DE2211258A1

DE2211258A1 - Ladder arrangement for propagation in magnetic bubble systems

Info

Publication number: DE2211258A1
Application number: DE19722211258
Authority: DE
Inventors: John Murry Newport Beach Cahf Owens (V St A) P
Original assignee: North American Rockwell Corp
Current assignee: Boeing North American Inc
Priority date: 1971-03-12
Filing date: 1972-03-09
Publication date: 1972-09-21
Also published as: DE2211258B2; FR2128863B1; GB1367130A; FR2128863A1; NL7202797A; JPS517973B1

Description

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NORTH AMERICAN ROCKViELL CORPORATION ·NORTH AMERICAN ROCKViELL CORPORATION

Leiteranordnung für Fortpflanzung in Magnetblasenbereich-Systemen. Conductor arrangement for propagation in magnetic bubble domain systems.

Die Erfindung bezieht sich auf Magnetblasenbereichsysteme, und mehr im einzelnen auf eine Leiteranordnung für die Fortpflanzung von einwandigen Gebieten in einem Streifen oder einem Kanal eines Blasenbereichmaterials«The invention relates to magnetic bubble area systems, and more specifically to a ladder arrangement for propagation of single-walled areas in a strip or channel of bladder area material "

Magnetblasenbereiche und deren Fortpflanzung in Schichten eines Magnetinediums sind bekannt und in den US-Patenten Nr. 3,5o3,o54; Nr. 3,5o6,975; Nr. 3,541,535; Nr. 3,543,252; Nr. 3,54 3,255 und anderen'beschrieben. Im allgemeinen verwenden die in diesen Patenten beschriebenen Systeme eine komplizierte Metallanordnung, um die Stellung der Blasen wie auch ihre Bewegung in einer Schicht eines Magnotblasenbereichmaterials zu steuern. Diese Systeme versuchen, die abstoßenden Kräfte oder die untereinander wirkenden Kräfte zwischen den einzelnen Blasen möglichst klein zu machen, indem die einzelnen Blasen voneinander mittels eines Abstandes getrennt werden, der ungefähr ein Drei-- oder Mehrfaches des Blasendurchmessers beträgt. Dieses Verfahren streben an, möglichst gegenseitige. Kräfte zwischen den Blasen im wesentlichen auszuschalten oder so klein wie möglich uu machen.Magnetic bubble regions and their propagation in layers of magnetic media are known and disclosed in US patents No. 3,5o3, o54; No. 3,5o6,975; No. 3,541,535; No. 3,543,252; No. 3,54 3,255 and others'. Generally use the systems described in these patents use intricate metal arrangements to control the position of the bubbles as well as their movement in a layer of magnot vesicle region material. These systems try to repel the forces or To make the forces acting among each other between the individual bubbles as small as possible by separating the individual bubbles from each other be separated by a distance that is approximately three or more times the diameter of the bubble. This method strive to be as mutual as possible. Forces between the bubbles essentially eliminate or as small as possible u do.

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Es kann auch ein vollständig anderes Konzept bei einem Magnetblasenbereichsystem verwendet werden, indem ein oder mehrere Kanäle oder Streifen eines magnetischen Blasenbereichmaterials auf einem stützenden Substrat verwendet v/erden. Jede Zahl von einzelnen magnetischen Blasenbereichkanälen kann miteinander verbunden oder mit einem Hauptkanal verbunden werden. Die Bewegung von Blasenbereichen entlang einem Kanal oder Streifen wird durch abstoßende oder Reaktionskräfte zwischen Blasenboreichen bewirkt, die in einem Kanal vorhanden sind, wenn ein Blasenbereich gebildet oder in die Nähe eines anderen Blasenbereiches geschoben wird. Die Bewegung von Blasen von einem gegebenen Kanal in einen von zahlreichen möglichen angrenzenden Kanälen zur Bildung einer logischen Funktion kann durch die Anwesenheit oder Abwesenheit von Blasen in einen oder mehreren verbindenden Kanälen gesteuert werden.A completely different concept can also be used in a magnetic bubble region system by utilizing one or more channels or strips of magnetic bubble region material on a supporting substrate. Any number of individual magnetic bladder region channels can be interconnected or connected to a main channel. The movement of bladder areas along a channel or strip is caused by repulsive or reactive forces between bladder areas present in a channel when one bladder area is formed or pushed into the vicinity of another bladder area. The movement of bubbles from a given channel into one of numerous possible adjacent channels to form a logic function can be controlled by the presence or absence of bubbles in one or more connecting channels.

Ein anderes Verfahren steuert die Anwesenheit von Blasenbereichen in der Nähe der Kante eines magnetischen Films bei einer Filmsubstratstruktur. Der magnetische Film ist geätzt, um eine glatte, wohldefinierte Kcinte zu bilden. Die neugebildete Kante des Films stößt den Blasenbereich von sich ab und bewirkt damit, daß der Blasenbereich im wesentlichen im Zentrum des Streifens des Films oder im Zentrum der Filmscheibo verbleibt.Another method controls the presence of bubble areas near the edge of a magnetic film in a Film substrate structure. The magnetic film is etched to form a smooth, well-defined section. The newly formed edge of the film repels the blister area from itself, causing the blister area to be substantially in the center of the stripe of the film or remains in the center of the film disk.

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Es kann auch ein magnetisches Blasenbereichsystem für Blasenboreiche benutzt v/erden, die in bestimmten Gleichgewichtsstellungen in einem Streifen oder Kanal eines Magnetblasenbereichmaterialfilms angeordnet sind, der mit einem stützenden Substxat verbunden ist. Der Streifen besitzt mindestens einen begrenzten Teil, der die Stellung eines Blasenbereiches in einem nichtbeschränkten Streifenteil bestimmt, der damit verbunden ist. Die Lage oder Stellung des Blasenbereiches in einem Streifen eines Blasenbereichfilms wird von dem geeigneten Abstand des begrenzenden Streifenteiles bestimmt.There can also be a magnetic bladder area system for bladder areas uses grounds that are in certain equilibrium positions in a strip or channel of a magnetic bubble region material film are arranged, which is connected to a supporting substxat. The strip has at least one limited one Part that determines the location of a bladder area in an unconstrained strip part that is connected to it. the Location of the bubble area in a strip of bubble area film is determined by the appropriate spacing of the bounding one Part of the strip determined.

Es ist ein Ziel dieser Erfindung, ein verbessertes Blasenbereichsystern zu schaffen. ·It is an object of this invention to provide an improved bladder area system to accomplish. ·

Es ist ein anderes Ziel dieser Erfindung, ein Fortpflanzungssystem für ein Blasenbereichsystem zu schaffen.It is another object of this invention to be a reproductive system for creating a bladder area system.

Es ist ein noch anderes Ziel der Erfindung, eine Leiteranordnung zu schaffen, die für die Fortpflanzung eines Bereiches mit einer einzigen Wand einem Streifen eines Blasenbereichitiaterials zu schaffen.It is yet another object of the invention to provide a circuit arrangement to provide a Blasenbereichitiaterials for reproduction of an area with a single wall of a strip.

Es ist ein noch anderes Ziel dieser Erfindung, die totale Abhängigkeit von Hetallmuiitern zur Steuerung der Stellung und Bewegung der Blasenbereiche zu vermeiden.It is yet another object of this invention, total dependence from metal mills to control the position and movement avoid the blistering areas.

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Diese und andere Ziele der vorliegenden Erfindung werden in einem Magnetblasenbereichsystem verwirklicht, indem ein Streifen oder ein Kanal eines Films aus Blasenbereichmaterial mit mindestens einem beschränkten Teil und mit mindestens einein nichtbeschränkten Teil gebildet wird, vorzugsweise angeordnet auf einem Substrat. Eine Leiteranordnung ist auf der Oberseite des Films angeordnet. Die Blasenbereiche werden von den Kanten des Streifens abgestoßen und erreichen eine Gleichgewichtslage innerhalb des unbeschränkten Teils. Durch geeignete Anwendung eines Feldgradienten, der von einem durch die Leiteranordnung fließenden Strom erzeugt wird, kann der Blasenbereich von einem nichtbegrenzten Teil durch den begrenzten Teil in einen zweiten nichtbegrenzten Teil des Streifens verschoben werden.These and other objects of the present invention are accomplished in a magnetic bubble area system by using a strip or a channel of a film of bubble region material with at least a restricted part and with at least one unrestricted Part is formed, preferably arranged on a substrate. A conductor array is on top of the film arranged. The blister areas are repelled from the edges of the strip and reach an equilibrium position within of the unlimited part. By suitably applying a field gradient from a flowing through the conductor arrangement Electricity is generated, the bubble area can move from one non-limited part through the limited part into a second unlimited part of the strip.

Die Leiteranordnung für die Fortpflanzung eines einwändigen Bereiches in einem Magnetblasenbereichsystem kann aus einem länglichen Leiter auf einem beschränkten Teil eines Streifens eines Films aus magnetischem Blasenbereichmaterial bestehen oder aus einem Paar von länglichen Leitern, die entlang und außerhalb der äußeren Kanten des nichtbeschränkten Teils des Streifens oder Kanals angeordnet sind. Diese zwei länglichen Leiter sind mittels Leitern miteinander verbunden, die auf der Oberseite des beschränkten Teilis des Streifens oder Kanals angeordnet sind.The ladder arrangement for the propagation of a single-walled area in a magnetic bubble domain system, an elongated conductor on a restricted portion of a strip may be one Films consist of magnetic bubble region material or a pair of elongated conductors running along and outside the outer edges of the unconstrained portion of the strip or channel. These two elongated conductors are interconnected by conductors placed on top of the restricted part of the strip or channel.

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Weitere Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der beiliegenden Darstellung eines Ausführungsbeispiels sowie aus"der folgenden Beschreibung. Further advantages and possible applications of the invention result from the accompanying illustration of an exemplary embodiment and from "the following description.

Es zeigttIt shows

Fig. 1 eine teilweise geschnittene Ansicht einer Leiteranordnung in Übereinstimmung mit der Erfindung;Fig. 1 is a partially sectioned view of a ladder assembly in accordance with the invention;

Fig. 2 eine teilweise geschnittene Ansicht einer anderen Ausführungsform der Erfindung.Fig. 2 is a partially sectioned view of another embodiment of the invention.

Im allgemeinen betrifft die Erfindung eine Leiteranordnung auf einem Streifen oder Kanal aus Blasenbereichmaterial, der eine Reihe von nichtbeschränkten Teilen besitzt, die mittels beschränkter Teile voneinander getrennt werden. Die Leiteranordnung ist auf der Oberseite des beschränkten Teils angeordnet, vorzugsweise angrenzend zu einer Seite des Zentrums des beschränkten Teils. Sie kann auch aus einem Paar von länglichen Leitern bestehen, die entlang und außerhalb der äußeren Kanten des nichtbeschränkten Teils des Streifens oder Kanals angeordnet sind. Diese zwei länglichen Leiter sind mittels Leiter miteinander verbunden, die auf der Oberseite des beschränkten Streifens oder Kanalteils angeordnet sind, vorzugsweise angrenzend zu einer Seite seines Zentrums.In general, the invention relates to a conductor arrangement on a strip or channel of bladder region material comprising a Has a series of unconstrained parts that are separated from one another by means of constrained parts. The ladder arrangement is located on top of the constrained part, preferably adjacent to one side of the center of the constrained Part. It can also consist of a pair of elongated conductors running along and outside the outer edges of the unconstrained part of the strip or channel. These two elongated conductors are interconnected by means of conductors connected, which are located on top of the restricted strip or channel portion, preferably adjacent to one side of its center.

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Wie in den Figuren zu erkennen ist, wird ein monokristallines Substrat Io einem chemischen Dampfablagerung.sverfahren ausgesetzt, um einen dünnen Film eines magnetischen Blasenbereichmaterials abzulagern, das nachfolgend geätzt wird, um einen
Streifen oder Kanal 12 zu schaffen. Der Verfahrensschritt des Ablagerns wird in Übereinstimmung rait der US-Patentanmeldung
Nr. 833,368 ausgeführt.As can be seen in the figures, a monocrystalline substrate Io is subjected to a chemical vapor deposition process to deposit a thin film of magnetic bubble region material which is subsequently etched to form a
To create strips or channel 12. The step of depositing is carried out in accordance with the US patent application
No. 833,368.

Das Substrat Iq, ist vorzugsweise ein monokristalliner Granat wit eine J^Qj-O.--Zusammensetzung, wobei der Bestandteil J der Plattenzusammensetzung bestehen kann aus mindestens einem der folgenden Elemente: Carium, Praseodymium, Neodymium, Promethium, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium, Lutetium, Lanthan, Yttrium, Calcium und Wismut; der Q-Bestandteil der Plattenzusamiaensetzung besteht mindestens aus einem Element der folgenden Gruppe: Indium, Gallium, Scandium, Titan, Vanadium, Chrom, Mangan, Rhodium,
Zirkon, Hafnium, Niob, Tantal, Aluminium, Phosphor, Arsen und Antimon»The substrate Iq is preferably a monocrystalline garnet wit a J ^ Qj-O - composition, where the component J of the plate composition can consist of at least one of the following elements: carium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, Terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, lanthanum, yttrium, calcium and bismuth; the Q component of the plate composition consists of at least one element from the following group: indium, gallium, scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, rhodium,
Zircon, hafnium, niobium, tantalum, aluminum, phosphorus, arsenic and antimony »

Beispiele für geeignete Substratmaterialien sind:
^YO,45' ^Gd2,55< ^Ga5°12' ^D^0,65^Gd2,35^Ga5°12 ^und Examples of suitable substrate materials are:
^Y 0.45 ' ^Gd 2.55 < ^Ga 5 ° 12' ^D ^ 0.65 ^Gd 2.35 ^Ga 5 ° 12 ^and

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·— 7 —- 7 -

Der Filmstreifen oder Kanal 12 aus Blasenbereichmaterial ist
vorzugsweise ein Einkristall-Granat mit einer J-Qj-O,₂-Zusammensetzung, worin der J-Bestandteil der Filmzusammerisetzung mindestens aus einem der folgenden Elemente besteht: Cerium, Praseodymium, Neodymium, Promethium, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium, Lutetium, Lanthan und Yttrium; der Q-Bestandteil der Filmzusammensetzung wird aus der Gruppe genommen, die aus Eisen, Eisen und Aluminium, Eisen und Gallium, Eisen und Indium, Eisen und Scandium, Eisen und Titan, Eisen und Vanadium, Eisen und Chrom,
Eisen und Mangan besteht.The filmstrip or channel 12 is of bladder area material
preferably a single crystal garnet with a J-Qj-O, ₂ composition, wherein the J component of the film composition consists of at least one of the following elements: cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, Holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, lanthanum, and yttrium; the Q component of the film composition is taken from the group consisting of iron, iron and aluminum, iron and gallium, iron and indium, iron and scandium, iron and titanium, iron and vanadium, iron and chromium,
Consists of iron and manganese.

Vorzugsweise Filmmaterialien sind Eisen-Granate, wie z.B.:
^Y3^Gal,2^Fe3,8°12 ^{Und Tb}3^Fe5°12-Preferably film materials are iron grenades, such as:
^Y 3 ^Ga l, 2 ^Fe 3,8 ° 12 ^{And Tb} 3 ^Fe 5 ° 12-

Die zusammengesetzte Eisen-Granat-Filmsubstratstruktur besitzt einen Film mit einer gegebenen magnetostruktiven Konstanten
und einer gegebenen Differenz zwischen den Gitterkonstanten
des Films und des Substrats.The composite iron-garnet film substrate structure has a film with a given magnetostructural constant
and a given difference between the lattice constants
of the film and the substrate.

Während Granate die vorzugsweisen Materialien für den dünnen
Substratfilm sind, können auch anderen Oxydmaterialien für das Substrat verwendet werden, insbesondere, wenn der Film aus
einem Orthoferritmaterial gebildet wird.While grenades are the preferred materials for the thin
Substrate film, other oxide materials can also be used for the substrate, especially if the film is made of
an orthoferrite material is formed.

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Der Streifen oder Kanal 12 kann vorzugsweise mit Hilfe eines Ätzvorganges gebildet werden/ indem in der Halbleiterindustrie bekannte photolithographische Ätzverfahren und ein Ätzmittel, wie z.B. heiße Phosphorsäure, verwendet werden, um die kanten 14 und 15 des beschränkten Teils 16, wie auch die Kanten 18 und 19 des nichtbeschränkten Teils zu bilden. Während chemische Ätzverfahren eine vorzuziehende Art sind, den Kanal oder Streifen 12 zu bilden, können auch andere Verfahren verwendet werden, wie z.B. Sprühätzen, Laserbearbeitung und dergleichen.The strip or channel 12 can preferably be made with the aid of a The etching process / by photolithographic etching processes known in the semiconductor industry and an etchant, such as hot phosphoric acid, can be used to treat edges 14 and 15 of constrained portion 16, as well as edges 18 and 19 of the unrestricted part. While chemical etching processes are a preferable type, the channel or strip 12, other methods such as spray etching, laser machining, and the like can also be used.

Während der Filmstreifen aus Magnetblasenbereichmaterial als ein Film beschrieben wurde, der auf der Oberseite eines Substrats abgelagert wurde, wie es in den Figuren gezeigt ist, kann auch der Streifen aus Magnetblasenmaterial in einer Einsenkung in der Oberfläche des Substrates angeordnet werden, oder der Streifen aus Blasenbereichmaterial kann von einem Material umgeben werden, das unterschiedliche magnetische Eigenschaften besitzt.While the film strip of magnetic bubble area material as a Film deposited on top of a substrate as shown in the figures can also the strip of magnetic bubble material is placed in a depression in the surface of the substrate, or the strip of bubble region material can be surrounded by a material that has different magnetic properties.

Eine andere Ausführungsform des Kanals 12 würde gleichartig zu dem sein, wie er in den Figuren gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß die Seiten des Kanals vollständig durch die Filmdicke bis zur Substratoberfläche weggeätzt sind. Der Kanal wird in diesem Falle durch Nuten gebildet, die in dem Film geätzt sind, worin die geätzten Nuten sich in dem Film über eine Dicke von ungefährAnother embodiment of the channel 12 would be similar to that as shown in the figures, except that the sides of the channel are completely etched away by the film thickness to the substrate surface. The channel in this case is formed by grooves which are etched in the film, wherein the etched grooves extend in the film over a thickness of approximately

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lo% bis ungefähr 95% der Gesamtdicke des Films hineinerstrecken.Extend in from about 10% to about 95% of the total thickness of the film.

Gemäß Fig. 1 ist eine Leiterauflage 3o auf der Oberseite des Substrates Io und des Streifens 12 in der Form von im wesentlichen parallelen Leiterstreifen 32 bzw. 34 abgelagert, überlagernde Streifen 32 und 34 werden mit Lederstreifen 36 verbunden. Die Leiterstreifen 36 sind auf der Oberseite des beschränkten Teils 16 angeordnet, vorzugsweise gerade außerhalb des Zentrums 38 des beschränkten Teils 16. Die Leiterauflagen 32, 34 und 36 können aus jedem geeigneten leitenden Metall, wie z.B. Kupfer, Silber, Gold, Aluminium und dergleichen, gebildet werden. Die Leiterauflagen werden auf der Filmsubstratstruktur mittels herkömmlicher bekannter Verfahren abgelagert.According to FIG. 1, a conductor support 3o is on the top of the Substrates Io and the strip 12 in the form of substantially parallel conductor strips 32 and 34 are deposited, overlapping strips 32 and 34 are connected with leather strips 36. The conductor strips 36 are located on top of the constrained portion 16, preferably just off center 38 of constrained portion 16. Conductor pads 32, 34 and 36 can be made of any suitable conductive metal such as copper, Silver, gold, aluminum and the like. The conductor pads are on the film substrate structure by means of conventional known method deposited.

Gemäß Fig. 2 ist ein länglicher Leiter 3o auf der Oberseite des Substrates Io und des Streifens 12 in der Form einer schleifenförmigen Geometrie angeordnet. Der längliche Leiter kann wiederum durch jedes geeignete leitende Metall gebildet werden, wie z.B. Kupfer, Silber, Gold, Aluminium und dergleichen. Der Leiter 3o ist auf der Filmsubstratstruktur mittels herkömmlicher bekannter Verfahren abgelagert. Der Leiter 3o ist vorzugsweise gerade außerhalb des Zentrums 32 des beschränkten·Teils 16 abgelagert.Referring to Fig. 2, an elongated conductor 3o is on top of the substrate Io and the strip 12 in the form of a loop Geometry arranged. The elongated conductor can in turn be formed by any suitable conductive metal, such as copper, silver, gold, aluminum and the like. The conductor 3o is on the film substrate structure by conventional means known method deposited. The conductor 3o is preferably just outside the center 32 of the restricted part 16 deposited.

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- Io -- Io -

Die Blasenbereiche 22 werden von den Kanten 14, 15, 18 und 19 des Filmstreifens 12 abgestoßen und erzeugen damit wirksam eine Gleichgewichtsstellung für den Blasenbereich 22 im Zentmin des nichtbeschränkten Teils 2o. Indem ein Strom durchi den länglichen Leiter 3o hindurchgeschickt wird, wird ein Feldgradient in dem Kanal 12 gebildet, der einen stärkeren Feldgradienten in der Nähe des Zentrums des beschränkten Teiles 16 und einem verhältnismäßig schwachen Feldgradienten in der Nähe des Zentrums des nichtbeschränkten Teiles 2o besitzt. Die Erzeugung eines Feldgradienten in dem Kanal 12 bringt die Blase 22 dazu, von dem Zentrum des nichtbegrenzten Teiles 2o durch den begrenzten Teil 16 in den angrenzenden nichtbegrenzten Teil 2o auf der anderen Seite des Leiters 3o zu bewegen. Die Richtung, in der die Blasen sich bewegen, wird von der Richtung bestimmt, mit der der Stromleiter 3o aus dem Zentrum der Einengung 32 verschoben ist. Wenn er nach rechts verschoben ist, wird eine Fortpflanzung nach links auftreten und umgekehrt. Eine Fortpflanzung entlang dem Streifen nach unten wird erreicht, indem ein Wechselstrom dem Leiter 3o angelegt wird. Der von einem Leiter 3o erzeugte Feldgradient überwindet die abstoßenden Effekte, die die Kanten des Kanals 12 bei der Erzeugung einer Gleichgewichtsstellung für den Blaaenbereich in dem nichtbeschränkten Teil haben.The bladder areas 22 are defined by the edges 14, 15, 18 and 19 of the film strip 12 repelled and thus effectively create a position of equilibrium for the bubble area 22 in the Centmin of the unrestricted part 2o. By running a stream through the elongated Conductor 3o is passed through, a field gradient is formed in the channel 12, which has a stronger field gradient near the center of the restricted part 16 and a relatively weak field gradient near the center of the unrestricted part 2o owns. The creation of a field gradient in the channel 12 causes the bladder 22 to from the center of the non-limited part 2o through the limited Part 16 to move into the adjacent unlimited part 2o on the other side of the conductor 3o. The direction, in which the bubbles move is determined by the direction in which the conductor 3o leaves the center of the constriction 32 is shifted. If it is shifted to the right, there will be propagation to the left and vice versa. A reproduction Down the strip is accomplished by applying an alternating current to conductor 3o. The one from one Conductor 3o generated field gradient overcomes the repulsive effects, which the edges of the channel 12 in creating an equilibrium position for the void area in the unconstrained Have part.

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Die mit Hilfe der erfindungsgemäßen Leiteranordnung bewirkte Fortpflanzung schafft eine Blasenbereichdichte von mindestens einem Blasenbereich in jedem gewünschten (Fig. 1) oder .in jedem zweiten (Fig. 2) nichtbeschränkten Teil. Daher befindet sich in Fig. 1 ein Blasenbereich 22 in einem ersten nichtbegrenzten Teil des Kanals 12, in dem zweiten und in dem vierten nichtbegrenzten Teil/ während in Fig. 2 ein Blasenbereich 22 irn ersten und dritten nichtbegrenzten Teil des Kanals 12 auftreten, im zweiten aber keine Blasen vorhanden sind.The propagation effected with the aid of the conductor arrangement according to the invention creates a bubble area density of at least a bubble area in any desired (Fig. 1) or in every other (Fig. 2) unconstrained part. Hence it is located 1 shows a bladder region 22 in a first non-delimited part of the channel 12, in the second and in the fourth non-delimited part / while in FIG. 2 a bubble region 22 occurs in the first and third non-delimited part of the channel 12, but there are no bubbles in the second.

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Claims

- 12 claims

1.} Magnetic bubble area system, featured by putting together a substrate, a strip of film of magnetic bubble region material, connected to the substrate, the strip having at least two non-confined parts and at least one limited part, entry devices to create a single walled area in the strip and propagation devices for controllably moving the area in the strip from a non-limited part the limited part to the second non-limited part.

2. Invention according to claim 1, characterized in that the propagation devices consist of consist of an elongated conductor arranged on the restricted part.

3. Invention according to claim 2, characterized in that that the elongate conductor is arranged on one side of the center of the restricted part.

4. Invention according to claim 2, characterized in that that the elongated conductor is disposed on a plurality of different restricted areas is.

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5. Invention according to claim 2, d a d u r c h g e k e η nzeich, that the elongated conductor is spaced from the non-limited part.

6. Invention according to claim 1, characterized in that that the transport devices consist of a pair of interconnected ladders, which are connected to the strip to divide the area in the strip from the one non-restricted part through the to move the restricted part to the second unrestricted part in a controllable manner.

7. Invention according to claim 6, characterized in that that the conductors along and outside the outer edges of the unconstrained part in a non-contacting manner Relationship to it are arranged.

8. Invention according to claim 6, characterized in that that the conductors are interconnected by conductor parts arranged on the restricted part are.

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9. Invention according to claim 2, characterized Make sure that the ladder parts are located on one side of the center of the restricted part,

Io. Magnetic bubble area system, featured by joining a substrate to a strip of film of magnetic bubble region material, connected to the substrate, the strip having at least two non-confined parts and at least one limited part contains a pair of interconnected ladders running along and outside the outer edges of the unconstrained part are arranged in a non-touching relationship therewith and ladder parts that make up the pair of conductors interconnecting with each other, the conductor parts being arranged on one side of the center of the restricted part are.

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