DE2238664A1 - PROCEDURE FOR EPITACTIC PRECIPITATION OF TERNAER III-V COMPOUNDS FROM THE LIQUID PHASE - Google Patents
PROCEDURE FOR EPITACTIC PRECIPITATION OF TERNAER III-V COMPOUNDS FROM THE LIQUID PHASEInfo
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Description
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F. PHIT, 6028. Va/RV. F. PHIT, 6028. Va / RV.
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Anr.-.oldunfl vom* A. Aug. 1972AüirrU ::: KV Γ · !. Li / 3 1 GLLiLA 1 M
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Anr .-. Oldunfl dated * A. Aug. 1972
Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen ternärer Ill-V-Verbindungen aus üer Flüssigkeitsphase.Method for epitaxial deposition of ternary III-V compounds over liquid phase.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer ternären Verbindung von Elementen aus den Spalten III und V des periodischen Systems von Elementen aus einer Lösung in flüssiger Phase in einem Uebermass eines der Bestandteile, bei dem ein Substrat und die erwähnte Lösung voneinander getrennt in einer epitaktischen Wachsvorrichtung angeordnet und dann auf eine die Schmelztemperatur des ermähnten Substrats unterschreitende Temperatur gebracht werden, wonach aas 'Juiistrat und die genannte Lösung miteinander in Kontakt gebracht werden und eine programmierte kühlung defs Janzen stattfindet.The invention relates to a method for epitaxially depositing a ternary compound of elements from the Columns III and V of the periodic system of elements from a solution in liquid phase in an excess of one of the components in which a Substrate and the mentioned solution separated from each other in an epitaxial Wax device arranged and then brought to a temperature below the melting temperature of the admonished substrate, after which aas' Juiistrat and said solution are brought into contact with one another and programmed cooling defs Janzen takes place.
Es ist bekannt, üass kristalle gewisser ternärer Verbindung mit Bestandteilen üer dritten und der fünften Spalte des periodischen Systems von Elementen für die Herstellung von Halbleiteranordnungen und ins-It is known to have crystals of certain ternary compounds with components from the third and fifth columns of the periodic table of elements for the production of semiconductor arrangements and especially
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BAD OFUGiNALBAD OFUGiNAL
P.PHN. 6028.P.PHN. 6028.
besondere von elektrolumineszierenden Anordnungen von grosser Bedeutung sind. Bei der üerstellung z.B. einer elektrolumineszierenden Diode lässt man durch Dampf- oder Flüssigkeitsepitaxie eine Schicht einer ternären Verbindung auf einem Halbleitersubstrat niederschlagen»particular of electroluminescent arrangements of great importance are. When setting up an electroluminescent diode, for example a layer of a ternary compound is deposited on a semiconductor substrate by vapor or liquid epitaxy »
Zur Herstellung einer Gallium-Aluminiumarsenid enthaltenden Diode durch Flüssigkeitsepitaxie wird eine epitaktische Schicht auf einem Galliumarsenidsubstrat aus einer Galliumlösung niedergeschlagen. Das am häufigsten verwendete Verfahren zur Herstellung dieses Niederschlags besteht darin, dass das Substrat und die Lösung voneinander getrennt in einem Raum angeordnet und auf eine die Schmelztemperatur des Substrats unterschreitende Temperatur gebracht werden, wonach die Substratoberflache und die Lösung miteinander in Kontak.t gebracht werden und das Ganze gemäss einem bestimmten Programm gekühlt wird.For the production of a gallium-aluminum arsenide containing Diode by liquid epitaxy, an epitaxial layer is deposited on a gallium arsenide substrate from a gallium solution. That The most commonly used method of making this precipitate is that the substrate and the solution are separated from each other in arranged in a room and on a the melting temperature of the substrate be brought below temperature, after which the substrate surface and the solution are brought into contact with each other and the whole thing according to a specific program.
Um mit Halbleiterübergängen eine Lichtendssion im sichtbaren Spektrum zu erhalten, ist es erforderlich, dass die Konzentrationen der verschiedenen Bestandteile in der epitaktisohen Schicht innerhalb gewisser Grenzen liegen. Für Gallium-Aluminiumarsenid (Ga1 Al As) ist es z.B. erforderlich, dass χ in der Nähe von 0,34 liegt. Es iet bekannt, dass eine sehr grosse Schwierigkeit bei der Herstellung von Dioden durch das Erhalten einer optimalen Konzentration über die ganze Dicke der epitaktischen Schicht bereitet wird. Während des Niederschlagen» aus einer flüssigen Lösung nimmt die Konzentration eines Bestandteiles (Aluminium im Falle von GaAlAs) nämlich in der Lösung umso schneller ab, wenn sich eine Kristallisation auch an Haderen Punkten als an der Oberfläche des Substrats, an der der Niederschlag verlangt wird, ergeben kann; dadurch nimmt auch die Konzentration des hestandteiles in dem Feststoff ab, die von der Zusammensetzung der Flüssigkeit abhängig ist. Es ist also ersichtlich, dass inIn order to obtain a light emission in the visible spectrum with semiconductor transitions, it is necessary that the concentrations of the various constituents in the epitaxial layer are within certain limits. For example, for gallium aluminum arsenide (Ga 1 Al As) it is necessary that χ be close to 0.34. It is known that a very great difficulty in the manufacture of diodes is presented by obtaining an optimal concentration over the entire thickness of the epitaxial layer. During the deposition »from a liquid solution, the concentration of a component (aluminum in the case of GaAlAs) in the solution decreases all the faster if crystallization also occurs at points than on the surface of the substrate on which the precipitation is required, can result; this also reduces the concentration of the constituent in the solid, which depends on the composition of the liquid. So it can be seen that in
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-3- F.PHN. 6028.-3- F.PHN. 6028.
einer GaAlAs-Schicht, die durch Flüssigkeitsepitaxie gemäss bekannten Verfahren niedergeschlagen ist, sich die Aluminiurakonzentration mit der Tiefe ändert; die Schicht weist ein "Konzentrationsprofil" auf. Zum Erhalten einer befriedigenden Strahlung eines in die epitaktische Schicht eindiffundierten Uebergangs ist es erforderlich, dass die Diffusion einen Pegel erreicht, auf dem die Konzentration in der Hähe von 0,34 liegt; weil die Aluminiumkonzentration zu der Oberfläche der Schicht hin abnimmt, ist es wichtig, dass das Konzentrationsprofil möglichst flach ist.a GaAlAs layer, which is formed by liquid epitaxy according to known methods the aluminum concentration increases with depth changes; the layer has a "concentration profile". To obtain a satisfactory radiation from a diffused into the epitaxial layer In transition it is necessary that the diffusion reaches a level on which the concentration is around 0.34; because the Aluminum concentration decreases towards the surface of the layer, it is It is important that the concentration profile is as flat as possible.
Es ist ebenfalls bekannt, dass, wenn die Aluminiumkonzentration auf einem bestimmten Pegel einer epitaktischen GaAlAs-Schicht erheblich niedriger als die Konzentration auf dem Pegel des Emitterübergangs ist, das Licht auf diesem Pegel absorbiert werden wird.It is also known that when the aluminum concentration at a certain level of a GaAlAs epitaxial layer is considerably lower than the concentration at the level of the emitter junction is that the light at this level will be absorbed.
Dadurch ist es erforderlich, dass, damit das am UebergangThis makes it necessary that, in order for the transition
emittierte Licht aus der dem Substrat gegenüber liegenden Fläche einer Anordnung austreten kann, die epitaktische Schicht an allen Stellen zwischen diesem Uebergang und dieser Fläche praktisch die gleiche Konzentration aufweist, oder dass das Konzentrationsprofil sogar derartig ist, dass die Konzentrationen zu der Oberfläche der Schicht hin zunehmen.emitted light from the surface of an arrangement opposite the substrate can emerge, the epitaxial layer has practically the same concentration at all points between this transition and this surface has, or that the concentration profile is even such that the Concentrations increase towards the surface of the layer.
Um die Konzentrationsabnahme, die in der durch Flüssigkeitsepitaxie niedergeschlagenen Schicht gefunden wurde, auszugleichen, wurde versucht, das Bad mit dem Element, dessen Konzentration abnimmt, entweder einmalig, oder in kleinen dosierten Mengen, zu ergänzen. Dieses Element, wie Aluminium, diffundiert aber meistens zu schnell in die Lösung ein. Der Einfluss der zusätzlichen Zufuhr dieses Elements macht sich sehr schnell bemerkbar. Die Konzentration an der Grenzfläche zwischen Feststoff und Flüssigkeit nimmt gleich schnell zu und die Konzentration in dem Fest- :;Vjff ändert üich auf gleiche Weise. Das Konz6?ntrati onsprofil in derTo the decrease in concentration that occurs in the fluid epitaxy deposited layer was found, an attempt was made to balance the bath with the element, the concentration of which is decreasing, to be added either once or in small dosed amounts. This element, like aluminum, usually diffuses too quickly into the solution a. The influence of the additional supply of this element becomes noticeable very quickly. The concentration at the interface between solids and liquid increases at the same rate and the concentration in the solid :; Vjff changes üich in the same way. The concentration profile in the
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niedergeschlagenen Schicht weist Unterbrechungen auf, die die optischen Eigenschaften des Niederschlags beeinträchtigen.The deposited layer has interruptions that affect the optical Impair the properties of the precipitation.
Ferner nimmt die Löslichkeit des zweiten in der Lösung gelösten Elements, z.B. Arsen, in dem Gallium- und Aluminiumbad ab, wenn die Konzentration des ersten Elements zunimmt. Eine Zufuhr von Aluminium führt somit eine Aenderung in Verhalten des Arsens in einer Lösung von Gallium-Aluminiumarsenid in dem Gallium herbei und stört das Phasengleichgewicht.Furthermore, the solubility of the second element dissolved in the solution, e.g. arsenic, in the gallium and aluminum bath decreases when the Concentration of the first element increases. A supply of aluminum thus leads to a change in the behavior of arsenic in a solution of gallium aluminum arsenide in the gallium and disturbs the phase equilibrium.
Die Erfindung hat den Zweck, diese Nachteile der bekanntenThe invention has the purpose of addressing these disadvantages of the known
Verfahren zum Ausgleichen der Konzentrationsabnahme eines der Bestandteile während des Niederschlagen^ durch Flüssigkeitsepitaxie zu verringern.Method of compensating for the decrease in concentration of one of the components during precipitation ^ to be reduced by fluid epitaxy.
Beim Zustandekommen der Erfindung wird die Form der Konzentrationskurve dieses Bestandteiles in einem unter den üblichen Bedingungen, ohne Ausgleich, durch Kühlung mit konstanter Geschwindigkeit erhaltenen Niederschlag berücksichtigt. Die Konzentrationskurve fällt regelmässig ab und macht dadurch eine ununterbrochene langsame \ind regelmassige Zufuhr des erwähnten Bestandteiles notwendig.In making the invention, the shape of the concentration curve becomes this component in one obtained under the usual conditions, without equalization, by cooling at a constant rate Precipitation taken into account. The concentration curve falls regularly and thereby makes an uninterrupted slow \ ind regular Supply of the mentioned component necessary.
Die Erfindung gründet sich auf den Unterschied in derThe invention is based on the difference in the
Diffusionsgeschwindigkeit in einer Lösung zwischen dem erwähnten Bestandteil in elementarer Form und einer binären Verbindung mit demselben Bestandteil. Diffusion rate in a solution between the mentioned constituent in elementary form and a binary connection with the same component.
Nach der Erfindung ist das Verfahren zum epitaktischenAccording to the invention the method is for epitaxial
Niederschlagen einer ternären Verbindung von Elementen aus der Spalten III und V des periodischen Systems von Elementen aus einer Lösung in flüssigen Phase in einem Uebermass eines der Bestandteile, bei dem ein Substrat und die erwähnte Lösung voneinander getrennt in einer epitaktischen Wachsvorrichtung angeordnet und dann auf eine die Hchine] ztemperatur des erwähnten Substrats unterschrei tende Temperatur grtiracht werden, wonach das Sub-Precipitation of a ternary compound of elements from column III and V of the periodic table of elements from solution in liquid Phase in excess of one of the constituents in which a substrate and said solution separately from each other in an epitaxial waxing device arranged and then to a high temperature of the mentioned Temperature below the substrate, after which the sub-
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strat und die genannte Lösung miteinander in Kontakt gebracht werden und eine programmierte Abkühlung des Ganzen, stattfindet, dadurch gekennzeichnet, dass eine Menge einer binären III-B-Verbindung in festem Zustand mit mindestens einem von dem Lösungsmittel verschiedenen Bestandteil während des Niederschlagvorgangs in die erwähnte Lösung gebracht wird.strat and said solution are brought into contact with one another and a programmed cooling of the whole takes place, characterized by that a lot of a binary III-B compound in the solid state with at least a component different from the solvent is brought into the mentioned solution during the precipitation process.
Das Lösen der festen binären Verbindung ermöglicht es, inReleasing the fixed binary connection makes it possible to work in
die Lösung allmählich den Bestandteil, dessen Konzentration zunehmen soll, einzuführen, oder nur die Abnahme der Konzentration auszugleichen; dieses Einführen erfolgt mit einer Geschwindigkeit, die niedriger als die Geschwindigkeit ist, mit der derselbe Bestandteil in elementarer Form gelöst werden würde.the solution gradually selects the component whose concentration should increase, introduce, or just compensate for the decrease in concentration; this Insertion takes place at a speed that is slower than the speed is, with which the same constituent can be solved in elementary form would.
Auf diese Weise geht bei epitaktischem Niederschlagen von Gallium-Aluminiumarsenid der Ausgleich der Abnahme der Konzentration an . Aluminium in dem kristallisierten Feststoff während des Niederschlagvor- , gangs, welcher Ausgleich durch das Einführen von Aluminium in Form von Aluminiumarsenid erhalten wird, gleichmässig vor sich und ist seine Anpassung besser als die des Ausgleiches, der durch das Einführen von Aluminium in elementarer Form erhalten wird. Fig. 1 zeigt einen Teil des Phasendiagramms ternärer Verbindungen von Gallium, Aluminium und Arsen; dieser Teil entspricht Verbindungen, die sehr reich an Gallium sind und für die der Flüssigkeiten mit Temperaturen Tn, T , T und mit Kurven mit Punkten gleicher Konzentration an Aluminium in dem kristallisierten Feststoff C», C., C? dargestellt sind. Das Einführen von Aluminium mit der Temperatur TQ verschiebt z.H. den Punkt A von einem der Konzentration C0 entsprechenden Gleichgewicht längs der Isotherme TQ in Richtung auf die zunehmenden Aluminiumkonzentrationen. In diesem Falle nimmt die Aluminiumkonzentration im Feststoff zu, was eine neue Kurve mit Punkten gleicher Konzentrationen C„+dCIn this way, the epitaxial deposition of gallium aluminum arsenide begins to compensate for the decrease in concentration. Aluminum in the crystallized solid during the precipitation process, which compensation is obtained by introducing aluminum in the form of aluminum arsenide, is evenly in front of it and its adaptation is better than that of the compensation which is obtained by introducing aluminum in elemental form . Fig. 1 shows part of the phase diagram of ternary compounds of gallium, aluminum and arsenic; this part corresponds to compounds very rich in gallium and for those of liquids with temperatures T n , T, T and with curves with points of equal concentration of aluminum in the crystallized solid C », C., C ? are shown. The introduction of aluminum at the temperature T Q shifts the point A from an equilibrium corresponding to the concentration C 0 along the isotherm T Q in the direction of the increasing aluminum concentrations. In this case the aluminum concentration in the solid increases, which creates a new curve with points of equal concentrations C + dC
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ergibt, aber was zugleich eine Herabsetzung der Löslichkeit des Arsens in der Flüssigkeit zur Folge hat. Die gleichzeitige Einführung von Aluminium und Arsen in Form von Aluminiumarsenidkristallen, was einer Verschiebung des Punktes A in der Richtung B entspricht, führt also eine geringere Konzentrationsbildung des Aluminiums in diesen Kristallen herbei als durch das Lösen von Aluminium in Form elementaren Metalls erhalten werden würde, was einer Verschiebung des Bildpunktee in der Richtung E entsprechen würde. Die Aluminiumzufuhr, die das Aluminiumarsenid in einer derartigen Lb'sung herbeiführt, verläuft also gleichmäasig. Die Abnahme der Konzentration an Aluminium auf dem Pegel der Grenzfläche zwischen Flüssigkeit und Feststoff kann regelmäsaig und ohne Unterbrechungen ausgeglichen werden. Ferner wird durch die duroh den Zusatz von Aluminiumarsenid herbeigeführte Zufuhr von Arsen das Phasengleichgewicht beibehalten und wird die Konzentration ar. Arsen der Lösung aufrechterhalten. Je nach der Temperatur wird die Masse des zugesetzten Aluminiumarsenids in Abhängigkeit von dem gewünschten Ausgleich bestimmt.results, but at the same time a reduction in the solubility of the arsenic in the liquid. The simultaneous introduction of aluminum and arsenic in the form of aluminum arsenide crystals, causing a shift corresponds to point A in direction B, so leads to a lower concentration of aluminum in these crystals than would be obtained by dissolving aluminum in the form of elemental metal, resulting in a shift of the pixel in the direction E would correspond. The aluminum feeder that holds the aluminum arsenide in a brings about such a solution, thus proceeds evenly. The decrease the concentration of aluminum at the level of the interface between liquid and solid can be balanced regularly and without interruptions will. Furthermore, the supply of arsenic brought about by the addition of aluminum arsenide maintains the phase equilibrium and will the concentration ar. Maintain arsenic in the solution. Depending on the temperature, the mass of aluminum arsenide added will be determined depending on the desired balance.
Das Einführen der binären Verbindung nach der Erfindung,The introduction of the binary connection according to the invention,
z.B. Aluminiumarsenid, kann vom Anfang der Bearbeitung an oder naoh einer bestimmten Niederschlagzeit stattfinden. Biese binäre Verbindung muss selbstverständlich mindestens denselben Heinheitsgrad wie die Bestandteile der Lösung aufweisen. Biese binäre Verbindung wird, je nach den Möglichkeiten, in kristallisierter fester Form, in Form kleiner Kristalle, oder sogar in Form eines Pulvers, z.B. mit grossen Kornabmessungen, in die LÖBung eingeführt.e.g. aluminum arsenide, can be used from the beginning of the processing or after a certain precipitation time take place. This binary connection must of course have at least the same degree of unity as the components the solution. This binary compound is, depending on the possibilities, in crystallized solid form, in the form of small crystals, or even in the form of a powder, e.g. with large grain dimensions, into the SOLUTION introduced.
Die Erfindung lässt sich bei epitaktisohen Niederschlag-The invention can be used in epitaxial precipitation
bearbeitungen mit ternären III-V-Verbindungen aus Lösungen in der flüssigen Phase zur Herstellung besonderer elektronischer Anordnungen für elektro-machining with ternary III-V compounds from solutions in the liquid Phase for the production of special electronic arrangements for electrical
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lumineszierende Dioden anwenden. Die Erfindung lässt sich insbesondere für Verbindungen, wie GaAlAs, GaInP, CaAsSb, GaInAs, verwenden, die aus Lösungen in Gallium niedergeschlagen werden.Use luminescent diodes. The invention can be used in particular for Compounds such as GaAlAs, GaInP, CaAsSb, GaInAs, use those made from solutions be precipitated in gallium.
Die Erfindung bezieht eich insbesondere auf die Herstellung elektrolumineszierender Dioden mit TJebergangen, die in Gallium-Aluminiumarsenid eindiffundiert sind.The invention relates in particular to the manufacture of electroluminescent diodes with transitions made in gallium-aluminum arsenide are diffused.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the drawing.
* Es wird ein Verfahren beschrieben, durch das eine epitaktische Schicht einer ternären Verbindung und insbesondere von Ga. Al As auf einem Substrat aus GaAs niedergeschlagen wird zur Herstellung einer epitaktischen Platte, die bei der Herstellung elektrolumineszierender Dioden Anwendung finden kann.* A method is described by which an epitaxial layer of a ternary compound and in particular of Ga. Al As is deposited on a substrate made of GaAs for the production of an epitaxial plate, which is used in the production of electroluminescent diodes Can apply.
Die Figuren 2 und 3 zeigen eine Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemässen Verfahrens, die beispielsweise gewählt ist; das Verfahren nach der Erfindung kann mit jeder bekannten Vorrichtung zum kristallinen Anwachsen in einer Lösung durchgeführt werden, die Mittel enthält, mit deren Hilfe ein Feststoff während der Bearbeitung der Lösung zugesetzt werden kann.FIGS. 2 and 3 show a device for carrying out the method according to the invention, which is selected for example; the procedure according to the invention can be carried out with any known device for crystalline growth in a solution which contains agents with the help of which a solid can be added during the processing of the solution.
Die Vorrichtung nach den Figuren 2 und 3 enthält einenThe device of Figures 2 and 3 includes one
parallelepipedonförmigen Tiegel 1, der in einem verschlossenen Raum 2 mit kontrollierter Temperatur und Atmosphäre angeordnet ist. Dieser Raum 2, der von einem Stöpsel 3 verschlossen wird, in dem ein Rohr zum Zuführen eines inerten Gases 4 und ein Abführungsrohr 5 angebracht sind, ist in einem Ofen 6 mit einem Fenster 7 für visuelle Kontrolle des Tiegels 1 angebracht. Unten im Tiegel 1 ist ein Substrat 8 angeordnet, das an einer Stütze 9 befestigt ißt. Zwei bewegbare Zwischenwände 10 und 11 unterteilen das Volumen des Tiegels in drei übereinander liegende Kammern. In einer ersten Kammer, die von der bewegbaren Zwischenwand 10 begrenzt wird, ist eineparallelepiped-shaped crucible 1, which is in a closed space 2 with controlled temperature and atmosphere is arranged. This space 2, which is closed by a plug 3, in which a tube for supplying a inert gas 4 and a discharge pipe 5 are attached is in one Furnace 6 with a window 7 for visual inspection of the crucible 1 is attached. A substrate 8 is arranged at the bottom in the crucible 1 and is attached to a support 9. Two movable partitions 10 and 11 divide the volume of the crucible in three superimposed chambers. In a first Chamber bounded by the movable partition 10 is one
309811/0983309811/0983
-8- F.PHN. 6028.-8- F.PHN. 6028.
Menge 12 der binären, der Lösung zuzusetzenden Verbindung angebracht. In einer zweiten Kammer, die zwischen den beiden bewegbaren Zwischenwänden 10 und 11 liegt, befindet sich die Lösung 13 mit den Bestandteilen des durch Niederschlagen zu bildenden Körpers, die in einem Uebermass eines dieser Bestandteile gelöst sind. Die dritte Kammer, die unterhalb der bewegbaren Zwischenwand 11 liegt, enthält die Stütze 9 und das Substrat Θ. Die Zwischenwände 10,11 können mit Hilfe des Stabes 14 ausserhalb der Vorrichtung betätigt werden.Amount 12 of the binary compound to be added to the solution is attached. In a second chamber, which lies between the two movable partitions 10 and 11, is the solution 13 with the components of the through Precipitation to be formed body, which in excess of one of these Components are dissolved. The third chamber, which lies below the movable partition 11, contains the support 9 and the substrate Θ. The partitions 10, 11 can be actuated with the help of the rod 14 outside the device.
Wenn die beiden bewegbaren Zwischenwände die in Fig. 2If the two movable partitions are as shown in FIG
dargestellten Lagen einnehmen, wird der ganze Tiegel auf die Temperatur für die Sättigung der Lösung gebracht und während einer notwendigen Mindestzeit auf dieser Temperatur gehalten. Die Zwischenwand 11 wird anschliessend derart ausgezogen, dass unter der Einwirkung der Schwerkraft die Lösung 13 das Substrat θ bedecken wird, wonach gemäss einem Programm eine Abkühlung stattfindet. Je nach Bedarf wird während dieser Abkühlung die bewegbare Zwischenwand 10 derart ausgezogen, dass die Menge 12 mit der Lösung 13 in Kontakt kommt und das Lösen dieser Menge in der Lösung anfängt. Dieses Lösen geht langsam vor sich und das Einführen des Elements, dessen Konzentration der Abnahme fähig ist, erfolgt gleichmässig, wodurch es möglich ist, diese beiden Vorgänge in der Nähe der Kristallisationstrennfläche miteinander im Gleichgewicht zu bringen.occupy the positions shown, the whole crucible is on the temperature brought for saturation of the solution and for a necessary minimum time kept at this temperature. The partition 11 is then pulled out in such a way that the solution 13 the substrate θ will cover, after which, according to a program, a cooling takes place. Depending on requirements, the movable partition 10 is pulled out during this cooling so that the quantity 12 with the solution 13 in Contact comes and this amount begins to dissolve in the solution. This dissolving takes place slowly and the introduction of the element, its concentration is capable of acceptance takes place evenly, which makes it possible to reduce this to balance both processes in the vicinity of the crystallization interface.
Die beispielsweise gewählte Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemässen Verfahrens eignet sich besonders gut zum epitaktischen Anwachsen von Gallium-Aluminiumarsenid aus einer Lösung in Gallium und auch zur Anwendung in all denjenigen Fällen, in denen die spezifische Masse der binären Verbindung kleiner als die der Lösung ist.The device selected, for example, for carrying out the method according to the invention is particularly well suited for the epitaxial Growth of gallium-aluminum arsenide from a solution in gallium and also for use in all those cases in which the specific The mass of the binary connection is less than that of the solution.
309811/098 3309811/098 3
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