DE2204272C3

DE2204272C3 - Device for programming a binary semi-fixed value memory

Info

Publication number: DE2204272C3
Application number: DE19722204272
Authority: DE
Inventors: Rudolf 8130 Starnberg Ramstetter
Original assignee: Itt Regelungstechnik Gmbh & Co Ohg, 4300 Essen
Filing date: 1972-01-29
Publication date: 1977-07-28

Description

3535

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Programmieren eines binären matrixförmigen Halbfestwertspeichers, dessen Speicherzellen durch Spannungsimpulse aktivierbar und durch Lichteinwirkung löschbar sind.The invention relates to a device for programming a binary matrix-shaped semi-fixed value memory, its memory cells can be activated by voltage pulses and erased by exposure to light are.

Eine bekannte Einrichtung zum Programmieren der obengenannten Halbfestwertspeicher ist in der Zeitschrift »Elektronik-Entwicklung«, Dezember 1971, Seiten 14 und 15 beschrieben. Sie besitzt für die Aktivierung der Speicherzellen für jede Zelle eine X-undeine V-Leitung.A known device for programming the above-mentioned semi-fixed value memory is described in the magazine "Elektronik-Entwicklung", December 1971, pages 14 and 15. It has an X line and a V line for each cell to activate the memory cells.

Durch selektives aufeinanderfolgendes Ansteuern der X- und y-Leitungen werden die Speicherzellen entsprechend dem zu programmierenden Arbeitsprogramm auf logisch »Null« gebracht, d. h. aktiviert oder im nicht aktivierten Zustand, der logisch »L« entspricht, belassen.By selectively controlling the X and Y lines one after the other, the memory cells are brought to logic "zero" in accordance with the work program to be programmed, ie activated or left in the non-activated state, which corresponds to logic "L".

Da bei der bekannten Einrichtung die Speicherzellen entsprechend dem Arbeitsprogramm jeweils einzeln nacheinander nach dem X- K-Koordinaten-System angesteuert werden müssen, ist eine komplizierte elektronische Einrichtung erforderlich. Gleichgültig, ob diese. Einrichtung hand- oder lochstreifengesteuert ist, in jedem Fall ist der Programmiervorgang aufwendig und &> zeitraubend.Since, in the known device, the memory cells have to be controlled individually one after the other in accordance with the work program according to the X- K coordinate system, a complicated electronic device is required. It does not matter whether this. Setup is controlled by hand or punched strips, in any case the programming process is complex and &> time-consuming.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zum schnelleren Programmieren des angegebenen Halbfestwertspeichers anzugeben.The invention is based on the object of providing a device for faster programming of the specified semi-fixed value memory.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß elektrische Brücken in den X- und V-Leitungen vorgesehen sind, über die zuerst alle Speicherzellen des Speichers gleichzeitig aktiviert werden, und daß anschließend der Speicher von einer Lichtquelle über mindestens eine Blende, die den Lichtzutritt zu den nicht zu markierenden Speicherzellen gleichzeitig ermöglicht, und eine Optik bestrahlt wird, derart, daß das gewünschte Programm im Speicher verbleibt.The object is achieved according to the invention in that electrical bridges are provided in the X and V lines, via which all memory cells of the memory are activated at the same time, and then the memory is powered by a light source via at least one panel that allows light to enter memory cells not to be marked simultaneously, and an optical system is irradiated in such a way that the desired program remains in the memory.

Es wird erwähnt, daß aus der DT-AS 12 93 853 ein photographisches Aufzeichnungsverfahren zur Herstellung von Positiven bekannt ist, bei dem ein lichtempfindlicher Aufzeichnungsträger mit einer Halbleiteroberfläche zuerst gleichmäßig durch Überfluten mit aktivierenden Strahlen angeregt wird. Danach werden einzelne Flächenteile selektiv mit entaktivierenden Strahlen entaktiviert und anschließend erfolgt die Entwicklung. Bei diesem Verfahren ist eine Beeinflussung der halbleitenden Schicht durch elektrische Signale nicht vorgesehen und nicht möglich. Außerdem handelt es sich um einen nichtreversiblen Vorgang.It is mentioned that from DT-AS 12 93 853 a photographic recording process for production is known from positives, in which a photosensitive recording medium with a semiconductor surface first excited evenly by flooding with activating rays. After that, individual Surface parts are selectively deactivated with deactivating rays and then the development takes place. With this method, the semiconducting layer is not influenced by electrical signals provided and not possible. It is also a non-reversible process.

Bei der neuen Einrichtung entfällt das zeitraubende und aufwendige selektive Ansteuern der einzelnen Speicherzellen nach ihren X- und ^-Koordinaten. Es wird das bekannte aufeinanderfolgende selektive Programmieren durch ein gleichzeitiges selektives Löschen ersetzt.With the new device, the time-consuming and expensive selective control of the individual memory cells according to their X and ^ coordinates is no longer necessary. The known successive selective programming is replaced by simultaneous selective erasing.

Die Verwendung eines oder mehrerer gesonderter Datenträger als Blende, z. B. herkömmliche Lochkarten bzw. Lochstreifen bei der Einrichtung ermöglicht eine weitere Vereinfachung gegenüber der bekannten lochstreifengesteuerten Programmiereinrichtung, da der Datenträger beim Löschen unmittelbar, d. h. ohne mechanisch-elektronische Umsetzung verwendet wird.The use of one or more separate data carriers as a cover, e.g. B. conventional punch cards or punched tape in the device allows a further simplification compared to the known punched strip-controlled programming device, since the data carrier is immediately deleted when it is erased, i. H. without mechanical-electronic conversion is used.

Als Blenden eignen sich neben den bekannten Lochkarten und Lochstreifen beispielsweise auch transparente Datenträger, auf denen das Programm ein- oder mehrfarbig aufgedruckt ist. Ganz allgemein kommen strahlungsdurchlässige Platten mit dem Programm entsprechenden strahlungsundurchlässigen Abdeckungen in Frage.In addition to the known punched cards and punched strips, for example, panels are also suitable transparent data carriers on which the program is printed in one or more colors. Generally Radiolucent panels come with opaque covers that match the range in question.

Die erfindungsgemäße Einrichtung eignet sich besonders vorteilhaft zum Programmieren eines an sich bekannten elektronisch nach X- und V-Koordinaten programmierbaren Halbfestwertspeichers mit durch Bestrahlung mit UV-Licht löschbarem Speicherinhalt. Der Datenträger, z. B. in Form der Lochkarte, der in diesem Fall das Programm für das selektive Löschen, d. h. also das negative Arbeitsprogramm enthält, kann dabei direkt zur Steuerung des Strahlengangs des UV-Lichts eingesetzt werden. An Stelle des UV-Lichts ist die Verwendung von Strahlen anderer Wellenlänge denkbar.The device according to the invention is particularly advantageously suitable for programming a semi-fixed value memory which is known per se and which can be electronically programmed according to X and V coordinates and has a memory content that can be erased by irradiation with UV light. The data carrier, e.g. B. in the form of the punch card, which in this case contains the program for selective deletion, ie the negative work program, can be used directly to control the beam path of the UV light. Instead of UV light, it is conceivable to use rays of other wavelengths.

Zur Durchführung des selektiven Löschens ist lediglich eine Einrichtung erforderlich, welche die Löschimpulse je nach Größe des Datenträgers durch Streuen bzw. Bündeln auf das Format des Halbfestwertspeichers, gezielt auf die einzelnen Positionen der Speicherzellen, überträgt. Hierzu können bei Verwendung des obengenannten bekannten Halbfestwertspeichers beim selektiven Löschen die UV-Strahlen mittels einer Optik aus die UV-Strahlen leitenden, nicht absorbierenden Werkstoffen übertragen werden. Als einfache Übertragungseinrichtung kann eine Optik aus einem ein- oder mehrstückigen, bevorzugt als massives Teil ausgebildeten Quarzkörper oder eine entsprechende Faseroptik verwendet werden, welche die Umsetzung der UV-Strahlen vom Datenträgerformat auf das Format des Festwertspeichers besorgt. Die genannte Optik kann auch bei Anwendung anderer Strahlen als UV-Licht zum Löschen des Festwertspeichers Verwendung finden. Möglich ist auch die Anwendung einesTo carry out the selective deletion, only one device is required, which the Erase pulses depending on the size of the data carrier by scattering or bundling on the format of the semi-fixed value memory, specifically to the individual positions of the memory cells. You can do this when using of the above-mentioned known semi-fixed value memory in the selective erasure of the UV rays by means of optics made of materials that conduct UV rays and do not absorb them. When simple transmission device can be a one-piece or multi-piece optics, preferably as a solid one Partly formed quartz body or a corresponding fiber optic can be used, which the implementation of UV rays from the data carrier format to the format of the read-only memory. The said Optics can also be used to erase the read-only memory when rays other than UV light are used Find. It is also possible to use one

frvien optischen Projektionsverfahrens für den Strahlengang, ζ. B. aus UV-Licht, mit dem Datenträger als auf dem Halbfestwertspeicher abzubildendes Objekt,frvien optical projection method for the beam path, ζ. B. from UV light, with the data carrier as an object to be mapped on the semi-fixed value memory,

Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 das Aktivieren sämtlicher Speicherzellen;The invention will now be explained in more detail with reference to the drawings, for example. It shows F i g. 1 activating all memory cells;

F i g. 2 das selektive Löschen bestimmter Speicherzellen; F i g. 2 the selective erasure of certain memory cells;

Fig.3 eine Optik aus einem massiven Quarzkörper im Querschnitt; F i g. 4 eine Faseroptik.3 shows an optic made of a solid quartz body in cross section; F i g. 4 a fiber optic.

In Fig. 1 ist ein Kalbfestwertspeicher 1 mit den X- und V-Anschlüssen gezeigt. Mittels der Kontaktschiene 2 werden sämtliche X-Anschlüsse gleichzeitig angesteuert, während über die Kontaktschiene 3 sämtliche V-Anschlüsse gleichzeitig einen Spannungsimpuls erhalten. 1 shows a calf read-only memory 1 with the X and V connections. By means of the contact rail 2, all of the X connections are controlled simultaneously, while all of the V connections receive a voltage pulse via the contact rail 3 at the same time.

Hierdurch ist es auf einfache Weise möglich, sämtliche Speicherzellen gleichermaßen auf den Zustand logisch »Null« zu bringen.This makes it possible in a simple manner to apply all memory cells equally to the state to bring logical "zero".

Fig.2 zeigt in einem in etwa wirklichkeitsgetreuen Maßstab eine Lochkarte 4 und den Halbfestwertspeicher 1 in der Seitenansicht. Der Abstand zwischen der Lochkarte und dem Halbfestwertspeicher wird überbrückt mittels eines als Strahlenleitkörper dienenden Quarzkörpers 5. Die Lochkarte 4 wird von oben her mittels Ultraviolett (UV)-Licht aus der Lichtquelle 6 bestrahlt. Entsprechend der Lochung in der Lochkarte 4 werden die UV-Strahlen auf bestimmten Wegen zu ganz bestimmten, den Speicherzellen entsprechenden Punkten auf dem Halbfestwertspeicher gelenkt — ein solcher möglicher Strahlengang ist gestrichelt eingezeichnet —, wodurch die getroffene Speicherzelle z. B. bei 7, gelöscht, d. h. auf den Zustand logisch »L« gebracht wird.Fig.2 shows in an approximately realistic Scale a punch card 4 and the semi-fixed value memory 1 in the side view. The distance between the The punch card and the semi-fixed value memory are bridged by means of a radiation guide element Quartz body 5. The punch card 4 is extracted from the light source 6 from above by means of ultraviolet (UV) light irradiated. According to the perforation in the punch card 4, the UV rays are on certain paths very specific points on the semi-fixed value memory corresponding to the memory cells - a such a possible beam path is shown in dashed lines - whereby the hit memory cell z. B. at 7, deleted, i.e. H. is brought to the logic "L" state.

F i g, 3 zeigt den Aufbau des Quarzkörpers 5, nämlich einen Schnitt 1-1 gemäß F i g. 2 durch den Quarzkörper. Der massive Quarzkörper 5 enthält einzelne optisch voneinander getrennte Lichtkanäle 8a, Sb usw., so daß sich an diesem vereinfachten Beispiel ein Raster mit insgesamt 18 Speicherzellen ergibt. Die Lichtkanäle können z. B. einzelne konisch zulaufende Stäbe sein, deren Wände eine strahlungsdurchlässige Schicht aufweisen. Durch Zusammenfügen dieser Stäbe entsteht der Quarzkörper 5. Jeder .Lichtkanal grenzt mit einem Ende an eine Informationszelle der Lochkarte 4 und mit dem anderen Ende an eine Speicherzelle des Halbfestwertspeichers 7 an. Der in F i g. 2 gestrichelt gezeichnete Strahlengang benutzt beispielsweise den Lichtkanal 8cgemäß Fig. 3.FIG. 3 shows the structure of the quartz body 5, namely a section 1-1 according to FIG. 2 through the quartz body. The solid quartz body 5 contains individual light channels 8a, Sb , etc., which are optically separated from one another, so that this simplified example results in a grid with a total of 18 storage cells. The light channels can, for. B. be individual tapered rods, the walls of which have a radiation-permeable layer. The quartz body 5 is created by joining these rods. The in F i g. The beam path shown in dashed lines in FIG. 2 uses the light channel 8c according to FIG. 3, for example.

Fig. 4 zeigt in schematischer Darstellung die Übertragung der Impulse von der Lochkarte 4 auf den Halbfestwertspeicher 1 mittels einer Faseroptik aus den als Strahlenleiter dienenden Fasern 9a, 9b usw. Die Fasern sind mit einem Ende jeweils an eine dem Format der Lochkarte 4 angepaßte Rasterplatte 10 und mit dem anderen Ende an eine dem Format des Halbfestwertspeichers 7 angepaßte Rasterplatte 11 angeschlossen. Die Raster der Platten 10 und 11 entsprechen der Anordnung der Informationszellen auf der Lochkarte bzw. auf dem Halbfestwertspeicher.Fig. 4 shows a schematic representation of the transmission of the pulses from the punch card 4 to the semi-fixed value memory 1 by means of fiber optics from the fibers 9a, 9b , etc. serving as radiation guides and connected at the other end to a grid plate 11 adapted to the format of the semi-fixed value memory 7. The grids of the plates 10 and 11 correspond to the arrangement of the information cells on the punch card or on the semi-fixed value memory.

Die Fasern 9a, 96 usw. münden mit ihren Enden in entsprechende Bohrungen in den Rasterplatten 10 bzw. U. Bei Verwendung der Faseroptik ergibt sich der zusätzliche Vorteil, daß die von der Lochkarte kommenden Lichtimpulse durch entsprechendes Verbiegen der Fasern auch umgelenkt, also nicht nur auf geradem Weg übertragen werden können.The ends of the fibers 9a, 96 etc. open into corresponding bores in the grid plates 10 or U. When using fiber optics, there is the additional advantage that the punch card Incoming light impulses are also deflected by bending the fibers accordingly, i.e. not just on can be transmitted straight away.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Device for programming a binary matrix-shaped semi-fixed value memory, the memory cells of which can be activated by voltage pulses and erased by the action of light, characterized in that electrical bridges (2, 3) are provided in the X and V lines, via which all memory cells of the memory are first (1) are activated at the same time, and that the memory is then irradiated by a light source (6) via at least one screen (4), which simultaneously allows light access to the memory cells (7) not to be marked, and an optical system (5, 9) so that the desired program remains in memory.

2. Device according to claim f, characterized in that the light source (6) is ultraviolet light radiates.

3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that the diaphragm (4) is a commercially available one Punch card is.

4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the optics (5, 9) adjusts the size of the aperture to the size of the memory.

5. Device according to claim 4, characterized in that the optics consists of a one or multi-piece quartz body (5) consists.

6. Device according to claim 4, characterized in that the optics are fiber optics (9).