DE2217744A1 - Photoresist material - with reactive side chains contg silicon on polymer chain, adhering well to oxides - Google Patents
Photoresist material - with reactive side chains contg silicon on polymer chain, adhering well to oxidesInfo
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Abstract
Description
Lichtempfindliche Polymere Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung der Haftungseigenschaften von Photolacken auf Oxidoberflächen, insbesondere auf in der Halbleitertechnik verwendeten Siliciumd#oxidoberflächen. Photosensitive Polymers The invention relates to a method for Improvement of the adhesion properties of photoresists on oxide surfaces, in particular on silicon oxide surfaces used in semiconductor technology.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen ist es normalerweise üblich, ein dünnes Scheibchen aus Halbleitermaterial9 z.B. Silicium oder Germanium, an bestimmten Bereichen der Oberfläche zu schützen, während andere #P?#C##he weiteren Verarbeitungsschritten ausgesetzt werden. Df#C###%2 Verfahren uni£aßt die folgenden Schritte: 1 Oxydation der Si-Oberfläche in einer Sauerstoffatmosphäre zu SiO2.In the manufacture of semiconductor components it is usually Usually a thin slice of semiconductor material9 e.g. silicon or germanium, to protect certain areas of the surface, while others #P? # C ## he further Processing steps are suspended. Df # C ###% 2 method uni £ ate the following Steps: 1 Oxidation of the Si surface in an oxygen atmosphere to SiO2.
2. Aufbringen einer lichtempfindlichen Photoresistschicht.2. Application of a photosensitive photoresist layer.
3. Bildmäßige Belichtung, 4. Bildmäßiges Herauslösen zur Herstellung eines Reliefbildes.3. Image-wise exposure, 4. Image-wise extraction for production of a relief image.
5. Ätzung des im Schritt 4 freigelegten SiO2 mit gepufferter Flußsäure zur Erzeugung von Oxidfenstern.5. Etching of the SiO2 exposed in step 4 with buffered hydrofluoric acid for the production of oxide windows.
6o Diffusion von geeigneten Dotierungsstoffen durch die Oxidfenster in die darunterliegenden Halbleitermaterialien.6o diffusion of suitable dopants through the oxide window into the underlying semiconductor materials.
Es ist bekannt, daß die z,Zt. verwendeten lichtempfindlichen Materialien bei den Verarbeitungsschritten 2, 4 und 5 erhebliche Unzulänglichkeiten aufweisen. Insbesondere bei der Ätzung der maskierten Siliciumdioxidoberfläche hat das lichtvernetzte Polymere die Tendenz, sich aufgrund mangelnder Haftung von der Oberfläche abzuheben Dies führt zu einer Unterätzung der Siliciumdioxidschicht unter das sich abhebende Polymerrelief, so daß nach der Diffusion ungenaue Grenzschichten entstehen.It is known that the z, Zt. photosensitive materials used have significant inadequacies in processing steps 2, 4 and 5. In particular when the masked silicon dioxide surface is etched, the light cross-linked Polymers have a tendency to lift off the surface due to poor adhesion This leads to an undercutting of the silicon dioxide layer under the raised layer Polymer relief, so that imprecise boundary layers arise after diffusion.
Zur Beseitigung dieser Nachteile kann man die Oxidschicht auf dem Halbleitermaterial mit einer Lage eines Haft- oder Grundiermittels vorbehandeln, hierfür ist zoBo Hexaalkyldisalazan bekannt, Diese Methode befriedigt jedoch auch nicht, da hierzu ein gesonderter Arbeitsgang erforderlich ist, der mit zusätzlichen Kosten verbunden ist, Zum anderen verschlechtert eine zusätzliche Zwischenschicht in jedem Falle das Auflösungsvermögen. Weiter wird in den meisten Fällen der Verfahrensschritt 4 nachteilhaft beeirillußt Eine Vereinfachur,g wird dadurch erweicht, daß der Haftvermittler direkt den lichtempfindlichen Polymeren zugesetzt wird. Für diesen Zweck sind Z.B. Chlorsilane, Alkoxysilane oder Hexaalkyldisalazane bekannt. ier-mit können in Einzelfällen Verbesserungen bezüglich der Haftung erreiGhW werden, andererseits müßten diese Zusätze chemisch v~illlg indifferent sein, damit andere Eigenschaften, insbesondere die Lagerstabilität und die Lichtempfindlichkeit nicht nachteilig beeinflußt werden. Dies führt in vielen Fällen zu Schwierigkeiten, die dorn Einsatz solcher Zusätze entgegenstehen.To eliminate these disadvantages, you can put the oxide layer on the Pre-treat semiconductor material with a layer of an adhesive or primer, zoBo Hexaalkyldisalazan is known for this, but this method is also satisfactory not, since this requires a separate operation with additional Cost is associated, on the other hand, an additional intermediate layer worsens in each case the resolving power. In most cases, the next step is the process step 4 disadvantageously influenced A simplification, g is softened by the fact that the adhesion promoter is added directly to the photosensitive polymers. For this purpose, e.g. Chlorosilanes, alkoxysilanes or hexaalkyldisalazanes are known. ier-mit can in individual cases Improvements in terms of liability are achievable, but on the other hand these should be achieved Additives are completely chemically indifferent, so that other properties, in particular the storage stability and the photosensitivity are not adversely affected. In many cases, this leads to difficulties in using such additives oppose.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, lichtvernetzbare Schichten für die Herstellung von Ätzresistagen zu entwickelnf die eine befriedigende Haftung an Oxidoberflächen besitzen0 Es wurde nun eine lichtempfindliche Polymerschicht gefunden, deren Löslichkeitseigenschaften durch Belichtung verändert werden, wobei an die Polymerkette gebundene Seiteni#etten enthalten sind, an die Gruppen der folgenden Formel gebunden sind: worin bedeuten: X = eine mit reaktiven Gruppen, wie Hydroxyl, von oxidischen Oberflächen reagierende Gruppierung, insbesondere (1) Halogen, wie Chlor, Fluor oder Brom, (2) Alkoxy mit vorzugsweise bis zu 3 C-Atomeng wie Methoxy oder Äthoxy, (3) Aminogruppen, die gegebe#ienfa1ls substituiert sein können, z.B. mit Alkyl, wie Methyl oder Athy1# oder (4) Wasserstoff; (1) Alkyl mit vorzugsweise bis zu 3 C-Atomen, insbesondere Methyl, (2) Phenyl oder (3) X; R2 hat die gleiche Bedeutung wie R1.The invention is based on the object of developing light-crosslinkable layers for the production of etch resists which have satisfactory adhesion to oxide surfaces. A light-sensitive polymer layer has now been found whose solubility properties are changed by exposure, with side ribbons attached to the polymer chain being contained the groups of the following formula are bound: where: X = a group that reacts with reactive groups such as hydroxyl on oxidic surfaces, in particular (1) halogen such as chlorine, fluorine or bromine, (2) alkoxy with preferably up to 3 carbon atoms such as methoxy or ethoxy, ( 3) amino groups which may optionally be substituted, for example with alkyl, such as methyl or ethyl or (4) hydrogen; (1) alkyl with preferably up to 3 carbon atoms, in particular methyl, (2) phenyl or (3) X; R2 has the same meaning as R1.
Es ist anzunehmen, daß es zumindest vereinzelt zu chemischen Reaktionen zwischen der Gruppierung X und Hydroxylgruppen der oxydischen Oberfläche, insbesondere mit SiOH-Gruppen unter Abspaltung von HX und Ausbildung von SiOSi-Bindungen kommt.It can be assumed that there are at least a few chemical reactions between the grouping X and hydroxyl groups of the oxidic surface, in particular comes with SiOH groups with elimination of HX and formation of SiOSi bonds.
Dadurch entsteht eine Verankerung zwischen der lichtempfindli chen Polymerschicht und der oxydischen Oberfläche, die eine Unterwanderung der Schicht beim Ätzvorgang verhindert, die aber immer noch die Entfernung der Schicht durch die Lösungsmittelbehandlung zur Herstellung des Reliefbildes erlaubt.This creates an anchoring between the light-sensitive surfaces Polymer layer and the oxidic surface, which infiltrates the layer prevented during the etching process, but this still results in the removal of the layer the solvent treatment allowed for the production of the relief image.
Die chemische Natur des lichtempfindlichen Polymeren ist nicht kritisch. Diese kann in ihrer Wirkungsweise positiv oder negativ arbeiten, d.ho bei Belichtung vernetzen oder im Entwickler löslich werden. Wichtig ist lediglich eine ausreichende Menge an haftungsvermittelnden Gruppierungen der obigen Struktur.The chemical nature of the photosensitive polymer is not critical. This can work positively or negatively in its mode of action, i.e. with exposure cross-link or become soluble in the developer. All that is important is a sufficient one Amount of adhesion-promoting groups of the above structure.
Weiter ist der Mechanismus der Löslichkeitsdifferenzierung durch den Belichtungsvorgang ohne Einfluß auf die Ergebnisse. Es kann sich dabei um Photopolymerisation, um Photovernetzungen, z.B.Next is the mechanism of solubility differentiation by the Exposure process without influence on the results. It can be photopolymerization, to photocrosslink e.g.
nach dem Dimerisierungsprinzip, oder Azidvernetzungen sowie um die Photosolubilisierung mittels Diazochinonverbindungen handeln.according to the dimerization principle, or azide crosslinks and around the Act photosolubilization by means of diazoquinone compounds.
Als lichtempfindliche Polymere sind z.B. Polymere mit dimerisierbaren Seitengruppen, z.B. Zimtsäureseitengruppen gemäß U.S. Patentschrift 2,690,966 oder der deutschen Patentschrift 1,063,802 brauchbar. Dabei spielt die Verknüpfungsart der Zimtsäuregruppen an die Polymerkette keine Rolle.Examples of photosensitive polymers are polymers with dimerizable Side groups, e.g., cinnamic acid side groups according to U.S. U.S. Patent 2,690,966 or of German Patent 1,063,802 useful. The type of link plays a role here the cinnamic acid groups on the polymer chain do not matter.
In gleicher Weise können Polymere mit Chalkonseitenketten, z.B.Likewise, polymers with chalcone side chains, e.g.
gemäß der DAS 1,067,219, eingesetzt werden.according to DAS 1,067,219.
Geeignet sind ferner lichtempfindliche Polymere, die über Sulfazidgruppen nach DAS 1,224,494 oder über Azidgruppen, wie in Phot.Sci.Engng. 15 (1971) Nr. 4, S. 309 - 316 oder CA 2 (1969), 14, S. 21, beschrieben, vernetzen.Photosensitive polymers which have sulfazide groups are also suitable according to DAS 1,224,494 or via azide groups, as in Phot.Sci.Eng. 15 (1971) No. 4, Pp. 309-316 or CA 2 (1969), 14, p. 21, described network.
Auch Mischungen von an sich nicht lichtempfindlichen Polymeren mit niedermolekularen Vernetzersubstanzen gemäß britischer Patente schrift 892,811 oder deutscher Offenlegungsschrift 1,956,282 sind geeignet.Mixtures of polymers that are not inherently light-sensitive low molecular weight crosslinking substances according to British patents script 892,811 or German Offenlegungsschrift 1,956,282 are suitable.
Weiterhin können lichtempfindliche Schichten, die aus einem polymeren Bindemittel, einer äthylenisch ungesättigten Verbindung mit mindestens zwei CH2=C-Gruppen, vorzugsweise mit einem Siedepunkt größer als 1000C, einem Photoinitiator sowie anderen Zusätzen wie Inhibitoren, Weichmachern usw. bestehen, verwendet werden.Furthermore, light-sensitive layers, which are made of a polymer Binder, an ethylenically unsaturated compound with at least two CH2 = C groups, preferably with a boiling point greater than 1000C, a photoinitiator and others Additives such as inhibitors, plasticizers, etc. are used.
Entsprechende Materialien können durch Einführung von Silan-Gruppen in das polymere Bindemittel in der erfindungsgemäßen Weise verändert werden. Entsprechende Materialien sind z.B. in den deutschen Offenlegungsschriften 2 127 767 und 2 027 467 beschrieben, Außerdem können die polymeren Bindemittel von positiv arbeitenden Materialien mit Diazochinonen, die an den belichteten Stellen in alkalilösliche Carbonsäuren überführt werden, in derselben Weise in ihren Haftungseigenschaften verbessert werden.Appropriate materials can be obtained by introducing silane groups can be changed into the polymeric binder in the manner according to the invention. Appropriate Materials are e.g. in the German Offenlegungsschriften 2 127 767 and 2 027 467 described, in addition, the polymeric binders of positive-working Materials with diazoquinones which are soluble in alkali at the exposed areas Carboxylic acids are converted in the same way in their adhesive properties be improved.
Die oben aufgeführten Beispiele sollen dabei nur die. allgemeine Anwendbarkeit der erfindungsgemäßen Haftvermittlungsgruppen in lichtempfindliche Materialien demonstrieren, ohne jedoch in irgendeiner Weise sich auf diese Gruppen zu beschränken.The examples listed above are only intended to general applicability demonstrate the adhesion promoter groups according to the invention in photosensitive materials, but without being limited in any way to these groups.
Die Verknüpfung der Organosilylgruppen der obigen Formel mit dem lichtempfindlichen Polymeren kann auf die verschiedenste Weise erfolgen, Grundsätzlich gibt es hierfür zwei Möglichkeiten.The linkage of the organosilyl groups of the above formula with the photosensitive Polymers can be made in the most varied of ways, basically there are for this two possibilities.
So kann eine Siliciumverbindung, die polymerisierbare olefinische Doppelbindungen enthält, bereits bei der Herstellung des Polymeren eingesetzt werden, In diesem Falle wird die olefinische Doppelbindung der Siliciumverbindung direkt mit einpolymerisieht. Die Silylgruppe der obigen Formel ist dann als Seitenkette im Polymer enthalten. Die zweite Möglichkeit besteht darin, fertige Polymere, die Gruppen enthalten, die mit einer geeigneten Siliciumverbindung reagieren können, mit solchen Verbindungen umzusetzen, so daß eine Verknüpfung unter Ausbildung einer Seitenkette mit einer Silylgruppierung der obigen Formel resultiert.For example, a silicon compound, the polymerizable olefinic Contains double bonds, are already used in the production of the polymer, In this case, the olefinic double bond of the silicon compound becomes direct with polymerized. The silyl group of the above formula is then as a side chain contained in the polymer. The second option is to use finished polymers that Contain groups that can react with a suitable silicon compound, to implement with such connections, so that a link under formation of a Side chain with a silyl group of the above formula results.
Solche reaktionsfähigen Gruppen am Polymeren sind z030 Hydroxylgruppen. Geeignete reaktive Gruppen der Siliciumverbindungen entsprechen dem Substituenten X der obigen Formel.Such reactive groups on the polymer are z030 hydroxyl groups. Suitable reactive groups of the silicon compounds correspond to the substituent X of the above formula.
Die Herstellung von einigen charakteristischen lichtempfindlichen Materialien mit den Silylgruppierungen ist im Folgenden beschrieben: Beispiel 1 In einem Rührkolben werden 800 Teile wasserfreies Glykolmonomethylätheracetat und 400 Teile p-Tosylisocyanat vorgelegt. Unter Rühren tropft man hierzu eine Mischung von 236 Teilen Glykolmonomethylätheracetat, 1 Teil Zinnoktoat und 289,5 Teilen Hydroxypropylmethacrylat, Man läßt 10 Stunden bei 450C rühren. Nunmehr werden 500 Teile der so erhaltenen Lösung des Monomeren mit 8,5 Teilen -Methacrylsäureoxypropyl-triäthoxysilan und 2 Teilen Azodiisobutyronitril unter N2 5 Stunden lang bei 650C und 10 Stunden lang bei 750C polymerisiert0 Es entsteht eine Polymerlösung, die einen Feststoffgehalt von ca, 40 GewO-% hat.The manufacture of some characteristic photosensitive Materials with the silyl groups are described below: example 1 800 parts of anhydrous glycol monomethyl ether acetate are placed in a stirred flask and 400 parts of p-tosyl isocyanate. A mixture is added dropwise to this while stirring of 236 parts of glycol monomethyl ether acetate, 1 part of tin octoate and 289.5 parts of hydroxypropyl methacrylate, The mixture is stirred at 450 ° C. for 10 hours. There are now 500 parts of the thus obtained Solution of the monomer with 8.5 parts of methacrylic acid oxypropyl triethoxysilane and 2 parts azodiisobutyronitrile under N2 for 5 hours at 650C and 10 hours polymerized at 750C0 A polymer solution is formed which has a solid content of approx. 40% by weight.
Auf die Herstellung des oben angegebenen Triäthoxysilans ist in der deutschen Offenlegungsschrift 1 920 932 hingewiesen.The preparation of the above-mentioned triethoxysilane is in the German Offenlegungsschrift 1 920 932 pointed out.
Die so erhaltene Lösung wird mit 2 Gew#-% 4,4'-Diazidodibenzalcyclohexanon; bezogen auf das trockene filmbildende Polymere, sensibilisiert und mit Glykolmonomethylätheracetat auf 15 Gew.-# Feststoff verdünnt.The solution obtained in this way is treated with 2% by weight 4,4'-diazidodibenzalcyclohexanone; based on the dry film-forming polymer, sensitized and with glycol monomethyl ether acetate diluted to 15 wt .- # solids.
Verarbeitung: Ein oxydiertes SiliciumMaibleiterscheibohen wurde mit 6 Tropfen des oben beschriebenen Photolackes beschichtet und anschließend waagerecht auf einer Zentrifuge 10 Sekunden mit 2000 Umdrehungen pro Minute, danach 2 Minuten mit 5000 Umdrehungen pro Minute geschleudert. Anschließend wird der Wafer 10 Minuten bei 800C ausgeheizt, um noch vorhandenes Lösungsmittel zu entfernen.Processing: An oxidized silicon conductor washer was machined with 6 drops of the above-described photoresist coated and then horizontally on a centrifuge for 10 seconds at 2000 revolutions per minute, then 2 minutes spun at 5000 revolutions per minute. Then the wafer is 10 minutes baked at 800C to remove any remaining solvent.
Die Dicke der erhaltenen Photolackschicht betrug 0,8/u. Die Belichtung erfolgte mit einem Quecksilberhochdruckbrenner durch gebräuchliche Chrommasken. Danach werden die unbelichteten Bereiche der Photolackschicht durch Sprühen mit einem Gemisch aus Äthyl- und Butylacetat herausgelöst. Anschließend wird 10 Sekunden lang in Isopropanol zur Entfernung letzter unvernetzter Photolackspuren gebadet.The thickness of the photoresist layer obtained was 0.8 / u. The exposure took place with a high-pressure mercury burner through common chrome masks. Then the unexposed areas of the photoresist layer are sprayed with dissolved out a mixture of ethyl and butyl acetate. Then 10 seconds long bathed in isopropanol to remove the last, uncrosslinked traces of photoresist.
Die Ätzung erfolgt während 5 Minuten bei 30 0C durch Eintauchen in eine gepufferte Ätzlösung, die aus 7 Volumenteilen wässriger gesättigter Ammoniumfluoridlösung und 1 Volumenteil reiner Flußsäure (48 ~ige Lösung in Wasser) besteht.The etching takes place for 5 minutes at 30 ° C. by immersion in a buffered etching solution consisting of 7 parts by volume of aqueous saturated ammonium fluoride solution and 1 part by volume of pure hydrofluoric acid (48% solution in water).
Die Bildschärfe des geätzten Oxidmusters, die Kantenrauhigkeit und das erzielte Auflösungsvermögen waren ausgezeichnet. Es konnten ohne Schwierigkeiten sowohl Fenster als auch Stege in der Größenordnung von 11um wiedergegeben werden0 Es war weder eine Abhebung noch eine Zerstörung der Kopierlackschicht zu beobachten, Werden anstelle normaler Wafer aus eispiel 1 solche mit einer Phosphor-dotierten Oxidoberfläche miW der gleichen lichtempfindlichen Kopierschicht verarbeitet, so erhält man geätzte Oxidstrukturen von vergleichbarer Qualität0 Die Verarbeitung einer Beispiel 1 entsprechenden lichtempfindlichen Schicht, bei der das st-Methacrylßäureoxypropyl-triäthoxysilan durch eine äquivalente Menge an Methacrylsäureoxypropylester ersetzt ist, ergibt auf undotierten#Wafern schlechte Ergebnisse mit starker Unterätzung und rauhen Oxidkanten aufgrund unzureichender Haftung.The image sharpness of the etched oxide pattern, the edge roughness and the resolving power obtained was excellent. It could be done without any difficulty both windows and bars are reproduced in the order of 11 µm0 Neither a lifting nor a destruction of the copy lacquer layer could be observed, Instead of normal wafers from example 1, wafers doped with phosphorus are used Oxide surface processed with the same photosensitive copier layer, so one obtains etched oxide structures of comparable quality0 The processing a photosensitive layer corresponding to Example 1, in which the st-Methacrylßäureoxypropyl-triethoxysilan is replaced by an equivalent amount of methacrylic acid oxypropyl ester, results poor results on undoped wafers with severe undercutting and rough oxide edges due to insufficient liability.
Beispiel 2 Entsprechend Beispiel 1 wird eine Copolymerisat aus Methylmethacrylat, Butylacrylat, Methacrylsäureoxypropyl-m-toluylurethan und 3 Mol-% #-Methacrylsäureoxypropyl-triäthoxysilan hergestellt und verarbeitet.Example 2 According to Example 1, a copolymer of methyl methacrylate, Butyl acrylate, methacrylic acid oxypropyl-m-toluyl urethane and 3 mol% # -methacrylic acid oxypropyl triethoxysilane manufactured and processed.
Die Ergebnisse entsprechen denen aus Beispiel 1. Das Auf lösungsvermögen liegt bei ungefähr 2/u.The results correspond to those from Example 1. The resolving power is around 2 / u.
Ein entsprechender Photolack, bei dem die 3 Mol-% des triäthoxysilanhaltigen Monomeren durch Methacrylsäureoxypropylester ersetzt sind, hat auf Siliciumdioxidoberflächen eine schlechte Haftung. Bei der Ätzung kommt es zu einer vollständigen Abhebung der vernetzten Photolackschicht.A corresponding photoresist in which the 3 mol% of the triäthoxysilanhaltigen Monomers are replaced by methacrylic acid oxypropyl ester, has on silicon dioxide surfaces poor adhesion. When etched, there is a complete lift-off the cross-linked photoresist layer.
Beispiel 3 Herstellung und Verarbeitung einer Schicht entsprechend Beispiel 1 durch Copolymerisation von Äthylacrylat, Methylmethacrylat, Methacrylsäurehydroxypropylcinnamat und 5 Mol-% t-Methacrylsäureoxypropyltriäthoxysilan. Die Sensibilisierung muß in diesem Fall durch 2 Gew.-# Michlers Keton, bezogen auf das trockene filmbildende Polymere, erfolgen, Es werden gute Haftungen auf Oxidoberflächen erzielt.Example 3 Production and processing of a layer accordingly Example 1 by copolymerization of ethyl acrylate, methyl methacrylate, methacrylic acid hydroxypropyl cinnamate and 5 mol% of t-methacrylic acid oxypropyltriethoxysilane. The awareness must be in in this case by 2 wt .- # Michler's ketone, based on the dry film-forming Polymers, good adhesion is achieved on oxide surfaces.
Beispiel 4 Es wird eine Schicht entsprechend Beispiel 1 verarbeitet, die durch Umsetzung von 100 g eines teilweise cyclisierten eis-1,4-Polyisoprens (z.B. das Produkt CARIFLEX 305 der SHELL AG) mit 3 Gew.-% Dimethylchlorsilan erhalten. Die Sensibilisierung erfolgt mit 3 Gew.-% 4,4'-Diazidodibenzalcyclohexanon, bezogen auf das trockene filmbildende Polymere.Example 4 A layer according to Example 1 is processed, by reacting 100 g of a partially cyclized cis-1,4-polyisoprene (e.g. the product CARIFLEX 305 from SHELL AG) with 3% by weight of dimethylchlorosilane. The sensitization takes place with 3 wt .-% 4,4'-diazidodibenzalcyclohexanone, based on on the dry film-forming polymer.
Beispiel 5 Es wird ein lichtempfindliches Polymeres entsprechend Beispiel 1 verarbeitet, das durch Umsetzung von 25 g eines teilverseiften Polyvinylacetats (Verseifungsgrad 88 ,~) (z.B. das Produkt MOWIOL N 70/88 der Farbwerke Hoechst AG) mit 68,5 g m-Toluylsäurechlorid und 1,5 g der Verbindung der folgenden Formel dessen Herstellung in der deutschen Offenlegungsschrift 1 950 098 beschrieben ist, hergestellt wurde. Als Sensibilisator werden 3 Cew.-% 4,4'-Diazidodibenzalcyclohexanon, bezogen auf das trockene filmbildende Polymere, zugesetzt.Example 5 A photosensitive polymer is processed according to Example 1, which is obtained by reacting 25 g of a partially saponified polyvinyl acetate (degree of saponification 88 ~) (for example the product MOWIOL N 70/88 from Farbwerke Hoechst AG) with 68.5 g of m-toluic acid chloride and 1.5 g of the compound of the following formula the production of which is described in the German Offenlegungsschrift 1,950,098. 3% by weight of 4,4'-diazidodibenzalcyclohexanone, based on the dry film-forming polymer, are added as a sensitizer.
Es resultieren Schichten mit einer guten Haftung auf oxidischen Oberflächen.The result is layers with good adhesion to oxidic surfaces.
Beispiel 6 Es wird ein lichtempfindliches Polymeres durch Umsetzung von 25 g eines teilverseiften Polyvinylacetats mit 58,8 g m-Toluylisocyanat und 1,5 g des Triäthoxysilans von Beispiel 5 hergestellt0 Die Sensibilisierung erfolgt mit 3 Gew.-% 4,4'-Diazidobenzalcyclohexanon, bezogen auf das trockene filmbildende Polymere, Es resultieren Schichten mit einer guten Haftung auf oxidischen Oberflächen0 Beispiel 7 Es wird eine lichtvernetzbare Schicht durch Umsetzung von 25 g eines teilverseiften Polyvinylacetats gemäß Beispiel 5s 58,8 g m-Toluylisocyanat und 1,2 g einer Mischung eines isocyanatgruppenhaltigen Triäthoxysilans gemäß Beispiel 2 der deutschen Patentschrift 0 ... ... (P 21 38 943o5) hergestellt. Die Sensibilisie rung erfolgt durch Zusatz von 2 Gew.-% 4,4'-Diazidobenzalcyclohexanon, bezogen auf das trockene filmbildende Polymere0 Es werden Schichten mit guter Haftung auf Glas erhaltene Beispiel 8 Es wird ein lichtempfindliches Polymeres gemäß deutscher Patentschrift 1 063 802, Beispiel 1, verwendet, bei dem 2 % des p-Isocyanatozimtsäureäthylesters durch eine Mischung eines isocyanatgruppenhaltigen Triäthoxysilans gemäß Beispiel 2 der deutschen Patentschrift . ... ... P 21 38 94305) ersetzt sind.Example 6 It becomes a photosensitive polymer by reaction of 25 g of a partially saponified polyvinyl acetate with 58.8 g of m-toluyl isocyanate and 1.5 g of the triethoxysilane from Example 5 produced. Sensitization takes place with 3 wt .-% 4,4'-diazidobenzalcyclohexanone, based on the dry film-forming Polymers, the result is layers with good adhesion to oxidic surfaces0 Example 7 A light-crosslinkable layer is produced by reacting 25 g of a partially saponified polyvinyl acetate according to Example 5s 58.8 g of m-toluyl isocyanate and 1.2 g of a mixture of a triethoxysilane containing isocyanate groups according to Example 2 of the German patent specification 0 ... ... (P 21 38 943o5). The sensitization tion takes place by adding 2 wt .-% 4,4'-diazidobenzalcyclohexanone, based on the dry film-forming polymer0 It creates layers with good adhesion to glass Example 8 obtained A photosensitive polymer according to German patent specification is obtained 1 063 802, Example 1, used in which 2% of the ethyl p-isocyanatocinnamate by a mixture of an isocyanate group-containing triethoxysilane according to the example 2 of the German patent specification. ... ... P 21 38 94 305) have been replaced.
Es resultieren Schichten mit einer stark verbesserten Haftung auf oxidischen Oberflächen, Beispiel 9 Es wird eine lichtempfindliche Schicht nach US- Patentschrift 2 725 372, Beispiel 1, verwendet mit einem geringen Unterschuß an Zimtsäurechlorid und nachträglicher Umsetzung des erhaltenen Polyvinylcinnamats mit freien OH-Gruppen mit t einer Mischung eines isocyanatgruppenhaltigen Triäthoxysilans gemäß Beispiel 2 der deutschen Patentschrift . ... ... (P 21 38 943.5).The result is layers with greatly improved adhesion oxidic surfaces, Example 9 A photosensitive layer according to US Patent specification 2,725,372, example 1, used with a slight deficiency Cinnamic acid chloride and subsequent conversion of the polyvinyl cinnamate obtained with free OH groups with a mixture of a triethoxysilane containing isocyanate groups according to example 2 of the German patent specification. ... ... (P 21 38 943.5).
Die Sensibilisierung erfolgt durch Zugabe von 3 Gew.-% Michlers Keton, bezogen auf das trockene filmbildende Polymere.Sensitization takes place by adding 3% by weight Michler's ketone, based on the dry film-forming polymer.
Es resultieren Schichten mit guter Haftung auf oxidischen Oberflächen.The result is layers with good adhesion to oxidic surfaces.
Beispiel 10 Herstellung einer lichtempfindlichen Schicht, bestehend aus 20 Gew.-% eines 1,2-Naphthochinon-5-sulfonsäureesters und 80 Gew.-# eines Phenolformaldehydharzes mit freien OH-Gruppen, die mit einer Mischung eines isocyanatgruppenhaltigen Triäthoxysilans gemäß Beispiel 2 der deutschen Patentschrift . ... ...Example 10 Preparation of a photosensitive layer, consisting of of 20% by weight of a 1,2-naphthoquinone-5-sulfonic acid ester and 80% by weight of a phenol-formaldehyde resin with free OH groups, with a mixture of a isocyanate group-containing triethoxysilane according to example 2 of the German patent specification. ... ...
(P 21 38 943.#) umgesetzt wurden.(P 21 38 943. #) were implemented.
Es resultieren positiv arbeitende Schichten m' einer verbesserten Haftung auf oxidischen Oberflächen.Positive working layers result in an improved one Adhesion to oxidic surfaces.
Beispiel 11 Es wird ein lichtempfindliches Polymeres durch Umsetzung eines auf bekannte @ ise erhalt;enen Reaktionsproduktes aus Hexantriol und einem t2*rscFuß on Toluylendiisocyanat mit 15,4 % freien Isocyanatgruppen mit p-Oxybenzalacetophenon und 4 Gew.-% der Verbindung (C2H5O)3#iCH2##(#?H2)2MI2 die in der US-Patentschrift 2 971 864 beschrieben ist, hergestellt, Die sensibilisierung erfolgt durch Zusatz von 2 Gew.-% Michlers Keton, bezogen auf dos trockene filmbildende Polymere.Example 11 It becomes a photosensitive polymer by reaction a reaction product obtained from hexanetriol and a t2 * rscFuß on toluene diisocyanate with 15.4% free isocyanate groups with p-oxybenzalacetophenone and 4% by weight of the compound (C2H5O) 3 # iCH2 ## (#? H2) 2MI2 that in the US patent 2 971 864 is described, the sensitization takes place by addition of 2 wt .-% Michler's ketone, based on the dry film-forming polymers.
Es resultieren Schichten mit guter Haftung auf oxidischen Oberflächen.The result is layers with good adhesion to oxidic surfaces.
Claims (7)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE19722217744 DE2217744A1 (en) | 1972-04-13 | 1972-04-13 | Photoresist material - with reactive side chains contg silicon on polymer chain, adhering well to oxides |
Applications Claiming Priority (1)
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| DE19722217744 DE2217744A1 (en) | 1972-04-13 | 1972-04-13 | Photoresist material - with reactive side chains contg silicon on polymer chain, adhering well to oxides |
Publications (1)
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Family
ID=5841795
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1972
- 1972-04-13 DE DE19722217744 patent/DE2217744A1/en active Pending
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