zur Aufnahme des Lichtes von einem zu photographierenden Ob3ekt eine mit der Photozelle verbundene Einrichtung zum Einführen von die Belichtungsmessung beeinflussenden bzw.The exposure meter according to the invention has the same features as known exposure meters an electrical voltage source and an exposure measuring device connected to it on. The exposure measuring device includes a photocell for receiving the light of an object to be photographed a device connected to the photocell to introduce exposure metering influencing resp.

korrigierenden Faktoren und eine mit der Photozelle und der Korrektureinrichtung verbundene Signalgabeeinrichtung, die ein geeignetes BelichtuncssigneMentickeltX enn die Beleuctungsstärkedes vom objekt einfalkenden Lichts und die die Belichtung beeinflussenoen Faktoren die richtige Belichtung ergeben. Eine Anzeigeeinrichtung ist mit der Belichtungs-Bestimmtungseinrichtung verbundend und zeigt in Abhängigkeit von dem durch die Belichtungs-Bestimmungseinrichtug entwickelten geeingneten Belichtungssignal die richtige Belichtung an. Zwischen der Belichtungs-Bestimmungseinrichtung und der Anzeigeeinrichtung ist eine weitere Einrichtung eingeschaltet, welche die Anzeigeeinrichtung unwirksam macht, wenn die Spannung der elektrischen Spannungsquelle unter einen minimalen Spannungspegel abfällt. Diese Einrichtung weist wenigstens einen zwischen den Gegenpolen der elektrischen Spannungsquelle liegenden Spannungsteiler und wenigstens einen Tran-sistor auf, dessen Kollektor mit einem der Pole der elektrischen Spannungsquelle über die Anzeigeeinrichtung verbunden ist. Der Emitter des Transistors ist mit dem anderen Pol der elektrischen Spannungsquelle verbunden und die Basis des Transistors ist an den Spannungsteiler so angeschaltet, daß bei Abfall der von der elektrischen Spannungsquelle gelieferten Spannung unter den minimalen Spannungspegel die über den Spannungsteiler an die Basis des Transistors angelegte Spannung etwas über der Schwellenspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors liegt.correcting factors and one with the photocell and the correction device connected signaling device that develops a suitable lighting system hen the illuminance of the light falling into the object and the exposure influencing factors result in the correct exposure. A display device is connected to the exposure determining device and shows dependency from the appropriate exposure signal developed by the exposure determining means the correct exposure. Between the exposure determining device and the display device is a further device switched on, which the Makes display device ineffective when the voltage of the electrical voltage source drops below a minimum voltage level. This facility has at least a voltage divider located between the opposite poles of the electrical voltage source and at least one transistor whose collector is connected to one of the poles of the electrical Voltage source is connected via the display device. The emitter of the transistor is connected to the other pole of the electrical voltage source and the base of the transistor is connected to the voltage divider so that when the of the voltage supplied by the electrical voltage source is below the minimum voltage level the voltage applied to the base of the transistor via the voltage divider somewhat is above the threshold voltage between the base and emitter of the transistor.

In zweckmaßiger Ausgestaltung der Erfindung weist die Signalgabeeinrichtung der Belichtungs-Bestimmungseinrichtung erste und zweite Signalvorrichtungen aufÆ Die erste Signalvorrichtung erzeugt ein erstes Signal, wenn die Beleuchtungsstärke und die die Belichtung bceinflussenden bzv. korrigierenden Faktoren gemeinsam einem richtigen Belichtungswert oder einem Unterbelichtungswert entsprechen. Die zweite Signa]vorrichtung erzeugt ein zweites Signal, wenn das kombinierte Signal entweder einem geeigneten Belichtungswert oder einem Überbelichtungswert entspricht.In an expedient embodiment of the invention, the signaling device the exposure determining device has first and second signal devices on The first signal device generates a first signal when the illuminance and the exposure influencing or. corrective factors in common one correct exposure value or an underexposure value. The second Signa] device generates a second signal when the combined signal is either corresponds to an appropriate exposure value or an overexposure value.

Die An-zeigeeinrichtung kann erste und zweite Anzeigevorrichtungen aufweisen. Die erste Anzeigevorrichtung ist mit der ersten Signalvorrichtung verbunden und spricht auf das erste Signal an. Die zweite Anzeigevorrichtung ist mit der zweiten Signalvorrichtung verbunden und spricht auf das zweite Signal an. Die die.Anzeigeeinrichtung unwirksam machende Einrichtung kann-erste und zweite Spannungsteile und erste und zweite Transistoren aufweisen.The display device can include first and second display devices exhibit. The first display device is connected to the first signal device and responds to the first signal. The second display device is with the second Signal device connected and responsive to the second signal. The display device Deactivating device can -first and second tension parts and first and have second transistors.

Der erste Spannungsteiler und der erste Transistor liegen zwischen der ersten Signalvorrichtung und der ersten Anzeigevorrichtung. Der zweite Spannungsteiler und der zweite Transistor sind zwischen der zweiten Signalvorrichtung und der zweiten Anzeigevorrichtung eingeschaltet. Daher bedeutet die Betätigung der ersten Anzeigevorrichtung allein eine Unterbelichtung und die Betätigung der zweiten Anzeigevorrichtung allein eine Überbelichtung; sind beide Anzeigevorrichtungen unbetatigt, so bedeutet das, daß die Versorgungsspannung den minimalen Spannungspegel unterschritten hat.The first voltage divider and the first transistor are between the first signal device and the first display device. The second voltage divider and the second transistor are between the second signal device and the second Display device switched on. Therefore, means the operation of the first display device just an underexposure and the actuation of the second display device alone an overexposure; if both display devices are inactive, this means that the supply voltage has fallen below the minimum voltage level.

Weitere Einzelheiten der Erfindung sind in den Ansprüchen gekennzeichnet. Im folgenden wird die Erfindung anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. In der Zeichnung zeigen: Fig. 1 ein Schaltbild der Belichtungs-Anzeigeschaltung und der Versorgungsspannungs-Prüfschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; Fig. 2 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung; und Fig. 3 ein Schaltbild eines dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung.Further details of the invention are characterized in the claims. In the following the invention will be explained with reference to the embodiments shown in the drawing explained in more detail. The drawings show: FIG. 1 a circuit diagram of the exposure display circuit and the supply voltage test circuit according to an embodiment of the invention; Fig. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the invention; and Fig. 3 is a circuit diagram of a third exemplary embodiment of the invention.

In Fig. l stellt RpH eine Photozelle, z.B. eine CdS-Zelle dar. Rv bezeichnet einen Funktionswiderstand, dessen Charakteristik von der die Photozelle Rph treffenden Beleuchtungsstärke bzw. dem Widerstandswert der Photozelle und von einem mechanischen Koppelungssystem mit einer Vorrichtung zur Einstellung der Filmempfindlichkeit, der Verschlußzeit, der F-Zahl usw. abhängig ist. Die Belichtung einstellende bzw. korrigierende Faktoren, wie Filmempfindlichkeit, Versd;jlußzeit, F-Zahl müssen in den Funktionswiderstand Rv eingeführt werden. Die Widerstände Rl und R2 wirken mit der Photozelle Rph und dem Funktionswiderstand Rv zusammen und bilden mit diesem eine Brückenschaltung. Das Photoelement Rph und der Funktionswiderstand Rv sind in Reihe geschaltet. Ein Ende der Photozelle Rph ist mit dem positiven Pol bzw. Anschluß einer elektrischen Spannungswelle E und ein Ende des Widerstandes Rv mit dem negativen Pol oder Anschluß der elektrischen Spannungsquelle E verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen Rph und Rv liegt an den Basiselektroden von npn- und pnp-Transistoren Ti bzw. T2, welche den Brückenabgleich bestimmen. Der Widerstand Rl, ein einstellbarer Widerstand R3, ein Widerstand R4 und der Widerstand R2 sind in Reihe geschaltet. Ein Ende des Widerstandes Rl ist mit dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle E und ein Ende des Widerstandes R2 mit dem negativen Pol der Spannungsquelle E verbunden.In Fig. 1, RpH represents a photocell, for example a CdS cell. Rv denotes a functional resistance, the characteristics of which are different from those of the photocell Rph relevant illuminance or the resistance value of the photocell and of a mechanical coupling system with a device for adjusting the film speed, shutter speed, F-number, etc. The exposure adjusting or Corrective factors such as film speed, flow time, F number must be included in the functional resistance Rv can be introduced. The resistors R1 and R2 are involved the photocell Rph and the functional resistance Rv together and form with this a bridge circuit. The photo element Rph and the functional resistance Rv are connected in series. One end of the photocell Rph is with the positive pole or connection of an electrical voltage wave E and one end of the resistor Rv connected to the negative pole or connection of the electrical voltage source E. The connection point between Rph and Rv is at the base electrodes of npn- and pnp transistors Ti and T2, which determine the bridge balance. The resistance R1, an adjustable resistor R3, a resistor R4 and the resistor R2 are connected in series. One end of the resistor Rl is with the positive pole of electrical voltage source E and one end of the resistor R2 to the negative Pole of voltage source E connected.

Ferner ist ein Vorspannungs-npn-Transistor T3 vorgesehen, dessen Kollektor mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand Rl und dem einstellbaren Widerstand R3, dessen Basis mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R3 und R4 und dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R4 und R2 verbunden sind.Furthermore, a bias npn transistor T3 is provided, the collector of which with the connection point between the resistor Rl and the adjustable resistor R3, its base with the connection point between the resistors R3 and R4 and whose emitter is connected to the connection point between the resistors R4 and R2 are.

Der Emitter des Transistors Tl ist über einen widerstand R5 an den Verbindungspunkt zwischen den Widerständen RLt; und R2 angeschaltet. Der Emitter des Transistors T2 liegt über einen Widerstand R6 an dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R1 und dem einstellbaren Widerstand R3.The emitter of the transistor Tl is connected to the resistor R5 Connection point between the resistors RLt; and R2 switched on. The emitter of the transistor T2 is connected via a resistor R6 to the connection point between the resistor R1 and the adjustable resistor R3.

Die Widerstände R5 und R6 haben gleichen Widerstandswert.The resistors R5 and R6 have the same resistance value.

Zwischen dem Emitter des Transistors Tl und dem Emitter des Transistors T 2 liegt ein Thermistor Roh, der im Zusammenwirken mit den Widerständen R5 und R6 die Temperatur in der unempfindlichen Zone (d.h. in dem Toleranzbereich für die Anzeige der richtigen Belichtung) von den Widerständen Tl und T2 kompensiert. Der einstellbare Widerstand R3 ist so voreingestellt, daß die Vorspannung zwischen den Emittern der Transistoren T1 und T2 gleich der Spannung über der optimalen unempfindlichen Zone sein kann. Der Kollektor des Transistors T2 ist mit der Basis eines npn-Transistors T4 verbunden, dessen Emitter am negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E liegt und dessen Kollektor mit der Basis eines pnp-Transistors T 5 über einen Widerstand R7 verbunden ist. Der Emitter des Transistors T5 ist mit dem positiven Pol der Spannungsquelle E und sein Kollektor mit der Bais eines pnp-Transistors T6 verbunden. Die Transistoren T5 und T6 bilden zusammen eine Phasen-Umkehrschaltung.Between the emitter of the transistor Tl and the emitter of the transistor T 2 is a raw thermistor, which in cooperation with the resistors R5 and R6 is the temperature in the insensitive zone (i.e. in the tolerance range for the Display of the correct exposure) compensated by the resistors T1 and T2. Of the adjustable resistor R3 is preset so that the bias voltage between the Emitters of transistors T1 and T2 equal the voltage across the optimal insensitive Zone can be. The collector of the transistor T2 is connected to the base of an npn transistor T4 connected, the emitter of which is connected to the negative pole of the electrical voltage source E and whose collector is connected to the base of a pnp transistor T 5 via a resistor R7 is connected. The emitter of the transistor T5 is connected to the positive pole of the voltage source E and its collector connected to the base of a pnp transistor T6. The transistors T5 and T6 together form a phase inversion circuit.

Der Emitter des Transistors T6 ist mit dem positiven Pol der Spannungsquelle E und der Kollektor des Transsistors T6 mit der Anode einer Glimmdiode D3 verbunden. Die Kathode der Diode D3 liegt über einen Widerstand RlO am negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E. Die Anode bzw.The emitter of the transistor T6 is connected to the positive pole of the voltage source E and the collector of the transistor T6 connected to the anode of a glow diode D3. The cathode of the diode D3 is connected to the negative pole of the electrical via a resistor R10 Voltage source E. The anode or

die Kathode einer Diode D1 sind mit dem positiven Pol der Spannungsquelle E bzw. einem einstellbaren Widerstand R8 verbunden. Ein Ende des Widerstandes R8 ist mit einem Widerstand R9 verbunden, dessen anderes Ende am negativen Pol der Spannungsquelle E liegt. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R9 und dem einstellbaren Widerstand R8 ist mit der Basis des Transistors T6 verbunden, um den Transistor in Durchlaßrichtung vorzuspannen. Die von dem Widerstand R9, dem einstellbaren Widerstand R8 und der Diode Dl gegenüber der Spannung der Quelle E heruntergeteilte Spannung wird so eingestellt, daß sie geringfügig über der Schwellenspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T6 liegt, wenn die Quelle E die für die Messung geeignete Minimalspannüng liefert.the cathode of a diode D1 are connected to the positive pole of the voltage source E or an adjustable resistor R8 tied together. An end to the Resistor R8 is connected to a resistor R9, the other end of which is connected to the negative Pole of the voltage source E lies. The connection point between resistor R9 and the adjustable resistor R8 is connected to the base of transistor T6, to forward bias the transistor. The from the resistor R9, the adjustable resistor R8 and the diode Dl with respect to the voltage of the source E divided voltage is set so that it is slightly above the threshold voltage between the base and the emitter of the transistor T6 when the source E is the provides a minimum voltage suitable for the measurement.

Wenn die Spannung der Quelle E daher unter den minimalen Spannungspegel abfällt, wird der Transistor T6 unabhängig vom~Leitungszustand des Transistors T5 gesperrt, so daß die Glimm- bzw. Lumineszenzdiode D3 dauernd gelöscht ist.If the voltage of source E is therefore below the minimum voltage level drops, the transistor T6 is independent of the ~ conduction state of the transistor T5 blocked, so that the glow or luminescent diode D3 is permanently extinguished.

Die Diode Dl ist eine Germaniumdiode, die zur Ternperaturkompensation verwendet wird; sie kompensiert eine Änderung des Prüfpunkts der Spannungsquelle, die sich daraus ergibt, daß die Schwellen spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors T6 mit der Temperatur veränderlich ist.The diode Dl is a germanium diode for Ternperaturkompensation is used; it compensates for a change in the test point of the voltage source, which results from the threshold voltage between the base and the emitter of the transistor T6 is variable with the temperature.

In ähnlicher Weise ist der Kollektor des Transistors Tl mit der Basis eines pnp-ãransistors T7 verbunden, dessen Emitter an dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle E anliegt und dessen Kollektor mit der Basis eines npn-Transistors T8 über einen Widerstand Ril verbunden ist. Der Emitter bzw. der Kollektor des Transistors T 8 sind mit dem negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E bzw. der Basis eines npn-Transistors T9 verbunden. Die Transistoren T8 und T9 bilden zusammen eine Phasen-Umkehrschaltung. Der Emitter bzw. der Kollektor des Transistors T9 sind mit dem negativen Pol der Spannungsquelle E bzw. der Kathode einer Glimm- bzw. Lumineszenzdiode D4 verbunden. Die Anode der Glimmdiode D4 ist über einen Widerstand R 14 mit dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle E verbunden. Die Kathode einer der Temperaturkompensation dienenden Germaniumdiode D2 ist mit dem negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E und ihre Anode mit einem einstellbaren tSiderstand R12 verbunden. Ein Ende des Widerstandes R12 ist an einem widerstand R13 angeschaltet, dessen anderes Ende mit dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle E verbunden ist. Der Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R13 und dem einstellbaren Widerstand R12 liegt an der Basis des Transistors mg und spannt diesen in Durchlaßrichtung vor. Der Widerstand R13, der einstellbare Widerstand R22, die Diode D2 und der Transistor T9 erfüllen gemeinsam die Versorgungsspannungs-Prüffunktion, und zwar in derselben -7eise, wie dies zuvor in Bezug auf den Widerstand R9, den einstellbaren Widerstand R8, die Diode Dl und den Transistor T6 erläutert wurde.Similarly, the collector of the transistor Tl is with the base a pnp transistor T7 connected, whose Emitter on the positive Pole of the electrical voltage source E is applied and its collector with the base an npn transistor T8 is connected via a resistor Ril. The emitter or the collector of the transistor T 8 are connected to the negative pole of the electrical voltage source E or the base of an npn transistor T9. The transistors T8 and T9 together form a phase reversal circuit. The emitter or collector of the Transistors T9 are connected to the negative pole of the voltage source E or the cathode a glow or luminescent diode D4 connected. The anode of the glow diode D4 is via a resistor R 14 to the positive pole of the electrical voltage source E connected. The cathode of a germanium diode used for temperature compensation D2 is with the negative pole of the electrical voltage source E and its anode with connected to an adjustable resistor R12. One end of resistor R12 is connected to a resistor R13, the other end of which is connected to the positive pole the electrical voltage source E is connected. The connection point between the resistor R13 and the adjustable resistor R12 are connected to the base of the transistor mg and biases it in the forward direction. The resistor R13, the adjustable one Resistor R22, diode D2 and transistor T9 jointly perform the supply voltage test function, in the same way as was done before in relation to the resistance R9, the adjustable resistor R8, the diode Dl and the transistor T6 explained became.

Im folgenden wird die Funktionsweise des in Fig. 1 schaltungsmäßig dargestellten Belichtungsmessers bei Unterbelichtung, Überbelichtung und bei richtiger Belichtung erläutert, wobei vorausgesetzt wird; daß die elektrische Spannungsquelle E die Normalspannung liefert.The mode of operation of the circuit shown in FIG. 1 is described below shown exposure meter in the case of underexposure, overexposure and correct Exposure explained, assuming; that the electrical voltage source E supplies the normal stress.

Im Falle einer Unterbelichtung (d.h., wenn die dem Widerstandswert des Funktionswiderstandes Rv entsprechende Lichtmenge auf der Photozelle Rph größer als die tatsächlich vom Objekt her einfallende Lichtmenge ist), so ist der Widerstandswert der Photozelle Rph größer als während des Abgleichs der Brücke, so daß die Basisspannungen der Transistoren T2 und Ti kleiner werden. Wenn diese-Basisspannungen auf einen vorgegebenen Wert unter die von der an den Emitter des Transistors T2 angelegten Vorspannung bestimmte Bezugsspannung absinken (der vorgegebene Wert entspricht der für den leitenden Zustand des Transistors T2 erforderlichen Basis-Emitterspannung ),so wird der Transsistor T2 leitend. Der Kollektorstrom des Transistors T2 wird vom Transistor T4 verstärkt und zum Transistor T5 durchgelassen, der dadurch leitend wird. Aufgrund des leitenden Zustandes des Transistors T5 wird die Basisspannung des Transistors T6 gleich dessen Emitterspannung, so daß der Transistor T6 gesperrt wird. Andererseits ist der Transistor Tl entgegengesetzt vorgespannt und demgemäß gesperrt. Der Transistor T9 wird dabei von dem Widerstand R13 in den leitenden Zustand überführt.In the event of underexposure (i.e. when the resistance value the amount of light corresponding to the functional resistance Rv on the photocell Rph is greater than the amount of light actually incident from the object), then is the resistance value of the photocell Rph greater than during the balancing of the bridge, so that the base voltages of the transistors T2 and Ti become smaller. When these-base tensions on a predetermined value below that applied to the emitter of transistor T2 Bias voltage decrease (the specified value corresponds to the base-emitter voltage required for the conductive state of transistor T2 ), the transistor T2 becomes conductive. The collector current of the transistor T2 becomes amplified by transistor T4 and allowed to pass through to transistor T5, which thereby becomes conductive will. The base voltage is due to the conductive state of the transistor T5 of transistor T6 is equal to its emitter voltage, so that the transistor T6 is blocked. On the other hand, the transistor Tl is biased in the opposite direction and blocked accordingly. The transistor T9 is from the resistor R13 in the transferred to the conductive state.

Es fließt daher kein Strom durch die Diode D3; die Diode D4 wird dagegen durch einen Strom erregt. Das Einschalten der Diode D4 allein zeigt an, dan die Kombination aus den Belichtungs-Einstell- bzw. Korrekturfaktoren, z.B. Blendenöffnung, Verschlunzeit usw.Therefore no current flows through the diode D3; the diode D4 is against it excited by a current. Switching on the diode D4 alone indicates that the Combination of the exposure setting or correction factors, e.g. aperture opening, Shutter speed, etc.

einer Unterbelichtung entspricht. Die Einstellung der richtigen Belichtung kann durch Änderung der Kombination von Belichtungs-Einstellfaktoren in der Richtung einer Überbelichtung, oder'mit anderen Worten in Richtung zunehmender Wert von Rv erreicht werden.corresponds to underexposure. Setting the right exposure can be done by changing the combination of exposure adjustment factors in the direction overexposure, or in other words in the direction of increasing value of Rv can be achieved.

Im Falle einer Überbelichtung (d.h. wenn die dem Widerstandswert des Funktionswiderstandes Rv entsprechende, auf die Photozelle Rph einfallende Lichtmenge kleiner als der Istwert der die Photozelle treffenden Lichtmenge ist) ist der Widerstandswert des Photoelements Rph kleiner als während des Abgleichs der Brücke, so daß die Basisspannungen der Transistoren T2 und Tl erhöht sind. Wenn diese Basisspannungen einen vorgegebenen Wert über der von der Vorspannung am Emitter des Transistors Tl bestimmten Bezugsspannung ansteigen (der vorgegebene Wert entspricht der für den leitenden Zustand des Transistors Tl erforderlichen Basis-Emitterspannung),so wird der Transsistor Tl leitend. Der Kõllektorstrom des Transistors Tl wird vom Transistor T 7 verstärkt und zum Transistor T8 durchgelassen, der dadurch in den leitenden Zustand überwechselt. Im leitenden Zustand des Transistors T8 wird die Basis spannung des Transistors T9 gleich dessen Emitterspannung, wodurch der Transistor T9 gesperrt wird. Andererseits wird der entgegengesetzt vorgespannte Transistor T 2 gesperrt, so daß die Transistoren T4 und T5 ebenfallls gesperrt werden. Der Transistor T6 wird über den Widerstand R9 in den leitenden Zustand vorgespannt. Daher fließt kein Strom durch die Diode D4; andererseits ist die stromdurchflossene Diode D3 erregt. Das Einschalten der Diode D3 allein zeigt an, daß die Kombination der Belichtungs-Einstell- bzw. Korrekturfaktoren, wie die Blenuenöffnung, die Verschlußzeit usw. einer Überbelichtung entspricht. Daher kann die Einstellung der richtigen Belichtung dadurch erreicht werden, daß die Kombination aus Belichtungs-Einstellfaktoren in Richtung auf eine Unterbelichtung, oder mit anderen Worten in Richtung auf eine Verringerung des Widerstandswerts von Rv geändert wird.In the event of overexposure (i.e. when the resistance value of the Functional resistance Rv corresponding to the amount of light incident on the photocell Rph is smaller than the actual value of the amount of light hitting the photocell) is the resistance value of the photo element Rph smaller than during the balancing of the bridge, so that the base voltages the transistors T2 and Tl are increased. If these base voltages are a given Value above the reference voltage determined by the bias voltage at the emitter of transistor Tl increase (the default value corresponds to that for the conductive State of the transistor Tl required base-emitter voltage), then the transistor Tl conductive. The collector current of the transistor Tl is amplified by the transistor T 7 and let through to transistor T8, which thereby changes over to the conductive state. In the conductive state of the transistor T8, the base voltage of the transistor T9 is equal to its emitter voltage, whereby the transistor T9 is blocked. on the other hand the oppositely biased transistor T 2 is blocked, so that the transistors T4 and T5 are also blocked. The transistor T6 is across the resistor R9 biased into the conductive state. Therefore no current flows through the diode D4; on the other hand, the current-carrying diode D3 is excited. Switching on the Diode D3 alone indicates that the combination of exposure setting or correction factors, how the aperture, shutter speed, etc. corresponds to overexposure. Therefore, the proper exposure setting can be achieved by the combination of exposure adjustment factors in the direction of underexposure, or in other words towards a decrease in the resistance of Rv is changed.

Im Falle einer richtigen Belichtung (d.h. wenn die dem Widerstandswert des Funktionswiderstandes Rv entsprechende Lichtmenge gleich dem Istwert der auf die Photozelle Rph fallenden Lichtmenge ist) fließt kein Basisstrom zu den Transistoren T1 und T2, und diese Transistoren Dleiben beide gesperrt, so daß auclldie Transistoren T4, T5, T7 und T8 gesperrt sind. Demgemäß sind die Transistoren T6 und T9 leitend und schalten sowohl die Diode D3 als auch die Diode D4 ein, wodurch angezeigt wird, daß die Kombination der Belichtungs-Einstellfaktoren einer richtigen Belichtung entspricht.In the case of a correct exposure (i.e. when the resistance value of the functional resistance Rv corresponding amount of light equal to the actual value of the the photocell Rph is the amount of light falling) no base current flows to the transistors T1 and T2, and these transistors Dle are both blocked, so that also the transistors T4, T5, T7 and T8 are blocked. Accordingly, the transistors T6 and T9 are conductive and turn on both diode D3 and diode D4, which indicates that the combination of exposure adjustment factors results in proper exposure is equivalent to.

Wenn die elektrische Spannungsquelle E entsprechend der vorstehenden Beschreibung die Normalspannung abgibt, können die Glimm- bzw. Lumineszenzdioden D3 oder D4 über die Transistoren T6 und T9 entsprechend dem Zustand der Transistoren T5 und T8 ein- oder ausgeschaltet werden, so daß entweder eine oder beide Glimmdioden D3 und D4 stets eingeschaltet sind, und zwar unabhängig davon, ob eine Unterbelichtung, eine Überbelichtung oder eine richtige Belichtung vorhanden ist. :.enn dagegen die vorhandene elektrische Spannungsquelle E die gelieferte Spannung unter den brauchbaren vIini:nalspannungspegel abfällt, wird die von den siderständen RD, R13, den einstellbaren Widerständen R8, R12 und den Dioden Dl, D2 bestimmte Teilerspannung niedriger als die Schwellenspannung zwischen Basis und Emitter der Transistoren T6 und T9, so daß diese Transistoren unabhängig vom Zustand der Transistoren T5 und T8 stets gesperrt sind, wobei beide Dioden D3 und D4 ausgeschaltet sind. Mit anderen Worten, so-bald die Quelle bzw. Batteriespannung unter den brauchbaren Minimaispannungspegei abgesunken ist, verhindert der neue Belichtungsmesser eine fehlerhafte Anzeige einer richtigen Belichtung, die sich anderenfalls aufgrund des Batteriespannungsabfalls ergeben würde, und zwar unabhängig von der Einstellung des veränderlichen Widerstandes Rv. Dabei kann außerdem der Batteriespannungsabfall unter den minimalen Spannungspegel sofort beobachtet werden Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsformw welche eine ähnliche Funktionsweise wie die Ausführungsform nach Fig. 1 hat. Diese beiden Ausführungsformen unterscheiden sich bezüglich der folgenden Punkte: In Fig. 1 sind die Transistoren T6, T5 und T9, T8 parallel geschaltet und bilden eine Phasen-Umkehrstufe und eine Schalt-Steuereinrichtung für die Dioden D3 und Dz, wobei die Transistoren T6 und T9 außerdem einen Teil der Versorgungsspannungs-Prüfschaltung bilden. In Fig. 2 sind dagegen die Transistoren T5, T6 und TS, T9 in Reihe geschaltet, wobei die Phasenumkehr zwischen den Transistoren T4 und T5 und zwischen den Transistoren T7 und T8 erfolgen kann.When the electrical power source E according to the above Description emits normal voltage, the glow or luminescence diodes can D3 or D4 via the transistors T6 and T9 according to the state of the transistors T5 and T8 are switched on or off, so that either one or both glow diodes D3 and D4 are always on, regardless of whether an underexposure, there is overexposure or proper exposure. :. because on the other hand the existing electrical voltage source E the supplied voltage below the usable VIini: when the voltage level drops, that of the resistors RD, R13, the adjustable Resistances R8, R12 and the diodes Dl, D2 determined divider voltage lower than the threshold voltage between the base and emitter of transistors T6 and T9, so that these transistors regardless of the state of the transistors T5 and T8 are always blocked, both Diodes D3 and D4 are off. In other words, as soon as the source resp. Battery voltage has dropped below the usable Minimaisspannungspegei, prevents the new light meter shows an incorrect display of a correct exposure, which would otherwise result from the battery voltage drop, namely regardless of the setting of the variable resistance Rv. It can also the battery voltage drop below the minimum voltage level is observed immediately Fig. 2 shows another embodiment which operates in a similar manner as the embodiment of FIG. 1 has. These two embodiments differ regarding the following points: In Fig. 1, the transistors T6, T5 and T9, T8 connected in parallel and form a phase reversing stage and a switching control device for the diodes D3 and Dz, the transistors T6 and T9 also part of the Form supply voltage test circuit. In Fig. 2, however, are the transistors T5, T6 and TS, T9 connected in series, with the phase reversal between the transistors T4 and T5 and between the transistors T7 and T8 can be done.

Die Transistoren T5 und T8 bilden außerdem eine Steuerschaltung für die Lumineszenzdioden D3 und D4, und die Transistoren T6 und T9 bilden eine Versorgungsspannungs-Prüfschaltung allein. Die Schaltung der Lumineszenzdioden D3 und D4 als Belichtungsmeßanzeige (bei von der elektrischen Spannungsquelle E gelieferter Normalspannung) ist ähnlich der Schaltung gemäß Fig. 1. D.h., D4 wird zur Anzeige einer Unterbelichtung » eingeschaltet, D3 wird zur Anzeige einer Überbelichtung eingeschaltet, und sowohl D3 als auch D4 werden zur Anzeige einer richtigen Belichtung eingeschaltet. Wenn die Spannung der Spannungsquelle unter den minimalen Spannungspegel absinkt, so gehen beide Dioden D3 und D4 aus und zeigen dadurch den zu geringen Wert der Batteriespannung an.The transistors T5 and T8 also form a control circuit for the light emitting diodes D3 and D4, and the transistors T6 and T9 form a supply voltage test circuit alone. The circuit of the light emitting diodes D3 and D4 as exposure metering display (at normal voltage supplied by the electrical voltage source E) is similar the circuit according to Fig. 1. That is, D4 is switched on to indicate underexposure », D3 is turned on to indicate overexposure, and both D3 and D4 are turned on to indicate proper exposure. When the tension of the If the voltage source drops below the minimum voltage level, both diodes go D3 and D4 off, indicating that the battery voltage is too low.

Bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen werden Glimm- bzw. Lumineszenzdioden als Signal lampen verwendet; diese können zu demselben Funktionszweck durch Glühlampen oder dergleichen ersetzt, werden.In the embodiments described so far, glow or Light emitting diodes used as signal lamps; these can serve the same functional purpose replaced by incandescent lamps or the like.

Obwohl diese Ausftihrungsforrn in Bezug auf einen Belichtungsmesser mit zwei Signalgabevorrichtungen (wie Luminszcnzdioden, Glühlampen oder dergleichen) beschrieben wurden, liegt es auf der Hand-, daß die Zahl der Signalgabevorrichtungen bzw. -Lampen nicht auf zwei beschränkt ist; die Erfindung ist auch bei einem Belichtungsmesser mit wenigstens einem Signal licht verwendbar. Eine derartige Ausführungsform ist in Fig. 3 dargestellt.Although this embodiment relates to a light meter with two signaling devices (such as luminescent diodes, incandescent lamps or the like) have been described, it is obvious that the Number of signaling devices or lamps is not limited to two; the invention also applies to a light meter light usable with at least one signal. One such embodiment is shown in Fig. 3.

Bei dieser alternativen Ausfiihrungsform sind die Basis bzw. der Emitter des TransistorsT 10 mit dem Kollektor des Transistors T1 bzw. dem positiven Pol der elektrischen Spannungsquelle E verbunden, und der Kollektor des Transistors TlO ist über einen Widerstand R23 an die Basis des Transistors Tll angeschaltet, mit der auch der Kollektor des Transistors T2 verbunden ist.In this alternative embodiment, the base or the emitter are of the transistor T 10 to the collector of the transistor T1 or the positive pole connected to the electrical voltage source E, and the collector of the transistor TlO is connected to the base of the transistor Tll via a resistor R23, to which the collector of the transistor T2 is also connected.

Der Emitter des Transistors T 11 liegt am negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E, und sein Kollektor ist mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R20 und R21 verbunden. Diese Widerstände R20 und R21 erfüllen, wie oben beschrieben, die Funktionen eines Spannungsteilers (d.h. entsprechend den Widerständen R8 und R9 bzw. den Widerständen R12 und Rl3 bei den Ausführungsiormen gemäß Fig. 1 und 2.) Die Basis des Transistors T12 ist mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R20 und R21 verbunden: sein Emitter liegt am negativen Pol der elektrischen Spannungsquelle E; sein Kollektor ist über eine Glimm- bzw. Lumineszenzdiode D5 und einen Widerstand R22 mit dem positiven Pol der Spannungsquelle E verbunden.The emitter of the transistor T 11 is at the negative pole of the electrical Voltage source E, and its collector is to the connection point between the Resistors R20 and R21 connected. These resistors R20 and R21 meet how described above, the functions of a voltage divider (i.e. corresponding to the resistors R8 and R9 or the resistors R12 and Rl3 in the embodiments according to FIG. 1 and 2.) The base of the transistor T12 is connected to the connection point between the Resistors R20 and R21 connected: its emitter is on the negative pole of the electrical Voltage source E; its collector is via a glow or luminescent diode D5 and a resistor R22 connected to the positive pole of the voltage source E.

Diese Ausführung arbeitet in der nachfolgend beschriebenen Weise. Bei richtiger Belichtung sind beide Transistoren T1 und T2 gesperrt und demgemäß auch der Transistor Tll gesperrt, so daß der Transistor T12 unter Einschaltung der Lumineszenzdiode D5 leitend wird.This embodiment works in the manner described below. If the exposure is correct, both transistors T1 and T2 are blocked and accordingly also the transistor Tll blocked, so that the transistor T12 with the activation of the Light emitting diode D5 becomes conductive.

Im Falle einer unrichtigen Belichtung (Unter- oder Überbelichtung) ist einer der Transistoren Tl bzw. T2 leitend, demgemäß Transistor T11 leitend, so daß Transistor T12 gesperrt und die Lumineszenzdiode D5 ausgeschaltet ist. Mit anderen Worten, die Diode D5 wird bei richtiger Belichtung eingeschaltet und bei falscher Belichtung ausgeschaltet. Wenn die Batteriespannung unter den minimalen Spannungspegel absinkt, wird die Basis- Emitterspannung des Transistors T 12 kleiner als die Schwellenspannung - wie bei den ersten beiden Ausführungsformen - so daß die Diode D5 unabhängig vom Zustand der Transistoren Tl und T2 niemals eingeschaltet werden kann.In the event of improper exposure (under or over exposure) one of the transistors T1 or T2 is conductive, accordingly transistor T11 is conductive, so that transistor T12 is blocked and the light emitting diode D5 is switched off. With In other words, the diode D5 is turned on when the exposure is correct and when wrong exposure turned off. When the battery voltage is below the minimum If the voltage level drops, the base-emitter voltage of the transistor T 12 becomes smaller than the threshold voltage - as in the first two embodiments - so that the diode D5 is never switched on regardless of the state of the transistors T1 and T2 can be.

Mit Hilfe der erfindungsgemnßen Maßnahme kann daher jede, aufgrund des Abfalls der S?eisespannung unter den minimalen Spannungspegel fehlerhafte Belichtungsmessung vermieden werden, so daß Falschbelichtungen aufgrund von Fehlmessungen verh:itet werden. Insbesondere bei den ersten beiden Ausführungsbeispielen dienen die Signallichter beide zur Anzeige der Richtigkeit oder Unrichtigkeit der Belichtung und zur Prüfung der Speisespannung, wodurch sich eine besondere Maßnahme (z.B. das Umschalten der Belichtungsmesser schaltung und der Versorgungsspannungs-Prüfschaltung oder das Betätigen des Schalters für die Versorgungsspannungs-Prüfschaltung, entsprechend den Erfordernissen bei herkömmlichen Belichtungsmessern) zum Messen der Belichtung und zum gleichzeitigen Prüfen der Versorgungsspannung erübrigt.With the help of the measure according to the invention, any, due to the drop in the ice voltage below the minimum voltage level incorrect exposure measurement can be avoided, so that incorrect exposures due to incorrect measurements are prevented will. Especially with the first two embodiments The signal lights are both used to indicate the correctness or incorrectness of the Exposure and testing of the supply voltage, which is a special measure (e.g. switching the exposure meter circuit and the supply voltage test circuit or pressing the switch for the supply voltage test circuit, accordingly the requirements of conventional light meters) for measuring the exposure and to check the supply voltage at the same time.

Sobald also die Versorgung:sspannung kleiner als der minimale Spannungspegel während der Belichtungsmessung wird, kann dieser Spannungsabfall ohne die aufwendige Prozedur der bei herkömmlichen Belichtungsmessern von Zeit zu Zeit notwendigen besonderen Betätigung der Prüfvorrichtung für die Speisespannung festgestellt werden, so daß auch ein Übersehen oder Vergessen der Versorgungsspannungsprüfung nicht vorkommen kann.As soon as the supply: svoltage is less than the minimum voltage level While the exposure measurement is being made, this voltage drop can be achieved without the laborious Procedure of the special necessary with conventional light meters from time to time Actuation of the test device for the supply voltage can be determined so that the supply voltage test cannot be overlooked or forgotten either can.

Gegenüber herkömmlichen Belichtungsmessern ähnlicher Ausführung beseitigt die Erfindung auch die Notwendigkeit einer zusätzlichen Vorrichtung, z,B. eines Schalters zur Betätigung der Versorgungsspannungs-Prüf schaltung oder eines Umschalters zum Umschalten des Signallichts zwischen der Belichtungsmesserschaltung und der Versorgungsspannungs-Prtlfschaltung, wodurch ein vereinfachter und wirtschaftlicherer Aufbau erreicht wird, der die Zusammenfassung des gesamten Belichtungsmessers in einer Baueinheit ermöglicht.Eliminated compared to conventional light meters of a similar design the invention also eliminates the need for an additional device, e.g. one Switch to operate the supply voltage test circuit or a changeover switch to switch the Signal light between the exposure meter circuit and the supply voltage test circuit, making a simplified and more economical Structure is achieved that summarizes the entire light meter in a structural unit allows.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e

Exposure meter with an exposure determination device that a photocell, an electrical voltage source, one connected to the photocell, the exposure influencing factors introducing correction means and a signaling device connected to the photocell and the correction device for generating a suitable exposure signal, d a d u r c h g e k It is indicated that the exposure determining device (E, Rph, Rv, T1, T2) a correct one depending on a suitable exposure signal Exposure indicating device (D3, D4; D5) is connected, and that between the Exposure determining device and the display device a device (Dl, R8, R9, T6; D2, R12, R13, T9; R20, R21, T12) is switched on, which when falling the supply voltage supplied by the voltage source (E) below a minimum voltage puts the display device out of operation.

2. Exposure meter according to claim 1, characterized in that the signaling device of the exposure determining device from a first (Tl) and a second (T2) circuit unit, of which the first signaling unit (Tl) generates a first signal, if the combination of received Light intensity and exposure factors affecting proper exposure or corresponds to underexposure, and the second signaling unit (T2) second signal emits when the combination of a correct exposure or a Overexposure equals; that the display device first (D4) and second (D3) Has display units, of which the first display unit (D4) 'with the first Signaling unit (T2) connected and actuated as a function of the first signal and the second display unit (D3) is connected to the second signaling unit (T2) and can be actuated as a function of the second signal; and that the signal display device Device putting out of operation first (R12, R13) and second (R8, R9) voltage divider and first tut9) and second (T6) transistors, the first of which is voltage steeper and the first transistor between the first signaling unit (T1) and the first display unit (D4) and the second voltage divider and the second transistor between the second signaling unit (T2) and the second display unit (D3) are switched on, the actuation of only the first display unit (D4) for an underexposure, the actuation of only the second display unit (D3) for one Overexposure, actuation of both display units (D4 and D3) for a correct exposure and the inactivity of both display units for the source voltage falling below the minimum voltage level is marked.

3. Exposure meter according to claim l or 2, characterized in that that the display device (1) 4, D3; D5) device decommissioning at least one lying between the opposite poles of the electrical voltage source (E) Voltage divider (R12, R13; RB, R9; R20, R21) and at least one transistor (T9; T6; T12), the collector of which is connected to a pole via the display device, its emitter with the other pole of the electrical voltage source (E) and its Base are connected to the voltage divider in such a way that the at the base of the transistor (T9; TE; T12) pending voltage of the voltage divider when the voltage from the voltage source drops (E) supplied voltage to the minimum voltage level slightly higher than that Is the threshold voltage between the base and emitter of the transistor.

4. Exposure meter according to one of claims 1 to 3, characterized in that that the photocell (Rph) is designed as a variable resistance (Rv) Correction facility is in series and the series connection is below Formation of a bridge circuit with respect to the electrical voltage source (E) two series resistors (Rl, R2) is connected in parallel, the Arrangement is made; that the bridge circuit is balanced when the resistance values the photocell (Rph) and the variable resistance (Rv) of a correct exposure and is unbalanced if these resistance values are incorrect Exposure correspond to that on the bridge circuit a balance determination circuit (T1, T2) is switched on, which generates a first signal at bridge adjustment that the leveling determination circuit, the display device actuatable by the first signal (D4, D3; D5) is connected downstream and that the display device is out of order setting means between the matching determination circuit and the display means is switched on.

5. Exposure meter according to claim 4, characterized in that the balance determination circuit has a first transistor (Tl) and one to this having complementary second transistor (T2), both of which are blocked during bridge adjustment and one of which is in an unbalanced state of the bridge circuit (Rph, Rv, R1, R2) is blocked, the first signal in locked state both transistors (T1 and T2) can be developed; that the display device a with the first transistor (Tl) connected to the first display unit (D4) and one with the second transistor (T2) connected to the second display unit (D3), wherein Both display units with simultaneous actuation in the locked state of both Transistors for proper exposure and one of the display units in locked The state of one of the transistors is indicative of incorrect exposure, and that the device putting the display device out of operation first (Rl2, R13) and second CR8, R9) voltage dividers, as well as third (T9) and fourth (T6) transistors has, of which the first voltage is steeper and the third transistor (T9) with the first transistor (Tl) and the first display unit (D4) and the second voltage divider and the fourth transistor (T6) with the second transistor (T2) and the second display unit (D3) are connected in such a way that the inactivity of both display units for the A drop in the supply voltage below the minimum voltage level is characteristic.